JP2004063982A - Cleaning apparatus and cleaning method - Google Patents

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JP2004063982A
JP2004063982A JP2002223161A JP2002223161A JP2004063982A JP 2004063982 A JP2004063982 A JP 2004063982A JP 2002223161 A JP2002223161 A JP 2002223161A JP 2002223161 A JP2002223161 A JP 2002223161A JP 2004063982 A JP2004063982 A JP 2004063982A
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JP
Japan
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water
purity
rinsing
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rinse
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JP2002223161A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsumi Nishijima
西島　辰巳
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the amount of a pure water used, by efficiently recovering rinsing water. <P>SOLUTION: A purity meter 24 monitors the purity of rinsing water 22 drained from a rinsing vessel 21. When the purity of the rinsing water 22 is not higher than a predetermined value, a controlling unit 25 so switches a switching valve 26 into a waste-liquid side that it brings the rinsing water drained from the rinsing vessel 21 into a waste liquid. When the purity of the rinsing water 22 exceeds the predetermined value, the control unit 25 switches the switching valve 26 into a recovery side so as to recover the rinsing water drained from the rinsing vessel 21. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は洗浄装置および洗浄方法に関し、特に、薬液処理後のリンス工程に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の薬液処理後のリンス工程では、純水使用量を節約するため、ウェハをリンス槽に投入してから一定時間だけリンス水を廃液し、その後、リンス水を回収する方法があった。
図３は、従来の洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
【０００３】
図３において、洗浄装置には、ウェハＷの薬液処理を行う薬液槽５１、ウェハＷのリンス処理を行うリンス槽６１およびウェハＷの乾燥処理を行う乾燥槽７１が設けられている。
ここで、薬液槽５１は、薬液５２で満たされるとともに、薬液槽５１には、オーバーフローした薬液５２を受ける外槽５３、薬液５２を循環させるポンプ５４、薬液５２の温度制御を行うヒータ５５および薬液５２からパーティクル等を除去するフィルタ５６が設けられている。
【０００４】
また、リンス槽６１は、ウェハＷから薬液５２が洗い落されたリンス水６２で満たされるとともに、リンス槽６１には、純水が導入され、さらに、リンス槽６１からオーバーフローするリンス水６２を受ける排水槽６３およびリンス水の廃液および回収を切り替える切替バルブ６４が設けられている。
また、乾燥槽７１は、内部がＩＰＡ蒸気７５で満たされており、乾燥槽７１には、蒸気発生用のＩＰＡ７３が溜められるとともに、ＩＰＡ７３を沸騰させるヒータ７４およびＩＰＡ蒸気７５を凝縮させる水冷管７２が設けられている。
【０００５】
そして、ウェハＷが薬液槽５１に搬送されると、薬液槽５１にてウェハＷの薬液処理が行われ、薬液処理に使われた薬液５２は外槽５３にオーバーフローされる。そして、外槽５３にオーバーフローした薬液５２は、ポンプ５４により循環され、ヒータ５５およびフィルタ５６を介して薬液槽５１に戻される。
次に、ウェハＷの薬液処理が終わると、ウェハＷはリンス槽６１に搬送され、リンス槽６１にてウェハＷのリンス処理が行われる。
【０００６】
ここで、ウェハＷがリンス槽６１に投入されると、切替バルブ６４が廃液側に切り替えられ、リンス槽６１から排水されたリンス水６２が廃液される。そして、ウェハＷがリンス槽６１に投入されてから一定時間だけ経過すると、切替バルブ６４が回収側に切り替えられ、リンス槽６１から排水されたリンス水６２が回収される。
【０００７】
次に、ウェハＷのリンス処理が終わると、ウェハＷは乾燥槽７１に搬送され、乾燥槽７１にてウェハＷの乾燥処理が行われる。
図４は、従来のリンス水の回収タイミングを説明する図である。
図４において、ウェハＷがリンス槽６１に投入される前は、リンス槽６１は純水がスローリークしており、リンス水６２の比抵抗はある値で推移している。そして、薬液処理後のウェハＷがリンス槽６１に投入されると、ウェハＷに付着していた薬液５２が純水に溶け込み、純水中の不純物が増加するため、リンス水６２の比抵抗が０．１ＭΩ程度にまで下降し、リンス槽６１から排水されたリンス水６２は廃液される。
【０００８】
そして、純水の導入によりウェハＷのリンス処理が進むに従って、ウェハＷに付着していた薬液５２が除去され、純水中の不純物が減少するため、リンス水６２の比抵抗が上昇していく。そして、ウェハＷがリンス槽６１に投入されてから５分間だけ経過すると、リンス槽６１から排水されたリンス水６２は回収側に切り替えられる。
【０００９】
ここで、ウェハＷがリンス槽６１に投入されてから回収されるまでの時間は、リンス水６２を再生させることが可能な比抵抗により決定される。
例えば、リンス水６２の比抵抗が１ＭΩ以上であれば、純水再生装置にてリンス水６２が再生可能であるとすると、マージンを見込んで、例えば、リンス水６２の比抵抗が１０ＭΩ以上になるまでの時間に設定される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のリンス水６２の回収方法では、リンス槽６１で除去される薬液５２の量は、ウェハＷの枚数やウェハＷ上の凹凸などで変動し、ウェハＷがリンス槽６１に投入されてから回収側に切り替えるまでの時間にマージンを見込む必要があった。
【００１１】
このため、リンス水６２の比抵抗が既に十分高くなっているにもかかわらず、リンス水６２が廃液されることがあり、純水使用量が増大するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、リンス水を効率よく回収することが可能な洗浄装置および洗浄方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の洗浄装置によれば、純水または超純水を導入するリンス槽と、前記リンス槽から排出されるリンス水の純度を計測する純度計と、前記純度計により計測されたリンス水の純度に基づいて、前記リンス水の回収制御を行う回収制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、リンス水の純度が所定値になった時にリンス水を回収することができ、再生可能な程度にまでリンス水の純度が十分に高くなっているにもかかわらず、リンス水が廃液されることを防止することが可能となる。
このため、純水再生装置に大きな負担をかけることなく、リンス水を効率よく回収することができ、純水使用量を低減することができる。
【００１４】
また、請求項２記載の洗浄装置によれば、薬液処理を行う薬液槽と、純水または超純水を導入するリンス槽と、前記薬液槽にて薬液処理された処理対象を前記リンス槽に搬送する搬送手段と、前記リンス槽から排出されるリンス水の純度を計測する純度計と、前記純度計により計測されたリンス水の純度に基づいて、前記リンス水の回収制御を行う回収制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、処理対象に付着する薬液量が変動する場合においても、再生可能なリンス水を効率よく回収することができ、純水再生装置に大きな負荷をかけることなく、純水使用量を低減することができる。
また、請求項３記載の洗浄装置によれば、前記回収制御手段による回収制御に基づいて、前記リンス水の回収または廃液を切り替える切替バルブをさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、再生可能なリンス水を効率よく回収することが可能となるとともに、再生不能なリンス水が回収されることを防止することができ、純水再生装置に大きな負荷をかけることなく、純水使用量を低減することができる。
また、請求項４記載の洗浄装置によれば、前記純度計は、導電率計または比抵抗計であることを特徴とする。
【００１７】
これにより、簡易な装置を用いることにより、リンス水の純度を精度よく容易に検出することが可能となる。
また、請求項５記載の洗浄装置によれば、前記回収制御手段は、前記リンス水の純度が所定値以上の場合、前記リンス水を回収させ、前記リンス水の純度が前記所定値を下回った場合、前記リンス水を廃液させることを特徴とする。
【００１８】
これにより、リンス水の純度をモニタすることで、再生可能なリンス水を効率よく回収することが可能となるとともに、再生不能なリンス水が回収されることを防止することができる。
また、請求項６記載の洗浄方法によれば、ウェハの薬液処理を行う工程と、前記薬液処理されたウェハをリンス処理する工程と、前記リンス処理後のリンス水の純度を計測する工程と、前記リンス水の純度が所定値以上の場合、前記リンス水を回収する工程と、前記リンス水の純度が前記所定値を下回った場合、前記リンス水を廃液する工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、ウェハに付着する薬液量が変動する場合においても、再生可能なリンス水を効率よく回収することができ、純水再生装置に大きな負荷をかけることなく、純水使用量を低減することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る洗浄装置について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る洗浄装置の概略構成を示す断面図である。図１において、洗浄装置には、ウェハＷの薬液処理を行う薬液槽１１、ウェハＷのリンス処理を行うリンス槽２１およびウェハＷの乾燥処理を行う乾燥槽３１が設けられている。
【００２１】
ここで、薬液槽１１は、薬液１２で満たされるとともに、薬液槽１１には、オーバーフローした薬液１２を受ける外槽１３、薬液１２を循環させるポンプ１４、薬液１２の温度制御を行うヒータ１５および薬液１２からパーティクル等を除去するフィルタ１６が設けられている。
ここで、薬液１２としては、例えば、アルコール、硫酸、塩酸、硝酸、フッ酸、アンモニア過水、あるいはフォトレジストの剥離液などを用いることができる。
【００２２】
また、リンス槽２１は、ウェハＷから薬液１２が洗い落されたリンス水２２で満たされるとともに、リンス槽２１には、純水が導入され、さらに、リンス槽２１からオーバーフローするリンス水２２を受ける排水槽２３、リンス水２２の純度を計測する純度計２４、リンス水２２の純度に基づいて切替バルブ２６を切り替える制御ユニット２５およびリンス水２２の廃液および回収を切り替える切替バルブ２６が設けられている。
【００２３】
なお、純度計２４は、リンス槽２１内に取り付けてもよいし、排水槽２３内に取り付けてもよいし、切替バルブ２６の前段に取り付けてもよい。また、純度計２４としては、例えば、導電率計または比抵抗計などを用いることができる。
また、乾燥槽３１は、内部がＩＰＡ蒸気３５で満たされており、乾燥槽３１には、蒸気発生用のＩＰＡ３３が溜められるとともに、ＩＰＡ３３を沸騰させるヒータ３４およびＩＰＡ蒸気３５を凝縮させる水冷管３２が設けられている。
【００２４】
そして、ウェハＷが薬液槽１１に搬送されると、薬液槽１１にてウェハＷの薬液処理が行われ、薬液処理に使われた薬液１２は外槽１３にオーバーフローされる。そして、外槽１３にオーバーフローした薬液１２は、ポンプ１４により循環され、ヒータ１５およびフィルタ１６を介して薬液槽１１に戻される。
次に、ウェハＷの薬液処理が終わると、ウェハＷはリンス槽２１に搬送され、リンス槽２１にてウェハＷのリンス処理が行われる。
【００２５】
ここで、純度計２４は、リンス槽２１から排水されたリンス水２２の純度をモニタし、そのモニタ結果が制御ユニット２５に送られる。そして、制御ユニット２５は、リンス水２２の純度が所定値以下の場合、切替バルブ２６を廃液側に切り替え、リンス槽２１から排水されたリンス水を廃液させる。
一方、制御ユニット２５は、リンス水２２の純度が所定値を超えた場合、切替バルブ２６を回収側に切り替え、リンス槽２１から排水されたリンス水を回収させる。
【００２６】
そして、ウェハＷのリンス処理が終わると、ウェハＷは乾燥槽３１に搬送され、乾燥槽３１にてウェハＷの乾燥処理が行われる。
図２は、本発明の一実施形態に係るリンス水の回収タイミングを説明する図である。
図２において、ウェハＷがリンス槽２１に投入される前は、リンス槽２１は純水がスローリークしており、リンス水２２の比抵抗はある値で推移している。そして、薬液処理後のウェハＷがリンス槽２１に投入されると、ウェハＷに付着していた薬液が純水に溶け込み、純水中の不純物が増加するため、リンス水２２の比抵抗が０．１ＭΩ程度にまで下降する。
【００２７】
ここで、リンス槽２１から排水されたリンス水２２の純度は、純度計２４によりモニタされ、そのモニタ結果が制御ユニット２５に送られる。そして、制御ユニット２５は、例えば、リンス水２２の比抵抗が１ＭΩ以下の場合、切替バルブ２６を廃液側に切り替え、リンス槽２１から排水されたリンス水２２を廃液させる。
【００２８】
そして、純水の導入によりウェハＷのリンス処理が進むに従って、ウェハＷに付着していた薬液１２が除去され、純水中の不純物が減少するため、リンス水２２の比抵抗が上昇していく。そして、制御ユニット２５は、例えば、リンス水２２の比抵抗が１ＭΩを超えると、切替バルブ２６を回収側に切り替え、リンス槽２１から排水されたリンス水２２を回収させる。
【００２９】
これにより、薬液槽１１で付着する薬液１２の量がウェハＷの枚数やウェハＷ上の凹凸などで変動する場合においても、リンス水２２が再生可能な純度に達した時にリンス水２２を回収することができ、純度が十分に高くなっているリンス水２２が無駄に廃液されることを防止することが可能となる。
このため、純水再生装置に大きな負担をかけることなく、リンス水２２を効率よく回収することができ、純水使用量を低減することができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リンス水の純度に基づいてリンス水の回収制御を行うことにより、再生可能なリンス水が廃液されることを防止することができ、リンス水を効率よく回収することを可能として、純水使用量を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るリンス水の回収タイミングを説明する図である。
【図３】従来の洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】従来のリンス水の回収タイミングを説明する図である。
【符号の説明】
１１、５１　薬液槽、１２、５２　薬液、１３、５３　外槽、２３、６３　排水槽、１４、５４　ポンプ、１５、３４、５５、７４　ヒータ、１６、５６　フィルタ、Ｗ　ウェハ、２１、６１　リンス槽、２２、６２　リンス水、２４　純度計、２５　制御ユニット、２６、６４　切替バルブ、３１、７１　乾燥槽、３２、７２　水冷管、３３、７３　ＩＰＡ、３５、７５　ＩＰＡ蒸気[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method, and is particularly suitable for being applied to a rinsing step after chemical solution treatment.
[0002]
[Prior art]
In a conventional rinsing process after chemical treatment of a semiconductor device, there is a method in which a rinse water is drained for a certain period of time after a wafer is put into a rinsing bath and then the rinse water is recovered in order to save pure water consumption. Was.
FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a conventional cleaning apparatus.
[0003]
In FIG. 3, the cleaning apparatus is provided with a chemical tank 51 for performing a chemical processing of the wafer W, a rinsing tank 61 for performing a rinsing processing of the wafer W, and a drying tank 71 for performing a drying processing of the wafer W.
Here, the chemical liquid tank 51 is filled with a chemical liquid 52, and the chemical liquid tank 51 receives an overflowed chemical liquid 52, a pump 54 for circulating the chemical liquid 52, a heater 55 for controlling the temperature of the chemical liquid 52, and a chemical liquid 52. A filter 56 for removing particles and the like from the filter 52 is provided.
[0004]
Further, the rinsing tank 61 is filled with the rinsing water 62 from which the chemical liquid 52 has been washed off from the wafer W, and pure water is introduced into the rinsing tank 61, and further, the rinsing water 62 overflowing from the rinsing tank 61 is received. A drain valve 63 and a switching valve 64 for switching between waste liquid and recovery of the rinse water are provided.
Further, the inside of the drying tank 71 is filled with IPA vapor 75, and the drying tank 71 stores an IPA 73 for generating steam, a heater 74 for boiling the IPA 73, and a water cooling pipe 72 for condensing the IPA vapor 75. Is provided.
[0005]
Then, when the wafer W is transferred to the chemical solution tank 51, the chemical processing of the wafer W is performed in the chemical solution tank 51, and the chemical solution 52 used for the chemical solution processing overflows to the outer tank 53. Then, the chemical liquid 52 overflowing to the outer tank 53 is circulated by the pump 54 and returned to the chemical liquid tank 51 via the heater 55 and the filter 56.
Next, when the chemical processing of the wafer W is completed, the wafer W is transferred to the rinsing tank 61, and the rinsing processing of the wafer W is performed in the rinsing tank 61.
[0006]
Here, when the wafer W is put into the rinsing tank 61, the switching valve 64 is switched to the waste liquid side, and the rinsing water 62 drained from the rinsing tank 61 is drained. Then, when a predetermined time has elapsed after the wafer W is put into the rinsing tank 61, the switching valve 64 is switched to the collecting side, and the rinsing water 62 drained from the rinsing tank 61 is collected.
[0007]
Next, when the rinsing processing of the wafer W is completed, the wafer W is transferred to the drying tank 71, and the drying processing of the wafer W is performed in the drying tank 71.
FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional timing for collecting rinse water.
In FIG. 4, before the wafer W is loaded into the rinsing tank 61, the rinsing tank 61 has a slow leak of pure water, and the specific resistance of the rinsing water 62 has changed at a certain value. Then, when the wafer W after the chemical solution treatment is put into the rinsing tank 61, the chemical solution 52 attached to the wafer W dissolves in the pure water, and impurities in the pure water increase. The rinsing water 62 drained from the rinsing tank 61 is lowered to about 0.1 MΩ, and is drained.
[0008]
Then, as the rinsing process of the wafer W proceeds with the introduction of the pure water, the chemical solution 52 attached to the wafer W is removed, and impurities in the pure water decrease, so that the specific resistance of the rinsing water 62 increases. . Then, when only five minutes have passed since the wafer W was put into the rinsing tank 61, the rinsing water 62 drained from the rinsing tank 61 is switched to the collecting side.
[0009]
Here, the time from when the wafer W is put into the rinsing tank 61 to when it is collected is determined by the specific resistance at which the rinsing water 62 can be regenerated.
For example, if the specific resistance of the rinsing water 62 is 1 MΩ or more, it is assumed that the rinsing water 62 can be regenerated by the pure water regenerating apparatus. Is set to the time until
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method of recovering the rinsing water 62, the amount of the chemical liquid 52 removed in the rinsing tank 61 varies depending on the number of wafers W, irregularities on the wafers W, and the like. It was necessary to allow for a margin in the time from switching to the collection side.
[0011]
For this reason, although the specific resistance of the rinsing water 62 is already sufficiently high, there is a problem that the rinsing water 62 may be drained, and the amount of pure water used increases.
Therefore, an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus and a cleaning method capable of efficiently recovering rinse water.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, according to the cleaning device of claim 1, a rinse tank for introducing pure water or ultrapure water, and a purity meter for measuring the purity of the rinse water discharged from the rinse tank. And recovery control means for controlling the recovery of the rinse water based on the purity of the rinse water measured by the purity meter.
[0013]
As a result, the rinse water can be recovered when the purity of the rinse water reaches a predetermined value, and the rinse water is drained even though the purity of the rinse water is high enough to be reproducible. Can be prevented.
Therefore, the rinsing water can be efficiently collected without imposing a large burden on the pure water regenerating apparatus, and the amount of pure water used can be reduced.
[0014]
Further, according to the cleaning device of claim 2, a chemical solution tank for performing a chemical solution treatment, a rinsing tank for introducing pure water or ultrapure water, and a treatment target that has been subjected to the chemical solution treatment in the chemical solution tank are provided in the rinse tank. Conveying means for conveying, a purity meter for measuring the purity of the rinse water discharged from the rinse tank, and a recovery control means for controlling the recovery of the rinse water based on the purity of the rinse water measured by the purity meter. And characterized in that:
[0015]
Thereby, even when the amount of the chemical solution attached to the object to be treated fluctuates, renewable rinse water can be efficiently collected, and the amount of pure water used can be reduced without imposing a large load on the pure water regenerating apparatus. be able to.
According to a third aspect of the present invention, the cleaning apparatus further includes a switching valve for switching between the recovery of the rinse water and the waste liquid based on the recovery control by the recovery control unit.
[0016]
This makes it possible to efficiently recover the renewable rinse water and prevent the non-renewable rinse water from being recovered. Water usage can be reduced.
According to a fourth aspect of the present invention, the purity meter is a conductivity meter or a resistivity meter.
[0017]
This makes it possible to easily and accurately detect the purity of the rinsing water by using a simple device.
Further, according to the cleaning device of claim 5, when the purity of the rinse water is equal to or higher than a predetermined value, the recovery control unit recovers the rinse water, and the purity of the rinse water falls below the predetermined value. In this case, the rinsing water is drained.
[0018]
Thus, by monitoring the purity of the rinse water, it is possible to efficiently recover the renewable rinse water and prevent the recovery of the non-renewable rinse water.
According to the cleaning method of claim 6, a step of performing a chemical treatment on the wafer, a step of rinsing the wafer subjected to the chemical treatment, and a step of measuring the purity of the rinse water after the rinsing processing, When the purity of the rinsing water is equal to or higher than a predetermined value, the method includes a step of collecting the rinsing water and a step of draining the rinsing water when the purity of the rinsing water is lower than the predetermined value. .
[0019]
Thereby, even when the amount of the chemical solution attached to the wafer fluctuates, renewable rinse water can be efficiently collected, and the amount of pure water used can be reduced without imposing a large load on the pure water regenerating apparatus. Can be.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a cleaning device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, the cleaning apparatus is provided with a chemical bath 11 for performing a chemical treatment on the wafer W, a rinsing bath 21 for performing a rinsing process on the wafer W, and a drying bath 31 for performing a drying process on the wafer W.
[0021]
Here, the chemical solution tank 11 is filled with the chemical solution 12, and the chemical solution tank 11 receives an overflowed chemical solution 12, a pump 14 for circulating the chemical solution 12, a heater 15 for controlling the temperature of the chemical solution 12, and a chemical solution. A filter 16 for removing particles and the like from the filter 12 is provided.
Here, as the chemical solution 12, for example, alcohol, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, ammonia peroxide, a photoresist stripper, or the like can be used.
[0022]
The rinsing tank 21 is filled with the rinsing water 22 from which the chemical solution 12 has been washed off from the wafer W, and pure water is introduced into the rinsing tank 21, and further, the rinsing water 22 which overflows from the rinsing tank 21 is received. A drain tank 23, a purity meter 24 for measuring the purity of the rinse water 22, a control unit 25 for switching a switching valve 26 based on the purity of the rinse water 22, and a switch valve 26 for switching between waste liquid and recovery of the rinse water 22 are provided. .
[0023]
Note that the purity meter 24 may be installed in the rinsing tank 21, may be installed in the drainage tank 23, or may be installed before the switching valve 26. Further, as the purity meter 24, for example, a conductivity meter or a resistivity meter can be used.
The inside of the drying tank 31 is filled with IPA vapor 35, and the drying tank 31 stores an IPA 33 for generating steam, a heater 34 for boiling the IPA 33, and a water cooling pipe 32 for condensing the IPA vapor 35. Is provided.
[0024]
When the wafer W is transported to the chemical solution tank 11, the chemical solution processing of the wafer W is performed in the chemical solution tank 11, and the chemical solution 12 used for the chemical solution processing overflows to the outer tank 13. Then, the chemical solution 12 overflowing to the outer tank 13 is circulated by the pump 14 and returned to the chemical solution tank 11 via the heater 15 and the filter 16.
Next, when the chemical processing of the wafer W is completed, the wafer W is transferred to the rinsing tank 21, and the rinsing processing of the wafer W is performed in the rinsing tank 21.
[0025]
Here, the purity meter 24 monitors the purity of the rinsing water 22 drained from the rinsing tank 21, and the monitoring result is sent to the control unit 25. Then, when the purity of the rinse water 22 is equal to or lower than a predetermined value, the control unit 25 switches the switching valve 26 to the waste liquid side to drain the rinse water drained from the rinse tank 21.
On the other hand, when the purity of the rinsing water 22 exceeds a predetermined value, the control unit 25 switches the switching valve 26 to the collecting side and causes the rinsing water drained from the rinsing tank 21 to be collected.
[0026]
Then, when the rinsing processing of the wafer W is completed, the wafer W is transferred to the drying tank 31, and the drying processing of the wafer W is performed in the drying tank 31.
FIG. 2 is a diagram illustrating the timing of collecting rinse water according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 2, before the wafer W is loaded into the rinsing bath 21, the rinsing bath 21 has a slow leak of pure water, and the specific resistance of the rinsing water 22 has changed at a certain value. Then, when the wafer W after the chemical treatment is put into the rinsing tank 21, the chemical attached to the wafer W dissolves in the pure water and impurities in the pure water increase, so that the specific resistance of the rinsing water 22 becomes zero. .1MΩ.
[0027]
Here, the purity of the rinsing water 22 drained from the rinsing tank 21 is monitored by a purity meter 24, and the monitoring result is sent to the control unit 25. Then, for example, when the specific resistance of the rinse water 22 is 1 MΩ or less, the control unit 25 switches the switching valve 26 to the waste liquid side to drain the rinse water 22 drained from the rinse tank 21.
[0028]
Then, as the rinsing processing of the wafer W proceeds with the introduction of the pure water, the chemical solution 12 attached to the wafer W is removed, and impurities in the pure water decrease, so that the specific resistance of the rinsing water 22 increases. . Then, for example, when the specific resistance of the rinsing water 22 exceeds 1 MΩ, the control unit 25 switches the switching valve 26 to the collecting side, and causes the rinsing water 22 drained from the rinsing tank 21 to be collected.
[0029]
Thereby, even when the amount of the chemical solution 12 attached in the chemical solution tank 11 fluctuates due to the number of wafers W, irregularities on the wafer W, etc., the rinse water 22 is collected when the rinse water 22 reaches a reproducible purity. It is possible to prevent the rinse water 22 having sufficiently high purity from being wasted.
For this reason, the rinse water 22 can be efficiently collected without imposing a large burden on the pure water regeneration device, and the amount of pure water used can be reduced.
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, by controlling the recovery of the rinse water based on the purity of the rinse water, the renewable rinse water can be prevented from being drained, and the rinse water can be efficiently used. It is possible to collect well and reduce the amount of pure water used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a timing of collecting rinse water according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a conventional cleaning apparatus.
FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional timing for collecting rinse water.
[Explanation of symbols]
11, 51 Chemical tank, 12, 52 Chemical tank, 13, 53 Outer tank, 23, 63 Drain tank, 14, 54 Pump, 15, 34, 55, 74 Heater, 16, 56 Filter, W wafer, 21, 61 Rinse tank , 22, 62 rinse water, 24 purity meter, 25 control unit, 26, 64 switching valve, 31, 71 drying tank, 32, 72 water cooling tube, 33, 73 IPA, 35, 75 IPA steam

Claims (6)

純水または超純水を導入するリンス槽と、
前記リンス槽から排出されるリンス水の純度を計測する純度計と、
前記純度計により計測されたリンス水の純度に基づいて、前記リンス水の回収制御を行う回収制御手段とを備えることを特徴とする洗浄装置。A rinse tank for introducing pure or ultrapure water,
A purity meter for measuring the purity of the rinse water discharged from the rinse tank,
A cleaning apparatus comprising: a recovery control unit that controls recovery of the rinse water based on the purity of the rinse water measured by the purity meter. 薬液処理を行う薬液槽と、
純水または超純水を導入するリンス槽と、
前記薬液槽にて薬液処理された処理対象を前記リンス槽に搬送する搬送手段と、
前記リンス槽から排出されるリンス水の純度を計測する純度計と、
前記純度計により計測されたリンス水の純度に基づいて、前記リンス水の回収制御を行う回収制御手段とを備えることを特徴とする洗浄装置。A chemical tank for performing chemical processing,
A rinse tank for introducing pure or ultrapure water,
Conveying means for conveying the treatment target subjected to the chemical treatment in the chemical tank to the rinse tank,
A purity meter for measuring the purity of the rinse water discharged from the rinse tank,
A cleaning apparatus comprising: a recovery control unit that controls recovery of the rinse water based on the purity of the rinse water measured by the purity meter. 前記回収制御手段による回収制御に基づいて、前記リンス水の回収または廃液を切り替える切替バルブをさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の洗浄装置。The cleaning device according to claim 1, further comprising a switching valve that switches between rinsing water recovery and waste liquid based on the recovery control by the recovery control unit. 前記純度計は、導電率計または比抵抗計であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の洗浄装置。The cleaning device according to any one of claims 1 to 3, wherein the purity meter is a conductivity meter or a resistivity meter. 前記回収制御手段は、前記リンス水の純度が所定値以上の場合、前記リンス水を回収させ、前記リンス水の純度が前記所定値を下回った場合、前記リンス水を廃液させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の洗浄装置。When the purity of the rinsing water is equal to or higher than a predetermined value, the recovery control unit recovers the rinsing water, and when the purity of the rinsing water is lower than the predetermined value, drains the rinsing water. The cleaning device according to claim 1. ウェハの薬液処理を行う工程と、
前記薬液処理されたウェハをリンス処理する工程と、
前記リンス処理後のリンス水の純度を計測する工程と、
前記リンス水の純度が所定値以上の場合、前記リンス水を回収する工程と、
前記リンス水の純度が前記所定値を下回った場合、前記リンス水を廃液する工程とを備えることを特徴とする洗浄方法。Performing a chemical treatment of the wafer;
Rinsing the wafer subjected to the chemical treatment,
A step of measuring the purity of the rinse water after the rinse treatment,
When the purity of the rinse water is equal to or higher than a predetermined value, a step of collecting the rinse water,
A step of draining the rinse water when the purity of the rinse water is lower than the predetermined value.
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