JPH08323192A - 物質界面を変化させる方法 - Google Patents
物質界面を変化させる方法Info
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- JPH08323192A JPH08323192A JP8069214A JP6921496A JPH08323192A JP H08323192 A JPH08323192 A JP H08323192A JP 8069214 A JP8069214 A JP 8069214A JP 6921496 A JP6921496 A JP 6921496A JP H08323192 A JPH08323192 A JP H08323192A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 2種の物質の界面の形状を磁場印加により変
化させるに際し、従来、気液界面において観察されてい
る形状変化と同等以上の変化量を、従来に比べ格段に小
さな磁場強度で実現する。具体的には、数テスラ程度以
上の強磁場ばかりでなく、例えば入手が容易な1〜2T
程度以下の磁場を用いた場合でも、2種の物質の界面を
大きく変化させ得る方法を提供する。 【解決手段】 接触しているか、介在層を界面として隣
接している2種の物質(液体等)に磁場を作用させるこ
とにより、界面の形状を変化させたり、界面を移動させ
たりする。
化させるに際し、従来、気液界面において観察されてい
る形状変化と同等以上の変化量を、従来に比べ格段に小
さな磁場強度で実現する。具体的には、数テスラ程度以
上の強磁場ばかりでなく、例えば入手が容易な1〜2T
程度以下の磁場を用いた場合でも、2種の物質の界面を
大きく変化させ得る方法を提供する。 【解決手段】 接触しているか、介在層を界面として隣
接している2種の物質(液体等)に磁場を作用させるこ
とにより、界面の形状を変化させたり、界面を移動させ
たりする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体−液体界面等
の物質界面の形状を変化させたり、前記物質界面を移動
させたりする方法に関する。
の物質界面の形状を変化させたり、前記物質界面を移動
させたりする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】数テスラ以上、8〜10T程度の磁場を
水に作用させたとき、空気と接する水面形状が顕著に変
化し、容器内の水が中央部で割れて両側に押しやられる
現象が、例えば上野ら(J.Appl.Phys, 75(10), 15 May
1994 P7177〜7179)により紹介されている。例えば10
Tの磁場を印加した場合には、容器中央部で水面が4cm
程度低くなる。本発明者らは、これをモーゼ効果と呼
び、また、硫酸銅水溶液では、中央部が盛り上がる現象
があり、これを逆モーゼ効果と称することを提唱し、い
わゆる非磁性物質に分類される反磁性体や常磁性体でも
数テスラ以上の強磁場では磁場が重力に匹敵する表面形
状変化作用を及ぼすことを見出している。
水に作用させたとき、空気と接する水面形状が顕著に変
化し、容器内の水が中央部で割れて両側に押しやられる
現象が、例えば上野ら(J.Appl.Phys, 75(10), 15 May
1994 P7177〜7179)により紹介されている。例えば10
Tの磁場を印加した場合には、容器中央部で水面が4cm
程度低くなる。本発明者らは、これをモーゼ効果と呼
び、また、硫酸銅水溶液では、中央部が盛り上がる現象
があり、これを逆モーゼ効果と称することを提唱し、い
わゆる非磁性物質に分類される反磁性体や常磁性体でも
数テスラ以上の強磁場では磁場が重力に匹敵する表面形
状変化作用を及ぼすことを見出している。
【0003】ところで、現在2T程度より大きい磁場は
超電導磁石に頼る場合がほとんどである。それより小さ
い磁場は常電導磁石や希土類磁石等の永久磁石で可能で
ある。特に、希土類磁石などの進歩発展により、1T程
度までの磁場は容易に得ることができるようになってい
る。しかし、従来1〜2T程度の磁場は、強磁性、フェ
リ磁性など、いわゆる磁性物質にしか作用を及ぼさない
と考えられていた。
超電導磁石に頼る場合がほとんどである。それより小さ
い磁場は常電導磁石や希土類磁石等の永久磁石で可能で
ある。特に、希土類磁石などの進歩発展により、1T程
度までの磁場は容易に得ることができるようになってい
る。しかし、従来1〜2T程度の磁場は、強磁性、フェ
リ磁性など、いわゆる磁性物質にしか作用を及ぼさない
と考えられていた。
【0004】実際、液体の表面、すなわち気液界面に働
く磁気効果は小さく、1〜2Tではほとんど目に見える
効果は生じない。
く磁気効果は小さく、1〜2Tではほとんど目に見える
効果は生じない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、2種
の物質の界面の形状を磁場印加により変化させるに際
し、従来、気液界面において観察されている形状変化と
同等以上の変化量を、従来に比べ格段に小さな磁場強度
で実現することである。具体的には、数テスラ程度以上
の強磁場ばかりでなく、例えば入手が容易な1〜2T程
度以下の磁場を用いた場合でも、2種の物質の界面を大
きく変化させ得る方法を提供することを目的とする。
の物質の界面の形状を磁場印加により変化させるに際
し、従来、気液界面において観察されている形状変化と
同等以上の変化量を、従来に比べ格段に小さな磁場強度
で実現することである。具体的には、数テスラ程度以上
の強磁場ばかりでなく、例えば入手が容易な1〜2T程
度以下の磁場を用いた場合でも、2種の物質の界面を大
きく変化させ得る方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(23)のいずれかの構成により達成される。 (1)接触している2種の非磁性流動性物質に磁場を作
用させることにより界面の位置を変化させる方法である
物質界面を変化させる方法。 (2)介在層を界面として隣接している2種の非磁性流
動性物質に磁場を作用させることにより界面の位置を変
化させる方法である物質界面を変化させる方法。 (3)非磁性流動性物質が液体である上記(1)または
(2)の物質界面を変化させる方法。 (4)介在層を界面として隣接している2種の非磁性気
体に磁場を作用させることにより界面の位置を変化させ
る方法である物質界面を変化させる方法。 (5)界面の位置の変化に伴なって介在層の少なくとも
一部が形状変化する上記(2)または(4)の物質界面
を変化させる方法。 (6)介在層が高分子膜またはガラス繊維膜である上記
(2)、(4)または(5)の物質界面を変化させる方
法。 (7)液体である非磁性流動性物質に非磁性固体状物質
が分散している分散液に磁場を作用させることにより、
非磁性流動性物質と非磁性固体状物質との界面の位置を
変化させる方法である物質界面を変化させる方法。 (8)前記界面の形状を変化させるか、前記界面を移動
させる上記(1)〜(7)のいずれかの物質界面を変化
させる方法。 (9)前記磁場の最大強度が10T以下である上記
(1)〜(8)のいずれかの物質界面を変化させる方
法。 (10)前記磁場の最大強度が2T以下である上記
(1)〜(8)のいずれかの物質界面を変化させる方
法。
(1)〜(23)のいずれかの構成により達成される。 (1)接触している2種の非磁性流動性物質に磁場を作
用させることにより界面の位置を変化させる方法である
物質界面を変化させる方法。 (2)介在層を界面として隣接している2種の非磁性流
動性物質に磁場を作用させることにより界面の位置を変
化させる方法である物質界面を変化させる方法。 (3)非磁性流動性物質が液体である上記(1)または
(2)の物質界面を変化させる方法。 (4)介在層を界面として隣接している2種の非磁性気
体に磁場を作用させることにより界面の位置を変化させ
る方法である物質界面を変化させる方法。 (5)界面の位置の変化に伴なって介在層の少なくとも
一部が形状変化する上記(2)または(4)の物質界面
を変化させる方法。 (6)介在層が高分子膜またはガラス繊維膜である上記
(2)、(4)または(5)の物質界面を変化させる方
法。 (7)液体である非磁性流動性物質に非磁性固体状物質
が分散している分散液に磁場を作用させることにより、
非磁性流動性物質と非磁性固体状物質との界面の位置を
変化させる方法である物質界面を変化させる方法。 (8)前記界面の形状を変化させるか、前記界面を移動
させる上記(1)〜(7)のいずれかの物質界面を変化
させる方法。 (9)前記磁場の最大強度が10T以下である上記
(1)〜(8)のいずれかの物質界面を変化させる方
法。 (10)前記磁場の最大強度が2T以下である上記
(1)〜(8)のいずれかの物質界面を変化させる方
法。
【0007】(11)前記磁場の最大強度が0.1T以
上である上記(1)〜(10)のいずれかの物質界面を変
化させる方法。 (12)前記磁場が少なくとも一つの方向に磁場勾配を
もつ上記(1)〜(11)のいずれかの物質界面を変化さ
せる方法。 (13)前記磁場勾配が0.001T/cm以上である上記
(12)の物質界面を変化させる方法。 (14)接触しているか、介在層を界面として隣接して
いる2種の物質において、一方の物質の密度および磁化
率をそれぞれρ1 およびχ1 とし、他方の物質の密度お
よび磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とし、△ρ=ρ1
−ρ2 、△χ=χ1 −χ2 としたとき、 |△χ/△ρ|>|χ1 /ρ1 |かつ |△χ/△ρ|>|χ2 /ρ2 | である上記(1)〜(13)のいずれかの物質界面を変化
させる方法。 (15)上に凸および/または下に凸の界面を形成する
上記(3)の物質界面を変化させる方法。 (16)一方の液体によって他方の液体が包囲される上
記(15)の物質界面を変化させる方法。 (17)一方の液体が他方の液体によって分割される上
記(15)または(16)の物質界面を変化させる方法。 (18)前記他方の液体を磁場の移動によって移動させ
る上記(16)または(17)の物質界面を変化させる方
法。 (19)2種の液体の積層順序を逆転させる上記(3)
の物質界面を変化させる方法。 (20)一方の液体中に存在する他方の液体の液滴の径
を制御する上記(3)の物質界面を変化させる方法。 (21)一方の液体中に存在する他方の液体の液滴を移
動させる上記(3)または(20)の物質界面を変化させ
る方法。 (22)2種の液体の界面に第3の液体を孤立させて偏
在させる上記(3)の物質界面を変化させる方法。 (23)2種の液体が相溶するものであり、前記2種の
液体を第3の液体で分離し、磁場を作用させることによ
り、前記2種の液体を接触させてこれらを相溶させる上
記(3)の物質界面を変化させる方法。
上である上記(1)〜(10)のいずれかの物質界面を変
化させる方法。 (12)前記磁場が少なくとも一つの方向に磁場勾配を
もつ上記(1)〜(11)のいずれかの物質界面を変化さ
せる方法。 (13)前記磁場勾配が0.001T/cm以上である上記
(12)の物質界面を変化させる方法。 (14)接触しているか、介在層を界面として隣接して
いる2種の物質において、一方の物質の密度および磁化
率をそれぞれρ1 およびχ1 とし、他方の物質の密度お
よび磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とし、△ρ=ρ1
−ρ2 、△χ=χ1 −χ2 としたとき、 |△χ/△ρ|>|χ1 /ρ1 |かつ |△χ/△ρ|>|χ2 /ρ2 | である上記(1)〜(13)のいずれかの物質界面を変化
させる方法。 (15)上に凸および/または下に凸の界面を形成する
上記(3)の物質界面を変化させる方法。 (16)一方の液体によって他方の液体が包囲される上
記(15)の物質界面を変化させる方法。 (17)一方の液体が他方の液体によって分割される上
記(15)または(16)の物質界面を変化させる方法。 (18)前記他方の液体を磁場の移動によって移動させ
る上記(16)または(17)の物質界面を変化させる方
法。 (19)2種の液体の積層順序を逆転させる上記(3)
の物質界面を変化させる方法。 (20)一方の液体中に存在する他方の液体の液滴の径
を制御する上記(3)の物質界面を変化させる方法。 (21)一方の液体中に存在する他方の液体の液滴を移
動させる上記(3)または(20)の物質界面を変化させ
る方法。 (22)2種の液体の界面に第3の液体を孤立させて偏
在させる上記(3)の物質界面を変化させる方法。 (23)2種の液体が相溶するものであり、前記2種の
液体を第3の液体で分離し、磁場を作用させることによ
り、前記2種の液体を接触させてこれらを相溶させる上
記(3)の物質界面を変化させる方法。
【0008】
【作用および効果】本発明は、互いに混合し合わない2
液ないしそれ以上の非磁性の液体を用い、これに磁場を
作用させると、1〜2T程度以下の磁場強度であっても
液−液界面形状を変化させることができるという全く新
しい知見に基づくものである。液−液界面の形状変化
は、気液界面の形状変化がより一層増強されたものとし
て発現する。これまでに、このような報告例は全く存在
しない。
液ないしそれ以上の非磁性の液体を用い、これに磁場を
作用させると、1〜2T程度以下の磁場強度であっても
液−液界面形状を変化させることができるという全く新
しい知見に基づくものである。液−液界面の形状変化
は、気液界面の形状変化がより一層増強されたものとし
て発現する。これまでに、このような報告例は全く存在
しない。
【0009】ここで、接触する2種の液体(液体1およ
び液体2)において、液体1の密度および体積磁化率を
それぞれρ1 およびχ1 とし、液体2の密度および体積
磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とする。そして、図1
に示すように、液体1と液体2との積層体に磁場を印加
するものとし、水平方向(x軸方向)において磁場強度
の変動が存在するものとする。このとき、水平位置xに
おける磁場強度を、H(x)とする。高さ方向(h軸方
向)においても磁場強度の変動があってもよいが、単純
化するためh軸方向の磁場強度は一定とする。磁場は強
度のみが重要で、どの方向を向いていてもよい。
び液体2)において、液体1の密度および体積磁化率を
それぞれρ1 およびχ1 とし、液体2の密度および体積
磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とする。そして、図1
に示すように、液体1と液体2との積層体に磁場を印加
するものとし、水平方向(x軸方向)において磁場強度
の変動が存在するものとする。このとき、水平位置xに
おける磁場強度を、H(x)とする。高さ方向(h軸方
向)においても磁場強度の変動があってもよいが、単純
化するためh軸方向の磁場強度は一定とする。磁場は強
度のみが重要で、どの方向を向いていてもよい。
【0010】図1の液体1、2において、安定な釣り合
いの状態での界面位置をh(x)とすると、SI単位系
で 式I △ρgh(x)=(1/2)μ0 △χH(x)2 (式Iにおいて、△ρ=ρ1 −ρ2 、△χ=χ1 −χ2
であり、gは重力加速度、μ0 は真空透磁率である)が
成立する。このため、図1に曲線h(x)として示すよ
うに、磁場強度に応じて液−液界面の位置が変化するこ
とになる。
いの状態での界面位置をh(x)とすると、SI単位系
で 式I △ρgh(x)=(1/2)μ0 △χH(x)2 (式Iにおいて、△ρ=ρ1 −ρ2 、△χ=χ1 −χ2
であり、gは重力加速度、μ0 は真空透磁率である)が
成立する。このため、図1に曲線h(x)として示すよ
うに、磁場強度に応じて液−液界面の位置が変化するこ
とになる。
【0011】例えば、常磁性の硫酸銅水溶液に単に磁場
を印加しただけでは、1T程度の磁場では液体表面(気
液界面)の形状にはほとんど変化はみられない。しか
し、硫酸銅水溶液にクロロベンゼンを注いで図1に示す
ような積層構造とすると、1〜2T程度以下で液−液界
面の形状が大きく変化(界面位置が2cm以上変化)す
る。すなわち、気液界面を液−液界面とすることによ
り、モーゼ効果や逆モーゼ効果が著しく増強されること
になる。
を印加しただけでは、1T程度の磁場では液体表面(気
液界面)の形状にはほとんど変化はみられない。しか
し、硫酸銅水溶液にクロロベンゼンを注いで図1に示す
ような積層構造とすると、1〜2T程度以下で液−液界
面の形状が大きく変化(界面位置が2cm以上変化)す
る。すなわち、気液界面を液−液界面とすることによ
り、モーゼ効果や逆モーゼ効果が著しく増強されること
になる。
【0012】このような液体間での界面変化は、非磁性
液体を扱う化学プロセス、セラミックプロセス、治金プ
ロセスを始め、生物の処理、飼育など幅広い分野に応用
できる。また、磁気治療や種々の磁気処理にも適用でき
る。例えば、溶媒抽出プロセスでは、水相と有機溶媒相
等の2液界面の形状制御がその効率向上に重要である
が、これを磁場の印加によって制御することができる。
この他、2液以上の液体界面での反応や結晶成長の状態
を、磁場によって界面形状を変えることで制御すること
もできる。
液体を扱う化学プロセス、セラミックプロセス、治金プ
ロセスを始め、生物の処理、飼育など幅広い分野に応用
できる。また、磁気治療や種々の磁気処理にも適用でき
る。例えば、溶媒抽出プロセスでは、水相と有機溶媒相
等の2液界面の形状制御がその効率向上に重要である
が、これを磁場の印加によって制御することができる。
この他、2液以上の液体界面での反応や結晶成長の状態
を、磁場によって界面形状を変えることで制御すること
もできる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0014】<印加する磁場>磁場強度は10T以下で
十分である。そして入手容易な2T以下、特に1.5T
以下の磁場であっても十分な界面位置変化が可能であ
る。最大磁場強度の下限値は0.1T以上、特に0.2
T程度以上であることが好ましい。印加する磁場は強度
のみが重要であり、その方向は一般に問題とならない。
通常は静磁場とするが、必要であれば、磁場を移動させ
たり、磁場強度を時間的に変化させたり、あるいは磁石
を回転させたりする回転磁場等を用いてもよい。また、
通常、直流磁場を用いるが、交番磁場であってもよい。
十分である。そして入手容易な2T以下、特に1.5T
以下の磁場であっても十分な界面位置変化が可能であ
る。最大磁場強度の下限値は0.1T以上、特に0.2
T程度以上であることが好ましい。印加する磁場は強度
のみが重要であり、その方向は一般に問題とならない。
通常は静磁場とするが、必要であれば、磁場を移動させ
たり、磁場強度を時間的に変化させたり、あるいは磁石
を回転させたりする回転磁場等を用いてもよい。また、
通常、直流磁場を用いるが、交番磁場であってもよい。
【0015】このような磁場には磁場強度の分布、すな
わち磁場勾配が必要である。磁場勾配は0.001T/cm
以上、特に0.05T/cm以上とすることが好ましい。磁
場勾配の上限に制限はないが、1〜2T程度の磁場では
2T/cm程度である。磁場勾配は、一方向性であってよ
く、また2方向性ないし3方向性以上であってもよい。
すなわち、重力に対して水平な方向と垂直な方向の両者
ともそれぞれ有効で、その方向によって作用に差が生じ
ることになる。また、両者を合成した磁場であってもよ
い。さらに磁場を移動ないし回転させることもできる。
わち磁場勾配が必要である。磁場勾配は0.001T/cm
以上、特に0.05T/cm以上とすることが好ましい。磁
場勾配の上限に制限はないが、1〜2T程度の磁場では
2T/cm程度である。磁場勾配は、一方向性であってよ
く、また2方向性ないし3方向性以上であってもよい。
すなわち、重力に対して水平な方向と垂直な方向の両者
ともそれぞれ有効で、その方向によって作用に差が生じ
ることになる。また、両者を合成した磁場であってもよ
い。さらに磁場を移動ないし回転させることもできる。
【0016】<用いる液体>接触して界面を形成する2
種以上の液体は、少なくとも界面変化を生じさせるため
に必要な時間内には混合し合わないものである。この場
合、界面を接する2種の液体に相溶性があってもよい
が、界面変化を生じさせるために必要な間、両液相が分
離している必要がある。両者の界面が組成変化領域とし
て有限な厚みをもっていても構わないが、両者が均一に
混じり合わないことが必要である。
種以上の液体は、少なくとも界面変化を生じさせるため
に必要な時間内には混合し合わないものである。この場
合、界面を接する2種の液体に相溶性があってもよい
が、界面変化を生じさせるために必要な間、両液相が分
離している必要がある。両者の界面が組成変化領域とし
て有限な厚みをもっていても構わないが、両者が均一に
混じり合わないことが必要である。
【0017】また、一方の液体の密度および体積磁化率
をそれぞれρ1 およびχ1 とし、他方の液体の密度およ
び体積磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とし、△ρ=ρ
1 −ρ2 、△χ=χ1 −χ2 としたとき、|△χ/△ρ
|は、|χ1 /ρ1 |および|χ2 /ρ2 |よりも大き
いことが好ましい。界面変化を増強するためにはΔχの
絶対値をできるだけ大きく、Δρをできるだけ小さくす
ることが好ましい。0.1〜1、2T程度の磁場印加に
より有意の界面変化を生じさせるためには、通常、|Δ
χ/Δρ|は1×10-4cm3g-1程度以上、特に1×10
-3〜1cm3g-1程度であることが好ましい。また、弱磁場
で有効に作用させるためには、|△χ|は好ましくは1
×10-8以上、より好ましくは1×10-7〜1×1
0-3、さらに好ましくは1×10-7〜1×10-5程度と
し、|△ρ|は、通常、0〜1g/cm3程度、特に0〜
0.1g/cm3 であることが好ましい。
をそれぞれρ1 およびχ1 とし、他方の液体の密度およ
び体積磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とし、△ρ=ρ
1 −ρ2 、△χ=χ1 −χ2 としたとき、|△χ/△ρ
|は、|χ1 /ρ1 |および|χ2 /ρ2 |よりも大き
いことが好ましい。界面変化を増強するためにはΔχの
絶対値をできるだけ大きく、Δρをできるだけ小さくす
ることが好ましい。0.1〜1、2T程度の磁場印加に
より有意の界面変化を生じさせるためには、通常、|Δ
χ/Δρ|は1×10-4cm3g-1程度以上、特に1×10
-3〜1cm3g-1程度であることが好ましい。また、弱磁場
で有効に作用させるためには、|△χ|は好ましくは1
×10-8以上、より好ましくは1×10-7〜1×1
0-3、さらに好ましくは1×10-7〜1×10-5程度と
し、|△ρ|は、通常、0〜1g/cm3程度、特に0〜
0.1g/cm3 であることが好ましい。
【0018】χ(体積磁化率)<0の反磁性液体として
は、ほとんどすべての有機溶媒、例えば炭化水素、アル
コール、ケトン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等の有
機溶媒;あるいは水、二硫化炭素、液体アンモニアなど
の無機液体等がある。χ>0の常磁性液体としては、上
記反磁性液体中に遷移金属イオンないし遷移金属錯体分
子を溶質として含む溶液あるいはラジカルを溶質として
含む溶液等がある。
は、ほとんどすべての有機溶媒、例えば炭化水素、アル
コール、ケトン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等の有
機溶媒;あるいは水、二硫化炭素、液体アンモニアなど
の無機液体等がある。χ>0の常磁性液体としては、上
記反磁性液体中に遷移金属イオンないし遷移金属錯体分
子を溶質として含む溶液あるいはラジカルを溶質として
含む溶液等がある。
【0019】なお、用いる液体の体積磁化率の絶対値|
χ|は、1×10-1以下、特に1×10-4以下であるこ
とが好ましい。
χ|は、1×10-1以下、特に1×10-4以下であるこ
とが好ましい。
【0020】<積層2液界面の形状変化> 1)盛り上り型(逆モーゼ型) 容器中において、常磁性ないし反磁性の液体B上に常磁
性ないし反磁性の液体Aを積層する場合において、液体
Aの密度および体積磁化率をそれぞれρA およびχA と
し、液体Bの密度および体積磁化率をそれぞれρB およ
びχB とし、△ρ=ρA −ρB 、△χ=χA −χB とす
る。例えばρA <ρB およびχA <χB、すなわち△ρ
<0およびΔχ<0であるときに、容器中央部で最大磁
場となるように横軸方向に勾配をもつ磁場を印加する
と、図2に示すように、液体Bが中央部(磁場最大部)
で上に凸に盛り上る逆モーゼ型の界面が形成される。こ
れに対し、Δχ>0のときには、中央部で最小磁場とな
るように磁場を印加すれば、やはり図2に示すような逆
モーゼ型の界面が形成される。
性ないし反磁性の液体Aを積層する場合において、液体
Aの密度および体積磁化率をそれぞれρA およびχA と
し、液体Bの密度および体積磁化率をそれぞれρB およ
びχB とし、△ρ=ρA −ρB 、△χ=χA −χB とす
る。例えばρA <ρB およびχA <χB、すなわち△ρ
<0およびΔχ<0であるときに、容器中央部で最大磁
場となるように横軸方向に勾配をもつ磁場を印加する
と、図2に示すように、液体Bが中央部(磁場最大部)
で上に凸に盛り上る逆モーゼ型の界面が形成される。こ
れに対し、Δχ>0のときには、中央部で最小磁場とな
るように磁場を印加すれば、やはり図2に示すような逆
モーゼ型の界面が形成される。
【0021】液体A、Bの量比や、△ρ、△χを変化さ
せることにより、種々の界面変化を生じさせることがで
きる。例えば、界面の端部が容器底面に達し、これによ
り液体Bが液体Aに包囲されて容器の側壁と接触しない
状態となったり(図3)、界面の中央部が気液界面に達
し、これにより液体Bが液相表面に露出して液体Aを分
割したり(図4)、あるいは図3の包囲と図4の分割の
両者を組み合わせた界面形状変化、すなわち、液体Aと
液体Bとが共に容器底面および空気の両者と接する構成
の界面形状変化も得ることができる。
せることにより、種々の界面変化を生じさせることがで
きる。例えば、界面の端部が容器底面に達し、これによ
り液体Bが液体Aに包囲されて容器の側壁と接触しない
状態となったり(図3)、界面の中央部が気液界面に達
し、これにより液体Bが液相表面に露出して液体Aを分
割したり(図4)、あるいは図3の包囲と図4の分割の
両者を組み合わせた界面形状変化、すなわち、液体Aと
液体Bとが共に容器底面および空気の両者と接する構成
の界面形状変化も得ることができる。
【0022】2)へこみ型(モーゼ型) 上記1)の液体Bと液体Aとの積層体において、χA >
χB 、すなわちΔχ>0である場合に、上記1)と同様
に中央で最大磁場となるように横軸方向に磁場変化(勾
配)を生じさせると、図5のように液体Bが中央部で下
に凸に押し下げられて凹むモーゼ型の界面が形成され
る。これに対し、Δχ<0のときには、中央部で最小磁
場となるように磁場を印加すれば、やはり図5に示すよ
うなモーゼ型の界面が形成される。
χB 、すなわちΔχ>0である場合に、上記1)と同様
に中央で最大磁場となるように横軸方向に磁場変化(勾
配)を生じさせると、図5のように液体Bが中央部で下
に凸に押し下げられて凹むモーゼ型の界面が形成され
る。これに対し、Δχ<0のときには、中央部で最小磁
場となるように磁場を印加すれば、やはり図5に示すよ
うなモーゼ型の界面が形成される。
【0023】この場合も、液体A、Bの量比や、△ρ、
△χを変化させることにより、種々の界面変化を生じさ
せることができる。例えば、界面の端部が気液界面に達
し、これにより液体Bが液相表面に露出して液体Aを包
囲したり(図6)、界面の中央部が容器底面に達し、こ
れにより液体Aが容器底面に接して液体Bを分割したり
(図7)、液体Aの量を減らすことにより液体Aと液体
Bの双方を液相表面に露出させると共に容器底面に接触
させたり(図8)、あるいはこれらを組み合わせた構成
の界面形状変化も得ることができる。
△χを変化させることにより、種々の界面変化を生じさ
せることができる。例えば、界面の端部が気液界面に達
し、これにより液体Bが液相表面に露出して液体Aを包
囲したり(図6)、界面の中央部が容器底面に達し、こ
れにより液体Aが容器底面に接して液体Bを分割したり
(図7)、液体Aの量を減らすことにより液体Aと液体
Bの双方を液相表面に露出させると共に容器底面に接触
させたり(図8)、あるいはこれらを組み合わせた構成
の界面形状変化も得ることができる。
【0024】上記1)、2)いずれの場合とも、磁場の
強度分布を時間的に変化させれば、液体Aまたは液体
B、あるいは両方を移動させることができる。これによ
り、液体の所望量を所望の位置に移動させたり、あるい
は往復運動させたりして、攪拌等を行ったりすることが
できる。あるいは界面形状を時間的に変形させることが
できる。また、界面を時間的に変化させて、例えば図4
のように分離されていた液体Aを図2のように一体化し
たり、また、図7のように分離されていた液体Bを図5
のように一体化したり、これらとは逆に、上層または下
層の液体をそれぞれ下層または上層の液体により分離す
ることも可能である。また、この際、溶質交換を行うこ
ともできる。また、一方の液体と反応する固体状物質を
他方の液体中に固定しておき、磁場強度分布を変化させ
て両液の界面を移動させることにより、前記一方の液体
と前記固体状物質との接触を制御する構成とすれば、液
体と固体状物質との反応の開始や中止を磁場により制御
することが可能となる。例えば図7〜8において、容器
底部に液体Aと反応する固体状物質を配置すれば、この
ような反応開始や反応中止の制御ができる。
強度分布を時間的に変化させれば、液体Aまたは液体
B、あるいは両方を移動させることができる。これによ
り、液体の所望量を所望の位置に移動させたり、あるい
は往復運動させたりして、攪拌等を行ったりすることが
できる。あるいは界面形状を時間的に変形させることが
できる。また、界面を時間的に変化させて、例えば図4
のように分離されていた液体Aを図2のように一体化し
たり、また、図7のように分離されていた液体Bを図5
のように一体化したり、これらとは逆に、上層または下
層の液体をそれぞれ下層または上層の液体により分離す
ることも可能である。また、この際、溶質交換を行うこ
ともできる。また、一方の液体と反応する固体状物質を
他方の液体中に固定しておき、磁場強度分布を変化させ
て両液の界面を移動させることにより、前記一方の液体
と前記固体状物質との接触を制御する構成とすれば、液
体と固体状物質との反応の開始や中止を磁場により制御
することが可能となる。例えば図7〜8において、容器
底部に液体Aと反応する固体状物質を配置すれば、この
ような反応開始や反応中止の制御ができる。
【0025】上記のような強度分布をもつ磁場は、液体
に対して回転させてもよい。例えば図6では液体Aは磁
場勾配のある横軸方向にのみ界面の高さが変化している
が、磁場勾配を、鉛直方向を軸に液体の運動が追随しな
い速い回転速度で回転させると、液体Aは直上から見た
時に円形状のプールのような形で液体Bに包囲され、容
器壁のどこにも接触せずに中央に保たれる。
に対して回転させてもよい。例えば図6では液体Aは磁
場勾配のある横軸方向にのみ界面の高さが変化している
が、磁場勾配を、鉛直方向を軸に液体の運動が追随しな
い速い回転速度で回転させると、液体Aは直上から見た
時に円形状のプールのような形で液体Bに包囲され、容
器壁のどこにも接触せずに中央に保たれる。
【0026】また、磁場勾配を回転させる代わりに静磁
場を用い、横方向だけでなく容器中央部の鉛直軸に対し
軸対称となるように磁場勾配をもたせることにより、液
体Aは液体Bに包囲された形で磁場分布の高いところに
集められ、上記した回転磁場を用いた場合と同様に容器
壁のどこにも接触せずに中央に保たれる。
場を用い、横方向だけでなく容器中央部の鉛直軸に対し
軸対称となるように磁場勾配をもたせることにより、液
体Aは液体Bに包囲された形で磁場分布の高いところに
集められ、上記した回転磁場を用いた場合と同様に容器
壁のどこにも接触せずに中央に保たれる。
【0027】<積層2液界面の界面移動>例えば、図9
に示すように、高さ方向(y軸方向)の磁場強度に勾配
をもたせることにより、液体A、Bの上下を逆転させ
て、下層の液体Bを上層に移動させることができる。
に示すように、高さ方向(y軸方向)の磁場強度に勾配
をもたせることにより、液体A、Bの上下を逆転させ
て、下層の液体Bを上層に移動させることができる。
【0028】ただし、y軸方向における磁場強度Hは、
χA >χB の場合には図9の曲線II、χB >χA の場合
には曲線Iのような勾配をもつ必要がある。このとき、
液体A、Bの上下逆転に要する界面での磁場強度Hとそ
こでの磁場勾配dH/dyの積にはしきい値が存在し、 式II (χA −χB )μ0 H(dH/dy)<(ρA −
ρB )g が界面で成立することが条件となる。ただし、これらの
ケースでは両辺ともに負の値となっている。なお、厳密
には界面張力の効果を考える必要があるが、ここでは無
視している。
χA >χB の場合には図9の曲線II、χB >χA の場合
には曲線Iのような勾配をもつ必要がある。このとき、
液体A、Bの上下逆転に要する界面での磁場強度Hとそ
こでの磁場勾配dH/dyの積にはしきい値が存在し、 式II (χA −χB )μ0 H(dH/dy)<(ρA −
ρB )g が界面で成立することが条件となる。ただし、これらの
ケースでは両辺ともに負の値となっている。なお、厳密
には界面張力の効果を考える必要があるが、ここでは無
視している。
【0029】また、図10に示すように、2液積層体の
界面付近が最大磁場となるような高さ方向の勾配をもつ
磁場を印加すると、B−A−Bの積層体を得ることもで
きる。B−A−Bの積層体には2つの界面が存在する
が、上側の界面で上記式IIが成立する。上下に分かれた
2つの液体Bの各容量は、液体Aの容量と液体Bの総容
量と磁場分布とにより、上記式IIを通じて決定される量
である。
界面付近が最大磁場となるような高さ方向の勾配をもつ
磁場を印加すると、B−A−Bの積層体を得ることもで
きる。B−A−Bの積層体には2つの界面が存在する
が、上側の界面で上記式IIが成立する。上下に分かれた
2つの液体Bの各容量は、液体Aの容量と液体Bの総容
量と磁場分布とにより、上記式IIを通じて決定される量
である。
【0030】さらに、前記の横軸方向の磁場強度勾配を
組み合わせることにより、液体A、Bをより複雑な形態
に変化させることもできる。例えば、図11では、x、
y両方向に磁場勾配を設けることにより、容器下方で液
体A、Bに逆モーゼ効果を生じさせ、容器上方では液体
Bの一部を分割させて液体Aによって包囲させている。
組み合わせることにより、液体A、Bをより複雑な形態
に変化させることもできる。例えば、図11では、x、
y両方向に磁場勾配を設けることにより、容器下方で液
体A、Bに逆モーゼ効果を生じさせ、容器上方では液体
Bの一部を分割させて液体Aによって包囲させている。
【0031】さらにまた、所定の強度分布を有する磁場
を印加することにより、液相表面において液体Aを液体
Bに包囲させて円形プール状(図12)やスリット状に
集め、この状態で磁場強度分布を横軸方向に移動させる
ことにより、液体Aを任意の位置に移動させることもで
きる。
を印加することにより、液相表面において液体Aを液体
Bに包囲させて円形プール状(図12)やスリット状に
集め、この状態で磁場強度分布を横軸方向に移動させる
ことにより、液体Aを任意の位置に移動させることもで
きる。
【0032】<液滴発生時の液滴の大きさ制御>図13
に示されるように、液体Bの中でキャピラリーから非相
溶性の液体Aを滴下する。このとき、磁場の印加により
液滴径を制御することができる。
に示されるように、液体Bの中でキャピラリーから非相
溶性の液体Aを滴下する。このとき、磁場の印加により
液滴径を制御することができる。
【0033】今、キャピラリー(外径R)より液体Aが
液体B中に注入されるとし、液体Aの液滴付近の磁場を
H、縦軸方向の磁場勾配をdH/dyとする。両液体
A、Bの界面の張力をγABとし、液体Aがキャピラリー
をぬらす接触角θを0°とすると、液滴を支える力はγ
ABとキャピラリーの外径円周長2πRとの積となる。一
方、縦方向の磁場勾配のもとで液滴Aに下向きに働く力
は、半径rA の液滴に働く実効的な重力(ρA −ρB )
g4πrA 3/3と、磁気的勾配による下向きの力−(χA
−χB )H(dH/dy)(4πrA 3/3)との和であ
る。この和が界面張力によって支えようとする力よりも
大きくなるときに液滴が落下すると近似することができ
るので、液滴の大きさは (4πrA 3/3){(ρA −ρB )g−(χA −χB )H
(dH/dy)}=2πγABR と近似的に表現される。これが液滴の半径rA を磁場に
より制御できる原理である。
液体B中に注入されるとし、液体Aの液滴付近の磁場を
H、縦軸方向の磁場勾配をdH/dyとする。両液体
A、Bの界面の張力をγABとし、液体Aがキャピラリー
をぬらす接触角θを0°とすると、液滴を支える力はγ
ABとキャピラリーの外径円周長2πRとの積となる。一
方、縦方向の磁場勾配のもとで液滴Aに下向きに働く力
は、半径rA の液滴に働く実効的な重力(ρA −ρB )
g4πrA 3/3と、磁気的勾配による下向きの力−(χA
−χB )H(dH/dy)(4πrA 3/3)との和であ
る。この和が界面張力によって支えようとする力よりも
大きくなるときに液滴が落下すると近似することができ
るので、液滴の大きさは (4πrA 3/3){(ρA −ρB )g−(χA −χB )H
(dH/dy)}=2πγABR と近似的に表現される。これが液滴の半径rA を磁場に
より制御できる原理である。
【0034】このとき、2液を用いず1液だけとする場
合にはρB =χB =0と近似すればよく、効果は小さく
なるが同様な効果が生じる。すなわち、気体中の液滴の
半径を磁場により制御できる。
合にはρB =χB =0と近似すればよく、効果は小さく
なるが同様な効果が生じる。すなわち、気体中の液滴の
半径を磁場により制御できる。
【0035】このような場合、磁場勾配を横軸および/
または縦軸方向につけることによって、径が制御された
液滴を所望の方向に移動させることができる。この際、
液体Aの液滴と液体Bとの間で溶質の交換も起こり得
る。
または縦軸方向につけることによって、径が制御された
液滴を所望の方向に移動させることができる。この際、
液体Aの液滴と液体Bとの間で溶質の交換も起こり得
る。
【0036】また、液体Aの液滴が液体B中に分散され
た分散液に磁場を作用させれば、液滴の大きさを制御し
たり、液滴の分布を制御することもできる。図14は、
中央部に液滴を集中させた例である。あるいは、磁場を
移動させることによって液滴をしごくようにして一方向
に移動させ、系外に除去することも可能である。
た分散液に磁場を作用させれば、液滴の大きさを制御し
たり、液滴の分布を制御することもできる。図14は、
中央部に液滴を集中させた例である。あるいは、磁場を
移動させることによって液滴をしごくようにして一方向
に移動させ、系外に除去することも可能である。
【0037】<3層以上の界面制御>図15は、混合し
合わない液体A、B間に、これらと相溶しない液体Cを
注入した例である。磁場印加しないときにはA−C−B
の積層構造となるが、磁場印加により、液体A、Bの界
面中に液体Cを偏在させることができる。そして、この
液体Cを横軸方向に移動させることもできる。
合わない液体A、B間に、これらと相溶しない液体Cを
注入した例である。磁場印加しないときにはA−C−B
の積層構造となるが、磁場印加により、液体A、Bの界
面中に液体Cを偏在させることができる。そして、この
液体Cを横軸方向に移動させることもできる。
【0038】さらに、縦軸、横軸方向磁場勾配を時間的
に変化させたり、逆転させたりして、初期と異なった位
置に界面を移動させ、各液体の位置を任意に移動させる
こともできる。例えば、液体A、B、Cは、ρA <ρB
<ρC でχA <χB およびχC <χB とし、AとCは相
溶性であり溶液ACを作るとする。初期状態は図16の
ようにA−B−Cの積層構造である。これに横軸方向中
央付近で最高磁場となる分布の磁場を印加すると、液体
Bが液体A、C界面で包囲された形状となる。このまま
放置すると液体Aと液体Cとは相溶し、ついには、ρB
とρACとの大小に応じ、液体Bが液相表面または容器底
部に分離され、溶液ACにより包囲される。このプロセ
スは不可逆である。
に変化させたり、逆転させたりして、初期と異なった位
置に界面を移動させ、各液体の位置を任意に移動させる
こともできる。例えば、液体A、B、Cは、ρA <ρB
<ρC でχA <χB およびχC <χB とし、AとCは相
溶性であり溶液ACを作るとする。初期状態は図16の
ようにA−B−Cの積層構造である。これに横軸方向中
央付近で最高磁場となる分布の磁場を印加すると、液体
Bが液体A、C界面で包囲された形状となる。このまま
放置すると液体Aと液体Cとは相溶し、ついには、ρB
とρACとの大小に応じ、液体Bが液相表面または容器底
部に分離され、溶液ACにより包囲される。このプロセ
スは不可逆である。
【0039】あるいは図16において液体Aと液体Cと
がそれぞれ溶質XとYとを含み、XとYとの間に化学反
応が生じる場合には、初期状態としてA−B−Cの積層
体を作り、磁場を印加することで反応が開始されるの
で、磁場を化学反応のスイッチとして用いることができ
る。
がそれぞれ溶質XとYとを含み、XとYとの間に化学反
応が生じる場合には、初期状態としてA−B−Cの積層
体を作り、磁場を印加することで反応が開始されるの
で、磁場を化学反応のスイッチとして用いることができ
る。
【0040】<応用>以上のような界面形状変化の応用
として、有機物単結晶成長が考えられる。例えば、現
在、高純度で結晶性の優れたタンパク質単結晶が要求さ
れている。単結晶化は通常はタンパク質を含んだ有機溶
液からの溶液成長によって行われる。しかしながら現状
では、結晶成長中のミクロな温度分布、温度ゆらぎに起
因する溶液中の乱れにより、良質の単結晶は得られな
い。そのため、スペースシャトルにおいて無重力下での
結晶成長を行い、良質な結晶が得られたとの報告もあ
る。本発明を応用すれば、例えば有機溶液を水溶液にと
じこめ、過冷却により有機単結晶を成長させることがで
きる。この方法の利点は、結晶成長の環境をより均一に
できるため、有機溶液内のゆらぎを極力抑えることがで
きる点である。具体的には、リソザイム(lysozyme)、ビ
タミンC(L-ascorbic acid) 等の巨大分子の溶液結晶成
長に用いることができる。
として、有機物単結晶成長が考えられる。例えば、現
在、高純度で結晶性の優れたタンパク質単結晶が要求さ
れている。単結晶化は通常はタンパク質を含んだ有機溶
液からの溶液成長によって行われる。しかしながら現状
では、結晶成長中のミクロな温度分布、温度ゆらぎに起
因する溶液中の乱れにより、良質の単結晶は得られな
い。そのため、スペースシャトルにおいて無重力下での
結晶成長を行い、良質な結晶が得られたとの報告もあ
る。本発明を応用すれば、例えば有機溶液を水溶液にと
じこめ、過冷却により有機単結晶を成長させることがで
きる。この方法の利点は、結晶成長の環境をより均一に
できるため、有機溶液内のゆらぎを極力抑えることがで
きる点である。具体的には、リソザイム(lysozyme)、ビ
タミンC(L-ascorbic acid) 等の巨大分子の溶液結晶成
長に用いることができる。
【0041】また、例えば一方の液体を他方の液体によ
り円形プール状に包囲したり、あるいはシリンドリカル
状に包囲したりする場合には、液体レンズとしての応用
が可能である。また、界面での光の反射、屈折、散乱等
を利用して光スイッチとすることもできる。また、液体
の分離や液滴の径の制御は、血液分析、溶液分析におけ
る薬品、氷、有機化合物の定量供給に応用できる。
り円形プール状に包囲したり、あるいはシリンドリカル
状に包囲したりする場合には、液体レンズとしての応用
が可能である。また、界面での光の反射、屈折、散乱等
を利用して光スイッチとすることもできる。また、液体
の分離や液滴の径の制御は、血液分析、溶液分析におけ
る薬品、氷、有機化合物の定量供給に応用できる。
【0042】さらには、液体の移動や上下入替は各種排
液処理に有効であり、その他、前記化学反応のスイッチ
も可能である。さらに、液体を用いた開閉バルブにも応
用できる。例えば、図19に示すように、液体Aの流路
の一部にバルブ用液体Bの液溜めを設ける。磁場勾配が
ないときには、図中の破線で示すように2液の界面は水
平であって液体Aは流路を流れるが、界面の中央部が逆
モーゼ型の形状変化を示すように磁場を印加すれば、図
中の実線で示すように液体Bにより液体Aの流路が閉塞
される。図19に示すような液体バルブとする場合、液
体Aと液体Bとの界面に後述する介在層を設ければ、両
液体の混合が生じず、安定したバルブ動作が実現する。
さらに、この他、分散液体の形状変化は各種ディスプレ
イや装飾品としても応用できる。
液処理に有効であり、その他、前記化学反応のスイッチ
も可能である。さらに、液体を用いた開閉バルブにも応
用できる。例えば、図19に示すように、液体Aの流路
の一部にバルブ用液体Bの液溜めを設ける。磁場勾配が
ないときには、図中の破線で示すように2液の界面は水
平であって液体Aは流路を流れるが、界面の中央部が逆
モーゼ型の形状変化を示すように磁場を印加すれば、図
中の実線で示すように液体Bにより液体Aの流路が閉塞
される。図19に示すような液体バルブとする場合、液
体Aと液体Bとの界面に後述する介在層を設ければ、両
液体の混合が生じず、安定したバルブ動作が実現する。
さらに、この他、分散液体の形状変化は各種ディスプレ
イや装飾品としても応用できる。
【0043】<他の液体>以上では、液体として、有機
溶媒や無機液体、あるいはこれらに溶質を溶解させた溶
液を用いる場合について説明したが、本発明は、液体と
して非磁性のコロイド溶液などを用いる場合にも適用す
ることができる。
溶媒や無機液体、あるいはこれらに溶質を溶解させた溶
液を用いる場合について説明したが、本発明は、液体と
して非磁性のコロイド溶液などを用いる場合にも適用す
ることができる。
【0044】コロイド溶液と上記した液体との界面や、
2種のコロイド溶液の界面についても、密度、体積磁化
率、磁場等の各種条件の組み合わせによる種々の変化
は、上記した2種の液体の界面の場合と同様である。た
だし、ここでいうコロイド溶液は、磁場印加によりコロ
イド粒子と溶媒とがほぼ一緒に移動するものであるの
で、界面変化に関係する密度および体積磁化率は、分散
媒のものではなくコロイド溶液自体のものである。な
お、コロイド溶液は、少なくとも界面を変化させるあい
だ安定であればよい。
2種のコロイド溶液の界面についても、密度、体積磁化
率、磁場等の各種条件の組み合わせによる種々の変化
は、上記した2種の液体の界面の場合と同様である。た
だし、ここでいうコロイド溶液は、磁場印加によりコロ
イド粒子と溶媒とがほぼ一緒に移動するものであるの
で、界面変化に関係する密度および体積磁化率は、分散
媒のものではなくコロイド溶液自体のものである。な
お、コロイド溶液は、少なくとも界面を変化させるあい
だ安定であればよい。
【0045】コロイド溶液としては、例えばタンパク質
などの分子コロイドや、セッケンなどのミセルコロイ
ド、金や粘土などの粒子コロイド等が挙げられる。な
お、本発明において用いる液体の粘度は特に限定され
ず、十分な界面変化を生じ得る粘度(一般に10ポアズ
以下)であればよい。ΔρやΔχが同等であれば粘度が
高い場合でも界面変化量は同等となるが、粘度が低いほ
ど界面変化の速度が速くなるので、界面変化速度を速く
したい場合には粘度を1ポアズ以下とすることが好まし
い。
などの分子コロイドや、セッケンなどのミセルコロイ
ド、金や粘土などの粒子コロイド等が挙げられる。な
お、本発明において用いる液体の粘度は特に限定され
ず、十分な界面変化を生じ得る粘度(一般に10ポアズ
以下)であればよい。ΔρやΔχが同等であれば粘度が
高い場合でも界面変化量は同等となるが、粘度が低いほ
ど界面変化の速度が速くなるので、界面変化速度を速く
したい場合には粘度を1ポアズ以下とすることが好まし
い。
【0046】<液体以外の流動性物質>本発明は、液体
以外の非磁性流動性物質を用いた場合にも適用すること
ができる。液体以外の流動性物質としては、例えば、粉
体が挙げられる。2種の粉体の界面、あるいは粉体と液
体との界面についても、上記した2種の液体の界面の場
合と同様な変化が生じ得る。ただし、粉体は流動性が高
い必要があり、例えば、安息角が30°以下であること
が好ましい。なお、粉体を構成する粒子は、平均粒径が
1mm程度以下であることが好ましく、また、球形状であ
ることが好ましい。具体的には、球形アトマイズ粉など
が好ましい。
以外の非磁性流動性物質を用いた場合にも適用すること
ができる。液体以外の流動性物質としては、例えば、粉
体が挙げられる。2種の粉体の界面、あるいは粉体と液
体との界面についても、上記した2種の液体の界面の場
合と同様な変化が生じ得る。ただし、粉体は流動性が高
い必要があり、例えば、安息角が30°以下であること
が好ましい。なお、粉体を構成する粒子は、平均粒径が
1mm程度以下であることが好ましく、また、球形状であ
ることが好ましい。具体的には、球形アトマイズ粉など
が好ましい。
【0047】なお、2種の粉体の界面や粉体と液体との
界面には、両者の混合を防ぐために、後述するような介
在層を存在させることが好ましい。
界面には、両者の混合を防ぐために、後述するような介
在層を存在させることが好ましい。
【0048】<固体粒子分散液>本発明では、液体中に
非磁性固体状物質(固体粒子)が分散している分散液に
磁場を作用させることによっても、両者の界面の位置を
変化させることができる。すなわち、分散液中において
固体粒子を移動させることができ、これにより液中の粒
子分布を変化させて濃縮したり沈降させたりすることが
できる。この場合の固体粒子分散液とは、固体粒子が分
散媒に対して移動し得るものであり、コロイド溶液の一
部も含み得る。このような固体粒子としては、金属、鉱
物、セラミックス、高分子、無機塩類、氷、木材、微生
物などの各種粒子状物質のいずれであってもよく、密度
調整等のために粒子に単数または複数の孔部が設けられ
ていてもよい。固体粒子の粒径は特に限定されないが、
一般に0.1μm 〜10mm程度であることが好ましい。
非磁性固体状物質(固体粒子)が分散している分散液に
磁場を作用させることによっても、両者の界面の位置を
変化させることができる。すなわち、分散液中において
固体粒子を移動させることができ、これにより液中の粒
子分布を変化させて濃縮したり沈降させたりすることが
できる。この場合の固体粒子分散液とは、固体粒子が分
散媒に対して移動し得るものであり、コロイド溶液の一
部も含み得る。このような固体粒子としては、金属、鉱
物、セラミックス、高分子、無機塩類、氷、木材、微生
物などの各種粒子状物質のいずれであってもよく、密度
調整等のために粒子に単数または複数の孔部が設けられ
ていてもよい。固体粒子の粒径は特に限定されないが、
一般に0.1μm 〜10mm程度であることが好ましい。
【0049】<気体−気体界面>2種の非磁性気体が後
述するような介在層を界面として隣接している場合に
も、磁場印加により界面を変化させることができる。介
在層は2種の気体の混合を防ぐために設けられる。
述するような介在層を界面として隣接している場合に
も、磁場印加により界面を変化させることができる。介
在層は2種の気体の混合を防ぐために設けられる。
【0050】<介在層>本発明では、上述したような各
種非磁性物質間の界面を磁場印加により変化させるが、
2種の物質の界面に必要に応じて介在層を設け、この介
在層を界面として2種の物質を隣接させる構成としても
よい。介在層を設けることにより、2種の物質の混合を
防ぐことができる。例えば、相溶する2液体であっても
分割して保持することが可能となる。
種非磁性物質間の界面を磁場印加により変化させるが、
2種の物質の界面に必要に応じて介在層を設け、この介
在層を界面として2種の物質を隣接させる構成としても
よい。介在層を設けることにより、2種の物質の混合を
防ぐことができる。例えば、相溶する2液体であっても
分割して保持することが可能となる。
【0051】また、介在層を2液体の界面の一部に設け
ることにより、2液間の反応を制御することができる。
なお、介在層を界面の一部に設けるとは、多孔質(網目
状を含む)の介在層や、物質の選択透過性を有する介在
層などを界面全域に設けることも包含する。
ることにより、2液間の反応を制御することができる。
なお、介在層を界面の一部に設けるとは、多孔質(網目
状を含む)の介在層や、物質の選択透過性を有する介在
層などを界面全域に設けることも包含する。
【0052】介在層は剛体、すなわち、磁場印加時に物
質界面にはたらく力によって位置が変化しても形状は変
化しないものであってもよく、界面の位置の変化に伴な
って少なくとも一部が形状変化するものであってもよ
い。形状変化を可能にするために、伸縮性材質や可撓性
材質から介在層を構成してもよく、折り畳み構造などの
伸縮可能な構造を介在層にもたせてもよい。また、介在
層を容器壁に固定してもよく、固定せずに2液界面に浮
遊させる状態としてもよく、容器壁に対して移動可能と
なるように浮動支持する構成としてもよい。
質界面にはたらく力によって位置が変化しても形状は変
化しないものであってもよく、界面の位置の変化に伴な
って少なくとも一部が形状変化するものであってもよ
い。形状変化を可能にするために、伸縮性材質や可撓性
材質から介在層を構成してもよく、折り畳み構造などの
伸縮可能な構造を介在層にもたせてもよい。また、介在
層を容器壁に固定してもよく、固定せずに2液界面に浮
遊させる状態としてもよく、容器壁に対して移動可能と
なるように浮動支持する構成としてもよい。
【0053】2種の液体の界面に、一部が形状変化可能
な介在層を設ける場合の具体例について、図20および
図21により説明する。図20における介在層は、中央
が剛体部であり、この剛体部は容器に固定されている。
剛体部の周囲は伸縮性の変形部であり、この変形部も容
器に固定されている。このような構成において液体Bの
χが液体Aより大きい場合、図中左側の変形部付近の磁
場強度を相対的に高くすると、左側の変形部に逆モーゼ
型の変形を生じさせる力が働くのに伴ない、右側の変形
部には下に凸の変形が生じて上下の液体を共に流動させ
ることができる。図21における介在層は、中央の剛体
部が浮動状態であり、剛体部の形状が上に凸の曲面状で
あり、剛体部が透明である以外は、図20の介在層と同
様な構成である。図21では、下層の液体の屈折率が上
層の液体の屈折率よりも高くなっているため、剛体部に
より界面が曲面状に維持されている下層の液体Bは、凸
レンズとしての働きを示し、上方から入射した光は容器
底面より下側に焦点を結ぶ。このような構成において所
定の強度勾配をもつ磁場を印加し、その強度勾配を図中
左右方向に移動させると、介在層の変形部が上方または
下方への力を受けて剛体部の傾きが変化する。その結果
として、上方から入射する光の焦点位置を移動させるこ
とができる。
な介在層を設ける場合の具体例について、図20および
図21により説明する。図20における介在層は、中央
が剛体部であり、この剛体部は容器に固定されている。
剛体部の周囲は伸縮性の変形部であり、この変形部も容
器に固定されている。このような構成において液体Bの
χが液体Aより大きい場合、図中左側の変形部付近の磁
場強度を相対的に高くすると、左側の変形部に逆モーゼ
型の変形を生じさせる力が働くのに伴ない、右側の変形
部には下に凸の変形が生じて上下の液体を共に流動させ
ることができる。図21における介在層は、中央の剛体
部が浮動状態であり、剛体部の形状が上に凸の曲面状で
あり、剛体部が透明である以外は、図20の介在層と同
様な構成である。図21では、下層の液体の屈折率が上
層の液体の屈折率よりも高くなっているため、剛体部に
より界面が曲面状に維持されている下層の液体Bは、凸
レンズとしての働きを示し、上方から入射した光は容器
底面より下側に焦点を結ぶ。このような構成において所
定の強度勾配をもつ磁場を印加し、その強度勾配を図中
左右方向に移動させると、介在層の変形部が上方または
下方への力を受けて剛体部の傾きが変化する。その結果
として、上方から入射する光の焦点位置を移動させるこ
とができる。
【0054】なお、介在層は、液滴の閉じ込めに用いる
こともできる。例えば、図14に示すような液滴分散液
において介在層を液滴の被覆材として使用し、いわゆる
マイクロカプセルを形成することもできる。
こともできる。例えば、図14に示すような液滴分散液
において介在層を液滴の被覆材として使用し、いわゆる
マイクロカプセルを形成することもできる。
【0055】介在層は、液体であってもよい。例えば、
図16に示すような液体Bは介在層として働いている。
図16に示すような液体Bは介在層として働いている。
【0056】介在層の厚さは特に限定されず、例えば、
単分子膜やその積層膜なども使用することができる。
単分子膜やその積層膜なども使用することができる。
【0057】介在層の材質は特に限定されず、ポリ塩化
ビニル、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレ
ン等の各種高分子やガラス繊維などから適宜選択して膜
状化すればよく、イオン交換膜を用いることもでき、パ
ラフィン紙などの紙類を用いることもできる。ガラス繊
維膜は多孔性であり、孔径の制御が容易なので、選択的
物質透過が必要な場合に極めて有効である。また、生体
膜と同様な膜なども介在層として使用可能である。
ビニル、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレ
ン等の各種高分子やガラス繊維などから適宜選択して膜
状化すればよく、イオン交換膜を用いることもでき、パ
ラフィン紙などの紙類を用いることもできる。ガラス繊
維膜は多孔性であり、孔径の制御が容易なので、選択的
物質透過が必要な場合に極めて有効である。また、生体
膜と同様な膜なども介在層として使用可能である。
【0058】介在層の密度は特に限定されない。また、
介在層は、磁場による過度の影響を受けないように、常
磁性または反磁性であることが好ましい。
介在層は、磁場による過度の影響を受けないように、常
磁性または反磁性であることが好ましい。
【0059】<他の物質>なお、接触または介在層を界
面として隣接する2種の物質のうちの少なくとも1種と
して、変形可能な固体状物質を用いてもよい。例えば、
2種の固体状物質の界面や固体状物質と液体との界面な
どにおいても、変化量は小さくなるが、磁場印加による
上記のような変化が可能である。変形可能な固体状物質
としては、例えば、ゲル状物質、各種プラスチック等の
可塑性高分子物質、ゴム等の弾性高分子物質などが挙げ
られる。
面として隣接する2種の物質のうちの少なくとも1種と
して、変形可能な固体状物質を用いてもよい。例えば、
2種の固体状物質の界面や固体状物質と液体との界面な
どにおいても、変化量は小さくなるが、磁場印加による
上記のような変化が可能である。変形可能な固体状物質
としては、例えば、ゲル状物質、各種プラスチック等の
可塑性高分子物質、ゴム等の弾性高分子物質などが挙げ
られる。
【0060】また、気液界面においても、従来知られて
いたよりも大きな変化量を得ることが可能である。通
常、気液界面の気相側は空気であるが、例えば反磁性液
体を用いる場合において気相を酸素とすることにより、
変化量を大きくすることができる。これは、空気の約8
0%を占める窒素のχが零に近いのに対し、酸素のχが
プラス側であってかつ絶対値が大きいためである。逆
に、χがマイナス側に大きい反磁性気体と、χの絶対値
が小さいか、χがプラス側である液体とを組み合わせる
と、酸素を用いた場合とは逆の界面変化を増強すること
ができる。また、気相を加圧してρを増加させることに
よっても変化量を大きくすることができる。
いたよりも大きな変化量を得ることが可能である。通
常、気液界面の気相側は空気であるが、例えば反磁性液
体を用いる場合において気相を酸素とすることにより、
変化量を大きくすることができる。これは、空気の約8
0%を占める窒素のχが零に近いのに対し、酸素のχが
プラス側であってかつ絶対値が大きいためである。逆
に、χがマイナス側に大きい反磁性気体と、χの絶対値
が小さいか、χがプラス側である液体とを組み合わせる
と、酸素を用いた場合とは逆の界面変化を増強すること
ができる。また、気相を加圧してρを増加させることに
よっても変化量を大きくすることができる。
【0061】
【実施例】以下、本発明を実施例に従い詳細に説明す
る。
る。
【0062】以下の実施例では、パイレックスガラス製
セル(長さ150cm、高さ7cm、奥行1cm)を直径22
cmの超伝導磁石(横型ソレノイドコイル型)のソレノイ
ド内の空芯空間に置くことにより、セル内の液体に磁場
を印加した。磁場分布はセルの長さ方向についており、
中心部分の磁場強度は0〜10Tの範囲で任意に設定で
きる。セルの高さおよび奥行方向の磁場分布はここでは
無視できるほどに小さく、長さ方向の両端での磁場もほ
ぼゼロとみなすことができる。液相表面(気液界面)お
よび2液界面の位置変化は、セルの横に置かれた鏡によ
り各セクション(横方向長さ4cm)ごとに写真撮影して
調べた。
セル(長さ150cm、高さ7cm、奥行1cm)を直径22
cmの超伝導磁石(横型ソレノイドコイル型)のソレノイ
ド内の空芯空間に置くことにより、セル内の液体に磁場
を印加した。磁場分布はセルの長さ方向についており、
中心部分の磁場強度は0〜10Tの範囲で任意に設定で
きる。セルの高さおよび奥行方向の磁場分布はここでは
無視できるほどに小さく、長さ方向の両端での磁場もほ
ぼゼロとみなすことができる。液相表面(気液界面)お
よび2液界面の位置変化は、セルの横に置かれた鏡によ
り各セクション(横方向長さ4cm)ごとに写真撮影して
調べた。
【0063】<実施例1>ほぼ磁化率をゼロにしたχ=
0.00×10-6の硫酸銅水溶液(ρ=1.07g・c
m-3)に、クロロベンゼン/ベンゼン(体積比6.6/
1)混合液(ρ=1.06g・cm-3、χ=−8.39×1
0-6)を注ぎ2液界面を形成した。両液は同容量とし
た。これに0〜0.9Tの磁場横軸変化(中央が最大磁
場)を与えたところ、図2に示すような界面変化が生じ
た。Δhは3cmであった。
0.00×10-6の硫酸銅水溶液(ρ=1.07g・c
m-3)に、クロロベンゼン/ベンゼン(体積比6.6/
1)混合液(ρ=1.06g・cm-3、χ=−8.39×1
0-6)を注ぎ2液界面を形成した。両液は同容量とし
た。これに0〜0.9Tの磁場横軸変化(中央が最大磁
場)を与えたところ、図2に示すような界面変化が生じ
た。Δhは3cmであった。
【0064】<実施例2>実施例1において、2液の量
を調整したところ、図4に示すような形状変化が生じ
た。
を調整したところ、図4に示すような形状変化が生じ
た。
【0065】<実施例3>液体Bをクロロベンゼン(ρ
=1.107g・cm-3、χ=−8.65×10-6)、液体
Aを硫酸銅水溶液(ρ=1.08g・cm-3、χ=1.74
×10-6)としたところ、1.9T(中央が最大磁場)
で図5に示すような界面形状が得られ、△h=5.7cm
であった。
=1.107g・cm-3、χ=−8.65×10-6)、液体
Aを硫酸銅水溶液(ρ=1.08g・cm-3、χ=1.74
×10-6)としたところ、1.9T(中央が最大磁場)
で図5に示すような界面形状が得られ、△h=5.7cm
であった。
【0066】<実施例4>実施例3において、硫酸銅水
溶液の量を減らすと図6の界面形状に、クロロベンゼン
を減らすと図7の界面形状に変化した。
溶液の量を減らすと図6の界面形状に、クロロベンゼン
を減らすと図7の界面形状に変化した。
【0067】<実施例5>液体Aとしてヘキサン(ρ=
0.655g・cm-3、χ=−0.618×10-6)、液体
Bとして四塩化炭素(ρ=1.60g・cm-3、χ=−8.
72×10-6)、液体Cとして実施例3で用いた硫酸銅
水溶液をセル内に注いだ。磁場を印加しない状態では上
よりA−C−Bの3液の積層状態が得られたが、これに
中央部分8Tの磁場を印加することで図17に示すよう
な界面形状が得られた。これは、図16で液体Aの量を
少なくした場合に相当する。ヘキサンと四塩化炭素は相
溶性であるため、磁場印加により液体Aと液体Bとが直
接接触したことで、両者は徐々に混り合い、図17の形
は徐々に崩れて図6と同様の形状となった。また、液体
A、Cの量を増加することで、図18の形状が得られ
た。
0.655g・cm-3、χ=−0.618×10-6)、液体
Bとして四塩化炭素(ρ=1.60g・cm-3、χ=−8.
72×10-6)、液体Cとして実施例3で用いた硫酸銅
水溶液をセル内に注いだ。磁場を印加しない状態では上
よりA−C−Bの3液の積層状態が得られたが、これに
中央部分8Tの磁場を印加することで図17に示すよう
な界面形状が得られた。これは、図16で液体Aの量を
少なくした場合に相当する。ヘキサンと四塩化炭素は相
溶性であるため、磁場印加により液体Aと液体Bとが直
接接触したことで、両者は徐々に混り合い、図17の形
は徐々に崩れて図6と同様の形状となった。また、液体
A、Cの量を増加することで、図18の形状が得られ
た。
【0068】<実施例6>上層の液体としてH2 O(ρ
=1.00g・cm-3、χ=−9.02×10-6)を、下層
の液体としてMnCl2 水溶液(ρ=1.09g・cm-3、
χ=1.61×10-4)を用い、0〜1Tの磁場変化を
6サイクル/分間となるように与え、界面に上下動を与
えた。この結果、10分後には両液の界面が判別不可能
な状態となった。
=1.00g・cm-3、χ=−9.02×10-6)を、下層
の液体としてMnCl2 水溶液(ρ=1.09g・cm-3、
χ=1.61×10-4)を用い、0〜1Tの磁場変化を
6サイクル/分間となるように与え、界面に上下動を与
えた。この結果、10分後には両液の界面が判別不可能
な状態となった。
【0069】次に、介在層の効果について調べた。ま
ず、MnCl2 水溶液をセルに入れ、次いで、セルの高
さ方向中央に介在層(ポリ塩化ビニリデンフィルム)の
端部を接着し、介在層がMnCl2 水溶液を覆うように
した。2液界面の変化を阻害しないように、介在層には
張力を与えず、皺が存在するように接着した。介在層の
上側にH2 Oを入れ、上記と同様な磁場変化を与えたと
ころ、界面の上下動は上記と同様に生じたが、10分後
にも両液の相溶は全く認められなかった。
ず、MnCl2 水溶液をセルに入れ、次いで、セルの高
さ方向中央に介在層(ポリ塩化ビニリデンフィルム)の
端部を接着し、介在層がMnCl2 水溶液を覆うように
した。2液界面の変化を阻害しないように、介在層には
張力を与えず、皺が存在するように接着した。介在層の
上側にH2 Oを入れ、上記と同様な磁場変化を与えたと
ころ、界面の上下動は上記と同様に生じたが、10分後
にも両液の相溶は全く認められなかった。
【0070】また、上記介在層をセルに固定せずに2液
界面において浮動状態とし、上記と同様な磁場変化を与
えたところ、10分後には介在層端部付近で2液の相互
拡散が生じていたが、介在層中央付近では2液の相溶は
認められず、磁場変化による界面の上下動は持続されて
いた。
界面において浮動状態とし、上記と同様な磁場変化を与
えたところ、10分後には介在層端部付近で2液の相互
拡散が生じていたが、介在層中央付近では2液の相溶は
認められず、磁場変化による界面の上下動は持続されて
いた。
【0071】<実施例7>セル内にヘキサンを入れ、こ
の上に窒素を充填して中央部が最大磁場となるように8
Tの磁場を印加したところ、気液界面の位置が30mm変
化した。一方、窒素の替わりに酸素を充填したところ、
気液界面の位置の変化量は35mmとなった。
の上に窒素を充填して中央部が最大磁場となるように8
Tの磁場を印加したところ、気液界面の位置が30mm変
化した。一方、窒素の替わりに酸素を充填したところ、
気液界面の位置の変化量は35mmとなった。
【0072】以上の実施例の結果から、本発明の効果が
明らかである。
明らかである。
【図1】本発明の説明図である。
【図2】本発明の実施例を示す図である。
【図3】本発明の実施例を示す図である。
【図4】本発明の実施例を示す図である。
【図5】本発明の実施例を示す図である。
【図6】本発明の実施例を示す図である。
【図7】本発明の実施例を示す図である。
【図8】本発明の実施例を示す図である。
【図9】本発明の実施例を示す図である。
【図10】本発明の実施例を示す図である。
【図11】本発明の実施例を示す図である。
【図12】本発明の実施例を示す図である。
【図13】本発明の実施例を示す図である。
【図14】本発明の実施例を示す図である。
【図15】本発明の実施例を示す図である。
【図16】本発明の実施例を示す図である。
【図17】本発明の実施例を示す図である。
【図18】本発明の実施例を示す図である。
【図19】本発明の実施例を示す図である。
【図20】本発明の実施例を示す図である。
【図21】本発明の実施例を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本間 琢朗 神奈川県横浜市緑区たちばな台2−4−19 (72)発明者 丸山 哲 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 山下 信一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 中川 準 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (23)
- 【請求項1】 接触している2種の非磁性流動性物質に
磁場を作用させることにより界面の位置を変化させる方
法である物質界面を変化させる方法。 - 【請求項2】 介在層を界面として隣接している2種の
非磁性流動性物質に磁場を作用させることにより界面の
位置を変化させる方法である物質界面を変化させる方
法。 - 【請求項3】 非磁性流動性物質が液体である請求項1
または2の物質界面を変化させる方法。 - 【請求項4】 介在層を界面として隣接している2種の
非磁性気体に磁場を作用させることにより界面の位置を
変化させる方法である物質界面を変化させる方法。 - 【請求項5】 界面の位置の変化に伴なって介在層の少
なくとも一部が形状変化する請求項2または4の物質界
面を変化させる方法。 - 【請求項6】 介在層が高分子膜またはガラス繊維膜で
ある請求項2、4または5の物質界面を変化させる方
法。 - 【請求項7】 液体である非磁性流動性物質に非磁性固
体状物質が分散している分散液に磁場を作用させること
により、非磁性流動性物質と非磁性固体状物質との界面
の位置を変化させる方法である物質界面を変化させる方
法。 - 【請求項8】 前記界面の形状を変化させるか、前記界
面を移動させる請求項1〜7のいずれかの物質界面を変
化させる方法。 - 【請求項9】 前記磁場の最大強度が10T以下である
請求項1〜8のいずれかの物質界面を変化させる方法。 - 【請求項10】 前記磁場の最大強度が2T以下である
請求項1〜8のいずれかの物質界面を変化させる方法。 - 【請求項11】 前記磁場の最大強度が0.1T以上で
ある請求項1〜10のいずれかの物質界面を変化させる
方法。 - 【請求項12】 前記磁場が少なくとも一つの方向に磁
場勾配をもつ請求項1〜11のいずれかの物質界面を変
化させる方法。 - 【請求項13】 前記磁場勾配が0.001T/cm以上で
ある請求項12の物質界面を変化させる方法。 - 【請求項14】 接触しているか、介在層を界面として
隣接している2種の物質において、一方の物質の密度お
よび磁化率をそれぞれρ1 およびχ1 とし、他方の物質
の密度および磁化率をそれぞれρ2 およびχ2 とし、△
ρ=ρ1 −ρ2 、△χ=χ1 −χ2 としたとき、 |△χ/△ρ|>|χ1 /ρ1 |かつ |△χ/△ρ|>|χ2 /ρ2 | である請求項1〜13のいずれかの物質界面を変化させ
る方法。 - 【請求項15】 上に凸および/または下に凸の界面を
形成する請求項3の物質界面を変化させる方法。 - 【請求項16】 一方の液体によって他方の液体が包囲
される請求項15の物質界面を変化させる方法。 - 【請求項17】 一方の液体が他方の液体によって分割
される請求項15または16の物質界面を変化させる方
法。 - 【請求項18】 前記他方の液体を磁場の移動によって
移動させる請求項16または17の物質界面を変化させ
る方法。 - 【請求項19】 2種の液体の積層順序を逆転させる請
求項3の物質界面を変化させる方法。 - 【請求項20】 一方の液体中に存在する他方の液体の
液滴の径を制御する請求項3の物質界面を変化させる方
法。 - 【請求項21】 一方の液体中に存在する他方の液体の
液滴を移動させる請求項3または20の物質界面を変化
させる方法。 - 【請求項22】 2種の液体の界面に第3の液体を孤立
させて偏在させる請求項3の物質界面を変化させる方
法。 - 【請求項23】 2種の液体が相溶するものであり、前
記2種の液体を第3の液体で分離し、磁場を作用させる
ことにより、前記2種の液体を接触させてこれらを相溶
させる請求項3の物質界面を変化させる方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8069214A JPH08323192A (ja) | 1995-03-24 | 1996-02-29 | 物質界面を変化させる方法 |
US08/621,094 US5733458A (en) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | Material interface changing method |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9188295 | 1995-03-24 | ||
JP7-91882 | 1995-03-24 | ||
JP8069214A JPH08323192A (ja) | 1995-03-24 | 1996-02-29 | 物質界面を変化させる方法 |
US08/621,094 US5733458A (en) | 1995-03-24 | 1996-03-22 | Material interface changing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08323192A true JPH08323192A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=27299981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8069214A Withdrawn JPH08323192A (ja) | 1995-03-24 | 1996-02-29 | 物質界面を変化させる方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5733458A (ja) |
JP (1) | JPH08323192A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6596076B1 (en) * | 1998-06-30 | 2003-07-22 | Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Apparatus and method for altering the apparent effects of gravity |
JP3592967B2 (ja) | 1999-09-21 | 2004-11-24 | 昭 相田 | 水の磁気処理装置 |
US7628810B2 (en) * | 2003-05-28 | 2009-12-08 | Acufocus, Inc. | Mask configured to maintain nutrient transport without producing visible diffraction patterns |
DE10358906B4 (de) * | 2003-12-16 | 2021-05-06 | Carl Zeiss Meditec Ag | Optisches Element, optisches System sowie optisches Gerät |
WO2005119307A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical element |
GB0423564D0 (en) * | 2004-06-01 | 2004-11-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optical element |
EP1834197A1 (en) * | 2004-12-27 | 2007-09-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Aberration correcting apparatus |
US7455823B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-11-25 | Council Of Scientific & Industrial Research | Process for the preparation of micron/nano sized inorganic material |
CN101223459A (zh) | 2005-05-27 | 2008-07-16 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 光散射盘、其用途以及波阵面测量设备 |
US20080198473A1 (en) * | 2005-06-16 | 2008-08-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Variable Focus Lens |
US20070207272A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Puri Ishwar K | Method and apparatus for magnetic mixing in micron size droplets |
EP2054742A1 (en) * | 2006-08-15 | 2009-05-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Variable focus lens |
US10322417B2 (en) * | 2015-07-01 | 2019-06-18 | Uchicago Argonne, Llc | Magnetically enhanced phase separation for solvent extraction |
KR20180128424A (ko) * | 2016-03-18 | 2018-12-03 | 앤드류 알리안스 에스. 에이. | 액체 핸들러의 팁에서의 비드 조작 방법 및 장치 |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8069214A patent/JPH08323192A/ja not_active Withdrawn
- 1996-03-22 US US08/621,094 patent/US5733458A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
US5733458A (en) | 1998-03-31 |
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