KR101265082B1 - 액정표시소자 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 마스크 공정수를 줄일 수 있는 액정표시소자 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 기판상에 액티브층패턴과 소스/드레인전극을 형성하는 단계; 상기 기판전체에 보호층과 감광성 유기물질층을 적층하는 단계; 상기 감광성 유기물질층을 회절노광시켜 드레인전극상에 위치하는 감광성 유기물질층부분을 제거하는 단계; 상기 감광성 유기물질층을 마스크로 상기 드레인전극상의 보호층부분을 제거하여 드레인콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 드레인콘택홀내에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 포함하여 구성된다.
회절마스크, 실라인, 포토아크릴층, 감광성 유기물질층

Description

액정표시소자 제조방법{METHOD FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
도 1a 내지 도 1j는 종래기술에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 공정단면도.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 공정단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
101 : 제1기판 103 : 게이트전극
105 : 게이트절연층 107 : 반도체층
109 : 도전층 109a : 소스전극
109b : 드레인전극 111 : 제1감광막
111a, 111b : 제1감광막패턴 113 : 보호층
115 : 제2감광막 117 : 투명도전층 119 : 더미감광막 120 : 돌기
121 : 컬러필터기판 123 : 블랙매트릭스층
125 : 컬러필터층 127 : 공통전극 131 : 액정층
본 발명은 액정표시소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기-무기 절연막 형성시에 실(seal)부의 뜸김을 방지하고 공정을 단축시킬 수 있는 액정표시소자 제조방법에 관한 것이다.
근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.
이러한 액정표시소자는 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터기판이 대향하여 합착되며, 상기 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터기판 사이에 액정층이 형성됨으로써 제작된다.
박막트랜지스터 어레이기판은 화소들이 매트릭스형태로 배열되며, 그 단위화소에는 박막트랜지스터, 화소전극 및 커패시터가 형성되고, 상기 칼라필터기판은 상기 화소전극과 함께 액정층에 전계를 인가하는 공통전극과 실제 칼라를 구현하는 RGB 칼라필터 및 블랙매트릭스가 형성되어 있다.
한편, 상기 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터기판의 대향면에는 배향규제력이 형성된 배향막이 형성되어 액정층의 액정분자가 일정한 방향으로 배향되도록 한다.
상기와 같이 배향된 액정분자는 박막트랜지스터 어레이기판의 단위 화소별로 형성된 화소전극과 칼라필터기판의 전면에 형성된 공통전극 사이에 전계가 형성되는 경우에 유전 이방성에 의해 회전함으로써, 단위화소별로 빛을 통과사키거나 차단시켜 문자나 화상을 표시하게 된다. 이와 같은 액정분자의 구동에 의해 화상을 표시하는 방식을 TN모드(Twisted Nematic mode)라 한다.
그러나, 이와 같은 TN모드 액정표시소자는 시야각이 좁아진다는 단점이 있다. 이 시야각문제는 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로, TN 모드의 경우 좌우방향의 시야각에 대해서는 광투과도가 대칭적으로 분포하지만, 상하방향에 대해서는 광투과도가 비대칭적으로 분포하기 때문에 상하방향의 시야각에서는 이미지가 반전되는 범위가 발생되어 시야각이 좁아지는 것이다.
이러한 시야각 문제를 해결하기 위하여 TDTN(Two Domain TN)이나 DDTN(Domain Divided TN)과 같이 화소를 적어도 두개 이상의 도메인으로 분할하여 각각의 도메인의 주시야각 방향을 달리함으로써 시야각을 보상하는 멀티도메인(multi-domain) 액정표시소자가 제안되고 있다.
그러나, 상기 멀티도메인 액정표시소자의 경우 각 도메인에서의 액정분자의 배향을 달리해야만 하기 때문에, 각 도메인에 러빙공정을 진행해야만 한다. 예를 들어, 2-도메인인 경우 배향막의 제2도메인에 포토레지스트(photoresist)를 적층하여 제2도메인을 블로킹한 상태에서 배향막의 제1도메인에 설정 방향으로 러빙을 진행하여 제1방향의 배향규제력을 형성한다.
이후, 제2도메인의 포토레지스트를 제거하고 제1도메인에 포토레지스트를 형성한 후 제2도메인을 러빙하여 설정 방향의 배향규제력을 제공하는 것이다. 제2도메인의 러빙 후, 제1도메인의 포토레지스트는 현상공정에 의해 제거된다.
상기와 같이, 멀티도메인에서는 하나의 화소(즉, 하나의 기판)을 러빙하기 위해 포토레지스트를 이용한 2번의 포토공정이 필요하므로 제조공정이 복잡해지고 제조비용이 증가한다. 또한, 포토레지스트 현상과 같은 포토공정은 배향막에 영향을 주므로, 제작된 액정표시소자의 품질이 저하되는 문제도 있었다.
상기와 같은 멀티도메인의 문제를 해결하기 위해 제안된 광시야각 구조의 액정표시소자가 수직배향모드(Vertical Aligment mode) 액정표시소자이다. 상기 VA모드에서는 전압이 인가되지 않은 상태에서는 액정분자의 장축이 배향막에 대하여 수직하게 배열되고, 전압이 인가되면 네거티브형 유전율 이방성을 갖는 액정분자가 전계에 대해 비스듬하게 배향하는 성질에 의해 액정분자의 장축이 수직 배향막에 대하여 수직한 방향에서 수평한 방향으로 움직이게 하여 빛을 투과시킨다.
상기 VA모드 액정표시소자는 TN모드 액정표시소자에 비해 콘트라스트비, 응답속도 등의 다양한 면에서 우수하며, 액정 분자의 배향방향을 다수의 방향으로 분할하고, 보상 필름을 사용하는 경우에 매우 효과적으로 광시야각을 구현할 수 있는 장점을 갖는다.
이러한 관점에서, 종래기술에 따른 액정표시소자의 제조방법에 대해 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1j는 종래기술에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 공정단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 먼저 실영역과 TFT영역 및 화소영역을 포함하는 제1기판(11)상에 Al이나 Al합금, Cu, Cr 등의 단일층 또는 복수의 층으로 이루어진
게이트용 금속층을 형성한후 제1감광막패턴(미도시)을 이용한 제1마스크공정으로 상기 게이트용 금속층을 패터닝하여 게이트전극(13)을 형성한다.
그다음, 제1감광막패턴(미도시)을 제거한 후 상기 제1기판(11) 전체에 걸쳐 게이트절연층(15), 반도체(17) 및 금속층(19)을 연속 적층한후 이어 상기 금속층(19)상에 제2 감광막(21)을 도포한다.
이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 제2감광막(21)위에 회절노광용 제2마스크(21a)를 위치시킨 상태에서 상기 제2감광막(21)에 자외선을 조사한 후 현상하여 제2감광막패턴(21a)을 형성한다. 이때, 상기 제2감광막패턴(21a)중 상기 화소영역에는 포토레지스트가 제거되고, TFT영역에만 제2감광막패턴(21a)이 형성된다. 또한, TFT영역에 조사되는 광은 회절마스크에 형성된 슬릿(미도시)에 의해 그 광투과 세기가 달라지기 때문에, 게이트전극(13) 상부의 제2감광막패턴(21a)은 그 일부가 제거되는 반면에 게이트전극(13)의 양측면 상부의 제2감광막패턴(21a) 부분은 그대로 남아 있게 되어, 두께가 다른 감광막패턴이 형성된다.
그다음, 도 1c에 도시된 바와같이, 상기 제2감광막패턴(21a)으로 금속층(19) 을 블로킹한 상태에서, 상기 금속층(19)과 반도체층(17)을 연속 에칭하면, TFT영역에만 반도체층(17)과 금속층(19)이 남게 된다. 이때, 데이터라인(19)도 함께 형성되는데, 상기 데이터라인(19)의 하부에는 반도체층(17)이 남아 있게 된다. 이어서, 상기 제2감광막패턴(21a)을 에싱(ashing)처리하면, 상기 게이트전극(13) 상부의 얇은 두께의 제1감광막(21a) 부분은 제거되는 반면에 그 양측의 감광막부분(21a)은 그 일부만이 제거된다.
그다음, 도 1d에 도시된 바와 같이, 일부가 제거된 제2감광막패턴(21a)을 마스크로 하여 상기 금속층패턴(19)을 선택적으로 식각한후 상기 제2감광막패턴(21a)을 제거하여, 상기 반도체층(17)위에 소스전극(19a) 및 드레인전극(19b)을 형성한다.
이어서, 도 1e에 도시된 바와같이, 상기 제1기판(11) 전체에 걸쳐 일정 두께이상으로 보호층(23)을 형성한후 그 위에 제3감광막(25)을 도포한다.
그다음, 상기 제3감광막(25)위에 제3마스크공정을 실시하기 위해 제3마스크(미도시)를 위치시킨 상태에서 상기 제3감광막(25)에 자외선을 조사한 후 현상하여 제3감광막패턴(35a)을 형성한다.
이어서, 도 1f에 도시된 바와같이, 상기 제3감광막패턴(25)을 마스크로 상기 보호층(23)을 선택적으로 식각하여 TFT영역의 드레인전극(19b) 일부를 노출시키는 드레인콘택홀(27)을 형성한다.
그다음, 도 1g에 도시된 바와같이, 상기 제3감광막패턴(25)을 제거한후 상기 제1기판(11)상에 감광성 물질인 포토아크릴층(photo arcryl)(29)을 증착한다.
이어서, 도 1h에 도시된 바와같이, 제4마스크(30)를 상기 포토아크릴층(29)상에 위치시킨 상태에서 상기 포토아크릴층(29)에 자외선을 조사한후 현상하여 포토아크릴층패턴(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 포토아크릴층(29)에는 상기 드레인전극(19b) 일부를 노출시키는 드레인콘택홀(27)을 개구시키는 제1개구부(33a)가 형성되고, 실라인(seal line)을 형성하기 위한 제2개구부(33b)가 동시에 형성된다. 그러나, 개구부 형성시에 게이트절연막(15)이 완전 식각되면서 기판(11)의 손실이 발생하게 된다.
그다음, 도 1i에 도시된 바와같이, 상기 제1개구부(33a)를 포함한 기판전체에 ITO와 같은 투명재질의 투명도전층을 증착한후 그 위에 제5감광막(미도시)을 도포한다.
이어서, 상기 제5감광막(미도시)위에 제5마스크공정을 실시하기 위해 제5마스크(미도시)를 위치시킨 상태에서 상기 제5감광막(미도시)에 자외선을 조사한 후 현상하여 제5감광막패턴(미도시)을 형성한다.
이어서, 상기 제5감광막패턴(미도시)을 마스크로 상기 투명도전층을 선택적으로 식각하여 TFT영역의 드레인전극(19b)과 전기적으로 접속되는 화소전극(35)을 형성한다.
그다음, 도 1j에 도시된 바와같이, 상기 제5감광막패턴(미도시)을 제거한후 상기 제2개구부(33b)내에 실패턴(37)을 형성한다.
한편, 도 1j에 도시된 바와같이, 제2기판(41)에는 블랙매트릭스(43)와 R,G,B의 컬러필터층(45)과 공통전극(47)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상 기 컬러필터층(45)상에는 평탄화를 위한 오버코트층(overcoat layer) 또는 보호층을 형성할 수도 있다.
그다음, 상기 제2기판(41)과 제1기판(11)을 실패턴(38)에 의해 합착시킨후 이들 제1기판(11)과 제2기판(41)사이에 액정층(51)을 형성하여 액정표시소자의 제조를 완성한다.
그러나, 상기한 바와 같이, 종래기술에 따른 액정표시소자의 제조방법에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.
종래기술에 의하면, 보호층의 콘택홀을 형성하기 위해 2번의 마스크공정이 필요하게 된다.
또한, 실라인(seal line)을 형성하기 위해서는 접착(adhesion)의 문제로 보호층과 실패턴이 맞닿을 수 없다. 특히, 실라인이 그려지는 영역에 포토아크릴층이 존재하게 되면, 실런트와의 접착문제가 발생하며 포토아크릴을 보호층의 실리콘나이트라이드(SiNx)의 전 또는 후에 사용하게 될 경우에도 한번의 노광을 더 필요로 하게 된다.
또한, 개구부 형성시에 게이트절연막이 과도 식각되면서 기판의 손실이 발생하게 된다.
따라서, 포토아크릴층을 사용하면서 마스크 수가 증가하게 되므로써 노광기의 사용 및 추가 공정을 필요로 하여 코스트가 증가하게 된다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것 으로서, 유기-무기 절연막 형성시에 실(seal)부의 뜸김을 방지하고 공정을 단축시킬 수 있는 액정표시소자 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 마스크 수를 줄여 공정시간을 단축시키고 제조비용을 줄일 수 있는 액정표시소자 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은, 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 기판상에 액티브층패턴과 소스/드레인전극을 형성하는 단계; 상기 기판전체에 보호층과 감광성 유기물질층을 적층하는 단계; 상기 감광성 유기물질층을 회절노광시켜 드레인전극상에 위치하는 감광성 유기물질층부분을 제거하는 단계; 상기 감광성 유기물질층을 마스크로 상기 드레인전극상의 보호층부분을 제거하여 드레인콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 드레인콘택홀내에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법은 제1기판과 제2기판을 제공하는 단계; 상기 제1기판상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 제1기판상에 박막트랜지스터 소자를 형성하는 단계; 상기 제1기판전체에 보호층과 감광성 유기물질층을 적층하는 단계; 상기 감광성 유기물질층을 회절노광시켜 상기 드레인전극상에 위치하는 감광성 유기물질층부분을 제거하는 단계; 상기 감광성 유기물질층을 마스크로 상기 드레인전극상의 보호층부분을 제거하여 드레인콘택홀을 형성하는 단계; 상기 드레인콘택홀내에 화소전극을 형성하는 단계; 제2기판상에 블랙매트릭스와 컬러필터층을 형성하는 단계; 상기 제 1기판과 제2기판을 합착시키는 단계; 및 상기 제1기판과 제2기판사이에 액정층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다.
이하, 본 발명에 따른 액정표시소자 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2a∼도 2i는 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저 실영역과 TFT영역 및 화소영역을 포함하는 제1기판(101)상에 Al이나 Al합금, Cu, Cr 등의 단일층 또는 복수의 층으로 이루어진 게이트용 금속층을 형성한후 제1감광막패턴(미도시)을 이용한 제1마스크공정으로 상기 게이트용 금속층을 패터닝하여 게이트전극(103)을 형성한다.
그다음, 제1감광막패턴(미도시)을 제거한 후 상기 제1기판(101) 전체에 걸쳐 게이트절연층(105), 반도체(107) 및 금속층(109)을 연속 적층한후 이어 상기 금속층(109)상에 제2 감광막(111)을 도포한다.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 제2감광막(111)위에 회절노광용 제2마스크(미도시)를 위치시킨 상태에서 상기 제2감광막(111)에 자외선을 조사한 후 현상하여 제2감광막패턴(111a)을 형성한다. 이때, 상기 제2감광막패턴(111a)중 상기 화소영역에는 포토레지스트가 제거되고, TFT영역에만 제2감광막패턴(111a)이 형성된다. 또한, TFT영역에 조사되는 광은 회절마스크에 형성된 슬릿(미도시)에 의해 그 광투과 세기가 달라지기 때문에, 게이트전극(103) 상부의 제2감광막패턴(111a) 은 그 일부가 제거되는 반면에 게이트전극(103)의 양측면 상부의 제2감광막패턴(111a) 부분은 그대로 남아 있게 되어, 두께가 다른 감광막패턴이 형성된다.
그다음, 도 2c에 도시된 바와같이, 상기 제2감광막패턴(111a)으로 금속층(109)을 블로킹한 상태에서, 상기 금속층(109)과 반도체층(107)을 연속 에칭하면, TFT영역에만 반도체층(107)과 금속층(109)이 남게 된다. 이때, 데이터라인(109)도 함께 형성되는데, 상기 데이터라인(109)의 하부에는 반도체층(107)이 남아 있게 된다.
이어서, 상기 제2감광막패턴(111a)을 에싱(ashing)처리하면, 상기 게이트전극(103) 상부의 얇은 두께의 제1감광막(111a) 부분은 제거되는 반면에 그 양측의 감광막부분(111a)은 그 일부만이 제거된다.
그다음, 도 2d에 도시된 바와 같이, 일부가 제거된 제2감광막패턴(111a)을 마스크로 하여 상기 금속층패턴(109)을 선택적으로 식각한후 상기 제2감광막패턴(111a)을 제거하여, 상기 반도체층(107)위에 소스전극(109a) 및 드레인전극(109b)을 형성한다.
이어서, 도 2e에 도시된 바와같이, 상기 제1기판(101) 전체에 걸쳐 일정 두께이상으로 보호층(113)을 형성한후 그 위에 포토아크릴층(115)을 증착한다. 이때, 상기 포토아크릴층(115)은 감광성 유기물질로서, 기타 다른 감광성 유기물질을 사용할 수도 있다.
그다음, 도 2f에 도시된 바와같이, 상기 포토아크릴층(115)위에 제3마스크공정을 실시하기 위해 회절마스크용 제3마스크(117)를 위치시킨 상태에서 상기 포토 아크릴층(115)에 자외선을 조사한 후 현상하여 포토아크릴층패턴(115)을 형성한다. 이때, 상기 포토아크릴층패턴(115)중 상기 TFT영역중 드레인전극(109b)일부상에 위치하는 부분만 제거되고, 실패턴이 형성되는 지역에는 일부두께만큼만 제거된다. 즉, TFT영역에 조사되는 광은 회절마스크(117)에 형성된 슬릿(117c)에 의해 그 광투과 세기가 달라지기 때문에, 실라인영역에서는 포토아크릴층(115)의 일부가 제거되는 반면에 드레인전극(109b) 일부상에 위치하는 포토아크릴층(115)부분이 완전히 제거된다.
이어서, 도 2g에 도시된 바와같이, 상기 포토아크릴층패턴(115)을 마스크로 상기 보호층(113)을 선택적으로 식각하여 TFT영역의 드레인전극(109b) 일부를 노출시키는 드레인콘택홀(119a)을 형성한다. 이때, 실라인영역에서의 포토아크릴층패턴(115)부분도 함께 제거되어 그 아래의 보호층(113)상면이 노출시키는 개구부(119b)도 함께 형성한다.
그다음, 도 2h에 도시된 바와같이, 상기 드레인콘택홀(119a)을 포함한 포토아크릴층패턴(115)상에 ITO와 같은 투명재질의 투명도전층을 증착한후 그 위에 제4감광막(미도시)을 도포한다.
이어서, 상기 제4감광막(미도시)위에 제4마스크공정을 실시하기 위해 제4마스크(미도시)를 위치시킨 상태에서 상기 제4감광막(미도시)에 자외선을 조사한 후 현상하여 제4감광막패턴(미도시)을 형성한다.
그다음, 상기 제4감광막패턴(미도시)을 마스크로 상기 투명도전층을 선택적으로 식각하여 TFT영역의 드레인전극(109b)과 전기적으로 접속되는 화소전극(121) 을 형성한다.
그다음, 도 2i에 도시된 바와같이, 상기 제4감광막패턴(미도시)을 제거한후 상기 제2개구부(119b)내에 실패턴(123)을 형성한다.
한편, 제2기판(141)에는 블랙매트릭스(143)와 R,G,B의 컬러필터층(145)과 공통전극(47)을 형성한다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 컬러필터층(145)상에는 평탄화를 위한 오버코트층(overcoat layer) 또는 보호층을 형성할 수도 있다.
그다음, 상기 제2기판(141)과 제1기판(101)을 실패턴(138)에 의해 합착시킨후 이들 제1기판(101)과 제2기판(141)사이에 액정층(151)을 형성하여 액정표시소자의 제조를 완성한다.
상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시소자에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 액정표시소자에 의하면, 보호층대신에 포토아크릴과 같은 감광성 유기물질층을 사용하므로써 별도의 감광막없이 기존의 보호층 및 화소전극 형성용 마스크를 대신할 수 있어 액정표시소자 제조가 가능하다.
따라서, 기존의 5마스크 또는 6마스크공정에 비해 마스크공정수를 줄일 수 있어 제조공정을 단순화시키고 제조비용을 크게 줄일 수 있다.
한편, 5마스크 구조에서 포토아크릴층을 적용하면 노광공정 추가없이 형성할 수 있다.
또한, 액티브층 패턴시에 실라인에 액티브층을 남겨 두므로써 보호층의 콘택홀 형성을 한번에 할 경우에 식각정지막의 역할을 하므로써 실라인 구성에 문제가 없게 된다.

Claims (11)

  1. 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극을 포함한 기판상에 게이트절연막과 반도체층 및 소스/드레인전극을 형성하는 단계;
    상기 기판전체에 보호층과 감광성 유기물질층을 적층하는 단계;
    상기 감광성 유기물질층을 회절노광시켜 상기 드레인전극상에 위치하는 감광성 유기물질층부분을 제거하여 상기 드레인전극 상의 보호층 부분을 노출시키고, 실라인 영역에 위치하는 감광성 유기물질층의 일부 두께만큼 제거하는 단계;
    상기 감광성 유기물질층을 마스크로 상기 드레인전극상의 보호층부분을 제거하여 드레인콘택홀을 형성하고, 상기 실라인 영역에 위치하는 감광성 유기물질층 부분을 제거하여 상기 보호층 상면을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계; 및
    상기 드레인콘택홀내에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 감광성 유기물질층은 포토아크릴층인 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  4. 삭제
  5. 제1기판과 제2기판을 제공하는 단계;
    상기 제1기판상에 게이트전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트전극을 포함한 제1기판상에 게이트절연막, 반도체층, 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 제1기판전체에 보호층과 감광성 유기물질층을 적층하는 단계;
    상기 감광성 유기물질층을 회절노광시켜 상기 박막트랜지스터의 드레인전극 상에 위치하는 감광성 유기물질층부분을 제거하여 상기 드레인전극 상의 보호층 부분을 노출시키고, 실라인 영역에 위치하는 감광성 유기물질층의 일부 두께만큼 제거하는 단계;
    상기 감광성 유기물질층을 마스크로 상기 드레인전극상의 보호층부분을 제거하여 드레인콘택홀을 형성하고, 상기 실라인 영역에 위치하는 감광성 유기물질층 부분을 제거하여 상기 보호층 상면을 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;
    상기 드레인콘택홀내에 화소전극을 형성하는 단계;
    제2기판상에 블랙매트릭스와 컬러필터층을 형성하는 단계;
    상기 제1기판과 제2기판을 합착시키는 단계; 및
    상기 제1기판과 제2기판사이에 액정층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서, 상기 감광성 유기물질층은 포토아크릴층인 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판을 합착시키는 단계는,
    상기 제1기판에 형성된 개구부내에 실패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제5항에 있어서, 상기 반도체층 및 소스/드레인전극을 형성하는 단계는 회절마스크를 이용한 회절노광에 의해 이루어지는 것을 특징으로하는 액정표시소자 제조방법.
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