KR101346388B1 - 액정용 배향막 노광 방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

액정 기판의 배향막에 미세한 피치의 선 형상의 광 패턴을 조사하여 한 방향으로 주사하면, 그 주사한 방향에 따른 일정한 배향 특성(프리틸트각)이 배향막에 부여되는데, 종래의 마스크를 통하여 광 패턴을 조사하여 노광하는 방식에서는 노광의 시간이 길게 걸려, 실용화한 후에는 네크(neck)로 되어 있던 것을, 본 발명에서는, 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하여 미소한 가동 미러를 다수 구비한 마이크로 미러 디바이스에 입사시키고, 마이크로 미러 디바이스의 미소한 가동 미러에 의해 형성된 반사 패턴으로 반사된 노광광의 패턴을 투영 광학계를 통하여 스테이지에 재치된 표면에 배향막이 형성된 기판에 투영하여 배향막을 노광하는 액정용 배향막을 노광하는 방법에 있어서, 스테이지를 한 방향으로 연속적으로 이동시킴으로써 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 기판 상을 노광광의 패턴이 스테이지의 이동 속도보다도 느린 속도로 이동하여 배향막을 노광하도록 하였다.

Description

액정용 배향막 노광 방법 및 그 장치{METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSING A LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER}
본 발명은, 액정 표시 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 액정 배향막에 광학적 수법에 의해 배향 특성을 부여하기 위한 액정용 배향막 노광 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
액정 표시 소자는, 대형 텔레비전, 3D 텔레비전, 퍼스널 컴퓨터나 휴대 단말기의 디스플레이로서, 보다 많은 정보를 보다 고품위로 표시하기 위해, 고화질화, 고정세화가 요구되고 있다.
이 액정 표시 소자의 고화질화, 고정세화를 실현하기 위해서는, 액정 표시 소자를 구성하는 한 쌍의 대항하는 글래스 기판간에 밀봉하는 액정 재료의 분자의 배열(배향)을 글래스 기판 상에 형성된 광학적으로 투명한 전극(투명 전극) 상에서 균일화시킬 필요가 있다.
이 액정 재료의 분자의 배열(배향)을 균일화시키기 위해, 종래, 글래스 기판에 형성된 투명 전극 상에 배향막을 형성하고, 이 배향막을 천으로 러빙하여 배향 특성을 부여하는 방법이 이용되고 있었다. 그러나, 이 방법은 배향막의 일부가 박리되어 미세한 먼지가 발생하여, 소자 불량의 원인으로 되거나, 글래스 기판의 표시 영역 전체면에 걸쳐서 균일한 배향 특성을 부여하는 것이 어려워, 보다 고정세한 표시 소자를 형성하는 데 있어서 과제로 되어 있었다.
이 러빙 방법에 의해 배향막에 배향 특성을 부여하는 방법으로서, 예를 들면 "기무라 마사유키, 다나카 마사카즈 외 : 광 배향막 상에 있어서 안정된 프리틸트각을 유기하기 위한 신규 광 배향 프로세스 : JSR TECHINICAL REVIEW No.111/2004"에는, 배향막에 광을 조사하여 비접촉으로 배향 특성을 부여하는 광 러빙 방법이 제안되어 있다. 이것은, 배향막 재료인 폴리머막에 수직 방향으로부터 14㎛의 피치로 형성된 복수의 선 형상의 광을 조사하면서 조사 영역을 한 방향으로 연속적으로 이동시킴으로써, 폴리머막의 표면에 액정 배향능을 부여시키는 방법이다. 조사하는 광의 주사 방향에 따라서 배향 특성이 변하는 것이 기재되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2004-145141호 공보에도 마찬가지의 광 러빙 방법에 관하여 기재되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 평11-352486호 공보에는, 액정 표시 장치의 시야각 확대, 표시 품위의 향상 및 콘트라스트의 향상을 도모하기 위해, 대향하는 2매의 글래스 기판의 각각에 프리틸트 방향이 다른 2종류의 배향 영역을 형성하여 서로의 배향 영역의 경계가 직교하도록 하여 2매의 글래스 기판을 접합함으로써, 4분할의 배향 상태를 얻는 것이 기재되어 있다. 그리고, 배향막에 대한 배향 처리의 방법으로서, 배향 특성을 부여하지 않는 영역을 마스크한 상태에서 러빙법, 이온빔 조사법, 광 조사법 중 어느 하나로 행하는 것이 기재되어 있다.
"기무라 마사유키, 다나카 마사카즈 외 : 광 배향막 상에 있어서 안정된 프리틸트각을 유기하기 위한 신규 광 배향 프로세스 : JSR TECHINICAL REVIEW No.111/2004(이하, 기무라 외라고 기재함)"에 기재되어 있는 방법에서는, 조사한 복수의 선 형상의 광의 주사 속도는 34㎛/sec이며, 한편, 기무라 외에 기재되어 있는 방법에서는 조사한 복수의 선 형상의 광의 주사 속도는 100pm/sec이다. 이것은, 예를 들면 1변의 길이가 1m의 액정 기판을 처리하기 위해, 광을 1회 주사하기 위해 기무라 외 방법에서는 7.5시간, 일본 특허 공개 제2004-145141호 공보에 기재되어 있는 방법에서는 약 2.8시간 걸리게 되고, 이것을 복수의 배향 특성을 부여하기 위해 기판 상의 주사 방향을 바꿔서 복수회 주사하는 것을 생각하면, 실용적인 처리 속도로는 훨씬 못 미친다.
또한 일본 특허 공개 평11-352486호 공보에 기재되어 있는 방법은, 기판의 원하는 부분에만 배향 특성을 부여하기 위해 포토마스크를 사용할 필요가 있고, 특히 대형 마더 기판 사용의 제조 라인에서는, 고액의 포토마스크를 제품마다 작성할 필요가 있어, 제조 코스트의 점에서 큰 부담으로 된다. 또한, 이 방식으로 제조되는 액정 패널은, 액정의 상하에서 90도로 트위스트된 방향으로 배향을 규제하는 방식이며, 상하 평행 또는 역평행인 방향으로 배향을 규제하는 배향 방향 부여 방식에 비해, 응답 속도가 저하될 가능성이 있다.
본 발명의 목적은, 상기한 종래의 기술상의 과제를 해결하여, 광 배향막을 실용적인 처리 속도로 형성하는 것이 가능한 액정용 배향막 노광 방법 및 그 장치를 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는, 액정용 배향막을 노광하는 노광 장치를, 표면에 배향막이 형성된 기판을 재치하여 이동 가능한 스테이지 수단과, 노광광을 발사하는 광원과, 이 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하는 편광 특성 부여 수단과, 편광 특성 부여 수단에 의해 편광 특성을 부여받은 노광광의 일부를 미소한 가동 미러에 의해 형성한 패턴으로 반사하는 패턴 형성 수단과, 이 패턴 형성 수단에 의해 반사된 노광광의 패턴을 스테이지 수단에 재치된 기판에 조사하여 배향막을 노광하는 투영 광학부와, 전체를 제어하는 제어 수단을 구비하여 구성하고, 제어 수단은, 스테이지 수단과 패턴 형성 수단을 제어하여, 스테이지 수단을 한 방향으로 연속적으로 이동시킴으로써 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 기판 상을 노광광의 패턴이 스테이지 수단의 이동 속도보다도 느린 속도로 이동하여 배향막을 노광하도록 구성하였다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는, 액정용 배향막을 노광하는 노광 장치를, 표면에 배향막이 형성된 기판을 재치하여 이동 가능한 스테이지 수단과, 자외광 또는 자외광에 근접한 광을 노광광으로서 발사하는 광원과, 이 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하는 편광 특성 부여 수단과, 미소한 가동 미러를 다수 구비하여 편광 특성 부여 수단에 의해 편광 특성을 부여받은 노광광을 입사하여 미소한 가동 미러에 의해 형성한 패턴으로 반사함으로써 미소한 피치의 선 형상의 광 패턴을 형성하는 패턴 형성 수단과, 이 패턴 형성 수단에 의해 형성된 미세한 피치의 선 형상의 노광광 패턴을 스테이지 수단에 재치된 기판에 조사하여 배향막을 노광하는 투영 광학부를 구비하여 구성하고, 패턴 형성 수단은, 스테이지 수단에 재치되어 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 기판 상에 미세한 피치의 선 형상의 노광광 패턴을 스테이지 수단의 이동 속도보다도 느린 속도로 한 방향과는 반대의 방향으로 이동하여 배향막을 노광하도록 구성하였다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는, 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하여 미소한 가동 미러를 다수 구비한 마이크로 미러 디바이스에 입사시키고, 마이크로 미러 디바이스의 미소한 가동 미러에 의해 형성된 반사 패턴으로 반사된 노광광의 패턴을 투영 광학계를 통하여 스테이지에 재치된 표면에 배향막이 형성된 기판에 투영하여 배향막을 노광하는 액정용 배향막을 노광하는 방법에 있어서, 스테이지를 한 방향으로 연속적으로 이동시킴으로써 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 기판 상을 노광광의 패턴이 스테이지의 이동 속도보다도 느린 속도로 이동하여 배향막을 노광하도록 하였다.
이와 같이 구성한 본 발명에 따른 액정용 배향막 노광 장치에 의해, 액정 패널의 서브 픽셀 내를 4개의 영역으로 분할하고, 개개의 영역의 배향막 규제 방향이 TFT와 컬러 필터의 상하부 기판에서 역평행, 또한 전압 인가에 의한 액정의 경도 방위가 기판의 종단면에 대하여 45°, 135°, 225°, 315° 또는, 1축의 정방향 및 부방향에 대하여 각각 ±22.5°로 할 수 있으므로, 시야각이 넓고, 응답이 빠른 액정 패널을 제조할 수 있다.
본 발명에 따르면, 종래의 러빙 방법으로 바꾸는 광 배향막을 실용적인 처리 속도로 형성하는 것이 가능하게 되어, 보다 고화질로 고정세한 액정 표시 소자를 실현하는 것을 가능하게 하였다.
본 발명의 특징 및 장점은 첨부된 도면에 예시된 바와 같이 본원의 바람직한 실시예들의 이하의 보다 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 액정용 배향막 노광 장치의 전체의 구성을 도시하는 블록도.
도 2a는 마이크로 미러 디바이스의 평면도.
도 2b는 마이크로 미러 디바이스의 하나의 소자의 동작을 설명하는 마이크로 미러 디바이스 소자의 측면도.
도 3은 투영 광학부와 스테이지부의 구성을 도시하는 사시도.
도 4는 노광 공정에 있어서 마이크로 미러 디바이스의 소자와 기판 형상의 노광 영역과의 시간적인 변화를 모식적으로 도시한 마이크로 미러 디바이스의 소자의 평면도.
도 5a는 선 형상의 노광 패턴을 형성한 마이크로 미러 디바이스의 정면도.
도 5b는 선 형상의 노광 패턴이 Y방향으로 1라인만큼 전송된 상태를 도시하는 마이크로 미러 디바이스의 정면도.
도 6은 투영 광학부의 제2 실시예에 있어서의 구성을 도시하는 블록도.
도 7은 투영 광학부의 제2 실시예에 있어서 기판 상의 30㎛×30㎛의 2차원 영역에 미소한 스폿광이 조사되어 있는 상태를 도시하는 기판 상의 30㎛×30㎛ 영역의 평면도와 마이크로 미러 디바이스의 1열분의 평면도.
도 8a는 1화소 내의 배향막의 프리틸트각의 분포를 도시하는 액정 기판의 1화소의 정면도.
도 8b는 액정 기판 내의 각 화소에 4방향의 프리틸트각을 부여한 상태를 도시하는 액정 기판의 정면도.
도 9a는 제1 노광 공정에 있어서 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 9b는 제2 노광 공정에 있어서 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 9c는 제3 노광 공정에 있어서 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 9d는 제4 노광 공정에 있어서 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 10a는 1화소 내의 배향막의 X축의 플러스 및 마이너스의 방향에 대하여 각각 ±22.5도의 프리틸트각의 분포를 도시하는 액정 기판의 1화소의 정면도.
도 10b는 액정 기판 내의 각 화소에 X축 방향에 대하여 ±22.5도의 4방향의 프리틸트각을 부여한 상태를 도시하는 액정 기판의 정면도.
도 11a는 제1 노광 공정에 있어서 도 10a의 1043의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 11b는 제2 노광 공정에 있어서 도 10a의 1044의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 11c는 제3 노광 공정에 있어서 도 10a의 1042의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 11d는 제4 노광 공정에 있어서 도 10a의 1041의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도.
도 12는 액정 기판의 Y방향의 조작을 반복하여 각 화소마다 4방향의 프리틸트각을 배향막에 형성하기 위한 노광 공정의 처리의 흐름을 설명하는 플로우도.
도 13은 액정 기판의 Y방향의 조작을 반복하여 각 화소마다 4방향의 프리틸트각을 배향막에 형성하는 것을 X방향으로 주사 영역을 이동시키면서 반복하는 노광 공정의 처리의 흐름을 설명하는 플로우도.
이하에, 본 발명의 실시예를, 도면을 이용하여 설명한다.
<실시예 1>
도 1에, 본 실시예에 의한 액정용 배향막 노광 장치의 전체의 구성을 도시한다. 액정용 배향막 노광 장치는, 기판(100)을 재치하는 스테이지부(110), 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 노광하기 위한 노광 광학계(120), 스테이지부(110) 및 노광 광학계(120)를 제어하는 제어계(130), 기판 표면 높이 검출계(140)를 구비하여 구성되어 있다.
스테이지부(110)는, X축 방향으로 이동 가능한 X스테이지(111), X축 방향과 직교하는 Y방향으로 이동 가능한 Y스테이지(112), X축 및 Y축과 직교하는 Z축 방향(높이 방향)으로 이동 가능한 Z스테이지(113), Z축을 중심으로 하여 회전 가능한 θ스테이지(114)를 구비하고 있다. 기판(100)은, θ스테이지(114) 상에 유지된다.
노광 광학계(120)는, 자외광(UV광) 또는 자외 영역에 근접한 광을 발사하는 광원(121), 광원(121)으로부터 발사된 광의 편광 상태를 제어하는 편광판(122), 편광판(122)을 투과한 광의 광로를 절환하는 미러(123), 다수의 미세한 가동 미러로 구성된 패턴 형성 수단으로서의 마이크로 미러 디바이스(124), 미러(123)에 의해 광로가 절환되어 마이크로 미러 디바이스(124)에 입사하고 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 반사된 광을 집광하여 기판(1)의 표면에 형성된 배향막을 노광하는 투영 광학부(125)를 구비하고 있다.
제어계(130)는, 광원(121)을 제어하는 광원 제어부(131), 마이크로 미러 디바이스(124)를 제어하는 마이크로 미러 디바이스 제어부(132), 스테이지부(110)의 각 스테이지를 제어하는 스테이지 제어부(133) 및 전체를 제어하는 전체 제어부(134)를 구비하고 있다.
기판 표면 높이 검출계(140)는, 광원(121)으로부터 발사되는 광과는 다른 파장에서 기판(100)의 표면에 형성된 배향막에 영향을 미치지 않는 파장의 광을 노광 광학계(120)에서 기판(100)의 표면의 노광광을 조사하고 있는 영역의 근방에 경사 방향으로부터 조사하는 높이 검출용 광원(141)과, 이 높이 검출용 광원(141)으로부터 발사되어 기판(100)의 표면에서 반사된 광(정반사 광)을 검출하는 반사광 검출기(142)를 구비하고 있다. 노광 광학계(120)에서 기판(100)을 노광 중에, 반사광 검출기(142)에서 기판(100)으로부터의 반사광을 검출한 신호는 전체 제어부(134)에 송신되어 처리되고, 기판(100)의 표면의 높이 정보가 얻어짐과 함께, 이 높이 정보에 기초하여 기판(100)의 표면이 소정의 높이를 유지하도록, 전체 제어부(134)는 스테이지 제어부(133)를 통하여 Z스테이지(113)를 제어한다.
도 2a에, 마이크로 미러 디바이스(124)의 평면도를 도시한다. 마이크로 미러 디바이스(124)는 틀부(1241) 중에 미소한 가동 미러(1242)가 어레이 형상으로 배치되어 있고, 마이크로 미러 디바이스 제어부(132)에 의해 제어되어 그 미소한 가동 미러(1242) 하나 하나가 기울기를 2개의 경사 각도의 사이에서 절환할 수 있다. 즉, 도 2b에 도시한 바와 같이, 마이크로 미러 디바이스 제어부(132)에 의해 제어되어 가동 미러(1242)가 실선으로 나타내는 상태의 경사 각도로 유지되고 있을 때에는(온), 광원(121)으로부터 발사되어 미러(123)에 의해 광로가 절곡되어 입사한 광은, 가동 미러(1242)에 의해 투영 광학부(125)의 방향으로 반사되어 투영 광학부(125)를 투과하여 기판(100)에 도달하고, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 노광한다. 한편, 마이크로 미러 디바이스 제어부(132)에 의해 제어되어 가동 미러(1242)가 점선으로 나타내는 상태의 경사 각도로 유지되고 있을 때에는(오프), 미러(123)에 의해 반사되어 입사한 광은, 가동 미러(1242)에 의해 투영 광학부(125)로부터 벗어난 방향으로 반사되어, 기판(100)에 도달하지 않고, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막의 노광에는 기여하지 않는다.
도 2a에서 X방향으로 배열된 가동 미러(1242)에 의해 형성한 패턴(각 가동 미러(1242)의 온과 오프와의 조합)을 소정의 시간 간격으로 Y방향으로 이동시킴으로써, 마이크로 미러 디바이스(124) 상에서 가동 미러(1242)의 온ㆍ오프의 조합에 의한 패턴을 Y방향으로 일정한 속도로 이송할 수 있다.
즉, 도 1에 도시한 구성에 있어서, 광원(121)으로부터 발사되어 미러(123)에 의해 반사되어 마이크로 미러 디바이스(124)에 입사한 광 중, 마이크로 미러 디바이스 제어부(132)에 의해 제어되어 도 2b의 실선으로 나타낸 바와 같은 소정의 각도로 설정된 미소한 미러(1242)에 의해 반사한 광만이 투영 광학부(125)에 입사하여 기판(100)에 도달한다.
다음으로 투영 광학부(125)의 제1 실시예에 대해서 도 3과 도 4를 이용하여 설명한다. 도 3은 투영 광학부(125)를 포함하는 스테이지부(110)의 사시도이다. 마이크로 미러 디바이스(124)는 Y스테이지(112)의 이동 방향에 대하여 θ만큼 경사져 설치되어 있다.
Y방향으로 이동하는 작은 영역(101)과 이 작은 영역(101) 상에 전사되는 화소 패턴과의 관계를, 도 4를 이용하여 설명한다. 도 4에서는, 설명을 간단히 하기 위해, 마이크로 미러 디바이스(124)의 Y방향으로 일렬로 배열된 가동 미러(1242-1∼1242-6)와 Y방향(화살표 50의 방향)으로 연속적으로 이동하는 기판(100) 상에서 이 가동 미러(1242-1∼1242-6)에 의해 순차적으로 조사되는 영역(111)(이점 쇄선으로 표시)과의 관계의 시간적인 변화를 나타낸다. 도 4의 좌측의 Pt1 내지 Pt6은, Y방향으로 일정한 속도로 이동하는 기판(100) 상의 영역(111)의 등간격인 시각 t1 내지 시각 t6에 있어서의 위치를 나타낸다.
마이크로 미러 디바이스(124)의 일렬로 배열된 가동 미러(1242-1∼1242-6)의 각 가동 미러간의 피치를 P로 하고, 시각 t1 내지 시각 t6까지의 등간격인 시간에 있어서의 기판(100)의 Y방향으로의 이송 피치를 PP로 한다. 본 실시예에서는, 기판(100)의 Y방향으로의 이송 피치 PP를 각 가동 미러간의 피치 P보다도 조금 크게 설정한다. 그 결과, 기판(100) 상의 영역(111)의 시각 t1 내지 시각 t6에 있어서의 위치는, 마이크로 미러 디바이스(124)의 일렬로 배열된 가동 미러(1242-1∼1242-6)의 위치와 조금씩 어긋나 간다.
즉, 각 가동 미러(1242-1∼1242-6) 상의 동일한 위치에 플롯한 점 1243을 시각 t1 내지 t6에 걸쳐서 Y방향으로 이동하는 기판(100) 상의 영역(111)에 순차적으로 투영하였다고 하면, 그 상태는 도 4의 우측에 도시된 바와 같다. 그 결과, Y방향으로 일정한 속도로 이동하는 기판(100) 상의 영역(111)에 마이크로 미러 디바이스(124)의 Y방향으로 일렬로 배열된 가동 미러(1242-1∼1242-6)에 의해 순차적으로 조사되는 영역은, 시각 t1 내지 시각 t6에 걸쳐서 서서히 이동해 가게 된다. 따라서, 각 가동 미러간의 피치 P에 대한 기판(100)의 Y방향으로의 이송 피치 PP를 적절하게 설정함으로써, 기판(100) 상의 영역(111)의 노광 시간을 원하는 값으로 설정할 수 있다.
예를 들면, 마이크로 미러 디바이스(124)의 전사 화소 사이즈를 C로 하였을 때, 이송 피치 PP를 21/20C로 하면, 전사 피치 TP는 1/20C로 된다. 따라서, 스테이지 속도 V가 2㎜/s일 때, 전사 화소의 스캔 속도는 100㎛/s로 된다.
도 4에 도시한 점 1243을 도 5a, 및 도 5b에 도시한 복수의 가동 미러(1242)에 의해 형성되는 선 형상의 광 패턴으로 치환하고, 기판(100)의 전체면에 적용함으로써, 선 형상의 광 패턴을 주사하여 기판(100)의 전체면을 원하는 시간에서 노광할 수 있다. 도 5a, 및 도 5b에 도시한 예에서는, 마이크로 미러 디바이스(124)의 XY방향으로 정렬하여 배치된 각 가동 미러(1242-1, 1242-2, …, 1242-n)에 대해서, X방향으로 1열 걸러 온과 오프의 패턴을 배열하고, 이것을 도 5a에 도시한 상태로부터 기판(100)이 Y방향으로 PP 이동한 후에 도 5b에 도시한 바와 같이 Y방향으로 1열만큼 이송하는 것을 순차적으로 반복한다. 이에 의해, 동일한 시간 내에 있어서의 마이크로 미러 디바이스(124)에 의한 온과 오프의 패턴의 Y방향으로의 이송량과 기판(100)의 Y방향으로의 이동량과의 차이에 의해 선 형상의 반복 패턴으로 기판(100)의 전체면을 주사하는 구성을 도시하고 있다. 또한, 도 5a 및 도 5b에 도시한 예에서는, X방향의 패턴이 균일한 상태를 나타냈지만, 실제로는, 기판(100) 상의 노광하는 영역에 응하여, X방향에도 온과 오프의 영역이 형성된다. 도 5a 및 도 5b에 도시한 예에서는, 선 형상의 반복 패턴을 각각 마이크로 미러 디바이스의 X방향의 1라인의 배열마다 형성하는 예를 나타냈지만, 2라인 또는 3라인마다 반복되는 패턴이어도 되고, 또는, 온 패턴과 오프 패턴과의 폭을 변경하여도 된다.
도 3 및 도 4에 도시한 예에서는, 기판(100)의 이송 방향(Y방향)에 대하여, 마이크로 미러 디바이스(124)의 일렬로 배열된 가동 미러(1242-1∼1242-6)의 배열의 방향이 각도 θ만큼 기울어져 있다. 이것은, 마이크로 미러 디바이스(124)의 전사 화소를 전사 화소 피치 C 이하의 위치 분해능으로 얼라인먼트하기 위해서이다. 예를 들면, θ=1/256rad, 전사 화소 피치 10㎛일 때, 전사 화소를 선택함으로써, 10/256=0.039㎛의 위치 분해능으로 전사할 수 있다.
다음으로, 투영 광학부(125)의 제2 실시예에 대해서 도 6을 이용하여 설명한다. 투영 광학부(125)는, 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 반사된 광을 확대하는 확대 렌즈(1251), 확대 렌즈(1251)에 의해 확대된 광을 미소한 렌즈(1252)로 각각 집광시키는 어레이 렌즈(1253), 어레이 렌즈(1253)에 의해 집광시킨 광의 스폿을 기판(100)의 표면에 형성된 배향막 상에 등배율로 투영시키는 대물 렌즈(1254)를 구비하고 있다.
여기서, 마이크로 미러 디바이스(124)의 가동 미러(1242)는 10.8㎛ 피치로 2차원으로 배열되어 있고, 확대 렌즈(1251)의 확대율을 2.78배로 설정하면, 어레이 렌즈(1253)의 개개의 미소 렌즈(1252)는 30㎛ 피치로 형성하면 된다. 또한, 개개의 미소 렌즈(1252)의 NA를 0.07로 하고, 광원(121)으로부터 발사되는 광의 파장을 365㎚로 하였을 때, 각각의 미소 렌즈(1252)에 의해 집광되는 광의 스폿 직경은 6.4㎛로 된다.
만약, 어레이 렌즈(1253)가 없으면 30㎛의 전사 화소 사이즈로 되지만, 본 구성에 의해 6.4㎛ 분해능에서의 패턴 전사가 가능하게 된다. 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 반사된 광은 어레이 렌즈(1253)에 의해 집광되어, 6.4㎛의 스폿광의 집합으로서 기판(100)의 표면에 형성된 배향막 상에 조사된다.
여기서, 마이크로 미러 디바이스(124)의 화소 1열이 30㎛×30㎛의 2차원 영역 내에 전사되는 모습을 도 7에 도시한다. 도 7의 좌측에 도시한 바와 같이 마이크로 미러 디바이스(124)의 화소 1열이 1024 화소인 경우, 마이크로 미러 디바이스(124)의 열방향으로의 경사각 θ2를 1/1024rad(종방향으로 1024 화소분 떨어진 부분에서 횡방향으로 1화소분 어긋나는 기울기각)로 하고, 마이크로 미러 디바이스(124)가 전사하는 화소의 피치(기판(100) 상의 1화소 영역의 사이즈)를 C로 하였을 때, 기판(100)의 이송 피치 PP를 C*33/32로 함으로써, 도 7의 우측에 도시한 바와 같이 기판(100) 상의 30㎛×30㎛의 1화소분의 2차원 영역에는 32*32점이 전사된다.
즉, 1화소 영역의 사이즈가 30㎛일 때, 기판(100)의 이송 피치 PP를 30*33/32=30.9375㎛로 하면, 광 스폿은 30㎛×30㎛의 1화소 영역 중에 기판(100)의 이송 방향(도 7의 상하의 방향)으로 0.9375㎛의 피치로 30㎛의 길이에 걸쳐서 기판(100)의 이송 방향에 대하여 각도 θ의 기울기를 갖고 32개의 스폿이 조사된다. 33개째에 조사되는 광 스폿은, 기판(100) 상에서의 광 스폿의 조사 위치가 1개째의 광 스폿의 조사 영역에 대하여 기판(100)의 이송 방향으로 1화소분 어긋나기 때문에, 1개째의 광 스폿의 조사 영역에 대하여 기판(100)의 이송 방향에 대해서는 이송 방향에 대하여 직각인 방향으로 30*32/1024=0.9375㎛ 떨어진 개소에 전사된다. 이와 같은 주사가 기판(100)의 이송 방향에 대하여 직각인 방향으로 0.9375㎛ 피치로 순차적으로 반복됨으로써 마이크로 미러 디바이스(124)의 열방향의 1024화소분의 스폿이 기판(100)의 1화소는 영역에 조사된다.
도 7의 우측의 각각의 점이 마이크로 미러 디바이스의 화소에 대응하고 있고, 각 화소의 ON/OFF에 의해, 2차원 영역 내에서 6.4㎛ 스폿광의 패턴을 묘화할 수 있다. 이송 피치 PP를 30*33/32=30.9375㎛로 하면, 스테이지 속도와 광 스폿 스캔 속도의 비는 30:0.9375이며, 스테이지 속도 3.2㎜/s이고, 광 스폿은 100㎛/s의 저속 스캔을 실현할 수 있다.
다음으로, 도 1에 도시한 노광 장치를 이용하여, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막에 대하여 광 러빙 처리를 행하는 방법에 대해서 설명한다.
도 8a 및 도 8b에, 기판(100) 상에 형성된 액정 표시 장치의 1화소분의 영역 내에 있어서 배향막에 배향 특성을 부여하는 영역을 나타낸다.
일본 특허 공개 평11-352486호 공보에는, 액정 표시 장치를 구성하는 1쌍의 글래스 기판의 쌍방의 배향막에 각각 180도 방향이 다른 배향 특성을 부여하여 그들을 조합함으로써 4종류의 배향 상태를 형성하는 방법이 기재되어 있지만, 본 실시예에서는, 한쪽의 글래스 기판에 4종류의 배향 상태를 형성하고, 다른 쪽의 기판에는 배향 특성을 부여하는 처리를 행하지 않는다.
즉, 본 실시예에 있어서는, 도 8a에 도시한 바와 같이, 기판(100) 상의 1화소분에 상당하는 영역(101)을 1011, 1012, 1013, 1014의 4개의 작은 영역으로 분할하고, 이 분할한 각 작은 영역의 배향막에 각각 다른 배향 특성을 부여한다(다른 프리틸트각으로 설정함). 도 8a 중의 화살표 1021, 1022, 1023, 1024는, 각각 배향 특성의 방향(프리틸트각이 부여된 방향)을 나타낸다.
도 8b에는, 기판(100) 상에 1화소분에 상당하는 영역(101)이 다수 형성되어 있는 상태를 모식적으로 도시한다. 실제의 액정 기판에는, 횡방향으로 1920 화소, 종방향으로 1080 화소가 배열되어 있다(풀 하이비전 사양).
다음으로, 도 9a 내지 도 9d와 도 12 및 도 13의 플로우도를 이용하여, 도 8a 중의 화살표 1021, 1022, 1023, 1024로 나타낸 바와 같은, 각각 다른 방향으로 배향 특성을 부여하는 방법에 대해서 설명한다.
배향막에 미세한 피치의 선 형상의 광 패턴을 조사하여 한 방향으로 주사하면, 그 주사한 방향에 따른 일정한 배향 특성(프리틸트각)이 배향막에 부여된다. 본 실시예에서는, 이 성질을 이용하여, 우선, 도 9a에 도시한 바와 같이 기판(100) 상의 1화소분에 상당하는 영역(101-1) 중의 작은 영역(1011) 및 영역(101-1)에 대응하는 인접하는 각 화소 영역(도 9a의 예에서는 101-2∼101-9)의 내부의 작은 영역(1011)에 상당하는 영역에 투영 광학부(125)를 통하여 미세한 피치의 선 형상의 광 패턴을 조사하면서 주사함으로써, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 노광한다. 선 형상의 광의 패턴을 주사하는 것은, Y스테이지를 투영 광학부(125)에 대하여 일정한 속도로 이동시킴으로써 행한다. 또한 Y스테이지의 이동에 수반하여, 마이크로 미러 디바이스 제어부(132)에서 마이크로 미러 디바이스(124)의 개개의 가동 미러(1242)를 제어하여, 기판(100) 상의 1화소분에 상당하는 영역(101) 중의 작은 영역(1011) 및 영역(101)에 대응하는 인접하는 각 화소 영역의 작은 영역(1011)에 상당하는 영역에 선 형상의 광 패턴을 외관상 Y방향으로 연속적으로 이동시키면서 조사한다.
도 9a 및 도 12로 되돌아가 설명한다. θ스테이지(114)에 설치한 기판(100)의 방향을 Y방향에 대하여 각도 θ만큼 기울인 상태에서 스테이지 구동 수단(133)에 의해 Y스테이지(112)를 구동하여 기판(100)을 Y방향으로 일정한 속도로 이동시킨다(S1201). 이 때, 기판(100)의 Y방향으로의 이동 속도를 마이크로 미러 디바이스(124)의 각 가동 미러(1242)의 Y방향으로의 패턴의 이동 속도보다도 조금 크게 설정한다(마이크로 미러 디바이스(124)의 X방향의 각 가동 미러(1242)에 의해 형성한 패턴을 Y방향으로 1열만큼 전송하는 동안에 기판(100)이 Y방향으로 이동하는 거리가 마이크로 미러 디바이스(124)의 각 가동 미러(1242)의 Y방향으로의 배열의 1피치분보다도 조금 크게 되도록 Y축 스테이지(112)의 이동 속도와 마이크로 미러 디바이스(124)의 Y방향 패턴 전송 속도를 설정함). 이 결과, 도 9a에서 내부에 화살표를 기입한 각 미소 영역(도 8a의 참조 부호 1011에 상당하는 영역:제1 영역)은, 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 형성한 같은 간격의 피치의 선 형상의 광 패턴을 조사하여 주사함으로써, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 각 영역에 있어서 화살표로 나타낸 방향에 대하여 프리틸트각을 부여할 수 있다.
Y스테이지(l12)의 Y방향으로의 이동을 계속해서 Y방향의 이동단(종점:도시 생략)에 도달하면(S1202), Y스테이지의 이동을 일단 정지한다. 다음으로, Y스테이지(112)를 도 9a의 경우와 반대의 방향(역방향)으로 도 9a의 경우와 마찬가지로 일정한 속도로 이동시키면서, 도 8a의 참조 부호 1012에 상당하는 기판(100) 상의 각 화소의 영역(제2 영역)을 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 형성한 선 형상의 반복 패턴으로 노광함으로써(S1203), 도 9b에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 각 영역에 있어서 도 9a에서 설명한 것과 반대의 방향에 대하여 프리틸트각을 부여할 수 있다.
Y스테이지(112)를 역방향으로 이동시켜 이동단(시점:도시 생략)에 도달하면(S1204), θ스테이지(114)를 90도 회전시킨다(S1205).
다음으로, Y스테이지(112)를 도 9a의 경우와 동일한 방향으로 일정한 속도로 이동시키면서, 도 8a의 참조 부호 1013에 상당하는 기판(100) 상의 각 화소의 영역(제3 영역)을 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 형성한 선 형상의 반복 패턴으로 노광함으로써(S1206), 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 각 영역에 있어서 도 9c에 도시한 바와 같은 방향에 대하여 프리틸트각을 부여할 수 있다.
Y스테이지(112)가 Y방향의 이동단(종점:도시 생략)에 도달하면(S1207), Y스테이지의 이동을 일단 정지한다. 다음으로, Y스테이지(112)를 도 9c의 경우와 반대의 방향(역방향)으로 도 9b의 경우와 마찬가지로 일정한 속도로 이동시키면서, 도 8a의 참조 부호 1014에 상당하는 기판(100) 상의 각 화소의 영역을 마이크로 미러 디바이스(124)에 의해 형성한 선 형상의 반복 패턴으로 노광함으로써(S1208), 도 9d에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 표면에 형성된 배향막을 각 영역에 있어서 도 9c에서 설명한 것과 반대의 방향에 대하여 프리틸트각을 부여할 수 있다. Y스테이지(112)가 Y방향의 이동단(시점:도시 생략)에 도달하면(S1209), Y스테이지의 이동을 정지한다.
도 9a에 도시한 상태에서 기판(100)의 X방향의 폭이 1회의 노광에서 행하는 X방향의 노광 폭보다도 클 때에는, 도 12의 플로우로 S1205에서 θ스테이지(114)를 90도 회전시키기 전에, X스테이지(111)를 구동하여 기판(100) 상의 인접한 노광 영역이 투영 노광부(125) 아래에 위치시키고, S1201 내지 S1204의 스텝을 반복하여, 기판(100)의 전체면에 걸쳐서 각 화소의 제1 영역과 제2 영역을 노광한다. 그 플로우를 도 13에 나타낸다.
<실시예 2>
도 10 및 도 11에 의해, 프리틸트각이 다른 실시예에 관하여 설명한다. 본 실시예에 있어서의 장치 구성이나 처리의 플로우는, 실시예 1의 경우와 마찬가지이다.
도 10a에 있어서 프리틸트각이 부여된 방향은, 화살표 1041, 1042, 1043, 1044이며, 예를 들면 X축의 플러스 또는 마이너스의 방향에 대하여 ±22.5도 방향이다. 이와 같은 각도로 설정함으로써, 시야각에 대한 시인성을 향상시킬 수 있다. 도 10b가 기판(100) 상에서 ±22.5도의 프리틸트각의 방향을 나타낸다. 도 11a∼도 11d는 스테이지 주사에 의한 프리틸트각 부여 방향이다. 도 11a는 제1 노광 공정에 있어서 도 10a의 1043의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도, 도 11b는 제2 노광 공정에 있어서 도 10a의 1044의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도, 도 11c는, 제3 노광 공정에 있어서 도 10a의 1042의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도, 도 11d는, 제4 노광 공정에 있어서 도 10a의 1041의 방향에 대응하는 프리틸트각을 부여하는 방향을 모식적으로 도시한 액정 기판의 정면도이다.
도 11b의 상태에 있어서, 도 12의 플로우의 S1205에서 θ스테이지(114)를 45도 회전시킴으로써, 22.5도 방향의 프리틸트각을 각 영역에 부여할 수 있다.
이와 같이, 스테이지(114)의 회전량에 의해, 원하는 프리틸트각의 방향을 설정할 수 있어, 제품마다의 시야각 향상에 대응하는 것이 가능하게 된다.
도 13에 나타낸 플로우도에 있어서, S1301에서 S1304까지는, 도 12에서 설명한 S1201에서 S1204까지의 처리와 동일하다. S1201에서 S1204까지의 처리에서 처음의 X방향을 따른 영역에 대해서 배향막 상의 제1 영역과 제2 영역과의 노광이 끝나면 X방향의 주사가 완료되었는지를 체크하고(S1305), 완료되어 있지 않은 경우에는 X스테이지(111)를 구동하여 X방향에서 다음의 노광 영역을 투영 노광부(125) 아래에 위치시키고(S1306), S1301에서 S1304까지의 처리를 실행한다. 이것을 기판(100) 상의 X방향의 영역에 대해서 모두 처리가 종료될 때까지 반복한다.
X방향의 주사가 완료되었다고 판정하면, 다음으로 θ스테이지(114)를 90도 회전시켜(S1307), S1308 내지 S1311에서, 도 12에서 설명한 S1206 내지 S1209의 스텝과 동일한 처리를 행한다. S1308에서 S1311까지의 처리에서 처음의 X방향을 따른 영역에 대해서 배향막 상의 제3 영역과 제4 영역과의 노광이 끝나면, X방향의 주사가 완료되었는지를 체크하고(S1312), 완료되어 있지 않은 경우에는 X스테이지(111)를 구동하여 X방향에서 다음의 노광 영역을 투영 노광부(125) 아래에 위치시켜(S1313), S1308에서 S1311까지의 처리를 실행한다. 이것을 기판(100) 상의 X방향의 전영역에 대하여 각 화소의 제3 영역과 제4 영역과의 노광이 종료될 때까지 반복한다. X방향의 주사가 완료되었다고 판정하면 전체의 처리를 종료한다.
기판(100)의 표시 영역 전체면에 대하여 상기한 처리를 행함으로써, 각 화소의 표면에 형성된 배향막에 대하여 4개로 분할한 각각의 영역에 도 9a 내지 도 9d에 도시한 바와 같은 프리틸트각을 부여할 수 있고, 그 결과, 도 8b에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 전체면에 걸쳐서, 1개의 화소 내의 4개의 영역에 각각 다른 편광 특성을 구비한 액정 표시 소자를 얻을 수 있게 되었다.
이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
본 발명은 본 발명의 정신 또는 근본 특징으로부터 벗어나지 않고 다양한 형태로 실시될 수 있다. 따라서 본 실시예는 모든 점에서 예시적일 뿐, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 상술한 설명에 의해서가 아니라 첨부된 청구 범위에 의해 정의되며, 청구 범위의 등가물의 개념 및 범위내에서 다양한 변경이 가능하다.
110 : 스테이지부
111 : X스테이지
112 : Y스테이지
l13 : Z스테이지
114 : θ스테이지
120 : 노광 광학계
121 : 광원
122 : 편광판
123 : 미러
124 : 마이크로 미러 디바이스
125 : 투영 광학부
130 : 제어부
131 : 광원 제어부
132 : 마이크로 미러 디바이스 제어부
133 : 스테이지 제어부
134 : 전체 제어부
140 : 기판 표면 높이 검출계
141 : 높이 검출용 광원부
142 : 반사광 검출기

Claims (16)

  1. 액정용 배향막을 노광하는 노광 장치로서,
    표면에 배향막이 형성된 기판을 재치하여 이동 가능한 스테이지 수단과,
    노광광을 발사하는 광원과,
    상기 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하는 편광 특성 부여 수단과,
    상기 편광 특성 부여 수단에 의해 편광 특성을 부여받은 노광광의 일부를 마이크로 미러 디바이스에 포함되는 복수의 가동 미러에 의해 형성한 패턴으로 반사하는 패턴 형성 수단과,
    상기 패턴 형성 수단에 의해 반사된 노광광의 패턴을 상기 스테이지 수단에 재치된 기판에 조사하여 상기 배향막을 노광하는 투영 광학부와,
    전체를 제어하는 제어 수단
    을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 스테이지 수단과 상기 패턴 형성 수단을 제어하여, 상기 스테이지 수단을 한 방향으로 연속적으로 이동시킴으로써 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 상기 기판 상을 상기 노광광의 패턴이 상기 스테이지 수단의 이동 속도보다도 느린 속도로 이동하여 상기 배향막을 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 수단은, 상기 스테이지 수단과 상기 패턴 형성 수단을 제어하여, 상기 스테이지 수단을 한 방향으로 연속적으로 이동시키면서 상기 기판 상의 배향막의 제1 영역을 상기 노광광으로 노광하고, 상기 스테이지 수단을 상기 한 방향과 반대의 방향으로 연속적으로 이동시키면서 상기 기판 상의 배향막의 상기 제1 영역과는 다른 제2 영역을 상기 노광광으로 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지 수단은, 직선 상을 왕복 이동 가능한 직선 스테이지와 회전 가능한 θ스테이지를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  4. 액정용 배향막을 노광하는 노광 장치로서,
    표면에 배향막이 형성된 기판을 재치하여 이동 가능한 스테이지 수단과,
    자외광 또는 자외광에 가까운 광을 노광광으로서 발사하는 광원과,
    상기 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하는 편광 특성 부여 수단과,
    마이크로 미러 디바이스에 포함되는 복수의 가동 미러를 구비하여 상기 편광 특성 부여 수단에 의해 편광 특성을 부여받은 노광광을 입사하여 상기 가동 미러에 의해 형성한 패턴으로 반사함으로써 선 형상의 광 패턴을 형성하는 패턴 형성 수단과,
    상기 패턴 형성 수단에 의해 형성된 선 형상의 노광광 패턴을 상기 스테이지 수단에 재치된 기판에 조사하여 상기 배향막을 노광하는 투영 광학부
    를 구비하고, 상기 패턴 형성 수단은, 상기 스테이지 수단에 재치되어 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 상기 기판 상에 상기 선 형상의 노광광 패턴을 상기 스테이지 수단의 이동 속도보다도 느린 속도로 상기 한 방향과는 반대의 방향으로 이동하여 상기 배향막을 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스테이지 수단을 한 방향으로 연속적으로 이동시키면서 상기 기판 상의 배향막의 제1 영역을 상기 노광광으로 노광하고, 상기 스테이지 수단을 상기 한 방향과 반대의 방향으로 연속적으로 이동시키면서 상기 기판 상의 배향막의 상기 제1 영역과는 다른 제2 영역을 상기 노광광으로 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 스테이지 수단은, 직선 상을 왕복 이동 가능한 직선 스테이지와 회전 가능한 θ스테이지를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴 형성 수단은 상기 가동 미러가 2차원 형상으로 배치되어 있고, 그 2차원 형상으로 배열된 가동 미러의 상기 스테이지 수단이 왕복 이동하는 직선의 방향의 배열이, 그 직선의 방향에 대하여 기울어져 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스테이지 수단에 재치된 기판의 표면의 높이를 검출하는 높이 검출 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 장치.
  9. 광원으로부터 발사된 노광광에 편광 특성을 부여하여 마이크로 미러 디바이스에 포함되는 복수의 가동 미러를 구비한 패턴 형성 수단에 입사시키고,
    상기 패턴 형성 수단의 가동 미러에 의해 형성된 반사 패턴으로 반사된 노광광의 패턴을 투영 광학계를 통하여 스테이지에 재치된 표면에 배향막이 형성된 기판에 투영하여 상기 배향막을 노광하는
    액정용 배향막을 노광하는 방법으로서,
    상기 스테이지를 한 방향으로 연속적으로 이동시킴으로써 한 방향으로 연속적으로 이동하고 있는 상기 기판 상을 상기 노광광의 패턴이 상기 스테이지의 이동 속도보다도 느린 속도로 이동하여 상기 배향막을 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 스테이지를 한 방향으로 연속적으로 이동시키면서 상기 기판 상의 배향막의 제1 영역을 상기 노광광으로 노광하고, 상기 스테이지를 상기 한 방향과 반대의 방향으로 연속적으로 이동시키면서 상기 기판 상의 배향막의 상기 제1 영역과는 다른 제2 영역을 상기 노광광으로 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판 상의 배향막의 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 노광한 후에, 상기 기판을 미리 설정된 각도 회전시켜 상기 기판 상의 제3 영역과 제4 영역을 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상에는 다수의 화소가 정렬하여 형성되어 있고, 그 기판의 화소의 배열 방향이 상기 스테이지가 이동하는 한 방향에 대하여 미리 설정된 각도 기울어지도록 상기 기판을 상기 스테이지에 재치하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 기판 상의 배향막의 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 노광한 후에, 상기 기판을 90도 회전시켜 상기 기판 상의 제3 영역과 제4 영역을 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  14. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상에는 다수의 화소가 정렬하여 형성되어 있고, 그 기판의 화소의 배열 방향이 상기 스테이지가 이동하는 한 방향에 대하여 45도 기울어지도록 상기 기판을 상기 스테이지에 재치하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  15. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴 형성 수단을 구성하는 가동 미러는 상기 스테이지를 연속하여 이동시키는 한 방향에 대하여 기울어져 2차원 형상으로 배열되어 있고, 그 기울어져 배열된 가동 미러에 의해 반사된 노광 패턴으로 상기 스테이지에 재치한 기판의 배향막을 노광하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
  16. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상의 배향막을 노광 중에, 상기 스테이지에 재치된 기판의 표면의 높이를 광학적으로 검출하고, 그 검출한 결과에 기초하여 상기 기판의 표면의 높이를 조정하는 것을 특징으로 하는 액정용 배향막 노광 방법.
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