KR101332540B1 - 광산란 디스크, 그 사용 및 파면 측정 장치 - Google Patents
광산란 디스크, 그 사용 및 파면 측정 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101332540B1 KR101332540B1 KR1020077030295A KR20077030295A KR101332540B1 KR 101332540 B1 KR101332540 B1 KR 101332540B1 KR 1020077030295 A KR1020077030295 A KR 1020077030295A KR 20077030295 A KR20077030295 A KR 20077030295A KR 101332540 B1 KR101332540 B1 KR 101332540B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light scattering
- substrate
- medium
- active particles
- disc
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 8
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 136
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/12—Fluid-filled or evacuated lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
- G02B5/0278—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use used in transmission
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0474—Diffusers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J9/0215—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods by shearing interferometric methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
- G02B5/0294—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use adapted to provide an additional optical effect, e.g. anti-reflection or filter
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- - 투명 기판(1) 및- 상기 기판의 표면과 접하며 광산란 능동 입자(3)들을 갖는 광산란층(2)을 포함하는 광산란 디스크에 있어서,상기 광산란층(2)은, 공기보다 광학적으로 밀하며 상기 기판(1)의 대향하는 표면과 지역적으로 접하고 상기 광산란 능동 입자(3)들을 둘러싸는 매립 매질(4)을 구비하고,상기 매립 매질은 기판에서 접착에 의해 고정되거나 또는 봉지된 유체인 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 매립 매질의 굴절률이 상기 기판의 굴절률의 80% 이상인 것과 상기 매립 매질의 굴절률이 상기 광산란 능동 입자들의 굴절률보다 작은 것 중 적어도 하나를 만족시키는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 광산란 능동 입자들은 산란된 방사광의 주파수를 바꾸지 않는 입상의, 순수한 산란 재료로 형성되거나 또는 입상의 양자 변환기 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 매립 매질은 유체 재료이고, 상기 광산란 능동 입자들은 상기 유체 매립 매질 내에서 서스펜션 상태로 또는 용해되지 않은 상태로 존재하거나 또는 상기 유체 매립 매질이 주위를 흐르는 고체 형태, 소성된 형태 및 다공성 형태 중 적어도 하나의 형태를 갖는 합성물을 형성하며, 또는 상기 매립 매질은 상기 광산란 능동 입자들이 매립되어 있는 고체 재료인 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 매립 매질은 그 굴절률이 기판/매립 매질 계면의 소정의 전반사각에 맞도록 선택되는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 매립 매질은 공동(cavity) 내에서 고정된 방식으로 또는 흐르는 방식으로 수용되는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 광산란 능동 입자들은 느슨하고, 움직임 가능한 형태로 또는 입자 운반 기판에 부착된 고정된 형태로 상기 매립 매질에 의해 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 8 항에 있어서,상기 광산란 능동 입자들은 유체 매립 매질 내에 느슨하고, 움직임 가능한 형태로 수용되며 상기 광산란 능동 입자들의 운동을 위한 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 9 항에 있어서,상기 입자 운동 장치는 상기 유체 매립 매질의 능동적인 흐름 운동, 상기 광산란 능동 입자들의 능동적인 운동, 및 상기 매립 매질 내에 추가적으로 수용된 보조 입자들의 능동적인 운동 중 적어도 하나를 위한 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 광산란 디스크.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 광산란 디스크를 포함하는, 광학 시스템의 결상 수차를 결정하기 위한 측정 장치.
- - 빔 경로 내에서 검사 대상의 하류측에 배치된 회절 격자(9) 및- 상기 회절 격자의 하류측에 배치된 검출소자(10)를 포함하며,- 상기 회절 격자(9)와 검출소자(10) 사이에 광산란 디스크(11)가 배치되며, 상기 회절 격자는 광산란층(11b)의 반대쪽에 있는 산란 디스크 기판(11a)의 표면 위에 제공되거나, 또는 상기 산란 디스크 기판에 접하는 그 자신의 격자 기판 위에 제공되고,상기 광산란 디스크(11)는,- 투명 기판(1) 및- 상기 기판의 표면과 접하며 광산란 능동 입자(3)들을 갖는 광산란층(2)을 포함하고,상기 광산란층(2)은, 공기보다 광학적으로 밀하며 상기 기판(1)의 대향하는 표면과 지역적으로 접하고 상기 광산란 능동 입자(3)들을 둘러싸는 매립 매질(4)을 구비하는 것을 특징으로 하는, 검사 대상의 간섭식 파면 측정을 위한 장치.
- 제 12 항에 있어서,측방 전단 간섭계로서 설계된 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,점회절 간섭계로서 설계된 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,샤크-하트만(Shack-Hartmann) 센서로서 설계된 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 산란 디스크는 그의 광산란층에 의해 상기 검출소자와 직접 접촉하고 있거나, 또는 상기 광산란층은 상기 검출소자로부터 떨어져 있으며, 검사 대상과 대향하는 표면에 상기 회절 격자가 제공되는 공통의 격자/산란 디스크 기판의 검출기측 표면에 접착에 의해 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,액침 매질(13)이 상기 회절 격자와 검사 대상 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 검사 대상은 마이크로리소그래피 투영 대물렌즈(8)인 것을 특징으로 하는 장치.
- 투영 대물렌즈(8)를 포함하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치에 있어서,광산란 디스크가 소정의 시간 간격을 두거나 계속해서 상기 투영 대물렌즈의 방사광 출사측에 배치되고,상기 광산란 디스크는,- 투명 기판(1) 및- 상기 기판의 표면과 접하며 광산란 능동 입자(3)들을 갖는 광산란층(2)을 포함하고,상기 광산란층(2)은, 공기보다 광학적으로 밀하며 상기 기판(1)의 대향하는 표면과 지역적으로 접하고 상기 광산란 능동 입자(3)들을 둘러싸는 매립 매질(4)을 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 투영 대물렌즈는 그의 방사광 출사측에서 적어도 0.9의 개구수를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 투영 대물렌즈는 액침 매질과 함께 동작하도록 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 투영 대물렌즈는 그의 방사광 출사측에서 적어도 1.0의 개구수를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
- 제 21 항에 있어서,액침 매질은 액침 유체인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 광산란 디스크는 상기 액침 매질과 접촉하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 액침 매질이 상기 투영 대물렌즈와 상기 광산란 디스크 사이의 공간을 채우는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US68497705P | 2005-05-27 | 2005-05-27 | |
US60/684,977 | 2005-05-27 | ||
PCT/EP2006/004874 WO2006125600A1 (en) | 2005-05-27 | 2006-05-23 | Optical scattering disk, use thereof, and wavefront measuring apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080017395A KR20080017395A (ko) | 2008-02-26 |
KR101332540B1 true KR101332540B1 (ko) | 2013-11-22 |
Family
ID=36889001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077030295A KR101332540B1 (ko) | 2005-05-27 | 2006-05-23 | 광산란 디스크, 그 사용 및 파면 측정 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8199333B2 (ko) |
EP (1) | EP1883841A1 (ko) |
JP (1) | JP2008542799A (ko) |
KR (1) | KR101332540B1 (ko) |
CN (1) | CN101223459A (ko) |
WO (1) | WO2006125600A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8013977B2 (en) * | 2006-07-17 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation sensor and method of manufacturing a radiation sensor |
KR20100031093A (ko) | 2007-06-28 | 2010-03-19 | 소니 주식회사 | 광학 필름 및 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 방현성 편광자 및 표시 장치 |
KR20110070990A (ko) * | 2008-10-23 | 2011-06-27 | 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 | 레이저광용 광확산 셀, 이를 사용한 광원장치 및 화상 표시장치 |
NL2003638A (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2264528A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Sensor and lithographic apparatus |
KR101328870B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2013-11-13 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 광학 시스템 |
EP2483695A2 (en) | 2009-10-02 | 2012-08-08 | Blanchette Rockefeller Neurosciences, Institute | Abnormal alterations of pkc isozymes processing in alzheimer's disease peripheral cells |
WO2012006510A1 (en) | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Alkon Daniel L | Fatty acid protein kinase c activators and anticoagulant for the treatment of stroke |
US20150323711A1 (en) * | 2012-11-30 | 2015-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Scatterer substrate |
DE102016212462A1 (de) | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Moiré-Vermessung eines optischen Prüflings |
US10156432B1 (en) | 2016-07-19 | 2018-12-18 | Adam Alexander Schmieder | Interferometer |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5442254A (en) * | 1993-05-04 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Fluorescent device with quantum contained particle screen |
US6225971B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Reflective electrophoretic display with laterally adjacent color cells using an absorbing panel |
JP2004146454A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Canon Inc | 光学特性の測定方法 |
JP2005136404A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4948253A (en) | 1988-10-28 | 1990-08-14 | Zygo Corporation | Interferometric surface profiler for spherical surfaces |
US5563738A (en) * | 1993-09-03 | 1996-10-08 | Jenmar Visual Systems | Light transmitting and dispersing filter having low reflectance |
JPH08323192A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-12-10 | Tdk Corp | 物質界面を変化させる方法 |
GB9910941D0 (en) * | 1999-05-11 | 1999-07-14 | Microsharp Corp Limited | High contrast screen material |
JP3515426B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2004-04-05 | 大日本印刷株式会社 | 防眩フィルムおよびその製造方法 |
US6596375B2 (en) * | 2000-03-23 | 2003-07-22 | Tomoegawa Paper Co. | Optical sheet and production process thereof |
CN1468383A (zh) * | 2001-06-29 | 2004-01-14 | �ձ�������ʽ���� | 光散射/反射基板用感光性树脂组合物、光散射/反射基板、及其制造方法 |
JP3903761B2 (ja) | 2001-10-10 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | レ−ザアニ−ル方法およびレ−ザアニ−ル装置 |
US6927887B2 (en) | 2001-10-16 | 2005-08-09 | Euv Llc | Holographic illuminator for synchrotron-based projection lithography systems |
JP2004061515A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Cark Zeiss Smt Ag | 光学系による偏光状態への影響を決定する方法及び装置と、分析装置 |
DE10320520A1 (de) | 2003-04-30 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem mit Diffusorelement |
KR101498437B1 (ko) | 2003-09-29 | 2015-03-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR101368523B1 (ko) | 2004-06-04 | 2014-02-27 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
US7259827B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2006324311A (ja) | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Canon Inc | 波面収差測定装置及びそれを有する露光装置 |
US7612893B2 (en) | 2006-09-19 | 2009-11-03 | Zygo Corporation | Scanning interferometric methods and apparatus for measuring aspheric surfaces and wavefronts |
JP5039578B2 (ja) | 2008-01-16 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | 計測装置及び光強度分布計測方法、露光装置 |
-
2006
- 2006-05-23 CN CNA200680018511XA patent/CN101223459A/zh active Pending
- 2006-05-23 EP EP06743023A patent/EP1883841A1/en not_active Withdrawn
- 2006-05-23 KR KR1020077030295A patent/KR101332540B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-05-23 WO PCT/EP2006/004874 patent/WO2006125600A1/en active Application Filing
- 2006-05-23 US US11/915,705 patent/US8199333B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 JP JP2008512753A patent/JP2008542799A/ja active Pending
-
2012
- 2012-06-11 US US13/493,747 patent/US8654346B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5442254A (en) * | 1993-05-04 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Fluorescent device with quantum contained particle screen |
US6225971B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Reflective electrophoretic display with laterally adjacent color cells using an absorbing panel |
JP2004146454A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Canon Inc | 光学特性の測定方法 |
JP2005136404A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101223459A (zh) | 2008-07-16 |
US20120242996A1 (en) | 2012-09-27 |
EP1883841A1 (en) | 2008-02-06 |
KR20080017395A (ko) | 2008-02-26 |
US8654346B2 (en) | 2014-02-18 |
US8199333B2 (en) | 2012-06-12 |
WO2006125600A1 (en) | 2006-11-30 |
JP2008542799A (ja) | 2008-11-27 |
US20090051927A1 (en) | 2009-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101332540B1 (ko) | 광산란 디스크, 그 사용 및 파면 측정 장치 | |
JP4558762B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR101257960B1 (ko) | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 | |
JP4373987B2 (ja) | リソグラフィ装置で使用するセンサ | |
JP5782495B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
CN100468200C (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
US9939730B2 (en) | Optical assembly | |
US20120019799A1 (en) | Optical assembly | |
US7535563B1 (en) | Systems configured to inspect a specimen | |
TWI448822B (zh) | 微影裝置,輻射感測器,及製造一輻射感測器之方法 | |
JP2017500555A (ja) | 反射光学素子、特にマイクロリソグラフィの光学特性を測定する測定構成体 | |
JP2010004037A (ja) | リソグラフィ装置、メトロロジー装置及び当該装置の使用方法 | |
CN101470219A (zh) | 纳米透镜及其应用的扫描显微镜 | |
JP2007194620A (ja) | センサおよびリソグラフィ装置 | |
TW202248761A (zh) | 光學系統,特別是用於euv微影 | |
Sakaya et al. | Actinic Mask Inspection using EUV Microscope |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20071226 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20110120 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120726 Patent event code: PE09021S01D |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130227 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20130814 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20131118 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20131115 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161111 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161111 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20180829 |