KR101290309B1 - 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치 - Google Patents

고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 효율적으로 고전도성 폴리유산을 제조할 수 있어, 시간ㆍ비용면에서 경제적인 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법은 반응용기에 폴리유산 100중량부, 락티드 10~20중량부 및 폴리글리콜산 5~10중량부를 첨가한 후, 교반하는 S1단계, 상기 반응용기에 세린 5~10중량부 및 도데실 알코올 0.1~1중량부를 첨가한 후, 불활성 가스를 투입하고 전자파를 조사하는 S2단계 및 반응용기에 아세트산 세륨 0.1~1중량부를 첨가한 후, 교반하는 S3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치{MANUFACTURING METHOD OF POLY LACTIC ACID COPOLYMER AND THE PRODUCTION APPARATUS THEREOF}
본 발명은 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 효율적으로 고전도성 폴리유산을 제조할 수 있어, 시간ㆍ비용면에서 경제적인 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다.
플라스틱 소재는 다양하고 우수한 기능 및 저렴한 가격으로 현대인의 풍요로운 일상생활과 산업발달에 큰 공헌을 해 온 반면 대량으로 발생 되는 각종 폐비닐, 스티로폼, 플라스틱 용기 등의 소각이나 매립에 따른 환경호르몬 누출, 맹독성의 다이옥신 검출, 폐기물의 불완전 연소에 의한 대기오염 발생 등과 같은 심각한 환경오염의 원인으로 대두되고 있다. 이러한 플라스틱 폐기물의 문제를 해결하기 위하여 사용할 때는 플라스틱의 가공성, 내구성, 기계적 성질을 유지하면서 추가로 사용 후에는 분해성이라는 기능을 부가하여 플라스틱의 편리성과 환경오염 문제 해결을 할 수 있는 연구가 진행되고 있다.
한편, 분해성 플라스틱이란 태양광에 의한 광산화, 케톤 광분해 등 화학반응에 의한 광분해성 플라스틱, 온도 등의 영향에 의한 산화반응에 의해 분해되는 플라스틱인 산화분해 플라스틱, 가수분해반응에 의해 분해되는 플라스틱 및 미생물, 효소 등에 의해 분해되는 플라스틱이 있다. 여기에서 식물에서 유래한 천연고분자인 셀룰로오스, 펙틴, 헤미셀룰로오스, 리그닌, 전분, 볏짚을 기초로 만들어진 생분해성 고분자를 천연 고분자계 생분해성 고분자라고 한다. 이러한 생분해성 고분자를 다양한 분야에 응용함으로써, 환경오염을 줄일 수 있게 된다.
다만 폴리유산을 2차 가공하여 전자파 실드 재료나 각종 도전성 부품, 전지, 캐퍼시터 등의 재료에 대한 연구는 아직 미미한 실정이다.
그리고 고전도성 폴리유산 중합체를 제조하기 위해서는 온도, 압력은 물론 반응물간의 중량비가 매우 중요하다. 또한, 고전도성을 확보하기 위해 도입되는 금속원자단의 폴리유산과의 균일하고 견고한 결합을 할 수 있는 반응조건이 명확히 밝혀지지 않아 폴리유산에 금속 원자를 도입하더라도 전기 전도성의 낮은 폴리유산 중합체가 제조된다는 문제가 있었다.
또한, 전도성 폴리유산 중합체를 제조하기 위해 필요한 장치가 분리되어 있어 제조원가와 생산 효율이 낮다는 문제도 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 폴리유산을 전자부품에 이용할 수 있도록 온도, 압력 및 중량비 등의 최적의 조건을 적용하여 고전도성을 확보하는 것은 물론 제조원가도 줄일 수 있는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 원하는 고전도성의 폴리유산 중합체를 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 단일 장치를 이용하여 치환반응과 중합반응을 수행할 수 있는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법은 반응용기에 폴리유산 100중량부, 락티드 10~20중량부 및 폴리글리콜산 5~10중량부를 첨가한 후, 교반하는 S1단계, 상기 반응용기에 세린 5~10중량부 및 도데실 알코올 0.1~1중량부를 넣은 후, 불활성 가스를 투입하고 전자파를 조사하는 S2단계 및 반응용기에 아세트산 세륨 0.1~1중량부를 첨가한 후, 교반하는 S3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 S1단계 내지 S3단계는 160~190℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 S1단계는 0.1~0.5기압으로 감압한 상태에서 이루어지며, 상기 S2단계 및 S3단계는 불활성 가스인 질소를 투입하여 1~5기압으로 가압한 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 폴리유산은 분자량이 5,000~10,000인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 S1단계는 반응용기에 촉매인 바나진산 암모늄 0.1~10중량부 및 산화바나듐 0.1~10중량부를 더 더 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 S3단계의 교반을 중지한 상태에서, 160~190℃의 온도를 유지하고 0.1~0.5기압으로 감압하는 S4단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 S4단계가 종료된 후, 불활성 가스를 투입하여 2~3기압으로 가압하여 반응기 내의 반응물을 배출시키는 S5단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조방법에서 S1단계 내지 S3단계의 온도를 유지하는 방식은 히터에 의해 열매체가 가열되고, 가열된 열매체를 통해 반응용기에 열이 전달되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조장치는 상부에는 원료 유입구, 질소/전자파 유입구 및 질소 배출구가 구비되고, 하부에는 반응물 배출구가 구비되는 반응용기, 반응용기 내의 반응물을 교반시키는 교반기, 반응용기를 가열시키는 열공급부, 질소/전자파 유입구와 연결되어 반응용기 내의 반응물에 전자파 및 질소가스를 공급하는 질소/전자파 공급부 및 질소 배출구와 연결되어 반응용기 내를 감압시키는 감압펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조장치에서 열공급부는 상기 반응용기의 측면과 하면을 감싸고 내부에는 열매체가 내장된 열전달 자켓, 상기 열전달 자켓에 열을 공급하는 히터를 포함하고, 열매체는 실리콘 오일인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조장치에서 질소/전자파 공급부는 상기 질소/전자파 유입구를 통해 반응용기 내에 위치하여 반응물에 질소 및 전자파를 공급하는 혼 안테나, 상기 혼 안테나와 연결되고 질소 유입구가 구비되는 도파관 및 상기 도판관과 연결되고 전자파를 발생시키는 마그네트론발진기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산의 제조장치에서 질소/전자파 유입구는 반응용기의 중심에서 반응용기 직경(D)의 3/8 만큼 떨어진 위치에 설치되는 것을 특징으로 한다.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치는 폴리유산을 전자부품에 상용화할 수 있는 온도, 압력 및 중량비의 최적의 조건을 적용하여 고전도성을 확보할 수 있고, 효율이 우수하여 제조원가를 줄이는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치는 간편하고 효율적으로 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한,본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법 및 그 제조장치는 단일 장치로 치환반응과 중합반응을 수행할 수 있고, 시간ㆍ비용면에서 경제적이다.
도 1은 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법의 일실시예를 도시하는 공정도이다.
도 2는 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치를 도시하는 개념도이다.
도 3은 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치의 질소/전자파 공급부를 도시하는 개념도이다.
도 4는 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치의 질소/전자파 유입구의 위치를 설명하는 개념도이다.
도 5는 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치의 반응용기 내에서 반응물이 이동하는 모습을 도시하는 개념도이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명의 설명에서 동일 또는 유사한 구성요소는 동일 또는 유사한 도면번호를 부여하고, 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법의 일실시예를 도시하는 공정도로서, 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법은 반응용기에 폴리유산 100중량부, 락티드 10~20중량부 및 폴리글리콜산 5~10중량부를 첨가한 후, 교반하는 S1단계; 상기 반응용기에 세린 5~10중량부 및 도데실 알코올 0.1~1중량부를 첨가한 후, 불활성 가스를 투입하고 전자파를 조사하는 S2단계; 및 상기 반응용기에 아세트산 세륨 0.1~1중량부를 첨가한 후, 교반하는 S3단계;를 포함하는 것이다.
본 발명에 따른 S1단계는 반응용기에 폴리유산 100중량부, 락티드 10~20중량부 및 폴리 글리콜산(glycollic acid) 5~10중량부 등의 원료를 넣은 후, 교반하는 것이다. 그리고 S1단계는 160~190℃의 온도 및 0.1~0.5기압으로 감압한 상태에서 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 S1단계는 촉매인 바나진산 암모늄(NH4VO3) 0.1~10중량부 및 산화바나듐(vanadium oxide) 0.1~10중량부를 더 첨가하여 이루어질 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 산화바나듐은 일산화바나듐(VO), 이산화바나듐(VO2), 삼산화바나듐(V2O3) 및 오산화바나듐(V2O5) 중에서 어느 하나가 선택되는 것이다.
본 발명에 따른 락티드(lactide)는 α-히드록시산의 2분자가 카르복시기와 히드록시기 사이에서 고리화된 에스테르화합물로서, D-, L-, DL-락티드의 3개의 이성질체 모두 사용될 수 있다.
그리고 화학식 1은 유산에서 폴리유산으로 변환된 모습을 나타내는 것으로서, 본 발명에 따른 폴리유산(PLA, Poly Lactic Acid)은 락티드(Lactid)가 공존하고, 이 락티드가 환(環)상의 펩티드를 형성할 수 있기 때문에 평균 분자량이 2,000~10,000, 바람직하게는 5,000~10,000인 저분자 폴리유산을 사용하는 것이 바람직하다.
<화학식 1>
Figure 112011024037204-pat00001

본 발명에 따른 S2단계는 반응용기에 세린(serine) 5~10중량부 및 도데실 알코올(dodecyl alcohol) 0.1~1중량부를 넣은 후, 불활성 가스를 투입하고 전자파를 조사하는 것이다. 본 발명에 따른 반응물에 전자파를 조사함으로써 락티드에서 환상의 펩티드로 변환되는 N-H 치환 반응과 축중합 반응이 촉진된다.
그리고 S2단계는 불활성 가스인 질소를 투입하여 1~5기압으로 가압한 상태에서 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 세린(serine)은 a-아미노산으로 화학식은 HOCH2CH(NH2)COOH이며, 물에는 녹지만 알코올 또는 에테르에는 녹지 않는 아미노산의 한 종류이다. 그리고 본 발명에서는 세린 이외에도 펩티드 결합을 하는 친수성 아미노산인 아스파라긴, 시스테인, 글루타민, 글리신, 트레오닌, 티로신, 리신, 아스파르트산, 글루탐산, 아르기닌 및 히스티딘 중에서 어느 하나가 선택되는 아미노산을 사용할 수 있다.
화학식 2는 락티드에서 환상의 펩티드로 변환된 모습을 나타내는 것으로서, 환상의 펩티드는 다수의 측쇄를 가져 후술할 금속원자단의 결합이 용이하다.
<화학식 2>
Figure 112011024037204-pat00002
상기 화학식 2에서 R은 아미노산이다.
본 발명에 따른 S3단계는 반응용기에 아세트산 세륨(Acetic Acid cerium, Ce) 0.1~1중량부를 첨가한 후, 교반하는 것이다. 본 발명에 따른 세륨은 주기율표 란타넘족에 속하는 희토류 원소의 하나이다. 그리고 본 발명은 아세트산 세륨를 대신하여 질산 세륨, 질산세륨암모늄, 염화세륨 중에서 어느 하나를 선택하여 사용할 수도 있다.
또한, 세륨을 포함하는 화합물 이외에도 다른 희토류 원소를 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.
그리고 S3단계는 불활성 가스인 질소를 투입하여 1~5기압으로 가압한 상태에서 이루어질 수 있다.
화학식 3은 환상의 폴리펩티드의 측쇄에 금속원자단이 결합된 모습을 나타낸 것으로서, 폴리펩티드의 아미노산(R)에 세륨 등의 금속원자단이 결합되어 고전도성 폴리유산 중합체를 생성할 수 있다.
<화학식 3>
Figure 112011024037204-pat00003
상기 화학식 3에서 M은 금속원자단이고, R은 아미노산이다.
본 발명에 따른 S4단계는 S3단계의 교반을 중지한 상태에서, 160~190℃의 온도를 유지하고 0.1~0.5기압으로 감압하는 것이다.
본 발명에 따른 S5단계는 S4단계가 종료된 후, 불활성 가스를 투입하여 2~3기압으로 가압하여 반응기 내의 반응물을 배출시키는 것이다.
본 발명의 따른 S1단계 내지 S3단계는 160~190℃의 반응온도에서 이루어지고, 160℃ 미만인 경우에는 원활한 반응이 이루어지지 않거나 반응이 느리게 진행될 수 있다. 그리고 S1단계 내지 S3단계가 190℃를 초과하여 이루어지는 경우에는 반응물의 증발이 많이 이루어져 반응이 원활히 진행되지 않는다.
이하 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치를 도 2 내지 도 5를 통해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치를 도시하는 개념도이다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치는 상부에는 원료 유입구(112a, 112b), 질소/전자파 유입구(114) 및 질소 배출구(116)가 구비되고, 하부에는 반응물 배출구(118)가 구비되는 반응용기(110); 상기 반응용기(110) 내의 반응물을 교반시키는 교반기(130); 상기 반응용기(110)를 가열시키는 열공급부(150); 상기 질소/전자파 유입구(114)와 연결되어 반응용기(110) 내의 반응물에 전자파 및 질소가스를 공급하는 질소/전자파 공급부(170); 및 상기 질소 배출구(116)와 연결되어 상기 반응용기(110) 내를 감압시키는 감압펌프(190);를 포함한다.
본 발명에 따른 열공급부(150)는 상기 반응용기(110)의 측면과 하면을 감싸고 내부에는 열매체가 내장된 열전달 자켓(152), 상기 열전달 자켓(152)에 열을 공급하는 히터(154)를 포함한다.
그리고 열매체는 반응물보다 비열이 작은 실리콘계 오일을 사용하며, 반응물에 전달되는 열은 열매체를 통해 간접적으로 이루어지게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치의 질소/전자파 공급부를 도시하는 개념도로서, 도시된 바와 같이 질소/전자파 공급부(170)는 질소/전자파 유입구(114)를 통해 반응용기(110) 내에 위치하여 반응물에 질소 및 전자파를 공급하는 혼 안테나(172), 상기 혼 안테나(172)와 연결되고 질소 유입구(174)가 구비되는 도파관(176) 및 상기 도판관(176)과 연결되고 전자파를 발생시키는 마그네트론발진기(178)를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체의 제조에 있어서, 반응용기(110) 내의 가압은 불활성 가스인 질소 가스를 주입하여 행하고, 감압은 반응용기(110)와 연결된 감압펌프(190)에 의해 이루어진다. 그리고 반응용기(110)와 감압펌프(190) 사이에는 열교환기(180)가 구비되어 감압펌프(190)로 유입되는 가스의 온도를 조절하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치의 질소/전자파 유입구의 위치를 설명하는 개념도로서, 도시된 바와 같이 질소/전자파 유입구(114)는 반응용기(110)의 중심을 기준으로 반응용기의 직경(D)의 3/8 만큼 떨어진 위치에 설치될 수 있고, 이 위치에 설치하면 전자파의 조사량이 반응물 표면 전체에 균일하게 분포된다.
이를 테면 뿔 형의 혼 안테나(172)에서 방사되는 전자파는 반응물의 표면에 직접 조사되는 것뿐만 아니라 반응용기 내부에서 반사된 반사파도 조사하게 되며, 반응물은 교반기(130)로 교반되면서 이동하기 때문에 균일한 조사를 받을 수 있게 된다.
마그네트론 발진기(178)의 출구와 근접한 곳에서 전자파의 투과 손실에 적은 부재(예를 들면 마이카판 등)를 설치하여 해당 마그네트론 발진기와 도파관(176)을 물리적으로 차폐하며, 도파관(176)에 질소 유입구(174)를 설치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 질소 가스는 도파관(176) 내부를 흘러 뿔형 혼 안테나(567)를 통해 반응용기에 공급된다. 질소 가스가 공급됨에 따라 도파관(176) 내부에 반응물의 증기가 침입하는 것을 막을 수 있고, 반응에 필요한 압력 조절을 하며, 환상의 폴리 펩티드를 생성할 수 있다.
이러한 기구를 갖추지 않고 장치 측면 혹은 밑부분 혹은 윗부분으로 유리창 등을 통하여 전자파를 공급하는 것도 가능하지만 유리 표면에 반응물의 증기 혹은 반응물 그 자체가 고화되어 전자파의 투과를 방해, 손실이 커지게 되기 때문에 바람직하지 않다.
도 5는 본 발명에 따른 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치의 반응용기 내에서 반응물이 이동하는 모습을 도시하는 개념도로서, 도시된 바와 같이 반응용기의 중심부부터 하강류에 대해서는 외연부에서는 상승류가 되며, 반응물 전체는 중합장치 내를 오른쪽으로 소용돌이 치며 이동하게 되나, 외연부는 중심과 비교할 때 속도가 빠르기 때문에 균일하게 전자파 조사를 받는 것이 가능하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
S1단계에 따라 반응용기에 평균 분자량 5,000~10,000인 폴리유산 100중량부, 폴리글리콜산 5~10중량부 및 락티드 10~20중량부를 넣는다. 그리고, 반응용기에 촉매인 바나진산암모늄 0.1~10중량부 및 산화바나듐 0.1~10중량부를 첨가하고 교반한다. 이 때 히터를 작동시켜 반응용기 내의 온도를 160~190℃로 가열시키고, 반응용기 내의 압력은 감압펌프를 이용하여 0.1~0.5기압으로 조정한다.
S2단계에 따라 반응용기에 세린 5~10중량부 및 도데실 알코올 0.1~1중량부를 넣고, 질소/전자파 공급부를 통해 반응물에 질소 및 전자파를 공급한다. 그리고 전자파는 정격출력 3KW의 마그네트론 발진기로부터 주파수 2.45GHz, 반응물 1kg당 30~100W가 되도록 전자파를 조사하고, 전자파 조사시 반응용기 내의 온도는 160~190℃, 압력은 1~5기압으로 유지시킨다.
S3단계에 따라 도데실 알코올 0.1~1중량부 및 아세트산 세륨 0.1~1중량부를 첨가하고 교반한다.
S4단계에 따라 전자파, 질소의 공급 및 교반을 중지한 상태에서 160~190℃의 온도는 유지시키고, 압력은 0.1~0.5기압으로 감압한다.
S5단계에 따라 전자파 조사가 종료된 후, 질소를 공급하여 2~3기압으로 가압하여 반응기 내의 반응물을 배출시키고, 실시예 1에 따라 배출된 반응물은 세륨(금속원자단)이 결합된 고전도성 폴리유산을 제조한다.
이상에서 설명된 본 발명은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
110 : 반응용기 112a, 112b : 원료 유입구
114 : 질소/전자파 유입구 116 : 질소 배출구
118 : 반응물 배출구 130 : 교반기
132 : 교반날개 150 : 열공급부
152 : 열전달 자켓 154 : 히터
170 : 질소/전자파 공급부 172 : 혼 안테나
174 : 질소 유입구 176 : 도파관
178 : 마그네트론 발진기 180 : 열교환기
190 : 감압펌프

Claims (12)

  1. 반응용기에 폴리유산 100중량부, 락티드 10~20중량부 및 폴리글리콜산 5~10중량부를 넣은 후, 교반하는 S1단계;
    상기 반응용기에 세린 5~10중량부 및 도데실 알코올 0.1~1중량부를 첨가한 후, 불활성 가스를 투입하고 전자파를 조사하는 S2단계; 및
    상기 반응용기에 아세트산 세륨 0.1~1중량부를 첨가한 후, 교반하는 S3단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 S1단계 내지 S3단계는 160~190℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 S1단계는 0.1~0.5기압으로 감압한 상태에서 이루어지며, 상기 S2단계 및 S3단계는 불활성 가스인 질소를 투입하여 1~5기압으로 가압한 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 폴리유산은 분자량이 5,000~10,000인 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 S1단계는 반응용기에 촉매인 바나진산 암모늄 0.1~10중량부 및 산화바나듐 0.1~10중량부를 더 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 S3단계의 교반을 중지한 상태에서, 160~190℃의 온도를 유지하고 0.1~0.5기압으로 감압하는 S4단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 S4단계가 종료된 후, 불활성 가스를 투입하여 2~3기압으로 가압하여 반응기 내의 반응물을 배출시키는 S5단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 S1단계 내지 S3단계의 온도를 유지하는 방식은 전기히터에 의해 열매체가 가열되고, 가열된 열매체를 통해 반응용기에 열이 전달되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체의 제조방법.
  9. 상부에는 원료 유입구, 질소/전자파 유입구 및 질소 배출구가 구비되고, 하부에는 반응물 배출구가 구비되는 반응용기;
    상기 반응용기 내의 반응물을 교반시키는 교반기;
    상기 반응용기를 가열시키는 열공급부;
    상기 질소/전자파 유입구와 연결되어 상기 반응용기 내의 반응물에 전자파 및 질소가스를 공급하는 질소/전자파 공급부; 및
    상기 질소 배출구와 연결되어 상기 반응용기 내를 감압시키는 감압펌프;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 열공급부는 상기 반응용기의 측면과 하면을 감싸고 내부에는 열매체가 내장된 열전달 자켓, 상기 열전달 자켓에 열을 공급하는 히터를 포함하고,
    상기 열매체는 실리콘 오일인 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 질소/전자파 공급부는 상기 질소/전자파 유입구를 통해 반응용기 내에 위치하여 반응물에 질소 및 전자파를 공급하는 혼 안테나, 상기 혼 안테나와 연결되고 질소 유입구가 구비되는 도파관 및 상기 도판관과 연결되고 전자파를 발생시키는 마그네트론발진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 질소/전자파 유입구는 반응용기의 중심에서 반응용기 직경의 3/8 만큼 떨어진 위치에 설치되는 것을 특징으로 하는 고전도성 폴리유산 중합체 제조장치.
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