KR101332511B1 - Physical quantity measuring apparatus and physical quantity measuring method - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 적절하게 계측하는 것을 과제로 한다.
물리량 계측 장치(90)는 유리 기판(G)의 표면에 설치된다. 물리량 계측 장치(90)는 계측 회로(91)와, 유리 기판(G)의 온도 변화에 따라서 저항치가 변화하는 온도 센서(92)와, 계측 회로(91)와 온도 센서(92)를 접속하는 제1 배선(93)과, 미리 정해진 저항치를 갖고, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한 저항치의 변화량이 온도 센서(92)의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서(94)와, 계측 회로(91)와 더미 센서(94)를 접속하는 제2 배선(95)을 갖고 있다. 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한, 제1 배선(93)의 저항치의 변화량과 제2 배선(95)의 저항치의 변화량과의 비율은 일정하다. This invention makes it a subject to measure suitably the physical quantity at the time of processing a to-be-processed object in the atmosphere in which temperature changes.
The physical quantity measuring device 90 is provided on the surface of the glass substrate G. The physical quantity measuring device 90 is an agent that connects the measurement circuit 91, the temperature sensor 92 whose resistance changes with the temperature change of the glass substrate G, and the measurement circuit 91 and the temperature sensor 92. The dummy sensor 94 and the measurement circuit 91 which have one wiring 93 and a predetermined resistance value and whose change amount of the resistance value with respect to the temperature change of the glass substrate G is smaller than the change amount of the resistance value of the temperature sensor 92. ) And the second wiring 95 for connecting the dummy sensor 94 to each other. The ratio between the amount of change in the resistance of the first wiring 93 and the amount of change in the resistance of the second wiring 95 with respect to the temperature change of the glass substrate G is constant.

Description

물리량 계측 장치 및 물리량 계측 방법{PHYSICAL QUANTITY MEASURING APPARATUS AND PHYSICAL QUANTITY MEASURING METHOD}Physical quantity measuring device and physical quantity measuring method {PHYSICAL QUANTITY MEASURING APPARATUS AND PHYSICAL QUANTITY MEASURING METHOD}

본 발명은 피처리체의 표면에 설치되며, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 장치, 및 이 물리량 계측 장치를 이용한 물리량 계측 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a physical quantity measuring device which is provided on the surface of an object to be processed and that measures a physical quantity when the object to be processed is processed in an atmosphere of temperature change, and a physical quantity measuring method using the physical amount measuring device.

예컨대, 플랫 패널 디스플레이의 제조 프로세스의 포토리소그래피 공정에서는, 플랫 패널 디스플레이용의 유리 기판 상에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막에 정해진 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 유리 기판의 열처리 등의 각종 처리가 이루어지고 있다. For example, in the photolithography process of the manufacturing process of a flat panel display, the resist coating process which forms a resist film on the glass substrate for flat panel displays, the exposure process which exposes a predetermined pattern to a resist film, and the developing process which develops the exposed resist film are carried out. Various treatments, such as heat processing of a glass substrate, are performed.

전술한 레지스트막의 정해진 패턴은 베이스인 피처리막의 패턴 형상을 정하는 것으로, 엄격한 치수로 형성될 필요가 있다. 이 때문에, 상기 각 처리를 적절하게 실시할 필요가 있는데, 예컨대 열처리에서는 유리 기판의 온도나 처리 분위기의 압력 등을 엄밀하게 관리해야 한다. 그래서, 이들 온도나 압력 등의 물리량을 계측하고 있다. The predetermined pattern of the resist film mentioned above determines the pattern shape of the to-be-processed film, and needs to be formed with strict dimensions. For this reason, it is necessary to perform each said process suitably, For example, in heat processing, the temperature of a glass substrate, the pressure of a process atmosphere, etc. must be managed strictly. Thus, physical quantities such as temperature and pressure are measured.

이러한 물리량의 계측은, 예컨대 유리 기판 상에 설치된 계측 장치를 이용하여 이루어진다. 구체적으로는, 계측 장치로서, 예컨대 서미스터 등과 같이 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 센서, 저항치를 측정함으로써 물리량을 계측하는 계측 회로, 센서와 계측 회로를 접속하는 배선 등이 유리 기판 상에 설치된다(특허문헌 1). The measurement of such physical quantity is performed using the measuring apparatus provided on the glass substrate, for example. Specifically, as a measuring device, for example, a sensor, such as a thermistor or the like, in which the resistance value changes in accordance with the change in the physical quantity, a measurement circuit for measuring the physical quantity by measuring the resistance value, wiring for connecting the sensor and the measurement circuit, etc. are provided on the glass substrate. (Patent Document 1).

일본 특허 공개 평6-163340호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 6-163340

여기서, 유리 기판의 포토리소그래피 처리에서는, 예컨대 복수의 반송 롤러 상에서 반송중인 유리 기판에 대하여 정해진 처리가 이루어진다. 그리고, 예컨대 유리 기판에 열처리를 실시할 때에는, 예컨대 도 9에 도시하는 바와 같이 복수의 반송 롤러(R) 상의 유리 기판(G)이 열처리 장치의 챔버(500) 안으로 반송되어, 그 챔버(500) 안에서 반송중인 유리 기판(G)에 열처리가 이루어진다. 이 때, 챔버(500) 안의 분위기(T1) 온도는 예컨대 130℃이며, 챔버(500) 밖의 분위기(T2) 온도는 예컨대 실온인 23℃로 되어 있다. Here, in the photolithography process of a glass substrate, the predetermined process is performed with respect to the glass substrate conveyed on a some conveyance roller, for example. And when heat-processing a glass substrate, for example, as shown in FIG. 9, the glass substrate G on several conveyance roller R is conveyed in the chamber 500 of a heat processing apparatus, and the chamber 500 is carried out. Heat treatment is given to the glass substrate G currently conveyed. At this time, the temperature of the atmosphere T 1 in the chamber 500 is 130 ° C., for example, and the temperature of the atmosphere T 2 outside the chamber 500 is 23 ° C., for example, room temperature.

또한, 예컨대 유리 기판(G)의 온도를 계측하기 위해서, 전술한 특허문헌 1과 같이, 유리 기판(G)의 표면에는 계측 장치(510)가 설치된다. 계측 장치(510)는 센서(511), 계측 회로(512) 및 배선(513)을 갖고 있다. 배선(513)은, 예컨대 센서(511)의 양단부에 각각 접속되는 2선의 배선(도시하지 않음)을 갖고 있다. 또한, 배선(513)은, 예컨대 유리 기판(G)의 반송 방향으로 연신된다.In addition, for example, in order to measure the temperature of glass substrate G, the measuring apparatus 510 is provided in the surface of glass substrate G like the above-mentioned patent document 1. The measuring device 510 has a sensor 511, a measuring circuit 512, and a wiring 513. The wiring 513 has, for example, two wires (not shown) that are respectively connected to both ends of the sensor 511. In addition, the wiring 513 is extended in the conveyance direction of the glass substrate G, for example.

그러나, 이러한 경우, 센서(511)의 저항치에 배선(513)의 저항치가 중첩되어, 계측 회로(512)에서 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 없었다. However, in this case, the resistance value of the wiring 513 overlapped with the resistance value of the sensor 511, and the measurement circuit 512 could not measure the temperature of the glass substrate G properly.

또한, 배선(513)의 저항치를 추정하여, 계측 회로(512)에서 측정되는 저항치로부터 그 배선(513)의 저항치를 감산하여 센서(511)의 저항치를 측정하는 것도 고려되지만, 배선(513)의 저항치를 추정하는 것은 곤란하다. 예컨대, 유리 기판(G)이 챔버(500) 안으로 반송될 때, 유리 기판(G)의 선단부측은 챔버(500) 안에 있지만, 유리 기판(G)의 후단부측은 챔버(500) 밖에 있다. 그러면, 배선(513)에 있어서, 선단부(513a), 중앙부(513b), 후단부(513c)의 온도가 각각 다르다. 예컨대, 선단부(513a)는 130℃로 승온되지만, 후단부(513c)는 23℃이며, 중앙부(513b)는 23℃∼130℃ 사이의 온도, 예컨대 80℃가 된다. 그리고, 유리 기판(G)이 반송됨에 따라, 선단부(513a), 중앙부(513b), 후단부(513c)의 범위나 온도가 변화하기 때문에, 배선(513)의 저항치도 변화한다. 이 때문에, 배선(513)의 저항치를 추정하는 것은 곤란하게 된다. 그러면, 계측 회로(512)에서 측정되는 저항치로부터 배선(513)의 저항치를 감산하더라도, 센서(511)의 저항치를 적절하게 측정할 수 없다. 따라서, 배선(513)의 저항치 중첩을 피할 수 없어, 유리 기판(G)의 온도가 실온도보다도 고온 쪽으로 계측되어, 적절하게 계측할 수 없다. The resistance of the sensor 511 may be measured by estimating the resistance of the wiring 513 and subtracting the resistance of the wiring 513 from the resistance measured by the measurement circuit 512. It is difficult to estimate the resistance value. For example, when the glass substrate G is conveyed into the chamber 500, the front end side of the glass substrate G is in the chamber 500, but the rear end side of the glass substrate G is outside the chamber 500. Then, in the wiring 513, the temperatures of the front end 513a, the center 513b, and the rear end 513c are different. For example, the tip 513a is heated to 130 ° C, but the rear end 513c is 23 ° C, and the central part 513b is a temperature between 23 ° C and 130 ° C, for example, 80 ° C. And as the glass substrate G is conveyed, since the range and temperature of the front end part 513a, the center part 513b, and the rear end part 513c change, the resistance value of the wiring 513 also changes. For this reason, it becomes difficult to estimate the resistance value of the wiring 513. Then, even if the resistance value of the wiring 513 is subtracted from the resistance value measured by the measurement circuit 512, the resistance value of the sensor 511 cannot be measured appropriately. Therefore, the overlap of the resistance value of the wiring 513 cannot be avoided, and the temperature of the glass substrate G is measured toward higher temperature than room temperature degree, and cannot be measured suitably.

더구나, 최근의 유리 기판(G)의 대형화에 따라, 이 유리 기판(G) 상에 설치되는 배선(513)도 길어지기 때문에, 이러한 배선(513)의 저항치의 중첩을 피하는 것은 보다 곤란한 상황으로 되고 있다.Moreover, since the wiring 513 provided on this glass substrate G also becomes long with the enlargement of the glass substrate G in recent years, it becomes a more difficult situation to avoid the overlap of the resistance value of such wiring 513. have.

또한, 예컨대 센서(511)와 계측 회로(512)를, 직선형으로 연신되지 않는 사행(蛇行) 배선(514)에 의해 접속하는 경우가 있다. 배선(514)은, 예컨대 센서(511)의 양단부에 각각 접속되는 2선의 배선(도시하지 않음)을 갖고 있다. 이러한 경우, 배선(514)이 배선(513)과 동일한 배선 길이를 갖고 있더라도, 이들 배선(514)과 배선(513)이 배치되는 온도 환경이 다르기 때문에, 배선(514)의 저항치와 배선(513)의 저항치는 다르다. 이 때문에, 배선(514)의 저항치를 추정하기가 어렵고, 배선(514)의 저항치 중첩을 피하는 것은 곤란하다. 따라서, 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 없다. For example, the sensor 511 and the measurement circuit 512 may be connected by meandering wiring 514 which is not extended linearly. The wiring 514 has, for example, two wires (not shown) that are respectively connected to both ends of the sensor 511. In this case, even if the wiring 514 has the same wiring length as the wiring 513, since the temperature environment in which the wiring 514 and the wiring 513 are arranged is different, the resistance value of the wiring 514 and the wiring 513 are different. Is different. For this reason, it is difficult to estimate the resistance value of the wiring 514, and it is difficult to avoid the resistance value overlap of the wiring 514. Therefore, the temperature of glass substrate G cannot be measured suitably.

또, 이러한 배선(513, 514)의 저항치 중첩을 억제하기 위해서, 이 배선(513, 514)을 각각 4선의 배선으로 하는 것도 고려된다. 즉, 센서(511)의 저항치를 측정하기 위해서, 센서(511)보다 매우 높은 저항치를 갖는 전압 측정부를 그 센서(511)에 접속한다. 그리고, 센서(511)에 정전류를 흘려, 전압 측정부가 센서(511)의 저항치를 측정한다. 그러나, 이러한 경우, 유리 기판(G) 상의 계측 회로(512)의 구성이 복잡하게 되고, 또한 계측 회로(512)에서의 스위치의 전환 등의 제어가 복잡하게 된다. 더욱이 고온의 환경 하에서는, 전압 측정부에서의 저항치가 저하되기 때문에, 센서(511)의 저항치를 적절하게 측정할 수 없다. Moreover, in order to suppress the overlap of the resistance values of these wirings 513 and 514, it is also considered to make these wirings 513 and 514 wiring of 4 lines, respectively. That is, in order to measure the resistance value of the sensor 511, the voltage measuring part which has much higher resistance value than the sensor 511 is connected to the sensor 511. FIG. Then, a constant current flows through the sensor 511, and the voltage measuring unit measures the resistance value of the sensor 511. However, in such a case, the configuration of the measurement circuit 512 on the glass substrate G becomes complicated, and the control such as switching of a switch in the measurement circuit 512 becomes complicated. Furthermore, in a high temperature environment, since the resistance value in the voltage measuring unit is lowered, the resistance value of the sensor 511 cannot be measured properly.

본 발명은 이러한 점에 감안하여 이루어진 것으로, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 적절하게 계측하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of this point, and an object of this invention is to measure suitably the physical quantity at the time of processing a to-be-processed object in the atmosphere which changes temperature.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 피처리체의 표면에 설치되며, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 장치로서, 상기 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서와, 미리 정해진 저항치를 갖고, 상기 물리량의 변화에 대한 저항치의 변화량이 상기 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서와, 상기 물리량 센서와 계측 회로를 접속하는 제1 배선과, 상기 더미 센서와 상기 계측 회로를 접속하는 제2 배선을 갖고, 피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량과의 비율이 일정한 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the present invention is a physical quantity measuring device which is provided on the surface of a target object and measures a physical quantity when the target object is processed in an atmosphere of temperature change, wherein the resistance value is changed in accordance with the change of the physical quantity. A first sensor for connecting the physical quantity sensor, a dummy sensor having a predetermined resistance value, and a change amount of the resistance value with respect to the change in the physical quantity compared to the change amount of the resistance value of the physical quantity sensor, the physical quantity sensor, and a measurement circuit; It has a 2nd wiring which connects the said dummy sensor and the said measurement circuit, The ratio of the change amount of the resistance value of the said 1st wiring with the change amount of the resistance value of the said 2nd wiring with respect to the temperature change of a to-be-processed object is characterized by the above-mentioned. .

본 발명에 따르면, 계측 회로에서, 물리량 센서의 저항치와 제1 배선의 저항치를 포함하는 제1 저항치를 측정한다. 또한 계측 회로에서, 더미 센서의 저항치와 제2 배선의 저항치를 포함하는 제2 저항치를 측정한다. 그리고, 제2 저항치로부터 더미 센서의 저항치를 감산하여, 제2 배선의 저항치를 산출한다. 이 때, 더미 센서는 미리 정해진 저항치를 갖고, 물리량의 온도 변화에 대한 저항치의 변화량이 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작기 때문에, 제2 배선의 저항치를 적절하게 산출할 수 있다. 그리고, 피처리체의 온도 변화에 대한, 제1 배선의 저항치의 변화량과 제2 배선의 저항치의 변화량과의 비율이 일정하기 때문에, 그 산출된 제2 배선의 저항치에 기초하여, 제1 배선의 저항치를 산출할 수 있다. 그리고, 계측 회로에서 측정된 제1 저항치로부터 그 산출된 제1 배선의 저항치를 감산하여, 물리량 센서의 저항치를 산출한다. 그러면, 이 물리량 센서의 저항치에 기초하여, 물리량을 적절하게 계측할 수 있다. According to the present invention, in the measurement circuit, the first resistance value including the resistance of the physical quantity sensor and the resistance of the first wiring is measured. In the measurement circuit, the second resistance value including the resistance value of the dummy sensor and the resistance value of the second wiring is measured. Then, the resistance value of the dummy sensor is subtracted from the second resistance value to calculate the resistance value of the second wiring. At this time, the dummy sensor has a predetermined resistance value, and since the change amount of the resistance value with respect to the temperature change of the physical quantity is smaller than the change amount of the resistance value of the physical quantity sensor, the resistance value of the second wiring can be appropriately calculated. And since the ratio of the change amount of the resistance value of a 1st wiring to the change amount of the resistance value of a 2nd wiring with respect to the temperature change of a to-be-processed object is constant, the resistance value of a 1st wiring is based on the calculated resistance value of the 2nd wiring. Can be calculated. The resistance value of the physical quantity sensor is calculated by subtracting the calculated resistance value of the first wiring from the first resistance value measured by the measurement circuit. Then, based on the resistance value of this physical quantity sensor, a physical quantity can be measured suitably.

피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량은 동일하더라도 좋다. 이러한 경우, 상기 제1 배선의 단면적과 상기 제2 배선의 단면적은 동일하고, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 평행하게 배치되어도 좋다. 한편, 본 발명에 있어서, 제1 배선과 제2 배선의 저항치의 변화량의 「동일」한 비율에는, 완전히 동일한 값의 비율에 더하여, 약간 다르지만 오차 범위 내인 비율도 포함된다. 마찬가지로, 제1 배선과 제2 배선의 「동일」한 단면적에는, 완전히 동일한 단면적에 더하여, 약간 다르지만 오차 범위 내인 단면적도 포함된다. The change amount of the resistance value of the first wiring and the change amount of the resistance value of the second wiring with respect to the temperature change of the target object may be the same. In this case, the cross-sectional area of the first wiring and the second wiring may be the same, and the first wiring and the second wiring may be arranged in parallel with each other. In addition, in this invention, the ratio which is "same" of the amount of change of the resistance value of a 1st wiring and a 2nd wiring includes the ratio which is slightly different but is in an error range in addition to the ratio of a completely same value. Similarly, the "same" cross-sectional area of the first wiring and the second wiring includes a cross-sectional area which is slightly different but within an error range in addition to the completely same cross-sectional area.

상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 적어도 피처리체가 반송되면서 열처리가 이루어지는 반송 방향으로 연신되고, 피처리체의 반송 중에, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 동일한 온도 환경 하에 배치되어도 좋다. The first wiring and the second wiring may be stretched in a conveying direction in which heat treatment is performed while at least the object to be transported is conveyed, and the first wiring and the second wiring may be arranged under the same temperature environment, respectively, during conveyance of the object to be processed.

상기 열처리는 포토리소그래피 처리에서의 열처리라도 좋다. The heat treatment may be a heat treatment in a photolithography process.

상기 피처리체는 플랫 패널 디스플레이용 기판이라도 좋다. The object to be processed may be a substrate for a flat panel display.

상기 물리량은 피처리체의 온도이며, 상기 물리량 센서는 온도 센서라도 좋다. The physical quantity is the temperature of the object to be processed, and the physical quantity sensor may be a temperature sensor.

다른 관점에 의한 본 발명은 피처리체의 표면에 설치되며, 피처리체의 반송 방향으로 온도가 변화하는 분위기 속에서 상기 피처리체를 반송하면서 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 장치로서, 상기 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서와, 미리 정해진 저항치를 갖고, 상기 물리량의 변화에 대한 저항치의 변화량이 상기 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서와, 상기 물리량 센서와 계측 회로를 접속하는 제1 배선과, 상기 더미 센서와 상기 계측 회로를 접속하는 제2 배선을 갖고, 상기 제1 배선의 재질과 상기 제2 배선의 재질은 동일하며, 상기 제1 배선의 길이와 상기 제2 배선의 길이는 동일하고, 상기 제1 배선의 단면적과 상기 제2 배선의 단면적은 동일하며, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 적어도 피처리체의 반송 방향으로 연신되고, 각각 평행하게 배치되는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a physical quantity measuring device which is provided on the surface of a workpiece and measures the physical quantity at the time of processing while conveying the workpiece in an atmosphere where the temperature changes in the conveying direction of the workpiece. The physical quantity sensor which changes a resistance value according to a change, the dummy sensor which has a predetermined resistance value, and whose change amount of resistance with respect to a change of the said physical quantity is smaller than the change amount of the resistance value of the said physical quantity sensor connects the said physical quantity sensor and a measurement circuit. It has a 1st wiring and the 2nd wiring which connects the said dummy sensor and the said measurement circuit, The material of the said 1st wiring and the material of the said 2nd wiring are the same, and the length of the said 1st wiring and the said 2nd wiring of The length is the same, the cross-sectional area of the first wiring and the cross-sectional area of the second wiring are the same, and the first wiring and the second wiring are at least avoided. It is extended in the conveyance direction of a process body, It is characterized by arrange | positioning in parallel, respectively.

또 다른 관점에 의한 본 발명은 피처리체의 표면에 설치된 물리량 계측 장치를 이용하여, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 방법으로서, 상기 물리량 계측 장치는 상기 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서와, 미리 정해진 저항치를 갖고, 상기 물리량의 변화에 대한 저항치의 변화량이 상기 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서와, 상기 물리량 센서와 계측 회로를 접속하는 제1 배선과, 상기 더미 센서와 상기 계측 회로를 접속하는 제2 배선을 갖고, 피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량과의 비율이 일정하며, 상기 물리량 계측 방법은 상기 제1 배선과 상기 제2 배선을 각각 상기 분위기 속에 배치하고, 상기 계측 회로에서, 상기 물리량 센서의 저항치와 상기 제1 배선의 저항치를 포함하는 제1 저항치를 측정하며, 상기 계측 회로에서, 상기 더미 센서의 저항치와 상기 제2 배선의 저항치를 포함하는 제2 저항치를 측정하고, 상기 제2 저항치로부터 상기 더미 센서의 저항치를 감산하여, 상기 제2 배선의 저항치를 산출하며, 상기 제2 배선의 저항치에 기초하여, 상기 제1 배선의 저항치를 산출하고, 상기 제1 저항치로부터 상기 제1 배선의 저항치를 감산하여, 상기 물리량 센서의 저항치를 산출하며, 상기 물리량 센서의 저항치에 기초하여 상기 물리량을 계측하는 것을 특징으로 한다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a physical quantity measuring method for measuring a physical quantity when a target object is processed in an atmosphere of temperature change by using a physical quantity measuring device provided on a surface of a target object. The physical quantity sensor whose resistance changes according to the change of the physical quantity, the dummy sensor having a predetermined resistance value and the change amount of the resistance with respect to the change of the physical quantity is smaller than the change amount of the resistance value of the physical quantity sensor, and the physical quantity sensor and the measurement circuit. A first wiring to be connected, and a second wiring to connect the dummy sensor and the measurement circuit, and the change amount of the resistance value of the first wiring and the change amount of the resistance value of the second wiring to the temperature change of the object to be processed. A ratio is constant, and the said physical-quantity measuring method arrange | positions the said 1st wiring and the said 2nd wiring in the said atmosphere, respectively. And measuring, in the measurement circuit, a first resistance value including a resistance of the physical quantity sensor and a resistance of the first wiring, and in the measurement circuit, a resistance including the resistance of the dummy sensor and the resistance of the second wiring. Measure a resistance value of the second wiring by subtracting the resistance value of the dummy sensor from the second resistance value, and calculating the resistance value of the first wiring based on the resistance value of the second wiring; The resistance value of the physical quantity sensor is calculated by subtracting the resistance value of the first wiring from the first resistance value, and the physical quantity is measured based on the resistance value of the physical quantity sensor.

피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량은 동일하더라도 좋다. 이러한 경우, 상기 제1 배선의 단면적과 상기 제2 배선의 단면적은 동일하고, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 평행하게 배치되어도 좋다. The change amount of the resistance value of the first wiring and the change amount of the resistance value of the second wiring with respect to the temperature change of the target object may be the same. In this case, the cross-sectional area of the first wiring and the second wiring may be the same, and the first wiring and the second wiring may be arranged in parallel with each other.

피처리체를 반송하면서 열처리를 하며, 상기 분위기의 온도는 피처리체의 반송 방향으로 변화하고, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 적어도 피처리체의 반송 방향으로 연신되며, 피처리체의 반송 중에, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 동일한 온도 환경 하에 있더라도 좋다. The heat treatment is carried out while conveying the object, the temperature of the atmosphere is changed in the conveying direction of the object, the first wiring and the second wiring are drawn at least in the conveying direction of the object, and during the conveyance of the object, The first wiring and the second wiring may each be in the same temperature environment.

상기 열처리는 포토리소그래피 처리에서의 열처리라도 좋다.The heat treatment may be a heat treatment in a photolithography process.

상기 피처리체는 플랫 패널 디스플레이용 기판이라도 좋다.The object to be processed may be a substrate for a flat panel display.

상기 물리량은 피처리체의 온도이며, 상기 물리량 센서는 온도 센서라도 좋다.The physical quantity is the temperature of the object to be processed, and the physical quantity sensor may be a temperature sensor.

본 발명에 따르면, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 적절하게 계측할 수 있다. According to the present invention, it is possible to appropriately measure the physical quantity when the object to be processed is processed in an atmosphere where the temperature changes.

도 1은 본 실시형태에 따른 물리량 계측 장치가 설치된 유리 기판을 처리하는 도포 현상 처리 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 가열 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 3은 가열 처리 장치 및 물리량 계측 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 횡단면도이다.
도 4는 유리 기판의 온도를 계측하는 방법에서의 각 공정을 도시한 흐름도이다.
도 5는 다른 실시형태에 따른 물리량 계측 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 6은 다른 실시형태에 따른 물리량 계측 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7의 (a)는 본 실시예에서의 유리 기판의 온도를 계측한 그래프이고, (b)는 도 7의 (a)의 일부를 확대한 그래프이다.
도 8의 (a)는 비교예에서의 유리 기판의 온도를 계측한 그래프이고, (b)는 도 8의 (a)의 일부를 확대한 그래프이다.
도 9는 종래의 가열 처리 장치 및 계측 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 횡단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows schematically the structure of the application | coating development system which processes the glass substrate in which the physical-quantity measuring device which concerns on this embodiment was installed.
2 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the heat treatment apparatus.
3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment device and a physical quantity measuring device.
It is a flowchart which shows each process in the method of measuring the temperature of a glass substrate.
5 is a plan view schematically illustrating a configuration of a physical quantity measuring device according to another embodiment.
6 is a plan view schematically showing the configuration of a physical quantity measuring device according to another embodiment.
(A) is a graph which measured the temperature of the glass substrate in a present Example, (b) is the graph which expanded a part of (a) of FIG.
(A) is a graph which measured the temperature of the glass substrate in a comparative example, (b) is the graph which expanded a part of FIG. 8 (a).
9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional heat treatment apparatus and a measurement apparatus.

이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 물리량 계측 장치가 설치된 피처리체로서의 유리 기판을 처리하는 도포 현상 처리 시스템(1)의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 한편, 본 실시형태에서는, 물리량 계측 장치가 물리량으로서 유리 기판(G)의 온도를 측정하는 경우에 관해서 설명한다. 또한, 유리 기판(G)은 플랫 패널 디스플레이용의 기판이며, 예컨대 평면에서 보아 3000 mm×3000 mm의 사각 형상을 갖고 있다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1: is a top view which shows schematically the structure of the coating | coated development process system 1 which processes the glass substrate as a to-be-processed object in which the physical-quantity measuring apparatus which concerns on this embodiment was installed. In addition, in this embodiment, the case where a physical quantity measuring device measures the temperature of glass substrate G as a physical quantity is demonstrated. In addition, the glass substrate G is a board | substrate for flat panel displays, and has a square shape of 3000 mm x 3000 mm, for example in planar view.

도포 현상 처리 시스템(1)은 도 1에 도시하는 바와 같이, 예컨대 복수의 유리 기판(G)을 카세트 단위로 외부에 대하여 반입반출하기 위한 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 공정 시에 정해진 처리를 매엽식으로 실시하는 각종 처리 장치가 배치된 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하여 설치되며, 처리 스테이션(3)과 노광 장치(4) 사이에서 유리 기판(G)을 전달하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 includes a cassette station 2 for carrying in and out of a plurality of glass substrates G in a cassette unit, for example, and a process determined at a photolithography step. It is provided adjacent to the processing station 3 and the processing station 3 in which the various processing apparatuses which are performed by the single-leaf type are arranged, and transfers the glass substrate G between the processing station 3 and the exposure apparatus 4. It has the structure which connected the interface station 5 integrally.

카세트 스테이션(2)에는 카세트 적재대(10)가 설치되고, 이 카세트 적재대(10)는 복수의 카세트(C)를 X 방향(도 1에서의 상하 방향)으로 일렬로 배치할 수 있게 되어 있다. 카세트 스테이션(2)에는, 반송로(11) 위에서 X 방향을 향해 이동할 수 있는 기판 반송체(12)가 설치된다. 기판 반송체(12)는 카세트(C)에 수용된 유리 기판(G)의 배열 방향(Z 방향; 수직 방향)으로도 이동 가능하며, X 방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 유리 기판(G)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있다. The cassette station 2 is provided with a cassette holder 10, which is capable of arranging a plurality of cassettes C in a line in the X direction (up and down direction in FIG. 1). . The cassette station 2 is provided with a substrate carrier 12 which can move in the X direction on the conveying path 11. The substrate carrier 12 is also movable in the arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the glass substrate G accommodated in the cassette C, and the glass substrate G in each cassette C arranged in the X direction. Can optionally be accessed.

기판 반송체(12)는 Z축 둘레의 θ 방향으로 회전 가능하며, 후술하는 처리 스테이션(3)측의 엑시머 UV 조사 장치(20)나 냉각 처리 장치(33)에 대하여도 액세스할 수 있다. The board | substrate conveyance body 12 can rotate in the (theta) direction about a Z axis | shaft, and can also access the excimer UV irradiation apparatus 20 and the cooling processing apparatus 33 on the side of the processing station 3 mentioned later.

처리 스테이션(3)은, 예컨대 Y 방향(도 1의 좌우 방향)으로 연신되는 2열의 반송 라인(A, B)을 구비한다. 반송 라인 A는 처리 스테이션(3)의 정면측[X 방향의 마이너스 방향측(도 1의 아래쪽)]에 배치되고, 반송 라인 B는 처리 스테이션(3)의 배면측[X 방향의 플러스 방향측(도 1의 위쪽)]에 배치된다.The processing station 3 is equipped with the conveyance lines A and B of 2 rows extended | stretched, for example in the Y direction (left-right direction of FIG. 1). The conveying line A is arranged on the front side (the negative direction side in the X direction (downward in FIG. 1)) of the processing station 3, and the conveying line B is the back side of the processing station 3 (the positive direction side in the X direction ( 1 up).

반송 라인(A)에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 반송 롤러(R)가 반송 라인 A를 따른 방향으로 나란히 배치된다. 각 반송 롤러(R)는 반송 라인(A)을 따른 방향과 직각 방향으로 연신되는 중심축을 회전축으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 복수의 반송 롤러(R) 중, 적어도 하나의 반송 롤러(R)에는, 예컨대 모터 등을 내장한 구동 기구(도시하지 않음)가 설치된다. 그리고, 이들 반송 롤러(R)에 의해서, 유리 기판(G)을 수평 방향으로 직선적으로 반송할 수 있다. 또, 도 2 및 도 3은 후술하는 가열 처리 장치(22)의 주변에 관해서 도시하고 있지만, 전술한 복수의 반송 롤러(R)는 도 1에 도시하는 장치(20∼28) 사이에 배치된다. 또한, 반송 라인(B)에도, 전술한 구성의 복수의 반송 롤러(R)가 배치된다.As shown to FIG. 2 and FIG. 3, the conveyance roller R is arrange | positioned by the conveyance line A side by side in the direction along the conveyance line A. FIG. Each conveyance roller R is comprised so that rotation is possible using the central axis extended in the direction orthogonal to the direction along the conveyance line A as a rotation axis. Moreover, the drive mechanism (not shown) in which the motor etc. were built in is provided in at least one conveyance roller R among the some conveyance roller R, for example. And by these conveyance rollers R, glass substrate G can be linearly conveyed in a horizontal direction. In addition, although FIG.2 and FIG.3 are shown about the periphery of the heat processing apparatus 22 mentioned later, the some conveyance roller R mentioned above is arrange | positioned between the apparatuses 20-28 shown in FIG. Moreover, the some conveyance roller R of the structure mentioned above is also arrange | positioned at the conveyance line B. FIG.

반송 라인 A에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 카세트 스테이션(2)측에서부터 인터페이스 스테이션(5)측으로 향해서 순차, 예컨대 유리 기판(G) 상의 유기물을 제거하는 엑시머 UV 조사 장치(20), 유리 기판(G)을 세정하는 스크러버 세정 장치(21), 유리 기판(G)을 가열 처리하는 열처리 장치로서의 가열 처리 장치(22), 유리 기판(G)을 냉각 처리하는 냉각 처리 장치(23), 유리 기판(G)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 장치(24), 유리 기판(G)을 감압 건조하는 감압 건조 장치(25), 가열 처리 장치(26), 냉각 처리 장치(27), 및 유리 기판(G)을 일시적으로 대기시키는 아웃 스테이지(28)가 직선적으로 일렬로 배치된다.1, the excimer UV irradiation apparatus 20 which removes organic substance on glass substrate G from the cassette station 2 side toward the interface station 5 side, as shown in FIG. 1, and a glass substrate ( The scrubber washing | cleaning apparatus 21 which wash | cleans G), the heat processing apparatus 22 as a heat processing apparatus which heat-processes glass substrate G, the cooling processing apparatus 23 which cool-processes glass substrate G, and a glass substrate ( A resist coating apparatus 24 for applying a resist liquid to G), a reduced pressure drying apparatus 25 for drying the glass substrate G under reduced pressure, a heat treatment apparatus 26, a cooling treatment apparatus 27, and a glass substrate ( The out stage 28 which temporarily waits for G) is arrange | positioned linearly in a line.

반송 라인 B에는, 인터페이스 스테이션(5)측에서부터 카세트 스테이션(2)측으로 향해서 순차, 예컨대 유리 기판(G)을 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 유리 기판(G)을 탈색 처리하는 i선 UV 조사 장치(31), 가열 처리 장치(32), 및 냉각 처리 장치(33)가 직선형으로 일렬로 배치된다.In the transfer line B, i-line UV which decolorizes the development processing apparatus 30 which develops a glass substrate G, and the glass substrate G sequentially, for example, toward the cassette station 2 side from the interface station 5 side. The irradiation apparatus 31, the heat treatment apparatus 32, and the cooling treatment apparatus 33 are arranged in a straight line.

반송 라인 A의 아웃 스테이지(28)와 반송 라인 B의 현상 처리 장치(30) 사이에는, 이 사이의 유리 기판(G)을 반송하는 반송체(40)가 설치된다. 이 반송체(40)는 후술하는 인터페이스 스테이션(5)의 익스텐션 쿨링 장치(60)에 대하여도 유리 기판(G)을 반송할 수 있다. Between the out stage 28 of the conveyance line A and the image development processing apparatus 30 of the conveyance line B, the conveyance body 40 which conveys the glass substrate G between them is provided. This conveyance body 40 can convey glass substrate G also with respect to the extension cooling apparatus 60 of the interface station 5 mentioned later.

인터페이스 스테이션(5)에는, 예컨대 냉각 기능을 지니고 유리 기판(G)을 전달하는 익스텐션 쿨링 장치(60)와, 유리 기판(G)을 일시적으로 수용하는 버퍼 카세트(61)와, 외부 장치 블록(62)이 설치된다. 외부 장치 블록(62)에는, 유리 기판(G)에 생산 관리용의 코드를 노광하는 타이틀러와, 유리 기판(G)의 주변부를 노광하는 주변 노광 장치가 설치된다. 인터페이스 스테이션(5)에는, 상기 익스텐션 쿨링 장치(60), 버퍼 카세트(61), 외부 장치 블록(62), 및 노광 장치(4)에 대하여, 유리 기판(G)을 반송할 수 있는 기판 반송체(63)가 설치된다. The interface station 5 includes, for example, an extension cooling device 60 having a cooling function and delivering the glass substrate G, a buffer cassette 61 temporarily containing the glass substrate G, and an external device block 62. ) Is installed. The external device block 62 is provided with a titler for exposing the code for production management to the glass substrate G, and a peripheral exposure apparatus for exposing the peripheral portion of the glass substrate G. The board | substrate carrier which can convey the glass substrate G with respect to the said extension cooling apparatus 60, the buffer cassette 61, the external device block 62, and the exposure apparatus 4 in the interface station 5. 63 is installed.

이어서, 전술한 가열 처리 장치(22, 26, 32)의 구성에 관해서 설명한다. 가열 처리 장치(22)는 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 챔버(70)를 갖고 있다. 챔버(70)는 반송 라인(A)을 따라서 설치된 복수의 반송 롤러(R) 중, 일부의 반송 롤러(R)를 덮도록 설치된다. 챔버(70)의 상류측의 측면에는 유리 기판(G)의 반입구(71)가 형성되고, 챔버(70)의 하류측의 측면에는 유리 기판(G)의 반출구(72)가 형성되어 있다. 반입구(71)와 반출구(72)에는 각각 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치된다. Next, the structure of the heat processing apparatuses 22, 26, and 32 mentioned above is demonstrated. The heat treatment apparatus 22 has a chamber 70 as shown in FIGS. 2 and 3. The chamber 70 is provided so that a part of conveyance roller R may be covered among the some conveyance roller R provided along the conveyance line A. FIG. The inlet 71 of the glass substrate G is formed in the side surface of the chamber 70 upstream, and the outlet 72 of the glass substrate G is formed in the side surface of the chamber 70 downstream. . Opening / closing shutters (not shown) are respectively provided at the delivery opening 71 and the delivery opening 72.

챔버(70)의 내부이며 반송 롤러(R)의 위쪽에는 열판(80)이 배치된다. 열판(80)의 내부에는, 예컨대 급전에 의해 발열하는 히터(81)가 설치되어 있어, 열판(80)을 정해진 설정 온도로 조절할 수 있다. 또한, 열판(80)은 유리 기판(G)의 폭 방향으로 연신되며, 반송 롤러(R) 상에서 반송 중인 유리 기판(G)을 표면측에서 가열할 수 있다. 또, 가열 처리 장치(22)에는 내부의 분위기를 배기하는 배기관(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 도시한 예에서는, 열판(80)이 유리 기판(G)을 표면측에서 가열하지만, 유리 기판(G)을 이면측에서 가열하도록 하더라도 좋다. 즉, 열판은 반송 롤러(R)와 동일한 높이에 배치되어도 좋고, 혹은 반송 롤러(R)의 아래쪽에 배치되어도 좋다. 또한, 이들 열판을 양방 배치함으로써, 유리 기판(G)을 표면과 이면의 양측에서 가열하더라도 좋다. The hot plate 80 is disposed inside the chamber 70 and above the conveying roller R. In the inside of the hot plate 80, for example, a heater 81 that generates heat by power feeding is provided, and the hot plate 80 can be adjusted to a predetermined set temperature. Moreover, the hot plate 80 is extended in the width direction of the glass substrate G, and can heat the glass substrate G currently conveyed on the conveyance roller R from the surface side. In addition, an exhaust pipe (not shown) for exhausting the atmosphere inside is connected to the heat treatment apparatus 22. In addition, in the example shown in figure, although the hot plate 80 heats glass substrate G on the surface side, you may make it heat the glass substrate G on the back surface side. That is, a hot plate may be arrange | positioned at the same height as the conveyance roller R, or may be arrange | positioned under the conveyance roller R. FIG. Moreover, you may heat the glass substrate G on both sides of a front surface and a back surface by arrange | positioning both these hot plates.

챔버(70) 안의 분위기(T1) 온도는 열판(80)에 의해서 예컨대 130℃로 되어 있다. 또한, 챔버(70) 밖의 분위기(T2) 온도는 예컨대 23℃로 되어 있다. 그리고, 가열 처리 장치(22)에서는, 반송 롤러(R) 상에서 유리 기판(G)을 반송하면서, 상기 유리 기판(G)에 가열 처리가 이루어진다. 따라서, 유리 기판(G)이 챔버(70) 안으로 반송될 때, 유리 기판(G) 주변의 분위기 온도는 상기 유리 기판(G)의 반송 방향으로 변화한다. The temperature of the atmosphere T 1 in the chamber 70 is, for example, 130 ° C. by the hot plate 80. In addition, the temperature of the atmosphere T 2 outside the chamber 70 is, for example, 23 ° C. And in the heat processing apparatus 22, heat processing is given to the said glass substrate G, conveying the glass substrate G on the conveyance roller R. As shown in FIG. Therefore, when glass substrate G is conveyed in the chamber 70, the ambient temperature around glass substrate G changes in the conveyance direction of the said glass substrate G. As shown in FIG.

또, 가열 처리 장치(26, 32)의 구성에 대해서는 전술한 가열 처리 장치(22)와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. In addition, since the structure of the heat processing apparatus 26, 32 is the same as that of the heat processing apparatus 22 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

이어서, 유리 기판(G)의 표면에 설치되며, 물리량으로서 유리 기판(G)의 온도를 계측하는 물리량 계측 장치에 관해서 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이 물리량 계측 장치(90)는, 예컨대 프로세서, 메모리, 증폭기, 스위치 등을 갖춘 계측 회로(91)를 갖고 있다. 또, 계측 회로(91)에서 측정되는 저항치 등의 데이터는 그 계측 회로(91) 내의 메모리에 보존되어도 좋고, 예컨대 무선에 의해서 계측 회로(91)로부터 외부의 컴퓨터 등에 출력되어도 좋다. Next, the physical quantity measuring apparatus which is provided in the surface of glass substrate G and measures the temperature of glass substrate G as a physical quantity is demonstrated. As shown in FIG. 3, the physical quantity measuring apparatus 90 has the measuring circuit 91 provided with a processor, a memory, an amplifier, a switch, etc., for example. Moreover, data, such as the resistance value measured by the measuring circuit 91, may be stored in the memory in the measuring circuit 91, and may be output to the external computer etc. from the measuring circuit 91 by radio, for example.

물리량 계측 장치(90)는 유리 기판(G)의 온도 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서로서의 온도 센서(92)를 갖고 있다. 온도 센서(92)에는, 예컨대 측온 저항체(RTD; Resistance Temperature Detector)나 서미스터 등이 이용된다. 또한, 온도 센서(92)의 저항 온도 계수(TCR; Temperature Coefficient of Resistance)는 예컨대 3850 ppm이며, 예컨대 130℃에서의 온도 센서(92)의 저항치는 1500Ω이다. 그리고, 온도 센서(92)는 유리 기판(G)의 온도의 측정점에 복수개 배치된다. 계측 회로(91)와 온도 센서(92)는 제1 배선(93)에 의해서 접속된다. 제1 배선(93)은, 예컨대 온도 센서(92)의 양단부에 각각 접속되는 2선의 배선(도시하지 않음)을 갖고 있다. 또한, 제1 배선(93)은, 예컨대 유리 기판(G)의 반송 방향(반송 라인 A을 따른 방향)으로 직선형으로 연신된다. 또한, 제1 배선(93)에는 예컨대 구리선이 이용된다. 이러한 경우, 제1 배선(93)의 TCR는 예컨대 4330 ppm이다. The physical quantity measuring apparatus 90 has the temperature sensor 92 as a physical quantity sensor whose resistance value changes with the temperature change of the glass substrate G. As shown in FIG. As the temperature sensor 92, for example, a resistance temperature detector (RTD), a thermistor, or the like is used. The temperature coefficient of resistance (TCR) of the temperature sensor 92 is, for example, 3850 ppm, for example, the resistance of the temperature sensor 92 at 130 ° C is 1500 Ω. And the temperature sensor 92 is arrange | positioned in multiple numbers at the measuring point of the temperature of glass substrate G. As shown in FIG. The measurement circuit 91 and the temperature sensor 92 are connected by the first wiring 93. The first wiring 93 has, for example, two wires (not shown) that are respectively connected to both ends of the temperature sensor 92. In addition, the 1st wiring 93 is extended linearly in the conveyance direction (direction along the conveyance line A) of glass substrate G, for example. In addition, for example, a copper wire is used for the first wiring 93. In this case, the TCR of the first wiring 93 is, for example, 4330 ppm.

또한, 온도 센서(92) 근방에는 더미 센서(94)가 설치된다. 더미 센서(94)에는, 예컨대 정밀 저항이 이용된다. 그리고, 더미 센서(94)는 미리 정해진 저항치, 예컨대 1000Ω를 갖는다. 또한, 더미 센서(94)는 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한 저항치의 변화량이 온도 센서(92)의 저항치의 변화량에 비해서 작다. 보다 바람직하게는, 더미 센서(94)에는, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한 저항치가 거의 변화하지 않는, 즉 TCR가 0 ppm 또는 매우 작은 저항체가 이용된다. 계측 회로(91)와 더미 센서(94)는 제2 배선(95)에 의해서 접속된다. 제2 배선(95)은, 예컨대 더미 센서(94)의 양단부에 각각 접속되는 2선의 배선(도시하지 않음)을 갖고 있다. 또한, 제2 배선(95)은, 예컨대 유리 기판(G)의 반송 방향(반송 라인 A를 따른 방향)으로 직선형으로 연신된다. 또한, 제2 배선(95)에는 예컨대 구리선이 이용된다. 이러한 경우, 제2 배선(95)의 TCR는 예컨대 4330 ppm이다. 한편, 더미 센서(94)에서의 미리 정해진 저항치는 본 실시형태의 형태에 한정되지 않고, 0Ω 이상의 여러 가지 값을 취할 수 있다. In addition, a dummy sensor 94 is provided near the temperature sensor 92. For example, a precision resistor is used for the dummy sensor 94. The dummy sensor 94 has a predetermined resistance value, for example, 1000 Ω. In addition, in the dummy sensor 94, the amount of change in the resistance value with respect to the temperature change of the glass substrate G is smaller than the amount of change in the resistance value of the temperature sensor 92. More preferably, in the dummy sensor 94, a resistor whose resistance to temperature change of the glass substrate G hardly changes, that is, 0 ppm or very small in TCR is used. The measurement circuit 91 and the dummy sensor 94 are connected by the second wiring 95. The second wiring 95 has, for example, two wires (not shown) that are respectively connected to both ends of the dummy sensor 94. In addition, the 2nd wiring 95 is extended linearly in the conveyance direction (direction along the conveyance line A) of glass substrate G, for example. In addition, for example, a copper wire is used for the second wiring 95. In this case, the TCR of the second wiring 95 is, for example, 4330 ppm. In addition, the predetermined resistance value in the dummy sensor 94 is not limited to the form of this embodiment, It can take various values of 0 ohms or more.

이와 같이 제1 배선(93)과 제2 배선(95)은 각각 평행하게 배치되고, 그 길이가 동일하다. 또한, 제1 배선(93)의 단면적과 제2 배선(95)의 단면적도 동일하다. 더욱이, 제1 배선(93)의 재질과 제2 배선(95)의 재질도 동일하다. 더구나, 제1 배선(93)과 제2 배선(95)은 유리 기판(G)의 반송 방향으로 동일한 온도 환경 하에 배치된다. 따라서, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한, 제1 배선(93)에서의 제1 배선 저항치(RW1)의 변화량과, 제2 배선(95)에 있어서의 제2 배선 저항치(RW2)의 변화량은 동일하다. 즉, 유리 기판(G)의 온도 변화에 상관없이, 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)는 동일하게 된다. 또, 이들 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)의 「동일」에는, 완전히 동일한 값의 저항치에 더하여, 약간 다르지만 오차 범위 내인 저항치도 포함된다. Thus, the 1st wiring 93 and the 2nd wiring 95 are arrange | positioned in parallel, respectively, and the length is the same. The cross-sectional area of the first wiring 93 and the cross-sectional area of the second wiring 95 are also the same. In addition, the material of the first wiring 93 and the material of the second wiring 95 are also the same. Moreover, the 1st wiring 93 and the 2nd wiring 95 are arrange | positioned in the conveyance direction of the glass substrate G in the same temperature environment. Therefore, the amount of change of the first wiring resistance value R W1 in the first wiring 93 and the second wiring resistance value R W2 in the second wiring 95 with respect to the temperature change of the glass substrate G. FIG. The amount of change is the same. That is, regardless of the temperature change of the glass substrate G, the 1st wiring resistance value R W1 and the 2nd wiring resistance value R W2 become equal. In addition, the "same" of these 1st wiring resistance value RW1 and the 2nd wiring resistance value RW2 includes the resistance value which is slightly different but in an error range in addition to the resistance value of a completely same value.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(100)가 설치된다. 제어부(100)는 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 도포 현상 처리 시스템(1)에 있어서의 기판 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 물리량 계측 장치(90)에 있어서의 물리량 계측을 실행하는 프로그램도 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷-옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되는 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(100)에 인스톨된 것이라도 좋다. The control part 100 is provided in the application | coating development system 1 mentioned above as shown in FIG. The control part 100 is a computer, for example, and has a program storage part (not shown). In the program storage unit, a program for executing the substrate processing in the coating and developing processing system 1 is stored. The program storage unit also stores a program for performing physical quantity measurement in the physical quantity measuring apparatus 90. On the other hand, the program is stored in a computer-readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet-optical disk (MO), a memory card, or the like. It may be recorded and installed in the control part 100 from the storage medium H.

이어서, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 이루어지는 유리 기판(G)의 기판 처리에 관해서 설명한다. Next, the substrate processing of the glass substrate G which uses the coating-development processing system 1 comprised as mentioned above is demonstrated.

우선, 카세트 스테이션(2)의 카세트(C) 내의 복수의 유리 기판(G)이 기판 반송체(12)에 의해서 순차 처리 스테이션(3)의 엑시머 UV 조사 장치(20)로 반송된다. 유리 기판(G)은 직선적인 반송 라인(A)을 따라서 반송되며, 엑시머 UV 조사 장치(20), 스크러버 세정 장치(21), 가열 처리 장치(22), 냉각 처리 장치(23), 레지스트 도포 처리 장치(24), 감압 건조 장치(25), 가열 처리 장치(26), 및 냉각 처리 장치(27)에 순차 반송되어, 각 처리 장치에서 정해진 처리가 실시된다. 냉각 처리가 종료된 유리 기판(G)은 아웃 스테이지(28)로 반송된다. 그 후, 유리 기판(G)은 반송체(40)에 의해서 인터페이스 스테이션(5)으로 반송되고, 기판 반송체(63)에 의해서 노광 장치(4)로 반송된다. First, the some glass substrate G in the cassette C of the cassette station 2 is conveyed by the substrate carrier 12 to the excimer UV irradiation apparatus 20 of the processing station 3 sequentially. Glass substrate G is conveyed along linear conveyance line A, and excimer UV irradiation apparatus 20, the scrubber cleaning apparatus 21, the heat processing apparatus 22, the cooling processing apparatus 23, and a resist coating process It sequentially conveys to the apparatus 24, the reduced pressure drying apparatus 25, the heat processing apparatus 26, and the cooling processing apparatus 27, and the process prescribed | regulated by each processing apparatus is performed. Glass substrate G in which cooling process was complete | finished is conveyed to the out stage 28. FIG. Thereafter, the glass substrate G is conveyed to the interface station 5 by the carrier 40, and is conveyed to the exposure apparatus 4 by the substrate carrier 63.

노광 장치(4)에서 노광 처리가 종료된 유리 기판(G)은 기판 반송체(63)에 의해서 인터페이스 스테이션(5)으로 되돌려져, 반송체(40)에 의해서 처리 스테이션(3)의 현상 처리 장치(30)로 반송된다. 유리 기판(G)은 직선적인 반송 라인 B를 따라서 반송되며, 현상 처리 장치(30), i선 UV 조사 장치(31), 가열 처리 장치(32)와 냉각 처리 장치(33)에 순차 반송되어, 각 처리 장치에서 정해진 처리가 실시된다. 냉각 처리 장치(33)에서 냉각 처리가 종료된 유리 기판(G)은 기판 반송체(12)에 의해서 카세트 스테이션(2)의 카세트(C)로 되돌려져, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다. The glass substrate G in which the exposure process was complete | finished by the exposure apparatus 4 is returned to the interface station 5 by the board | substrate conveyance body 63, and the image development processing apparatus of the processing station 3 by the conveyance body 40 is carried out. Returned to (30). The glass substrate G is conveyed along the linear conveyance line B, and is conveyed sequentially to the image development processing apparatus 30, the i-line UV irradiation apparatus 31, the heat processing apparatus 32, and the cooling processing apparatus 33, The predetermined processing is performed in each processing apparatus. The glass substrate G in which the cooling process was complete | finished by the cooling processing apparatus 33 is returned to the cassette C of the cassette station 2 by the board | substrate carrier body 12, and a series of photolithography process is complete | finished.

이어서, 전술한 가열 처리 장치(22, 26, 32)에서 유리 기판(G)을 가열처리할 때에, 물리량 계측 장치(90)를 이용하여 유리 기판(G)의 온도를 계측하는 방법에 관해서 설명한다. 도 4는 유리 기판(G)의 온도를 계측하는 방법에서의 주요 공정을 도시한 흐름도이다. 한편, 본 실시형태에서는, 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이 유리 기판(G)의 선단부측은 챔버(70) 안에 있지만, 유리 기판(G)의 후단부측은 챔버(70) 밖에 있는 경우에 관해서 설명한다. 이러한 경우, 유리 기판(G)의 반송 방향으로 분위기 온도가 변화하여, 그 유리 기판(G)의 온도도 반송 방향으로 변화한다.Next, the method of measuring the temperature of the glass substrate G using the physical quantity measuring apparatus 90 when heat-processing the glass substrate G in the above-mentioned heat processing apparatuses 22, 26, and 32 is demonstrated. . 4 is a flowchart showing the main steps in the method for measuring the temperature of the glass substrate G. FIG. In addition, in this embodiment, as shown, for example in FIG. 3, the front end side of glass substrate G is in the chamber 70, but the rear end side of glass substrate G is outside the chamber 70 is demonstrated. . In this case, the atmospheric temperature changes in the conveyance direction of the glass substrate G, and the temperature of the glass substrate G also changes in the conveyance direction.

먼저, 계측 회로(91)에서, 온도 센서(92)의 저항치(RT)와 제1 배선(93)에서의 제1 배선 저항치(RW1)를 포함하는 제1 저항치(R1)를 측정한다(도 4의 공정 S1). 즉, 제1 저항치(R1)는 하기 식 (1)에 의해서 주어진다. 또한, 계측 회로에서, 더미 센서(94)의 저항치(RD)와 제2 배선(95)에서의 제2 배선 저항치(RW2)를 포함하는 제2 저항치(R2)를 측정한다(도 4의 공정 S2). 즉, 제2 저항치(R2)는 하기 식 (2)에 의해서 주어진다.First, in the measurement circuit 91, the first resistance value R1 including the resistance value R T of the temperature sensor 92 and the first wiring resistance value R W1 in the first wiring 93 are measured ( Step S1 of FIG. 4). That is, the first resistance value R1 is given by the following equation (1). In the measurement circuit, the second resistance value R2 including the resistance value R D of the dummy sensor 94 and the second wiring resistance value R W2 in the second wiring 95 are measured (FIG. 4). Step S2). That is, the second resistance value R2 is given by the following equation (2).

R1=RT+RW1 ‥‥ (1) R1 = R T + R W1 ‥‥ (1)

R2=RD+RW2 ‥‥ (2)R2 = R D + R W2 ‥‥ (2)

여기서, 더미 센서(94)의 저항치(RD)는 미리 정해진 저항치이며, TCR가 작고, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한 저항치가 거의 변화하지 않는다. 따라서, 상기 식 (2)에 기초하여, 제2 저항치(R2)로부터 더미 센서(94)의 저항치(RD)를 감산하면, 유리 기판(G)의 온도 변화에 상관없이 제2 배선 저항치(RW2)를 적절하게 산출할 수 있다(도 4의 공정 S3). Here, the resistance value R D of the dummy sensor 94 is a predetermined resistance value, the TCR is small, and the resistance value with respect to the temperature change of the glass substrate G hardly changes. Thus, based on the formula (2), a second resistance value of the dummy sensor 94 from the resistance value (R2) (R D) for Subtracting the second wiring resistance value, regardless of the temperature change of the glass substrate (G) (R W2 ) can be appropriately calculated (step S3 in FIG. 4).

그리고, 유리 기판(G)의 온도 변화에 상관없이, 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)는 동일한 값이기 때문에, 그 산출된 제2 배선 저항치(RW2)로부터 제1 배선 저항치(RW1)를 산출할 수 있다(도 4의 공정 S4). 그리고, 상기 식 (1)에 기초하여, 제1 저항치(R1)로부터 제1 배선 저항치(RW1)를 감산해, 온도 센서(92)의 저항치(RT)를 산출한다(도 4의 공정 S5). 그리고, 이 온도 센서의 저항치(RT)에 기초하여, 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 있다(도 4의 공정 S6). And since the 1st wiring resistance value R W1 and the 2nd wiring resistance value R W2 are the same value irrespective of the temperature change of the glass substrate G, it is made from the calculated 2nd wiring resistance value R W2 . One wiring resistance value R W1 can be calculated (step S4 in FIG. 4). Then, based on the formula (1), the minus the first wiring resistance value (R W1) from a first resistance value (R1), and calculates a resistance value (R T) of the temperature sensor 92 (step of FIG. 4 S5 ). Then, based on the resistance value (R T) of the temperature sensor, it is possible to properly measure the temperature of the glass substrate (G) (step S6 in Fig. 4).

이상과 같이 본 실시형태에 따르면, 더미 센서(94)와 제2 배선(95)을 이용함으로써, 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. 특히 유리 기판(G)이 대형화되어, 유리 기판(G)의 반송에 따른 제1 배선 저항치(RW1)의 변화량이 큰 경우라도, 상기 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. 따라서, 온도 센서(92)의 저항치(RT)를 적절하게 측정할 수 있어, 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, by using the dummy sensor 94 and the second wiring 95, the overlap of the first wiring resistance value R W1 with respect to the resistance value R T of the temperature sensor 92 is avoided. Can be. In particular, even when the glass substrate G is enlarged and the amount of change in the first wiring resistance value R W1 due to the conveyance of the glass substrate G is large, the overlap of the first wiring resistance value R W1 can be avoided. Therefore, the resistance value R T of the temperature sensor 92 can be measured suitably, and the temperature of the glass substrate G can be measured suitably.

한편, 더미 센서(94)는 TCR가 작을수록 바람직하지만, 적어도 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한 저항치(RD)의 변화량이 온도 센서(92)의 저항치(RT)의 변화량에 비해서 작으면, 공정 S3에서 제2 배선 저항치(RW2)를 종래보다도 적절하게 산출할 수 있다. On the other hand, the smaller the TCR is, the more preferable the dummy sensor 94 is, but at least the change amount of the resistance value R D with respect to the temperature change of the glass substrate G is smaller than the change amount of the resistance value R T of the temperature sensor 92. In this case, the second wiring resistance value R W2 can be more suitably calculated in the step S3 than in the prior art.

이상의 실시형태에서는, 더미 센서(94)가 온도 센서(92)마다 설치되지만, 예컨대 복수의 제1 배선(93)의 형상 및 배치가 동일한 경우, 복수의 온도 센서(92)마다 하나의 더미 센서(94)를 설치하더라도 좋다. 이러한 경우, 각 제1 배선(93)에서의 제1 배선 저항치(RW1)가 동일하기 때문에, 공정 S4에서 1 라인의 제2 배선(95)에서의 제2 배선 저항치(RW2)로부터 복수의 제1 배선 저항치(RW1)를 산출할 수 있다. 그리고, 공정 S5에서 온도 센서(92)의 저항치(RT)를 적절하게 산출할 수 있어, 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. In the above embodiment, the dummy sensor 94 is provided for each of the temperature sensors 92. However, in the case where the shapes and the arrangements of the plurality of first wirings 93 are the same, for example, one dummy sensor (for each of the plurality of temperature sensors 92) ( 94) may be installed. In this case, since the first wiring resistance value R W1 in each first wiring 93 is the same, a plurality of second wiring resistance values R W2 in the second wiring 95 of one line in step S4 are used. The first wiring resistance value R W1 can be calculated. Then, in step S5, the resistance value R T of the temperature sensor 92 can be appropriately calculated, so that the overlap of the first wiring resistance value R W1 with respect to the resistance value R T of the temperature sensor 92 can be avoided. have.

또한, 이상의 실시형태에서는, 제1 배선(93)과 제2 배선(95)은 각각 유리 기판(G)의 반송 방향을 따라서 직선형으로 연신되며, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한, 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)는 동일한 값이었지만, 이들 배선 저항치(RW1, RW2)를 동일하게 하는 구성은 본 실시형태에 한정되지 않는다. In addition, in the above embodiment, the 1st wiring 93 and the 2nd wiring 95 are each extended linearly along the conveyance direction of the glass substrate G, and the 1st wiring 93 with respect to the temperature change of the glass substrate G is 1st. wiring resistance value (R W1) and the second wiring resistance value (R W2) but has the same value, for the same configuration for the wiring resistance value (R W1, W2 R) is not limited to this embodiment.

예컨대, 도 5에 도시하는 바와 같이 제1 배선(93)과 제2 배선(95)은 각각 사행하고, 각각 평행하게 배치되어도 좋다. 이러한 경우라도, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한, 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)를 동일한 값으로 할 수 있어, 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. For example, as shown in FIG. 5, the 1st wiring 93 and the 2nd wiring 95 may meander, respectively, and may be arrange | positioned in parallel, respectively. Even in such a case, the first wiring resistance value R W1 and the second wiring resistance value R W2 with respect to the temperature change of the glass substrate G can be set to the same value, and the resistance value R T of the temperature sensor 92 is obtained. Overlapping of the first wiring resistance value R W1 with respect to) can be avoided.

또한, 예컨대 도 6에 도시하는 바와 같이 제1 배선(93)과 제2 배선(95)은 각각 사행하고, 선대칭으로 배치되어도 좋다. 이러한 경우라도, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한, 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)를 동일한 값으로 할 수 있어, 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. For example, as shown in FIG. 6, the 1st wiring 93 and the 2nd wiring 95 may meander, respectively, and may be arrange | positioned in line symmetry. Even in such a case, the first wiring resistance value R W1 and the second wiring resistance value R W2 with respect to the temperature change of the glass substrate G can be set to the same value, and the resistance value R T of the temperature sensor 92 is obtained. Overlapping of the first wiring resistance value R W1 with respect to) can be avoided.

이상의 실시형태에서는, 유리 기판(G)의 온도 변화에 대한, 제1 배선 저항치(RW1)와 제2 배선 저항치(RW2)는 동일한 값이었지만, 제1 배선 저항치(RW1)의 변화량과 제2 배선 저항치(RW2)의 변화량과의 비율이 일정하면 된다. In the present preferred embodiment, but has the same value, the first wiring resistance value (R W1) and the second wiring resistance value (R W2) to the temperature change of the glass substrate (G), the change and the first wiring resistance value (R W1) The ratio with the amount of change in the two-wire resistance value R W2 may be constant.

예컨대, 제1 배선(93)의 단면적이 제2 배선(95)의 단면적의 2배인 경우, 제1 배선 저항치(RW1)의 변화량에 대한 제2 배선 저항치(RW2)의 변화량과의 비율은 1/2로 일정하게 된다. 이러한 경우, 공정 S3에서 제2 배선 저항치(RW2)가 산출되면, 공정 S4에서 상기 비율에 기초하여 제1 배선 저항치(RW1)가 산출된다. 따라서, 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. For example, when the cross-sectional area of the first wiring 93 is twice the cross-sectional area of the second wiring 95, the ratio of the change of the second wiring resistance value R W2 to the variation of the first wiring resistance value R W1 is It is constant to 1/2. If such a case, the second wiring resistance value in the step S3 (R W2) is calculated, and in step S4 based on the ratio is calculated first wiring resistance value (R W1). Therefore, overlapping of the first wiring resistance value R W1 with respect to the resistance value R T of the temperature sensor 92 can be avoided.

또한, 예컨대 제1 배선(93)의 배선 길이가 제2 배선(95)의 배선 길이의 2배인 경우, 제1 배선 저항치(RW1)의 변화량에 대한 제2 배선 저항치(RW2)의 변화량과의 비율은 1/2로 일정하게 된다. 이러한 경우라도, 전술한 바와 같이 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. For example, when the wiring length of the first wiring 93 is twice the wiring length of the second wiring 95, the change amount of the second wiring resistance value R W2 with respect to the change amount of the first wiring resistance value R W1 and The ratio of is constant to 1/2. Even in such a case, the overlap of the first wiring resistance value R W1 with respect to the resistance value R T of the temperature sensor 92 can be avoided as described above.

이상의 실시형태에서는, 물리량 계측 장치(90)에 있어서 물리량으로서 유리 기판(G)의 온도를 형성했지만, 이 물리량 계측 장치(90)에서는 다른 물리량도 계측할 수 있다. 즉, 물리량 센서로서 온도 센서(92)를 이용하는 대신에, 다른 물리량 센서를 이용하더라도 좋다. In the above embodiment, although the temperature of the glass substrate G was formed as a physical quantity in the physical quantity measuring apparatus 90, this physical quantity measuring apparatus 90 can also measure another physical quantity. That is, instead of using the temperature sensor 92 as the physical quantity sensor, other physical quantity sensors may be used.

예컨대, 물리량 센서로서 열식 유량계를 이용한 경우, 물리량 계측 장치(90)에서 처리 분위기의 가스 유량 및 유속을 계측할 수 있다. 또한, 물리량 센서로서 열식 압력계나 저항식 압력계를 이용한 경우, 처리 분위기의 압력을 계측할 수 있다. 또한, 물리량 센서로서 저항식 변형계를 이용한 경우, 유리 기판(G)의 변형을 계측할 수 있다. 또한, 물리량 센서로서 저항식 가속도계를 이용한 경우, 반송 롤러(R) 위에서 반송중인 유리 기판(G)의 흔들림을 계측할 수 있다. For example, when a thermal flow meter is used as the physical quantity sensor, the physical quantity measuring device 90 can measure the gas flow rate and the flow rate of the processing atmosphere. Moreover, when a thermal pressure gauge or a resistance pressure gauge is used as a physical quantity sensor, the pressure of a process atmosphere can be measured. In addition, when a resistive strain gauge is used as a physical quantity sensor, the deformation | transformation of glass substrate G can be measured. Moreover, when the resistance type accelerometer is used as a physical quantity sensor, the shake of the glass substrate G conveyed on the conveyance roller R can be measured.

이와 같이 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 방식의 물리량 센서를 이용한 경우에, 본 발명과 같이 더미 센서(94)와 제2 배선(95)을 이용하면, 물리량 센서의 저항치에 대한 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피할 수 있다. 따라서, 물리량 센서의 저항치를 적절하게 측정할 수 있어, 물리량을 적절하게 계측할 수 있다. In the case where a physical quantity sensor having a resistance value is changed in accordance with the change of the physical quantity as described above, when the dummy sensor 94 and the second wiring 95 are used as in the present invention, the first wiring resistance value with respect to the resistance value of the physical quantity sensor Overlap of (R W1 ) can be avoided. Therefore, the resistance value of the physical quantity sensor can be measured appropriately, and the physical quantity can be measured appropriately.

이상의 실시형태에서는, 피처리체로서 유리 기판(G)을 이용한 경우에 관해서 설명했지만, 유리 기판(G) 이외의 다른 피처리체에도 본 발명을 적용할 수 있다. 예컨대 반도체 웨이퍼나 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 피처리체에도 본 발명을 적용할 수 있다. 특히, 반도체 웨이퍼는 최근 대형화되고 있어, 이 반도체 웨이퍼 상에 설치되는 제1 배선(93)의 배선 길이도 길어지고 있다. 이 때문에, 제1 배선 저항치(RW1)의 중첩을 피하는 것은 더욱 곤란해지고 있다. 따라서, 이러한 대형의 반도체 웨이퍼에 대하여 본 발명을 적용하는 것은 유용하다. 또한, 이러한 제품 기판 이외의 피처리체, 예컨대 더미 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. In the above embodiment, although the case where glass substrate G was used as a to-be-processed object was demonstrated, this invention can be applied also to other to-be-processed objects other than glass substrate G. FIG. For example, this invention can be applied also to other to-be-processed objects, such as a mask reticle for semiconductor wafers and a photomask. In particular, semiconductor wafers have become larger in recent years, and the wiring lengths of the first wirings 93 provided on the semiconductor wafers have also become longer. For this reason, avoiding overlapping of the first wiring resistance value (R W1) has become more difficult. Therefore, it is useful to apply the present invention to such a large size semiconductor wafer. Moreover, this invention can be applied also to to-be-processed objects other than such a product substrate, for example, a dummy substrate.

또한, 이상의 실시형태에서는, 도포 현상 처리 시스템(1)에서 유리 기판(G)에 포토리소그래피 처리를 하는 경우에 관해서 설명했지만, 그 밖의 처리를 하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 예컨대 땜납 리플로우 로(爐)에서 프린트 기판에 처리를 하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. Moreover, in the above embodiment, although the case where the photolithographic process is performed to the glass substrate G in the coating-development processing system 1 was demonstrated, this invention can be applied also when performing other processing. For example, the present invention can be applied even when the printed circuit board is processed in a solder reflow furnace.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 관해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있음은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다. While the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or modifications can be made within the scope of the spirit described in the claims, and those of course belong to the technical scope of the present invention.

실시예Example

이하, 본 발명의 물리량 계측 장치를 이용한 경우에, 물리량을 적절하게 계측하는 효과에 관해서 비교예를 들어 설명한다. 본 실시예와 비교예에서는, 도 2에 도시한 가열 처리 장치(22)에 유리 기판(G)을 반송하여, 그 유리 기판(G)의 온도를 계측한다. 가열 처리 장치(22)의 챔버(70) 안의 온도는 130℃로 설정되어 있다. 또한, 피처리체의 유리 기판(G)은 평면에서 보아 3000 mm×3000 mm 크기의 사각 형상을 갖고 있다. 유리 기판(G)은 동시에 제조하는 액정 패널을 취하는 수에 따라서, 크기가 변할 뿐만 아니라, 장방형을 갖거나 한다. Hereinafter, when the physical quantity measuring apparatus of this invention is used, the effect of measuring a physical quantity suitably is given and demonstrated a comparative example. In a present Example and a comparative example, glass substrate G is conveyed to the heat processing apparatus 22 shown in FIG. 2, and the temperature of the glass substrate G is measured. The temperature in the chamber 70 of the heat treatment apparatus 22 is set to 130 degreeC. In addition, the glass substrate G of the to-be-processed object has the square shape of 3000 mm x 3000 mm magnitude | size in planar view. The glass substrate G not only changes in size but also has a rectangle depending on the number of liquid crystal panels produced at the same time.

본 실시예에서는, 도 3에 도시한 물리량 계측 장치(90)를 이용했다. 온도 센서(92)에는 RTD를 이용하며, 16점의 온도 센서(92)를 유리 기판(G) 상에 배치했다. 또한, 더미 센서(94)에는 TCR가 5 ppm인 정밀 저항을 이용하며, 각 온도 센서(92)에 인접하도록 배치했다. 제1 배선(93)과 제2 배선(95)에는, 각각 직경이 0.4 mm인 구리선을 PTFE 피복한 것을 사용했다. 또한, 제1 배선(93)과 제2 배선은 각각 평행하게 배치했다. In this embodiment, the physical quantity measuring apparatus 90 shown in FIG. 3 was used. RTD was used for the temperature sensor 92, and the 16 temperature sensor 92 was arrange | positioned on the glass substrate G. As shown in FIG. In addition, the dummy sensor 94 uses the precision resistance of 5 ppm, and arrange | positioned so that it may be adjacent to each temperature sensor 92. FIG. PTFE coated copper wire having a diameter of 0.4 mm was used for the first wiring 93 and the second wiring 95, respectively. In addition, the 1st wiring 93 and the 2nd wiring were arrange | positioned in parallel, respectively.

그리고, 모든 온도 센서(92)가 챔버(70) 내에 들어간 시점에서, 전술한 공정 S1∼S6을 실시하여, 각 온도 센서(92)에서의 온도를 계측했다. 그 결과를 도 7에 도시한다. At the time when all the temperature sensors 92 entered the chamber 70, the above-described steps S1 to S6 were performed to measure the temperature at each temperature sensor 92. The result is shown in FIG.

도 7의 (a)의 횡축은 시간을 나타내고, 종축은 각 온도 센서(92)에서의 온도를 나타낸다. 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 일부를 확대한 것이다. 도 7을 참조하면, 모든 온도 센서(92)의 온도는 129.95℃∼130.05℃의 범위 내이며, 유리 기판(G)의 실온도 130℃로부터의 차이는 ±0.05℃였다. 따라서, 본 실시예에서는 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 있었다. The horizontal axis in FIG. 7A represents time, and the vertical axis represents temperature at each temperature sensor 92. FIG. 7B is an enlarged view of a part of FIG. 7A. Referring to FIG. 7, the temperatures of all the temperature sensors 92 were in the range of 129.95 ° C. to 130.05 ° C., and the room temperature of the glass substrate G was also ± 0.05 ° C. from the temperature of 130 ° C. FIG. Therefore, in the present Example, the temperature of glass substrate G was able to be measured suitably.

한편, 비교예에서는, 도 9에 도시한 계측 장치(510)를 이용했다. 센서(511)에는 RTD를 이용하며, 16점의 센서(511)를 유리 기판(G) 상에 배치했다. 배선(513)에는 직경이 0.4 mm의 구리선을 PTFE 피복한 것을 사용했다. In the comparative example, the measurement device 510 shown in FIG. 9 was used. RTD was used for the sensor 511, and 16 sensors 511 were arrange | positioned on the glass substrate G. As shown in FIG. As the wiring 513, a PTFE coated copper wire having a diameter of 0.4 mm was used.

그리고, 모든 센서(511)가 챔버(500) 안으로 들어간 시점에서 각 센서(511)에서의 온도를 계측했다. 그 결과를 도 8에 도시한다. And the temperature in each sensor 511 was measured at the time when all the sensors 511 entered into the chamber 500. The result is shown in FIG.

도 8의 (a)의 횡축은 시간을 나타내고, 종축은 각 센서(511)에서의 온도를 나타낸다. 도 8의 (b)는 도 8(a)의 일부를 확대한 것이다. 도 8을 참조하면, 모든 센서(511)의 온도는 130℃∼137℃의 범위 내이며, 유리 기판(G)의 실온도 130℃로부터의 차이는 7℃였다. 따라서, 이 비교예에 따르면 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 없었다. 이것은 전술한 바와 같이, 센서(511)의 저항치에 배선(513)의 저항치가 중첩되었기 때문이라고 생각된다.The abscissa axis of FIG. 8A represents time, and the ordinate axis represents the temperature at each sensor 511. FIG. 8B is an enlarged view of a part of FIG. 8A. Referring to FIG. 8, the temperatures of all the sensors 511 were in the range of 130 ° C. to 137 ° C., and the difference from 130 ° C. in the room temperature of the glass substrate G was 7 ° C. FIG. Therefore, according to this comparative example, the temperature of the glass substrate G could not be measured suitably. This is considered to be because the resistance value of the wiring 513 overlapped with the resistance value of the sensor 511 as described above.

이상으로부터, 본 발명에 따르면, 온도 센서(92)의 저항치(RT)에 대한 제1 배선(93)의 저항치(RW1)의 중첩을 피하여, 유리 기판(G)의 온도를 적절하게 계측할 수 있음을 알 수 있었다. From the above, according to the present invention, avoiding the overlapping of the resistance value (R W1) of the first wiring 93 to the resistance (R T) of the temperature sensor 92, to appropriately measure the temperature of the glass substrate (G) I could see that.

1 : 도포 현상 처리 시스템 22, 26, 32 : 가열 처리 장치
70 : 챔버 90 : 물리량 계측 장치
91 : 계측 회로 92 : 온도 센서
93 : 제1 배선 94 : 더미 센서
95 : 제2 배선 100 : 제어부
A, B : 반송 라인 G : 유리 기판
R : 반송 롤러 T1 : 챔버 안의 분위기
T2 : 챔버 밖의 분위기1: Coating development processing system 22, 26, 32: Heating processing apparatus
70: chamber 90: physical quantity measuring device
91: measurement circuit 92: temperature sensor
93: first wiring 94: dummy sensor
95: second wiring 100: control unit
A, B: conveying line G: glass substrate
R: conveying roller T 1 : atmosphere in chamber
T 2 : atmosphere outside the chamber

Claims (15)

피처리체의 표면에 설치되며, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 장치에 있어서,
상기 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서와,
미리 정해진 저항치를 갖고, 상기 물리량의 변화에 대한 저항치의 변화량이 상기 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서와,
상기 물리량 센서와 계측 회로를 접속하는 제1 배선과,
상기 더미 센서와 상기 계측 회로를 접속하는 제2 배선
을 갖고,
피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량과의 비율이 일정하고,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 적어도 피처리체가 반송되면서 열처리가 이루어지는 반송 방향으로 연신되고,
피처리체의 반송 중에, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 동일한 온도 환경 하에 배치되고,
상기 물리량은 피처리체의 온도 또는 상기 분위기의 가스 유량 및 유속이고,
상기 물리량 센서는 피처리체의 온도를 측정하는 온도 센서 또는 가스 유량 및 유속을 계측하는 열식 유량계인 것을 특징으로 하는 물리량 계측 장치. In the physical quantity measuring device which is provided on the surface of a to-be-processed object, and measures the physical quantity at the time of processing a to-be-processed object in the atmosphere which a temperature changes,
A physical quantity sensor whose resistance varies with the change of the physical quantity,
A dummy sensor having a predetermined resistance value and the change amount of the resistance value with respect to the change of the physical quantity is smaller than the change amount of the resistance value of the physical quantity sensor;
First wiring connecting the physical quantity sensor and a measurement circuit;
2nd wiring which connects the said dummy sensor and the said measurement circuit
Lt; / RTI &
The ratio between the change in the resistance of the first wiring and the change in the resistance of the second wiring with respect to the temperature change of the workpiece is constant,
The first wiring and the second wiring are elongated in a conveying direction in which heat treatment is performed while at least the object to be conveyed is conveyed,
During the conveyance of the workpiece, the first wiring and the second wiring are each disposed under the same temperature environment,
The physical quantity is the temperature of the target object or the gas flow rate and flow rate of the atmosphere,
The physical quantity sensor is a physical quantity measuring device, characterized in that the temperature sensor for measuring the temperature of the object to be processed or a thermal flow meter for measuring the gas flow rate and flow rate. 제1항에 있어서, 피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량은 동일한 것을 특징으로 하는 물리량 계측 장치. The physical quantity measuring device according to claim 1, wherein the amount of change in the resistance of the first wiring and the amount of change in the resistance of the second wiring with respect to the temperature change of the target object are the same. 제2항에 있어서, 상기 제1 배선의 단면적과 상기 제2 배선의 단면적은 동일하고,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 물리량 계측 장치. The cross-sectional area of the first wiring and the cross-sectional area of the second wiring are the same,
And the first wiring and the second wiring are arranged in parallel with each other. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는 포토리소그래피 처리에서의 열처리인 것을 특징으로 하는 물리량 계측 장치. The physical quantity measuring device according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat treatment is a heat treatment in a photolithography process. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리체는 플랫 패널 디스플레이용 기판인 것을 특징으로 하는 물리량 계측 장치. The physical quantity measuring device according to any one of claims 1 to 3, wherein the object to be processed is a substrate for a flat panel display. 피처리체의 표면에 설치되며, 피처리체의 반송 방향으로 온도가 변화하는 분위기 속에서 그 피처리체를 반송하면서 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 장치에 있어서,
상기 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서와,
미리 정해진 저항치를 갖고, 상기 물리량의 변화에 대한 저항치의 변화량이 상기 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서와,
상기 물리량 센서와 계측 회로를 접속하는 제1 배선과,
상기 더미 센서와 상기 계측 회로를 접속하는 제2 배선
을 갖고,
상기 제1 배선의 재질과 상기 제2 배선의 재질은 동일하며,
상기 제1 배선의 길이와 상기 제2 배선의 길이는 동일하고,
상기 제1 배선의 단면적과 상기 제2 배선의 단면적은 동일하며,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 적어도 피처리체의 반송 방향으로 연신되고, 각각 평행하게 배치되고,
상기 물리량은 피처리체의 온도 또는 상기 분위기의 가스 유량 및 유속이고,
상기 물리량 센서는 피처리체의 온도를 측정하는 온도 센서 또는 가스 유량 및 유속을 계측하는 열식 유량계인 것을 특징으로 하는 물리량 계측 장치. In the physical quantity measuring device which is provided in the surface of a to-be-processed object, and measures the physical quantity at the time of processing, conveying the to-be-processed object in the atmosphere which temperature changes to the conveyance direction of a to-be-processed object,
A physical quantity sensor whose resistance varies with the change of the physical quantity,
A dummy sensor having a predetermined resistance value and the change amount of the resistance value with respect to the change of the physical quantity is smaller than the change amount of the resistance value of the physical quantity sensor;
First wiring connecting the physical quantity sensor and a measurement circuit;
2nd wiring which connects the said dummy sensor and the said measurement circuit
Lt; / RTI &
The material of the first wiring and the material of the second wiring are the same,
The length of the first wiring and the length of the second wiring are the same,
The cross-sectional area of the first wiring and the cross-sectional area of the second wiring are the same,
The first wiring and the second wiring are at least drawn in the conveying direction of the object to be processed and are arranged in parallel with each other,
The physical quantity is the temperature of the target object or the gas flow rate and flow rate of the atmosphere,
The physical quantity sensor is a physical quantity measuring device, characterized in that the temperature sensor for measuring the temperature of the object to be processed or a thermal flow meter for measuring the gas flow rate and flow rate. 피처리체의 표면에 설치된 물리량 계측 장치를 이용하여, 온도가 변화하는 분위기 속에서 피처리체를 처리할 때의 물리량을 계측하는 물리량 계측 방법에 있어서,
상기 물리량 계측 장치는,
상기 물리량의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 물리량 센서와,
미리 정해진 저항치를 갖고, 상기 물리량의 변화에 대한 저항치의 변화량이 상기 물리량 센서의 저항치의 변화량에 비해서 작은 더미 센서와,
상기 물리량 센서와 계측 회로를 접속하는 제1 배선과,
상기 더미 센서와 상기 계측 회로를 접속하는 제2 배선
을 갖고,
피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량과의 비율이 일정하며,
상기 분위기의 온도는 피처리체의 반송 방향으로 변화되며, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 적어도 피처리체의 반송 방향으로 연신되고,
피처리체의 반송 중에, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 동일한 온도 환경 하에 있으며,
상기 물리량은 피처리체의 온도 또는 상기 분위기의 가스 유량 및 유속이고,
상기 물리량 센서는 피처리체의 온도를 측정하는 온도 센서 또는 가스 유량 및 유속을 계측하는 열식 유량계이며,
상기 피처리체를 반송하면서 열처리를 하고,
상기 물리량 계측 방법은,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선을 각각 상기 분위기 속에 배치하고,
상기 계측 회로에서, 상기 물리량 센서의 저항치와 상기 제1 배선의 저항치를 포함하는 제1 저항치를 측정하며,
상기 계측 회로에서, 상기 더미 센서의 저항치와 상기 제2 배선의 저항치를 포함하는 제2 저항치를 측정하고,
상기 제2 저항치로부터 상기 더미 센서의 저항치를 감산하여, 상기 제2 배선의 저항치를 산출하며,
상기 제2 배선의 저항치에 기초하여, 상기 제1 배선의 저항치를 산출하고,
상기 제1 저항치로부터 상기 제1 배선의 저항치를 감산하여, 상기 물리량 센서의 저항치를 산출하며,
상기 물리량 센서의 저항치에 기초하여 상기 물리량을 계측하는 것을 특징으로 하는 물리량 계측 방법. In the physical quantity measuring method which measures the physical quantity at the time of processing a to-be-processed object in the atmosphere which temperature changes using the physical quantity measuring apparatus provided in the surface of a to-be-processed object,
The physical quantity measuring device,
A physical quantity sensor whose resistance varies with the change of the physical quantity,
A dummy sensor having a predetermined resistance value and the change amount of the resistance value with respect to the change of the physical quantity is smaller than the change amount of the resistance value of the physical quantity sensor;
First wiring connecting the physical quantity sensor and a measurement circuit;
2nd wiring which connects the said dummy sensor and the said measurement circuit
Lt; / RTI &
The ratio between the change in the resistance of the first wiring and the change in the resistance of the second wiring with respect to the temperature change of the workpiece is constant,
The temperature of the atmosphere is changed in the conveying direction of the object, the first wiring and the second wiring are drawn at least in the conveying direction of the object,
During the conveyance of the workpiece, the first wiring and the second wiring are each under the same temperature environment,
The physical quantity is the temperature of the target object or the gas flow rate and flow rate of the atmosphere,
The physical quantity sensor is a temperature sensor for measuring the temperature of the target object or a thermal flow meter for measuring the gas flow rate and flow rate,
Heat treatment while conveying the object to be treated,
The physical quantity measurement method,
The first wiring and the second wiring are respectively disposed in the atmosphere,
Measuring a first resistance value including a resistance value of the physical quantity sensor and a resistance value of the first wiring in the measurement circuit,
In the measurement circuit, a second resistance value including the resistance value of the dummy sensor and the resistance value of the second wiring is measured,
The resistance value of the second wiring is calculated by subtracting the resistance value of the dummy sensor from the second resistance value,
Based on the resistance of the second wiring, the resistance of the first wiring is calculated,
The resistance of the physical quantity sensor is calculated by subtracting the resistance of the first wiring from the first resistance;
And measuring the physical quantity based on the resistance of the physical quantity sensor. 제7항에 있어서, 피처리체의 온도 변화에 대한, 상기 제1 배선의 저항치의 변화량과 상기 제2 배선의 저항치의 변화량은 동일한 것을 특징으로 하는 물리량 계측 방법. The physical quantity measuring method according to claim 7, wherein an amount of change in the resistance value of the first wiring and a change in the resistance value of the second wiring with respect to a temperature change of the target object are the same. 제8항에 있어서, 상기 제1 배선의 단면적과 상기 제2 배선의 단면적은 동일하고,
상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 각각 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 물리량 계측 방법. The cross-sectional area of the first wiring and the second wiring are the same.
And the first wiring and the second wiring are arranged in parallel with each other. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는 포토리소그래피 처리에서의 열처리인 것을 특징으로 하는 물리량 계측 방법. The physical quantity measurement method according to any one of claims 7 to 9, wherein the heat treatment is a heat treatment in a photolithography process. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리체는 플랫 패널 디스플레이용 기판인 것을 특징으로 하는 물리량 계측 방법. The physical quantity measuring method according to any one of claims 7 to 9, wherein the target object is a substrate for a flat panel display. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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