KR101284278B1 - Solar cell module and interconnector used in solar cell module - Google Patents

Solar cell module and interconnector used in solar cell module Download PDF

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 제 1 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판, 제 2 타입의 불순물을 함유하여 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부, 반도체 기판의 후면 상부에 형성되며 에미터부와 전기적으로 연결되는 복수의 제 1 전극, 및 반도체 기판의 후면 상부에 복수의 제 1 전극과 교대로 이격되어 형성되며 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 복수의 제 2 전극을 포함하는 제 1 태양 전지와 제 2 태양 전지; 및 제 1 태양 전지의 복수의 제 1 전극과 제 2 태양 전지의 복수의 제 2 전극을 서로 전기적으로 직렬 연결하거나 제 1 태양 전지의 복수의 제 2 전극과 제 2 태양 전지의 복수의 제 1 전극을 서로 전기적으로 직렬 연결하되, 제 1 태양 전지 및 제 2 태양 전지와 접촉하는 면의 일부분에는 복수 개의 절연층을 포함한다.
The present invention relates to a solar cell module and the interconnector used in the solar cell module.
One example of a solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate containing a first type of impurity, an emitter part containing a second type of impurity to form a pn junction with a semiconductor substrate, and an emitter part formed on an upper surface of a rear surface of the semiconductor substrate. A first solar cell including a plurality of first electrodes electrically connected to each other, and a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate and alternately spaced apart from the plurality of first electrodes and electrically connected to the semiconductor substrate; A second solar cell; And electrically connecting the plurality of first electrodes of the first solar cell and the plurality of second electrodes of the second solar cell to each other in series or to the plurality of first electrodes of the first solar cell and the plurality of first electrodes of the second solar cell. Are electrically connected in series with each other, and a plurality of insulating layers are formed on a portion of the surface in contact with the first solar cell and the second solar cell.

Description

태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터{SOLAR CELL MODULE AND INTERCONNECTOR USED IN SOLAR CELL MODULE}SOLAR CELL MODULE AND INTERCONNECTOR USED IN SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module and the interconnector used in the solar cell module.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.With the recent prediction of the depletion of existing energy resources such as oil and coal, there is a growing interest in alternative energy to replace them, and accordingly, solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.BACKGROUND ART A typical solar cell includes a substrate and an emitter made of semiconductors of different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어 전자와 정공은 n형의 반도체와 p형 반도체 쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판 쪽으로 각각 이동하고, 기판과 에미터부와 전기적으로 연결된 전극에 의해 수집되며, 이 전극들을 전선으로 연결하여 전력을 얻는다.When light is incident on the solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes charged by the photovoltaic effect, respectively, and the electrons and holes are n-type. Move toward the semiconductor and the p-type semiconductor, for example toward the emitter portion and the substrate, respectively, and are collected by electrodes electrically connected to the substrate and the emitter portion, which are connected by wires to obtain power.

본 발명은 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있는 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module and an interconnector used in the solar cell module that can improve the photoelectric conversion efficiency.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 제 1 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판, 제 2 타입의 불순물을 함유하여 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부, 반도체 기판의 후면 상부에 형성되며 에미터부와 전기적으로 연결되는 복수의 제 1 전극, 및 반도체 기판의 후면 상부에 복수의 제 1 전극과 교대로 이격되어 형성되며 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 복수의 제 2 전극을 포함하는 제 1 태양 전지와 제 2 태양 전지; 및 제 1 태양 전지의 복수의 제 1 전극과 제 2 태양 전지의 복수의 제 2 전극을 서로 전기적으로 직렬 연결하거나 제 1 태양 전지의 복수의 제 2 전극과 제 2 태양 전지의 복수의 제 1 전극을 서로 전기적으로 직렬 연결하되, 제 1 태양 전지 및 제 2 태양 전지와 접촉하는 면의 일부분에는 복수 개의 절연층을 포함하는 인터커넥터를 포함한다.One example of a solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate containing a first type of impurity, an emitter part containing a second type of impurity to form a pn junction with a semiconductor substrate, and an emitter part formed on an upper surface of a rear surface of the semiconductor substrate. A first solar cell including a plurality of first electrodes electrically connected to each other, and a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate and alternately spaced apart from the plurality of first electrodes and electrically connected to the semiconductor substrate; A second solar cell; And electrically connecting the plurality of first electrodes of the first solar cell and the plurality of second electrodes of the second solar cell to each other in series or to the plurality of first electrodes of the first solar cell and the plurality of first electrodes of the second solar cell. The electrical connection in series with each other, the portion of the surface in contact with the first solar cell and the second solar cell includes an interconnector comprising a plurality of insulating layers.

여기서, 인터커넥터는 제 1 태양 전지와 제 2 태양 전지를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 전기 전도성 물질의 도전층; 및 도전층의 측면 중 제 1 태양 전지 및 제 2 태양 전지와 접촉하는 면에 부분적으로 형성되어 서로 바로 인접한 제 1 전극과 제 2 전극이 서로 단락되는 것을 방지하는 복수 개의 절연층;포함할 수 있다.Here, the interconnector may include a conductive layer of an electrically conductive material electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other in series; And a plurality of insulating layers partially formed on the side of the conductive layer in contact with the first solar cell and the second solar cell to prevent the first electrode and the second electrode immediately adjacent to each other from being shorted to each other. .

또한, 도전층은 복수 개의 제 1 전극 또는 복수 개의 제 2 전극과 각각 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층과 복수 개의 제 1 도전층을 서로 전기적으로 연결하는 제 2 도전층을 포함할 수 있다.In addition, the conductive layer may include a plurality of first conductive layers in contact with the plurality of first electrodes or the plurality of second electrodes, and a second conductive layer electrically connecting the plurality of first conductive layers to each other.

또한, 복수 개의 절연층의 길이는 복수 개의 절연층 각각과 맞 닿는 제 1 전극 또는 제 2 전극의 폭보다 넓게 할 수 있다.In addition, the length of the plurality of insulating layers may be wider than the width of the first electrode or the second electrode in contact with each of the plurality of insulating layers.

제 1 태양 전지와 접촉하는 복수의 제 1 도전층 중 적어도 하나의 길이는 제 1 태양 전지와 접촉하는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 길이보다 길고, 제 2 태양 전지와 접촉하는 복수의 제 1 도전층 중 적어도 하나의 길이는 제 2 태양 전지와 접촉하는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 길이보다 짧을 수 있다. The length of at least one of the plurality of first conductive layers in contact with the first solar cell is longer than the length of at least one of the plurality of insulating layers in contact with the first solar cell, and the plurality of first conductive layers in contact with the second solar cell. The length of at least one of the layers may be shorter than the length of at least one of the plurality of insulating layers in contact with the second solar cell.

또한, 인터커넥터에서 복수 개의 제 1 도전층의 두께는 복수 개의 절연층의 두께와 동일할 수 있다.In addition, the thickness of the plurality of first conductive layers in the interconnector may be the same as the thickness of the plurality of insulating layers.

또한, 제 1 태양 전지 및 제 2 태양 전지에서 복수의 제 1 전극 각각은 제 1 폭을 가지는 제 1 부분과 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가지는 제 2 부분을 하나이상 포함하고, 제 1 태양 전지 및 제 2 태양 전지에서 복수의 제 2 전극 각각은 제 3 폭을 가지는 제 3 부분과 제 3 폭보다 큰 제 4 폭을 가지는 제 4 부분을 하나이상 포함하며, 인터커넥터는 제 1 태양 전지의 제 1 부분과 제 2 태양 전지의 제 4 부분을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.Further, in the first solar cell and the second solar cell, each of the plurality of first electrodes includes at least one first portion having a first width and at least one second portion having a second width less than the first width, the first aspect In the cell and the second solar cell each of the plurality of second electrodes includes at least one third portion having a third width and at least one fourth portion having a fourth width greater than the third width, wherein the interconnector is connected to the first solar cell. The first portion and the fourth portion of the second solar cell can be electrically connected to each other.

또한, 인터커넥터에서 제 1 태양 전지의 제 1 부분 및 제 2 태양 전지의 제 4 부분과 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층 각각의 길이는 제 1 태양 전지의 제 2 부분 및 제 2 태양 전지의 제 3 부분과 접촉하는 복수 개의 절연층 각각의 길이보다 길 수 있다.
In addition, the length of each of the plurality of first conductive layers in contact with the first portion of the first solar cell and the fourth portion of the second solar cell is equal to the length of the second portion of the first solar cell and the second solar cell. It may be longer than the length of each of the plurality of insulating layers in contact with the three portions.

또한, 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터는 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 전기 전도성 물질의 도전층; 및 도전층의 측면 중 일면에 부분적으로 형성되어 단락을 방지하는 복수 개의 절연층;포함한다.In addition, the interconnector electrically connecting the plurality of solar cells to each other may include a conductive layer of an electrically conductive material electrically connecting the plurality of solar cells to each other in series; And a plurality of insulating layers partially formed on one surface of the side of the conductive layer to prevent a short circuit.

여기서, 인터커넥터는 복수 개의 절연층이 형성되지 않은 도전층의 반대면에 형성되며, 절연성 물질로 이루어지는 베이스층을 더 포함할 수 있다.The interconnector may be formed on an opposite surface of the conductive layer on which the plurality of insulating layers are not formed, and may further include a base layer made of an insulating material.

또한, 도전층은 복수 개의 제 1 전극 또는 복수 개의 제 2 전극과 각각 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층과 복수 개의 제 1 도전층을 서로 전기적으로 연결하는 제 2 도전층을 포함할 수 있다.In addition, the conductive layer may include a plurality of first conductive layers in contact with the plurality of first electrodes or the plurality of second electrodes, and a second conductive layer electrically connecting the plurality of first conductive layers to each other.

또한, 인터커넥터에서 복수 개의 제 1 도전층의 두께는 복수 개의절연층의 두께와 동일할 수 있다.In addition, the thickness of the plurality of first conductive layers in the interconnector may be the same as the thickness of the plurality of insulating layers.

또한, 복수의 제 1 도전층 중 적어도 하나의 길이는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 길이보다 길 수 있다.In addition, the length of at least one of the plurality of first conductive layers may be longer than the length of at least one of the plurality of insulating layers.

다른 일례로, 인터커넥터 중 일부분에서 제 1 도전층의 길이는 절연층의 길이보다 길고, 인터커넥터의 나머지 부분 중 적어도 일부분에서 제 1 도전층의 길이는 절연층의 길이보다 짧을 수도 있다.In another example, the length of the first conductive layer in a portion of the interconnect may be longer than the length of the insulating layer, and in at least a portion of the remaining portions of the interconnect the length of the first conductive layer may be shorter than the length of the insulating layer.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인접한 전극들이 서로 단락되는 것을 방지하는 인터커넥터를 사용함으로써 태양 전지 모듈의 효율을 향상시키고, 공정을 용이하게 하여 공정 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.As described above, the solar cell module according to the present invention has an effect of improving the efficiency of the solar cell module and shortening the process time by using an interconnector that prevents adjacent electrodes from being shorted to each other.

도 1은 본 발명에 따른 후면 접합 태양 전지(interdigitated back contact, IBC)의 일부 사시도의 일례이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 후면 접합 hybrid 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 4는 도 3에 도시한 태양 전지를 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 MWT(Metal Wrap Through) 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 6는 도 5에 도시한 태양 전지를 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 EWT (Emitter Wrap Through) 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 8은 도 7에 도시한 태양 전지를 Ⅷ-Ⅷ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 태양 전지에서 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴의 일례를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 10은 본 발명에 따른 제 1 전극 및 제 2 전극과 비교 설명하기 위한 다른 패턴의 제 1 전극 및 제 2 전극을 간략하게 도시한 도이다.
도 11 내지 도 14는 본 발명에 따른 태양 전지가 도 9에 따른 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴을 가질 때, 태양 전지 모듈 및 인터커넥터의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 15는 본 발명에 따른 태양 전지에서 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴의 다른 일례를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 16은 본 발명에 따른 태양 전지가 도 15에 따른 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴을 가질 때, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
1 is an example of some perspective view of an interdigitated back contact (IBC) in accordance with the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 cut along the line II-II.
3 is an example of a partial perspective view of a back junction hybrid solar cell in accordance with the present invention.
4 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 3 taken along the line IV-IV.
5 is an example of a partial perspective view of a metal wrap through (MWT) solar cell according to the present invention.
6 is a cross-sectional view of the solar cell illustrated in FIG. 5 taken along the line VI-VI.
7 is an example of a partial perspective view of an emitter wrap through (EWT) solar cell in accordance with the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view of the solar cell illustrated in FIG. 7 taken along the line VII-VII.
9 is a view for explaining an example of the pattern of the first electrode and the second electrode in the solar cell according to the present invention in more detail.
FIG. 10 is a view schematically illustrating a first electrode and a second electrode of another pattern for comparison with the first electrode and the second electrode according to the present invention.
11 to 14 are views for explaining an example of the solar cell module and the interconnector when the solar cell according to the present invention has a pattern of the first electrode and the second electrode according to FIG.
15 is a view for explaining another example of the pattern of the first electrode and the second electrode in the solar cell according to the present invention in more detail.
16 is a view for explaining an example of the solar cell module according to the present invention, when the solar cell according to the present invention has a pattern of the first electrode and the second electrode according to FIG.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the description are omitted, and like reference numerals are given to similar portions throughout the specification.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 및 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell and a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 내지 도 6을 참고로 하여 본 발명에 따른 여러 구조의 태양 전지에 대해 상세하게 설명한다.First, the solar cell of various structures according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6.

도 1은 본 발명에 따른 후면 접합 태양 전지(interdigitated back contact, IBC)의 일부 사시도의 일례이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양 전지를 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is an example of a partial perspective view of an interdigitated back contact (IBC) according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 1 taken along line II-II.

도 1 및 도 2를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 제 1 예(1)는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(120), 후면 전계부(back surface field;BSF, 140), 복수의 제 1 전극(121), 및 복수의 제 2 전극(141)을 구비할 수 있다.1 and 2, a first example 1 of a solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter part 120, a back surface field; BSF 140, a plurality of first electrodes 121, and a plurality of second electrodes 141 may be provided.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(140)은 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field unit 140 may be omitted, and are also located between the anti-reflection film 130 and the semiconductor substrate 110 to which light is incident, and have the same conductivity as that of the semiconductor substrate 110. It is also possible to further include a front electric field portion which is an impurity portion containing a type of impurity at a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

이하에서는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(140)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as illustrated in FIGS. 1 and 2, an anti-reflection film 130 and a rear electric field unit 140 will be described as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 기판(100)이 n형의 도전성 타입을 가지므로, 반도체 기판(110)은 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스머스(Bi) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다. The semiconductor substrate 110 is a semiconductor substrate made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity. At this time, since the substrate 100 has an n-type conductivity type, the semiconductor substrate 110 is formed of 5, such as nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), and bismuth (Bi). It may contain an impurity of a valent element.

하지만 이와는 달리, 반도체 기판(110)은 p형의 도전성 타입일 수 있고, 이 경우, 반도체 기판(110)은 붕소(B), 알루미늄(Na), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유할 수 있다. Alternatively, the semiconductor substrate 110 may be a p-type conductive type. In this case, the semiconductor substrate 110 may include boron (B), aluminum (Na), gallium (Ga), indium (In), and titanium ( It may contain impurities of trivalent elements such as Ti).

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가진다. 이로 인해, 반도체 기판(110)의 상부 표면에서의 빛 반사도가 감소하고, 요철면에서 복수 번의 입사와 반사 동작이 행해져 태양 전지(1) 내부에 빛이 갇히게 되고 이로 인해 빛의 흡수율이 증가되므로, 태양 전지(1)의 효율이 향상된다.The upper surface of this semiconductor substrate 110 is textured to have a textured surface that is an uneven surface. As a result, the light reflectance at the upper surface of the semiconductor substrate 110 is reduced, and a plurality of incidence and reflection operations are performed on the uneven surface, so that light is trapped inside the solar cell 1, thereby increasing light absorption. The efficiency of the solar cell 1 is improved.

반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 반사 방지막(130)은 태양 전지(1)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜, 태양 전지(1)의 효율을 높인다. The anti-reflection film 130 is positioned on the incident surface of the semiconductor substrate 110 and may be formed of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx: H) or the like. The anti-reflection film 130 reduces the reflectance of light incident on the solar cell 1 and increases the selectivity of a specific wavelength region, thereby increasing the efficiency of the solar cell 1.

에미터부(120)는 반도체 기판(110)의 전면과 마주보고 있는 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(120)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(120)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 불순물(p++)이 고농도로 함유되어 있어, 기판(100)과 p-n 접합을 형성한다. 따라서, 에미터부(120)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 포함한다. 이와 같은 복수의 에미터부(120)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물(p++)이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The emitter portions 120 are spaced apart from each other in the rear surface facing the front surface of the semiconductor substrate 110 and extend in parallel with each other. There may be a plurality of emitters 120 as described above, and the plurality of emitters 120 may have a high concentration of a second conductivity type, for example, p-type impurities, which is opposite to the conductivity type of the semiconductor substrate 110. And a pn junction with the substrate 100. Therefore, the emitter unit 120 includes impurities of trivalent elements such as boron (B), gallium (Ga), indium (In), and the like. The plurality of emitters 120 may be formed by containing a high concentration of p-type impurities p ++, which is a second conductivity type opposite to the conductivity type of the crystalline silicon semiconductor substrate 110, through a diffusion process.

후면 전계부(140)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(120)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(120)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(120)와 복수의 후면 전계부(140)는 교대로 위치한다.The rear electric field unit 140 may be provided in plural inside the rear surface of the semiconductor substrate 110. The rear electric field unit 140 may be spaced apart in parallel with the plurality of emitter units 120 and extend in the same direction as the plurality of emitter units 120. have. Thus, as shown in FIGS. 1 and 2, the plurality of emitter portions 120 and the plurality of rear electric field portions 140 are alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(140)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(140)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric field parts 140 are impurities, for example, n ++ parts, in which impurities of the same conductivity type as those of the semiconductor substrate 110 are contained at a higher concentration than the semiconductor substrate 110. The plurality of rear electric field parts 140 may be formed by containing a high concentration of impurities (n ++) having the same conductivity type as that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 through a diffusion process.

이로 인해, 반도체 기판(110)과 복수의 후면 전계부(140)와의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되어 후면 전계부(140) 쪽으로 이동한 정공이 제 2 전극(141)쪽으로 이동하는 것이 방지되어, 복수의 제 2 전극(141)의 근처에서 전자와 정공이 재결합되어 소멸되는 양이 감소한다.As a result, a potential barrier is formed due to a difference in impurity concentration between the semiconductor substrate 110 and the plurality of rear electric field parts 140, and thus, holes moved to the rear electric field part 140 are prevented from moving toward the second electrode 141. As a result, the amount of electrons and holes recombined and disappears in the vicinity of the plurality of second electrodes 141 is reduced.

이와 같이 복수의 후면 전계부(140)가 태양 전지(1)에 포함될 경우, 복수의 제 2 전극(141)은 후면 전계부(140)를 경유하여 반도체 기판(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.As such, when the plurality of rear electric field units 140 are included in the solar cell 1, the plurality of second electrodes 141 may be electrically connected to the semiconductor substrate 110 via the rear electric field unit 140.

이와 같이 반도체 기판(110)과 복수의 에미터부(120) 간에 형성된 p-n 접합에 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 반도체 기판(110)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. 따라서, 반도체 기판(110)이 n형이고 복수의 에미터부(120)가 p형일 경우, 분리된 정공은 각 에미터부(120)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 복수의 후면 전계부(140)쪽으로 이동한다.As such, electrons, which are charges generated by light incident on the semiconductor substrate 110 due to a built-in potential difference due to a pn junction formed between the semiconductor substrate 110 and the plurality of emitter portions 120, are formed. Hole pairs are separated into electrons and holes, electrons move toward n-type and holes move toward p-type. Therefore, when the semiconductor substrate 110 is n-type and the plurality of emitter portions 120 are p-type, the separated holes move toward each emitter portion 120 and the separated electrons move toward the plurality of rear electric field portions 140. do.

각 에미터부(120)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 복수의 에미터부(120)은 n형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 복수의 에미터부(120)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 복수의 후면 전계부(140) 쪽으로 이동한다.Since each emitter portion 120 forms a pn junction with the semiconductor substrate 110, unlike the present embodiment, when the semiconductor substrate 110 has a p-type conductivity type, the plurality of emitter portions 120 are n-type. It has a conductivity type of. In this case, the separated electrons move toward the plurality of emitter units 120, and the separated holes move toward the plurality of rear electric fields 140.

복수의 제 1 전극(121)은 복수의 에미터부(120)와 각각 물리적·전기적으로 연결되어 복수의 에미터부(120)를 따라서 연장된다. The plurality of first electrodes 121 are physically and electrically connected to the plurality of emitter units 120, respectively, and extend along the plurality of emitter units 120.

이와 같은 복수의 제 1 전극(121)의 패턴은 에미터부(120)의 패턴을 따라 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 전극(121)의 폭이 증가하는 부분에서는 에미터부(120)의 폭도 증가하며, 제 1 전극(121)의 폭이 감소하는 부분에서는 에미터부(120)의 폭도 감소할 수 있다.The patterns of the plurality of first electrodes 121 may be formed along the patterns of the emitter unit 120. Accordingly, the width of the emitter portion 120 may increase in a portion where the width of the first electrode 121 increases, and the width of the emitter portion 120 may also decrease in a portion where the width of the first electrode 121 decreases.

또한, 복수의 제 2 전극(141)은 후면 전계부(140)를 통하여 반도체 기판(11)과 각각 물리적·전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(140)를 따라서 연장된다. In addition, the plurality of second electrodes 141 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 11 through the rear electric field unit 140, respectively, and extend along the plurality of rear electric field units 140.

이와 같은 복수의 제 2 전극(141)의 패턴은 후면 전계부(140)의 패턴을 따라 형성될 수 있다. 제 2 전극(141)의 폭이 증가하는 부분에서는 후면 전계부(140)의 폭도 증가하며, 제 2 전극(141)의 폭이 감소하는 부분에서는 후면 전계부(140)의 폭도 감소할 수 있다.The patterns of the plurality of second electrodes 141 may be formed along the pattern of the rear electric field unit 140. In the portion where the width of the second electrode 141 increases, the width of the rear electric field unit 140 also increases, and in the portion where the width of the second electrode 141 decreases, the width of the rear electric field unit 140 may also decrease.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제 1 전극(121)과 제 2 전극(141)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.Here, the first electrode 121 and the second electrode 141 are physically spaced apart from each other and electrically isolated from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

따라서, 에미터부(120) 상에 형성된 제 1 전극(121)은 해당 에미터부(120)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(140) 상에 형성된 제 2 전극(141)은 해당 후면 전계부(140)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자을 수집한다. Accordingly, the first electrode 121 formed on the emitter part 120 collects the charges, for example, holes, which are moved toward the emitter part 120, and the second electrode formed on the rear field part 140. 141 collects charges, for example electrons, which have moved toward the corresponding backside field 140.

이와 같이, 제 1 전극(121)을 통하여 수집된 정공과 제 2 전극(141)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용되는 것이다.As such, holes collected through the first electrode 121 and electrons collected through the second electrode 141 are used as power of the external device through an external circuit device.

이와 같이 후면 접합 구조의 태양 전지(1)는 제 1 전극(121)과 제 2 전극(141)이 빛이 입사되지 않은 반도체 기판(110)의 후면에 위치하는 태양 전지로서, 그 동작은 다음과 같다.As described above, the solar cell 1 having the back junction structure is a solar cell in which the first electrode 121 and the second electrode 141 are positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110 to which light is not incident. same.

태양 전지(1)로 빛이 조사되어 반사 방지막(130)을 통과하여 반도체 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다. 이때, 반도체 기판(110)의 표면이 텍스처링 표면이므로 반도체 기판(110) 전면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 행해져 빛의 흡수율이 증가되므로, 태양 전지(1)의 효율이 향상된다. 이에 더하여, 반사 방지막(130)에 의해 반도체 기판(110)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 반도체 기판(110)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 더 증가한다.When light is irradiated to the solar cell 1 and passes through the anti-reflection film 130 to be incident on the semiconductor substrate 110, electron-hole pairs are generated in the semiconductor substrate 110 by light energy. At this time, since the surface of the semiconductor substrate 110 is a texturing surface, the light reflectivity on the entire surface of the semiconductor substrate 110 is reduced, and incident and reflection operations are performed on the texturing surface to increase light absorption, thereby increasing the efficiency of the solar cell 1. This is improved. In addition, the reflection loss of light incident on the semiconductor substrate 110 by the anti-reflection film 130 is reduced, so that the amount of light incident on the semiconductor substrate 110 is further increased.

이들 전자-정공 쌍은 반도체 기판(110)과 에미터부(120)의 p-n 접합에 의해 서로 분리되어 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 복수의 에미터부(120)쪽으로 이동하고, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 복수의 후면 전계부(140)쪽으로 이동하여, 각각 제1 전극(121)과 제2 전극(141)에 의해 수집된다. 이러한 제1 전극(121)과 제2 전극(141)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.These electron-hole pairs are separated from each other by the pn junction of the semiconductor substrate 110 and the emitter portion 120 so that the holes move toward a plurality of emitter portions 120 having a p-type conductivity type, and the electrons are n-type Movement toward the plurality of rear electric field portions 140 having the conductivity type is collected by the first electrode 121 and the second electrode 141, respectively. When the first electrode 121 and the second electrode 141 are connected with a conductive wire, a current flows, which is used as power from the outside.

이때, 반도체 기판(110)의 후면에 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물을 고농도로 함유한 후면 전계부(140)가 위치하므로, 반도체 기판(110)의 전면과 후면으로의 정공 이동이 방해된다. 이로 인해, 반도체 기판(110)의 후면에서 전자와 정공이 재결합되어 소멸되는 것이 줄어들어, 태양 전지(1)의 효율은 더욱 더 향상된다.In this case, since the rear electric field unit 140 containing the same conductivity type impurities as the semiconductor substrate 110 in a high concentration is located on the rear surface of the semiconductor substrate 110, hole movement to the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 110 is prevented. Is disturbed. As a result, the electrons and holes are recombined and extinguished in the rear surface of the semiconductor substrate 110, and the efficiency of the solar cell 1 is further improved.

이와 같은 태양 전지(1)는 복수 개가 하나의 모듈에 형성될 수 있으며, 복수 개의 태양 전지(1)는 복수 개의 태양 전지를 서로 연결하는 연결부를 통하여 서로 전기적으로 직렬 연결될 수도 있으며, 병렬 연결될 수도 있다.A plurality of such solar cells 1 may be formed in one module, and the plurality of solar cells 1 may be electrically connected in series with each other through a connection part connecting the plurality of solar cells to each other or may be connected in parallel. .

직렬로 연결된 경우, 복수 개의 태양 전지(1)로 형성된 하나의 태양 전지 모듈에서 출력되는 출력 전압을 높일 수 있으며, 병렬로 연결된 경우, 하나의 태양 전지 모듈에서 출력되는 출력 전류를 크게할 수 있는 것이다.When connected in series, it is possible to increase the output voltage output from one solar cell module formed of a plurality of solar cells (1), and when connected in parallel, it is possible to increase the output current output from one solar cell module. .

지금까지는 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(120)와 후면 전계부(140)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였으나, 이와 다르게 이하에서는 에미터부(120)와 후면 전계부(140)가 비정질 실리콘 층이 층착하여 형성된 후면 접합 hybrid 태양 전지(2)에 대해 설명한다.Up to now, the semiconductor substrate 110 is a single crystal silicon semiconductor substrate 110 and the emitter portion 120 and the rear electric field portion 140 have been described as an example of the diffusion process, but the emitter portion 120 will be described below. And a back junction hybrid solar cell 2 formed by laminating an amorphous silicon layer on the back field unit 140 will be described.

그러나, 이와 같은 후면 접합 hybrid 태양 전지에서도 후면 접합 태양 전지(1)와 동일하게 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제 1 전극(121)과 제 2 전극(141)의 배열 형태가 그대로 적용될 수 있다. However, in the back junction hybrid solar cell as described above, the arrangement of the first electrode 121 and the second electrode 141 formed on the back surface of the semiconductor substrate 110 may be applied in the same manner as the back junction solar cell 1. have.

이하, 도 3 내지 도 8를 참고로 하여, 다양한 실시예를 설명한다. 이들 실시예에서도, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 도 1 및 도 2에 도시한 구성요소와 같은 도면 부호를 부여하고, 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.Hereinafter, various embodiments will be described with reference to FIGS. 3 to 8. In these embodiments, the same reference numerals are used to refer to the components shown in Figs. 1 and 2, and the detailed description thereof will be omitted.

도 3 및 도 4에서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 도 1 및 도 2에 도시한 구성요소와 같은 도면 부호를 부여하고, 그에 대한 자세한 설명은 생략한다. 따라서, 도 1 및 도 2에 도시한 태양 전지(1)와 본 예의 태양 전지(2)의 차이점은 다음과 같다.본 예의 태양 전지(2)에서 복수의 에미터부(120) 및 복수의 후면 전계부(140)는 비정질 실리콘과 같이 도 1 및 도 2의 태양 전지(1)와 다른 재료로 이루어져 있다. 따라서, 에미터부(120)와 기판(110)는 도 1 내지 도 2의 태양 전지(1)와 달리 이종 접합을 이룬다. 3 and 4, the same reference numerals denote the same elements as those shown in FIGS. 1 and 2, and detailed descriptions thereof will be omitted. Therefore, the difference between the solar cell 1 shown in FIGS. 1 and 2 and the solar cell 2 of this example is as follows. In the solar cell 2 of this example, the plurality of emitter portions 120 and the plurality of rear surfaces are shown. The step 140 is made of a material different from the solar cell 1 of FIGS. 1 and 2, such as amorphous silicon. Therefore, the emitter unit 120 and the substrate 110 form a heterojunction unlike the solar cell 1 of FIGS. 1 and 2.

따라서, 후면 접합 hybrid 태양 전지(2)의 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴은 IBC 구조의 태양 전지(1)의 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴과 동일하게 형성될 수 있다.Therefore, the pattern of the first electrode 121 and the second electrode 141 of the back junction hybrid solar cell 2 is the pattern of the first electrode 121 and the second electrode 141 of the solar cell 1 of the IBC structure. It may be formed in the same manner as the pattern.

이와 같은 MWT 태양 전지(3)의 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴에 대해서는 도 9 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The pattern of the first electrode 121 and the second electrode 141 of the MWT solar cell 3 will be described in more detail below with reference to FIG. 9.

도 5을 참고로 하면, MWT 태양 전지(3)의 반도체 기판(110)은 자신을 관통하는 복수의 비아 홀(181)을 구비하고 있다. 복수의 비아 홀(181)은 복수의 전면 전극(123)과 제 1 전극(121)이 교차하는 부분의 반도체 기판(110)에 형성되어 있다. Referring to FIG. 5, the semiconductor substrate 110 of the MWT solar cell 3 includes a plurality of via holes 181 penetrating through the semiconductor substrate 110. The plurality of via holes 181 are formed in the semiconductor substrate 110 at a portion where the plurality of front electrodes 123 and the first electrodes 121 intersect with each other.

이와 같은 MWT 태양 전지(3)의 나머지 부분은 앞선 다른 예의 태양 전지와 유사하므로 이외에 다른 설명은 생략한다.Since the rest of the MWT solar cell 3 is similar to the solar cell of the previous example, other explanations are omitted.

아울러, MWT 태양 전지(3)의 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴은 IBC 구조의 태양 전지(1) 및 후면 접합 hybrid 구조의 태양 전지(2)의 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴과 동일하게 형성될 수 있다.In addition, the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 of the MWT solar cell 3 may include the first electrode 121 of the solar cell 1 having an IBC structure and the solar cell 2 having a back junction hybrid structure. ) And the second electrode 141 may be formed in the same pattern.

이와 같은 MWT 태양 전지(3)의 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴에 대해서는 도 9 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.The pattern of the first electrode 121 and the second electrode 141 of the MWT solar cell 3 will be described in more detail below with reference to FIG. 9.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, EWT 태양 전지(4)는 MWT 태양 전지(3)와 동일하게 에미터부(120)는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 입사면 내부, 비아 홀(181) 내의 반도체 기판(110) 내부, 및 반도체 기판(110)의 후면 내부에 형성될 수 있다. 이와 같은 에미터부(120)는 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 이룬다. As shown in FIGS. 7 and 8, the EWT solar cell 4 is the same as the MWT solar cell 3, and the emitter portion 120 is formed in the semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 7 and 8. It may be formed in the incident surface, in the semiconductor substrate 110 in the via hole 181, and in the rear surface of the semiconductor substrate 110. The emitter unit 120 forms a p-n junction with the semiconductor substrate 110.

이와 같은 EWT 태양 전지(4)는 후면에 형성되는 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 배열 형태가 반도체 기판(110)의 후면 상부에 길게 뻗어 있는 형태로 앞서 설명한 다른 구조의 태양 전지와 동일할 수 있다. The EWT solar cell 4 has a structure in which the first electrode 121 and the second electrode 141 formed on the rear surface of the EWT solar cell 4 extend in the upper portion of the rear surface of the semiconductor substrate 110. It may be the same as the battery.

이하에서는 전술한 여러 구조의 태양 전지의 후면에 형성되는 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)에 대해 설명한다.Hereinafter, the first electrode 121 and the second electrode 141 formed on the rear surface of the solar cell having various structures described above will be described.

도 9는 본 발명에 따른 태양 전지에서 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴의 일례를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이고, 도 10은 본 발명에 따른 제 1 전극 및 제 2 전극과 비교 설명하기 위한 다른 패턴의 제 1 전극 및 제 2 전극을 간략하게 도시한 도이다.9 is a view for explaining in more detail an example of the pattern of the first electrode and the second electrode in the solar cell according to the present invention, Figure 10 is for comparison with the first electrode and the second electrode according to the present invention Fig. 1 is a diagram briefly showing the first and second electrodes of different patterns.

이와 같이 도 9에 도시된 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴이 적용되는 태양 전지는 도 1 내지 도 8에서 설명한 태양 전지에 모두 적용될 수 있다. As described above, the solar cells to which the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 shown in FIG. 9 are applied may be applied to all of the solar cells described with reference to FIGS. 1 to 8.

이 외에도, 도 9에 도시된 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴은 도 1 내지 도 8에서 설명한 태양 전지 이외에도 에미터부(120)가 반도체 기판(110)의 후면에 위치하는 경우에는 모두 적용될 수 있다.In addition, the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 illustrated in FIG. 9 may include the emitter unit 120 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in addition to the solar cells described with reference to FIGS. 1 to 8. In all cases, this may apply.

따라서, 이하에서는 특별한 설명이 없어도 전술한 다양한 구조의 태양 전지에 모두 적용되는 것을 전제로 설명한다.Therefore, hereinafter, it will be described on the premise that all of the above-described solar cells of various structures are applied without any special description.

도 9와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제 1 전극(121)을 서로 전기적으로 연결하거나 복수의 제 2 전극(141)을 서로 전기적으로 연결하는 버스바 전극이 없다. 아울러, 복수의 제 1 전극(121)과 반도체 기판(110) 사이에는 복수의 제 1 전극(121)과 패턴이 동일하고, 복수의 제 1 전극(121)과 폭이 실질적으로 동일한 에미터부(120)가 형성되고, 복수의 제 2 전극(141)과 반도체 기판(110) 사이에는 복수의 제 2 전극(141)과 패턴이 동일하고, 복수의 제 2 전극(141)과 폭이 실질적으로 동일한 후면 전계부(140)가 형성된다.As shown in FIG. 9, a solar cell according to the present invention has a bus bar electrode electrically connecting a plurality of first electrodes 121 to each other or a plurality of second electrodes 141 electrically connected to a rear surface of a semiconductor substrate 110. There is no In addition, the emitter portion 120 having the same pattern as the plurality of first electrodes 121 and having substantially the same width as the plurality of first electrodes 121 between the plurality of first electrodes 121 and the semiconductor substrate 110. ) Is formed, and the plurality of second electrodes 141 and the semiconductor substrate 110 is the same pattern as the plurality of second electrodes 141, the back surface substantially the same as the plurality of second electrodes 141 The electric field unit 140 is formed.

즉, 본 발명에 따른 태양 전지는 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 제 1 전극(121)을 서로 전기적으로 연결하는 제 1 버스바 전극(125)이나 복수의 제 2 전극(141)을 서로 전기적으로 연결하는 제 2 버스바 전극(145)이 없다.That is, in the solar cell according to the present invention, as shown in FIG. 10, the first bus bar electrode 125 or the plurality of second electrodes 141 electrically connecting the plurality of first electrodes 121 to each other. There is no second busbar electrode 145 to connect electrically.

본 발명과 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제 1 전극(121) 또는 복수의 제 2 전극(141)을 서로 전기적으로 연결하는 버스바 전극이 없는 경우, 전기적 그림자 손실(electrical shadowing loss)을 감소시킬 수 있어 태양 전지의 광전 변환 효율을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.As in the present invention, when there are no busbar electrodes electrically connecting the plurality of first electrodes 121 or the plurality of second electrodes 141 to each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110, electrical shadowing loss ) Can be reduced to maximize the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.

여기서, 전기적 그림자 손실(electrical shadowing loss)이라 함은 외부로부터 입사된 빛에 의해 반도체 기판(110) 내에서 발생된 케리어와 에미터부(120) 사이의 이동 거리가 상대적으로 너무 큰 경우, 케리어가 에미터부(120)까지 제대로 이동하지 못하게 되어, 에미터부(120)와 연결된 제 1 전극(121)의 케리어 수집량이 저하됨으로써, 태양 전지의 광전 변환 효율이 저하되는 현상을 의미한다.Here, the electrical shadowing loss is referred to as an electric shadowing loss when the distance between the carrier generated in the semiconductor substrate 110 and the emitter portion 120 by the light incident from the outside is too large, the carrier is Emmy Since it does not move properly to the rotor part 120, the carrier collection amount of the first electrode 121 connected to the emitter part 120 is lowered, which means that the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is lowered.

통상적으로 제 1 전극(121)은 에미터부(120)의 상부에 에미터부(120)와 동일한 패턴으로 형성되고, 제 2 전극(141)은 후면 전계부(140)의 상부에 후면 전계부(140)와 동일한 패턴으로 형성된다.Typically, the first electrode 121 is formed in the same pattern as the emitter unit 120 on the emitter unit 120, the second electrode 141 is the rear electric field unit 140 on the rear electric field unit 140 It is formed in the same pattern as).

따라서, 도 10과 같은 복수의 제 1 전극(121)과 제 1 버스바 전극(125)의 하부에는 제 1 전극(121)과 제 1 버스바 전극(125)과 동일한 패턴을 가진 에미터부(120)가 형성되고, 복수의 제 2 전극(141)과 제 2 버스바 전극(145)의 하부에는 제 2 전극(141)과 제 2 버스바 전극(145)과 동일한 패턴을 가진 후면 전계부(140)가 형성된다.Accordingly, the emitter unit 120 having the same pattern as the first electrode 121 and the first busbar electrode 125 is disposed below the plurality of first electrodes 121 and the first busbar electrode 125 as shown in FIG. 10. ) Is formed, and the rear electric field unit 140 having the same pattern as the second electrode 141 and the second busbar electrode 145 is formed below the plurality of second electrodes 141 and the second busbar electrode 145. ) Is formed.

제 1 버스바 전극(125)과 제 2 버스바 전극(145)을 도 10과 같이 형성하는 이유는 태양 전지를 서로 연결하는 인터커넥터와의 접촉 면적을 크게하여 인터커넥터와 각 태양 전지 사이의 접촉 저항을 최소화하기 위함이다.The reason why the first busbar electrode 125 and the second busbar electrode 145 are formed as shown in FIG. 10 is that the contact area between the interconnector and each solar cell is increased by increasing the contact area with the interconnector connecting the solar cells to each other. This is to minimize the resistance.

그러나, 도 10과 같이 인터커넥터와의 접촉 저항을 최소화하기 위해 상대적으로 면적이 넓고 에미터부(120)까지의 이동 거리가 먼 제 2 버스바 전극(145)이 형성된 경우, 제 2 버스바 전극(145)의 하부에 위치한 반도체 기판(110) 내에서 발생된 케리어는 에미터부(120)까지의 이동 거리가 상대적으로 멀어, 제 2 버스바 전극(145)의 하부에서 발생된 케리어는 재결합에 의해 소멸될 확률이 상대적으로 높아진다. However, in order to minimize contact resistance with the interconnector as shown in FIG. 10, when the second busbar electrode 145 having a relatively large area and a long distance to the emitter part 120 is formed, the second busbar electrode ( The carrier generated in the semiconductor substrate 110 positioned below the 145 has a relatively long moving distance to the emitter portion 120, and the carrier generated at the bottom of the second busbar electrode 145 disappears by recombination. The chances of becoming relatively high.

따라서, 도 10과 같이, 인터커넥터와의 접촉 저항을 최소화하기 위해 상대적으로 면적이 넓고 에미터부(120)까지의 이동 거리가 먼 제 2 버스바 전극(145)을 형성하는 경우, 제 2 버스바 전극(145)이 점유하는 면적만큼 광전 변환 효율이 저하되는 원인이 된다.Therefore, as shown in FIG. 10, when the second busbar electrode 145 is formed to have a relatively large area and a long distance to the emitter part 120 to minimize contact resistance with the interconnector, the second busbar The area occupied by the electrode 145 causes a decrease in photoelectric conversion efficiency.

그러나, 도 9에 도시된 본 발명과 같이 에미터부(120) 및 후면 전계부(140)의 패턴이 서로 교번되도록 형성하고, 제 1 전극(121)과 제 2 전극(141)의 패턴 각각을 에미터부(120) 및 후면 전계부(140)의 패턴과 동일하게 형성하고, 제 1 전극(121)을 서로 연결하거나 제 2 전극(141)을 서로 연결하는 버스바 전극을 형성하지 않는 경우, 반도체 기판(110)의 대부분의 영역에서 캐리어가 이동할 거리를 최소화할 수 있어, 태양 전지의 광전 변환 효율이 보다 더 향상되는 효과가 있다.However, as shown in FIG. 9, the patterns of the emitter part 120 and the rear electric field part 140 are formed to alternate with each other, and each of the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 is formed in the emi. The semiconductor substrate is formed in the same manner as the pattern of the terminator 120 and the rear electric field unit 140, and does not form a bus bar electrode connecting the first electrode 121 to each other or the second electrode 141. Since the distance the carrier moves in most of the region 110 can be minimized, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is further improved.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 복수의 제 1 전극(121)과 복수의 제 2 전극(141)은 서로 나란한 방향으로 반도체 기판(110)의 일측면을 향해 뻗어 있을 때, 복수의 제 1 전극(121)의 끝단으로부터 반도체 기판(110)의 일측면까지의 거리(D1)는 복수의 제 2 전극(141)의 끝단으로부터 반도체 기판(110)의 일측면까지의 거리(D1)와 동일할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9, when the plurality of first electrodes 121 and the plurality of second electrodes 141 according to the present invention extend toward one side of the semiconductor substrate 110 in parallel with each other, The distance D1 from the ends of the plurality of first electrodes 121 to one side of the semiconductor substrate 110 is the distance D1 from the ends of the plurality of second electrodes 141 to one side of the semiconductor substrate 110. May be the same as).

이와 같이, 버스바 전극을 형성하지 않고, 복수의 제 1 전극(121)과 복수의 제 2 전극(141)을 반도체 기판(110)의 일측면을 향해 서로 나란한 방향으로 형성하면서, 에미터부(120)에 연결된 제 1 전극(121)의 끝단으로부터 반도체 기판(110)의 일측면 끝단까지의 거리(D1)와 후면 전계부(140)에 연결된 제 2 전극(141)의 끝단으로부터 반도체 기판(110)의 일측면 끝단까지의 거리(D1)가 서로 동일하게 형성되는 경우, 반도체 기판(110)의 외곽 부분에서도 제 1 전극(121)이 수집하는 케리어 뿐만 아니라 제 2 전극(141)이 수집하는 케리어의 이동 거리를 최소화할 수 있어 태양 전지의 광전 변환 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.As described above, the emitter unit 120 is formed without forming the busbar electrode and forming the plurality of first electrodes 121 and the plurality of second electrodes 141 in parallel with each other toward one side surface of the semiconductor substrate 110. The distance D1 from the end of the first electrode 121 connected to the end of one side of the semiconductor substrate 110 and the end of the second electrode 141 connected to the rear electric field unit 140 from the end of the semiconductor substrate 110. When the distances D1 to the end of one side of the same are formed to be the same, the carriers collected by the second electrode 141 as well as the carriers collected by the first electrode 121 also in the outer portion of the semiconductor substrate 110. Since the travel distance can be minimized, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be maximized.

여기서, 태양 전지의 광전 변환 효율에 더욱 영향을 미치는 케리어는 제 2 전극(141)이 수집하는 케리어보다 제 1 전극(121)이 수집하는 케리어이므로, 제 1 전극(121)의 폭(W121)을 제 2 전극(141)의 폭(W141)보다 넓게 형성할 수 있다.Here, the carrier which affects the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is a carrier collected by the first electrode 121 rather than a carrier collected by the second electrode 141, so that the width W121 of the first electrode 121 is determined. The width of the second electrode 141 may be greater than that of the width W141.

또한, 태양 전지의 광전 변환 효율을 극대화하기 위해서는 도 9에 도시된 바와 같이 제 1 전극(121)과 제 2 전극(141)이 교번하여 배치되는 것이 중요하며, 아울러 태양 전지의 광전 변환 효율은 하나의 제 1 전극(121)과 바로 인접한 하나의 제 2 전극(141)의 폭의 합(P1)이 작을수록 증가되며, 여기서, 바로 인접한 하나의 제 2 전극(141)의 폭(P2)이 작을수록 광전 변환 효율은 더욱 증가된다. In addition, in order to maximize the photoelectric conversion efficiency of the solar cell, it is important that the first electrode 121 and the second electrode 141 are alternately arranged as shown in FIG. 9, and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is one. The smaller the sum P1 of the widths of one second electrode 141 immediately adjacent to the first electrode 121 is increased, the smaller the width P2 of one immediately adjacent second electrode 141 is. The more the photoelectric conversion efficiency is further increased.

지금까지는 태양 전지의 구조와 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴에 대해서 설명하였으나, 이하에서는 본 발명에 따른 태양 전지가 인터커넥터를 통하여 서로 연결되는 구조에 대해서 설명한다.So far, the structure of the solar cell and the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 have been described. Hereinafter, a structure in which the solar cells according to the present invention are connected to each other through an interconnector will be described.

도 11 내지 도 14는 본 발명에 따른 태양 전지가 도 9에 따른 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴을 가질 때, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈 및 인터커넥터의 일례를 설명하기 위한 도이다.11 to 14 are views for explaining an example of the solar cell module and the interconnector according to the present invention, when the solar cell according to the present invention has a pattern of the first electrode and the second electrode according to FIG.

도 11은 본 발명에 따른 제 1 태양 전지(S1) 및 제 2 태양 전지(S2)가 인터커넥터(200)에 의해 서로 연결된 태양 전지 모듈의 모습을 위에서 바라본 모습이고, 도 12는 본 발명에 따른 인터커넥터(200)의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 13은 도 11에서 태양 전지 모듈을 ⅩⅢ-ⅩⅢ 라인에 따라 측면에서 바라본 모습이고, 도 14는 도 13에서 A와 B부분을 확대한 모습이다.FIG. 11 is a view of a solar cell module in which a first solar cell S1 and a second solar cell S2 according to the present invention are connected to each other by an interconnector 200, and FIG. 12 is according to the present invention. FIG. 13 is a view for explaining an example of the interconnector 200, and FIG. 13 is a side view of the solar cell module taken along the line III-XIII in FIG. 11, and FIG. 14 is an enlarged view of portions A and B in FIG. to be.

도 11 및 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판(110S1, 110S2), 에미터부(미도시), 복수의 제 1 전극(121S1, 121S2) 및 복수의 제 2 전극(141S1, 141S2)을 포함하되, 복수의 제 1 전극(121S1, 121S2)을 서로 전기적으로 연결하거나 복수의 제 2 전극(141S1, 141S2)을 서로 전기적으로 연결하는 버스바 전극이 없는 제 1 태양 전지(S1)와 제 2 태양 전지(S2) 및 인터커넥터(200)를 포함한다.11 and 13, the solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate 110S1 and 110S2, an emitter part (not shown), a plurality of first electrodes 121S1 and 121S2, and a plurality of second electrodes. A first solar cell including 141S1 and 141S2, but without a busbar electrode electrically connecting the plurality of first electrodes 121S1 and 121S2 to each other or electrically connecting the plurality of second electrodes 141S1 and 141S2 to each other; (S1), the second solar cell (S2) and the interconnector 200.

여기서, 제 1 태양 전지(S1) 및 제 2 태양 전지(S2)는 앞서 설명한 다양한 구조의 태양 전지가 해당될 수 있으며, 각 태양 전지의 반도체 기판(110), 에미터부(120), 후면 전계부(140), 복수의 제 1 전극(121) 및 복수의 제 2 전극(141)에 대한 설명은 앞서 설명한 바와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.Here, the first solar cell S1 and the second solar cell S2 may correspond to solar cells having various structures described above, and the semiconductor substrate 110, the emitter unit 120, and the rear electric field unit of each solar cell. The description of the 140, the plurality of first electrodes 121, and the plurality of second electrodes 141 are the same as described above, and thus description thereof will be omitted.

인터커넥터(200)는 도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 제 1 전극(121S1, 121S2) 및 복수의 제 2 전극(141S1, 141S2)에 교차하는 방향으로 형성되되, 도시된 바와 같이 제 1 태양 전지(S1)와 제 2 태양 전지(S2)를 서로 연결하는 인터커넥터(200)가 복수 개로 형성될 수도 있다.The interconnector 200 is formed in a direction crossing the plurality of first electrodes 121S1 and 121S2 and the plurality of second electrodes 141S1 and 141S2, as shown in FIG. 11, and as illustrated in the first embodiment. A plurality of interconnectors 200 connecting the cells S1 and the second solar cells S2 may be formed.

이와 같은 인터커넥터(200)는 제 1 태양 전지(S1)의 복수의 제 1 전극(121S1)과 제 2 태양 전지(S2)의 복수의 제 2 전극(141S2)을 서로 전기적으로 직렬 연결하거나 제 1 태양 전지(S1)의 복수의 제 2 전극(141S1)과 제 2 태양 전지(S2)의 복수의 제 1 전극(121S2)을 서로 전기적으로 직렬 연결하여, 제 1 태양 전지(S1)와 제 2 태양 전지(S2)가 서로 직렬로 연결되도록 하는 기능을 하며, 이와 같은 각각의 인터커넥터에서 제 1 태양 전지(S1) 및 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 면의 일부분에 복수 개의 절연층이 형성된다.The interconnector 200 electrically connects the plurality of first electrodes 121S1 of the first solar cell S1 and the plurality of second electrodes 141S2 of the second solar cell S2 to each other in series or in a first manner. The plurality of second electrodes 141S1 of the solar cell S1 and the plurality of first electrodes 121S2 of the second solar cell S2 are electrically connected in series to each other, so that the first solar cell S1 and the second sun are electrically connected. The battery S2 functions to be connected in series with each other, and a plurality of insulating layers are formed on a part of a surface in contact with the first solar cell S1 and the second solar cell S2 in each of these interconnectors. do.

보다 구체적으로, 먼저 본 발명에 따른 인터커넥터(200)의 일례를 살펴보면, 다음의 도 12와 같다.More specifically, first look at an example of the interconnector 200 according to the present invention, as shown in FIG.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(200)는 도전층(210)과 절연층(230) 및 베이스층(240)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 12, the interconnector 200 according to the present invention may include a conductive layer 210, an insulating layer 230, and a base layer 240.

여기서, 도전층(210)은 제 1 태양 전지(S1)와 제 2 태양 전지(S2)를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 기능을 하며, 전지 전도성 물질을 포함할 수 있다.Here, the conductive layer 210 functions to electrically connect the first solar cell S1 and the second solar cell S2 to each other in series, and may include a cell conductive material.

구체적으로, 도 13에 도시된 바와 같이, 도전층(210)은 제 1 태양 전지(S1)에서 복수의 제 1 전극(121S1)과 제 2 태양 전지(S2)에서 복수의 제 2 전극(141S2)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 아울러 도시되지는 않았지만, 도전층(210)은 제 1 태양 전지(S1)에서 복수의 제 2 전극(141S1)과 제 2 태양 전지(S2)에서 복수의 제 1 전극(121S2)을 서로 전기적으로 연결하는 것도 가능하다.Specifically, as shown in FIG. 13, the conductive layer 210 includes a plurality of first electrodes 121S1 in the first solar cell S1 and a plurality of second electrodes 141S2 in the second solar cell S2. Can be electrically connected to each other. Although not shown, the conductive layer 210 electrically connects the plurality of second electrodes 141S1 in the first solar cell S1 and the plurality of first electrodes 121S2 in the second solar cell S2. It is also possible.

이와 같은 도전층(210)은 도 12에 도시된 바와 같이 복수 개의 제 1 전극또는 복수 개의 제 2 전극과 각각 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층(213)과 복수 개의 제 1 도전층(213)을 서로 전기적으로 연결하는 제 2 도전층(211)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 도전층(213)과 제 2 도전층(211)은 접촉 저항을 최소화하기 위해 동일한 재료의 전도성 물질을 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 12, the conductive layer 210 may include a plurality of first conductive layers 213 and a plurality of first conductive layers 213 in contact with a plurality of first electrodes or a plurality of second electrodes, respectively. The second conductive layer 211 may be electrically connected to each other. Here, the first conductive layer 213 and the second conductive layer 211 may include a conductive material of the same material to minimize contact resistance.

여기서, 제 1 도전층(213)의 길이(D213)는 제 1 전극(121) 또는 제 2 전극(141)과 접촉할 때에, 접촉 면적이 최대가 되도록 하기 위하여 제 1 도전층(213)과 맞 닿는 제 1 전극 또는 제 2 전극의 폭과 동일하거나 넓게 형성될 수 있다.Here, the length D213 of the first conductive layer 213 is in contact with the first conductive layer 213 in order to maximize the contact area when contacting the first electrode 121 or the second electrode 141. It may be formed to be the same as or wider than the width of the first electrode or the second electrode.

따라서, 도 14에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(200)와 제 1 태양 전지(S1)와 접촉하는 A 부분에서는 제 1 도전층(213)의 길이(D213A)는 제 1 도전층(213)과 맞 닿는 제 1 전극(121S1)의 폭(W121S1)보다 넓게 형성될 수 있으며, 인터커넥터(200)와 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 B 부분에서는 제 1 도전층(213)의 길이(D213B)는 제 1 도전층(213)과 맞 닿는 제 2 전극(141S2)의 폭(W141S2)보다 넓게 형성될 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 14, in the portion A in contact with the interconnector 200 and the first solar cell S1, the length D213A of the first conductive layer 213 is equal to that of the first conductive layer 213. The width of the first electrode 121S1 may be wider than the width W121S1, and the length D213B of the first conductive layer 213 may be formed at a portion B that contacts the interconnector 200 and the second solar cell S2. ) May be wider than the width W141S2 of the second electrode 141S2 which is in contact with the first conductive layer 213.

또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 절연층(230)은 도전층(210)의 상부 일부, 예를 들면, 제 2 도전층(211) 상에 제 1 도전층(213)이 형성되지 않는 부분에 형성되어, 서로 바로 인접한 제 1 전극(121)과 제 2 전극(141)이 서로 전기적으로 단락되는 것을 방지하는 기능을 한다. 여기서, 절연층(230)의 두께와 제 1 도전층(214)의 두께는 동일할 수있다.In addition, as shown in FIG. 12, the insulating layer 230 is a portion of the upper portion of the conductive layer 210, for example, a portion in which the first conductive layer 213 is not formed on the second conductive layer 211. And a first electrode 121 and a second electrode 141 immediately adjacent to each other to prevent an electrical short. Here, the thickness of the insulating layer 230 and the thickness of the first conductive layer 214 may be the same.

이를 위해, 절연층(230)의 길이(D230)는 절연층(230)과 맞 닿는 제 1 전극 또는 제 2 전극의 폭보다 넓게 형성될 수 있다.To this end, the length D230 of the insulating layer 230 may be formed to be wider than the width of the first electrode or the second electrode in contact with the insulating layer 230.

따라서, 도 14에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(200)와 제 1 태양 전지(S1)와 접촉하는 A 부분에서는 절연층(230)의 길이(D230A)는 절연층(230)과 맞 닿는 제 2 전극(141S1)의 폭(W141S1)보다 넓게 형성될 수 있으며, 인터커넥터(200)와 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 B 부분에서는 절연층(230)의 길이(D230B)는 절연층(230)과 맞 닿는 제 1 전극(121S2)의 폭(W121S2)보다 넓게 형성될 수 있다.Thus, as shown in FIG. 14, in the portion A in contact with the interconnector 200 and the first solar cell S1, the length D230A of the insulating layer 230 is in contact with the insulating layer 230. It may be wider than the width W141S1 of the electrode 141S1, and the length D230B of the insulating layer 230 is the insulating layer 230 in the portion B that contacts the interconnector 200 and the second solar cell S2. ) May be formed to be wider than the width W121S2 of the first electrode 121S2.

아울러, 도 12에서는 인터커넥터(200)의 제 1 도전층(213)의 길이(D213)와 절연층(230)의 길이(D230)가 서로 동일한 것으로 도시되어 있지만, 이와 다르게 인터커넥터(200) 중 일부분에서 제 1 도전층(213)의 길이(D213)는 절연층(230)의 길이(D230)보다 길고, 인터커넥터(200)의 나머지 부분 중 적어도 일부분에서 제 1 도전층(213)의 길이(D213)는 절연층(230)의 길이(D230)보다 짧을 수 있다. 12, the length D213 of the first conductive layer 213 of the interconnector 200 and the length D230 of the insulating layer 230 are shown to be the same, but differently from among the interconnectors 200. The length D213 of the first conductive layer 213 is in part longer than the length D230 of the insulating layer 230, and the length of the first conductive layer 213 in at least a portion of the remaining portions of the interconnector 200 ( D213 may be shorter than the length D230 of the insulating layer 230.

일례로, 도 14에 도시된 바와 같이, 제 1 태양 전지(S1)와 접촉하는 복수의 제 1 도전층(213) 중 적어도 하나의 길이(D213A)는 제 1 태양 전지(S2)와 접촉하는 복수의 절연층(230) 중 적어도 하나의 길이(D230A)보다 길고, 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 복수의 제 1 도전층(213) 중 적어도 하나의 길이(D213B)는 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 복수의 절연층(230) 중 적어도 하나의 길이(D230B)보다 짧을 수 있다.또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 베이스층(240)은 절연층(230)이 형성되지 않은 도전층(210)의 반대면에 형성되며, 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 베이스층(240)은 인터커넥터(200)를 태양 전지 모듈에 형성한 상태에서는 생략될 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 14, a length D213A of at least one of the plurality of first conductive layers 213 in contact with the first solar cell S1 may be in contact with the first solar cell S2. At least one of the plurality of first conductive layers 213 in contact with the second solar cell S2 is longer than the length D230A of the insulating layer 230 of the second solar cell ( At least one of the plurality of insulating layers 230 in contact with S2 may be shorter than the length D230B. In addition, as shown in FIG. 12, the base layer 240 may have no insulating layer 230 formed thereon. It is formed on the opposite side of the conductive layer 210, it may be made of an insulating material. The base layer 240 may be omitted when the interconnector 200 is formed in the solar cell module.

이와 같이 본 발명에 따른 인터커넥터(200)의 구조는 전술한 바와 같이 버스바 전극이 없는 구조의 태양 전지에 적용될 수 있는 최적의 구조라 할 수 있다. 또한 아울러 복수 개의 태양 전지를 일렬로 배치한 이후, 인터커넥터(200)를 연속적으로 태양 전지의 후면에 접착시킬 수 있어 공정이 단순하여 공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the structure of the interconnector 200 according to the present invention may be referred to as an optimal structure that may be applied to a solar cell having no busbar electrode structure as described above. In addition, since the plurality of solar cells are arranged in a row, the interconnector 200 may be continuously adhered to the rear surface of the solar cell, thereby simplifying the process, thereby reducing the process time.

도 9 내지 도 14에서는 제 1 전극(121)이나 제 2 전극(141)이 동일한 폭으로 반도체 기판(110)의 후면 상부에서 연장되는 것을 일례로 설명하였으나, 인터커넥터(200)와의 접촉 저항을 고려하여 제 1 전극(121)이나 제 2 전극(141)이 길이에 따라 서로 다른 폭을 갖는 것도 가능하다.9 to 14 illustrate that the first electrode 121 or the second electrode 141 extends from the top of the rear surface of the semiconductor substrate 110 with the same width, but considers the contact resistance with the interconnector 200. Thus, the first electrode 121 or the second electrode 141 may have different widths depending on the length.

도 15는 본 발명에 따른 태양 전지에서 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴의 다른 일례를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이고, 도 16은 본 발명에 따른 태양 전지가 도 15에 따른 제 1 전극 및 제 2 전극의 패턴을 가질 때, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.15 is a view for explaining another example of the pattern of the first electrode and the second electrode in the solar cell according to the present invention in more detail, Figure 16 is a solar cell according to the present invention the first electrode and the It is a figure for demonstrating an example of the solar cell module which concerns on this invention when it has a pattern of a 2nd electrode.

도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지에서 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴은 인터커넥터(200)와의 접촉 저항을 고려하여 제 1 전극(121)이나 제 2 전극(141)이 길이에 따라 서로 다른 폭을 가질 수도 있다.As shown in FIG. 15, in the solar cell according to the present invention, the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 may include the first electrode 121 or the first electrode in consideration of contact resistance with the interconnector 200. The two electrodes 141 may have different widths depending on the length.

도 15와 같은 태양 전지도 도 1 내지 도 8에서 설명한 태양 전지가 모두 적용될 수 있으며, 태양 전지의 구조도 이전에 설명한 바와 동일하다. 따라서, 이하에서는 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 패턴을 제외한 나머지 부분에 대한 설명은 생략한다.15 may be applied to all of the solar cells described with reference to FIGS. 1 to 8, and the structure of the solar cell is the same as described above. Therefore, hereinafter, the description of the remaining portions except for the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 will be omitted.

또한, 앞선 설명에서, 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141) 각각의 패턴은 에미터부(120)와 후면 전계부(140)의 각각의 패턴에 따라 형성된다고 하였으므로, 15에서는 도시되지는 않았지만, 에미터부(120)와 후면 전계부(140)의 각각의 패턴도 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141) 각각의 패턴과 동일한 것으로 전제하여 이하에서 설명한다. In addition, in the foregoing description, since the patterns of each of the first electrode 121 and the second electrode 141 are formed according to the respective patterns of the emitter part 120 and the rear electric field part 140, the parts of the first electrode 121 and the second electrode 141 are not shown at 15. Although not shown, each pattern of the emitter unit 120 and the rear electric field unit 140 will also be described below on the assumption that the patterns of the first electrode 121 and the second electrode 141 are the same.

도 15에 도시된 바와 같이, 복수의 제 1 전극(121) 각각은 제 1 폭을 가지는 제 1 부분(121a)과 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가지는 제 2 부분(121b)을 하나이상 포함할 수 있다. As shown in FIG. 15, each of the plurality of first electrodes 121 includes a first portion 121a having a first width and at least one second portion 121b having a second width smaller than the first width. can do.

아울러, 복수의 제 2 전극(141) 각각은 제 3 폭을 가지는 제 3 부분(141a)과 제 3 폭보다 큰 제 4 폭을 가지는 제 4 부분(141b)을 하나이상 포함할 수 있다. 또한, 동일한 태양 전지 내에서 복수의 제 1 전극(121)에서 제 1 부분(121a)은 복수의 제 2 전극(141)에서 제 3 부분(141a)과 대응되는 부분에 형성되며, 복수의 제 1 전극(121) 각각에서 제 2 부분(121b)은 복수의 제 2 전극(141)에서 제 4 부분(141b)과 대응되는 부분에 형성될 수 있다.In addition, each of the plurality of second electrodes 141 may include at least one third portion 141a having a third width and at least one fourth portion 141b having a fourth width greater than the third width. In addition, in the same solar cell, the first portion 121a of the plurality of first electrodes 121 is formed at a portion of the plurality of second electrodes 141 that corresponds to the third portion 141a, and the plurality of first electrodes 121a. In each of the electrodes 121, the second portion 121b may be formed at a portion of the plurality of second electrodes 141 that corresponds to the fourth portion 141b.

도 15와 같이, 버스바 전극을 생략하면서, 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 형성하는 것은 전술한 전기적 그림자 손실(electrical shadowing loss)을 최소화하면서, 아울러 인터커넥터(200)와의 접촉 저항도 최소화할 수 있어, 태양 전지의 광전 변환 효율을 더욱 향상시키는 효과가 있다.As shown in FIG. 15, the formation of the first electrode 121 and the second electrode 141 while omitting the busbar electrode minimizes the above-described electrical shadowing loss and simultaneously with the interconnector 200. Since the contact resistance can be minimized, there is an effect of further improving the photoelectric conversion efficiency of the solar cell.

보다 구체적으로, 복수의 제 1 전극(121) 각각에서 상대적으로 폭이 큰 제 1 부분(121a)에는 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터(200)가 접촉할 수 있으며, 복수의 제 2 전극(141) 각각에서 상대적으로 폭이 큰 제 4 부분(141b)에는 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터(200)가 접촉할 수 있는 것이다.More specifically, each of the plurality of first electrodes 121 may have a relatively wide first portion 121a may be in contact with the interconnector 200 for electrically connecting the solar cells to each other. Each of the fourth portions 141b having a relatively large width 141b may be in contact with the interconnector 200 that electrically connects the solar cells to each other.

또한, 도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(121)에서 상대적으로 폭이 큰 제 1 부분(121a)의 길이(L121a)는 제 2 전극(141)에서 상대적으로 폭이 큰 제 4 부분(141b)의 길이(L141b)보다 크게 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 태양 전지 후면의 전체 면적에서 에미터부가 차지하는 면적을 최대로 할 수 있어 태양 전지의 효율이 더욱 극대화될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 15, the length L121a of the first portion 121a having a relatively large width in the first electrode 121 may be the fourth portion (which has a relatively large width in the second electrode 141). It can be made larger than the length L141b of 141b). In this way, the area occupied by the emitter in the total area of the solar cell rear surface can be maximized, and the efficiency of the solar cell can be further maximized.

여기서, 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141) 각각의 패턴이 도 15와 같은 경우에도, 태양 전지를 서로 연결하기 위해 도 12에서 설명한 인터커넥터(200)가 동일하게 사용될 수 있다.Here, even when the patterns of each of the first electrode 121 and the second electrode 141 are the same as in FIG. 15, the interconnector 200 described in FIG. 12 may be used in the same manner to connect the solar cells to each other.

도 16의 (a)는 제 1 태양 전지(S1)와 제 2 태양 전지(S2)가 서로 연결된 모습을 위에서 바라본 것이고, 도 16의 (b)는 도 16의 (a)에 사용되는 인터커넥터의 일례를 단면에서 바라본 일례이다.FIG. 16A illustrates the first solar cell S1 and the second solar cell S2 connected to each other, and FIG. 16B illustrates an interconnector used in FIG. 16A. An example is seen from the cross section.

보다 구체적으로 도 16의 (a)에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(200)는 제 1 태양 전지(S1)의 제 1 부분(121a)과 제 2 태양 전지(S2)의 제 4 부분(141b)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 이와 같은 인터커넥터(200)의 구조는 도 12에서 설명한 바와 동일하다. 다만, 제 1 태양 전지(S1)와 접촉하는 도전층(210) 및 절연층(230)의 길이나 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 도전층(210) 및 절연층(230)의 길이는 제 1 전극(121) 및 제 2 전극(141)의 폭이 변화됨에 따라 변화될 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 16A, the interconnector 200 according to the present invention includes a first portion 121a of the first solar cell S1 and a fourth portion of the second solar cell S2. The portions 141b may be electrically connected to each other. The structure of the interconnector 200 is the same as described with reference to FIG. 12. However, the length of the conductive layer 210 and the insulating layer 230 in contact with the first solar cell S1 or the length of the conductive layer 210 and the insulating layer 230 in contact with the second solar cell S2 is The width of the first electrode 121 and the second electrode 141 may be changed as the width thereof changes.

일례로, 도 16의 (a) 및 (b)와 같이 제 1 태양 전지(S1) 및 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 복수의 제 1 도전층(213S1, 213S2)의 길이(L213S1, L213S2)는 제 1 태양 전지(S1) 및 제 2 태양 전지(S2)와 접촉하는 복수의 절연층(230S1, 230S2)의 길이(L230S1, L230S2)보다 길게 할 수 있다. For example, lengths L213S1 and L213S2 of the plurality of first conductive layers 213S1 and 213S2 in contact with the first solar cell S1 and the second solar cell S2, as shown in FIGS. 16A and 16B. ) May be longer than the lengths L230S1 and L230S2 of the plurality of insulating layers 230S1 and 230S2 in contact with the first solar cell S1 and the second solar cell S2.

구체적으로 도 16의 (a) 및 (b)와 같이, 인터커넥터(200)에서 제 1 태양 전지(S1)의 제 1 부분(121a) 및 제 2 태양 전지(S2)의 제 4 부분(141b)과 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층(213S1, 213S2) 각각의 길이(L213S1, L213S2)는 제 1 태양 전지(S1)의 제 2 부분(121b) 및 제 2 태양 전지(S2)의 제 3 부분(141a)과 접촉하는 복수 개의 절연층(230S1, 230S2) 각각의 길이(L230S1, L230S2)보다 길게 할 수 있는 것이다.Specifically, as shown in FIGS. 16A and 16B, the first portion 121a of the first solar cell S1 and the fourth portion 141b of the second solar cell S2 in the interconnector 200. The lengths L213S1 and L213S2 of each of the plurality of first conductive layers 213S1 and 213S2 in contact with each other may be formed by the second portion 121b of the first solar cell S1 and the third portion of the second solar cell S2 ( The length of each of the plurality of insulating layers 230S1 and 230S2 in contact with 141a may be longer than that of the lengths L230S1 and L230S2.

도 16의 (a)와 같은 태양 전지 모듈은 각 태양 전지 후면의 전체 면적에서 에미터부가 차지하는 면적을 최대하면서 인터커넥터(200)에 접촉하는 제 1 태양 전지(S1)의 제 1 전극(121S1) 및 제 2 태양 전지(S2)의 제 2 전극(141S2)의 면적을 극대화 함으로써, 전술한 전기적 그림자 손실(electrical shadowing loss) 최소화하면서, 태양 전지의 각 부분에서 에미터부(120)로 수집될 수 있는 케리어의 양을 극대화할 수 있으며, 아울러 인터커넥터(200)의 접촉 저항을 최소화할 수 있어 태양 전지의 효율을 더욱 극대화할 수 있는 효과가 있다.
In the solar cell module as shown in FIG. 16A, the first electrode 121S1 of the first solar cell S1 contacting the interconnector 200 while maximizing the area occupied by the emitter in the total area of the rear surface of each solar cell. And by maximizing the area of the second electrode (141S2) of the second solar cell (S2), while minimizing the above-mentioned electrical shadowing (electrical shadowing loss), which can be collected by the emitter unit 120 in each part of the solar cell The amount of the carrier can be maximized, and the contact resistance of the interconnector 200 can be minimized, thereby further maximizing the efficiency of the solar cell.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by the embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims (14)

제 1 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판, 제 2 타입의 불순물을 함유하여 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부, 상기 반도체 기판의 후면 상부에 형성되며 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 복수의 제 1 전극, 및 상기 반도체 기판의 후면 상부에 상기 복수의 제 1 전극과 교대로 이격되어 형성되며 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 복수의 제 2 전극을 포함하는 제 1 태양 전지와 제 2 태양 전지; 및
상기 제 1 태양 전지의 상기 복수의 제 1 전극과 상기 제 2 태양 전지의 상기 복수의 제 2 전극을 서로 전기적으로 직렬 연결하거나 상기 제 1 태양 전지의 상기 복수의 제 2 전극과 상기 제 2 태양 전지의 상기 복수의 제 1 전극을 서로 전기적으로 직렬 연결하되, 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지와 접촉하는 면의 일부분에는 복수 개의 절연층을 포함하는 인터커넥터;를 포함하고,
상기 인터커넥터는 상기 제 1 태양 전지와 상기 제 2 태양 전지를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 전기 전도성 물질의 도전층;
상기 도전층의 측면 중 상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지와 접촉하는 면에 부분적으로 이격되어 형성되어 서로 바로 인접한 제 1 전극과 제 2 전극이 서로 단락되는 것을 방지하는 상기 복수 개의 절연층; 및
상기 복수 개의 절연층이 형성되지 않은 상기 도전층의 반대면에 형성되며, 절연성 물질을 함유하는 베이스층;을 포함하는 태양 전지 모듈.
A semiconductor substrate containing a first type of impurity, an emitter portion containing a second type of impurity to form a pn junction with the semiconductor substrate, and a plurality of emitter portions formed on an upper surface of the rear surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the emitter portion A first solar cell and a second solar cell including a first electrode and a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, the second electrodes being alternately spaced apart from the plurality of first electrodes, and electrically connected to the semiconductor substrate. ; And
The plurality of first electrodes of the first solar cell and the plurality of second electrodes of the second solar cell are electrically connected in series with each other, or the plurality of second electrodes and the second solar cell of the first solar cell. An interconnector comprising a plurality of insulating layers electrically connected in series to each other, wherein a portion of a surface in contact with the first solar cell and the second solar cell includes a plurality of insulating layers;
The interconnector may include a conductive layer of an electrically conductive material electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other in series;
The plurality of insulating layers formed on the side of the conductive layer to be partially spaced apart from the surface in contact with the first solar cell and the second solar cell to prevent the first and second electrodes immediately adjacent to each other from being short-circuited with each other; ; And
And a base layer formed on an opposite surface of the conductive layer on which the plurality of insulating layers are not formed and containing an insulating material.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 도전층은
상기 복수 개의 제 1 전극 또는 복수 개의 제 2 전극과 각각 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층과
상기 복수 개의 제 1 도전층을 서로 전기적으로 연결하는 제 2 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The conductive layer is
A plurality of first conductive layers in contact with the plurality of first electrodes or the plurality of second electrodes, respectively;
And a second conductive layer electrically connecting the plurality of first conductive layers to each other.
제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 절연층의 길이는 상기 복수 개의 절연층 각각과 맞 닿는 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The length of the plurality of insulating layers is larger than the width of the first electrode or the second electrode in contact with each of the plurality of insulating layers, the solar cell module.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 태양 전지와 접촉하는 상기 복수의 제 1 도전층 중 적어도 하나의 길이는 상기 제 1 태양 전지와 접촉하는 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 길이보다 길고, 상기 제 2 태양 전지와 접촉하는 상기 복수의 제 1 도전층 중 적어도 하나의 길이는 상기 제 2 태양 전지와 접촉하는 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The length of at least one of the plurality of first conductive layers in contact with the first solar cell is longer than the length of at least one of the plurality of insulating layers in contact with the first solar cell and in contact with the second solar cell. The length of at least one of the plurality of first conductive layers is shorter than the length of at least one of the plurality of insulating layers in contact with the second solar cell.
제 1 항에 있어서,
상기 인터커넥터에서 상기 복수 개의 제 1 도전층의 두께는 상기 복수 개의절연층의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
And a thickness of the plurality of first conductive layers in the interconnector is equal to a thickness of the plurality of insulating layers.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지에서 상기 복수의 제 1 전극 각각은 제 1 폭을 가지는 제 1 부분과 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가지는 제 2 부분을 하나이상 포함하고,
상기 제 1 태양 전지 및 상기 제 2 태양 전지에서 상기 복수의 제 2 전극 각각은 제 3 폭을 가지는 제 3 부분과 상기 제 3 폭보다 큰 제 4 폭을 가지는 제 4 부분을 하나이상 포함하며,
상기 인터커넥터는 상기 제 1 태양 전지의 제 1 부분과 상기 제 2 태양 전지의 제 4 부분을 서로 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 3, wherein
Each of the plurality of first electrodes in the first and second solar cells includes a first portion having a first width and at least one second portion having a second width less than the first width,
Each of the plurality of second electrodes in the first solar cell and the second solar cell includes a third portion having a third width and at least one fourth portion having a fourth width greater than the third width,
And wherein the interconnector electrically connects the first portion of the first solar cell and the fourth portion of the second solar cell to each other.
제 7 항에 있어서,
상기 인터커넥터에서 상기 제 1 태양 전지의 제 1 부분 및 상기 제 2 태양 전지의 제 4 부분과 접촉하는 상기 복수 개의 제 1 도전층 각각의 길이는 상기 제 1 태양 전지의 제 2 부분 및 상기 제 2 태양 전지의 제 3 부분과 접촉하는 상기 복수 개의 절연층 각각의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 7, wherein
The length of each of the plurality of first conductive layers in contact with the first portion of the first solar cell and the fourth portion of the second solar cell is the second portion and the second portion of the first solar cell. And a length of each of the plurality of insulating layers in contact with the third portion of the solar cell.
복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터에 있어서,
상기 인터커넥터는 상기 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 직렬 연결하는 전기 전도성 물질의 도전층; 및
상기 도전층의 측면 중 일면에 부분적으로 이격되어 형성되어 단락을 방지하는 복수 개의 절연층; 및
상기 복수 개의 절연층이 형성되지 않은 상기 도전층의 반대면에 형성되며, 절연성 물질을 함유하는 베이스층;을 포함하는 인터커넥터.
An interconnector for electrically connecting a plurality of solar cells to each other,
The interconnector may include a conductive layer of an electrically conductive material electrically connecting the plurality of solar cells in series with each other; And
A plurality of insulating layers partially spaced apart on one surface of the conductive layer to prevent a short circuit; And
And a base layer formed on an opposite surface of the conductive layer on which the plurality of insulating layers are not formed, and containing an insulating material.
삭제delete 제 9 항에 있어서,
상기 도전층은
상기 복수 개의 제 1 전극 또는 복수 개의 제 2 전극과 각각 접촉하는 복수 개의 제 1 도전층과
상기 복수 개의 제 1 도전층을 서로 전기적으로 연결하는 제 2 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 인터커넥터.
The method of claim 9,
The conductive layer is
A plurality of first conductive layers in contact with the plurality of first electrodes or the plurality of second electrodes, respectively;
And a second conductive layer electrically connecting the plurality of first conductive layers to each other.
제 9 항에 있어서,
상기 인터커넥터에서 상기 복수 개의 제 1 도전층의 두께는 상기 복수 개의절연층의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 인터커넥터.
The method of claim 9,
The thickness of the plurality of first conductive layers in the interconnector is the same as the thickness of the plurality of insulating layers.
제 11 항에 있어서,
상기 복수의 제 1 도전층 중 적어도 하나의 길이는 상기 복수의 절연층 중 적어도 하나의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 인터커넥터.
The method of claim 11,
At least one of the plurality of first conductive layers is longer than at least one of the plurality of insulating layers.
제 11 항에 있어서,
상기 인터커넥터 중 일부분에서 상기 제 1 도전층의 길이는 상기 절연층의 길이보다 길고, 상기 인터커넥터의 나머지 부분 중 적어도 일부분에서 상기 제 1 도전층의 길이는 상기 절연층의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 인터커넥터.
The method of claim 11,
The length of the first conductive layer in a portion of the interconnector is longer than the length of the insulating layer, and in at least a portion of the remaining portion of the interconnector the length of the first conductive layer is shorter than the length of the insulating layer. Interconnect.
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