KR101267631B1 - Substrate processing device, substrate processing method and recording medium - Google Patents

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KR101267631B1 KR1020080085136A KR20080085136A KR101267631B1 KR 101267631 B1 KR101267631 B1 KR 101267631B1 KR 1020080085136 A KR1020080085136 A KR 1020080085136A KR 20080085136 A KR20080085136 A KR 20080085136A KR 101267631 B1 KR101267631 B1 KR 101267631B1
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Abstract

본 발명은 복잡한 기구를 이용하지 않고, 효율적으로 약액을 회수할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

기판 처리 장치에서, 제어부(121)는 린스액에 의한 린스 처리 후에 약액에 의한 약액 처리를 행한다. 이때에, 최초에 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 기판(W)을 회전시키면서 기판 상에 약액을 공급하여 배액컵(51)을 약액에 의해 세정하고, 그때에 배액컵(51)에서 받은 액을 폐기 라인(113)에 의해 폐기한다. 그 후, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 그때에 배액컵에서 받은 액을 회수 라인(112)에 의해 회수한다.

Figure R1020080085136

An object of this invention is to provide the substrate processing apparatus and substrate processing method which can collect | recover chemical liquid efficiently, without using a complicated mechanism.

In the substrate processing apparatus, the control unit 121 performs the chemical liquid processing with the chemical liquid after the rinse processing with the rinse liquid. At this time, the chemical liquid is supplied onto the substrate while the substrate W is rotated at a rotation speed equal to or greater than the rotation speed for the rinse treatment, and the liquid drain cup 51 is cleaned with the chemical liquid. Is discarded by the waste line 113. Thereafter, the chemical liquid is supplied onto the substrate while the substrate is rotated at the rotation speed of the chemical liquid treatment, and the chemical liquid treatment of the substrate is performed, and the liquid received from the drainage cup at that time is recovered by the recovery line 112.

Figure R1020080085136

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM}SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM

본 발명은 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 세정 처리와 같은 소정의 액처리를 행하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법과, 그와 같은 방법을 실행시키기 위한 프로그램이 기억된 기억 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined liquid processing such as a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer, a substrate processing method, and a storage medium in which a program for executing such a method is stored.

반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼나 유리 기판에 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 프로세스가 많이 사용되고 있다. 이러한 프로세스로서는, 예컨대, 기판에 부착된 파티클이나 오염물(contamination) 등을 제거하는 세정 처리를 들 수 있다.In the manufacturing process of a semiconductor device, the process of supplying a process liquid to a semiconductor wafer or a glass substrate which is a to-be-processed substrate, and performing a liquid process is used a lot. As such a process, the washing | cleaning process which removes the particle | grains, contamination, etc. which adhered to the board | substrate is mentioned, for example.

이와 같은 기판 처리 장치로서는, 기판인 반도체 웨이퍼를 스핀척에 유지하며, 기판을 회전시킨 상태에서 웨이퍼에 약액 등의 처리액을 공급하여 세정 처리를 행하는 것이 알려져 있다. 이러한 종류의 장치에서는, 통상, 처리액은 기판의 중심에 공급되며, 기판을 회전시킴으로써 처리액을 외측으로 확산시켜 액막을 형성하고, 처리액을 기판의 외측으로 이탈시킨다. 그리고, 이와 같은 세정 처리 후, 기판을 약액 처리 시보다 빠르게 회전시킨 상태에서 기판에 순수 등의 린스액을 공급 하여 린스액의 액막을 형성하며, 린스액을 기판의 외측으로 이탈시키는 린스 처리를 행한다. 이때문에, 기판의 외측으로 떨어져 나간 처리액이나 린스액을 받아 배액하기 위한 배액컵을 기판의 외측을 둘러싸도록 설치하고 있다(예컨대 특허문헌 1).As such a substrate processing apparatus, it is known to hold a semiconductor wafer as a substrate on a spin chuck, and to supply a processing liquid such as a chemical liquid to a wafer in a state in which the substrate is rotated to perform a cleaning process. In this kind of apparatus, the processing liquid is usually supplied to the center of the substrate, and by rotating the substrate, the processing liquid is diffused outward to form a liquid film, and the processing liquid is separated out of the substrate. After the cleaning process, the substrate is rotated faster than the chemical liquid treatment, and a rinse liquid such as pure water is supplied to the substrate to form a liquid film of the rinse liquid, and the rinse treatment is performed to remove the rinse liquid to the outside of the substrate. . For this reason, the drainage cup for receiving and draining the process liquid and rinse liquid which fell out of the board | substrate is provided so that the outer side of a board | substrate may be enclosed (for example, patent document 1).

그런데, 이러한 종류의 기판 처리 장치에서는, 약액으로서 알칼리성 약액이나 산성 약액 등을 이용하는데, 이들 약액은 비교적 고가여서, 회수하여 순환 사용하는 것이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 2). 이 특허문헌 2에는, 린스 처리로서의 수세(水洗) 후, 순수가 혼합되어 농도가 낮아진 약액을 회수하는 것을 피하기 위해, 복수의 컵을 전환하여 사용하는 방법과, 수세 처리 후의 약액 처리의 최초의 수초 간, 약액을 드레인 라인으로 배출하며, 그 후 회수 라인으로 전환하여 약액을 회수하는 기술이 기재되어 있다.By the way, in this kind of substrate processing apparatus, although alkaline chemical liquid, acidic chemical liquid, etc. are used as a chemical liquid, these chemical liquids are comparatively expensive, and it is proposed to collect | recover and circulate them (for example, patent document 2). In this patent document 2, after washing with water as a rinse treatment, in order to avoid recovering a chemical liquid having a low concentration due to mixing of pure water, a method of switching a plurality of cups and using the first several seconds of the chemical treatment after washing with water The technique of discharging liver and chemical liquid to a drain line, and then switching to a recovery line to recover the chemical liquid is described.

그러나, 특허문헌 2에 개시된 기술 중, 전자의 경우에는, 장치가 대형화되고, 복잡하게 된다. 또한, 후자의 경우에는, 린스 처리를 확실하게 행하는 관점에서 약액 처리시보다 빠른 회전수로 린스 처리하고 있기 때문에, 컵의 높은 곳까지 린스액인 순수가 부착되어 있어, 순수를 씻어 내는데 시간이 걸리고 폐기하는 약액이 많아지므로, 약액 회수율이 낮다는 문제점이 있다.However, among the techniques disclosed in Patent Document 2, in the former case, the apparatus is enlarged and complicated. In the latter case, since the rinse treatment is performed at a higher rotational speed than the chemical liquid treatment from the viewpoint of rinsing the rinsing process reliably, pure water, which is a rinse liquid, adheres to the high place of the cup, and it takes time to wash the pure water. Since the amount of chemical liquid to be discarded increases, there is a problem that the chemical liquid recovery rate is low.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-368066호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-368066

[특허문헌 2] 일본 특허 공개 평성 제5-243202호 공보[Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-243202

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 복잡한 기구를 이용하지 않고, 효율적으로 약액을 회수할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, and an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus and substrate processing method which can collect | recover chemical liquid efficiently, without using a complicated mechanism.

또, 이와 같은 기판 처리 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기억된 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a storage medium in which a program for executing such a substrate processing method is stored.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제1 관점에서는, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 약액을 저류하는 약액 탱크를 가지며, 이 약액 탱크로부터 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되어, 회전하는 기판으로부터 비산하는 약액 또는 린스액을 받는 환(環)형의 배액컵과, 상기 배액컵에 접속되어, 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하는 폐기 라인과, 상기 배액컵에 접속되어, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 약액 탱크에 회수하는 회수 라인과, 상기 회수 라인에 의한 액의 회수 및 상기 폐기 라인에 의한 액의 폐기를 전환하는 전환 수단과, 상기 약액 공급 기구에 의한 상기 약액의 공급, 상기 린스액 공급 기구에 의한 상기 린스액의 공급, 상기 회전 기구에 의한 기판의 회전, 상기 전환 수단에 의한 액의 폐기 및 회수의 전환을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 린스액에 의한 린스 처리 후에 상기 약액에 의한 약액 처리를 행할 때에, 최초에 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 린스 처리용 회 전수 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 폐기 라인에 의해 폐기하고, 그 후, 상기 폐기 라인이 무효 또한 상기 회수 라인이 유효인 상태로 전환하며, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 그때에 상기 배액 컵에서 받은 액을 상기 회수 라인에 의해 회수하도록 미리 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, in the 1st viewpoint of this invention, it has the board | substrate holding part which can hold | maintain a board | substrate horizontally, and rotates with a board | substrate, the rotating mechanism which rotates the said board | substrate holding part, and the chemical liquid tank which stores a chemical | medical solution. A chemical liquid supply mechanism for supplying a chemical liquid from the chemical tank to the substrate, a rinse liquid supply mechanism for supplying a rinse liquid to the substrate, and a substrate provided to surround the outer side of the substrate held by the substrate holding portion, and scattered from the rotating substrate. A ring-type drainage cup which receives a chemical liquid or a rinse liquid, a waste line connected to the drainage cup and discarding the liquid received from the drainage cup, and a liquid connected to the drainage cup and received from the drainage cup A recovery line for recovering the liquid to the chemical tank, switching means for switching the recovery of the liquid by the recovery line and the disposal of the liquid by the waste line, and the chemical liquid supply And a control unit for controlling the supply of the chemical liquid by a sphere, the supply of the rinse liquid by the rinse liquid supply mechanism, the rotation of the substrate by the rotary mechanism, the disposal and recovery of the liquid by the switching means, When the control unit performs the chemical liquid treatment with the chemical liquid after the rinse treatment with the rinse liquid, the waste line is initially valid and the recovery line is in an invalid state, thereby rotating the substrate at a rotation speed equal to or greater than the number of rotations for the rinse treatment. Supplying the chemical liquid onto the substrate while cleaning the drainage cup with the chemical liquid, and then discarding the liquid received from the drainage cup by the waste line, after which the waste line is invalid and the recovery line is effective. Switching to the phosphorus state, supplying the chemical liquid onto the substrate while rotating the substrate at a rotation speed for chemical liquid treatment, and performing chemical liquid treatment of the substrate; A substrate processing apparatus is set in advance so as to recover the liquid received from the drainage cup by the recovery line at that time.

상기 제1 관점에 있어서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸도록, 상기 배액컵의 내측에 설치되어, 상기 기판 유지부 및 기판과 함께 회전하고, 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 떨어져 나간 액을 받아 상기 배액컵으로 유도하며, 회전할 때에 상기 배액컵에 약액 또는 린스액의 선회류를 형성하는 회전컵을 더 구비할 수 있다. 상기 회전 컵에 상기 배액컵 내에 삽입되며 또한 상기 회전컵과 함께 회전하여 상기 선회류의 형성을 어시스트하는 부재가 접속되도록 할 수 있다. 이 경우에, 상기 선회류의 형성을 어시스트하는 부재는 상기 회전 컵의 통 형상의 외측 벽부의 하측 부분으로 할 수 있다.In the first aspect, the liquid is disposed inside the drainage cup so as to surround the substrate held in the substrate holding portion, rotates together with the substrate holding portion and the substrate, and moves away from the substrate when the substrate is rotated. Receiving is guided to the drainage cup, and when rotating, may further comprise a rotary cup to form a swirl flow of the chemical or rinse liquid in the drainage cup. A member inserted into the draining cup into the rotating cup and rotating together with the rotating cup may be connected to assist the member to assist in the formation of the swirl flow. In this case, the member which assists in formation of the said swirl flow can be made into the lower part of the cylindrical outer wall part of the said rotating cup.

또한, 상기 제1 관점에 있어서, 상기 제어부는 제1 기판을 제1 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과, 다음으로, 상기 제1 기판 또는 새로운 제2 기판인 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 이상의 제2 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판에 상기 약액을 공급하여 예비 처리를 행하고, 이때, 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 상기 배기 컵에서 받은 액을 상기 폐기 라인으로 보내는 공정과, 다음으로, 상기 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판 상에 상기 약액을 공급하여 약액 처리를 행하고, 이때, 상기 폐기 라인이 무효 또한 상기 회수 라인이 유효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 회수 라인으로 보내는 공정을 실행하도록 미리 설정되도록 할 수 있다.Further, in the first aspect, the control unit performs a rinsing process by supplying the rinse liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at a first rotational speed, and then, the first substrate or Preprocessing is performed by supplying the chemical liquid to the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed, which is a new second substrate, at a second rotation speed equal to or greater than the first rotation speed, wherein the waste line is valid and the recovery line is invalid. In the phosphorus state, sending the liquid received from the exhaust cup to the waste line, and then rotating the chemical substrate on the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed at a third rotation speed less than the first rotation speed. Supplying the chemical liquid treatment, wherein the waste line is invalid and the recovery line is in a valid state, and the liquid received from the drainage cup is transferred to the recovery line. It may be so set in advance to execute the process are sent to.

이 경우에, 상기 피처리 기판은 상기 제2 기판이고, 상기 제어부는 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 약액 처리를 행하는 공정을 실행하도록 미리 설정될 수 있다. 대신, 상기 피처리 기판은 상기 제1 기판이고, 상기 제어부는 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액과 다른 약액을 공급하여 다른 약액 처리를 행하는 공정을 실행하도록 미리 설정될 수 있다.In this case, the substrate to be processed is the second substrate, and the controller supplies the chemical liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at the third rotational speed before the rinsing treatment to perform the chemical liquid treatment. It may be set in advance to execute a step of performing. Instead, the substrate to be processed is the first substrate, and the controller supplies the chemical liquid different from the chemical liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at a rotation speed less than the first rotation speed before the rinse processing. Can be set in advance to execute a process of performing another chemical liquid treatment.

또한, 상기 제어부는 상기 린스 처리 시, 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 폐기 라인으로 보내도록 미리 설정될 수 있다. 대신, 상기 제어부는 상기 린스 처리 시, 상기 폐기 라인과는 다른 별도의 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 별도의 폐기 라인으로 보내도록 미리 설정될 수 있다.In addition, the control unit may be preset to send the liquid received from the drainage cup to the waste line as the waste line is valid and the recovery line is invalid during the rinsing process. Instead, the control unit may be set in advance to send the liquid received from the drainage cup to the separate waste line as the waste line other than the waste line is valid and the recovery line is invalid during the rinsing process. Can be.

또한, 상기 폐기 라인과 상기 회수 라인은 공통의 배출관을 통하여 상기 배 액컵에 접속되며, 상기 전환 수단은 상기 폐기 라인과 상기 회수 라인이 분기하는 위치에서 상기 배출관에 배치되며 상기 제어부에서 제어되는 전환 밸브를 구비할 수 있다.In addition, the waste line and the recovery line is connected to the drain cup through a common discharge pipe, the switching means is arranged in the discharge pipe at a position where the waste line and the recovery line branched, switching valve controlled by the control unit It may be provided.

본 발명의 제2 관점에서는, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되어, 회전하는 기판으로부터 비산하는 액을 받는 환형의 배액컵의 내측에서, 약액 및 린스액을 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서, 약액 처리 후의 기판에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과 기판에 상기 약액을 공급하여 기판에 대하여 약액 처리를 행하는 공정을 구비하고, 상기 린스액에 의한 린스 처리 후에 상기 약액에 의한 약액 처리를 행할 때에, 최초에 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하고, 그 후, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.In the second aspect of the present invention, the chemical liquid and the rinse liquid are provided inside the annular drainage cup which is provided to surround the outside of the substrate held by the rotatable substrate holding portion together with the substrate and receives the liquid scattered from the rotating substrate. A substrate processing method for supplying and processing a substrate, comprising: a step of supplying the rinse liquid to a substrate after chemical liquid treatment to perform a rinse treatment, and a step of supplying the chemical liquid to a substrate to perform a chemical liquid treatment on the substrate; When performing the chemical liquid treatment with the chemical liquid after the rinse treatment with, the chemical liquid is supplied onto the substrate while the substrate is first rotated at a rotation speed equal to or greater than the rotation speed for the rinse treatment, and the drainage cup is washed with the chemical liquid. The liquid received from the drainage cup is discarded, and then the chemical liquid is placed on the substrate while the substrate is rotated at a rotation speed for chemical liquid processing. It supplies and performs chemical | medical solution process of a board | substrate, and collect | recovers the liquid received from the said drainage cup at that time, The substrate processing method characterized by the above-mentioned.

상기 제2 관점에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸도록, 상기 배액컵의 내측에 설치되어, 상기 기판 유지부 및 기판과 함께 회전하고, 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 떨어져 나간 액을 받아 상기 배액컵으로 유도하는 회전컵을 더 구비하고, 상기 린스 처리 시와 동일한 회전수이거나 또는 그 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 약액을 공급할 때에, 회전컵의 회전에 따른 선회류로 약액의 배출을 촉진하도록 할 수 있다. 이 경우에, 상기 회전컵에 상기 배액컵 내에 삽입되며 또한 상기 회수컵과 함께 회전하여 상기 선회류의 형성을 어시스트하는 부재가 접속되도록 할 수 있다.In the second aspect, the substrate processing apparatus is provided inside the drainage cup so as to surround the substrate held in the substrate holding portion, and rotates together with the substrate holding portion and the substrate to rotate the substrate. Further comprising a rotary cup receiving the liquid separated from the substrate to guide the drainage cup, and when supplying the chemical liquid while rotating the substrate at the same rotation speed or more than the rinse treatment, Swirl flows can be used to facilitate the discharge of chemicals. In this case, a member inserted into the drainage cup and rotating together with the recovery cup may be connected to assist the member to assist in the formation of the swirl flow.

또한, 상기 제2 관점에 있어서, 제1 기판을 제1 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과, 다음으로, 상기 제1 기판 또는 새로운 제2 기판인 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 이상의 제2 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판에 상기 약액을 공급하여 예비 처리를 행하고, 이때, 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하는 공정과, 다음으로, 상기 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판 상에 상기 약액을 공급하여 약액 처리를 행하고, 이때, 상기 배액컵에서 받은 액을 회수하는 공정을 포함하도록 할 수 있다.Moreover, in the said 2nd viewpoint, the process of supplying the said rinse liquid on a said 1st board | substrate, and performing a rinse process, rotating a 1st board | substrate at a 1st rotational speed, Next, the said 1st board | substrate or a new 2nd Preprocessing by supplying the chemical liquid to the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed at a second rotation speed equal to or greater than the first rotation speed, and then discarding the liquid received from the drainage cup; And supplying the chemical liquid onto the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed at a third rotational speed less than the first rotational speed, and performing a chemical liquid treatment, wherein the liquid received from the drainage cup is collected. You can do that.

이 경우에, 상기 피처리 기판은 상기 제2 기판이며, 상기 방법은 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 약액 처리를 행하는 공정을 포함할 수 있다. 대신, 상기 피처리 기판은 상기 제1 기판이고, 상기 방법은 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액과 다른 약액을 공급하여 다른 약액 처리를 행하는 공정을 포함할 수 있다.In this case, the substrate to be processed is the second substrate, and the method supplies the chemical liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at the third rotational speed before the rinsing treatment. It may include the step of performing. Instead, the substrate to be processed is the first substrate, and the method supplies the chemical liquid and the other chemical liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at a rotational speed less than the first rotational speed before the rinsing treatment. And other chemical liquid treatment.

또한, 상기 제2 관점에 있어서, 상기 린스 처리 시, 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하는 공정을 포함할 수 있다.In addition, in the second aspect, the rinsing process, it may include the step of discarding the liquid received from the drainage cup.

본 발명의 제3 관점에서는, 컴퓨터 상에서 동작하고, 기판 처리 장치를 제어 하기 위한 프로그램이 기억된 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 프로그램은, 실행 시에 상기 기판 처리 장치를 제어하여 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되어, 회전하는 기판으로부터 비산하는 액을 받는 환형의 배액컵의 내측에서, 약액 및 린스액을 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법을 실행시키고, 상기 방법은 기판에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과, 기판에 상기 약액을 공급하여 기판에 대하여 약액 처리를 행하는 공정을 포함하고, 상기 린스액에 의한 린스 처리 후에 상기 약액에 의한 약액 처리를 행할 때에, 최초에 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하고, 그 후, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 회수하는 것을 특징으로 하는 기억 매체를 제공한다.In a third aspect of the present invention, a computer-readable storage medium operating on a computer and storing a program for controlling a substrate processing apparatus, wherein the program rotates together with a substrate by controlling the substrate processing apparatus at the time of execution. A substrate processing method is provided to surround the outer side of the substrate held by the substrate holding unit, and to supply the chemical liquid and the rinse liquid to perform the substrate treatment inside the annular drainage cup which receives the liquid scattered from the rotating substrate. The method includes the step of supplying the rinse liquid to the substrate to perform a rinse treatment, and the step of supplying the chemical liquid to the substrate to perform a chemical liquid treatment on the substrate, after the rinse treatment with the rinse liquid At the time of performing chemical | medical solution process, the board | substrate is rotated at the rotation speed more than the rotation speed for rinse processing initially, Supplying the chemical liquid to the liquid and cleaning the drainage cup with the chemical liquid, discarding the liquid received from the drainage cup at that time, and then supplying the chemical liquid onto the substrate while rotating the substrate at a rotational speed for chemical processing A chemical liquid processing is carried out, and at that time, the liquid received from the drainage cup is recovered.

본 발명에 따르면, 배액컵으로부터 배출관을 통해 약액을 회수 가능한 기판 처리 장치에서, 린스액에 의한 린스 처리 후에 약액에 의한 약액 처리를 행할 때에, 최초에 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 상기 회전 기구에 의해 기판을 회전시키면서 상기 약액 공급 기구에 의해 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 그 액을 폐기하고 나서, 그때의 약액 처리 시의 약액을 회수하기 때문에, 약액 세정 시에 약액이 배액컵에 잔존하고 있는 린스액의 높이까지 용이하게 도달하여, 약액에 의해 단시간에 린스액을 씻어 버릴 수 있다. 이때문에, 폐기하 는 약액을 적게 할 수 있고, 그 후의 약액 처리 시에 효율적으로 약액을 회수할 수 있다.According to the present invention, in the substrate processing apparatus capable of recovering the chemical liquid from the drainage cup through the discharge pipe, when the chemical liquid treatment with the chemical liquid is performed after the rinse treatment with the rinse liquid, the rotation mechanism is first rotated at a rotation speed equal to or greater than the rotation speed for the rinse processing. The chemical liquid is supplied by the chemical liquid supply mechanism while rotating the substrate to clean the drainage cup with the chemical liquid, and after discarding the liquid, the chemical liquid at the time of chemical liquid treatment is recovered. The rinse liquid can be easily reached to the height of the rinse liquid remaining in the drain cup, and the rinse liquid can be washed away with the chemical liquid in a short time. For this reason, the chemical liquid to be discarded can be reduced, and the chemical liquid can be efficiently recovered during subsequent chemical liquid processing.

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 여기서는 본 발명을 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 기재함)의 표리면 세정을 행하는 액처리 장치에 적용한 경우에 대해서 나타낸다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail, referring an accompanying drawing. Here, the case where the present invention is applied to a liquid processing apparatus for cleaning the front and back surfaces of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) is shown.

도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이고, 도 2는 그 평면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 배기·배액부를 확대하여 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing an enlarged exhaust / drainage portion of the substrate processing apparatus of FIG. 1. .

이 기판 처리 장치(100)는 도시하지 않는 액처리 시스템에 복수대 편입되어 있다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(100)는 베이스 플레이트(1)와, 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지하는 웨이퍼 유지부(2)와, 이 웨이퍼 유지부(2)를 회전시키는 회전 모터(3)와, 웨이퍼 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치되며, 웨이퍼 유지부(2)와 함께 회전하는 회전컵(4)과, 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 공급하는 표면측 액공급 노즐(5)과, 웨이퍼(W)의 이면에 처리액을 공급하는 이면측 액공급 노즐(6)과, 회전컵(4)의 주연부에 설치된 배기·배액부(7)를 갖고 있다. 또한, 배기·배액부(7)의 주위 및 웨이퍼(W)의 위쪽을 덮도록 케이싱(8)이 설치되어 있다. 케이싱(8)의 상부에는 액처리 시스템의 팬·필터·유닛(FFU)으로부터의 기류를 측부에 설치된 도입구(9a)를 통해 도입하는 기류 도입부(9)가 설치되어 있고, 웨이퍼 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)에 청정 공 기의 다운 플로우가 공급되도록 되어 있다.A plurality of substrate processing apparatuses 100 are incorporated in a liquid processing system (not shown). As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the liquid processing apparatus 100 includes a base plate 1, a wafer holding portion 2 for rotatably holding a wafer W serving as a substrate, and a wafer holding portion. A rotating motor 3 for rotating the unit 2, a rotating cup 4 installed to surround the wafer W held by the wafer holding unit 2, and rotating together with the wafer holding unit 2, The surface side liquid supply nozzle 5 for supplying the processing liquid to the surface of the wafer W, the back side liquid supply nozzle 6 for supplying the processing liquid to the back surface of the wafer W, and the rotary cup 4 The exhaust / drainage part 7 provided in the peripheral part is provided. Moreover, the casing 8 is provided so that the circumference | surroundings of the exhaust-drain part 7 and the upper part of the wafer W may be covered. The upper part of the casing 8 is provided with the airflow introduction part 9 which introduces the airflow from the fan filter unit FFU of a liquid processing system through the introduction port 9a provided in the side part, and the wafer holding part 2 Downflow of the clean air is supplied to the wafer W held by the wafer).

웨이퍼 유지부(2)는 수평으로 설치된 원판 형상을 이루는 회전 플레이트(11)와, 그 이면의 중심부에 접속되며, 연직 하향으로 연장되는 원통 형상의 회전축(12)을 가지고 있다. 회전 플레이트(11)의 중심부에는 회전축(12) 내의 구멍(12a)에 연통하는 원형의 구멍(11a)이 형성되어 있다. 그리고, 이면측 액공급 노즐(6)을 구비한 승강 부재(13)가 구멍(12a) 및 구멍(11a) 내를 승강 가능하게 설치되어 있다. 회전 플레이트(11)에는, 웨이퍼(W)의 바깥 가장자리를 유지하는 유지 부재(14)가 설치되어 있으며, 도 2에 도시한 바와 같이, 이들은 등간격으로 3개 배치되어 있다. 이 유지 부재(14)는, 웨이퍼(W)가 회전 플레이트(11)로부터 조금 뜬 상태에서 수평으로 웨이퍼(W)를 유지하도록 되어 있다. 이 유지 부재(14)는 웨이퍼(W)의 단면을 유지 가능한 유지부(14a)와, 유지부(14a)로부터 회전 플레이트 이면측 중심 방향으로 연장되는 착탈부(14b)와, 유지부(14a)를 수직면 내에서 회동시키는 회전축(14c)을 가지며, 착탈부(14b)의 선단부를 도시하지 않은 실린더 기구에 의해 위쪽으로 밀어 올림으로써, 유지부(14a)가 외측으로 회동하여 웨이퍼(W)의 유지가 해제된다. 유지 부재(14)는, 도시하지 않은 스프링 부재에 의해 유지부(14a)가 웨이퍼(W)를 유지하는 방향으로 압박되어 있으며, 실린더 기구를 작동시키지 않는 경우에는 유지 부재(14)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된 상태로 된다.The wafer holding part 2 has a rotating plate 11 which is formed in a horizontal disk shape and a cylindrical rotating shaft 12 that is connected to the central portion of the rear surface thereof and extends vertically downward. The circular hole 11a which communicates with the hole 12a in the rotating shaft 12 is formed in the center part of the rotating plate 11. And the lifting member 13 provided with the back surface liquid supply nozzle 6 is provided so that the inside of the hole 12a and the hole 11a can be elevated. The rotating plate 11 is provided with holding members 14 for holding the outer edges of the wafer W. As shown in FIG. 2, three of them are arranged at equal intervals. The holding member 14 is configured to hold the wafer W horizontally while the wafer W is slightly lifted from the rotating plate 11. The holding member 14 includes a holding portion 14a capable of holding a cross section of the wafer W, a detachable portion 14b extending from the holding portion 14a in the center direction on the back surface side of the rotating plate, and the holding portion 14a. Has a rotating shaft 14c for rotating in the vertical plane, and the holding portion 14a is rotated outward to hold the wafer W by pushing the tip portion of the detachable portion 14b upward by a cylinder mechanism (not shown). Is released. The holding member 14 is urged in the direction in which the holding portion 14a holds the wafer W by a spring member (not shown). When the cylinder mechanism is not operated, the holding member 14 uses the wafer ( W) is maintained.

회전축(12)은, 2개의 베어링(15a)을 가지는 베어링 부재(15)를 통해 베이스 플레이트(1)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 회전축(12)의 하단부에는 풀리(16)가 끼워져 있고, 풀리(16)에는 벨트(17)가 감겨져 있다. 벨트(17)는 모터(3)의 축 에 부착된 풀리(18)에도 감겨져 있다. 그리고, 모터(3)를 회전시킴으로써 풀리(18), 벨트(17) 및 풀리(16)를 통해 회전축(12)을 회전시키도록 되어 있다.The rotary shaft 12 is rotatably supported by the base plate 1 via a bearing member 15 having two bearings 15a. The pulley 16 is fitted to the lower end of the rotating shaft 12, and the belt 17 is wound around the pulley 16. The belt 17 is also wound around the pulley 18 attached to the shaft of the motor 3. The rotation shaft 12 is rotated through the pulley 18, the belt 17, and the pulley 16 by rotating the motor 3.

표면측 액공급 노즐(5)은, 노즐 유지 부재(22)에 유지된 상태에서 노즐 아암(22a)의 선단에 부착되어 있고, 노즐 아암(22a) 내에 마련된 유로(83a)를 통해 약액이나 린스액으로서의 순수가 공급되고, 그 내부에 형성된 노즐 구멍(5a)을 통해 약액이나 순수를 토출하도록 되어 있다.The surface-side liquid supply nozzle 5 is attached to the tip of the nozzle arm 22a in a state held by the nozzle holding member 22, and the chemical liquid and the rinse liquid are provided through a flow path 83a provided in the nozzle arm 22a. Pure water is supplied, and the chemical liquid and the pure water are discharged through the nozzle hole 5a formed therein.

도 2에도 도시한 바와 같이, 노즐 아암(22a)은 구동 기구(81)에 의해 축(23)을 중심으로 하여 회동 가능하게 설치되어 있으며, 노즐 아암(22a)을 회동시킴으로써, 표면측 액공급 노즐(5)이 웨이퍼(W) 중심 상 및 외주 상의 웨이퍼 세정 위치와, 웨이퍼(W)의 외측의 후퇴 위치를 취할 수 있도록 되어 있다. 또한, 노즐 아암(22a)은 실린더 기구 등의 승강 기구(82)에 의해 상하이동 가능하게 되어 있다.As also shown in FIG. 2, the nozzle arm 22a is rotatably installed about the shaft 23 by the drive mechanism 81, and the surface side liquid supply nozzle is rotated by rotating the nozzle arm 22a. (5) can take the wafer cleaning position on the center and outer periphery of the wafer W, and the retreat position of the outer side of the wafer W. As shown in FIG. In addition, the nozzle arm 22a is movable by the lifting mechanism 82, such as a cylinder mechanism.

노즐 아암(22a) 내에는 유로(83)가 마련되어 있으며, 표면측 액공급 노즐(5)의 노즐 구멍(5a)은 유로(83)의 일단에 연결되어 있다. 또한, 유로(83)의 타단에는 배관(84a)이 접속되어 있다. 배관(84a)에는 밸브(86, 87)가 설치되어 있다. 밸브(86)에는 배관(88)이 접속되어 있고, 배관(88)의 타단에는 약액 탱크(89)가 접속되어 있다. 밸브(87)에는 배관(90)이 접속되어 있고, 배관(90)의 타단에는 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(91)이 접속되어 있다. 그리고, 약액 탱크(89) 및 DIW 공급원(91)으로부터, 배관(84a) 및 유로(83)를 통하여 표면측 액공급 노즐(5)에 각각 약액 및 순수를 공급 가능하게 되어 있다. 또한, 약액 탱크(89)에는, 약액을 보충하는 약액 보충 라인(97) 및 약액을 희석하기 위한 순수를 공급하는 순수 공급 라인(98)이 접속되어 있다.A flow path 83 is provided in the nozzle arm 22a, and the nozzle hole 5a of the surface side liquid supply nozzle 5 is connected to one end of the flow path 83. In addition, a pipe 84a is connected to the other end of the flow path 83. Valves 86 and 87 are provided in the pipe 84a. A pipe 88 is connected to the valve 86, and a chemical liquid tank 89 is connected to the other end of the pipe 88. A pipe 90 is connected to the valve 87, and a DIW supply source 91 for supplying pure water (DIW) is connected to the other end of the pipe 90. Then, the chemical liquid and the pure water can be supplied from the chemical liquid tank 89 and the DIW supply source 91 to the surface-side liquid supply nozzle 5 through the pipe 84a and the flow path 83, respectively. The chemical liquid tank 89 is connected to a chemical liquid refilling line 97 for replenishing chemical liquids and a pure water supply line 98 for supplying pure water for diluting the chemical liquid.

이면측 액공급 노즐(6)은 승강 부재(13)의 중심에 설치되어 있고, 그 내부에 길이 방향을 따라 연장되는 노즐 구멍(6a)이 형성되어 있다. 노즐 구멍(6a)의 하단에는 배관(84b)이 접속되어 있다. 배관(84b)에는 밸브(92, 93)가 설치되어 있다. 밸브(92)에는 배관(94)이 접속되어 있고, 배관(94)의 타단에는 상기 약액 탱크(89)가 접속되어 있다. 밸브(93)에는 배관(95)이 접속되어 있고, 배관(95)의 타단에는 상기 DIW 공급원(91)이 접속되어 있다. 그리고, 약액 탱크(89) 및 DIW 공급원(91)으로부터, 배관(84b)을 통하여 이면 액공급 노즐(6)에 각각 약액 및 순수를 공급 가능하게 되어 있다.The back surface side liquid supply nozzle 6 is provided in the center of the elevating member 13, and the nozzle hole 6a extended along the longitudinal direction is formed in the inside. The pipe 84b is connected to the lower end of the nozzle hole 6a. Valves 92 and 93 are provided in the pipe 84b. A pipe 94 is connected to the valve 92, and the chemical liquid tank 89 is connected to the other end of the pipe 94. A pipe 95 is connected to the valve 93, and the DIW supply source 91 is connected to the other end of the pipe 95. Then, the chemical liquid and the pure water can be supplied from the chemical liquid tank 89 and the DIW supply source 91 to the rear liquid supply nozzle 6 via the pipe 84b, respectively.

약액으로서는, 예컨대 산 약액인 희석된 플루오르화수소산(DHF), 알칼리 약액인 암모니아과수(SC1) 등을 들 수 있고, 1종 또는 2종 이상의 약액을 공급 가능하게 되어 있다. 공급하는 약액이 2종 이상인 경우는, 각각에 탱크를 설치하고, 마찬가지로 배관(84a, 84b)에 접속하면 된다.Examples of the chemical liquid include diluted hydrofluoric acid (DHF), which is an acid chemical, and ammonia fruit water (SC1), which is an alkaline chemical, and one or two or more chemicals can be supplied. What is necessary is just to provide a tank in each case and to connect to piping 84a, 84b similarly, when two or more types of chemical liquids are supplied.

승강 부재(13)의 상단부에는 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지대(24)를 가지고 있다. 웨이퍼 지지대(24)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 3개의 웨이퍼 지지핀(25)(2개만 도시)을 가지고 있다. 그리고, 이면측 액공급 노즐(6)의 하단에는 접속 부재(26)를 통해 실린더 기구(27)가 접속되어 있고, 이 실린더 기구(27)에 의해 승강 부재(13)를 승강시킴으로써 웨이퍼(W)를 승강시켜 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩이 행해진다.The upper end of the elevating member 13 has a wafer support 24 supporting the wafer W. As shown in FIG. The upper surface of the wafer support 24 has three wafer support pins 25 (only two are shown) for supporting the wafer W. As shown in FIG. And the cylinder mechanism 27 is connected to the lower end of the back surface side liquid supply nozzle 6 via the connection member 26, and the wafer W is lifted by elevating the lifting member 13 by this cylinder mechanism 27. The wafer W is loaded and unloaded by raising and lowering.

회전컵(4)은, 회전 플레이트(11)의 단부 위쪽으로부터 내측으로 비스듬히 위 쪽으로 연장되는 원환 형상의 차양부(31)와, 차양부(31)의 외단부로부터 수직 아래쪽으로 연장되는 통 형상의 외측 벽부(32)를 가지고 있다. 그리고, 도 3의 확대도에 도시한 바와 같이, 외측 벽부(32)와 회전 플레이트(11) 사이에는 원환 형상의 간극(33)이 형성되어 있으며, 이 간극(33)으로부터 웨이퍼(W)가 회전 플레이트(11) 및 회전컵(4)과 함께 회전되어 비산한 약액이나 린스액인 순수가 아래쪽으로 유도된다.The rotary cup 4 has an annular sunshade 31 extending obliquely upward from the upper end of the rotary plate 11 and a cylindrical shape extending vertically downward from the outer end of the sunshade 31. It has an outer wall part 32. As shown in the enlarged view of FIG. 3, an annular gap 33 is formed between the outer wall portion 32 and the rotating plate 11, and the wafer W rotates from the gap 33. Pure water, which is a chemical liquid or rinse liquid, which is rotated together with the plate 11 and the rotary cup 4, is directed downward.

차양부(31)와 회전 플레이트(11) 사이에는 웨이퍼(W)와 거의 동일한 높이의 위치에 판 형상을 이루는 안내 부재(35)가 개재되어 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 차양부(31)와 안내 부재(35) 사이, 안내 부재(35)와 회전 플레이트(11) 사이에는, 각각 처리액이나 린스액을 통과시키는 복수의 개구(36 및 37)를 형성하기 위한 복수의 스페이서 부재(38 및 39)가 둘레 방향을 따라 배치되어 있다. 차양부(31)와, 안내 부재(35)와, 회전 플레이트(11)와, 이들 사이의 스페이서 부재(38, 39)는, 나사(40)에 의해 나사고정되어 있다.Between the awning part 31 and the rotating plate 11, the guide member 35 which forms a plate shape at the position of the substantially same height as the wafer W is interposed. As shown in FIG. 4, between the shade 31 and the guide member 35, and between the guide member 35 and the rotating plate 11, a plurality of openings 36 through which a processing liquid or a rinse liquid pass, respectively. A plurality of spacer members 38 and 39 for forming 37 are arranged along the circumferential direction. The sunshade 31, the guide member 35, the rotation plate 11, and the spacer members 38, 39 therebetween are screwed by screws 40.

안내 부재(35)는 그 표리면이 웨이퍼(W)의 표리면과 거의 연속되도록 설치되어 있다. 그리고, 모터(3)에 의해 웨이퍼 유지부(2) 및 회전컵(4)을 웨이퍼(W)와 함께 회전시켜 표면측 액공급 노즐(5)로부터 웨이퍼(W) 표면의 중심으로 처리액을 공급했을 때에는, 처리액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면으로 확산하고, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 떨어져 나간다. 이 웨이퍼(W) 표면으로부터 떨어져 나간 처리액은 대략 연속하여 설치된 안내 부재(35)의 표면으로 안내되어 개구(36)로부터 외측으로 배출되고, 외측 벽부(32)에 의해 아래쪽으로 유도된다. 또한, 마찬가지 로 웨이퍼 유지부(2) 및 회전컵(4)을 웨이퍼(W)와 함께 회전시켜 이면측 액공급 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 중심으로 처리액을 공급했을 때에는, 처리액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 이면으로 확산하고, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 떨어져 나간다. 이 웨이퍼(W) 이면으로부터 떨어져 나간 처리액은, 거의 연속적으로 설치된 안내 부재(35)의 이면으로 안내되어 개구(37)로부터 외측으로 배출되고, 외측 벽부(32)에 의해 아래쪽으로 유도된다. 이때 스페이서 부재(38, 39) 및 외측 벽부(32)에 도달한 처리액에는 원심력이 작용하고 있기 때문에, 이들이 미스트(mist)가 되어 내측으로 되돌아가는 것이 저지된다.The guide member 35 is provided such that its front and back surfaces are substantially continuous with the front and back surfaces of the wafer W. As shown in FIG. Then, the wafer holding unit 2 and the rotating cup 4 are rotated together with the wafer W by the motor 3 to supply the processing liquid from the surface side liquid supply nozzle 5 to the center of the wafer W surface. In this case, the processing liquid diffuses to the surface of the wafer W by centrifugal force, and is separated from the peripheral portion of the wafer W. The processing liquid separated from the surface of the wafer W is guided to the surface of the guide member 35 which is provided substantially continuously, is discharged outward from the opening 36, and guided downward by the outer wall portion 32. Similarly, when the wafer holding portion 2 and the rotary cup 4 are rotated together with the wafer W to supply the processing liquid from the back liquid supply nozzle 6 to the center of the back surface of the wafer W, The processing liquid diffuses to the back surface of the wafer W by centrifugal force and is separated from the peripheral edge of the wafer W. The processing liquid separated from the back surface of the wafer W is guided to the back surface of the guide member 35 provided almost continuously and discharged outward from the opening 37 to be guided downward by the outer wall portion 32. At this time, the centrifugal force acts on the processing liquids reaching the spacer members 38 and 39 and the outer wall portion 32, so that they become a mist and are prevented from returning to the inside.

또한, 안내 부재(35)는 이와 같이 웨이퍼(W) 표면 및 이면으로부터 떨어져 나간 처리액을 안내하기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 이탈한 처리액이 난류화되기 어렵고, 처리액을 미스트화시키지 않고 회전컵(4) 밖으로 유도할 수 있다. 또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 안내 부재(35)에는, 웨이퍼 유지 부재(14)에 대응하는 위치에, 웨이퍼 유지 부재(14)를 피하도록 노치부(41)가 형성되어 있다.In addition, since the guide member 35 guides the processing liquid separated from the front surface and the rear surface of the wafer W in this manner, the processing liquid separated from the peripheral portion of the wafer W is less likely to be turbulent, and the processing liquid is not misted. It can be guided out of the rotary cup 4 without. 2, the notch part 41 is formed in the guide member 35 so that the wafer holding member 14 may be avoided in the position corresponding to the wafer holding member 14. As shown in FIG.

배기·배액부(7)는, 주로 회전 플레이트(11)와 회전컵(4)으로 둘러싸인 공간으로부터 배출되는 기체 및 액체를 회수하기 위한 것이며, 도 3의 확대도에도 도시한 바와 같이, 회전컵(4)으로부터 배출된 처리액이나 린스액을 받는 환형을 이루는 배액컵(51)과, 배액컵(51)을 수용하도록 배액컵(51)과 동심형의 환형을 이루는 배기컵(52)을 구비하고 있다.The exhaust / drainage part 7 is for recovering the gas and liquid discharged | emitted mainly from the space enclosed by the rotating plate 11 and the rotating cup 4, As shown also in the enlarged view of FIG. 4) an annular drain cup 51 receiving the treatment liquid or the rinse liquid discharged from 4) and an exhaust cup 52 forming a concentric annular shape with the drain cup 51 to accommodate the drain cup 51; have.

도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 배액컵(51)은, 회전컵(4)의 외측에, 외측 벽부(32)에 근접하여 수직으로 설치된 통 형상을 이루는 외주벽(53)과, 외주벽(53)의 하단부로부터 내측을 향하여 연장되는 내측벽(54)을 가지고 있다. 내측벽(54)의 내주(內周)에는 내주벽(54a)이 수직으로 형성되어 있다. 이들 외주벽(53) 및 내측벽(54)에 의해 규정되는 환형의 공간이 회전컵(4)으로부터 배출된 처리액이나 린스액을 수용하는 액 수용부(56)로 이루어져 있다. 또한, 외주벽(53)의 상단에는, 배액컵(51)으로부터의 처리액이 떨어져 나가는 것을 방지하기 위해 회전컵(4)의 위쪽 부분으로 돌출된 돌출부(53a)가 형성되어 있다. 액 수용부(56)의 유지 부재(14)의 외측에 대응하는 위치에는, 내측벽(54)으로부터 회전 플레이트(11)의 하면 근방까지 연장되어, 배액컵(51)의 둘레 방향을 따라 환형으로 설치된 구획벽(55)을 가지고 있다. 그리고, 액 수용부(56)는, 이 구획벽(55)에 의해, 간극(33)으로부터 배출되는 액을 받는 주(主)컵부(56a)와, 유지 부재(14)의 유지부(14a) 근방 부분으로부터 적하되는 액을 받는 부(副)컵부(56b)로 분리되어 있다. 액 수용부(56)의 저면(57)은, 구획벽(55)에 의해 주컵부(56a)에 대응하는 제1 부분(57a)과, 부컵부(56b)에 대응하는 제2 부분(57b)으로 나뉘어 있고, 이들은 모두 외측으로부터 내측(회전 중심측)을 향하여 상승하도록 경사져 있다. 그리고, 제2 부분(57b)의 내측단은 유지 부재(14)의 유지부(14a)보다도 내측(회전 중심측)에 대응하는 위치에 도달하고 있다. 구획벽(55)은, 회전 플레이트(11)가 회전했을 때에, 유지 부재(14)의 회전 플레이트(11)의 아래쪽으로 돌출된 부분에 의해 형성된 기류가 미스트를 수반하여 웨이퍼(W)측에 도달하는 것을 저지하는 역할한다. 구획벽(55)에는, 부컵부(56b)로부터 주컵부(56a)로 처리액을 유도하기 위한 구멍(58)이 형성되어 있다(도 1 참조).As shown in FIG. 1 and FIG. 3, the drainage cup 51 includes an outer circumferential wall 53 that forms a tubular shape that is vertically provided close to the outer wall portion 32 on the outside of the rotary cup 4, and an outer circumference. It has an inner wall 54 extending inwardly from the lower end of the wall 53. An inner circumferential wall 54a is formed vertically on the inner circumference of the inner wall 54. The annular space defined by these outer circumferential walls 53 and the inner wall 54 is composed of a liquid container 56 for receiving the treatment liquid or the rinse liquid discharged from the rotary cup 4. Further, at the upper end of the outer circumferential wall 53, a projection 53a protruding to the upper portion of the rotary cup 4 is formed in order to prevent the processing liquid from the drainage cup 51 falling off. At a position corresponding to the outer side of the holding member 14 of the liquid container 56, it extends from the inner wall 54 to the vicinity of the lower surface of the rotating plate 11, and annularly along the circumferential direction of the drainage cup 51. It has a partition wall 55 provided. And the liquid container part 56 is the main cup part 56a which receives the liquid discharged | emitted from the clearance gap 33 by this partition wall 55, and the holding part 14a of the holding member 14. It is separated into the part cup part 56b which receives the liquid dripped from the vicinity part. The bottom surface 57 of the liquid container portion 56 has a first wall portion 57a corresponding to the main cup portion 56a and a second portion 57b corresponding to the subcup portion 56b by the partition wall 55. They are inclined so that they may all rise from the outer side toward the inner side (the rotation center side). And the inner end of the 2nd part 57b is reaching the position corresponding to inner side (rotation center side) rather than the holding part 14a of the holding member 14. As shown in FIG. As the partition wall 55 rotates, the airflow formed by the portion protruding downward of the rotation plate 11 of the holding member 14 reaches the wafer W side with the mist. It acts to discourage doing. The partition wall 55 is provided with a hole 58 for guiding the processing liquid from the subcup portion 56b to the main cup portion 56a (see FIG. 1).

도 1에 도시한 바와 같이, 배액컵(51)의 내측벽(54)의 최외측 부분에는 액 수용부(56)로부터 액을 배출하는 배액구(60)가 1 개소에 형성되어 있고, 배액구(60)에는 액을 배출하는 배액관(61)이 접속되어 있다. 그리고, 배액관(61)에는 전환 밸브(111)가 설치되어 있고, 전환 밸브(111)에는 약액을 회수하는 약액 회수 라인(112)이 접속되어 있다. 전환 밸브(111)는 배액관(61)을 회수 라인(112)과 폐기 라인인 드레인관(113) 사이에서 전환하도록 되어 있다.As shown in FIG. 1, in the outermost portion of the inner wall 54 of the drain cup 51, a drain port 60 for discharging the liquid from the liquid container 56 is formed at one place. A drain pipe 61 for discharging the liquid is connected to 60. And the switching valve 111 is provided in the drain pipe 61, and the chemical | medical solution collection line 112 which collect | recovers chemical | medical solution is connected to the switching valve 111. As shown in FIG. The switching valve 111 switches the drainage pipe 61 between the recovery line 112 and the waste pipe 113 which is a waste line.

배액컵(51) 내에서는, 웨이퍼(W), 회전 플레이트(11) 및 회전컵(4)이 일체적으로 회전함으로써, 회전컵(4)으로부터 배출되어 저류된 처리액이나 린스액의 선회류가 형성되어, 배액구(60) 및 배액관(61)을 통해 배출된다. 이 선회류는, 웨이퍼(W)의 회전 플레이트(11)의 회전만으로도 생기지만, 회전컵(4)이 회전할 때에 배액컵(51) 내에 삽입된 외측 벽부(32)의 하단 부분에 의해 형성되는 선회 기류에 배액컵(51) 내의 처리액이나 린스액이 수반됨으로써, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(11)만으로 생기는 선회류보다도 고속의 선회류를 형성할 수 있고, 배액구(60)로부터 액을 배출하는 속도를 높게 할 수 있다.In the drain cup 51, the wafer W, the rotary plate 11, and the rotary cup 4 rotate integrally, so that the swirl flow of the treatment liquid or the rinse liquid discharged from the rotary cup 4 and stored therein is maintained. It is formed, and discharged through the drain port 60 and the drain pipe (61). This swirl flow is generated only by the rotation of the rotating plate 11 of the wafer W, but is formed by the lower end portion of the outer wall portion 32 inserted into the drainage cup 51 when the rotating cup 4 rotates. By involving the processing liquid and the rinse liquid in the drainage cup 51 with the swirling airflow, it is possible to form a swirling flow faster than the swirling flow generated only by the wafer W and the rotating plate 11, and the liquid from the drainage port 60. Can speed up the discharge.

배기컵(52)은, 배액컵(51)의 외주벽(53)의 외측 부분에 수직으로 설치된 외측벽(64)과, 유지 부재(14)의 내측 부분에 수직으로 또한 그 상단이 회전 플레이트(11)에 근접하도록 설치된 내측벽(65)과, 베이스 플레이트(1) 상에 설치된 저벽(66)과, 외측벽(64)으로부터 위쪽으로 만곡되고, 회전컵(4)의 위쪽을 덮도록 설치된 상측벽(67)을 가지고 있다. 그리고, 배기컵(52)은, 그 상측벽(67)과 회전컵(4)의 차양부(31) 사이의 환형을 이루는 도입구(68)로부터 회전컵(4) 내 및 그 주위의 가스 성분을 주로 받아들여 배기하도록 되어 있다. 또한, 배기컵(52)의 하부에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 배기구(70)가 설치되어 있고, 배기구(70)에는 배기관(71)이 접속되어 있다. 배기관(71)의 하류측에는 도시하지 않은 흡인 기구가 설치되어 있고, 회전컵(4)의 주위를 배기하는 것이 가능하게 되어 있다. 배기구(70)는 복수 형성되어 있으며, 처리액의 종류에 따라 전환하여 사용하는 것이 가능하게 되어 있다.The exhaust cup 52 has an outer wall 64 provided perpendicularly to the outer portion of the outer circumferential wall 53 of the drainage cup 51, and a top of the rotating plate 11 perpendicular to the inner portion of the retaining member 14. ), The inner wall 65 provided to be close to the base wall, the bottom wall 66 provided on the base plate 1, and the upper wall bent upward from the outer wall 64 and installed to cover the upper portion of the rotary cup 4 ( 67). The exhaust cup 52 is a gas component in and around the rotary cup 4 from an inlet 68 forming an annular shape between the upper side wall 67 and the shade portion 31 of the rotary cup 4. Is mainly taken in and exhausted. 1 and 3, an exhaust port 70 is provided below the exhaust cup 52, and an exhaust pipe 71 is connected to the exhaust port 70. A suction mechanism (not shown) is provided on the downstream side of the exhaust pipe 71, and it is possible to exhaust the circumference of the rotary cup 4. A plurality of exhaust ports 70 are formed, and it is possible to switch and use them according to the kind of process liquid.

배액컵(51)의 외측벽인 외주벽(53)과 배기컵(52)의 외측벽(64) 사이에는 환형을 이루는 외측 환형 공간(99a)이 형성되어 있고, 배액컵(51)의 바닥부와 배기컵(52)의 바닥부 사이의 배기구(70)의 외측 부분에는, 둘레 방향을 따라 다수의 통기 구멍(98)이 형성된 환형의 기류 조정 부재(97)가 설치되어 있다. 그리고, 외측 환형 공간(99a)과 기류 조정 부재(97)는 배기컵(52)에 도입되고, 배기구(70)에 이르는 기류를 조정하여 균일하게 배기하는 기능을 갖고 있다. 즉, 이와 같이 환형의 공간인 외측 환형 공간(99a)을 통하여 기류를 전체 둘레에 걸쳐 균일하게 아래쪽으로 유도하고, 다수의 통기 구멍(98)을 형성한 기류 조정 부재(97)를 설치하여 압력 손실 즉, 기류의 저항을 부여하고 기류를 분산함으로써, 배기구(70)로부터의 거리에 상관없이 비교적 균일하게 배기를 행할 수 있다.An annular outer annular space 99a is formed between the outer circumferential wall 53, which is the outer wall of the drainage cup 51, and the outer wall 64 of the exhaust cup 52, and the bottom of the drainage cup 51 and the exhaust are formed. In the outer part of the exhaust port 70 between the bottom parts of the cup 52, the annular airflow adjustment member 97 in which the many ventilation hole 98 was formed along the circumferential direction is provided. The outer annular space 99a and the airflow adjusting member 97 are introduced into the exhaust cup 52, and have a function of uniformly exhausting the airflow reaching the exhaust port 70. That is, the air flow is guided downward uniformly over the entire circumference through the outer annular space 99a, which is an annular space in this way, and a pressure loss is provided by providing an air flow adjusting member 97 having a plurality of vent holes 98 formed therein. In other words, by imparting resistance to the air flow and dispersing the air flow, the air can be exhausted relatively uniformly regardless of the distance from the exhaust port 70.

또, 배액컵(51)의 내주벽(54a)과 배기컵(52)의 내측벽(65) 사이에는 환형을 이루는 내측 환형 공간(99b)이 형성되어 있으며, 또한, 배액컵(51)의 내주측에는 배기컵(52)의 바닥면과의 사이의 간극(77)이 형성되어 있다. 그리고, 도입구(68)로부터 도입된 기체 성분은, 외측 환형 공간(99a)뿐만 아니라, 배액컵(51)의 액 수 용부(56)에도 다소 흘러, 그 기류는 액 수용부(56)로부터 내측 환형 공간(99b)을 통하여 전체 둘레에 걸쳐 균일하게 아래쪽으로 유도되어, 간극(77)을 통하여 배기구(70)로부터 비교적 균일하게 배기를 행할 수 있다.Further, an annular inner annular space 99b is formed between the inner circumferential wall 54a of the drain cup 51 and the inner wall 65 of the exhaust cup 52, and the inner circumference of the drain cup 51 is formed. On the side, a gap 77 between the bottom surface of the exhaust cup 52 is formed. The gas component introduced from the inlet port 68 flows not only to the outer annular space 99a but also to the liquid receiving portion 56 of the drainage cup 51, and the airflow flows inward from the liquid receiving portion 56. It is guided downward uniformly over the entire circumference through the annular space 99b, and can exhaust relatively uniformly from the exhaust port 70 through the gap 77.

이와 같이, 배액컵(51)으로부터의 배액과 배기컵(52)으로부터의 배기가 독립적으로 행해지도록 되어 있기 때문에, 배액과 배기를 분리한 상태로 유도하는 것이 가능해진다. 또한, 배액컵(51)으로부터 미스트가 누출되어도 배기컵(52)이 그 주위를 둘러싸고 있기 때문에 조속히 배기구(70)를 통해 배출되어, 미스트가 외부로 누출되는 것이 확실하게 방지된다.In this way, since the drainage from the drainage cup 51 and the exhaust from the exhaust cup 52 are performed independently, it is possible to guide the drainage and the exhaust in a separated state. In addition, even when mist leaks from the drainage cup 51, since the exhaust cup 52 surrounds the periphery thereof, it is discharged through the exhaust port 70 as soon as possible, and the leakage of mist to the outside is reliably prevented.

기판 처리 장치(100)는 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러(121)를 가지고 있으며, 기판 처리 장치(100)의 각 구성부, 예컨대 회전 모터(3), 밸브류, 실린더의 구동 기구 등이 이 프로세스 컨트롤러(121)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 또한, 프로세스 컨트롤러(121)에는, 공정 관리자가 기판 처리 장치(100)의 각 구성부를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(100)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(122)가 접속되어 있다. 또한, 프로세스 컨트롤러(121)에는, 기판 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(121)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 액처리 장치(100)의 각 구성부에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램 즉, 레시피가 저장된 기억부(123)가 접속되어 있다. 레시피는 기억부(123) 내의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 하드 디스크 등의 고정적인 것이어 도 되고, CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대 가능한 것이어도 된다. 또한, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 레시피를 적절하게 전송시키도록 하여도 된다.The substrate processing apparatus 100 has a process controller 121 made of a microprocessor (computer), and each component of the substrate processing apparatus 100, for example, a rotary motor 3, valves, a driving mechanism of a cylinder, and the like is provided. The process controller 121 is connected to and controlled. In addition, the process controller 121 visualizes the operation status of each component of the substrate processing apparatus 100 or a keyboard for performing a command input operation or the like for managing each component of the substrate processing apparatus 100. The user interface 122 which consists of a display etc. to display is connected. The process controller 121 further includes a control program for realizing various processes executed in the substrate processing apparatus 100 under the control of the process controller 121, and each component of the liquid processing apparatus 100 in accordance with processing conditions. Is connected to a control program for executing a predetermined process, that is, a storage unit 123 in which a recipe is stored. The recipe is stored in the storage medium in the storage unit 123. The storage medium may be fixed, such as a hard disk, or may be portable such as a CDROM, a DVD, a flash memory, or the like. In addition, the recipe may be appropriately transmitted from another apparatus, for example, via a dedicated line.

그리고, 필요에 따라, 사용자 인터페이스(122)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(123)로부터 호출하여 프로세스 컨트롤러(121)로 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(121)의 제어하에서, 기판 처리 장치(100)에서의 원하는 처리가 행해진다.Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 123 by an instruction from the user interface 122 or the like and executed by the process controller 121, thereby controlling the substrate processing apparatus ( The desired processing in 100) is performed.

다음으로, 이상과 같이 구성되는 기판 처리 장치(100)의 동작에 대해서 도 5 내지 도 7에 기초하여 설명한다. 본 실시형태에서의 이하의 세정 처리 동작은, 기억부(123)에 저장된 레시피에 기초하여 프로세스 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.Next, operation | movement of the substrate processing apparatus 100 comprised as mentioned above is demonstrated based on FIG. The following washing processing operation in this embodiment is controlled by the process controller 121 based on the recipe stored in the storage unit 123.

우선, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 승강 부재(13)를 상승시킨 상태에서, 도시하지 않은 반송 아암으로부터 웨이퍼 지지대(24)의 지지핀(25) 상에 웨이퍼(W)를 전달한다. 계속해서, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 승강 부재(13)를, 웨이퍼(W)를 유지 부재(14)에 의해 유지 가능한 위치까지 하강시켜, 유지 부재(14)에 의해 웨이퍼(W)를 척 고정한다. 그리고, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 표면측 액공급 노즐(5)을 후퇴 위치로부터 웨이퍼 세정 위치로 이동시킨다.First, as shown in FIG. 5A, in a state where the elevating member 13 is raised, the wafer W is transferred onto the support pin 25 of the wafer support 24 from a conveyance arm (not shown). do. Subsequently, as shown in FIG. 5B, the elevating member 13 is lowered to a position where the wafer W can be held by the holding member 14, and the wafer (by the holding member 14) is used for the wafer ( Chuck W). Then, as shown in Fig. 5C, the surface side liquid supply nozzle 5 is moved from the retracted position to the wafer cleaning position.

이 상태로, 도 5의 (d)에 도시한 바와 같이, 회전 모터(3)에 의해 웨이퍼(W)를 유지 부재(2) 및 회전컵(4)과 함께 회전시키면서, 표면측 액공급 노즐(5) 및 이면측 액공급 노즐(6)로부터 처리액으로서 소정의 약액을 공급하여 웨이퍼(W)의 세정 처리를 행한다.In this state, as shown in Fig. 5 (d), the surface side liquid supply nozzle (while rotating the wafer W together with the holding member 2 and the rotating cup 4 by the rotating motor 3) 5) and a predetermined chemical liquid are supplied as the processing liquid from the back side liquid supply nozzle 6, and the wafer W is cleaned.

이 웨이퍼 세정 처리에 있어서는, 웨이퍼(W)가 회전된 상태에서, 표면측 액공급 노즐(5) 및 이면측 액공급 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)의 표면 및 이면의 중앙으로 약액이 공급된다. 이에 따라, 약액이 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측으로 확산되어, 그 과정에서 세정 처리가 이루어진다. 그리고, 이와 같이 세정 처리에 공급되는 약액은, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 떨어져 나간다. 떨어져 나간 약액은, 배액컵(51)에 도달하며, 기본적으로 배액관(61) 및 회수 배관(112)을 통해 약액 탱크(89)에 회수되어, 순환 사용된다.In this wafer cleaning process, the chemical liquid is supplied from the front-side liquid supply nozzle 5 and the back-side liquid supply nozzle 6 to the center of the front and rear surfaces of the wafer W in the state where the wafer W is rotated. . As a result, the chemical liquid diffuses out of the wafer W by centrifugal force, and a cleaning process is performed in the process. And the chemical | medical solution supplied to a washing | cleaning process in this way separates from the periphery of the wafer W. As shown in FIG. The chemical liquid which has fallen off reaches the drainage cup 51, and is basically recovered to the chemical liquid tank 89 through the drainage pipe 61 and the recovery pipe 112, and circulated.

이 약액 처리 시의 웨이퍼(W)의 회전수는, 200 rpm∼700 rpm의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 약액의 공급량은, 2.0 L/min∼4.0 L/min인 것이 바람직하다.It is preferable that the rotation speed of the wafer W at the time of this chemical | medical solution process is the range of 200 rpm-700 rpm. Moreover, it is preferable that the supply amount of a chemical liquid is 2.0 L / min-4.0 L / min.

이와 같은 약액 처리 후, 처리액을 린스액인 순수로 바꿔서, 약액 처리 시와 마찬가지로, 도 5의 (d)에 도시한 바와 같이 회전 모터(3)에 의해 웨이퍼(W)를 유지 부재(2) 및 회전컵(4)과 함께 회전시키면서, 표면측 액공급 노즐(5) 및 이면측 액공급 노즐(6)로부터 린스액인 순수를 공급하여 웨이퍼(W)의 린스 처리를 행한다. 이때, 전환 밸브(111)를 회수 배관(112)으로부터 드레인관(113)측으로 전환하여 배액컵(51)에서 받은 액을 폐기한다. 이 린스 처리 시의 웨이퍼의 회전수는, 300 rpm∼1500 rpm의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 순수의 공급량은, 2.0 L/min∼4.0 L/min인 것이 바람직하다.After such chemical liquid processing, the processing liquid is changed to pure water that is a rinse liquid, and the wafer W is held by the rotary motor 3 as shown in FIG. 5 (d) as in the chemical liquid processing. And pure water as a rinse liquid are supplied from the front-side liquid supply nozzle 5 and the back-side liquid supply nozzle 6 while rotating together with the rotary cup 4 to rinse the wafer W. As shown in FIG. At this time, the switching valve 111 is switched from the recovery pipe 112 to the drain pipe 113 side to discard the liquid received from the drain cup 51. It is preferable that the rotation speed of the wafer at the time of this rinse process is 300 rpm-1500 rpm. Moreover, it is preferable that the supply amount of pure water is 2.0 L / min-4.0 L / min.

웨이퍼(W)의 세정 처리나 린스 처리에 있어서는, 웨이퍼(W)의 외측을 둘러싸도록 설치되어 있는 컵이 웨이퍼(W)와 함께 회전하는 회전컵(4)이므로, 웨이퍼(W)로부터 떨어져 나간 약액이나 린스액이 회전컵(4)에 닿았을 때에 처리액에 원심력 이 작용하여, 고정컵의 경우와 같은 비산(미스트화)은 발생하기 어렵다. 그리고 회전컵(4)에 도달한 처리액은 아래쪽으로 유도되어, 간극(33)으로부터 배액컵(51)에 있어서의 액 수용부(56)의 주컵부(56a)로 배출된다. 한편, 회전 플레이트(11)의 유지 부재(14)의 부착 위치에는, 유지부(14a)를 삽입하는 구멍이 형성되어 있기 때문에, 그 부분으로부터 배액컵(51)의 부컵부(56b)에 처리액이 적하된다. 그리고, 이와 같이 하여 배액컵(51)에 받아진 약액이나 린스액은, 그 안을 선회하면서 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통하여 배출되지만, 회전컵(4)의 회전에 따라 외측 벽부(32)로부터 배액컵(51) 내에 형성되는 선회 기류가 형성되고, 배액컵(51) 내의 약액이나 린스액이 이 선회 기류에 수반됨으로써, 보다 고속의 선회류가 되어 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통하여 매우 단시간에 배출시킬 수 있다.In the cleaning process or the rinsing process of the wafer W, since the cup provided so as to surround the outside of the wafer W is the rotary cup 4 which rotates with the wafer W, the chemical liquid separated from the wafer W is removed. When the rinse liquid comes into contact with the rotary cup 4, the centrifugal force acts on the processing liquid, and scattering (mistification) as in the case of the fixed cup is unlikely to occur. The processing liquid reaching the rotary cup 4 is led downward and discharged from the gap 33 to the main cup portion 56a of the liquid container 56 in the drainage cup 51. On the other hand, since the hole into which the holding | maintenance part 14a is inserted is formed in the attachment position of the holding member 14 of the rotating plate 11, the process liquid from the part to the subcup part 56b of the drainage cup 51 from that part. This is dripping. In this way, the chemical liquid and the rinse liquid received in the drainage cup 51 are discharged from the drainage port 60 through the drainage tube 61 while turning the inside thereof. The swirling airflow formed in the drainage cup 51 is formed from 32, and the chemical | medical solution and the rinse liquid in the drainage cup 51 are accompanied by this turning airflow, and it becomes a faster rotational flow, and the drainage pipe ( 61) can be discharged in a very short time.

또, 배기컵(52)에는, 그 상측벽(67)과 회전컵(4)의 차양부(31) 사이의 환형을 이루는 도입구(68)로부터 회전컵(4) 내 및 그 주위의 주로 가스 성분이 받아들여져 배기구(70)로부터 배기관(71)을 통하여 배기된다.In addition, the exhaust cup 52 mainly contains gas in and around the rotary cup 4 from an inlet 68 forming an annular shape between the upper side wall 67 and the shade portion 31 of the rotary cup 4. The component is received and exhausted from the exhaust port 70 through the exhaust pipe 71.

이와 같이 하여 약액 처리 및 순수에 의한 린스 처리가 행해진 후, 다음 약액 처리가 다른 약액을 사용하여 동일한 웨이퍼에 대하여 행해지거나, 혹은 동일한 약액을 사용하여 다음 웨이퍼에 대하여 행해진다. 그러나, 린스 처리 시의 순수는 완전히 배출할 수 없어, 다음 약액 처리의 개시 시점에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 배액컵(51)에 잔류 순수(130)가 존재한다.In this way, after the chemical liquid treatment and the rinse treatment with pure water are performed, the next chemical liquid treatment is performed on the same wafer using different chemical liquids, or on the next wafer using the same chemical liquid. However, the pure water at the time of the rinse treatment cannot be discharged completely, and as shown in FIG. 6, the residual pure water 130 is present in the drainage cup 51 at the start of the next chemical liquid treatment.

이와 같이 잔류 순수(130)가 존재하는 상태에서 다음 약액 처리를 행하면 배액컵(51)에 도달한 약액에 잔류 순수(130)가 혼합되어, 약액 농도가 저하되어 버린 다. 이때문에, 최초의 약액은 잔류 순수(130)를 씻어 버리는, 소위 「공세정(共洗淨)」에 이용된다. 즉, 우선 전환 밸브(111)를 드레인관(113)측에 접속하여[폐기 라인(113)이 유효이고 회수 라인(112)이 무효인 상태로서] 배액컵(51)의 약액을 폐기한다. 그리고, 잔류 순수가 소실되고 나서 전환 밸브(111)를 회수 라인(112)측으로 전환하여[폐기 라인(113)이 무효 또한 회수 라인(112)이 유효인 상태로서] 약액의 회수를 개시한다.When the next chemical liquid treatment is performed in the state where the residual pure water 130 is present as described above, the residual pure water 130 is mixed with the chemical liquid reaching the drain cup 51, and the chemical liquid concentration is lowered. For this reason, the first chemical liquid is used for so-called "air washing" in which the residual pure water 130 is washed off. That is, first, the switching valve 111 is connected to the drain pipe 113 side (in the state where the waste line 113 is valid and the recovery line 112 is invalid), and the chemical liquid of the drainage cup 51 is discarded. Then, after the residual pure water is lost, the switching valve 111 is switched to the recovery line 112 side (as the waste line 113 is invalid and the recovery line 112 is valid) to start the recovery of the chemical liquid.

그러나, 린스 처리 시는 회전수가 전술한 바와 같이 300 rpm∼1500 rpm으로 비교적 높고, 비산한 순수가 배액컵(51)의 외주벽(53) 내측의 상부까지 도달하는데 비하여, 약액 처리 시에는 린스 처리 시보다도 회전수가 낮으며, 구체적으로는 200 rpm∼700 rpm이기 때문에, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 약액이 배액컵(51)의 외주벽(53)의 내측 상부까지 도달하기 어렵다. 이때문에, 약액에 의한 공세정 시간을 길게 하지 않을 수 없고, 회수되지 않고 폐기되는 약액의 양이 많아져 약액의 회수율이 저하되어 버린다.However, at the time of the rinse treatment, the rotation speed is relatively high at 300 rpm to 1500 rpm as described above, whereas the scattered pure water reaches the upper portion inside the outer circumferential wall 53 of the drain cup 51, whereas the rinse treatment is performed at the time of chemical liquid treatment. Since the rotation speed is lower than that of time, specifically 200 rpm to 700 rpm, as shown in FIG. 7A, it is difficult for the chemical liquid to reach the inner upper portion of the outer circumferential wall 53 of the drain cup 51. . For this reason, it is necessary to lengthen the empty cleaning time by the chemical liquid, and the quantity of the chemical liquid which is discarded without collection increases, and the recovery rate of the chemical liquid is reduced.

그래서, 본 실시형태에서는, 린스 처리 후의 약액 처리에 있어서, 최초에 린스 처리 시와 동일한 회전수 또는 그 이상의 회전수로 회전 모터(3)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)에 약액을 공급하여 배액컵(51)을 공세정한다. 이에 따라, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 약액이 배액컵의 잔류 순수(130)의 위치까지 조속히 도달하여, 단시간으로 잔류 순수(130)를 씻어 버릴 수 있기 때문에, 약액에 의한 공세정 시간을 단축시킬 수 있다.Therefore, in the present embodiment, in the chemical liquid treatment after the rinse treatment, the wafer W is rotated by the rotary motor 3 at the same rotation speed or higher than that at the time of the rinse treatment. The chemical liquid is supplied and the drain cup 51 is rinsed. As a result, as shown in FIG. 7B, the chemical liquid quickly reaches the position of the residual pure water 130 of the drainage cup, and the residual pure water 130 can be washed in a short time. The time can be shortened.

그 후, 웨이퍼(W)의 회전수를 전술한 200 rpm∼700 rpm의 통상의 약액 처리 의 회전수로 떨어뜨리고, 전환 밸브(111)를 회수 라인(112)측으로 전환하여 약액의 회수를 개시하여, 약액 처리를 계속한다.Thereafter, the rotation speed of the wafer W is dropped to the rotation speed of the conventional chemical liquid processing of 200 rpm to 700 rpm described above, the switching valve 111 is switched to the recovery line 112 side to start the recovery of the chemical liquid. Continue the chemical processing.

이와 같이, 공세정 시에 린스 처리 시와 동일하거나 또는 그 이상의 회전수로 회전시킴으로써, 공세정 시간을 단축시킬 수 있기 때문에, 폐기하는 약액의 양이 감소하여, 세정 처리에서의 약액의 회수율을 상승시킬 수 있다.In this manner, by rotating at the same or more rotational speed as during the rinse treatment, the washing time can be shortened. Thus, the amount of the chemical liquid to be discarded decreases, thereby increasing the recovery rate of the chemical liquid in the washing treatment. You can.

다음으로, 본 발명의 다른 실시형태에 대해서 설명한다.Next, another embodiment of the present invention will be described.

도 8은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 배액컵을 도시하는 단면도이다. 상기 실시형태에서는, 회전컵(4)을 가지는 장치에 본 발명을 적용하는 예에 대해서 나타냈지만, 본 실시형태에서는, 회전컵을 이용하지 않는 예에 대해서 설명한다.8 is a cross-sectional view showing a drainage cup of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the said embodiment, although the example which applies this invention to the apparatus which has the rotating cup 4 was shown, the example which does not use a rotating cup is demonstrated in this embodiment.

본 실시형태의 기판 처리 장치는, 회전컵을 설치하고 있지 않은 것 이외에는, 기본적으로 종전의 실시형태의 기판 처리 장치와 동일하게 구성되어 있다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 회전컵이 존재하고 있지 않기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 비산한 액체가 직접 배액컵(51)에 도달한다. 그리고, 종전의 실시형태와 마찬가지로 약액 처리를 행하고, 계속해서 린스 처리를 행한 후는, 도 8에 도시한 바와 같이 배액컵(51)의 외주벽(53)의 내측 등에 잔류 순수(130)가 존재한다.The substrate processing apparatus of this embodiment is basically configured similarly to the substrate processing apparatus of the previous embodiment, except that the rotary cup is not provided. In such a substrate processing apparatus, since there is no rotary cup, the liquid scattered from the wafer W reaches the drain cup 51 directly. After the chemical liquid treatment is performed and the rinse treatment is performed in the same manner as in the previous embodiment, the residual pure water 130 is present inside the outer circumferential wall 53 of the drain cup 51 as shown in FIG. 8. do.

이와 같이 회전컵이 존재하지 않는 경우라도, 린스 처리 후에 다음 약액 처리가 행해질 때에, 최초에 린스 시의 회전수와 동일하거나 또는 그 이상의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 도 9에 도시한 바와 같이, 린스 처리 시에 존재하는 최상부의 잔류 순수(130)에 조속히 도달할 수 있으며, 약액의 공세정 시간을 단 시간으로 할 수 있다.Even when the rotary cup does not exist in this manner, when the next chemical liquid treatment is performed after the rinse treatment, the wafer W is first rotated at a rotation speed equal to or higher than the rotation speed at the time of rinsing. As described above, the uppermost residual pure water 130 present at the time of the rinsing process can be reached quickly, and the time for the rinse of the chemical liquid can be shortened.

그러나, 종전의 실시형태의 경우에는, 회전컵(4)의 회전에 의해 배액컵(51) 내에 선회류를 생기게 하여, 그 선회류에 의해 배액컵(51) 내의 액을 신속하게 배출할 수 있는 것에 비해, 본 실시형태의 경우에는, 이러한 회전컵의 선회류가 존재하지 않기 때문에, 종전의 실시형태보다도 공세정의 약액의 배출 시간이 종전의 실시형태보다도 길어져 버린다. 즉, 본 실시형태에서는 약액 처리의 최초의 단계에서 린스액과 동등 또는 그 이상의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것에 의한 공세정의 단시간화라고 하는 효과는 얻어지지만, 회전컵을 가지는 종전의 실시형태에서는, 이와 같은 공세정의 단시간화라고 하는 효과에 더하여, 공세정 약액의 배출의 신속화라고 하는 효과도 얻어지기 때문에, 종전의 실시형태 쪽이 약액 회수율을 높게 할 수 있다.However, in the case of the previous embodiment, the rotational flow in the drainage cup 51 is generated by the rotation of the rotary cup 4, and the liquid in the drainage cup 51 can be discharged quickly by the rotational flow. In contrast, in the case of the present embodiment, since the swirl flow of such a rotary cup does not exist, the discharge time of the co-cleaning chemical liquid is longer than the previous embodiment than the previous embodiment. That is, in this embodiment, although the effect of shortening of the air washing time by the rotation of the wafer W by the rotation speed equivalent to or more than the rinse liquid at the first stage of chemical | medical solution process is acquired, the conventional implementation which has a rotating cup is carried out. In the aspect, in addition to the effect of shortening the time of the co-cleaning, the effect of speeding up the discharge of the co-cleaning chemical is also obtained, so that the previous embodiment can increase the chemical liquid recovery rate.

도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(액처리 장치)의 배액 계통을 급액 계통의 탱크와 함께 도시하는 도면이다.It is a figure which shows the drainage system of the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus) which concerns on other embodiment of this invention with the tank of a liquid supply system.

도 1에 도시하는 액처리 장치(100)에서는, 이해를 용이하게 하기 위해, 1개의 약액에 대해서만 도시하고 있다. 그러나, 액처리 장치는 각 웨이퍼(W)에 대하여, 알칼리 약액과 산 약액을 연속 공정에서 사용하여 세정 처리를 행하도록 구성되는 경우가 있다. 도 10은 그와 같은 액처리 장치의 배액 계통을 도시한다.In the liquid processing apparatus 100 shown in FIG. 1, only one chemical liquid is shown for ease of understanding. However, the liquid processing apparatus may be configured to perform a cleaning process on each wafer W using an alkaline chemical liquid and an acid chemical liquid in a continuous step. 10 shows a drainage system of such a liquid treatment apparatus.

구체적으로는, 배액관(61)에는 배액 전환부(111X)가 접속되어 있으며, 배액 전환부(111X)에 산 배액을 폐기하기 위한 산 폐기 라인(113a), 알칼리 배액을 폐기하기 위한 알칼리 폐기 라인(113b), 산 약액을 회수하기 위한 산 회수 라인(112a), 알칼리 약액을 회수하기 위한 알칼리 회수 라인(112b)이 접속된다. 산 회수 라인(112a), 알칼리 회수 라인(112b)은 급액 계통의 산 약액[예컨대, 희석된 플루오르화수소산(DHF)]의 탱크(89a) 및 알칼리 약액[예컨대, 암모니아과수(SC1)]의 탱크(89b)에 각각 접속된다. 산 폐기 라인(113a), 알칼리 폐기 라인(113b), 산 회수 라인(112a), 알칼리 회수 라인(112b)에는 각각 밸브(114)가 설치되어 있다.Specifically, a drainage switch 111X is connected to the drainage pipe 61, an acid waste line 113a for discarding the acid drainage liquid and a alkali waste line for discarding the alkaline drainage liquid ( 113b), an acid recovery line 112a for recovering the acid chemical liquid and an alkali recovery line 112b for recovering the alkaline chemical liquid are connected. Acid recovery line 112a, alkali recovery line 112b is a tank 89a of acid chemical liquid (eg, diluted hydrofluoric acid (DHF)) of a feed system and a tank of alkaline chemical liquid (eg, ammonia fruit water (SC1)). Respectively connected to 89b. The valve 114 is provided in the acid waste line 113a, the alkali waste line 113b, the acid recovery line 112a, and the alkali recovery line 112b, respectively.

이 구성에 따르면, 각 웨이퍼(W)에 대하여 이하와 같은 시퀀스로 처리 공정을 행함으로써, 처리액의 종류에 따라 분별 가능해진다. 이에 따라, 각 웨이퍼(W)에 대하여 복수의 약액을 사용하는 경우에도, 앞의 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 기판의 회전에 대해서는 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 시퀀스와 실질적으로 같기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 희석된 플루오르화수소산(DHF) 세정과 암모니아과수(SC1) 세정 순서는 이하의 설명과 반대여도 된다.According to this structure, it can classify according to the kind of process liquid by performing a process process with respect to each wafer W in the following sequence. Accordingly, even when a plurality of chemical liquids are used for each wafer W, the same effects as in the previous embodiment can be obtained. In addition, in the following description, since rotation of a board | substrate is substantially the same as the sequence demonstrated with reference to FIGS. 5-7, description is abbreviate | omitted. In addition, the dilute hydrofluoric acid (DHF) washing | cleaning and the ammonia and water (SC1) washing | cleaning procedure may be reverse from the following description.

즉, 희석된 플루오르화수소산(DHF) 세정 시에는 배액 전환부(111X)를 산 회수 라인(112a)으로 전환하여 희석된 플루오르화수소산(DHF) 배액을 회수한다. 희석된 플루오르화수소산(DHF) 세정 후의 린스 처리 시에는 배액 전환부(111X)를 산 폐기 라인(113a)으로 전환하여 희석된 플루오르화수소산(DHF)에 린스액이 혼합된 배액을 폐기한다.That is, during dilute hydrofluoric acid (DHF) cleaning, the dilute hydrofluoric acid (DHF) drainage is recovered by switching the drainage converting portion 111X to the acid recovery line 112a. In the rinsing treatment after washing with diluted hydrofluoric acid (DHF), the drainage converting unit 111X is switched to the acid waste line 113a to discard the drained liquid mixed with the dilute hydrofluoric acid (DHF).

이 린스 처리 후의 암모니아과수(SC1) 세정 시에는 전술한 공세정 처리로서, 우선 배액 전환부(111X)를 알칼리 폐기 라인(113b)으로 전환하여 암모니아과수(SC1)에 린스액이 혼합된 배액을 폐기한다. 계속해서, 배액 전환부(111X)를 알칼 리 회수 라인(112b)으로 전환하여 암모니아과수(SC1) 배액을 회수한다. 암모니아과수(SC1) 세정 후의 린스 처리 시에는 배액 전환부(111X)를 알칼리 폐기 라인(113b)으로 전환하여 암모니아과수(SC1)에 린스액이 혼합된 배액을 폐기한다.At the time of washing the ammonia fruit water (SC1) after the rinsing treatment, as the above-described air washing process, first, the drain liquid switching unit (111X) is switched to the alkaline waste line (113b), and the waste liquid mixed with the rinse liquid in the ammonia fruit water (SC1) is discarded. do. Subsequently, the drain switching unit 111X is switched to the alkali recovery line 112b to recover the ammonia fruit water (SC1) drain. At the time of the rinsing treatment after washing the ammonia fruit water (SC1), the drain liquid switching unit 111X is switched to the alkaline waste line 113b to discard the waste liquid mixed with the rinse liquid in the ammonia fruit water SC1.

또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 여러 가지로 변형 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼의 표리면 세정을 행하는 세정 처리 장치를 예로 들어 나타냈지만, 본 발명은 이에 한하지 않고, 표면만 또는 이면만의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치여도 되고, 또한, 세정 처리에 한하지 않고, 다른 액처리여도 상관없다. 또한, 상기 실시형태에서는 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우에 대해서 나타냈지만, 액정 표시 장치(LCD)용의 유리 기판으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)용의 기판 등, 다른 기판에 적용 가능한 것은 물론이다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the said embodiment, although the washing | cleaning processing apparatus which washes the front and back surfaces of a wafer was shown as the example, this invention is not limited to this, The cleaning processing apparatus which performs the cleaning process only for the surface or only the back surface may be sufficient, and also it washes It is not limited to a process and may be another liquid process. In addition, although the said embodiment showed about the case where a semiconductor wafer was used as a to-be-processed substrate, what is applicable to another board | substrate, such as the board | substrate for flat panel displays (FPD) represented by the glass substrate for liquid crystal display devices (LCD), Of course.

본 발명은 반도체 웨이퍼에 부착된 파티클이나 오염물을 제거하기 위한 세정 장치에 유효하다.The present invention is effective for a cleaning device for removing particles or contaminants adhering to a semiconductor wafer.

도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.

도 2는 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 처리 장치를 일부 잘라내어 도시하는 개략 평면도.FIG. 2 is a schematic plan view showing a portion of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 배기·배액부를 확대하여 도시하는 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view of the exhaust / drainage portion of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 회전컵 및 안내 부재의 부착 상태를 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining the attachment state of the rotary cup and the guide member of the substrate processing apparatus of FIG.

도 5는 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 처리의 동작을 설명하기 위한 도면.5 is a view for explaining the operation of the cleaning process of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 6은 배액컵에 있어서의 린스 처리 후의 잔류 순수의 상태를 도시하는 단면도.6 is a cross-sectional view showing a state of residual pure water after a rinsing treatment in a drainage cup.

도 7은 린스 처리 후의 약액에 의한 공세정 시에 린스 처리 시보다도 웨이퍼의 회전수를 낮게 한 경우 및 본 실시형태에 따른 린스 처리 시의 웨이퍼의 회전수와 동등 또는 그 이상으로 한 경우의 배액컵의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도.Fig. 7 is a drainage cup in the case where the rotational speed of the wafer is lowered than in the rinsing processing during the rinsing with the chemical liquid after the rinsing treatment, and in the case where the rotational speed of the wafer during the rinsing treatment according to the present embodiment is equal to or more than that. Sectional drawing which shows the state of the figure typically.

도 8은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 배액컵을 도시하는 단면도.8 is a cross-sectional view showing a drainage cup of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 9는 도 8의 상태로부터 본 발명의 실시형태에 따른 웨이퍼의 회전수를 린스 처리 시의 회전수와 동등 또는 그 이상으로 한 경우의 배액컵의 상태를 모식적 으로 도시하는 단면도.FIG. 9 is a sectional view schematically showing a state of the drainage cup when the rotation speed of the wafer according to the embodiment of the present invention is equal to or higher than the rotation speed at the time of the rinse processing from the state of FIG. 8. FIG.

도 10은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판 처리 장치(액처리 장치)의 배액 계통을 급액 계통의 탱크와 함께 도시하는 도면.It is a figure which shows the drainage system of the substrate processing apparatus (liquid processing apparatus) which concerns on other embodiment of this invention with the tank of a liquid supply system.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 베이스 플레이트 2: 웨이퍼 유지부(=유지 부재)1: Base plate 2: Wafer holding part (= holding member)

3: 회전 모터 4: 회전컵3: rotary motor 4: rotary cup

5: 표면측 액공급 노즐 6: 이면측 액공급 노즐5: Front side liquid supply nozzle 6: Back side liquid supply nozzle

7: 배기·배액부 8: 케이싱7: Exhaust and drainage part 8: casing

9: 기류 도입부 11: 회전 플레이트9: air flow inlet 11: rotating plate

12: 회전축 13: 승강 부재12: axis of rotation 13: lifting member

14: 유지 부재 22: 노즐 유지 부재14: holding member 22: nozzle holding member

22a: 노즐 아암 31: 차양부22a: nozzle arm 31: shading

32: 외측 벽부 33: 간극32: outer wall 33: gap

35: 안내 부재 51: 배액컵35: guide member 51: drainage cup

52: 배기컵 53: 외주벽52: exhaust cup 53: outer peripheral wall

54: 내측벽 56: 액 수용부54: inner wall 56: liquid container

61: 배액관 84a: 약액 공급 배관61: drain pipe 84a: chemical liquid supply pipe

89: 약액 탱크 100: 기판 처리 장치(=액 처리 장치)89: chemical liquid tank 100: substrate processing apparatus (= liquid processing apparatus)

111: 전환 밸브 112: 회수 배관(=회수 라인) 111: switching valve 112: recovery piping (= recovery line)

121: 프로세스 컨트롤러 122: 사용자 인터페이스121: process controller 122: user interface

123: 기억부 130: 잔류 순수123: storage unit 130: residual pure water

W: 웨이퍼W: Wafer

Claims (18)

기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와,A substrate holding part which holds the substrate horizontally and is rotatable with the substrate, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,A rotation mechanism for rotating the substrate holding portion; 약액을 저류하는 약액 탱크를 가지고, 이 약액 탱크로부터 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 기구와,A chemical liquid supply mechanism having a chemical liquid tank for storing the chemical liquid, and supplying the chemical liquid from the chemical liquid tank to the substrate; 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와,A rinse liquid supply mechanism for supplying a rinse liquid to the substrate; 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되어, 회전하는 기판으로부터 비산하는 약액 또는 린스액을 받는 환(環)형의 배액컵과,An annular drainage cup provided to surround the outside of the substrate held in the substrate holding portion and receiving a chemical liquid or a rinse liquid scattered from the rotating substrate; 상기 배액컵에 접속되어, 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하는 폐기 라인과,A waste line connected to the drain cup, for discarding the liquid received from the drain cup; 상기 배액컵에 접속되어, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 약액 탱크에 회수하는 회수 라인과,A recovery line connected to the drainage cup and recovering the liquid received from the drainage cup to the chemical tank; 상기 회수 라인에 의한 액의 회수 및 상기 폐기 라인에 의한 액의 폐기를 전환하는 전환 수단과,Switching means for switching the recovery of the liquid by the recovery line and the disposal of the liquid by the waste line; 상기 약액 공급 기구에 의한 상기 약액의 공급, 상기 린스액 공급 기구에 의한 상기 린스액의 공급, 상기 회전 기구에 의한 기판의 회전, 상기 전환 수단에 의한 약액의 폐기 및 회수의 전환을 제어하는 제어부를 구비하고,A control unit for controlling the switching of the supply of the chemical liquid by the chemical liquid supply mechanism, the supply of the rinse liquid by the rinse liquid supply mechanism, the rotation of the substrate by the rotating mechanism, the disposal and recovery of the chemical liquid by the switching means. Equipped, 상기 제어부는 상기 린스액에 의한 린스 처리를 기판에 대하여 행한 후에 상기 약액에 의한 약액 처리를 기판에 대하여 행할 때에,When the control unit performs the rinse treatment with the rinse liquid on the substrate and then performs the chemical liquid treatment with the chemical liquid on the substrate, 최초에 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서 배액컵을 약액에 의해 세정한 때에 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 폐기 라인에 의해 폐기하며,Initially, the waste line is valid and the recovery line is in an invalid state. The chemical liquid is supplied onto the substrate while the substrate is rotated at a rotation speed equal to or greater than the rinse speed, and the drainage cup is cleaned with the chemical liquid. The liquid received from the drainage cup is discarded by the waste line when the drainage cup is cleaned with the chemical liquid while the line is valid and the recovery line is invalid. 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기한 후, 상기 폐기 라인이 무효이고 상기 회수 라인이 유효인 상태로 전환하며, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 상기 폐기 라인이 무효이고 상기 회수 라인이 유효인 상태로 전환하여 기판의 약액 처리를 행한 때에 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 회수 라인에 의해 회수하도록 미리 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.After discarding the liquid received from the drainage cup, the waste line is invalid and the recovery line is converted into a valid state, and the chemical liquid is processed on the substrate by supplying the chemical liquid onto the substrate while rotating the substrate at a rotational speed for chemical processing. Wherein the waste line is invalid and the recovery line is in a valid state, wherein the liquid received from the drainage cup is recovered by the recovery line when the chemical liquid processing of the substrate is performed. . 제1항에 있어서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸도록 상기 배액컵의 내측에 설치되어, 상기 기판 유지부 및 기판과 함께 회전하고, 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 떨어져 나간 액을 받아 상기 배액컵으로 유도하며, 회전할 때에 상기 배액컵에 액의 선회류를 형성하는 회전컵을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1, It is provided inside the drainage cup so as to surround the substrate held in the substrate holding portion, and rotates with the substrate holding portion and the substrate, when receiving the liquid that is separated from the substrate when rotating the substrate And a rotating cup which guides to the draining cup and forms a swirl flow of the liquid in the draining cup when it rotates. 제2항에 있어서, 상기 회전컵에, 상기 배액컵 내에 삽입되고 상기 회전컵과 함께 회전하여 상기 선회류의 형성을 어시스트하는 부재가 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. A substrate processing apparatus according to claim 2, wherein a member inserted into the drainage cup and rotating together with the rotation cup to assist in the formation of the swirl flow is connected. 제3항에 있어서, 상기 선회류의 형성을 어시스트하는 부재는 상기 회전컵의 통 형상의 외측 벽부의 하측 부분인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The substrate processing apparatus of claim 3, wherein the member for assisting the formation of the swirl flow is a lower portion of the cylindrical outer wall of the rotary cup. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는 제1 기판을 제1 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과,The process according to any one of claims 1 to 4, wherein the controller performs a rinsing process by supplying the rinse liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at a first rotational speed; 상기 제1 기판 또는 새로운 제2 기판인 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 이상의 제2 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판에 상기 약액을 공급하여 예비 처리를 행하고, 이때, 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 폐기 라인으로 보내는 공정과,Pretreatment is performed by supplying the chemical liquid to the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed, which is the first substrate or the new second substrate, at a second rotation speed equal to or greater than the first rotation speed, wherein the waste line is effective. Sending the liquid received from the drainage cup to the waste line as the recovery line is in an invalid state; 상기 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판 상에 상기 약액을 공급하여 약액 처리를 행하고, 이때, 상기 폐기 라인이 무효이고 상기 회수 라인이 유효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 회수 라인으로 보내는 공정을 실행하도록 미리 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The chemical liquid is supplied by supplying the chemical liquid onto the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed at a third rotational speed lower than the first rotational speed, wherein the waste line is invalid and the recovery line is valid. A substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is pre-set to execute a step of sending the liquid received from the drainage cup to the recovery line. 제5항에 있어서, 상기 피처리 기판은 상기 제2 기판이고, 상기 제어부는 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 약액 처리를 행하는 공정을 실행하도록 미리 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The chemical solution of claim 5, wherein the substrate to be processed is the second substrate, and the controller supplies the chemical liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at the third rotational speed before the rinsing treatment. A substrate processing apparatus, which is set in advance to execute a step of performing a process. 제5항에 있어서, 상기 피처리 기판은 상기 제1 기판이고, 상기 제어부는 상 기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액과 다른 약액을 공급하여 다른 약액 처리를 행하는 공정을 실행하도록 미리 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The chemical liquid of claim 5, wherein the substrate to be processed is the first substrate, and the controller is configured to rotate the first substrate at a rotational speed less than the first rotational speed before the rinsing treatment. A substrate processing apparatus characterized by being set in advance so as to perform a process of supplying a chemical liquid different from that of another chemical liquid treatment. 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 린스 처리 시, 상기 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 폐기 라인으로 보내도록 미리 설정되는 것인 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 5, wherein the control unit is set in advance to send the liquid received from the drainage cup to the waste line, when the waste line is in a valid state and the recovery line is ineffective. . 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 린스 처리 시, 상기 폐기 라인과 다른 별도의 폐기 라인이 유효이고 상기 회수 라인이 무효인 상태로서, 상기 배액컵에서 받은 액을 상기 별도의 폐기 라인으로 보내도록 미리 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The waste line of claim 5, wherein the control unit is configured to send the liquid received from the drainage cup to the separate waste line in a state where a separate waste line different from the waste line is valid and the recovery line is invalid during the rinsing process. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폐기 라인과 상기 회수 라인은 공통의 배출관을 통하여 상기 배액컵에 접속되고, 상기 전환 수단은 상기 폐기 라인과 상기 회수 라인이 분기하는 위치에서 상기 배출관에 배치되며 상기 제어부에서 제어되는 전환 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The waste line according to any one of claims 1 to 4, wherein the waste line and the recovery line are connected to the drain cup through a common discharge pipe, and the switching means is located at a position where the waste line and the recovery line branch. And a switching valve disposed in the discharge pipe and controlled by the control unit. 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되어, 회전하는 기판으로부터 비산하는 액을 받는 환형의 배액컵의 내측에서, 약액 및 린스액을 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,Substrate treatment, which is provided to surround the outside of the substrate held in the rotatable substrate holding portion together with the substrate, and supplies the chemical liquid and the rinse liquid to perform the substrate treatment inside the annular drainage cup which receives the liquid scattered from the rotating substrate. As a method, 약액 처리 후의 기판에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과,Supplying the rinse liquid to the substrate after the chemical liquid treatment to perform a rinse treatment; 기판에 약액을 공급하여 기판에 대하여 약액 처리를 행하는 공정을 포함하고,Supplying a chemical liquid to the substrate, and performing a chemical liquid treatment on the substrate, 상기 린스액에 의한 린스 처리를 기판에 대하여 행한 후에 상기 약액에 의한 약액 처리를 기판에 대하여 행할 때에,When the rinse treatment with the rinse liquid is performed on the substrate and the chemical liquid treatment with the chemical liquid is performed on the substrate, 최초에 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하고,While initially supplying the chemical liquid onto the substrate while rotating the substrate at a rotation speed equal to or greater than the rinse speed, the liquid drainage cup is cleaned with the chemical liquid, and the liquid received from the liquid drain cup is discarded at that time. 그 후, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Thereafter, the chemical liquid is supplied onto the substrate while the substrate is rotated at the rotation speed of the chemical liquid processing to perform the chemical liquid treatment of the substrate, and at that time, the liquid received from the drainage cup is recovered. 제11항에 있어서, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸도록 상기 배액컵의 내측에 설치되어, 상기 기판 유지부 및 기판과 함께 회전하고, 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 떨어져 나간 액을 받아 상기 배액컵으로 유도하는 회전컵의 회전에 따른 선회류에 의해, 약액의 배출을 촉진하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The liquid crystal display of claim 11, wherein the liquid is disposed inside the drain cup to surround the substrate held by the substrate holding portion, rotates together with the substrate holding portion and the substrate, and receives the liquid that has fallen off the substrate when the substrate is rotated. A substrate processing method characterized by promoting the discharge of the chemical liquid by the swirl flow in accordance with the rotation of the rotary cup leading to the drainage cup. 제12항에 있어서, 상기 회전컵에, 상기 배액컵 내에 삽입되고 상기 회전컵과 함께 회전하여 상기 선회류의 형성을 어시스트하는 부재가 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 12, wherein a member inserted into the drainage cup and rotating together with the rotation cup to assist in the formation of the swirl flow is connected. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 기판을 제1 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과,The process according to any one of claims 11 to 13, wherein the rinse treatment is performed by supplying the rinse liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at a first rotational speed; 상기 제1 기판 또는 새로운 제2 기판인 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 이상의 제2 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판에 상기 약액을 공급하여 예비 처리를 행하고, 이때, 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하는 공정과,The chemical liquid is supplied to the substrate to be processed while the substrate to be processed, which is the first substrate or the new second substrate, is rotated at a second rotation speed equal to or greater than the first rotation speed. To dispose of, 상기 피처리 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 피처리 기판 상에 상기 약액을 공급하여 약액 처리를 행하고, 이때, 상기 배액 컵에서 받은 액을 회수하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Performing a chemical liquid treatment by supplying the chemical liquid onto the substrate to be processed while rotating the substrate to be processed at a third rotational speed less than the first rotational speed, and recovering the liquid received from the drainage cup. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제14항에 있어서, 상기 피처리 기판은 상기 제2 기판이고, 상기 방법은 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제3 회전 속도로 회전시키면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 약액 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method according to claim 14, wherein the substrate to be processed is the second substrate, and the method supplies the chemical liquid onto the first substrate while rotating the first substrate at the third rotational speed before the rinsing treatment. A substrate processing method comprising the step of performing a process. 제14항에 있어서, 상기 피처리 기판은 상기 제1 기판이고, 상기 방법은 상기 린스 처리 전에 상기 제1 기판을 상기 제1 회전 속도 미만의 회전 속도로 회전시키 면서 상기 제1 기판 상에 상기 약액과 다른 약액을 공급하여 다른 약액 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The chemical liquid of claim 14, wherein the substrate to be processed is the first substrate, and the method rotates the first substrate at a rotational speed less than the first rotational speed before the rinsing treatment. And a step of supplying a different chemical liquid and performing another chemical liquid treatment. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 린스 처리 시, 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to any one of claims 11 to 13, further comprising the step of discarding the liquid received from the drainage cup during the rinsing process. 컴퓨터 상에서 동작하고, 기판 처리 장치를 제어하기 위한 프로그램이 기억된 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체로서,A computer-readable storage medium operating on a computer and storing a program for controlling the substrate processing apparatus, 상기 프로그램은 실행 시에 상기 기판 처리 장치를 제어하여 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되어, 회전하는 기판으로부터 비산하는 액을 받는 환형의 배액컵의 내측에서, 약액 및 린스액을 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법을 실행시키고, 상기 방법은,The program is installed to surround the outside of the substrate held in the rotatable substrate holding portion together with the substrate by controlling the substrate processing apparatus at the time of execution, and inside the annular drainage cup receiving the liquid splashing from the rotating substrate, A substrate processing method of supplying a chemical liquid and a rinse liquid to perform a substrate treatment is performed. 기판에 상기 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 공정과,Supplying the rinse liquid to a substrate to perform a rinse treatment; 기판에 상기 약액을 공급하여 기판에 대하여 약액 처리를 행하는 공정을 포함하고,Supplying the chemical liquid to the substrate and performing a chemical liquid treatment on the substrate, 상기 린스액에 의한 린스 처리 후에 상기 약액에 의한 약액 처리를 행할 때에,When performing the chemical | medical solution process with the said chemical liquid after the rinse process with the said rinse liquid, 최초에 린스 처리용 회전수 이상의 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 상기 배액컵을 약액에 의해 세정하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 폐기하고,While initially supplying the chemical liquid onto the substrate while rotating the substrate at a rotation speed equal to or greater than the rinse speed, the liquid drainage cup is cleaned with the chemical liquid, and the liquid received from the liquid drain cup is discarded at that time. 그 후, 약액 처리용 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 상기 약액을 공급하여 기판의 약액 처리를 행하고, 그때에 상기 배액컵에서 받은 액을 회수하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.Thereafter, the chemical liquid is supplied onto the substrate while the substrate is rotated at the rotation speed of the chemical liquid processing to perform the chemical liquid processing of the substrate, and at that time, the liquid received from the drainage cup is recovered.
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