KR101344920B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되고, 반입된 상기 기판이 위치되는 지지부재; 상기 지지부재와 열전도 가능하도록 설치되는 온도조절부재를 포함하고, 상기 챔버에는 상기 지지부재보다 낮은 위치에 제공되는 하부공간으로 기체가 유입되도록 하는 유입구와, 상기 지지부재보다 높은 위치에 제공되는 상부공간의 기체가 배기되도록 하는 유출구가 형성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. Substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the chamber is formed with a carry-in port through which the substrate is carried; A support member installed in the chamber and in which the loaded substrate is located; And a temperature control member installed to enable heat conduction with the support member, wherein the chamber has an inlet for introducing gas into a lower space provided at a lower position than the support member, and an upper space provided at a position higher than the support member. It is characterized in that the outlet for allowing the gas of the exhaust is formed.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대해 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for performing a bake process on a substrate.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다. Various processes of photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning are performed to fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays. Photolithography of these processes forms the desired pattern on the substrate.

포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 약액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에 불필요한 영역을 제거하는 현상공정이 순차적으로 이루어진다. In the photolithography process, a coating process for applying a chemical solution such as a photoresist on a substrate, an exposure process for forming a specific pattern on the coated photoresist film, and a developing process for removing an unnecessary region in the exposed photoresist film are sequentially performed.

그 중 도포공정에서는 기판 상에 약액이 도포되면, 도포된 약액을 건조시킨다. 약액을 건조시키는 공정으로는 외부와 밀폐된 챔버 내에서 기판을 가열하고, 기판으로부터 발생되는 퓸(Fume) 및 공기는 출구로 배기된다. In the coating step, when the chemical liquid is applied onto the substrate, the applied chemical liquid is dried. In the process of drying the chemical liquid, the substrate is heated in an airtight chamber and the fume and air generated from the substrate are exhausted to the outlet.

배출되는 퓸 및 공기의 양만큼 챔버의 외부로부터 공기는 이물과 함께 챔버의 내부로 유입된다. 유입된 외부 공기는 그 온도가 내부 공기보다 낮다. 이로 인해 공정 진행시 챔버 내 온도가 설정온도보다 낮아 진다. 또한 챔버는 밀폐된 내부 구조로 인해 지지 부재의 하부영역에 정체된 공기는 지지 부재를 기설정된 온도 이상으로 가열시킨다. 이로 인해 지지 부재는 열변형이 일어나고, 이물이 발생되어 공정 불량을 야기한다. Air is introduced into the chamber together with foreign matter from the outside of the chamber by the amount of fume and air discharged. The incoming outside air has a lower temperature than the inside air. This causes the temperature in the chamber to be lower than the set temperature during the process. In addition, due to the hermetically sealed internal structure, the air stagnant in the lower region of the support member heats the support member above a predetermined temperature. As a result, the support member undergoes thermal deformation, and foreign matter is generated, resulting in process failure.

본 발명은 베이크 공정 중 챔버 내부의 온도 변화가 최소화 되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the temperature change in the chamber during the baking process is minimized.

또한, 챔버 내부로 외부의 이물이 유입되는 것이 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Further, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method of preventing foreign matter from flowing into the chamber.

또한, 지지부재가 열변형되는 것이 최소화 되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, it is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the support member is minimized thermal deformation.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 반입되는 반입구가 형성된 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되고, 반입된 상기 기판이 위치되는 지지부재; 상기 지지부재와 열전도 가능하도록 설치되는 온도조절부재를 포함하고, 상기 챔버에는 상기 지지부재보다 낮은 위치에 제공되는 하부공간으로 기체가 유입되도록 하는 유입구와, 상기 지지부재보다 높은 위치에 제공되는 상부공간의 기체가 배기되도록 하는 유출구가 형성되는 것을 특징으로 한다.Substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the chamber is formed with a carry-in port through which the substrate is carried; A support member installed in the chamber and in which the loaded substrate is located; And a temperature control member installed to enable heat conduction with the support member, wherein the chamber has an inlet for introducing gas into a lower space provided at a lower position than the support member, and an upper space provided at a position higher than the support member. It is characterized in that the outlet for allowing the gas of the exhaust is formed.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 챔버 내부에서 지지부재에 위치된 기판을 가열부재로 가열하는 베이크 공정을 수행하되, 상기 챔버의 외부에서 유입된 기체가 상기 지지부재의 아래에 제공되는 하부공간에서 상기 가열부재로 가열된 후, 상기 지지부재의 위에 제공되는 상부공간으로 이동한 후 상기 챔버 밖으로 배기되는 것을 특징으로 한다.In addition, the substrate processing method according to an embodiment of the present invention performs a baking process for heating the substrate located in the support member in the chamber with a heating member, the gas introduced from the outside of the chamber is provided under the support member After being heated by the heating member in the lower space to be moved to the upper space provided on the support member is characterized in that the exhaust of the chamber.

본 발명에 의하면, 베이크 공정 중 챔버 내부의 온도 변화가 최소화 될 수 있다.According to the present invention, the temperature change inside the chamber during the baking process can be minimized.

또한, 본 발명에 의하면, 챔버 내부로 외부의 이물이 유입되지 않을 수 있다.In addition, according to the present invention, external foreign matters may not flow into the chamber.

또한, 본 발명에 의하면, 지지부재가 열 변형되는 것이 최소화 될 수 있다.In addition, according to the present invention, the deformation of the support member may be minimized.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 2는 상부에서 바라 본 기판 처리 장치의 단면도.
도 3은 베이크 공정이 수행되는 동안 챔버내부의 기체 흐름을 나타내는 도면.
도 4는 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 5는 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 단면도.
도 6은 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 단면도.
도 7은 제 5 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도.
도 8은 제 5 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 단면도.
도 9는 제 6 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus seen from above.
3 shows the gas flow inside the chamber during the bake process.
4 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.
5 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the third embodiment as seen from above.
6 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment as viewed from the top.
7 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment.
8 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment as seen from above.
9 is a view of the substrate processing apparatus according to the sixth embodiment as viewed from above.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면, 도 1 내지 도 8을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings and FIGS. 1 to 8. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 챔버(10), 도어(20), 지지부재(30), 온도조절부재(40), 그리고 구획부재(50)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 of the present invention includes a chamber 10, a door 20, a support member 30, a temperature control member 40, and a partition member 50.

챔버(10)는 기판 처리 장치(1)의 외관을 형성한다. 또한, 챔버(10)는 기판이 처리되는 내부공간이 형성되도록 제공된다. 챔버(10)의 일면에는 기판이 반입되는 반입구(103)가 형성되고, 반입구(103)에는 도어(20)가 제공된다. 도어(20)는 반입구(103)를 개폐한다. 도어(20)가 열려 반입구(103)가 개방되면, 기판이 챔버(10) 내부공간으로 반입된다. 기판이 반입된 후, 챔버(10) 내부공간에서 처리되는 동안, 도어(20)는 반입구(103)를 차폐한다. The chamber 10 forms the exterior of the substrate processing apparatus 1. In addition, the chamber 10 is provided such that an internal space in which the substrate is processed is formed. One surface of the chamber 10 is provided with an inlet 103 through which a substrate is loaded, and a door 20 is provided in the inlet 103. The door 20 opens and closes the inlet 103. When the door 20 is opened to open the inlet 103, the substrate is brought into the chamber 10. After the substrate is loaded, the door 20 shields the inlet 103 while being processed in the space inside the chamber 10.

챔버(10) 또는 도어(20)에는, 도어(20)가 반입구(103)를 차폐한 상태일 때 도어(20) 또는 챔버(10)와 대향하는 면에 실링부재(21)가 설치된다. 실링부재(21)는 도어(20)가 반입구(103)를 차폐한 상태에서, 외부 기체가 반입구(103)로 유입되는 것을 차단한다. 따라서, 실링부재(21)가 설치되면, 베이크 공정이 수행되는 동안 반입구(103)의 차폐성이 향상된다. 따라서, 챔버(10)내부로 저온의 기체 또는 이물이 유입되는 것이 방지된다.The chamber 10 or the door 20 is provided with a sealing member 21 on a surface facing the door 20 or the chamber 10 when the door 20 is shielded from the inlet 103. The sealing member 21 blocks the external gas from flowing into the inlet 103 while the door 20 shields the inlet 103. Thus, when the sealing member 21 is installed, the shielding of the inlet 103 during the baking process is improved. Therefore, low temperature gas or foreign matter is prevented from flowing into the chamber 10.

챔버(10)의 내부공간에는 지지부재(30), 리프트 핀(미도시), 온도조절부재(40), 그리고 구획부재(50)가 설치된다. In the inner space of the chamber 10, a support member 30, a lift pin (not shown), a temperature control member 40, and a partition member 50 are installed.

리프트 핀은 지지부재(30)에 형성된 홀(미도시)에 위치된다. 챔버(10) 내부로 반입된 기판은 지지부재(30) 위로 상승한 리프트 핀에 놓여진다. 리프트 핀에 기판이 놓여지면, 리프트 핀은 지지부재(30) 아래로 이동하게 되어, 기판은 지지부재(30)에 위치된다.The lift pins are located in holes (not shown) formed in the support member 30. The substrate brought into the chamber 10 is placed on a lift pin that is raised above the support member 30. When the substrate is placed on the lift pins, the lift pins move under the support member 30 so that the substrate is positioned on the support member 30.

온도조절부재(40)는 지지부재(30) 또는 기판과 열전도 가능하게 설치된다. 가열부재(40)는 지지부재(30) 내에 제공되거나, 지지부재(30) 하면에 접하게 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 가열하는 베이크 공정 또는 냉각 공정을 수행한다. 이하, 온조조절부재(40)는 가열부재이고, 기판 처리 장치(1)는 베이크 공정을 수행하는 경우를 예로 들어 설명한다. 베이크 공정은 기판 상에 감광액의 도포 전후에 수행될 수 있다. 또한, 형상공정의 전후에 수행될 수 있다.The temperature regulating member 40 is installed to be capable of conducting heat with the supporting member 30 or the substrate. The heating member 40 is provided in the support member 30 or in contact with the bottom surface of the support member 30. The substrate processing apparatus performs a baking process or a cooling process of heating the substrate. Hereinafter, the temperature control member 40 is a heating member, and the substrate processing apparatus 1 will be described with an example of performing a baking process. The baking process may be performed before or after the application of the photosensitive liquid on the substrate. It may also be carried out before and after the shaping process.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리장치는, 베이크 공정을 수행하는 장치 외에도 증착, 식각, 가스 공급 공정을 수행하는 장치에도 적용될 수 있음을 밝혀둔다.In addition, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, in addition to the apparatus for performing the baking process, it can be found that the apparatus for performing the deposition, etching, gas supply process.

가열부재(40)가 동작하여 열이 발생하면, 열은 지지부재(30)에 전도 되어, 지지부재(30)에 위치된 기판을 가열한다.When the heating member 40 operates to generate heat, the heat is conducted to the support member 30 to heat the substrate located in the support member 30.

지지부재(30)는 챔버(10)의 하면에서 이격되게 고정된다. 따라서, 챔버(10) 내부에는 지지부재(30) 보다 높은 위치에 제공되는 상부공간(100)과, 지지부재(30) 보다 낮은 위치에 제공되는 하부공간(101)이 형성된다. 또한, 지지부재(30)는 챔버(10)의 내벽에서 이격되게 제공된다. 따라서, 상부공간(100)과 하부공간(101)은 연통된다.The support member 30 is fixed to be spaced apart from the lower surface of the chamber 10. Therefore, the upper space 100 provided at a position higher than the support member 30 and the lower space 101 provided at a lower position than the support member 30 are formed in the chamber 10. In addition, the support member 30 is provided spaced apart from the inner wall of the chamber 10. Therefore, the upper space 100 and the lower space 101 is in communication.

챔버(10)에는 하부공간(101)과 연결되는 유입구(110)와, 상부공간(100)과 연결되는 유출구(120)가 형성된다. 유입구(110)와 연결되는 배관에는 필터(111)가 설치될 수 있다. 또한, 유출구(120)와 연결되는 배관은 챔버(10) 내부의 기체를 강제로 배기하기 위한 배기부재(121)와 연결된다.The chamber 10 is formed with an inlet 110 connected to the lower space 101 and an outlet 120 connected to the upper space 100. A filter 111 may be installed in the pipe connected to the inlet 110. In addition, the pipe connected to the outlet 120 is connected to the exhaust member 121 for forcibly evacuating the gas inside the chamber 10.

구획부재(50)는 제 1 구획부재(51)와 제 2 구획부재(52)를 포함한다. 구획부재(50)는 지지부재(30)와 챔버(10)의 내벽 사이에 제공되어, 상부공간(100)과 하부공간(101) 사이에 기체가 유동하는 것을 차단한다. 제 1 구획부재(51)는, 제 1 구획부재(51)의 하면과 지지부재(30)의 상면이 일부 접하게 제공된다. 또한, 제 2 구획부재(52)는 제 2 구획부재(52)의 상면과 지지부재(30)의 하면이 일부 접하게 제공된다. 따라서, 지지부재(30)의 측면(31)은 구획부재(50)와 접하지 않게 제공된다. 베이크 공정이 수행되는 동안, 구획부재(50)는 지지부재(30)가 열팽창하여 지지부재(30)의 측면이 챔버(10)의 내면으로 이동하는 것을 차단하지 않는다. 따라서, 베이크 공정이 수행되는 동안, 지지부재(30)가 열팽창으로 인해서 변형되는 것이 방지된다.The partition member 50 includes a first partition member 51 and a second partition member 52. The partition member 50 is provided between the support member 30 and the inner wall of the chamber 10 to block the flow of gas between the upper space 100 and the lower space 101. The first partition member 51 is provided so that the lower surface of the first partition member 51 and the upper surface of the support member 30 partially contact each other. In addition, the second partition member 52 is provided to partially contact the upper surface of the second partition member 52 and the lower surface of the support member 30. Therefore, the side surface 31 of the support member 30 is provided not to be in contact with the partition member 50. During the baking process, the partition member 50 does not block the support member 30 from thermally expanding so that the side surface of the support member 30 moves to the inner surface of the chamber 10. Thus, during the baking process, the support member 30 is prevented from being deformed due to thermal expansion.

도2 는 상부에서 바라 본 기판 처리 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus viewed from above.

도 1 및 2를 참조하면, 구획부재(50)는 상부공간(100)과 하부공간(101)이 연통되는 개방부(102)가 형성되도록 제공된다. 상부에서 바라 보았을 때, 지지부재(30)는 직사각 형상으로 제공되고, 구획부재(50)는 지지부재(30)의 외측에 ㄷ 형상으로 제공된다. 개방부(102)는 유입구(110)가 형성된 챔버(10)의 측면과 마주보는 쪽에 형성된다. 상부공간(100)과 하부공간(101)의 기체는 구획부재(50)가 제공된 곳에는 유동이 차단되고, 개방부(102)가 형성된 곳에서는 유동된다.1 and 2, the partition member 50 is provided such that an opening 102 through which the upper space 100 and the lower space 101 communicate with each other is formed. When viewed from the top, the support member 30 is provided in a rectangular shape, and the partition member 50 is provided in a c shape on the outside of the support member 30. The opening 102 is formed on the side facing the side of the chamber 10 in which the inlet 110 is formed. Gas in the upper space 100 and the lower space 101 is blocked where the partition member 50 is provided, and flows where the opening 102 is formed.

도 3은 베이크 공정이 수행되는 동안 챔버(10)내부의 기체 흐름을 나타낸 도면이다.3 is a view showing the gas flow in the chamber 10 during the baking process.

도 3을 참조하면, 필터(111)에서 이물이 걸리진 기체가 유입구(110)로 유입되어 하부공간(101)을 유동한다. 이때, 유입구(110)로 유입되는 기체는 불활성 기체인 질소 또는 공기 등이 선택될 수 있다. 가열부재(40)가 동작하여 발생한 열은 지지부재(30)의 하면으로 전도된다. 따라서, 하부공간(101)을 유동하는 기체는 가열부재(40)에서 발생한 열로 가열된다. 가열되어 팽창된 기체는 개방부(102)를 통해서 상부공간(100)으로 이동한다.Referring to FIG. 3, the gas caught by the foreign matter from the filter 111 flows into the inlet 110 and flows through the lower space 101. In this case, the gas flowing into the inlet 110 may be selected from nitrogen or air, which is an inert gas. Heat generated by the operation of the heating member 40 is conducted to the lower surface of the support member 30. Therefore, the gas flowing in the lower space 101 is heated by the heat generated by the heating member 40. The heated and expanded gas moves to the upper space 100 through the opening 102.

또한, 베이크 공정이 수행되는 동안 배기부재(121)가 동작하여, 유출구(120)에 흡입압력을 제공하여, 챔버(10) 내부의 기체가 강제로 배기된다. 즉, 상부공간(100)의 기체 및 기판에서 증발된 흄은 유출구(120)를 통해서 챔버(10) 밖으로 강제 배기된다. 상부공간(100)의 기체 및 흄이 배기되면, 상부공간(100)은 가열된 기체가 있는 하부공간(101)보다 압력이 낮게 형성된다. 따라서, 압력차이에 의해서 하부공간(101)의 기체는 상부공간(100)으로 유동한다.In addition, while the baking process is performed, the exhaust member 121 operates to provide the suction pressure to the outlet 120 so that the gas inside the chamber 10 is forcibly exhausted. That is, the fumes evaporated from the gas and the substrate of the upper space 100 are forced out of the chamber 10 through the outlet 120. When the gas and the fume of the upper space 100 is exhausted, the upper space 100 is formed with a lower pressure than the lower space 101 with the heated gas. Therefore, the gas in the lower space 101 flows to the upper space 100 by the pressure difference.

또한, 유입구(110)로 유입된 기체는, 유입구(110)가 형성된 챔버(10)의 측면과 마주보는 쪽에 형성된 개방부(102)로 유동하는 동안 가열된다. 기체는 유동하면서 가열되므로, 열전달 효율이 향상된다. 그리고, 기체의 유동거리가 길게 형성되므로, 기체가 흡수하는 열이 증가한다. 따라서, 하부공간(101)에서 상부공간(100)으로 유동하는 기체는 상부공간(100)의 기체와 온도 차가 작게 형성된다. 그래서, 베이크 공정이 수행되는 동안, 상부공간(100)의 온도는 일정하게 유지될 수 있다.In addition, the gas introduced into the inlet 110 is heated while flowing to the opening 102 formed on the side facing the side of the chamber 10 in which the inlet 110 is formed. Since the gas is heated while flowing, the heat transfer efficiency is improved. And since the flow distance of gas is formed long, the heat which gas absorbs increases. Therefore, the gas flowing from the lower space 101 to the upper space 100 is formed to have a small temperature difference with the gas of the upper space 100. Thus, while the baking process is performed, the temperature of the upper space 100 can be kept constant.

그리고, 지지부재(30)는 상면 및 하면이 모두 기체와 열교환된다. 즉, 지지부재(30)의 하면도 하부공간(101)의 기체와 열교환을 하게되어, 지지부재(30)의 상면과 온도차가 크게 발생하지 않는다. 따라서, 지지부재(30)의 하면에서 열팽창이 크게 발생하여, 지지부재(30)의 변형이 발생하는 것이 방지된다.In addition, both the upper and lower surfaces of the support member 30 exchange heat with gas. That is, the lower surface of the support member 30 is also heat-exchanged with the gas in the lower space 101, so that the temperature difference with the upper surface of the support member 30 is not large. Therefore, large thermal expansion occurs at the lower surface of the support member 30, and deformation of the support member 30 is prevented from occurring.

도 4는 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면을 보여주는 도면이다.4 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

도 4를 참조하면, 가열부제(40)는 제 1 가열부재(41) 및 제 2 가열부재(42)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the heating subsidiary 40 includes a first heating member 41 and a second heating member 42.

제 2 가열부재(42)는 제 1 가열부재(41)보다 아래에 위치된다. 따라서, 가열부재(40)가 지지부재(30)내에 위치될 때, 제 2 가열부재(42)는 제 1 가열부재(41)보다 하부공간(101)에 가깝게 제공된다.The second heating member 42 is located below the first heating member 41. Therefore, when the heating member 40 is located in the support member 30, the second heating member 42 is provided closer to the lower space 101 than the first heating member 41.

제 1 가열부재(41) 및 제 2 가열부재(42)는 각각 온도 제어가 가능하게 제공된다. 따라서, 지지부재(30)에 위치된 기판이 설정 온도로 가열되면서, 하부공간(101)에서 가열된 후 상부공간(100)으로 유동하는 기체가 상부공간(100)의 기체와 온도차가 작게 형성되도록 제 1 가열부재(41) 및 제 2 가열부재(42)의 온도를 제어할 수 있다.The first heating member 41 and the second heating member 42 are provided to enable temperature control, respectively. Therefore, while the substrate located in the support member 30 is heated to a set temperature, the gas flowing in the upper space 100 after being heated in the lower space 101 is formed to have a small temperature difference with the gas in the upper space 100. The temperature of the first heating member 41 and the second heating member 42 can be controlled.

도 5는 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the third embodiment, as viewed from the top.

도 5를 참조하면, 개방부(102)는 지지부재(30)와 챔버(10)의 내벽 사이 복수가 형성된다. 제 1 개방부(103)는 유입구(110)가 형성된 챔버(10)의 측면과 마주보는 쪽에 형성된다. 그리고 제 2 개방부(104) 및 제 3 개방부(105)는 유입구(110)가 형성된 챔버(10)의 측면과 접하는 챔버(10)의 측면 쪽에 형성된다. 제 2 개방부(104) 및 제 3 개방부(105)는 유입구(110)가 형성된 챔버(10)의 측면보다 제 1 개방부(103)가 형성되는 챔버(10)의 측면에 가깝게 위치된다. 따라서, 유입구(110)로 유입된 기체는 유동거리가 길게 형성되어, 가열부재로 가열된 후 상부공간(100)으로 유동한다.Referring to FIG. 5, a plurality of openings 102 are formed between the support member 30 and the inner wall of the chamber 10. The first opening 103 is formed on the side facing the side of the chamber 10 in which the inlet 110 is formed. The second opening 104 and the third opening 105 are formed on the side of the chamber 10 in contact with the side of the chamber 10 in which the inlet 110 is formed. The second opening 104 and the third opening 105 are located closer to the side of the chamber 10 in which the first opening 103 is formed than to the side of the chamber 10 in which the inlet 110 is formed. Accordingly, the gas introduced into the inlet 110 is formed to have a long flow distance, and is heated by the heating member and then flows to the upper space 100.

개방부(102)가 복수로 제공되면, 유입구(110)로 유입되는 기체의 양 및 유출구(120)로 배기되는 기체의 양이 증가된다. 따라서, 기체에 포함되어 배기되는 흄의 양도 증가된다. 따라서, 챔버(10)내부의 흄에 의해서 발생하는 기판의 불량이 방지된다.If a plurality of openings 102 are provided, the amount of gas entering the inlet 110 and the amount of gas exhausted to the outlet 120 are increased. Thus, the amount of fume contained in the gas and exhausted is also increased. Thus, the defect of the substrate generated by the fume inside the chamber 10 is prevented.

도 6은 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 단면도이다.6 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment as viewed from the top.

도 6을 참조하면, 차단부재(50)는 ㅁ 형상으로 제공된다. 그리고 차단부재(50)에는 홀(501)이 형성된다.Referring to Figure 6, the blocking member 50 is provided in a ㅁ shape. A hole 501 is formed in the blocking member 50.

도 7은 제 5 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 8은 상부에서 바라본 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment, and FIG. 8 is a cross-sectional view viewed from above.

도 7 및 도 8을 참조하면, 유입구(110)는 챔버(10)의 하면에 형성된다. 또한, 유출구(120)는 챔버(10)의 상면에 제공된다. 그리고, 개방부(102)는 챔버(10)의 측면 모두에 형성된다. 또는 구획부재(50)가 지지부재(30)와 챔버(10)의 내벽 사이에 제공되지 않는다. 따라서, 유입구(110)로 유입되는 기체 및 유출구(120)로 배기되는 기체의 양이 증가되어, 기체에 포함되어 배기되는 흄의 양이 증가된다.7 and 8, the inlet 110 is formed in the lower surface of the chamber 10. In addition, the outlet 120 is provided on the upper surface of the chamber 10. The openings 102 are formed on both sides of the chamber 10. Alternatively, no partition member 50 is provided between the support member 30 and the inner wall of the chamber 10. Therefore, the amount of gas flowing into the inlet 110 and the gas exhausted to the outlet 120 is increased, thereby increasing the amount of fume contained in the gas and exhausted.

도 9는 제 6 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 도면이다.9 is a view of the substrate processing apparatus according to the sixth embodiment as viewed from above.

도 9를 참조하면, 지지부재(30)는 원형으로 제공된다.9, the support member 30 is provided in a circular shape.

본 발명에 따른 기판은 유리기판 또는 평판표시 패널에 사용되는 기판일 수 있다. 유리기판의 처리에 사용되는 경우, 지지부재(30)는 원형 또는 사각형으로 선택적으로 제공될 수 있다. 또한, 구획부재(50) 또는 챔버(10)도 원형 또는 사각형으로 선택적을 제공될 수 있다. The substrate according to the present invention may be a substrate used for a glass substrate or a flat panel display panel. When used in the processing of the glass substrate, the support member 30 may be provided in a circular or square selectively. In addition, the partition member 50 or the chamber 10 may also be provided optionally in a circular or square.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 챔버 20: 도어
30: 지지부재 40: 온도조절부재10: chamber 20: door
30: support member 40: temperature control member

Claims (12)

기판이 반입되는 반입구가 형성된 챔버;
상기 챔버의 내부에 설치되고, 반입된 상기 기판이 위치되는 지지부재;
상기 지지부재와 열전도 가능하도록 설치되는 온도조절부재를 포함하고,
상기 챔버에는 상기 지지부재보다 낮은 위치에 제공되는 하부공간으로 기체가 유입되도록 하는 유입구와, 상기 지지부재보다 높은 위치에 제공되는 상부공간의 기체가 배기되도록 하는 유출구가 형성되되,
상기 지지부재는 상기 챔버의 내벽에서 이격되게 제공되고,
상기 지지부재와 상기 챔버의 내벽 사이에는 일 부분에 개방부가 형성되도록 구획부재가 제공되는 기판 처리 장치.A chamber in which an inlet through which the substrate is carried is formed;
A support member installed in the chamber and in which the loaded substrate is located;
It includes a temperature control member which is installed so as to enable heat conduction with the support member,
The chamber is formed with an inlet for allowing gas to flow into the lower space provided at a lower position than the support member, and an outlet for allowing gas in the upper space provided at a position higher than the support member to be exhausted.
The support member is provided spaced apart from the inner wall of the chamber,
And a partition member provided between the support member and the inner wall of the chamber so that an opening is formed at one portion. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 유입구는 상기 챔버의 측면에 형성되고,
상기 개방부는 상기 유입구가 형성된 상기 챔버의 측면과 마주보는 쪽에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The inlet is formed on the side of the chamber,
And the opening portion is formed on a side facing the side surface of the chamber in which the inlet is formed. 제 1항에 있어서,
상기 지지부재는 상부에서 바라 보았을 때 직사각형 형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The support member is substrate processing apparatus, characterized in that provided in a rectangular shape when viewed from the top. 제 4항에 있어서,
상기 구획부재는 상부에서 바라 보았을 때 ㄷ 자 형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The partition member is substrate processing apparatus, characterized in that provided in a c-shape when viewed from the top. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 반입구를 개폐하는 도어를 더 포함하고,
상기 도어 또는 상기 챔버에는, 상기 챔버 또는 상기 도어와 대향하는 면에 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 5,
The substrate processing apparatus further includes a door for opening and closing the carry-in port,
The door or the chamber, the substrate processing apparatus, characterized in that the sealing member is provided on the surface facing the chamber or the door. 제 1항, 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도조절부재는 상기 지지부재 내에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the temperature regulating member is provided in the support member. 제 7항에 있어서,
상기 온도조절부재는 가열부재인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The temperature control member is a substrate processing apparatus, characterized in that the heating member. 제 8항에 있어서,
상기 가열부재는, 제 1 가열부재 및 상기 제 1 가열부재 보다 아래에 위치되는 제 2 가열부재로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
And the heating member is provided as a first heating member and a second heating member positioned below the first heating member. 제 1항, 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유출구는, 상기 챔버 내부의 기체가 강제로 배기 되도록 하는 배기부재와 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the outlet port is connected to an exhaust member for forcibly evacuating the gas inside the chamber. 챔버 내부에서 지지부재에 위치된 기판을 가열부재로 가열하는 베이크 공정을 수행하되, 상기 챔버의 외부에서 유입된 기체가 상기 지지부재의 아래에 제공되는 하부공간에서 상기 가열부재로 가열된 후, 상기 지지부재의 위에 제공되는 상부공간으로 이동한 후 상기 챔버 밖으로 배기되되,
상기 기체는 상기 챔버의 측면에 형성된 유입구를 통해서 유입되어, 상기 유입구가 형성된 상기 챔버의 측면과 마주보는 쪽에 형성된 개방부를 통해서 상기 하부공간에서 상기 상부공간으로 유동하는 기판 처리 방법.Performing a baking process of heating the substrate positioned in the support member with the heating member in the chamber, wherein gas introduced from the outside of the chamber is heated by the heating member in a lower space provided under the support member; After moving to the upper space provided on the support member is exhausted out of the chamber,
The gas flows through the inlet formed in the side of the chamber, and flows from the lower space to the upper space through an opening formed on the side facing the side of the chamber in which the inlet is formed. 삭제delete
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