KR101284027B1 - 터치스크린 패널용 도전입자, 및 이를 포함하는 도전 재료 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수지미립자와 상기 수지미립자의 외면에 피복층을 가지는 도전입자로서, 도전입자에 힘을 증가시킬 때 도전입자의 변형증가률의 증가가 발생하는 시점의 압축변형량에 따른 전기저항을 감소시킬 수 있는 특정값을 가지는 도전입자를 제공한다.

Description

터치스크린 패널용 도전입자, 및 이를 포함하는 도전 재료{Conductive particles for Touch Screen Panel, and conductive materials including the same}

본 발명은 도전입자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치스크린 패널용 도전입자에 관한 것이다.

도전입자는 경화제, 접착제, 수지바인더와 혼합하여 분산된 형태로 사용되는 것으로 예를 들어 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film), 이방성도전페이스트(Anisotropic Conductive Paste), 이방성 도전잉크(Anisotropic Conductive Ink), 이방성도전시트(Anisotropic Conductive Sheet)등 이방성도전재료로 폭 넓게 사용되고 있다.

예를 들어 이방성도전재료는 Liquid Crystal Display(LCD), Active Matrix Organic Light Emitting Diode(AMOLED), Plasma Display Panel(PDP) 등의 평판 디스플레이 채널 조립에 있어, 기판상의 Thin Film Transistor(TFT)와 이를 구동하기 위한 드라이버 Integrated Circuit(IC) 간의 전기적 접속, TSP(Touch Screen Panel)의 구동모듈과 전극의 접속 등에 사용된다.

이러한 이방성도전재료로 사용되는 도전입자는 니켈, 동, 은, 금 등의 금속계, 카본분말, 카본섬유, 카본 후레이크(flake) 등의 카본계, 수지입자에 금속물질을 코팅하거나 도금하여 사용하는 복합계 입자등이 있다.

금속계는 입자의 전체가 도전성을 갖고, 입도의 분포가 넓기 때문에 회로의 미세피치나 고정밀을 요구하는 분야 보다는 회로의 피치가 크고 고전류를 요하는 PDP에 주로 사용되고 있다.

카본계 입자는 금속계 보다 전기 전도도가 낮아, 높은 전기 전도도를 요구하는 곳에는 사용이 제한된다.

한편, 복합계 입자는 전기 전도도가 상기의 금속계와 카본계 중간 정도로서, 미립자의 분포를 매우 좁게 제조할 수 있기 때문에 현재 가장 많이 사용하고 있는 도전입자이다.

복합계 도전입자는 구상의 수지 위에 무전해 도금 방법으로 니켈-인 또는 니켈-보론 또는 니켈-인-텅스텐 또는 니켈-보론-텅스텐 등 합금 도금층을 형성하여 그대로 사용하거나, 부식 방지 및 전기 전도도를 높일 목적으로 금 또는 은과 같은 귀금속을 최 외곽에 구성하여 사용하기도 한다.

최근에 들어 모바일기기 특히 스마트폰의 보급 확대로 도전입자는 TSP(Touch Screen Panel) 분야에서 사용량이 급격히 증가하고 있다. TSP는 디스플레이(Display)면에 서로 접촉되지 않는 직각의 투명 전극을 입히고 디스플레이(Display) 가장자리에 Ag 분말 또는 Cu 분말 등의 금속 분말과 바인더(binder), 용매(solvent)를 혼합하여 제조된 페이스트(paste)를 이용하여 구동 모듈과 연결할 수 있는 전극을 형성한다.

형성된 전극은 디스플레이(display)의 특성상 고온에서 열처리가 불가능 하기 때문에 일반적으로 휘발성분만 없애는 방법을 사용한다. 따라서 전극은 매우 약하게 형성되어 있다. 따라서 TSP와 구동 모듈을 연결하기 위한 도전입자는 매우 부드러우며, 변형이 쉬운 것이 요구 되었다. 일반적인 도전입자의 경우는 TSP에 접합 본딩을 할 경우 페이스트(paste)로 형성된 전극이 쉽게 파손되어 단락이 되거나, 저항이 급격히 증가하는 문제점이 있기 때문이다.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 본 발명의 일측면은 접속 저항이 낮고, 오작동이 적은 터치스크린 패널용 도전입자를 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 다른 측면은 전술한 도전입자를 사용한 이방성 도전재료를 제공하는 것이다.

본 발명의 일측면에 따른 도전입자는,

수지미립자와 상기 수지미립자의 외면에 피복층을 가지는 도전입자로서, 하기 식 1에 따른 V값이 5≤V≤25 인 터치스크린 패널용 도전입자.

[식 1]

V(%) = Sv/D *100

(여기서, Sv는 도전입자에 외력(load)을 증가시킬 때 도전입자의 변형증가율(=△압축변형량/△외력)의 증가가 발생하는 시점의 압축변형량이고, D는 도전입자의 평균 직경(μm))

이 때, 상기 도전입자의 평균직경은 3~25μm인 것이 바람직하다.

또한, 상기 피복층은 두께가 30~400nm 로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 피복층은 표면에 돌기를 구비하고, 상기 돌기의 높이 50nm~500nm 인 것이 바람직하다.

또한, 상기 돌기는 상기 피복층과 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.

이 때, 상기 피복층은 Ni, Sn, Ag, Cu, Pd, Zn, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종이상의 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 피복층 외면에는 Au, Pt, Ag 및 Pd로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종이상의 합금으로 이루어지는 추가의 피복층을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 도전입자는 TSP(Touch Screening Panel)용 이방성 도전필름(ACF)에 포함될 수 있다.

본 발명의 다른 측면은 전술한 도전입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 제공한다.

본 발명의 또 다른 측면은 전술한 도전입자 또는 이방성 도전재료를 포함하는 전자장치를 제공한다.

본 발명의 일측면에 따른 도전입자는 외력이 가해졌을 때 압축변형이 조절되어 회로의 접속 불량이나 저항의 급격한 증가로 회로의 오작동을 일으키지 않는다.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따른 이방성 도전재료는 전기저항이 낮고, 도전신뢰성이 우수한 도전입자를 사용하여 우수한 전기저항 및 도전신뢰성이 우수하다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 도전입자의 힘에 따른 압축변형 상태를 도시한 그래프.
도 2는 본 발명의 실시예에서 변형량을 설명하기 위한 설명도.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 도전입자의 작용메커니즘을 설명하기 위한 설명도.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한, 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히, 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 도전입자는 수지미립자와 피복층을 포함한다. 수지미립자는 단량체의 중합체로 이루어진다. 그 재료는 비제한적으로 스티렌계, 아크릴계, 디비닐벤젠계 등의 단량체 또는 이들의 변형된 단량체 또는 상기 단량체의 혼합된 단량체를 이용하여, 중합하여 얻어지는 공중합체를 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 글리시들메타아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 메틸메타아르릴레이트, 핵산디올디아크릴레이트, 스타이렌, 메틸스티렌, 에틸스티렌, 디비닐벤젠 등의 단량체를 단일로 사용하거나, 2개 이상 혼합 사용할 수 있다.

피복층은 금속 예를 들어, 금, 은, 니켈, 구리, 주석, 아연, 티탄 등의 단일 금속과 주석-납, 주석-동, 주석-아연, 니켈-인, 니켈-보론, 니켈-텅스텐과 같은 합금으로도 구성될 수 있다.

피복층의 두께는 30~400nm 정도가 적당하다. 피복층의 두께가 30 nm 미만인 경우 저항 값이 증가하고, 400nm 초과인 경우 피복층의 박리가 일어나 제품의 신뢰성이 떨어진다. 특히 바람직한 두께는 100~250nm이다.

피복층의 표면에는 돌기가 형성될 수 있다. 돌기의 높이는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 돌기의 높이는 50nm~500nm 이다. 돌기의 높이가 전술한 범위를 벗어나면, 금속산화층과 바인더 수지를 깨뜨릴 수 있는 효과가 약해지기 때문이다. 한편, 더욱 바람직한 돌기의 높이는 100~300nm 이다.

돌기의 형태는 특별히 제한되지 않으나, 볼록한 형상인 것이 바람직하다. 이와 같은 경도를 구비하는 재료는 주로 금속으로서, 예를 들어 금, 은, 구리, 니켈, 티탄, 비스무스, 안티모니 등의 단일 금속 또는 구리-아연, 구리-주석, 니켈-인, 니켈-텅스텐, 니켈-보론 등과 같은 합금의 형태도 가능하다. 바람직한 금속은 니켈, 금, 은 팔라듐, 텅스텐 등이다.

전술한 도전입자의 표층에 금, 은, 백금, 팔라듐과 같은 귀금속을 포함하는 추가의 피복층을 구비할 수도 있다. 이는 도전입자의 전도도를 높이고, 산화 방지의 효과도 얻을 수 있기 때문이다. 상기 층의 형성방법은 특별히 한정 되지 않는다. 일반적인 스퍼터링, 도금, 증착의 기술을 사용할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 도전입자는 가해지는 외력이 가해지면 외력이 점점 세어짐에 따라 처음에는 외력이 증가함에 따라 변형증가율이 일정하게 증가하다가, 어느 시점에 작은 외력에도 변형증가율이 급격히 증가하는 변곡점이 발생된다. 이 때, 변곡점의 의미는 변곡점 이전까지는 탄성변형이 이루어지고, 변곡점 이후는 소성변형이 주로 이루어 지기 때문이다.

이 때 본 발명의 실시예에 따른 도전입자는 하기 식 1에 따른 변곡개시변형율(V)값이 5≤V≤25인 것을 만족한다. V가 5미만인 경우 외력에 따라 지속적으로 변형이 이루어져 제1전극과 제2전극의 거리가 매우 가까워지기 때문에 작은 외력이 가하더라도 제1전극이 제2전극을 파괴하는 문제점이 발생하고, 도전입자의 내구성이 매우 취약하여 이방성도전재료의 제조과정이나 접합본딩시 녹거나 쉽게 변형이 일어날 수 있다.

또한, V가 25를 초과하는 경우 또한, V가 25를 초과하는 경우는 도전입자의 변형에 필요한 힘이 크기 때문에 전술한 전극의 파괴가 일어나, 저항이 급격히 증가하거나, 단락이 일어나는 문제점이 있다. 또한, 탄성변형에 따른 회복력이 강하기 때문에 ACF 접합본딩시 외력이 제거된 뒤에도 전극을 밀어올리는 효과가 일어나고, 이는 단락 혹은 저항 증가를 초래하게 된다.

[식 1]

V(%) = Sv/D *100

여기에서 Sv는 도전입자에 외력(Load)을 증가시킬 때 도전입자의 변형증가률(△압축변형량/△외력)의 증가가 발생하는 시점의 압축변형량이고, D는 도전입자의 평균 직경(μm) 이다.

변곡개시변형율(V)값에 필요한 데이터는 미소압축측정기(MCT ; Micro Compress Tester)를 이용하여 얻을 수 있다. 이를 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 미소압축측정기로 0.33mN/sec 의 속도로 힘을 증가하여 최대 50mN까지 가했을 때 변형량을 도시한 그래프이고, 도 2는 도 1의 변형량을 설명하기 위한 설명도이다. 이때, 압축변형량(S)이란 힘(F)을 가할 때 힘이 가해지는 방향으로 도전입자의 높이의 감소한 길이를 말한다.

이로부터 도전입자를 50mN의 힘으로 압축 시험을 진행 할 경우 도전입자는 초기에 변형이 시작하여 변형증가율이 일정하게 유지되다가 변형증가율(△압축변형량/△외력)이 증가가 발생하는 시점의 일정 힘 (F1)에 해당되는 압축변형량(Sv)를 구할 수 있다.

예를 들어 직경(D)가 8μm인 도전입자에 대해서 최대 50mN의 하중으로 압축 시험을 실시할 때, 도전입자의 변형증가율이 증가가 발생하는 시점인 그래프상 변곡이 생기는 지점에서의 압축변형량을 구할 수 있다.

한편, 도전입자의 크기는 비제한적이나, 평균직경이 3~25μm로 제조되는 것이 바람직하다. 도전입자의 크기가 3 μm미만인 경우 TSP의 전극재료로 사용되는 금속 분말의 크기와 유사하거나 약간 크기 때문에 TSP용 전극의 파괴를 일으켜 접속 신뢰성을 떨어뜨리고 또한 25 μm가 넘을 경우 일정 전극 면적에 존재하는 도전입자의 수가 적어 저항이 증가하는 현상을 보일 수 있다.

전술한 도전입자의 평균직경은 입자크기분석기(Particle Size Analyzer)(BECKMAN MULTISIZER TM3)를 이용하여 측정된 mode값이다. 이때 측정된 도전입자의 수는 150,000개가 바람직하다.

이하에서는 도3 내지 도8을 참조하면서, 본 발명에 따른 도전입자가 작용하는 단계별 메커니즘을 설명한다. 각 도면은 제1전극과 제2전극 사이에 ACF가 위치한 상태를 도시한 것이다. 제1전극은 FPCB에 위치하고, 제2전극은 TSP 기판 상에 위치한다. TSP 기판의 제2전극은 페이스트(paste)를 이용하여 형성된 전극으로 매우 작은 힘에도 전극이 파괴되는 경향이 있다.

도 3은 전극 사이에서 전극간 접합을 위한 예비접합 단계로서, 작업의 편리성과 전극의 정확한 위치를 잡기 위함이다. 이 때, 제1전극과 제2전극 사이에 힘이 가해지지 않고 도전입자와 전극은 아직 접촉하지 않고 있다.

도 4는 전극 사이에 힘이 가해지기 시작하는 단계로서, 제1전극에 힘을 가함에 따라 제1전극과 제2전극 사이에 있는 도전입자가 각 전극에 접촉하는 상태이다. 전극 사이의 힘은 지그(Jig)등을 통해 이루어진다.

도 5는 전극 사이에 힘이 더 가해지는 단계로서, 제1전극에 힘이 더 가해짐에 따라 도전입자의 변형이 발생하는 단계이다. 이 때 도전입자가 변형이 이루어 지지 않으면 도 6에서 보는 바와 같이 도전입자가 전극을 파고 들어가는 현상이 발생되고, 이로 인해 제2전극에 균열이 발생되어 불량의 원인이 된다. 따라서 본 발명에서 제시한 압축변형량(Sv)가 중요한 의미를 갖는다.

도 7은 전극 사이에 가해지는 힘이 제거되는 단계로서 이방성 도전필름용 수지는 경화가 진행되며, 도전입자는 변형된 상태를 그대로 유지한다.

도 8은 ACF용 수지가 완전히 경화된 단계로 전극 사이의 도전입자가 제1전극과 제2전극 사이에 전기적 신호를 안전하게 접속한다.

실시예

실시예 1

탈이온수 1,600g에 분산안정제인 PVP-30K를 15g을 녹인다. 상기의 용액에 폴리스티렌 모노머 85g과 메틸메타크릴레이트 모노머 85g을 넣고 교반하여 현탁액을 만든다. 상기의 현탁액에 중합제인 벤졸퍼옥사이드(Benzoyl peroxide)를 1.5g 첨가하고 교반하여 잘 섞이게 한다. 모노머 현탁액을 85℃로 가열하여 중합반응을 진행하고, 반응이 완결될 때까지 12hr을 유지한다. 합성이 완료된 후 현탁액 속의 미립자를 여과, 세척, 분급, 건조 공정을 거쳐 코어수지미립자를 얻는다.

한편 수지입자에 돌기가 있는 무전해 도금을 할 경우에는 도금시 환원된 금속입자가 붙을 활성화 핵을 수지코어 표면에 처리하는 추가의 공정이 필요하다. 예를 들어 알카리용액 또는 산용액으로 에칭을 한 수지코어 입자에 탈이온수에 염산(HCl)과 염화주석(SnCl₂)을 녹인 용액으로 민감화(센시타이징)을 행하고, 탈이온수에 염산과 염화팔라듐(PdCl₂)을 녹인 용액으로 엑셀러레이션을 행한다. 상기의 민감화는 절연 물질 표면에 Sn²⁺이온을 흡착하게 하는 공정이고, 엑셀러레이션은 Sn²⁺+Pd²⁺ -> Sn⁴⁺+Pd⁰로 나타내는 반응으로 무전해 도금의 촉매핵을 형성하기 위한 촉매처리 공정이다.

다음으로 3L 반응기에 탈이온수 2200ml와 Ni염으로 황산니켈 240g, 착화제로 초산나트륨 5g, 안정제로 Pb-아세테이트 0.002g, 계면활성제로 PEG-400 3g을 순서대로 용해하여 도금액(a)을 제조하였다. 전술한 Pd 촉매처리 공정을 끝낸, 평균 입경이 7.7μm인 수지입자 50g을 도금액 용액에 넣고, homogenizer를 이용하여 5분간 분산처리를 하였다. 분산 처리 이후 암모니아수를 이용하여 pH를 6.5으로 맞추었다.

1L 비이커에 탈이온수 300ml와 환원제인 차아인산나트륨 260g, 안정제인 Pb-아세테이트 0.001g을 순서대로 용해하여 용액(b)를 얻었다.

상기의 3L 반응기의 온도를 65℃로 유지하고 250rpm으로 교반하면서 상기의 용액(b)을 정량 펌프로 초기 5분간 20ml/min의 속도로 첨가한 후 나머지는 8ml/min으로 투입하였다. (b)용액이 다 투입되고 20분간 반응을 유지시켜 입경 8.01μm, Sv 1.51μm, V 18.9% 인 도전입자를 제조하였다.

이 때, 도전입자 사이즈는 Particle Size Analyzer(BECKMAN MULTISIZER TM3)를 이용하여 측정된 mode값을 이용하였으며, 측정된 도전입자의 수는 150,000개이다.

또한, 압축변형량은 한 변의 길이가 50 μm인 평면 압자(Indenter)를 이용하여, 미소압축시험기(FISHERSCOPE HM2000)로 측정하였다. 압축변형량은 5개의 도전입자를 측정하고 평균값으로 하였다. 측정 조건은 25℃로 hot plate를 가열하고, 그 위에 도전입자를 놓고 Indenter의 하강 속도를 0.33mN/sec로 하여 MAX 50mN의 힘으로 측정하여 도전입자가 변형된 압축변형량을 측정하였다.

실시예 2

상기 실시예 1에서 메틸메타크릴레이트 모노머 140g과 디비닐벤젠(Divinylbenzene) 모노머 10g을 이용하여 미립자를 합성하였다. 나머지 공정은 실시예 1과 동일하게 진행 하여, 입경 8.05μm, Sv 1.32μm, V 16.4% 인 도전입자를 제조하였다.

실시예 3

상기 실시예 1에서 Hexanediol Diacrylate 모노머 85g과 Divinylbenzene 모노머 85g을 이용하여 미립자를 합성하였다. 미립자 도금 공정은 입경 10μm인 수지입자 30g을 동일한 공정으로 진행하였다. 나머지 공정은 실시예 1과 동일하게 진행 하여, 입경 10.3μm, Sv 4.25μm, V 15.6% 인 도전입자를 제조하였다.

비교예 1

상기 실시예 1에서 모노머 에틸렌글리콜디메타크릴레이트 85g과 디비닐벤젠 모노머 85g을 이용하여 미립자를 합성하였다. 미립자 도금 공정은 입경 8.8μm인 수지입자 55g을 동일한 공정으로 진행하여, 입경 9.1μm, Sv 4.25μm, V 46.7% 인 도전입자를 제조하였다.

실험예

실험예 1 접속저항 측정

접속저항을 측정하기 위해 에폭시수지와 상기의 도전입자를 혼합한 후 필름으로 만들어 전극과 접합 후 초기 저항을 측정하였다.

	도전입자 입경(μm)	압축변형량(Sv,μm)	변곡개시변형율 (V, %)	초기저항 (Ω)	비교
실시예 1	8.01	1.51	18.9	5.2
실시예 2	8.05	1.32	16.4	4.8
실시예 3	10.3	1.61	15.6	5.1
비교예 1	9.1	4.25	46.7	-	단락

이에 따르면, 본 발명의 실시예에 따른 V의 범위가 5≤V≤25인 것의 저항이 낮음을 알 수 있다.

이상에서는 본 발명의 실시예들에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 개념을 벗어나지 않고 변형이 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.

전술한 발명에 대한 권리범위는 이하의 청구범위에서 정해지는 것으로서, 명세서 본문의 기재에 구속되지 않으며, 청구범위의 균등범위에 속하는 변형과 변경은 모두 본 발명의 범위에 속할 것이다.

Claims (10)

1. 수지미립자와 상기 수지미립자의 외면에 피복층을 가지는 도전입자로서, 하기 식 1에 따른 V값이 5≤V≤25 인 터치스크린 패널용 도전입자.
   [식 1]
   V(%) = Sv/D *100
   (여기서, V는 변곡개시변형율, Sv는 도전입자에 외력(load)을 증가시킬 때 도전입자의 변형증가율(=△압축변형량/△외력)의 증가가 발생하는 시점의 압축변형량이고, D는 도전입자의 평균 직경(μm))
2. 제1항에 있어서,
   상기 도전입자의 평균직경은 3~25μm인 터치스크린 패널용 도전입자.
3. 제1항에 있어서,
   상기 피복층은 두께가 30~400nm 로 이루어지는 터치스크린 패널용 도전입자.
4. 제1항에 있어서,
   상기 피복층은 표면에 돌기를 구비하고, 상기 돌기의 높이 50nm~500nm 인 터치스크린 패널용 도전입자.
5. 제4항에 있어서,
   상기 돌기는 상기 피복층과 동일한 물질로 이루어지는 터치스크린 패널용 도전입자.
6. 제1항에 있어서,
   상기 피복층은 Ni, Sn, Ag, Cu, Pd, Zn, W, P, B, 및 Au로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종이상의 합금으로 이루어지는 터치스크린 패널용 도전입자.
7. 제6항에 있어서,
   상기 피복층 외면에는 Au, Pt, Ag 및 Pd로 구성되는 군에서 선택되는 1종 또는 2종이상의 합금으로 이루어지는 추가의 피복층을 더 포함하는 터치스크린 패널용 도전입자.
8. 제1항에 있어서,
   상기 도전입자는 TSP(Touch Screening Panel)용 이방성 도전필름(ACF)에 포함되는 터치스크린 패널용 도전입자.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 도전입자를 포함하는 이방성 도전 재료.
10. 제9항의 이방성 도전 재료를 포함하는 전자장치.

Images