KR101281285B1 - 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 - Google Patents

발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 방법은, 발광 다이오드 칩을 위해, 전자기적 라디에이션을 방출하는 데 적합한 층 시퀀스를 포함하는 기본 몸체를 구비한다.
상기 기본몸체의 하나 이상의 주요면에 커버층이 적층된다. 하나 이상의 캐비티가 커버층에 도입되고, 상기 캐비티는 부분적으로 또는 완전히 발광 변환 물질로 충전된다. 발광 변환 물질은 하나 이상의 형광체를 포함한다.
또한, 커버층이 광 구조화가 가능한 물질 및 하나 이상의 형광체를 포함함으로써, 커버층은 발광 변환 물질로 기능하고, 직접적으로 광 구조화가 될 수 있는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 방법으로 제조될 수 있는 발광 다이오드 칩이 기재된다.
발광 다이오드 칩, 발광 변환 물질, 광 구조화, 형광체, 커버층

Description

발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩{METHOD FOR PRODUCING AN LED CHIP AND LED CHIP}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 102005040558.4의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 본문에서 반복적으로 기재된다.
본 발명은 하나 이상의 형광체를 가지는 발광 변환 물질(luminescence conversion material)을 포함하는 발광 다이오드 칩(luminescence diode chip)의 제조 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기와 같은 발광 다이오드 칩 자체에 관한 것이기도 하다.
전자기적 라디에이션(electromagnetic radiation)을 방출하는 광전 소자에 있어서, 하나 이상의 형광체가 혼합된 포팅 컴파운드(potting compound)를 이용하여 발광 다이오드 칩을 캡슐화(encapsulation)하는 것이 알려져 있다. 캡슐화는 예컨대 발광 다이오드 칩이 실장된 하우징 캐비티를 몰딩함으로써 수행될 수 있다. 다르게는, 캡슐화는 도체 프레임 위에 실장된 발광 다이오드 칩을 사출 압축 방법을 이용하여 오버 몰딩(over molding) 함으로써 수행될 수도 있다.
형광체는 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 전자기적 1차 라디에이션(primary radiation)에 의해 여기될(excited) 수 있다. 형광체는 2차 라디에이션 을 방출하는데, 이 때 1차 라디에이션 및 2차 라디에이션은 서로 다른 파장 영역을 포함한다. 소자의 소기의 색 위치는 예컨대 1차 라디에이션 및 2차 라디에이션의 혼합 비율을 조절함으로써 결정될 수 있다.
위에 언급한 포팅 컴파운드를 사용하는 경우, 형광체가 포팅 컴파운드에 비균일하게 분포되기 때문에 색 위치의 편차가 발생할 수 있다. 형광체의 비균일한 분포는 예컨대 형광체 입자가 침전하기 때문에 일어날 수 있다. 또한, 포팅 컴파운드의 질량 측정 가능성, 발광 다이오드 칩의 높이 및/또는 사출 성형 도구의 캐비티에서 발광 다이오드 칩의 위치 가능성과 관련하여 제작의 허용 오차가 발생한다. 이러한 점은 방사 방향으로 발광 다이오드 칩에 후속하여 배치된 포팅 컴파운드의 질량에 대한 현저한 편차를 발생하게 하고, 따라서, 소자의 색 위치에 있어서도 편차가 발생할 수 있다. 또한, 포팅 컴파운드의 질량을 정확하게 측정하는 부품을 공급하기 위한 높은 비용 및 발광 변환 물질(luminescence conversion material)과 형광체의 마모에 따른 상기 부품의 마모로 인해 소자의 제조 비용이 증가한다.
국제 출원 공개 제 WO 01/65613 A1 호에 개시된 반도체 소자의 제조 방법에 따르면, 발광 변환 요소가 반도체 몸체에 직접 도포된다. 이는, 형광체가 소정의 양으로 반도체 몸체에 균일하게 도포될 수 있도록 한다. 이를 통해, 광을 방사하는 반도체 칩의 색 인상(color impression)이 더 균일하게 수행된다.
상기 방법에 따르면, 반도체 몸체는 캐리어 위에 실장되고, 접촉부를 구비하며, 발광 변환 요소로 코팅된다. 상기 코팅은 소멸성 용제를 포함하는 적합한 부유물(suspension)을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 반도체 몸체는 부착 매질로 코팅되고, 이후의 단계에서 형광체가 상기 매질 위에 도포된다.
본 발명의 과제는 발광 변환 물질을 구비한 발광 다이오드 칩의 제조 방법을 제공하는 것으로, 상세하게는 발광 변환 물질이 소정의 구조를 가지고 소정의 양으로 적용되는 것을 용이하게 수행할 수 있는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 발광 변환 물질을 구비한 발광 다이오드 칩을 제공하고, 여기서 발광 변환 물질은 매우 바람직한 형태로 제공되거나 및/또는 기술적으로 간단한 방법으로 제조될 수 있다.
상기 과제는 청구의 범위 제1항 또는 제11항에 따른 제조 방법, 및 제17항 또는 제19항에 따른 발광 다이오드 칩을 통해 해결된다. 상기 제조 방법 및 발광 다이오드 칩의 바람직한 실시예들은 상기 청구항의 종속항들에 기재되어 있다.
본 발명의 방법에 의하면, 먼저 전자기적 라디에이션을 방출하는데 적합한 발광 다이오드 칩을 위한 층 시퀀스(layer sequence)를 포함하는 기본 몸체를 준비한다. 상기 기본 몸체는 복수개의 발광 다이오드 칩을 구비함으로써, 실질적으로 복수개의 발광 다이오드 칩이 동시에 제조될 수 있다. 이러한 경우, 상기 방법은 발광 다이오드 칩들을 상기 칩의 결합물로부터 개별화하기 위해 기본 몸체를 세분하는 과정을 더 포함한다. 더욱 바람직하게는, 기본 몸체가 웨이퍼 또는 캐리어이고, 상기 기본 몸체 위에 층 시퀀스 또는 복수개의 층 시퀀스가 적층된다.
상기 방법에 따르면, 기본 몸체의 하나 이상의 주요면(main surface) 위에 커버층(cover layer)이 적층된다. 또한, 상기 방법은 커버층에 하나 이상의 캐비티가 형성되도록 하는 단계를 포함한다.
상기 방법의 바람직한 실시예에 따르면, 발광 변환 물질은 기본 몸체 위에 도포되는데, 커버층의 캐비티가 완전히 또는 부분적으로 채워지도록 한다. 이는, 발광 변환 물질의 형태가 캐비티의 형태에 맞추어지는 일이 정확한 방법으로 수행되도록 한다.
더욱 바람직한 실시예에 따르면, 커버층은 광 구조화가 가능한(photo-structurable) 물질을 포함한다. 캐비티의 형성은 바람직하게는 광 구조화를 포함하는데, 즉 구조화란 광 구조화가 가능한 물질을 목적에 맞게 노출한 후, 광 구조화가 가능한 물질의 속성에 따라, 노출된 또는 노출되지 않은 물질을 선택적으로 제거하는 과정을 의미한다. 광 구조화는 매우 작은 구조를 만들기 위해 사용되는데, 정확하게 수행되는 것이 바람직하다. 이는, 기본적으로, 마이크로 미터(micro meter) 영역 및 서브(sub)-마이크로 미터 영역에서도 수행될 수 있다.
발광 변환 물질을 도포한 이후, 커버층은 완전히 제거되는 것이 바람직하다. 다르게는, 발광 변환 물질을 도포한 이후, 커버층의 일부만 선택적으로 제거된다. 커버층의 잔여 부분은 기본 몸체에 남아서, 그 이후 단계에 제공되는 다양한 기능들을 수행할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 발광 변환 물질이 도포된 이후, 커버층이 전혀 제거되지 않을 수도 있다.
커버층의 제거 또는 커버층의 일부만 제거하는 일은 실질적으로 기계적으로 수행되는 것이 바람직하다. 또 다르게는, 상기 제거는 화학적으로 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 일 실시예에 따르면, 커버층이 제거되지 않거나 일부만 제거되는 경우, 커버층은 하나 이상의 형광체를 포함한다. 따라서, 커버층은 그 자체로 발광 변환 요소로서 기능할 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 커버층은 반사 물질(reflecting material)로 구성되거나 그러한 물질을 포함한다. 따라서, 커버층은 특히 반사층으로 사용될 수 있는데, 이러한 반사층은 예를 들어 발광 다이오드 칩 및/또는 발광 변환 물질로부터 방출되는 전자기적 라디에이션이 원하는 방사 패턴(radiation pattern) 또는 방사 입체각(radiation solid angle)을 갖게 한다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 기본 몸체는 하나 이상의 발광 다이오드 칩과 전기적 연결을 위해 하나 이상의 전기적 접촉면을 주요면 상에 갖는다. 캐비티는 커버층 내에서 측 방향으로(lateral) 접촉면을 향한 위치에 구비되고, 커버층은 발광 변환 물질의 도포 이후에 상기 접촉면으로부터 제거된다. 따라서, 커버층은 발광 변환 물질을 소정의 형태로 적용하는 기능 외에, 발광 변환 물질의 전기적 접촉면을 적어도 부분적으로 제공하는 기능도 가진다. 전기적 접촉면에 추가적으로 또는 대안적으로, 또 다른 면들이 발광 변환 물질에 대응하여 제공될 수 있다. 이는 특히, 복수개의 발광 다이오드 칩들이 그들의 공통적 결합물로부터 개별화되기 위해 기본 몸체가 세분되는 영역들에 해당한다. 이러한 영역들에 있어서 바람직한 것은, 상기 영역들이 발광 변환 물질을 포함하지 않는다면, 기본 몸체는 이 영역들에서 예컨대 톱날(saw blade)을 이용하여 자유롭게 연결 가능하다.
바람직하게는, 발광 변환 물질은 실리콘, 실록산(siloxane), 스핀-온 산화물(spin-on oxide) 및 광 구조화가 가능한 물질로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함한다. 더욱 바람직하게는, 상기 물질은 전자기적 라디에이션, 특히 자외선 영역의 전자기적 라디에이션의 영향에 대해 안정성을 가진다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시예에 의하면, 발광 변환 물질은 유체의 경화 가능한 성분 형태로 도포되고, 다음 단계에서 경화된다. 특히 점액성을 가진 발광 변환 물질이 도포된다. 이러한 점액성으로 인해, 상기 물질이 캐비티의 형태에 적합하게 된다. 경화 과정 이후, 발광 변환 물질은 이러한 형태를 지속적으로 가지고 있는데, 커버층이 그 다음 단계에서 부분적으로 또는 완전히 제거되는 때까지도 그러하다.
본 발명에 따른 방법의 더욱 바람직한 실시예에 의하면, 경화되기 전에, 과잉의 발광 변환 물질은 적어도 부분적으로 스트리핑(stripping)에 의해 제거된다. 발광 변환 물질은 특히 커버층으로부터 스트리핑되는데, 이 때 부분적으로만 채워진 캐비티들은 발광 변환 물질에 의해 가능한 채워질 수 있다. 발광 변환 물질을 스트리핑한 이후에는, 커버층이 다음 단계에서 적어도 부분적으로 제거되기 위한 과정이 보다 용이해진다.
본 발명에 따른 방법의 다른 실시예에 의하면, 광 구조화가 가능한 커버층은 기본 몸체의 주요 면 상에 적층되는데, 이 때 이러한 커버층은 하나 이상의 형광체를 포함한다. 따라서, 이미 커버층은 발광 변환 물질로 기능하기에 바람직하게 된다. 상기 물질은 광 구조화 과정을 직접적으로 이용하여 정확한 방법으로 구조화될 수 있다. 바람직하게는, 또 다른 발광 변환 물질의 사용을 생략할 수 있다.
바람직하게는, 하나 이상의 캐비티는 커버층에 구비되고, 이는 특히 광 구조화를 포함한다. 본 발명에 따른 방법의 실시예에 의하면, 캐비티는 기본 몸체의 면에 있어서 발광 변환 물질 및/또는 그 외의 물질을 필요로 하지 않는 면들을 노출하기 위해 구비될 수 있다. 특히, 캐비티들을 통해, 기본 몸체가 절단될 수 있는 영역들 및/또는 전기적 접촉면들이 노출될 수 있다. 캐비티는 자체의 내벽이 서로 평행하지 않도록 형성되거나, 주요면의 주 연장면에 대해 부분적으로 수직으로 형성되도록 구비된다. 바람직하게는, 캐비티는 그의 깊이가 깊어짐에 따라 그의 단면이 변화되도록 구비된다. 일 실시예에 따르면, 캐비티의 깊이가 깊어짐에 따라 캐피티의 단면은 커지며, 다르게는 캐비티의 깊이가 깊어짐에 따라 캐비티의 단면은 더 작아진다.
추가적으로 또는 대안적으로, 캐비티는 자체의 내벽이 주요면의 주 연장 면대해 부분적으로 경사지거나 휘어지도록 형성된다. 이를 통해, 발광 변환 물질의 형태 및 생성될 방사 특성이 간접적으로 결정되거나, 발광 다이오드 칩의 색 위치가 간접적으로 결정된다.
더 바람직하게는, 커버층은 광 구조화가 가능하고, 광 구조화 과정 중, 커버층의 노출이 비균일하게 자주 수행되면서 캐비티의 단면 또는 내벽이 형성된다. 커버층의 서로 다른 영역이 서로 다른 방사 전력(radiation power)에 노출됨으로써, 커버층은 자주 노출되지 않은 영역들에서 자체의 전체 깊이가 아니라 변화된 깊이를 가지고 조사될 수 있다. 따라서, 커버층에 있어서 조사된 영역과 조사되지 않은 영역들의 경계면은 조사를 위해 입사되는 빛의 확산 방향에 대해 평행하게 형성되지 않고, 그에 대해 휘어지거나 경사져서 형성될 수 있다.
본 발명은 기본 몸체를 포함한 발광 다이오드 칩을 제공한다. 기본 몸체는 전자기적 라디에이션을 방출하는 데 적합하다. 기본 몸체는 하나 이상의 주요면에 발광 변환 물질을 포함하고, 상기 물질은 형광체를 포함한다.
바람직한 실시예에 따르면, 발광 변환 물질은 측면 플랭크(flank)가 적어도 부분적으로 사용 목적에 따라 주요면의 주 연장면에 대해 경사지거나 휘어져서 형성되는 층으로서 제공된다. 더 바람직하게는, 발광 변환 물질은 실질적으로 평편한 층으로 제공되는데, 이는 제시된 방법을 이용하여 더 양호하게 제어하면서 달성될 수 있다. 상기 층은 실질적으로 평면으로 형성되는 것이 바람직하다.
추가적으로 또는 특히 대안적으로 고려되는 것은, 발광 변환 물질이 광 구조화가 가능한 물질을 포함하는 것이다. 이러한 경우, 발광 변환 물질은 직접적으로 광 구조화된다.
바람직하게는, 층으로서의 발광 변환 물질은 약 5 ㎛ 과 약 250 ㎛ 사이의 두께를 가진다. 더 바람직하게는, 상기 층의 두께가 약 10 ㎛과 약 50 ㎛ 사이값을 가진다. 상기 층의 최저 한계값은 10 ㎛보다 작거나 또는 5 ㎛보다 작은 것이 바람직할 수 있다.
더욱 바람직한 실시예에 따르면, 발광 변환 물질은 실리콘, 실록산, 스핀-온 산화물 및 광 구조화가 가능한 물질들로 구성된 그룹의 물질을 포함한다.
발광 변환 물질은 측면에서 반사 기능을 가진 물질과 인접한다. 예컨대 발광 변환 물질의 형태 및 상기와 같이 반사 기능을 가진 물질은 발광 다이오드 칩의 방사 특성이 바람직하게 작용하도록 한다. 더욱 바람직하게는, 반사 기능을 가진 물질은 광 구조화가 가능한 물질을 포함한다. 대안적으로 또는 추가적으로, 반사 물질은 커버층에 포함되는 또 다른 물질들을 포함할 수 있다.
발광 다이오드 칩은 박막-발광 다이오드 칩인 것이 바람직하다. 박막-발광 다이오드 칩은 이하의 특성들을 가진다:
- 라디에이션을 발생시키는 에피택시 층 시퀀스의 캐리어 부재를 향한 제1 주요면에 반사 층이 적층 또는 형성되고, 상기 층은 에피택시 층 시퀀스에서 발생되는 전자기적 라디에이션의 적어도 일부를 상기 에피택시 층 시퀀스에 재반사한다.
- 에피택시 층 시퀀스는 20 ㎛ 이하의 영역, 더 바람직하게는 10 ㎛ 이하의 영역의 두께를 가진다.
- 에피택시 층 시퀀스는 혼합 구조를 포함한 하나 이상의 면을 가지는 하나 이상의 반도체 층을 포함하는데, 상기 혼합 구조는 이상적인 경우 빛이 에피택시 층 시퀀스에서 거의 에르고드적(ergodic)으로 배분되도록 한다. 즉 상기 구조는 가능한한 에르고드적인 확률적 분산처리를 포함한다.
본원에서, 에피택시 층 시퀀스는 박막-층으로 명명한다. 상기 층 시퀀스는 바람직하게는 성장 기판으로부터 완전히 또는 부분적으로 분리되어 있다. 박막-발광 다이오드 칩의 기본 원칙은 예컨대 문헌[아이. 슈닛처 외(I. Schnitzer et al.), Appl . Phys . Lett . 63(16), 1993. 10. 18, p 2174-2176]에 기재되어 있으며, 이의 개시 내용은 본문에서 반복적으로 기재된다.
박막-발광 다이오드 칩을 사용하면, 더 높은 효율성을 달성할 수 있는데, 이는 박막-층에서 방출되는 전자기적 라디에이션이 일반적으로 형광체 입자에서 분산되고, 많은 부분이 반도체 층 시퀀스에 재 분산되기 때문이다. 다른 시스템들과 비교해볼 때, 박막-발광 다이오드 칩의 경우, 상기와 같이 재 분산되는 광선이 반사 층에 의해 보다 적은 손실량을 가지고 재반사된다. 에피택시 층 시퀀스의 작은 두께 및 반사층 때문에, 흡수 손실량이 상대적으로 적다.
발광 다이오드 칩의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 변환 물질은 유기 형광체 및/또는 형광체를 포함하고, 상기 형광체는 적어도 부분적으로 나노 입자의 형태로 제공된다. 나노 입자는 바람직하게는 중앙 직경 d50이 100 ㎛ 이하인데, 이 때 중앙 직경은 부피 분포합 또는 질량 분포합(mass distribution sum)(Ｑ3)에 따라 결정된다. 더 바람직하게는, 나노 입자에 있어서 Ｑ3으로 측정된 d50 값이 30㎚ 이하이고, 1 ㎚ 이상이다.
광 방출성 광학 소자에 사용된 종래의 형광체 입자와 비교할 때, 나노 입자 형태를 가진 형광체 입자는 개선된 균일한 발광 상을 구현할 수 있다. 나노 입자 형태의 유기 형광체 및 형광체는 유체의, 특히 점액성의 매트릭스 물질에서 더욱 양호하고 지속력있게 분산된다. 이를 통해, 예컨대, 원심력의 작용에 의해 형광체가 기본 몸체의 외부 영역들에 집중되는 것이 현저하게 감소될 수 있다. 이러한 점은 발광 변환 물질을 스핀-코팅(spin-coating) 방법을 이용하여 도포하는 일이 보다 용이해지도록 한다.
본 방법 및 발광 다이오드 칩의 또 다른 장점들 및 바람직한 실시예는 도 1 내지 도 20과 관련한 실시예를 통해 이하에서 설명된다.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 방법에 따른 일 실시예의 여러 제조 단계에 따른 기본 몸체의 개략적 단면도를 도시한다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 방법에 따른 제2 실시예의 여러 제조 단계에 따른 기본 몸체의 개략적 단면도를 도시한다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 방법에 따른 제3 실시예의 여러 제조 단계에 따른 기본 몸체의 개략적 단면도를 도시한다.
도 16은 발광 다이오드 칩의 일 실시예의 개략적 단면도를 도시한다.
도 17 내지 도 20은 본 발명의 방법에 따라 실제로 구현된 실시예에 따른 다양한 제조 단계를 현미경의 사진으로 제공한다.
실시예들 및 도면들에서 동일하거나 동일하게 작용하는 구성 요소들은 각각 동일한 참조번호로 표시된다. 도시된 구성 요소들 및 그 구성 요소들의 크기 비율은 축척에 반드시 맞는 것으로 볼 수 없다. 오히려, 도면들의 상세 사항은 보다 이해를 돕기 위해 과장되어 확대 도시될 수 있다.
도 1은 기본 몸체(11)를 도시한다. 상기 몸체는 캐리어(carrier)(12), 상기 캐리어 위에 도포된 박막-층(13) 및 본딩 패드(5)를 포함하고, 상기 본딩 패드는 박막-층(13)의 상기 캐리어(12)의 맞은편 측에 배치된다. 본딩 패드(5)의 자유로운 외부면은 기본 몸체의 발광 다이오드 칩을 위한 구조물의 전기적 연결을 위해 전기적 접촉면(51)을 형성한다.
박막 층(13)은 예컨대 질화물-화합물 반도체 물질들을 기반으로 하고, 청색 및/또는 자외선 스펙트럼으로부터 전자기적 라디에이션을 방출하기에 적합하다. 질화물-화합물 반도체 물질들은 질소를 포함한 화합물-반도체 물질들로서, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (이 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1 및 x+y≤1) 시스템의 물질들이 그러하다. 박막층은 예컨대 질화물-화합물 반도체 물질로 구성된 하나 이상의 반도체 층을 포함한다.
박막층(13)은 예컨대 종래의 pn-접합, 더블 이종 구조(double heterostructure), 단일 양자 우물 구조(SQW-structure) 또는 다층 양자 우물 구조(MQW-structure)를 포함할 수 있다. 그러한 구조들은 당업자에게 알려져 있고, 따라서 이 부분에서 상세하게 설명하지 않을 것이다. 예컨대 그러한 MQW-구조는 미국 특허 제5,831,277호 및 제5,684,309호에 기재되었고, 이의 개시 내용은 본문에서 반복적으로 기재된다.
반사체(reflector)가 박막층(13)과 캐리어(12) 사이에 배치되고, 이러한 반사체는 박막층에서 생성될 수 있는 전자기적 라디에이션을 반사한다. 반사체는 도시되지 않았다. 여기서, 반사체는 예를 들어 금속성 또는 유전체의 거울일 수 있다. 바람직하게는, 반사체는 유전체 층 및 상기 유전체 층상에 적층된 금속층을 포함하고, 이 때 유전체 층은 박막층(13)에 인접한다.
도 2를 참조하면, 기본 몸체(11)의 주요면(14) 위에, 커버층(3)이 적층된다. 커버층(3)은 예컨대 광 구조화가 가능한 물질로 구성되는데, 상기 물질은 광 구조화가 가능한 래커(lacquer) 또는 광 구조화가 가능한 수지(resin)일 수 있다. 이는, 예컨대 스핀-코팅 방법을 이용하여, 편평한 층에 도포된다. 박막-층(13) 위에 커버층(3)은 예컨대 약 40 ㎛의 두께를 가지는데, 이는 상기 커버층의 두께값은 본딩 패드(5) 위에서 약간 작아지고, 캐리어(12) 위에서 약간 커진다.
광 구조화가 가능한 물질의 경우, 광 구조화될 때 제거되어야 할 부분들은 노출되어야 한다. 물론, 광 구조화될 때 제거되지 않을 부분들을 노출시킬 수 있는, 광구조화 가능한 물질도 대안적으로 사용될 수 있다. 기본적으로, 광 구조화가 가능한 서로 다른 물질들이 서로 조합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 그 다음 단계로, 본딩 패드 영역을 제외한 박막층 위의 영역(14)에서 커버층(3)은 마스크(31) 및 적합한 파장의 전자기적 라디에이션에 노출된다. 도 3에서 전자기적 라디에이션은 화살표를 이용하여 상징적으로 도시된다.
추가적인 제조 단계에서, 노출된 커버층(3)은 광 구조화가 가능한 물질에 적합한 매질(medium)에 의해 발전된다. 도 4는 커버층(3)의 노출되어 발전한 부분들(32)을 개략적으로 도시한다. 도 5를 참조하면, 그 다음 단계에서, 커버층(3)의 노출된 부분들(32)은 제거되는데, 따라서, 하나 이상의 캐비티(4)가 형성된다.
도 6은 또 다른 제조 단계를 도시하는데, 발광 변환 물질은 기본 몸체(11)위에 도포되고, 따라서, 캐비티(4)는 예컨대 상기 물질로 완전히 채워진다. 또 다른 제조 단계에서, 과잉의 발광 변환 물질(2)은 스트리핑(stripping)을 이용하여 제거 된다. 이는, 예컨대 절단 블레이드(blade)(9)를 이용하여 수행될 수 있는데, 상기 블레이드를 커버층(3) 위에 가져와서, 과잉의 발광 변환 물질(2)을 커버층(3)으로부터 제거한다. 이는 도 7에 개략적으로 도시된다. 예컨대 날카로운 금속 블레이드가 스트리핑(stripping)을 하기 위해 사용된다.
발광 변환 물질은 유체의, 특히 점액성의 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 물질은 경화될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 열 경화성의 추가 교차 결합(addition cross-linking) 실리콘이 사용된다. 다르게는, 매트릭스 물질로 스핀-온 산화물 또는 실록산이 적합하다.
과잉의 발광 변환 물질(2)을 스트리핑하여 제거한 이후, 기본 몸체(11)는 그 위에 도포된 물질들과 함께 가열된다. 이는 예컨대 뜨거운 판을 이용하거나, 공기를 따뜻하게 하여 약 100 ℃에서 예컨대 2 시간 동안 이루어진다. 상기와 같은 가열을 하는 동안, 발광 변환 물질(2)의 매트릭스 물질이 경화된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 발광 변환 물질(2)은 커버층(3)으로부터 완전히 벗겨내어 제거되는 것이 아니라, 상기 발광 변환 물질의 박막이 커버층 물질(3) 위에 잔류한다. 도 9에 개략적으로 도시된 그 다음 단계에서, 커버층(3)의 잔류 물질(3) 및 발광 변환 물질(2)의 박막이 제거된다. 이는 예컨대 소위 리프트-오프(lift-off) 공정을 이용하여 수행되는데, 이 공정에서 발광 변환 물질(2)에 접한 박막은 커버층(3)의 물질이 제거되면서 떼어지게 된다.
도 9를 참조하면, 이러한 물질의 제거를 위해, 커버층 위에 구비된 박층의 발광 변환 물질이 먼저 파괴되는데, 이는 예컨대 고압 부채꼴(fan) 분사(33)를 이 용하여 수행된다. 이러한 고압 부채꼴 분사(33)는 커버층(3)의 잔류 물질을 제거하기 위해서도 사용될 수 있다. 고압 부채꼴 분사(33)를 위한 매질(medium)로 물이 사용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 고압 부채꼴 분사(33)를 위한 매질로 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)이 사용된다.
도 10을 참조하면, 커버층(3) 및 상기 커버층 위에 존재하고 발광 변환 물질에 접하고 있던 박막을 제거한 이후, 발광 변환 물질(2)의 구조화된 층이 기본 몸체(11) 위에 남게 된다. 커버층(3)이 제거됨으로써, 본딩 패드(5)의 전기적 접촉면들(51) 및 절단-영역들(15)이 노출된다. 그 다음 단계에서, 기본 몸체는 절단-영역들(15)에서 예컨대 톱질에 의해 절단되는데, 이는 복수개의 발광 다이오드 칩(1)을 제조하기 위함이다. 비록 도 10은 단일 본딩 패드(5) 및 단일 박막-층(13)을 포함한 발광 다이오드 칩을 위한 단일 구조물만을 도시하고 있지만, 기본 몸체(11)는 예컨대 기본 몸체에 공통의 결합물로 존재하는 상기와 같은 구조물을 복수개로 포함할 수 있다. 이 때 구조물은 기본 몸체에서 공통의 결합물로 서로 결합해 있다. 또한, 발광 다이오드 칩을 위해 두 개의 본딩 패드가 구비될 수 있다. 발광 다이오드 칩은 예컨대 톱질 또는 레이저 분사에 의해 공통의 결합물로부터 개별화된다. 여기서 결합물이란, 예컨대 웨이퍼를 의미한다.
도 11을 참조하면, 완성된 발광 다이오드 칩(1)은 발광 변환 물질(2)을 구비한다. 상기 칩은 예컨대 발광 다이오드 소자 또는 모듈 내에 조립되기에 적합하고, 이 때 전기적 및 기계적 실장을 포함한다. 발광 다이오드 칩의 제작을 위해 필수적으로 요구되는 것은, 발광 변환 물질이 또 다른 가열 과정을 통해 경화되어야 한다 는 것이다. 이는 예컨대 뜨거운 판 또는 따뜻해진 공기를 이용하여 150 ℃ 에서 약 1 시간 정도 수행된다.
도 17 내지 도 20은 실제로 구현된 방법의 다양한 방법 단계를 현미경의 사진으로 제공한다. 방법은 도 1 내지 도 11에 도시된 방법과 유사하다.
기본 몸체(11)는 예컨대 웨이퍼이고, 상기 몸체 위에 복수개의 박막-층(13)이 복수개의 발광 다이오드 칩을 위해 배치된다. 다르게는, 웨이퍼 위에 단일 박막-층이 배치될 수도 있는데, 이 때 상기 층은 복수개의 발광 다이오드 칩을 위해 구비되고, 아직 구조화되지 않은 상태이다. 웨이퍼 대신에 예컨대, 캐리어 호일(foil) 또는 금속 캐리어와 같은 또 다른 캐리어가 적합할 수 있다. 도 17 내지 도 20은 캐리어의 단면을 각각 도시한다.
도 17은 도 5에 도시된 방법 단계와 거의 일치하다. 이러한 방법 단계에서, 커버층(3)은 기본 몸체(11)위에 배치되고, 복수개의 캐비티들(4)을 구비한다. 도 17에서 확인할 수 있는 커버층(3)의 둥근 부분들은 기본 몸체의 둥글게 형성된 본딩 패드 위에 배치된다. 커버층(3)의 프레임 형태로 형성된 부분들은 기본 몸체의 절단되어야 할 영역들 위에 배치된다.
도 18에 제공된 현미경 사진은 도 6에 도시된 방법 단계와 거의 일치한다. 기본 몸체(11) 위에 발광-변환 물질(2)이 점액성의 경화 가능한 럼프(lump)의 형태로 도포되고, 상기 물질이 캐비티들(4)을 채운다.
도 19에 제공된 사진은 도 8에 도시된 방법 단계와 일치한다. 과잉의 발광 변환 물질(2)은 블레이드(9)를 이용하여 스트리핑(stripping)되어 제거되고, 기본 몸체(11)는 가열된다. 이 사진에서 명백히 알 수 있는 것은, 커버층의 부분들이 어떤 영역인지 및, 발광 변환 물질(2)이 기본 몸체 위에서 어떤 영역에 배치되는 지이다. 물론, 상기 커버층의 부분들은 발광 변환 물질(2)의 박막으로 덮혀 있다.
이러한 박막 및 커버층(3)의 잔류 부분들은 그 다음 단계에서 제거된다. 도 20은 도 10에 도시된 방법 단계에 의거해 도시하는데, 상기 도면에서 세밀하게 정의되고 구조화된 발광 변환 물질(2)이 기본 몸체 위에 남아 있다. 본딩 패드의 전기적 접촉면(51) 및 예컨대 톱질의 흔적을 가진 영역들(15)은 이러한 방법 단계에서 노출된다. 기본 몸체(11)는 이러한 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩(1)으로 개별화될 수 있다. 기재된 모든 실시예들에 있어서, 발광 변환 물질(2)이 도포된 이후 캐리어(12)가 분리되는 실시예도 가능하다. 이는, 발광 변환 물질(2)이 경화된 이후에 수행되는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 실시예에 따르면, 발광 변환 물질(2)은 약한 박막-층(13)을 안정화함으로써, 캐리어가 생략될 수 있다. 이는, 특히 평평한 발광 다이오드 칩을 제조하는 것을 용이하게 하는데, 이 때 상기 칩은 발광 변환 물질(2)을 구비한다.
이러한 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩은 캐리어가 없다. 바람직하게는, 상기 칩은 에피택시얼한 반도체 층 시퀀스(epitaxial semiconductor layer sequence)를 포함하고, 상기 층 시퀀스는 전자기적 라디에이션을 방출하는 데 적합하다. 더욱 바람직하게는, 에피택시 반도체 층 시퀀스는 성장 기판이 없다. 본 방법을 위해 사용된 캐리어(12)는 예컨대 가요성 캐리어 호일일 수 있고, 상기 캐리어 호일에 박막-층들(13)이 부착된다.
도 12는 발광 다이오드 칩의 제조 방법을 위한 또 다른 실시예에 따른 단계를 도시한다. 이러한 단계에 따르면, 기본 몸체(11) 위에 커버층(3)이 이미 배치되고, 캐비티들(4)이 구비된다. 또한, 캐비티들(4)은 도시된 방법 단계에서 발광 변환 물질(2)로 채워진다.
앞서 기재된 실시예와 달리, 도 12 및 도 13에 도시된 실시예에 따르면, 캐비티들(4)은 그의 깊이가 증가할수록 그의 단면적이 더 커지도록 형성된다. 캐비티의 내벽은 본딩 패드(5)를 향한 측에서 주요면(14)의 주 연장면과 대해 본딩 패드(5)로부터 경사져서 형성된다.
이에 상응하여, 커버층(3)의 제거 이후, 발광 변환 물질(2)은 층의 형태로 제공되고, 상기 층의 상기 본딩 패드(5)를 향한 측면 플랭크(side flank)(6)는 주요면(14)의 주 연장면에 대해 적어도 부분적으로 경사져서 형성된다. 도 13의 실시예에 도시된 바와 같이, 층으로서의 발광 변환 물질(2)의 측면 플랭크(6)가 상기와 같이 부분적으로 경사져서 형성되는 것은 예컨대 본딩용 와이어를 이용하여 도전적으로 접촉되기 위해 본딩 패드(5) 및 전기 접촉면(51)이 외부로부터 보다 용이하게 연결할 수 있다는 장점을 가진다.
발광 변환 물질(2)의 측면 플랭크(6)가 기본 몸체(11)의 주 연장면(14)에 대해 수직으로 형성되는 것과 비교할 때, 상기와 같이 발광 변환 물질(2)의 경사진 측면 플랭크는 발광 변환 물질(2)로부터 전자기적 라디에이션이 출력되는 것이 보다 양호하게 수행되도록 한다.
추가적으로 또는 대안적으로, 측면 플랭크(6)는 적어도 부분적으로 휘어져서 형성될 수 있다. 또한, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 발광 변환 물질(2)의 상기 본딩 패드(5)와 등지고 있는 측면 플랭크(6)는 주 연장면에 대해 경사지거나 휘어지도록 형성될 수 있다. 층으로서의 발광 변환 물질(2)이 상기와 같이 형성됨으로써, 전자기적 라이데이션의 출력이 더욱 바람직하게 수행된다.
도 12 및 도 14에 도시된 실시예에 따르면, 캐비티들(4)을 제조하기 위해, 커버층(3)에는 광 구조화가 가능한 물질이 사용된다. 상기 물질의 구조화는 커버층(3)의 제거되지 않을 부분에 전자기적 라디에이션이 조사되도록 한다. 이를 통해, 경사져서 형성되는 캐비티들(4)의 내벽부는 예컨대 그레이 스케일 마스크(grayscale mask)를 이용하여 만들 수 있다.
그레이 스케일 마스크를 이용하면, 경사진 내벽부가 형성된 커버층의 영역들을 부분적으로 조사할 수 있는데, 이는 그 깊이가 동일하게 변경될 때까지 조사한다. 또한, 만들어질 수 있는 만곡부들은, 기본 몸체(11)의 주 연장면을 따라 커버층을 조사함으로써 형성된 깊이가 상기 만곡부에 대응하여 서로 다르게 변경되는 것이 필요하다.
이와 유사한 방식으로, 캐비티들이 형성되고, 상기 캐비티는 그 깊이가 깊어짐에 따라 그의 단면적은 작아진다. 도 12 및 도 14에 도시된 실시예와 달리, 광 구조화가 가능한 물질을 사용하되, 광 구조화를 위해 제거되어야 할 부분이 노출되도록 해야 한다.
앞서 기재된 방법의 실시예들에 대해 대안적으로 또는 보완적으로, 광 구조화가 가능한 물질은 하나 이상의 형광체를 구비하여, 발광 변환 물질로서 형성될 수도 있다. 이는, 발광 변환 물질이 광 구조화를 이용하여 더 정확하게 형성될 수 있다는 장점이 있다.
예컨대, 광 구조화가 가능한 유리가 매트릭스 물질로 사용된다. 유리는 예컨대 세 개의 성분 시스템 Li2O-Al2O3-SiO2의 기본 유리들을 기반으로 하고, Ag2O, CeO2, Sb2O3 및 SnO 성분들 중 하나 이상의 성분으로 도핑된다. 광 구조화를 위해, 광 구조화가 가능한 유리는 약 290 ㎚ 과 약 330 ㎚사이의 파장을 가진 UV-광을 이용하여 노출된다. 이러한 파장 영역의 전자기적 라디에이션을 포함하고 광 구조화가 가능한 유리들은 구입가능하다.
광 구조화가 가능한 매트릭스 물질로서 추가 교차 결합성 실리콘이 사용될 수 있다. 상기 실리콘은 UV-광선이나 가시 광선을 이용하여 경화될 수 있다. 상기와 같은 실리콘은 구입 가능하다. 광 구조화에 있어서, 잔류하여 존재하는 부분들은 적합한 파장의 전자기적 라디에이션을 조사함으로써 경화될 수 있다. 그 다음 단계에서, 경화되지 않은 실리콘은 방향족 성분을 포함한 용제를 사용하여 선택적으로 제거된다.
추가 교차 결합성 실리콘 대신에, 스핀-온 유리들이 사용될 수 있는데, 상기 유리들은 기본 구성 유닛으로서 폴리 실록산 체인을 포함하고, UV-광선이나 가시 광선을 이용하여 교차 결합을 이룰 수 있다.
상기와 같이 직접적으로 광 구조화가 가능한 발광 변환 물질을 사용하는 경우, 바람직하게는 발광 변환 물질이 필요하지 않은 캐비티들이 커버층에 구비된다. 그러나, 다양한 종류의 발광 변환 물질이 서로 조합하여, 커버층과 상기 커버층의 캐비티에 삽입될 수 있는 또 다른 발광 변환 물질 모두 형광체를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 나노 입자 및/또는 유기 형광체의 형태로 존재하는 하나 이상의 형광체가 광 구조화가 가능한 매트릭스 물질에 포함된다. 상기와 같은 형광체는 또 다른 매트릭스 물질과 결합하여 사용될 수도 있다.
예컨대, 사용되는 형광체의 입자는 중앙 직경 d50이 30 ㎚ 이하이고, 예컨대 25 ㎚값을 가지는데, 이 때 중앙 직경은 부피 분포합 또는 질량 분포합(Q3)에 따라 결정된다.
기본적으로, LED의 사용에 있어서 개시된 모든 형광체는 발광 변환 물질을 위해 사용되는 것이 적합하다. 컨버터(converter)로서 적합한 형광체 및 형광체 혼합물은 다음과 같다:
- 예컨대 독일 특허 DE 10036940 및 그의 종래 기술에 개시된 클로로금산 규산염.
- 예컨대 국제 특허 공개 공보 WO 2000/33390 및 그의 종래 기술에 개시된 오르토 규산염, 황화물, 티오 메탈(thio metal), 바나듐산염.
- 예컨대 미국 특허 US 6,616,862 및 그의 종래 기술에 개시된 알루민산염, 산화물, 할로포스페이트(halophosphate).
- 예컨대 독일 특허 DE 10147040 및 그의 종래 기술에 개시된 질화물, 시온산(sione), 시알론(sialone).
- 예컨대 미국 특허 공개 US 2004-062699 및 그의 종래 기술에 개시된 YAG:Ce 와 알칼리토류 요소와 같은 희토류 석류석.
도 16에 도시된 발광 다이오드 칩(1)의 실시예에 따르면, 커버층(3)은 완전히 제거되지 않고, 커버층(3)의 일부가 발광 변환 물질(2)과 외부 측에서 인접한다. 커버층(3)의 적어도 이 부분은 예컨대 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 전자기적 라디에이션을 반사하는 물질로 구성된다. 따라서, 커버층(3)의 남아있는 부분들은 반사체(reflector)로서 형성된다.
다르게는, 반사 기능을 가진 충전제와 교차 결합한 투광성의 물질들이 사용된다. 충전제를 위한 물질들로는 예컨대 분말 형태의 이산화 티탄(titanium dioxide) 이나 황산 바륨(barium sulfate)가 적합하다. 적합한 라디에이션 투과 물질은 추가 교차 결합성 실리콘 또는 스핀-온 유리가 있다. 이 물질들은 충전제가 있음에도 불구하고 전자기적 라디에이션에 의해 경화될 수 있기 때문에, 적합한 조사 동안 경화 과정을 활성화시키는 광 개시제(photoinitiator)가 추가적으로 구비되어야 한다.
일반적으로, 전자기적 라디에이션은 발광 변환 물질(2)에서 부분적으로 강하게 분산되므로, 발광 변환 물질(2)은 확산성 라디에이션 행위(diffuse radiation behavior)를 나타낸다. 반사 물질(8)을 이용하여, 전자기적 라디에이션의 일부가 바람직한 방향으로 선회될 수 있다.
이를 위해, 상기 반사 물질의 발광 변환 물질(2)을 향한 벽은 예컨대 주요면의 주 연장면에 대해 경사져서 형성된다. 인접한 발광 변환 물질(2)은 상기와 동일 한 경사도를 가지고 측면 플랭크가 형성된다. 이러한 구조는 예컨대 캐비티들을 이용하여 형성되는데, 상기 캐비티의 단면은 증가하는 깊이에 따라 작아진다.
본 발명은 실시예들에 의거한 기재 내용에만 제한되는 것은 아니다. 오히려 본 발명은 새로운 특징 및 각 특징들의 조합을 포괄하며, 특히 특징들의 조합은 특허 청구 범위에 포함된다. 비록 이러한 특징들 또는 그 조합이 그 자체로 특허 청구 범위 또는 실시예들에 명확하게 제공되지 않더라도 말이다.

Claims (30)

  1. 하나 이상의 형광체를 포함한 발광 변환 물질(luminescence conversion material)을 구비하는 하나 이상의 발광 다이오드 칩의 제조 방법에 있어서,
    - 전자기적 라디에이션을 방출하며 상기 발광 다이오드 칩을 위한 층 시퀀스(layer sequence)를 포함하는 기본 몸체를 준비하는 단계;
    - 상기 기본 몸체의 하나 이상의 주요면(main surface) 상에 커버층을 적층하는 단계;
    - 상기 커버층에 하나 이상의 캐비티를 구비하는 단계; 및
    - 상기 캐비티가 완전히 또는 부분적으로 충진되도록 상기 기본 몸체 상에 발광 변환 물질을 도포하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 커버층은 광 구조화가 가능한 물질(photo-structurable material) 및/또는 반사 물질(reflecting material)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 커버층은, 상기 발광 변환 물질을 도포한 이후 완전히 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 커버층은, 상기 발광 변환 물질을 도포한 이후 그 일부만 선택적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 커버층은 상기 발광 변환 물질 외에 하나 이상의 형광체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 제거는 기계적 및/또는 화학적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기본 몸체는, 하나 이상의 발광 다이오드 칩의 전기적 연결을 위한 하나 이상의 전기적 접촉면을 주요면에 포함하고, 상기 캐비티는 상기 커버층의 접촉면으로부터 측방향으로(laterally) 오프셋되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 실리콘, 실록산, 스핀-온 산화물(spin on oxides) 및 광 구조화가 가능한 물질들로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 유체의 경화성 성분의 형태로 도포되고, 그런 다음 경화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    과잉의 발광 변환 물질은 경화되기 전에 적어도 부분적으로 스트리핑(stripping)에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기본 몸체는 층 시퀀스 또는 복수 개의 층 시퀀스가 적층되는 웨이퍼 또는 캐리어이고, 상기 기본 몸체는 복수개의 발광 다이오드 칩을 그들의 공통적 결합물로부터 개별화(singulate)하기 위해 세분되는 것(diced)을 특징으로 하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 커버층은 발광 변환 물질을 갖지 않는 영역을 가지고, 상기 영역 내에서 상기 기본 몸체는 복수개의 발광 다이오드 칩을 그들의 공통적 결합물로부터 개별화(singulate)하기 위해 세분되는 것(diced)을 특징으로 하는 방법.
  13. 하나 이상의 형광체를 포함하는 발광 변환 물질을 구비하는 하나 이상의 발광 다이오드 칩의 제조 방법에 있어서,
    - 전자기적 라디에이션을 방출하며 상기 발광 다이오드 칩을 위한 층 시퀀스(layer sequence)를 포함하는 기본 몸체를 준비하는 단계;
    - 상기 형광체를 포함하고 광 구조화가 가능한 커버층을 상기 기본 몸체의 하나 이상의 주요면 위에 배치하는 단계; 및
    - 상기 커버층에 하나 이상의 캐비티를 구비하는 단계로서, 상기 캐비티는 자체의 내벽이 상기 주요면의 주 연장면에 대해 적어도 부분적으로 경사지거나(obliquely) 휘어지도록(curvedly) 구비되는 것인 상기 캐비티 구비 단계
    를 포함하는 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 커버층은 광 구조화가 가능한 발광 변환 물질이 형성되도록 상기 하나 이상의 형광체와 혼합된 매트릭스 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 매트릭스 물질은 광 구조화가 가능한 유리인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 매트릭스 물질은 UV-조사나 가시 광선을 이용하여 경화될 수 있는 추가 교차 결합성 실리콘인 것을 특징으로 하는 하는 방법.
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 캐비티는 그 깊이가 깊어짐에 따라 그의 단면이 커지거나 또는 작아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 청구항 13에 있어서,
    상기 캐비티의 내벽의 형성은 적어도 부분적으로 비균일한 강도의 광에 노출시킴으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 청구항 13 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기본 몸체는 복수개의 발광 다이오드 칩을 위해 구비되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 청구항 13 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기본 몸체는 층 시퀀스 또는 복수의 층 시퀀스들이 배치되는 웨이퍼 또는 캐리어인 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 청구항 19에 있어서,
    상기 기본 몸체는 층 시퀀스 또는 복수 개의 층 시퀀스가 적층되는 웨이퍼 또는 캐리어이고, 상기 기본 몸체는 복수개의 발광 다이오드 칩을 그들의 공통적 결합물로부터 개별화(singulate)하기 위해 세분되는 것(diced)을 특징으로 하는 방법.
  22. 전자기적 라디에이션을 방출하며 하나 이상의 주요면 상에 하나 이상의 형광체를 포함한 발광 변환 물질을 포함하는 기본 몸체를 가지는 발광 다이오드 칩에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 그의 측면 플랭크(flank)가 적어도 부분적으로 상기 주요면의 주 연장면에 대해 경사지거나 휘어지도록 형성된 층으로서 제공되고,
    상기 발광 변환 물질은 반사 물질(reflective material)과 측면에서 인접하고, 상기 반사 물질은 광 구조화가 가능한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 실리콘, 실록산, 스핀-온 산화물 및 광 구조화가 가능한 물질들로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  24. 전자기적 라디에이션을 방출하며, 하나 이상의 주요면 상에 하나 이상의 형광체를 포함한 발광 변환 물질을 포함하는 기본 몸체를 가지는 발광 다이오드 칩에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 광 구조화가 가능한 물질을 포함하고,
    상기 발광 변환 물질은 층으로서 제공되고,
    상기 층은 상기 주요면의 주 연장면에 대해 적어도 부분적으로 경사지거나 휘어지게 연장되는 내벽을 갖는 하나의 캐비티를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 광 구조화되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  26. 청구항 22 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 층은 5 ㎛ 내지 250 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  27. 청구항 22 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 층은 10 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  28. 청구항 22 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 박막-발광 다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  29. 청구항 22 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 변환 물질은 적어도 부분적으로 나노 입자의 형태로 제공되는 하나 이상의 유기 형광체 및/또는 하나 이상의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  30. 청구항 1 내지 청구항 5 및 청구항 13 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 발광 다이오드 칩.
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