KR102244597B1 - Solar cell module - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 각각이 반도체 기판 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 배선; 및 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 배선; 및 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 복수의 제1 배선 및 복수의 제2 배선에 접속되는 제3 배선;을 포함한다.
The present invention relates to a solar cell module.
An example of the solar cell module according to the present invention includes a plurality of solar cells each having a semiconductor substrate and a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A plurality of first wirings overlapping and connected to a plurality of first electrodes provided in any one of two solar cells immediately adjacent to each other among the plurality of solar cells; And a plurality of second wirings overlapping and connected to a plurality of second electrodes provided in the remaining one of the two immediately adjacent solar cells. And a third wiring disposed between the first and second solar cells and connected to the plurality of first wirings and the plurality of second wirings.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter unit, and an electrode connected to the substrate and the emitter unit, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다. As described above, solar cells using a semiconductor substrate can be classified into various types, such as a conventional type and a rear contact type, depending on the structure.

여기서, 컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.Here, in the conventional type, the emitter unit is located on the front surface of the substrate, the electrode connected to the emitter unit is located on the front surface of the substrate, and the electrode connected to the substrate is located on the rear surface of the substrate, and in the rear contact type, the emitter unit is located on the rear surface of the substrate. And all electrodes are located on the back side of the substrate.

여기서, 후면 컨텍 타입의 태양 전지는 전극이 모두 기판의 후면에 형성되므로, 기판의 후면에 형성된 전극을 인터커넥터나 별도의 도전성 금속을 통해 인접한 태양 전지의 전극에 직렬 연결하여 태양 전지 모듈을 형성할 수 있다.Here, in the solar cell of the rear contact type, since all the electrodes are formed on the rear surface of the substrate, the electrodes formed on the rear surface of the substrate are connected in series to the electrodes of the adjacent solar cells through an interconnector or a separate conductive metal to form a solar cell module. I can.

본 발명은 효율과 구조적 안정성이 보다 향상된 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module with improved efficiency and structural stability.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 각각이 반도체 기판 및 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제1 배선; 및 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 중첩되어 접속되는 복수의 제2 배선; 및 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 복수의 제1 배선 및 복수의 제2 배선에 접속되는 제3 배선;을 포함한다.An example of the solar cell module according to the present invention includes a plurality of solar cells each having a semiconductor substrate and a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed to be spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A plurality of first wirings overlapping and connected to a plurality of first electrodes provided in any one of two solar cells immediately adjacent to each other among the plurality of solar cells; And a plurality of second wirings overlapping and connected to a plurality of second electrodes provided in the remaining one of the two immediately adjacent solar cells. And a third wiring disposed between the first and second solar cells and connected to the plurality of first wirings and the plurality of second wirings.

여기서, 복수의 태양 전지 각각에서, 복수의 제1, 2 전극 각각은 반도체 기판의 후면 내에서 제1 방향으로 길게 형성되고, 복수의 태양 전지는 제1, 2, 3 배선에 의해 직렬 연결되어, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 뻗는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.Here, in each of the plurality of solar cells, each of the plurality of first and second electrodes is formed to be elongated in the first direction within the rear surface of the semiconductor substrate, and the plurality of solar cells are connected in series by first, second, and third wirings, A single string extending in a second direction crossing the first direction may be formed.

여기서, 복수의 제1, 2 배선 각각은 제2 방향으로 길게 배치되고, 제3 배선은 제1 방향으로 길게 형성될 수 있다.Here, each of the plurality of first and second wirings may be elongated in the second direction, and the third wiring may be elongated in the first direction.

여기서, 제3 배선은 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판들 사이에 배치되며, 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판과 이격될 수 있다.Here, the third wiring is disposed between semiconductor substrates provided in each of the plurality of solar cells, and may be spaced apart from the semiconductor substrate provided in each of the plurality of solar cells.

아울러, 제3 배선과 중첩되는 부분에 위치하는 제1 배선의 끝단과 제2 배선의 끝단은 서로 이격되거나, 제3 배선과 중첩되는 부분에서 제1 배선과 제2 배선은 서로 이격되지 않고 일체로 형성될 수 있다.In addition, the end of the first wire and the end of the second wire located at the portion overlapping the third wire are separated from each other, or the first wire and the second wire are not spaced apart from each other at the portion overlapping with the third wire. Can be formed.

여기서, 제3 배선은 하나 또는 복수 개일 수 있다.Here, there may be one or a plurality of third wires.

일례로, 제3 배선은 제1 방향으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성되고, 제3 배선의 폭은 제1, 2 배선의 폭보다 클 수 있다.For example, the third wiring may be formed of a single metal pad extending in the first direction, and the width of the third wiring may be greater than the widths of the first and second wirings.

또한, 제3 배선은 도전성의 제1 금속재로 형성되는 코어, 코어의 입사면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제1 코팅부, 및 코어의 후면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제2 코팅부를 포함할 수 있다.In addition, the third wiring may include a core formed of a conductive first metal material, a first coating portion coated and positioned on the incident surface side of the core, and a second coating portion coated on the rear surface of the core and positioned. have.

여기서, 제1 코팅부의 표면에는 복수의 요철이 구비되고, 제1 코팅부는 제1 금속재보다 표면 반사율이 높은 제2 금속재를 포함할 수 있다.Here, a plurality of irregularities are provided on the surface of the first coating unit, and the first coating unit may include a second metal material having a higher surface reflectivity than the first metal material.

아울러, 제2 코팅부는 제1, 2 금속재보다 녹는점이 낮은 제3 금속재를 포함하고, 제2 코팅부에는 제1, 2 배선이 삽입되는 복수 개의 홈이 구비될 수 있다.In addition, the second coating unit may include a third metal material having a lower melting point than that of the first and second metal materials, and the second coating unit may include a plurality of grooves into which the first and second wires are inserted.

또한, 제3 배선의 적어도 일부분은 복수의 태양 전지에 구비된 반도체 기판 중 일부 반도체 기판과 중첩되어 배치되는 것도 가능하다.In addition, at least a portion of the third wiring may be disposed to overlap with some of the semiconductor substrates provided in the plurality of solar cells.

아울러, 제3 배선은 서로 이격되어 제1 방향으로 길게 뻗은 복수 개로 형성되고, 제3 배선의 폭은 제1, 2 배선의 폭과 동일할 수 있다.In addition, a plurality of third wires may be spaced apart from each other and extend long in the first direction, and the width of the third wire may be the same as the width of the first and second wires.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 태양 전지 사이에 복수의 제1, 2 배선과 접속하는 제3 배선을 구비하여, 태양 전지 방향으로의 광입사율을 보다 향상시키고, 복수의 제1, 2 배선을 보다 안정적으로 고정하여, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시키고, 구조적 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, the solar cell module according to the present invention has a third wiring connected to the plurality of first and second wirings between the solar cells, further improving the light incident rate in the solar cell direction, and the plurality of first and second wirings. By fixing the wiring more stably, the efficiency of the solar cell module can be further improved, and the structural stability can be further improved.

도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다.
1 to 6 are diagrams for explaining a first embodiment of a solar cell module according to the present invention.
7 and 8 are diagrams for explaining a second embodiment of the solar cell module according to the present invention.
9 and 10 are diagrams for explaining a third embodiment of the solar cell module according to the present invention.
11 and 12 are diagrams for explaining a fourth embodiment of the solar cell module according to the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which direct sunlight is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate to which direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight may be incident.

아울러, 이하의 설명에서, 서로 다른 두 구성 요소의 길이나 폭이 동일하다는 의미는 10%의 오차 범위 이내에서 서로 동일한 것을 의미한다.In addition, in the following description, the meaning that the length or width of the two different components are the same means that they are the same within an error range of 10%.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다. 1 to 6 are diagrams for explaining a first embodiment of a solar cell module according to the present invention.

여기서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 형상이고, 도 2는 도 1에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142) 패턴을 도시한 것이고, 도 4는 도 1에서 CSx1-CSx1 라인에 따른 단면도를 도시한 것이고, 도 5는 제3 배선(IC3)의 상세 설명을 위하여 도 1에서 CSy1-CSy1 라인에 따른 단면도를 도시한 것이고, 도 6은 제3 배선(IC3)의 광반사 효과를 설명하기 위한 도이다.Here, FIG. 1 is a shape viewed from the rear of a string applied to a solar cell module according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial perspective view showing an example of a solar cell applied to FIG. 1, and FIG. 3 is The pattern of the first and second electrodes C141 and C142 of the solar cell shown in FIG. 2 is shown, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the CSx1-CSx1 line in FIG. 1, and FIG. 5 is a third wiring IC3. 1 is a cross-sectional view illustrating a line CSy1-CSy1 in FIG. 1, and FIG. 6 is a diagram illustrating a light reflection effect of the third wiring IC3.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1, C2), 복수의 태양 전지(C1, C2)의 후면에 형성된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속되는 복수의 제1 배선(IC1)과 복수의 제2 배선(IC2), 및 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)에 접속되어 복수의 태양 전지(C1, C2)를 직렬 연결하는 제3 배선(IC3)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the solar cell module according to the present invention includes a plurality of solar cells C1 and C2, and a plurality of first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surfaces of the plurality of solar cells C1 and C2. ) Connected to a plurality of first wires (IC1) and a plurality of second wires (IC2), and a plurality of first and second wires (IC1, IC2) to connect a plurality of solar cells (C1, C2) in series The third wiring IC3 is included.

여기서, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)을 구비한다. Here, each of the plurality of solar cells C1 and C2 includes a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 formed to be spaced apart from each other on at least the semiconductor substrate 110 and the rear surface of the semiconductor substrate 110 It is equipped with.

보다 구체적으로 설명하면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지는 일례로 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.More specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, the solar cell according to the present invention includes, for example, a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter part 121, and a back surface. field; BSF, 172, a plurality of first electrodes C141, and a plurality of second electrodes C142.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 may be omitted, but hereinafter, as an example, the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 are included as shown in FIGS. 2 and 3. Explain.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 재질로 형성되는 반도체 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물, 일례로 n형 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a first conductivity type impurity, for example, an n-type conductivity type impurity, on a semiconductor wafer formed of a crystalline silicon material.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 이와 같은 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 일례로 p형 도전성 타입의 불순물이 포함될 수 있다. A plurality of emitter units 121 are located in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, spaced apart from each other, and extend in a first direction x parallel to each other. The plurality of emitter units 121 may include a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 110, for example, impurities of a p-type conductivity type.

이에 따라 반도체 기판(110)과 에미터부(121)에 의해 p-n 접합이 형성될 수 있다.Accordingly, a p-n junction may be formed by the semiconductor substrate 110 and the emitter part 121.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 서로 이격되어 위치하며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 제1 방향(x)으로 뻗어 있다. 따라서, 도 2 및 도 3에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.A plurality of rear electric field units 172 are located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110 to be spaced apart from each other, and extend in a first direction x parallel to the plurality of emitter units 121. Accordingly, as shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of emitter units 121 and a plurality of rear electric field units 172 may be alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 n++ 불순물 부일 수 있다. The plurality of rear electric field portions 172 may be n++ impurity portions in which impurities of the same first conductivity type as the semiconductor substrate 110 are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다. The plurality of first electrodes C141 may be physically and electrically connected to the emitter unit 121, respectively, and may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the emitter unit 121.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되며, 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the plurality of second electrodes C142 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 along the plurality of rear electric field units 172, and are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field units 172, respectively. Can be connected to.

여기서, 복수의 제1 전극(C141)의 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 제1 전극(C141) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.Here, each of the plurality of first electrodes C141 may extend in a first direction (x), as shown in FIG. 3, and each of the plurality of first electrodes C141 is in the first direction (x) and They may be arranged to be spaced apart from each other in an intersecting second direction (y).

아울러, 복수의 제2 전극(C142) 각각도 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 뻗어 있을 수 있으며, 복수의 제2 전극(C142) 각각은 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 서로 이격되어 배열될 수 있다.In addition, each of the plurality of second electrodes C142 may also extend in a first direction (x), as shown in FIG. 3, and each of the plurality of second electrodes C142 crosses the first direction (x). They may be arranged to be spaced apart from each other in the second direction y.

아울러, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)은 서로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있으며, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 서로 교번하여 배치될 수 있다. In addition, the plurality of first and second electrodes C141 and C142 may be spaced apart from each other and electrically isolated, and the first electrode C141 and the second electrode C142 may be alternately disposed.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.Holes collected through the first electrode C141 and electrons collected through the second electrode C142 in the solar cell according to the present invention manufactured with such a structure will be used as power of an external device through an external circuit device. I can.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 2 및 도 3에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다. The solar cell applied to the solar cell module according to the present invention is not necessarily limited to FIGS. 2 and 3, and the first and second electrodes C141 and C142 provided in the solar cell are formed only on the rear surface of the semiconductor substrate 110 Except for, other components can be changed anytime.

예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(C141)의 일부 및 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(C141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.For example, in the solar cell module of the present invention, a part of the first electrode C141 and the emitter part 121 are located on the front surface of the semiconductor substrate 110, and a part of the first electrode C141 is located on the semiconductor substrate 110. An MWT type solar cell connected to the rest of the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through the formed hole may also be applied.

이와 같이, 도 2 및 도 3에서 설명한 태양 전지는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수 개가 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다. 즉, 일례로, 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)는 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다.As such, the solar cells described in FIGS. 2 and 3 may be arranged in the second direction y as shown in FIG. 1. That is, as an example, the first solar cell C1 and the second solar cell C2 may be arranged in the second direction y.

이때, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비되는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향이 제1 방향(x)으로 향하도록 배치될 수 있다.In this case, the length direction of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 provided in the first and second solar cells C1 and C2 may be disposed to face in the first direction x.

이와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제2 방향(y)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2, 3 배선(IC1, IC2, IC3)에 의해 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.In this way, while the first and second solar cells C1 and C2 are arranged in the second direction y, the first and second solar cells C1 and C2 are connected to the first, second, and third wirings IC1 and IC2. , IC3) may form a single string connected in series by extending in the second direction y.

여기서, 제1, 2, 3 배선(IC1, IC2, IC3)은 도전성 금속 재질을 포함하고, 제1, 2 배선(IC1, IC2)은 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 접속되며, 태양 전지의 직렬 연결을 위하여 각 반도체 기판(110)에 접속된 제1, 2 배선(IC1, IC2)은 제3 배선(IC3)에 접속될 수 있다.Here, the first, second, and third wirings (IC1, IC2, IC3) are made of a conductive metal material, and the first and second wirings (IC1, IC2) are connected to the rear surface of the semiconductor substrate 110 of each solar cell, The first and second wirings IC1 and IC2 connected to each semiconductor substrate 110 for serial connection of the solar cell may be connected to the third wiring IC3.

아울러, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)은 폭과 두께가 서로 동일한 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.In addition, the plurality of first and second wirings IC1 and IC2 may have a shape of a conductive wire having the same width and thickness or a ribbon shape having a width greater than that of the thickness.

구체적으로, 복수의 제1 배선(IC1)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 어느 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에 중첩되어 접속될 수 있다.Specifically, the plurality of first wirings IC1 overlap and connect to the plurality of first electrodes C141 provided in any one of two solar cells immediately adjacent to each other among the plurality of solar cells C1 and C2. Can be.

일례로, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 배선(IC1)은 서로 바로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 중 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에 중첩되어 접속될 수 있다. For example, as shown in FIGS. 1 and 4, a plurality of first wirings IC1 are provided in the first solar cell C1 of two first and second solar cells C1 and C2 immediately adjacent to each other. The plurality of first electrodes C141 may be overlapped and connected.

이때, 복수의 제1 배선(IC1) 각각은 복수의 제1 전극(C141)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에서 보았을 때, 복수 개의 제1 배선(IC1)은 반도체 기판(110) 밖으로 인출되어 형성될 수 있다.In this case, each of the plurality of first wirings IC1 may be elongated in a second direction y crossing the length direction of the plurality of first electrodes C141, and as shown in FIG. 1, the semiconductor substrate ( When viewed from the rear surface of 110, the plurality of first wirings IC1 may be formed by being drawn out of the semiconductor substrate 110.

여기서, 도 1 및 도 4에 도시된 봐 같이, 복수의 제1 배선(IC1) 각각은 복수의 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.Here, as shown in FIGS. 1 and 4, each of the plurality of first wirings IC1 may be connected to the plurality of first electrodes C141 through a conductive adhesive CA.

여기서, 도전성 접착제(CA)는 금속 재료 간의 접착력이 뛰어난 솔더 페이스트, 절연성 수지 내에 금속 입자가 함유된 도전성 접착 페이스트 또는 도전성 접착 필름 중 어느 하나가 이용될 수 있다.Here, as the conductive adhesive CA, any one of a solder paste having excellent adhesion between metal materials, a conductive adhesive paste containing metal particles in an insulating resin, or a conductive adhesive film may be used.

아울러, 복수의 제1 배선(IC1) 각각과 복수의 제2 전극(C142) 사이와의 절연을 위하여, 복수의 제1 배선(IC1)과 복수의 제2 전극(C142) 각각의 사이에는 절연층(IL)이 배치될 수 있다.In addition, for insulation between each of the plurality of first wirings IC1 and the plurality of second electrodes C142, an insulating layer is provided between each of the plurality of first wirings IC1 and the plurality of second electrodes C142. (IL) can be deployed.

여기서, 절연층(IL)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지가 사용될 수 있다.Here, the insulating layer IL may be any insulating material, and as an example, an insulating resin such as epoxy may be used.

이때, 일례로, 절연층(IL)에 적용되는 재질은 용해 온도가 대략 400℃ 이상이고, 경화 온도가 210℃ ~ 250℃ 사이인 것이 바람직할 수 있다. At this time, as an example, the material applied to the insulating layer IL may preferably have a melting temperature of approximately 400°C or higher and a curing temperature of 210°C to 250°C.

다음, 복수의 제2 배선(IC2)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 나머지 하나의 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에 중첩되어 접속될 수 있다.Next, the plurality of second wirings IC2 are overlapped and connected to the plurality of second electrodes C142 provided in the remaining one of the two solar cells immediately adjacent to each other among the plurality of solar cells C1 and C2. I can.

일례로, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 배선(IC2)은 서로 바로 인접한 두 개의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 중 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에 중첩되어 접속될 수 있다. For example, as shown in FIGS. 1 and 4, a plurality of second wirings IC2 are provided in the second solar cell C2 of two first and second solar cells C1 and C2 immediately adjacent to each other. The plurality of second electrodes C142 may be overlapped and connected.

이때, 복수의 제2 배선(IC2) 각각은 복수의 제2 전극(C142)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에서 보았을 때, 복수 개의 제2 배선(IC2)은 반도체 기판(110) 밖으로 인출되어 형성될 수 있다.In this case, each of the plurality of second wirings IC2 may be elongated in a second direction y crossing the length direction of the plurality of second electrodes C142, and as shown in FIG. 1, the semiconductor substrate ( When viewed from the rear surface of 110, the plurality of second wirings IC2 may be formed by being drawn out of the semiconductor substrate 110.

여기서, 도 1 및 도 4에 도시된 봐 같이, 복수의 제2 배선(IC2) 각각은 복수의 제2 전극(C142)에 전술한 바와 동일한 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.Here, as shown in FIGS. 1 and 4, each of the plurality of second wirings IC2 may be connected to the plurality of second electrodes C142 through the same conductive adhesive CA as described above.

아울러, 복수의 제2 배선(IC2) 각각과 복수의 제1 전극(C141) 사이와의 절연을 위하여, 복수의 제2 배선(IC2)과 복수의 제1 전극(C141) 각각의 사이에는 전술한 바와 동일한 절연층(IL)이 배치될 수 있다.In addition, in order to insulate between each of the plurality of second wirings IC2 and the plurality of first electrodes C141, the above-described The same insulating layer IL as that may be disposed.

아울러, 앞에서는 제1 배선(IC1)이 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(C141)에 접속되고, 제2 배선(IC2)이 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(C142)에 접속되는 것만을 설명하였지만, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 구비된 복수의 제2 전극(C142)에도 복수의 제2 배선(IC2)이 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있으며, 제2 태양 전지(C2)에 구비된 복수의 제1 전극(C141)에도 복수의 제1 배선(IC1)이 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.In addition, from the front, the first wiring IC1 is connected to the first electrode C141 of the first solar cell C1, and the second wiring IC2 is the second electrode C142 of the second solar cell C2. Although only the connection to is described, as shown in FIGS. 1 and 4, a plurality of second wirings IC2 are also provided in a plurality of second electrodes C142 provided in the first solar cell C1. CA), and the plurality of first wires IC1 may be connected to the plurality of first electrodes C141 provided in the second solar cell C2 through the conductive adhesive CA.

즉, 하나의 태양 전지 소자로 형성되는 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 배선(IC1)과 복수 개의 제2 배선(IC2)이 각 셀 전극(C141, C142)에 접속될 수 있다.That is, a plurality of first wirings IC1 and a plurality of second wirings IC2 may be connected to each of the cell electrodes C141 and C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110 formed of one solar cell device.

따라서, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 각 태양 전지의 제1 전극(C141)에는 제1 배선(IC1)이 접속되고, 제2 전극(C142)에는 제2 배선(IC2)이 접속될 수 있다.Accordingly, as shown in FIGS. 1 and 4, the first wiring IC1 is connected to the first electrode C141 of each solar cell, and the second wiring IC2 is connected to the second electrode C142. I can.

이와 같이, 각 태양 전지의 후면에 접속된 복수의 제1 배선(IC1) 및 복수의 제2 배선(IC2) 중 각 반도체 기판(110)의 밖으로 인출되는 부분이 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 사이에 배치되는 제3 배선(IC3)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지(C1, C2)가 하나의 스트링으로 형성될 수 있다.In this way, among the plurality of first wirings IC1 and the plurality of second wirings IC2 connected to the rear surface of each solar cell, a portion drawn out of each semiconductor substrate 110 is shown in FIGS. 1 and 4. Likewise, it can be connected to the rear surface of the third wiring IC3 disposed between the first and second solar cells C1 and C2, and accordingly, a plurality of solar cells C1 and C2 can be formed as a single string. I can.

이때, 제3 배선(IC3)의 길이 방향은 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.In this case, the length direction of the third wiring IC3 may be formed to be elongated in the same first direction x as the length direction of the first and second electrodes C141 and C142 of each solar cell.

여기서, 제3 배선(IC3)은 하나 또는 복수 개일 수 있으나, 제1 실시예에서는 제3 배선(IC3)이 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성된 경우를 일례로 설명한다.Here, there may be one or a plurality of third wires IC3, but in the first embodiment, a case in which the third wire IC3 is formed of a single metal pad extending in the first direction x will be described as an example.

이때, 제3 배선(IC3)은 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 각 태양 전지에 구비된 반도체 기판(110)들 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제3 배선(IC3)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 이격될 수 있고, 일례로, 스트링을 후면에서 보았을 때에, 도 1에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)과 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 사이는 D1만큼 이격될 수 있고, 제3 배선(IC3)과 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110) 사이는 D2만큼 이격될 수 있다. 이때, D1과 D2의 이격 간격은 서로 동일하거나 다를 수 있다.In this case, the third wiring IC3 may be disposed between the semiconductor substrates 110 provided in each solar cell, as shown in FIGS. 1 and 4. That is, the third wiring IC3 may be spaced apart without overlapping with the semiconductor substrate 110 provided in each of the plurality of solar cells C1 and C2, and as an example, when the string is viewed from the rear, it is shown in FIG. 1. As described above, between the third wiring IC3 and the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 may be spaced apart by D1, and the semiconductor substrate of the third wiring IC3 and the second solar cell C2 Between (110) can be separated by D2. In this case, the spacing between D1 and D2 may be the same or different from each other.

이와 같이, 제3 배선(IC3)이 반도체 기판(110)들 사이에 배치됨으로써, 각 태양 전지 사이로 입사된 빛을 반사하여 태양 전지로 재입사할 수 있도록 할 수 있고, 아울러, 각 반도체 기판(110) 사이에서 제3 배선(IC3)이 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 고정시키는 역할을 함으로써, 태양 전지 모듈의 구조적인 안정성을 보다 증가시킬 수 있다.In this way, since the third wiring IC3 is disposed between the semiconductor substrates 110, it is possible to reflect light incident between each solar cell and re-enter the solar cell. In addition, each semiconductor substrate 110 ), the third wiring IC3 serves to fix the first and second wirings IC1 and IC2, thereby further increasing the structural stability of the solar cell module.

아울러, 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)은 도 1에 도시된 바와 같이, 충분한 접촉력과 접속 저항을 확보하기 위하여 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 폭(WI1, WI2)보다 클 수 있다. 일례로, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 폭(WI1, WI2)은 0.05mm ~ 4mm 사이일 수 있으며, 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)은 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 폭(WI1, WI2)보다 큰 조건 하에서 0.5mm ~ 8mm 사이로 형성될 수 있다.In addition, the width WI3 of the third wire IC3 is, as shown in FIG. 1, the widths WI1 and WI2 of each of the plurality of first and second wires IC1 and IC2 in order to secure sufficient contact force and connection resistance. Can be greater than ). For example, the widths WI1 and WI2 of each of the plurality of first and second wires IC1 and IC2 may be between 0.05 mm and 4 mm, and the width WI3 of the third wire IC3 is the first and second wires. (IC1, IC2) It may be formed between 0.5mm ~ 8mm under the condition that is larger than the respective widths (WI1, WI2).

이때, 제3 배선(IC3)의 두께는 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 각각의 두께와 동일하거나 더 클 수 있다. 일례로, 제1, 2 배선(IC1, IC2)의 두께는 0.05mm ~ 0.4mm 사이일 수 있으며, 제3 배선(IC3)의 두께는 제1. 2 배선의 두께와 동일하거나 0.05mm ~ 1mm사이로 형성될 수 있다.In this case, the thickness of the third wiring IC3 may be equal to or greater than the thickness of each of the plurality of first and second wirings IC1 and IC2. For example, the thickness of the first and second wirings IC1 and IC2 may be between 0.05mm and 0.4mm, and the thickness of the third wiring IC3 is 1. 2 It may be the same as the thickness of the wiring or may be formed between 0.05mm and 1mm.

이때, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 서로 다른 라인 선상에 위치하여 각각 독립적 개별적으로 구비됨으로써, 제3 배선(IC3)과 중첩되는 부분에 위치하는 제1 배선(IC1)의 끝단과 제2 배선(IC2)의 끝단은 서로 이격될 수 있다. At this time, as shown in FIGS. 1 and 4, the first wiring IC1 connected to the first solar cell C1 and the second wiring IC2 connected to the second solar cell C2 are different lines. Since they are located on the line and are provided independently, the ends of the first interconnection IC1 and the second interconnection IC2, which are positioned at a portion overlapping the third interconnection IC3, may be spaced apart from each other.

따라서, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 배선(IC1, IC2)과 제1, 2 전극(C141, C142) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 제3 배선(IC3)과 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.Therefore, when there is a solar cell in which connection failure has occurred between the first and second wirings IC1 and IC2 and the first and second electrodes C141 and C142 among the plurality of solar cells, the third wiring IC3 and the plurality of By releasing the connection between the 1st and 2nd wirings (IC1, IC2), only the solar cell can be replaced more easily.

그러나, 이와 다르게, 3 배선과 중첩되는 부분에서 제1 배선(IC1)과 제2 배선(IC2)은 서로 이격되지 않고 일체로 접속되는 것도 가능하다. 이에 대해서는 본 발명의 제2 실시예에서 보다 구체적으로 설명한다.However, differently, in a portion overlapping with the third wiring, the first wiring IC1 and the second wiring IC2 may be integrally connected without being spaced apart from each other. This will be described in more detail in the second embodiment of the present invention.

여기서, 제3 배선(IC3)의 보다 구체적인 구조에 대해 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Here, a more specific structure of the third wiring IC3 will be described with reference to FIG. 5 as follows.

도5에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)은 도전성의 제1 금속재로 형성되는 코어(CO), 코어(CO)의 입사면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제1 코팅부(CT1), 및 코어(CO)의 후면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제2 코팅부(CT2)를 포함하여 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5, the third wiring IC3 includes a core CO formed of a conductive first metal material, a first coating portion CT1 coated on and positioned on the incident surface of the core CO, and And a second coating part CT2 coated and positioned on the rear surface of the core CO.

여기서, 코어(CO)의 제1 금속재는 전도성이 양호한 금속 재질, 일례로, 구리(Cu)일 수 있다.Here, the first metal material of the core CO may be a metal material having good conductivity, for example, copper (Cu).

여기서, 제1 코팅부(CT1)의 입사면 쪽 표면에는 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 요철이 구비될 수 있다. 이와 같은 요철은 제3 배선(IC3)으로 입사되는 빛을 산란키기 위해 피라미드 형상의 구조로 형성되거나, 제2 방향(y)으로 복수 개의 봉우리와 골짜기가 길게 뻗어 있어, 봉우리와 골짜기 사이에 형성되는 경사면이 제1 태양 전지(C1)나 제2 태양 전지(C2) 방향을 향하는 형상일 수 있다. Here, as illustrated in FIG. 5, a plurality of irregularities may be provided on the surface of the first coating part CT1 toward the incident surface. Such irregularities are formed in a pyramid-shaped structure to scatter light incident on the third wiring IC3, or a plurality of peaks and valleys extend long in the second direction (y), which is formed between the peaks and valleys. The inclined surface may be shaped toward the first solar cell C1 or the second solar cell C2.

아울러, 이와 같은 제1 코팅부(CT1)는 제3 배선(IC3)에 의한 반사율을 높이기 위하여 제1 금속재보다 표면 반사율이 높은 제2 금속재를 포함할 수 있다. 일례로, 제2 금속재는 제1 금속재인 구리(Cu)보다 표면 반사율이 높은 은(Ag)이 사용될 수 있다.In addition, the first coating part CT1 may include a second metal material having a higher surface reflectivity than the first metal material in order to increase the reflectance by the third wiring IC3. For example, as the second metal material, silver (Ag) having a higher surface reflectivity than copper (Cu), which is the first metal material, may be used.

또한, 제2 코팅부(CT2)는 제3 배선(IC3)재의 후면에 접속된 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)재와의 접촉력 및 접촉 저항을 보다 향상시키기 위하여, 제1, 2 금속재보다 녹는점이 낮은 제3 금속재를 포함할 수 있다.In addition, in order to further improve the contact force and contact resistance with the plurality of first and second wirings IC1 and IC2 connected to the rear surface of the third wiring IC3, the second coating CT2 A third metal material having a lower melting point than that of the metal material may be included.

일례로, 제3 금속재는 제1, 2 금속재인 구리(Cu)나 은(Ag)보다 녹는점이 낮아 접착력이 좋은 주석(Sn)이나 인듐(In) 중 적어도 하나의 금속 재질을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 제3 금속재는 일례로, SnPb, SnBi 또는 In 등과 같은 물질을 포함할 수 있다.For example, the third metal material may include at least one metal material of tin (Sn) and indium (In) having a lower melting point than that of the first and second metal materials, such as copper (Cu) or silver (Ag). More specifically, the third metal material may include, for example, a material such as SnPb, SnBi, or In.

아울러, 제2 코팅부(CT2)의 후면 표면에는 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)이 삽입되는 복수 개의 홈(HIC)이 구비될 수 있다. 즉, 제2 코팅부(CT2)의 후면 표면에 형성된 복수 개의 홈(HIC) 각각은 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)이 맞물릴 수 있는 구조를 가질 수 있다. In addition, a plurality of grooves HIC into which a plurality of first and second wirings IC1 and IC2 are inserted may be provided on the rear surface of the second coating part CT2 as shown in FIG. 5. That is, each of the plurality of grooves HIC formed on the rear surface of the second coating part CT2 may have a structure in which the plurality of first and second wirings IC1 and IC2 are engaged.

이에 따라, 제2 코팅부(CT2)와 제1, 2 배선(IC1, IC2) 사이의 접속 면적을 증가시켜 접촉 저항을 최소화할 수 있으며, 복수의 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 제3 배선(IC3)에 접속시킬 때에, 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 보다 용이하게 얼라인 및 고정시킬 수 있다.Accordingly, contact resistance can be minimized by increasing the connection area between the second coating part CT2 and the first and second wirings IC1 and IC2, and a plurality of first and second wirings IC1 and IC2 are provided. When connecting to the three wirings IC3, the first and second wirings IC1 and IC2 can be more easily aligned and fixed.

이때, 제2 코팅부(CT2)에서 홈(HIC)이 형성되지 않은 부분의 두께(TCT2)는 제2 코팅부(CT2)의 접속력이 충분히 발휘되도록 하기 위하여, 5㎛ ~ 30㎛ 사이로 형성될 수 있다.At this time, the thickness (TCT2) of the portion where the groove (HIC) is not formed in the second coating part CT2 is to be formed between 5 μm and 30 μm in order to sufficiently exert the connection force of the second coating part CT2. I can.

만약 제2 코팅부(CT2)의 두께가 충분하지 않은 경우에는 전술한 도전성 접착제(CA)를 사용하여 제1, 2 배선(IC1, IC2)을 제3 배선(IC3)에 접속시킬 수 있다. If the thickness of the second coating part CT2 is not sufficient, the first and second wires IC1 and IC2 may be connected to the third wire IC3 using the conductive adhesive CA described above.

그러나, 전술한 바와 같이, 제2 코팅부(CT2)의 두께가 5㎛ ~ 30㎛ 사이인 경우, 별도의 도전성 접착제(CA)가 필요하지 않으므로, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있으며, 제조 비용을 보다 감소시킬 수 있다.However, as described above, when the thickness of the second coating part CT2 is between 5 μm and 30 μm, since a separate conductive adhesive (CA) is not required, the manufacturing process can be further simplified, and the manufacturing cost can be reduced. It can be further reduced.

이와 같이, 제1, 2, 3 배선(IC1, IC2, IC3)에 의해 복수 개의 태양 전지(C1, C2)가 직렬 연결된 스트링은 투명 기판(FG) 및 제1 충진재(EC1)와, 제2 충진재(EC2) 및 후면 시트(BS) 사이에 배치된 상태에서 함께 라미네이션(lamination) 되어 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 일체화된 모듈로 형성될 수 있다.In this way, the strings in which the plurality of solar cells C1 and C2 are connected in series by the first, second, and third wirings IC1, IC2, and IC3 are the transparent substrate FG, the first filler EC1, and the second filler. In a state disposed between the (EC2) and the rear sheet (BS), they are laminated together, and as shown in FIG. 6, it may be formed as one integrated module.

여기서, 투명 기판(FG)은 광투과성의 유리 또는 플라스틱 재질일 수 있으며, 제1, 2 충진재(EC1, EC2)는 탄성력과 절연성을 구비한 재질로, 일례로, EVA를 포함할 수 있다. 아울러, 후면 시트(BS)는 방습 기능이 있는 절연성 재질로 형성될 수 있다.Here, the transparent substrate FG may be made of a light-transmitting glass or plastic material, and the first and second fillers EC1 and EC2 are a material having elasticity and insulation, and may include EVA, for example. In addition, the rear sheet BS may be formed of an insulating material having a moisture-proof function.

이와 같이, 복수 개의 태양 전지 사이에 반사체 역할을 하는 제3 배선(IC3)을 사용하는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 태양 전지 사이로 입사되는 빛을 제3 배선(IC3)과 투명 기판(FG)을 통하여 다시 태양 전지로 입사시킬 수 있어 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.In this way, when using the third wiring IC3 serving as a reflector between a plurality of solar cells, as shown in FIG. 6, the light incident between the solar cells is transferred to the third wiring IC3 and the transparent substrate FG. ), it is possible to re-enter the solar cell, thereby further improving the efficiency of the solar cell.

지금까지의 제1 실시예에서는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 서로 다른 라인 선상에 위치하여 각각 독립적 개별적으로 구비됨으로써, 제3 배선(IC3)과 중첩되는 부분에 위치하는 제1 배선(IC1)의 끝단과 제2 배선(IC2)의 끝단은 서로 이격되는 경우에 대해서만 설명하였으나, 이와 다르게, 이하의 제2 실시예에서는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)이 일체로 형성되는 경우에 대해 설명한다.In the first embodiment so far, the first wiring IC1 connected to the first solar cell C1 and the second wiring IC2 connected to the second solar cell C2 are located on different line lines. Since the ends of the first wiring IC1 and the ends of the second wiring IC2, which are located at a portion overlapping with the third wiring IC3, are described only when they are separated from each other, differently from this, the following description has been made. In the second embodiment of, a case in which the first wiring IC1 connected to the first solar cell C1 and the second wiring IC2 connected to the second solar cell C2 are integrally formed will be described.

도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 형상이고, 도 8은 도 7에서 CSx2-CSx2 라인에 따른 단면도를 도시한 것이다.7 and 8 are diagrams for explaining a second embodiment of the solar cell module according to the present invention. Here, FIG. 7 is a shape as viewed from the rear of the string applied to the solar cell module according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the CSx2-CSx2 line in FIG. 7.

도 7 및 도 8에서는 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다. 따라서, 특별한 설명이 없고 서로 양립 불가능하지 않는 한, 도 1 내지 도 6에서 설명한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.In FIGS. 7 and 8, contents overlapping with those described in FIGS. 1 to 6 will be omitted, and other parts will be mainly described. Therefore, unless there is a specific description and are not compatible with each other, the portions described in FIGS. 1 to 6 may be equally applied.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 일체로 형성될 수 있으며, 이에 따라, 3 배선과 중첩되는 부분에서 제1 배선(IC1)과 제2 배선(IC2)은 서로 이격되지 않고 일체로 형성될 수 있다. 7 and 8, the first wiring IC1 connected to the first solar cell C1 and the second wiring IC2 connected to the second solar cell C2 may be integrally formed. Accordingly, the first wiring IC1 and the second wiring IC2 may be integrally formed without being spaced apart from each other in a portion overlapping the third wiring.

따라서, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 배선(IC1)과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 배선(IC2) 각각은 동일 라인 선상에 위치할 수 있다.Accordingly, each of the plurality of first wirings IC1 connected to the first solar cell C1 and the plurality of second wirings IC2 connected to the second solar cell C2 may be positioned on the same line.

이때, 도 1 내지 도 6에서 전술한 바와 동일하게, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 배선(IC1)은 복수의 제1 전극(C141)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속되고, 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 배선(IC2)은 복수의 제2 전극(C142)에 도전성 접착제(CA)를 통하여 접속될 수 있다.At this time, the same as described above in FIGS. 1 to 6, as shown in FIGS. 7 and 8, the plurality of first wirings IC1 connected to the first solar cell C1 includes a plurality of first electrodes ( A plurality of second wirings IC2 connected to C141 through a conductive adhesive CA and connected to the second solar cell C2 may be connected to the plurality of second electrodes C142 through a conductive adhesive CA. I can.

지금까지의 제1, 2 실시예에서는 제3 배선(IC3)이 각 태양 전지의 반도체 기판(110) 사이에 위치하고, 각 반도체 기판(110)과 중첩되지 않고 이격되어 배치되는 경우만을 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 제3 배선(IC3)이 각 태양 전지의 반도체 기판(110) 사이에 위치하되, 일부 반도체 기판(110)과는 중첩되어 배치될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.In the first and second embodiments so far, only the case where the third wiring IC3 is positioned between the semiconductor substrates 110 of each solar cell and is disposed apart from each other without overlapping with each of the semiconductor substrates 110 has been described as an example. Unlike this, the third wiring IC3 is positioned between the semiconductor substrates 110 of each solar cell, but may be disposed to overlap with some of the semiconductor substrates 110. This will be described as follows.

도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 형상이고, 도 10은 도 9에서 CSx3-CSx3 라인에 따른 단면도를 도시한 것이다.9 and 10 are diagrams for explaining a third embodiment of the solar cell module according to the present invention. Here, FIG. 9 is a shape as viewed from the rear of a string applied to the solar cell module according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the CSx3-CSx3 line in FIG. 9.

도 9 및 도 10에서는 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다. 따라서, 특별한 설명이 없고 서로 양립 불가능하지 않는 한, 도 1 내지 도 6에서 설명한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.In FIGS. 9 and 10, contents overlapping with those described in FIGS. 1 to 6 will be omitted, and other parts will be mainly described. Therefore, unless there is a specific description and are not compatible with each other, the portions described in FIGS. 1 to 6 may be equally applied.

본 발명에 따른 제3 배선(IC3)의 적어도 일부분은 복수의 태양 전지(C1, C2)에 구비된 반도체 기판(110) 중 일부 반도체 기판(110)과 중첩되어 배치될 수 있다.At least a portion of the third wiring IC3 according to the present invention may be disposed to overlap with some of the semiconductor substrates 110 provided in the plurality of solar cells C1 and C2.

일례로, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)의 일부분이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과는 중첩되고, 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과는 이격된 상태로 배치되어 형성되는 것도 가능하다. For example, as shown in FIGS. 9 and 10, a part of the third wiring IC3 overlaps the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1, and the semiconductor of the second solar cell C2 It may be disposed and formed in a state spaced apart from the substrate 110.

그러나, 이와 다르게, 제3 배선(IC3)의 전체 영역이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과 중첩되는 것도 가능하다.However, differently, the entire area of the third wiring IC3 may overlap the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1.

이때, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)은 제3 배선(IC3)의 전면에 접속될 수 있으며, 제2 태양 전지(C2)에 접속된 제2 배선(IC2)은 제3 배선(IC3)의 후면에 접속될 수 있다.At this time, the first wiring IC1 connected to the first solar cell C1 may be connected to the front surface of the third wiring IC3, and the second wiring IC2 connected to the second solar cell C2 is It may be connected to the rear surface of the third wiring IC3.

아울러, 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110)과 제3 배선(IC3)이 중첩되는 영역 중에서 제1 배선(IC1)이 위치하지 않는 영역에는 제3 배선(IC3)과 반도체 기판(110)과의 불필요한 단락을 방지하기 위해서 도 10에 도시된 바와 같이, 절연층(IL)이 형성될 수 있다.In addition, the third wiring IC3 and the semiconductor substrate 110 are in a region where the first wiring IC1 is not located among the areas where the semiconductor substrate 110 and the third wiring IC3 of the first solar cell C1 overlap. In order to prevent unnecessary short circuit with ), as shown in FIG. 10, an insulating layer IL may be formed.

아울러, 도 9 및 도 10에서는 제1 태양 전지(C1)에 접속된 제1 배선(IC1)이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 밖으로 인출되어 형성된 경우를 일례로 도시하였지만, 제1 배선(IC1)이 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 밖으로 인출되지 않을 수도 있다.In addition, in FIGS. 9 and 10, a case in which the first wiring IC1 connected to the first solar cell C1 is drawn out of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1 is illustrated as an example. One wiring IC1 may not be drawn out of the semiconductor substrate 110 of the first solar cell C1.

지금까지 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에서는 제3 배선(IC3)이 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성된 경우만을 일례로 설명하였지만, 제3 배선(IC3)은 복수 개로 형성될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.Until now, in the first to third embodiments of the present invention, only a case in which the third wiring IC3 is formed of a single metal pad extending in the first direction x has been described as an example. It can also be formed of dogs. This will be described as follows.

도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제4 실시예를 설명하기 위한 도이다. 여기서, 도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링의 일부분을 후면에서 바라본 형상이고, 도 12는 도 11에서 CSx4-CSx4 라인에 따른 단면도를 도시한 것이다.11 and 12 are diagrams for explaining a fourth embodiment of the solar cell module according to the present invention. Here, FIG. 11 is a shape as viewed from the rear of a part of the string applied to the solar cell module according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the CSx4-CSx4 line in FIG. 11.

도 11 및 도 12에서는 도 1 내지 도 6에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하고 다른 부분을 위주로 설명한다. 따라서, 특별한 설명이 없고 서로 양립 불가능하지 않는 한, 도 1 내지 도 6에서 설명한 부분이 동일하게 적용될 수 있다.In FIGS. 11 and 12, contents overlapping with those described in FIGS. 1 to 6 will be omitted, and other parts will be mainly described. Therefore, unless there is a specific description and are not compatible with each other, the portions described in FIGS. 1 to 6 may be equally applied.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제3 배선(IC3)은 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 복수 개로 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 11 and 12, the third wiring IC3 may be formed in a plurality of lines that are spaced apart from each other and extend long in the first direction x.

이와 같은 경우에도, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 복수 개의 제3 배선(IC3)을 통해 태양 전지 사이로 입사되는 빛을 태양 전지로 재입사하여 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.Even in such a case, the efficiency of the solar cell module may be further improved by re-inciding light incident between the solar cells to the solar cell through the plurality of third wirings IC3 elongated in the first direction x.

이때, 복수 개의 제3 배선(IC3) 역시 도 5에서 설명한 바와 같이, 코어(CO), 제1 코팅부(CT1) 및 제2 코팅부(CT2)를 포함할 수 있다.In this case, the plurality of third wires IC3 may also include a core CO, a first coating part CT1, and a second coating part CT2, as described with reference to FIG. 5.

아울러, 제4 실시예와 같은 경우, 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)은 제1, 2 배선(IC1, IC2)의 폭(WI1, WI2)과 동일할 수 있다. 그러나, 셀간 직렬 저항을 확보하기 위하여 제3 배선(IC3)의 폭(WI3)이나 두께가 제1, 2 배선(IC1, IC2)의 폭이나 두께보다 크게 형성될 수도 있다.In addition, in the case of the fourth embodiment, the width WI3 of the third wiring IC3 may be the same as the widths WI1 and WI2 of the first and second wirings IC1 and IC2. However, in order to secure series resistance between cells, the width WI3 or the thickness of the third wiring IC3 may be larger than the width or thickness of the first and second wirings IC1 and IC2.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs can make various modifications, changes, and substitutions within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. will be.

따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (16)

반도체 기판, 및 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 각각 구비하는 복수의 태양 전지;
상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 복수의 태양 전지 중 서로 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 제1 태양 전지에 구비된 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극에 중첩되고, 상기 제1 태양 전지에 구비된 상기 복수의 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 배선; 및
상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 바로 인접한 두 개의 태양 전지 중 제2 태양 전지에 구비된 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극에 중첩되고, 상기 제2 태양 전지에 구비된 복수의 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 배선; 및
상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1, 2 태양 전지 사이에 배치되며, 상기 복수의 제1 배선 및 상기 복수의 제2 배선에 접속되는 제3 배선;을 포함하고,
상기 복수의 태양 전지는 상기 제1, 2, 3 배선에 의해 직렬 연결되어, 상기 제2 방향으로 길게 뻗는 하나의 스트링을 형성하는 태양 전지 모듈.
A plurality of aspects including a semiconductor substrate, and a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes, each extending in a first direction and spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate in a second direction crossing the first direction battery;
Extending in the second direction, overlapping the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes provided in a first solar cell among two solar cells immediately adjacent to each other among the plurality of solar cells, and the first solar cell A plurality of first wirings connected to the plurality of first electrodes provided in a battery; And
A plurality of solar cells extending in the second direction, overlapping the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes provided in a second solar cell among the two immediately adjacent solar cells, and provided in the second solar cell A plurality of second wirings connected to the second electrode; And
A third wire extending in the first direction, disposed between the first and second solar cells, and connected to the plurality of first wires and the plurality of second wires; and
The plurality of solar cells are connected in series by the first, second, and third wirings to form one string extending in the second direction.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제3 배선은 상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 상기 반도체 기판들 사이에 배치되며, 상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The third wiring is disposed between the semiconductor substrates provided in each of the plurality of solar cells and spaced apart from the semiconductor substrate provided in each of the plurality of solar cells.
제1 항에 있어서,
상기 제3 배선과 중첩되는 부분에 위치하는 상기 제1 배선의 끝단과 상기 제2 배선의 끝단은 서로 이격되어 있는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A solar cell module in which an end of the first wire and an end of the second wire positioned at a portion overlapping with the third wire are spaced apart from each other.
제1 항에 있어서,
상기 제3 배선과 중첩되는 부분에서 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은 서로 이격되지 않고 일체로 형성되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A solar cell module in which the first wiring and the second wiring are not spaced apart from each other and integrally formed at a portion overlapping the third wiring.
제1 항에 있어서,
상기 제3 배선은 하나 또는 복수 개인 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The third wiring is one or a plurality of solar cell modules.
제8 항에 있어서,
상기 제3 배선은 상기 제1 방향으로 길게 뻗은 하나의 금속 패드로 형성되고,
상기 제3 배선의 폭은 상기 제1, 2 배선의 폭보다 큰 태양 전지 모듈.
The method of claim 8,
The third wiring is formed of a single metal pad elongated in the first direction,
The width of the third wiring is larger than that of the first and second wirings.
제1 항에 있어서,
상기 제3 배선은 도전성의 제1 금속재로 형성되는 코어, 상기 코어의 입사면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제1 코팅부, 및 상기 코어의 후면 쪽 표면에 코팅되어 위치하는 제2 코팅부를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
The third wiring includes a core formed of a conductive first metal material, a first coating portion coated and positioned on the incident surface side of the core, and a second coating portion coated and positioned on the rear surface of the core. Solar module.
제10 항에 있어서,
상기 제1 코팅부의 표면에는 복수의 요철이 구비되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 10,
A solar cell module provided with a plurality of irregularities on the surface of the first coating part.
제10 항에 있어서,
상기 제1 코팅부는 상기 제1 금속재보다 표면 반사율이 높은 제2 금속재를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 10,
The solar cell module including a second metal material having a higher surface reflectivity than the first metal material in the first coating part.
제12 항에 있어서,
상기 제2 코팅부는 상기 제1, 2 금속재보다 녹는점이 낮은 제3 금속재를 포함하는 태양 전지 모듈.
The method of claim 12,
The second coating part solar cell module including a third metal material having a melting point lower than that of the first and second metal materials.
제10 항에 있어서,
상기 제2 코팅부에는 상기 제1, 2 배선이 삽입되는 복수 개의 홈이 구비되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 10,
The solar cell module having a plurality of grooves into which the first and second wires are inserted in the second coating part.
제1 항에 있어서,
상기 제3 배선의 적어도 일부분은 상기 복수의 태양 전지에 구비된 반도체 기판 중 일부 반도체 기판과 중첩되어 배치되는 태양 전지 모듈.
The method of claim 1,
A solar cell module in which at least a portion of the third wiring is disposed to overlap with some of the semiconductor substrates provided in the plurality of solar cells.
제8 항에 있어서,
상기 제3 배선은 서로 이격되어 상기 제1 방향으로 길게 뻗은 복수 개로 형성되고,
상기 제3 배선의 폭은 상기 제1, 2 배선의 폭과 동일한 태양 전지 모듈.
The method of claim 8,
The third wiring is formed in a plurality of spaced apart from each other and elongated in the first direction,
The width of the third wiring is the same as the width of the first and second wirings solar cell module.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101934055B1 (en) * 2017-01-06 2019-04-05 엘지전자 주식회사 Solar cell module
KR102298447B1 (en) * 2017-03-16 2021-09-07 엘지전자 주식회사 Solar cell module
WO2019050158A1 (en) * 2017-09-11 2019-03-14 엘지전자 주식회사 Compound solar cell module and manufacturing method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008090718A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell, solar battery array, solar battery module and method for manufacturing solar battery array
JP2013008785A (en) * 2011-06-23 2013-01-10 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell module

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101284278B1 (en) * 2011-04-12 2013-07-08 엘지전자 주식회사 Solar cell module and interconnector used in solar cell module
KR101282939B1 (en) * 2011-09-29 2013-07-08 엘지전자 주식회사 Solar cell module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008090718A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell, solar battery array, solar battery module and method for manufacturing solar battery array
JP2013008785A (en) * 2011-06-23 2013-01-10 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell module

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