KR101330064B1 - 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법 - Google Patents

전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 고분자 물질이 코팅된 막에 대하여 우수한 에칭 능력을 갖는 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 에칭 페이스트 조성물은 터치스크린 패널의 전극과 전기전자 기기 부품용의 터치 패널용 전도성 필름 등의 에칭 공정에 유용하게 사용될 수 있다.

Description

전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법{ETCHING PASTE COMPOSITION FOR CONDUCTIVE POLYMER MEMBRANE AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER MEMBRANE USING THE SAME}
본 발명은 전도성 고분자 물질이 코팅된 막에 대하여 우수한 에칭 능력을 갖는 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법에 관한 것이다.
현재 전도성 고분자 화합물로서 폴리아닐린(Polyaniline, PAN), 폴리피롤(Polypyrrol, PPy) 및 폴리티오펜(Polythiophene, PT) 등이 널리 사용되고 있다. 이들은 중합이 쉽고, 상당히 우수한 전도성과 열적 안정성 및 산화 안정성을 가지고 있다.
이러한 전도성 고분자 화합물들의 전기적 특성을 응용하여 이차 전지의 전극, 전자파 차폐용 소재, 유연성을 가지는 전극, 대전방지용 소재, 부식 방지용 코팅재 등 여러 용도로 사용 가능성이 제안되고 있으나, 가공성의 난점, 열적 및 대기 불안정성, 내환경성의 문제, 가격 등의 문제로 인해서 활발하게 상업화되지 못하고 있는 실정이다.
그러나, 최근 먼지 부착 방지 및 대전 방지용 코팅재료가 주목받으면서 이와 더불어 전자파 차폐에 관한 규격 강화에 의해 전도성 고분자 화합물들이 여러 전자 기기들의 전자파 차폐용 코팅재로서 주목을 받기 시작하였다.
특히, 전도성 고분자가 브라운관 유리표면의 도전성 코팅재로 주목받기 시작한 것은 미국 특허 제 5,035,926호 및 제 5,391,472호에 기재되어 있는 바와 같이, 폴리티오펜계 전도성 고분자인 폴리에틸렌디옥시티오펜(Polyethylene dioxythiophene, PEDT)이 알려지면서부터이다. 이러한 전도성 고분자는 폴리아닐린계, 폴리피롤계 뿐만 아니라 그 외의 폴리티오펜계 전도성 고분자에 비해서 우수한 투명도를 나타낸다.
상기 폴리티오펜계 전도성 고분자는 통상적으로 폴리에틸렌디옥시티오펜, 구체적으로는 폴리에틸렌디옥시티오펜에 폴리스틸렌술포네이트가 도핑된 것일 수 있으며, 이러한 수분산 폴리에틸렌디옥시티오펜의 예로는 현재 판매중인 헤라우스사의 Clevios P가 대표적이다. 그러나, 이와 같은 전도성 고분자 코팅 조성물을 이용한 고분자 막을 사용함에 있어서, 정밀한 패턴의 에칭 가공 및 에칭 후 패턴이 잘 보이지 않는 전도성 고분자막에 대한 요구가 지속되고 있다.
이에 본 발명자들은 할로겐 화합물을 포함하는 전도성 고분자용 에칭 페이스트가 전도성 고분자 막에 우수한 에칭 능력을 가지며, 가공 공정도 단축될 수 있어, 이를 이용하여 고분자 막에 스크린 프린팅하면 패턴이 잘 보이지 않는다는 것을 발견함으로써 본 발명을 완성하였다.
[특허문헌 1] 미국 특허 제 5,035,926호
[특허문헌 2] 미국 특허 제 5,391,472호
본 발명의 목적은 우수한 에칭 능력을 갖는 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전도성 고분자막용 에칭 페이스트 조성물을 이용하여 스크린 인쇄법으로 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 할로겐 화합물 및 수용성바인더를 포함하는 에칭 페이스트 조성물로서, 상기 할로겐 화합물을 조성물 총 중량을 기준으로 0.5 내지 80중량%의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 제공한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 이용하여 스크린 인쇄법으로 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 할로겐 화합물을 포함하는 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물은 전도성 고분자 막에 대해 우수한 에칭 능력을 가지며, 가공 공정도 단축시킬 수 있고, 이를 이용하여 고분자 막에 스크린 프린팅하면 패턴이 잘 보이지 않게 되므로, 이와 같이 패터닝된 고분자 막은 접촉식 패널(Touch Panel)용 상ㆍ하부 전극필름, 모바일폰용 무기 전계발광소자(EL) 전극 필름, 디스플레이용 투명전극 필름, 및 TV 브라운관 표면 및 컴퓨터 모니터 화면의 전자파 차폐층으로 유용하게 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 이용하여 스크린 인쇄법으로 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법을 도식화한 것으로, 각 단계별 설명은 다음과 같다.
1: 코팅 조성물이 도포되기 위한 기판
2: 기판 위에 전도성 고분자 코팅 조성물을 도포
3: 전도성 고분자 코팅 조성물을 이용하여 제조된 고분자 막 위에 스크린 인쇄 롤링
4: 롤링 시작 후 인쇄판에 에칭 페이스트 충진, 패턴 인쇄
5: 판 분리 후 레벨링
6: 세정 공정을 통하여 인쇄된 전도성 고분자 막의 전도성을 제거
본 발명은 할로겐 화합물 및 수용성 바인더를 포함하며, 상기 할로겐 화합물이 조성물 총 중량을 기준으로 0.5 내지 80중량%의 양으로 포함된 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 사용하면, 전도성 고분자 막을 에칭하면 우수한 에칭성 및 시인성을 나타낼 수 있다. 또한, 에칭 공정이 끝나고 난 후에도 에칭 페이스트 조성물은 남아있는 전도성 고분자 막(전도층)에 어떠한 영향도 미치지 않는다.
본 발명에서 할로겐 화합물은 NaOCl, NaOBr, NaIO 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
상기 할로겐 화합물은 조성물 총 중량을 기준으로 0.5 내지 80중량%, 바람직하게는 1 내지 75중량%의 양으로 포함될 수 있으며, 인쇄된 전도성 고분자 막의 전도성을 효율적으로 제거할 수 있다. 만약, 상기 에칭 페이스트 조성물이 할로겐 화합물을 0.5중량% 미만으로 포함하면 에칭이 잘 되지 않는 문제가 발생할 수 있고, 80중량%를 초과하는 양으로 포함하면 페이스트의 점도가 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명에서 수용성 바인더는 건조 후에도 물에 씻길 수 있고, 인쇄된 도막의 인쇄적성과 페이스트 조성물의 유동성을 부여하기 위하여 사용되며, 고형분 수지와 희석 용제를 포함한다.
고형분 수지로서는 상온의 건조 또는 반건조 상태에서도 물에 씻길 수 있는 수지를 사용할 수 있으며, 예를 들면, 우레탄계 수지, 폴리비닐아세테이트계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 성분을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 에천트로서 사용되는 할로겐 화합물과의 반응성을 최소화하기 위해서는 우레탄계 수지를 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용하는 수용성바인더는 점도 조정이 용이하고 도막 두께와 인쇄 적성이 양호하다.
상기 수용성바인더는 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 20 내지 99.5중량%, 바람직하게는 20 내지 90중량%의 양으로 포함될 수 있다. 또한, 상기 바인더 중 고형분 수지의 함량은 10 내지 80중량%의 양일 수 있다. 본 발명에서 고형분 수지를 용해하는 데 사용할 수 있는 희석 용제는 특별히 제한되지는 않지만, 증류수가 바람직하다.
또한, 상기 수용성 바인더는 첨가제 등의 추가 성분을 포함할 수 있다. 첨가제로는 실록산계, 실리콘계, 불소계 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 성분을 사용할 수 있다. 이러한 첨가제의 예로는 실록산계 첨가제로서 BASF사의 EFKA-3288 및 EFKA-3030, 실리콘계 첨가제로서 BYK사의 BYK-141 및 BYK-018, 불소계 첨가제로서 3M사의 FC-4430 및 FC-4420 등을 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 포함되는 수용성 바인더로는 상기 성분 및 함량 범위를 갖는 상업적으로 시판되는 제품을 이용할 수도 있으며, 이러한 제품의 예로는 우레탄계 바인더로서 U-Series((주)아데카 제품), H-Series(보강화학 제품) 및 Chemical BI-Series(장우 Chemical 제품); 폴리비닐아세테이트계 바인더로서 RD-Series((주)애경화학 제품), AA-Series((주)SK CYTEC 제품) 및 W-Series(SR 케미칼 제품), 셀룰로오스계 바인더로서 SD-Series((주)다온텍 제품) 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 고분자용 에칭 페이스트 조성물은 스크린 인쇄의 인쇄적성 및 작업성을 고려하여, 예를 들어, 회전형 점도계(Haake Rheometer)를 사용하여 100 rpm에서 1,000 내지 1,000,000 cps 범위의 점도를 갖는 것을 특징으로 한다. 만약 점도가 1,000 cps 미만이면 인쇄 후 패턴 이 퍼지는 문제가 발생할 수 있고, 1,000,000 cps를 초과하면 인쇄가 되지 않을 수 있다.
본 발명에 따른 에칭 페이스트 조성물은 전도성 고분자 막, 바람직하게는 폴리티오펜계 전도성 고분자 막을 에칭하는 데 사용될 수 있다.
본 발명에서 전도성 고분자 막은 폴리티오펜계 전도성 고분자를 포함하는 코팅 조성물을 기판에 도포한 후 건조시켜 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 폴리티오펜계 전도성 고분자는 바람직하게는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDT)계 전도성 고분자, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌디옥시티오펜에 폴리스틸렌설포네이트가 도핑된 것일 수 있다.
상기 기판의 예로는 투명 재질의 기판을 들 수 있으며, 바람직하게는 유리, 캐스팅 폴리프로필렌(CPP, casting polypropylene) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 및 아크릴 패널로 이루어진 군에서 선택되는 기판일 수 있다.
상기 전도성 고분자 코팅 조성물의 도포 방법은 당업계에 알려진 방법에 의해 수행될 수 있으며, 예를 들어, 바(Bar) 코팅, 롤코팅, 플로우 코팅, 딥 코팅 또는 스핀코팅법 등이 사용될 수 있고, 상기 건조는 100 내지 145℃의 온도에서 1 내지 10분 동안 수행될 수 있다. 상기 도포 및 건조에 의해 제조된 전도성 고분자 막은 1 내지 5 ㎛ 두께를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시양태에 따르면, 상기 방식으로 제조된 전도성 고분자 코팅 조성물을 투명한 기재(예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)에 바 코팅법으로 도포한 후, 약 125℃의 온도의 오븐에서 약 5분 동안 건조시킴으로써, 두께 5 ㎛ 이하의 폴리티오펜계 전도성 고분자 막을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 이용하여 스크린 인쇄법으로 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법을 제공한다.
상기 패터닝하는 방법은, 예를 들면 도 1에서 나타난 바와 같이, 전도성 고분자 코팅 조성물이 도포되기 위한 기판을 준비한다(1). 상기 기판에 전도성 고분자 코팅 조성물을 도포하고, 이를 건조시켜 전도성 고분자 막을 제조한다. 상기에서 제조된 전도성 고분자 막 위에 스크린 인쇄 롤링을 수행한다(3). 롤링 시작 후 인쇄판에 본 발명에 따른 전도성 고분자용 에칭 페이스트 조성물을 충진하고 패턴을 인쇄한다(4). 인쇄판을 분리한 후 레벨링을 수행한다(5). 세정 공정을 통하여 인쇄된 전도성 고분자 막 위의 전도성을 제거한다(6).
본 발명에 따른 전도성 고분자용 에칭 페이스트 조성물의 에칭 소요시간은 0.1 내지 60분 동안, 바람직하게는 0.1 내지 20분 동안 수행하는 것이 바람직하다. 인쇄가 완료되어 증류수 등을 이용하여 세정하면 인쇄된 면이 에칭되면서 인쇄 패턴이 완성된다. 이때, 에칭 페이스트 조성물의 도포 전에 스크린 인쇄판에 올려지는 유제는 알칼리(pH 8~12)에 견디는 유제를 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들어 쿠리타(Kurita)사의 KV-920 및 무라가미사의 Toughlex VX 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물은 접촉식 패널용 상ㆍ하부 전극필름, 모바일폰용 무기 전계발광소자(EL) 전극 필름 또는 디스플레이용 투명전극 필름, TV 브라운관 표면 및 컴퓨터 모니터 화면의 전자파 차폐층, 및 터치스크린 패널의 전극과 전기전자 기기 부품용의 터치 패널용 전도성 필름 등으로 이용되는 전도성 고분자 막을 에칭하는 데 이용될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아니다.
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 7
하기 표 1에 나타낸 성분과 함량범위를 사용하여 혼합하여 전도성 고분자 에칭 페이스트 조성물을 제조하였다.
시험예
폴리에틸렌디옥시티오펜에 폴리스틸렌술포네이트가 도핑된 전도성 고분자, 메탄올, 프로판올, N-메틸아세트아마이드 및 트리메톡시실란을 이용하여 통상의 방식에 따라 전도성 고분자 코팅 조성물을 제조하였다. 상기에서 제조된 전도성 고분자 코팅 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 도포한 후 약 125℃의 오븐에서 약 5분간 건조시켜 전도성 고분자 막을 제조하였다. 상기 건조된 전도성 고분자 막의 두께는 5 ㎛ 이하였다.
1) 에칭성
상기에서 제조한 전도성 고분자 막에 실시예 및 비교예에서 제조한 전도성 고분자 에칭 페이스트 조성물을 인쇄판의 빈 공간으로 에칭 페이스트가 통과하여 필름으로 인쇄됨으로써 인쇄된 면이 전도성을 잃는 방식으로 스크린 인쇄하였으며(도 1 참고), 이때, 스크린 인쇄판에 사용되는 유제는 알칼리(pH 8~12)에 견디는 유제(입수처: KV-920, Kurita사)를 사용하였다. 그 후, 이를 증류수로 세정한 후 에칭성을 확인하였다.
에칭성은 고저항 측정기(Trustat Worksurface Tester ST-3, SIMCO사)를 이용하여 표면 저항을 측정하였으며, 1013Ω/ㅁ 이상에서는 양호, 그 이하에서는 불량이라고 판단하였다. 에칭 소요 시간은 다음과 같이 정의하였다.
○ : 60분 미만
× : 60분 이상
2) 시인성
상기와 동일한 방식으로 인쇄된 막을 증류수로 세정한 후 패턴이 보이는 정도(시인성)를 평가하였다.
시인성은 ITO 필름(Film)과는 달리 색도의 차이로 확인해야 하기 때문에, UV-Spectrometer (CM-3500d, Minolta사)를 이용하여 550nm 파장에서의 투과율을 측정하여 에칭된 부분과 비에칭된 부분의 b* 차이로 판단하였고, 이는 다음과 같이 정의하였다.
△b* 〈 1.5 : 양호 (패턴이 잘 보이지 않음)
△b* 〉1.5 : 불량 (패턴이 잘 보임)
하기 표 1에서 에칭성이 나오지 않아 시인성을 평가하지 않은 경우에는 -로 기재하였다.
또한, 에칭 공정이 끝나고 난 후에 전도층의 표면 저항 값이 변하지 않은 것으로 볼 때, 에칭액은 남아 있는 전도층에 어떠한 영향도 주지 않는 것을 확인할 수 있었다.
상기와 같은 방법으로 측정된 에칭성 및 시인성 결과를 표 1에 나타내었다.
조성(g) 에천트(고형분, 중량%) 바인더 (중량%) 에칭성 소요 시간 b*
실시예 1 NaOCl (10) 우레탄계(90) 양호 ○ 양호
실시예 2 NaOBr (15) 우레탄계(85) 양호 ○ 양호
실시예 3 NaIO (20) 우레탄계(80) 양호 ○ 양호
실시예 4 NaOCl (15) 폴리비닐아세테이트계(85) 양호 ○ 양호
실시예 5 NaOBr (50) 폴리비닐아세테이트계(50) 양호 ○ 양호
실시예 6 NaIO (75) 폴리비닐아세테이트계(25) 양호 ○ 양호
실시예 7 NaOCl (60) 셀룰로오스계(40) 양호 ○ 양호
실시예 8 NaOBr (45) 셀룰로오스계(55) 양호 ○ 양호
실시예 9 NaIO (30) 셀룰로오스계(70) 양호 ○ 양호
비교예 1 C3Cl2N3NaO3·2H2O(10) 우레탄계(90) 불량 X -
비교예 2 H8CeN8O18(25) 폴리비닐아세테이트계(75) 불량 X -
비교예 3 H2O2(20) 우레탄계(80) 불량 X -
비교예 4 KMnO4(25) 셀룰로오스계(75) 불량 X -
비교예 5 NaSO3(15) 폴리비닐아세테이트계(85) 불량 X -
비교예 6 Na2S2O4(35) 우레탄계(65) 불량 X -
비교예 7 Na2Co3·1.5H2O2(15) 셀룰로오스계(85) 불량 X -
NaOCl : 하이포클로라이트 나트륨(Sodium Hypochlorite)(Aldrich사 제품)
NaOBr : 하이포브로마이트 나트륨(Sodium Hypobromite)(Aldrich사 제품)
NaIO : 하이포아이오다이트 나트륨 (Sodium Hypoiodites) (Aldrich사 제품)
C3Cl2N3NaO3·2H2O : 디클로로아이소시아누레이트 나트륨 (Sodium Dichloroisocyanurate) (Aldrich사 제품)
H8CeN8O18 : 질산 암모늄 (Ammonium Nitrate) (Aldrich사 제품)
H2O2 : 과산화수소 (Hydrogen Peroxide) (Aldrich사 제품)
KMnO4 : 과산화칼륨 (Potassium Peroxide) (Aldrich사 제품)
Ca(OCl)2 : 하이포클로라이트 칼슘 (Calcium Hypochlorite) (Aldrich사 제품)
NaSO3 : 아황산염 나트륨 (Sodium Sulfite) (Aldrich사 제품)
Na2S2O4 : 하이드로아황산염 나트륨 (Sodium Hydrosulfite) (Aldrich사 제품)
Na2Co3·1.5H2O2 : 과탄산 나트륨 (Sodium Percarbonate) (Aldrich사 제품)
U-Series : 우레탄계 바인더 ((주)아데카 제품)
H-Series : 우레탄계 바인더 (보강화학 제품)
Chemical BI-Series : 우레탄계 바인더 (장우 Chemical 제품)
RD-Series : 폴리비닐아세테이트계 바인더 ((주)애경화학 제품)
AA-Series : 폴리비닐아세테이트계 바인더 ((주)SK CYTEC 제품)
W-Series : 폴리비닐아세테이트계 바인더 (SR 케미칼 제품)
SD-Series : 셀룰로오스계 바인더 ((주) 다온텍 제품)
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 할로겐 화합물을 사용하지 않은 비교예 1 내지 7의 경우, 실시예 1 내지 9와는 달리 에칭이 되지 않아 에칭성이 불량이고 에칭 소요시간 역시 60분 이상인 것으로 나타났다.
또한, 실시예 1 내지 9는 △b*가 1.5 미만인 것으로 나타나 패턴이 잘 보이지 않아 시인성이 양호한 반면, 비교예 1 내지 7은 △b*가 1.5 초과로 나타나 패턴이 잘 보여 시인성이 불량함을 알 수 있었다.

Claims (12)

  1. 할로겐 화합물 및 수용성 바인더를 포함하며, 상기 할로겐 화합물이 조성물 총 중량을 기준으로 0.5 내지 80중량%의 양으로 포함된 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 할로겐 화합물이 NaOCl, NaOBr, NaIO 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 수용성 바인더가 조성물 총 중량을 기준으로 20 내지 99.5중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 수용성 바인더가 우레탄계, 폴리비닐아세테이트계, 셀룰로오스계 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 수지와 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 수용성 바인더 중 고형분 수지의 함량이 10% 내지 80중량%인 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 수용성 바인더가 실록산계 첨가제, 실리콘계 첨가제, 불소계 첨가제 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 에칭 페이스트 조성물의 점도가 100 rpm에서 1,000 내지 1,000,000 cps 범위인 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 막이 폴리티오펜계 전도성 고분자를 포함하는 코팅 조성물을 기판에 도포한 후 건조시켜 제조되는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 폴리티오펜계 전도성 고분자가 폴리에틸렌디옥시티오펜에 폴리스틸렌설포네이트가 도핑된 것임을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 막이 1 내지 5 ㎛ 두께인 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 막이 접촉식 패널용 상ㆍ하부 전극필름, 무기 전계발광소자(EL) 전극 필름 또는 디스플레이용 투명전극 필름에 사용되는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 전도성 고분자 막용 에칭 페이스트 조성물을 이용하여 스크린 인쇄법으로 전도성 고분자 막을 패터닝하는 방법.
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KR100637201B1 (ko) * 2004-12-20 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR101092607B1 (ko) * 2009-01-16 2011-12-13 에스케이씨 주식회사 전도성 고분자 용액 조성물을 이용한 고분자 막과 그 구조

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637201B1 (ko) * 2004-12-20 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR101092607B1 (ko) * 2009-01-16 2011-12-13 에스케이씨 주식회사 전도성 고분자 용액 조성물을 이용한 고분자 막과 그 구조

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