KR101358971B1 - 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로 - Google Patents

지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로에 관한 것으로서, 구체적으로는 성장로 내부에 수산화알루미늄 결정을 도가니 내부에 투입한 후 고온에서 사파이어 단결정을 성장시킬 때 성장 중인 사파이어에 내화벽돌로부터 유출된 칼슘이나 바륨과 같은 불순물이 영향을 주지 않도록 함으로써 고순도의 사파이어 단결정을 얻을 수 있도록 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽이 도가니 주위에 둘러싸고 구성되어 있는 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로에 관한 것이다.
본 발명은 사파이어 단결정을 성장시키기 위한 2000℃ 이상의 고온의 작업환경에서도 휘발되어 사파이어 단결정 성장시 불순물로 작용될 수 있는 칼슘이온이나 바륨이온을 포함하지 않아 원천적으로 불순물의 유입을 방지함으로써 사파이어 단결정 성장시 휘발성 불순물로 인한 제품의 질 저하를 방지하고 고순도의 사파이어 단결정을 성장시킬 수 있다는 장점이 있다.

Description

지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로 {SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL GROWTH FURNACE WITH ZIRCONIA POWDER TYPED HEAT}
본 발명은 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로에 관한 것으로서, 구체적으로는 성장로 내부에 수산화알루미늄 결정을 도가니 내부에 투입한 후 고온에서 사파이어 단결정을 성장시킬 때 성장 중인 사파이어에 내화벽돌로부터 유출된 칼슘이나 바륨과 같은 불순물이 영향을 주지 않도록 함으로써 고순도의 사파이어 단결정을 얻을 수 있도록 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽이 도가니 주위에 둘러싸고 구성되어 있는 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로에 관한 것이다.
LED에 사용되고 있는 인공사파이어는 고순도 알루미나(Al2O3)를 고온진공성장로에서 단결정으로 성장 시킨 후, 슬라이싱(Slicing), 폴리싱(polishing)가공 단계를 거쳐 최종적으로 제품으로 완성된 후에 LED 발열체로서 사용되고 있다.
고온 진공성로에는 열차폐막으로 일반적으로 지르코니아를 주성분으로 하는 내화용 블록이 사용되고 있으며, 지르코니아 내화용 블록을 형성시킬 때에는 산화지르코니아(ZrO2)에 바인더로서 산화칼슘(CaO)이나 바륨(Ba)화합물을 혼합한 후에 산화철(Fe2O3)과 산화규소(SiO2) 등을 소량 혼합시켜 이를 블록으로 제조하여 지르코니아 내화용 블록으로 사용하고 있다. 이러한 지르코니아 블록 내화물은 2200℃까지 견딜 수 있으며, 산에 저항성이 있어 부식에도 강하며 열충격성이 좋다는 장점 때문에 사파이어 단결정 성장로 등에 내화용 재료로서 채택되어 사용되고 있었다.
그러나, 성장로 내에서 사파이어 단결정을 성장시킬 때에는 2000℃ 이상의 고온 환경이 조성되므로, 바인더(binder)로 사용된 칼슘(Ca)산화물이나 바륨(Ba)산화물이 활성화되어 이온화된 원소 상태로 휘발되어 고온에서 사파이어 결정을 성장시키는 과정 중에 도가니 내부로 유입됨으로써 사파이어 단결정 성장을 저해시키는 불순물이 되어 사파이어 단결정의 순도에 영향을 미치는 요인이 되고 있었다.
한편, 고온의 로에서 사용되는 내화재에 관해서는 한국특허등록 제0558654호에서 고온가열을 요하는 각종 공업용 로 내부에 내장되는 단열벽의 내부쪽에 대해 흑도가 높은 물질을 코팅하여 복사율을 높여 에너지를 절약하는데 적합한 단열벽돌에 대해 제안한 바 있으나 단열벽돌의 외부표면에 코팅된 물질이 높은 온도에서 휘발되어 불순물로서 작용하는 경우 이를 제어할 수 있는 방법에 대해서는 개시된 바 없어 고순도의 사파이어 단결정 성장로에 적용하기는 어렵다는 문제점이 있었다. 또한 한국특허등록 제1143312호에서는 바륨알루미네이트와 큐빅 결정상을 갖는 지르코니아를 포함하여 조성되며 복수 개의 기공들이 균일하게 분포되어 다공성을 나타내는 열차단재로서 블록 형태로 이루어진 것에 대해 제안한 바 있으나, 함께 포함된 바륨알루미네이트는 고온상에서 바륨 성분이 이온화되어 사파이어 단결정 성장시 불순물로 작용할 수 있어 이 우수한 열차단성 및 기계적 특성을 가졌음에도 불구하고 사파이어 단결정 성장로의 열차단재로서 사용하기에 곤란하다는 문제점은 여전히 남아 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
본 발명은 고온의 작업환경에서도 불순물로 작용될 수 있는 칼슘이온이나 바륨이온을 포함하지 않는 순수한 지르코니아로만 조성되며 도가니 주위의 측벽에 블록이 아닌 일체형의 스크린 형태로 조성되는 열차폐부를 포함하는 사파이어 단결정 성장로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제공되는 본 발명에 의한 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로는, 내부에 알루미나가 장입되어 고온 진공하에서 사파이어 단결정으로 성장시키는 도가니; 상기 도가니에 열을 가하는 히터부; 상기 히터부 주위에 인접하여 설치되어 상기 히터부로부터 발생되는 열이 외부로 유출되지 않도록 열을 차폐시키며, 직경이 서로 다르며 내측에 위치한 제1금속관과 외측에 위치한 제2금속관 및 제1금속관과 제2금속관 사이의 공간에 충진되는 지르코니아 분말층으로 구성되는 열차단부; 및 상기 열차단부의 주위에 인접하여 설치되는 단열재로 이루어지는 단열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제1금속관과 제2금속관의 재질은 몰리브덴이며, 상기 제1금속관과 제2금속관의 두께의 비율은 1:0.1~0.2인 것이 바람직하다.
상기 제1금속관과 제2금속관의 재질을 몰리브덴으로 하는 것은 사파이어 단결정을 성장시키기 위한 작업환경이 진공하에서 2000℃ 이상의 고온이란 점을 감안할 때 2000℃ 이상의 온도에서 견딜 수 있는 물성을 가졌기 때문이다.
한편, 열차폐효과를 위해 직경이 서로 다른 2개의 금속관을 이용하여 2중 튜브 형태로 구성한 후 제1금속관과 제2금속관의 사이에 빈 공간에 지르코니아 분말을 충진시켜 자연적으로 열차폐가 가능하도록 하였다. 따라서 내화벽 역할을 하던 블록 형태로 미리 제작되어 적층되어 열차폐부를 형성시켰던 기존의 성장로에서는 미리 블록형성을 위해 지르코니아 이외에 바인더로서 산화칼슘이나 바륨화합물 등을 혼합하여 블록을 제조할 수 밖에 없었으며, 이러한 바인더로서 혼합되었던 칼슘 성분이나 바륨성분이 고온하에서 이온화되어 휘발된 후 사파이어 단결정을 성장시키는 도가니 내부로 유입되어 불순물로 작용되어 제품의 질이 열악해지거나 불순물 함량이 높아 고순도의 사파이어 단결정을 성장시키기가 어려웠다는 문제점이 있었다. 이에 반해 본 발명에서는 원초적으로 지르코니아 분말 이외에 고온에서 휘발되어 사파이어 단결정 성장시에 불순물로 작용할 수 있는 다른 화합물을 일체 혼합하지 않고도 열차폐부를 형성시킬 수 있도록 한 것이 특징이다.
따라서 성장로의 내부 온도를 2200℃ 이상으로 상승시키면 지르코니아 분말은 용융화되지만 곧 사파이어 단결정 성장을 위하여 온도를 하강시키게 되면 몰리브덴 재질의 제1금속관과 제2금속관 사이에 위치하던 지르코니아 용융물은 점차 고형화되어 바인더 없이도 전체적으로 스크린 형태의 판상으로 성형되어 히터부에서 지속적으로 방열되는 열을 막아내는 열차폐부로서의 역할을 할 수 있게 된다.
한편. 직접적으로 히터부로부터 열을 받는 제1금속관의 경우 제2금속관에 비해 그 두께가 두꺼운 것이 열에 의한 관의 변형을 방지할 수 있으며 바람직하게는 제1금속관의 두께가 제2금속관에 비해 10배 정도 두꺼운 것이 좋다.
아울러, 고온에서 용융되었다가 고형 판상의 지르코니아 스크린을 형성시키는 지르코니아 분말의 크기는 0.1~3㎜인 것이 바람직하다. 이는 용융 후 결정화되어 다시 고형상태로 변형할 때 입자가 고르게 하는 것이 전반적인 밀도를 고르게 할 수 있기 때문이며 열차폐효과가 우수하기 때문이다.
본 발명은 사파이어 단결정을 성장시키기 위한 2000℃ 이상의 고온의 작업환경에서도 휘발되어 사파이어 단결정 성장시 불순물로 작용될 수 있는 칼슘이온이나 바륨이온을 포함하지 않아 원천적으로 불순물의 유입을 방지함으로써 사파이어 단결정 성장시 휘발성 불순물로 인한 제품의 질 저하를 방지하고 고순도의 사파이어 단결정을 성장시킬 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 기존의 블록 형태의 지르코니아 내화벽돌을 채택한 종래의 사파이어 단결정 성장로의 단면을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 의해 구성된 사파이어 단결정 성장로의 단면을 도시한 것이다.
도 3은 기존에 블록형태로 제작된 지르코니아 내화벽돌의 구성 및 적층된 상태를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 구성요소 중 하나인 열차폐부의 구성을 구체적으로 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 통하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 기존의 블록 형태의 지르코니아 내화벽돌을 채택한 종래의 사파이어 단결정 성장로의 단면을 도시한 것이며, 도 2는 기존에 블록형태로 제작된 지르코니아 내화벽돌의 구성 및 적층된 상태를 도시한 것이다.
기존에 사용되어 오던 고온진공성 사파이어 단결정 성장로는 내부에 알루미나를 장입하여 사파이어 단결정으로 성장시키게 되는 도가니(100), 도가니에 열을 공급하는 히터부(200), 히터부의 주위에 인접하여 설치되며 히터부로부터 방열되는 열을 외부로 향하지 않도록 차폐시키는 지르코니아 내열블록층(350)으로 형성된 열차폐부, 열차폐부의 주위에 인접하여 설치되며 성장로 외부로 열이 빠져나가는 것을 막아주는 단열재(400)를 주요 구성요소로 하여 이루어진다. 본 도에서는 히터부(200)에 열을 가하는 열원으로서 전극(500)을 통해 전달되는 전기를 이용하여 열을 발생시키는 방식을 채택한 사파이어 단결정 성장로를 대상으로 하였다.
기존의 고온진공성 사파이어 단결정 성의 경우 히터부(200)로부터 외부로 열이 방출되는 것을 1차적으로 막고 성장로 자체의 안전을 위해 히터부(200)로부터 방열되는 열을 외부로 전달되는 것을 막아주기 위하여 블록형태의 지르코니아 내화벽돌을 이용하여 지르코니아 내화블록층(350)을 형성하게 된다. 이때 내화블록을 제작하기 위해서는 지르코니아 분말로는 압축성형을 하여도 견밀성이 떨어져 고온에서의 기계적 강도가 떨어지기 때문에 부득이 지르코니아 분말을 바인딩해주는 바인더로서 산화칼슘이나 산화바륨이나 바륨화합물을 함께 혼합하여 블록을 형성하게 된다. 하지만 블록 제조시 투입되는 바인더의 주요성분이 칼슘이나 바륨은 2000℃ 이상으로 승온하게 되면 곧 이온화되어 비산되는 성질을 갖고 있으며, 이러한 칼슘이온이나 바륨이온은 바로 도가니(100) 내부에서 성장되고 있는 사파이어 단결정에 바로 불순물로서 작용하여 단결정 성장을 저해시키는 원인이 되고 있었다.
도 3은 본 발명에 의해 구성된 사파이어 단결정 성장로의 단면을 도시한 것이며, 도 4는 본 발명의 구성요소 중 하나인 열차폐부의 구성을 구체적으로 도시한 것이다.
따라서 본 발명에서는 상기 도 1에서 도시된 것과 같은 지르코니아 내화벽돌로 조성된 지르코니아 내화블록층이 아니라 지르코니아 분말만을 이용하여 이를 용융시켰다가 고형이 되도록 냉각하여 판상의 지르코니아 스크린을 형성시키도록 하여 원초적으로 바인더의 혼합이 없도록 하여 불순물의 발생가능성을 원천적으로 봉쇄하였다.
본 발명에 의한 구성요소 중 가장 핵심인 열차폐부(300)는 히터부(200)에 인접하여 설치되며 내측에 위치하는 제1금속관(310)과 상기 제1금속관보다 직경이 크며 외측에 위치하는 제2금속관(330) 및 상기 제1금속관과 제2금속관 사이 공간에 충진되었다가 2000℃ 이상으로 고온이 되었을 때 제1금속관과 제2금속관 사이에 형성된 공간에 고정된 상태에서 용융된 후 고형화되어 스크린 형태의 열차폐벽으로 전환되는 지르코니아 분말층(320)로 구성된다.
그 이외에는 앞서 도 1에서 본 바와 같이 도가니(100), 히터부(200), 열차폐부(300), 단열재로 이루어진 단열부(400)를 포함하여 사파이어 단결정 성장로가 구성된다.
이때 제1금속관(310)과 제2금속관(330)의 재질로는 몰리브덴이 선택되었으며, 제1금속관의 두께는 2T 즉 2㎜인 것을, 제2금속관의 두께는 0.3T 즉 0.3㎜ 인 것을 각각 선택하여 사용하였다. 아울러 제1금속관과 제2금속관 사이의 공간에 충진되는 지르코니아 분말의 크기는 0.1~3㎜인 것을 골라서 충진시켜 지르코니아 분말층(320)으로 형성된 사파이어 단결정 성장로를 구성하였다.
100 : 도가니
200 : 히터부
300 : 열차폐부
310 : 제1금속관 320 : 지르코니아분말층
330 : 제2금속관
350 : 지르코니아 내화블록층
400 : 단열부
500 : 전극부

Claims (3)

  1. 내부에 알루미나가 장입되어 고온 진공하에서 사파이어 단결정으로 성장시키는 도가니;
    상기 도가니에 열을 가하는 히터부;
    상기 히터부 주위에 인접하여 설치되어 상기 히터부로부터 발생되는 열이 외부로 유출되지 않도록 열을 차폐시키며, 직경이 서로 다르며 내측에 위치한 제1금속관과 외측에 위치한 제2금속관 및 제1금속관과 제2금속관 사이의 공간에 충진되는 지르코니아 분말층으로 구성되는 열차단부; 및
    상기 열차단부의 주위에 인접하여 설치되는 단열재로 이루어지는 단열부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로 .
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1금속관과 제2금속관의 재질은 몰리브덴이며,
    상기 제1금속관과 제2금속관의 두께의 비율은 1:0.1~0.2인 것을 특징으로 하는 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로 .
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지르코니아 분말의 크기는 0.1~3㎜인 것을 특징으로 하는 지르코니아 분말로 형성된 열차폐벽을 포함하는 단결정 성장로 .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111304735A (zh) * 2020-04-14 2020-06-19 四川省久宝晶体科技有限公司 立方锆蓝宝石生长晶体炉及立方锆蓝宝石合成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008081370A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd サファイア結晶の製造方法
JP2008266078A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Shin Etsu Chem Co Ltd サファイア単結晶の製造方法
JP2011037643A (ja) 2009-08-06 2011-02-24 Showa Denko Kk 単結晶引き上げ装置、単結晶の製造方法及び単結晶
KR101143312B1 (ko) 2011-11-02 2012-05-09 정덕수 내열성이 우수한 열차단재 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008081370A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Shin Etsu Chem Co Ltd サファイア結晶の製造方法
JP2008266078A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Shin Etsu Chem Co Ltd サファイア単結晶の製造方法
JP2011037643A (ja) 2009-08-06 2011-02-24 Showa Denko Kk 単結晶引き上げ装置、単結晶の製造方法及び単結晶
KR101143312B1 (ko) 2011-11-02 2012-05-09 정덕수 내열성이 우수한 열차단재 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111304735A (zh) * 2020-04-14 2020-06-19 四川省久宝晶体科技有限公司 立方锆蓝宝石生长晶体炉及立方锆蓝宝石合成方法

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