KR101274203B1 - 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 매체에 관한 것이다. 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체에 있어서, 자화 방향을 지닌 자구를 포함하여 제 1방향으로 형성된 자성층; 및 상기 자성층의 하면에 형성된 연자성층;을 포함하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 제공함으로써 자성층의 굴곡 영역에서의 자구 벽을 용이하게 이동시킬 수 있다.

Description

자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법{Data storage medium using magnetic domain wall moving and Manufacturing Method for the same}
도 1a 및 도 1b는 자구 벽 이동에 관한 기본 원리를 나타낸 도면이다.
도 1c는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체에서 자구 벽이 이동하는 것을 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 나타낸 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 포함하는 정보 저장 장치를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 4i는 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 5는 FePt의 단층 구조인 정보 저장 매체 및 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체와 같이 FePt 자성층 및 CoZrNd 연자성층의 다층 구조인 정보 저장 매체를 각각 400nm의 길이로 형성한 뒤, 자구 벽 이동 속도를 비교한 시뮬레이션 그래프이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11... 제 1자구 12... 제 2자구
13... 자구 벽 21... 자성층
22... 연자성층 31... 제 1자성층
32a, 32b... 제 2자성층 33a, 33b... 제 3자성층
34a... 제 1연결층 34b... 제 2연결층
41... 기판 42, 46... 폴리머
43... 마스터 몰드 44... 연자성층
45... 자성층 47... 캡층
본 발명은 정보 저장 매체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자성 물질의 자구벽(magnetic domain wall) 이동 원리를 이용하여 정보를 기록, 저장 및 소거를 할 수 있는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 장치에 있어서, 자성 물질 내에서 자구벽의 이동이 보다 원할하게 이루어질 수 있도록 구성한 자구 벽 이동 원리를 이용한 정보 저장 매체에 관한 것이다.
정보 산업이 발달함에 따라 대용량의 정보 처리가 요구되어 왔다. 따라서, 고용량의 정보를 저장할 수 있는 정보 저장 매체에 관한 수요는 지속적으로 증가되 었다. 수요의 증가에 따라 정보 저장 속도가 빠르면서 소형의 정보 저장 매체에 관한 연구가 진행되고 있으며 결과적으로 다양한 종류의 정보 저장 장치가 개발되었다. 일반적으로 정보 저장 매체로 널리 사용되는 HDD는 읽기/쓰기 헤드와 정보가 기록되는 회전하는 매체를 포함하고 있으며, 100GB (gigabyte) 이상의 고용량 정보가 저장될 수 있다. 그러나, HDD와 같이 회전하는 부분을 갖는 저장 장치는 마모되는 경향이 있고, 동작시 페일(fail)이 발생할 가능성이 크기 때문에 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다.
최근에는 자성 물질의 자구 벽(magnetic domain wall) 이동 원리를 이용하는 새로운 데이터 저장 장치에 관한 연구 및 개발이 이루어지고 있다.
도 1a 및 도 1b는 자구 벽 이동 원리를 나타낸 도면이다. 도 1a를 참조하면 제 1자구(11), 제 2자구(12) 및 제 1자구(11)와 제 2자구(12)의 경계인 자구 벽(13)을 포함하는 자성 와이어가 개시되어 있다.
일반적으로 자성체를 구성하는 자기적인 미소 영역을 자구(magnetic domain)이라 한다. 자구 내에서는 전자의 자전, 즉 자기 모멘트의 방향이 동일한 특징을 지니고 있다. 이러한 자구의 크기 및 자화 방향은 자성 재료의 모양, 크기 및 외부의 에너지에 의해 적절히 제어될 수 있다. 자구 벽(magnetic domain wall)은 서로 다른 자화 방향을 갖는 자구들의 경계 부분을 나타내는 것이다. 이러한 자구 벽은 자성 재료에 인가되는 자기장 또는 전류에 의해 이동될 수 있는 특징이 있다.
도 1a에 나타낸 바와 같이, 소정의 폭 및 두께를 갖는 자성층 내에 특정 방향을 갖는 다수의 자구들을 만든 후, 외부에서 자장(magnetic field) 또는 전 류(current)를 인가한 경우, 자구 벽을 이동시킬 수 있다.
도 1b를 참조하면, 제 1자구(11)에서 제 2자구(12) 방향으로 외부에서 전류를 인가하면 자구 벽(13)은 제 2자구(12)에서 제 1자구(11) 방향으로 이동한다. 전류를 인가하는 경우, 전자는 반대 방향으로 흐르게 되며, 자구 벽(13)은 전자의 이동 방향으로 함께 이동하는 것이다. 즉 자구 벽은 외부 전류의 인가 방향과 반대 방향으로 이동함을 알 수 있다. 동일한 원리로 제 2자구(11)에서 제 1자구(12) 방향으로 전류을 인가하는 경우 자구 벽(13)은 제 1자구(11)에서 제 2자구(12) 방향으로 이동한다. 결과적으로 자구 벽은 외부 자장이나 전류의 인가를 통하여 이동시킬 수 있으며, 이는 곧 자구의 이동을 의미한다.
자구 벽 이동 원리는 HDD나 비휘발성 RAM과 같은 정보 저장 장치에 적용될 수 있다. 즉, 특정 방향으로 자화된 자구들 및 그들의 경계인 자구 벽을 갖는 자성 물질에서 자구 벽이 이동됨에 따라 자성 물질 내의 전압이 변화되는 원리를 이용하여 '0' 또는 '1'의 데이터를 쓰고 읽을 수 있는 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있다. 이 경우, 라인 형태의 자성 물질 내에 특정 전류를 흘려주어 자구 벽의 위치를 변화시키면서 데이터를 쓰고 읽을 수 있기 때문에, 매우 간단한 구조를 갖는 고집적 소자 구현이 가능하다. 그러므로, 자구 벽 이동 원리를 이용하는 경우 종래 FRAM, MRAM 및 PRAM 등에 비해 매우 큰 저장 용량을 갖는 메모리의 제조가 가능하다.
현재 구현된 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 장치의 경우 높은 자기 이방성 상수(high-Ku)를 지닌 물질을 와이어(wire) 형태의 자성층으로 형성시켜 정보 저장 트랙(data storage track)으로 사용하고 있다. 스퍼터링 등의 일반적인 증착 공정을 거쳐 형성되는 자성층은 도 1c에 나타낸 바와 같이 표면에 굴곡이 자연적으로 형성된다. 심한 경우에는 에치(edge)(E) 영역이 형성된다. 에치 영역에서는 자구 벽(13)을 이동시키는 과정에서 자구 벽 이동 속도가 현저히 감소하게 되는 피닝 현상(pinning effect)이 발생하는 문제점이 있다. 자구 벽 이동 속도가 감소하는 경우 정보 기록 및 소거 속도가 크게 감소하는 문제점이 있다.
본 발명에서는 상기 종래 기술을 해결하기 위한 것으로, 정보 저장 트랙으로 사용하는 자성층의 에치 영역에 의한 피닝 현상을 방지할 수 있는 구성을 지닌 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는,
자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체에 있어서,
자화 방향을 지닌 자구를 포함하여 제 1방향으로 형성된 자성층; 및
상기 자성층의 하면에 형성된 연자성층;을 포함하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 연자성층은 상기 자성층의 측면에 더 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 연자성층은 상기 자성층의 상면에 더 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 자성층은 105 J/m3 내지 107 J/m3의 자기 이방성 에너지 상수 값을 지닌 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 자성층은 CoPt, CoCrPt, FePT, SmCo, TbCoFe 또는 이들을 포함하는 합금으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 연자성층은 상기 연자성층 10 내지 103 J/m3의 자기 이방성 에너지 상수를 지닌 자성 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 연자성층은 NiFe, CoFe, CoFeNi, CoZrNb, CoTaZr 또는 이들을 포함하는 합금으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 자성층은 1 내지 100nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 연자성층은 1 내지 50nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 자화 방향을 지닌 자구를 포함하여 제 1방향으로 형성된 자성층 및 상기 자성층의 하면에 형성된 연자성층을 포함하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체의 제조 방법에 있어서,
(가) 기판 상에 폴리머를 도포하고 패턴이 형성된 마스터 몰드로 상기 폴리머를 압착시키고 상기 폴리머를 경화시키는 단계;
(나) 상기 마스터 몰드를 분리한 뒤, 상기 폴리머 상에 연자성층 및 자성층 을 도포하는 단계;
(다) 상기 자성층 상에 폴리머를 도포한 뒤, 패턴이 형성된 마스터 몰드로 압착한 뒤 뒤 상기 자성층 및 상기 폴리머 상에 캡층을 형성하는 단계; 및
(라) 상기 캡층 및 상기 자성층의 상부 영역을 에칭에 의해 제거하는 단계;를 포함하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 폴리머는 2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, Tetrahydrofurfuryl Acrylate, 2-Hydroxyethyl Acrylate, Polyether Acrylate Prepolymer 또는 Acrylated Epoxy Prepolymer인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조 방법을 상세하게 설명하도록 한다. 참고로 도면에 나타낸 각 층의 두께 및 폭은 설명을 위하여 다소 과장된 것임을 명심하여야 한다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 나타낸 도면이다. 도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체는 하나 이상의 자구(domain)을 지닌 자성층(21) 및 자성층(22)의 주변에 형성된 연자성층(22)(soft magnetic layer)을 포함하는 구조를 지니고 있다.
도 2b는 도 2a에 나타낸 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 길이 방향으로 나타낸 평면도이다. 도 2b를 참조하면, 자성층(21)의 양 측면에는 연자성층(22)이 형성되어 있으며, 자성층(21) 내에는 하나 이상의 자구(D1, D2)가 형성되어 있으며, 자구들(D1, D2) 사이에는 자구 벽(DW)이 형성되 어 있는 것을 알 수 있다. 요약하면, 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체는 중심 영역(core)에 정보 기록을 위한 자성층(21)이 형성되어 있으며, 자성층(21) 주변에는 연자성층(22)이 형성되어 있다. 도 2a 및 도 2b에서는 자성층(21) 주변의 3면에 연자성층(22)이 형성된 구조를 도시하였다. 그러나, 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체는 연자성층을 자성층의 일면, 예를 들어 하면에만 형성하거나 하면 및 상면에 형성한 구조 및 자성층의 외부를 연저상층으로 밀봉한 형태의 구조도 가능하다.
자성층(21)은 높은 자기 이방성 상수((magnetic anisotropy constant)를 지닌 물질, 예를 들어 105 J/m3 내지 107 J/m3의 자기 이방성 에너지 상수 값을 지닌 물질로 형성된 것이 바람직하며, 자기 기록 밀도 향상을 위하여 수직 자화 특성을 지닌 물질로 형성된 것이 바람직하다. 구체적으로 예를 들면, CoPt, CoCrPt, FePT, SmCo 또는 TbCoFe 등의 물질로 형성시킬 수 있다. 자성층(21)은 약 1 내지 100nm의 두께로 형성된 것이 바람직하다.
연자성층(22)은 자성층(21) 보다 낮은 자기 이방성 상수를 지닌 물질로 형성된 것이 바람직하다. 연자성층(22)의 자기 이방성 에너지 상수는 103 J/m3 보다 작은 물질로 형성시키며, 10 내지 103 J/m3의 자기 이방성 에너지 상수를 지닌 물질로 형성시키는 것이 바람직하다. 구체적으로 예를 들면 NiFe, CoFe, CoFeNi, CoZrNd 또는 CoTaZr 등과 같은 물질로 형성시킬 수 있다. 연자성층(22)은 약 1 내지 50nm의 두께로 형성된 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체를 포함하는 정보 저장 장치를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 제 1자성층(31), 제 2자성층(32a, 32b) 및 제 3자성층(33a, 33b)이 형성되어 있다. 제 1자성층(31)과 제 2자성층(32a, 32b) 사이에는 제 1연결층(34a)이 형성되어 있으며, 제 2자성층(32a, 32b) 및 제 3자성층(33a, 33b) 사이에는 제 2연결층(34b)이 형성되어 있다.
제 1자성층(31)은 정보를 기록하기 위한 것으로 서로 다른 자화 방향을 지닌 2개 이상의 자구를 포함하고 있으며, 쓰기용 트랙(31)(writer track)이라고도 한다. 제 2자성층(32a, 32b)은 좌측 영역은 기록된 정보를 불러들여 읽기 위한 영역으로 버터 트랙(32a)(buffer track)이라고도 한다. 정보를 읽기 위해서는 자구의 자화 방향을 읽어내야 하므로, 버퍼 트랙(32a)에는 자기 저항 소자(35)가 형성되어 있다. 자기 저항 소자(35)는 강자성 물질로 형성된 고정층(pinned layer), Cu 또는 Al2O3 등의 비자성 물질로 형성된 비자성층(nonmagnetic layer) 및 강자성 물질로 형성된 자유층(free layer)의 구성으로 일반적으로 알려진 GMR 소자 (giant magnetoresistance device) 또는 TMR 소자 (tunneling magnetoresistance device)일 수 있다. 제 2자성층(32a, 32b)의 우측 영역은 정보를 저장하기 위한 저장용 트랙(32b)(storage track)이다. 제 3자성층(33a, 33b)는 모두 저장용 트랙이다. 도 3에서는 버퍼 트랙(32a)이 쓰기용 트랙(31)과 별로도 형성된 구조를 나타내었으나, 쓰기용 트랙(31)의 길이를 제 2자성층(32a, 32b)과 같거나 길게 형성하여 쓰기용 트랙(31)을 버퍼 트랙으로 사용할 수 있다. 기록 밀도를 높이기 위하여 제 3자성층(33a, 33b) 상에 자성층을 더 형성하여 사용할 수 있다.
도 3에 나타낸 정보 저장 장치의 정보 기록 및 읽기 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
먼저 정보 기록 방법에 대해 설명한다. 자화 방향이 상방인 자구의 정보 값을 "1"이라 하고, 자화 방향이 하방인 자구의 정보 값을 "0"이라 가정한다. 쓰기용 트랙의 제 1자성층(31)에는 서로 다른 자화 방향을 지닌 자구들이 존재하며 자구들 사이에는 자구 벽이 형성되어 있다. "1"의 정보 값을 저장용 트랙(32b)에 저장시키는 경우를 설명하면 다음과 같다. 제 1자성층(31) 우측 단부에서 좌측 단부 방향으로 전자가 흐르도록 전류를 인가하면 자구 벽은 전자의 이동 방향에 따라 자화 방향이 상방인 자구는 제 1연결층(34a) 하부로 이동한다. 그리고, 쓰기용 트랙(31)의 우측 단부에서 저장용 트랙(32b) 방향으로 전자가 이동할 수 있도록 전류를 인가한다. 이 경우, 제 1연결층(34a) 하부에 존재하는 자구는 제 1연결층(34a)을 통하여 저장용 트랙(32b) 방향으로 이동한다. 결과적으로 "1"의 정보 값을 지닌 자구를 저장용 트랙(32b)에 저장할 수 있게 된다.
다음으로 정보 읽기 방법에 대해 설명한다. 자구의 자화 방향을 읽기 위해서는 자기 저항 소자(35)가 위치하는 버퍼 트랙(32a)으로 자구를 이동시켜야 한다. 따라서, 버퍼 트랙(32a)과 저장용 트랙(32b)의 양단부를 통하여 전류를 인가한다. 전자가 저장용 트랙(32b)에서 버퍼 트랙(32a) 방향으로 이동하기 위해서는 전류는 반대 방향으로 인가한다. 쓰기용 트랙(32b)에 존재하는 자구들이 버퍼 트랙(32a)에 형성된 자기 저항 소자(35)를 통과하면서 자기 저항 소자(35)는 저장용 트랙(32b)의 영역별 자구의 자화 방향을 읽어내게 된다. 이를 통하여 저장용 트랙(32b)에 저장된 정보 값을 읽어낼 수 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4i를 참조하여, 본 발명의 실시예에 의한 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 매체의 제조 방법에 대해 상세히 설명하고자 한다. 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 자기 저장 매체의 형성 공정은 여러가지 공정 방법을 이용할 수 있으나, 여기서는 나노 임프린트(nano-imprint) 공정으로 형성하는 방법에 대해 설명하고자 한다.
먼저 도 4a를 참조하면, 기판(41) 상에 폴리머(42)를 도포한다. 기판(41)은 통상적인 반도체 소자 공정에 사용되는 기판을 이용할 수 있다. 폴리머(42)는 예를 들어 2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, Tetrahydrofurfuryl Acrylate, 2-Hydroxyethyl Acrylate, Polyether Acrylate Prepolymer 또는 Acrylated Epoxy Prepolymer를 이용할 수 있다. 그리고, 폴리머(42) 상에 마스터 몰드(43)를 장착시킨다. 마스터 몰드(43)의 표면에는 요철 형상의 패턴이 형성되어 있다.
도 4b를 참조하며, 마스터 몰드(43)를 폴리머(42)에 접촉시킨 뒤, 마스터 몰드(43)에 압력을 가하여 마스터 몰드(43) 표면에 형성된 패턴을 폴리머(42)에 전사한다. 따라서, 폴리머(42)는 마스터 몰드(43)의 패턴과 반대의 패턴을 지니게 된다. 그리고, 폴리머(42)에 열을 가하거나 UV를 조사하여 폴리머(42)를 경화시킨다. 다음으로, 도 4c를 참조하면, 폴리머(42) 경화 후 마스터 몰드(43)를 분리시킨다.
도 4d를 참조하면, 스퍼터링 등에 의하여 기판(41) 및 폴리머(42) 상에 NiFe, CoFe, CoFeNi, CoZrNb 또는 CoTaZr 등의 연자성 물질을 약 1 내지 50nm의 두께로 도포하여 연자성층(44)을 형성한다.
도 4e를 참조하면, 연자성층(44) 상에 스퍼터링 공정 등에 의하여 높은 자기 이방성 상수(high-Ku)를 지닌 CoPt, FePt CoCrPt, FePT, SmCo 또는 TbCoFe와 같은 물질을 약 1 내지 100nm의 두께로 도포하여 자성층(45)을 형성한다.
도 4f를 참조하면, 다시 자성층(45) 상에 2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, Tetrahydrofurfuryl Acrylate, 2-Hydroxyethyl Acrylate, Polyether Acrylate Prepolymer 또는 Acrylated Epoxy Prepolymer 등의 폴리머(46)를 도포한 뒤, 마스터 몰드(43)를 이용하여 폴리머(46)에 접촉시키고 압력을 가한다. 이 때, 도 4g에 나타낸 바와 같이 자성층(45)의 상부 영역(A)의 폴리머는 남기고, 하부 영역(B)의 표면이 노출되도록 한다. 그리고, 나노 임프린트 공정을 이용하여 폴리머(46)를 경화시킨다.
도 4h를 참조하면, 자성층(45) 및 폴리머(46) 상에 비자성 물질, 예를 들어 Cu, Ag, Al 등의 물질을 전기 도금(electroplating)하여 캡층(capping layer)(47)을 형성한다. 지자성 캡층(47)을 형성하는 주 목적은 추후 에칭 공정시 하부 영역(B)의 자성층(45)을 보호하기 위함이다. 마지막으로 도 4i를 참조하면, 에칭 공정에 의하여 하부 영역(B)의 자성층(45)이 노출되도록 한다. 결과적으로 자성층(45)의 측부 및 하부가 연자성층(44)에 의해 둘러싸인 구조를 형성할 수 있다.
도 5는 FePt의 단층 구조인 정보 저장 매체 및 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체와 같이 FePt 자성층 및 CoZrNd 연자성층의 다 층 구조인 정보 저장 매체를 각각 400nm의 길이로 형성한 뒤, 자구 벽 이동 속도를 비교한 시뮬레이션 그래프이다.
도 5를 참조하면, FePt 단층으로 형성한 종래 기술에 의한 정보 저장 매체(single layer)에 비해 본 발명의 실시예에 의한 정보 저장 매체(double layers)의 단위 시간(ns) 당 자구 벽 이동 거리가 훨씬 긴 것을 알 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명의 실시예에 의한 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체는 연자성층을 자성층의 일면에 형성하거나, 양면에 형성한 구조일 수 있으며, 자성층의 외면을 연자성층으로 감싼 구조일 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예들에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, 정보 저장 매체로 사용하는 자성층의 형성 시 자연적으로 발생할 수 있는 굴곡 영역에서 자구 벽의 이동 속도가 감소하는 것을 방지하는 장점이 있다.
둘째, 자성층을 연자성층과 함께 형성한 정보 저장 매체를 포함하는 정보 저장 장치의 구동 시 HDD 등과는 달리 기구적으로 이동시키거나 접촉시키지 않고 정보를 저장 및 재생이 가능하므로 초소형화가 가능하여 테라비트/in2의 고밀도의 정 보 저장 장치를 제공할 수 있다.
셋째, 구조가 매우 간단하여 대량 생산에 유리하고 재현성 확보에 유리한 장점이 있다.

Claims (18)

  1. 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체에 있어서,
    자화 방향을 지닌 자구를 포함하여 제 1방향으로 형성된 자성층; 및
    상기 자성층의 하면에 형성된 연자성층;을 포함하고,
    상기 연자성층은 상기 자성층의 측면에 더 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 연자성층은 상기 자성층의 상면에 더 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  4. 제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자성층은 105 J/m3 내지 107 J/m3의 자기 이방성 에너지 상수 값을 지닌 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  5. 제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자성층은 CoPt, CoCrPt, FePT, SmCo, TbCoFe 또는 이들을 포함하는 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  6. 제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연자성층 10 내지 103 J/m3의 자기 이방성 에너지 상수를 지닌 자성 물질로 형성된 것을 특징으로 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  7. 제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연자성층은 NiFe, CoFe, CoFeNi, CoZrNb, CoTaZr 또는 이들을 포함하는 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  8. 제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자성층은 1 내지 100nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  9. 제 1 항 및 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연자성층은 1 내지 50nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체에 있어서,
    자화 방향을 지닌 자구를 포함하여 제 1방향으로 형성된 자성층; 및
    상기 자성층의 하면에 형성된 연자성층;을 포함하고,
    상기 연자성층은 상기 자성층의 상면에 더 형성된 것을 특징으로 하는 자구 벽 이동을 이용한 정보 저장 매체.
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