KR101243949B1 - In-line type heat treatment apparatus - Google Patents

In-line type heat treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101243949B1
KR101243949B1 KR1020110042710A KR20110042710A KR101243949B1 KR 101243949 B1 KR101243949 B1 KR 101243949B1 KR 1020110042710 A KR1020110042710 A KR 1020110042710A KR 20110042710 A KR20110042710 A KR 20110042710A KR 101243949 B1 KR101243949 B1 KR 101243949B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heat treatment
elevating
treatment apparatus
heating
Prior art date
Application number
KR1020110042710A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120124842A (en
Inventor
조병호
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020110042710A priority Critical patent/KR101243949B1/en
Publication of KR20120124842A publication Critical patent/KR20120124842A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101243949B1 publication Critical patent/KR101243949B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)

Abstract

인라인 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 상대적으로 고온에서 기판을 열처리할 경우, 기판을 상승시켜 가열로의 상측 부위에서 기판을 열처리 한다. 그러면, 상대적으로 하측에 설치되어 기판을 이송시키는 롤러와 롤러 주위의 부품들이 열에 의하여 손상되는 것이 상대적으로 방지되므로, 인라인 열처리 장치의 내구성이 향상되는 효과가 있다.An inline heat treatment apparatus is disclosed. When the in-line heat treatment apparatus according to the present invention heat-treats the substrate at a relatively high temperature, the substrate is raised to heat-treat the substrate at the upper portion of the heating furnace. Then, the rollers and the parts around the rollers, which are installed on the lower side and transport the substrate, are relatively prevented from being damaged by heat, thereby improving the durability of the inline heat treatment apparatus.

Figure R1020110042710
Figure R1020110042710

Description

인라인 열처리 장치 {IN-LINE TYPE HEAT TREATMENT APPARATUS}In-line Heat Treatment Equipment {IN-LINE TYPE HEAT TREATMENT APPARATUS}

본 발명은 기판을 승강할 수 있도록 구성하여 기판의 이송 경로 주위에 위치된 부품들이 손상되는 것을 방지한 인라인 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inline heat treatment apparatus configured to be capable of lifting and lowering a substrate to prevent damage to components located around a transfer path of the substrate.

평판 표시 장치의 제조시 사용되는 어닐링 장치는 기판에 증착된 막의 특성을 향상시키기 위하여 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.The annealing apparatus used in the manufacture of a flat panel display is a heat treatment apparatus that crystallizes or phase changes a deposited film to improve the properties of the film deposited on a substrate.

평판 표시 장치에 사용되는 반도체층인 박막 트랜지스터는 유리 또는 석영 등의 기판에 증착 장치를 이용하여 비정질(Amorphous) 실리콘을 증착시키고, 비정질 실리콘층을 탈수소 처리한 후, 채널을 형성하기 위한 비소(Arsenic), 인(Phosphorus) 또는 붕소(Boron) 등과 같은 도펀트를 주입한다. 그리고, 낮은 전자 이동도를 가지는 비정질 실리콘층을 높은 전자 이동도를 가지는 결정질 구조의 다결정 실리콘층으로 결정화하기 위한 결정화 공정을 실시한다.A thin film transistor, which is a semiconductor layer used in a flat panel display device, deposits amorphous silicon on a substrate such as glass or quartz using a deposition apparatus, dehydrogenates the amorphous silicon layer, and then forms arsenic for forming a channel. ), Dopants such as phosphorus (Phosphorus) or boron (Boron). Then, a crystallization process is performed to crystallize the amorphous silicon layer having a low electron mobility into a polycrystalline silicon layer having a crystalline structure having a high electron mobility.

비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하기 위해서는 비정질 실리콘층에 열이라는 에너지를 가해야 하는 공통적인 특징이 있다.In order to crystallize an amorphous silicon layer into a polycrystalline silicon layer, there is a common feature that an energy of heat must be applied to the amorphous silicon layer.

비정질 실리콘층에 열을 가하는 일반적인 방법은 가열로(Furnace)의 내부에 기판을 투입하고, 가열로의 내부에 설치된 히터 등과 같은 가열 수단으로 비정질 실리콘층에 열을 가한다.A general method of applying heat to the amorphous silicon layer is to put a substrate in the furnace (Furnace), and heat the amorphous silicon layer by a heating means such as a heater installed in the furnace.

종래의 열처리 장치는 한 개의 가열로를 이용하여 기판을 승온 및 냉각하는 열처리 공정을 수행하였다. 그러나, 한 개의 가열로를 이용한 종래의 열처리 장치는 기판을 제품으로 제조하는데 많은 시간이 소요되어 생산성이 저하되는 단점이 있었다.The conventional heat treatment apparatus performs a heat treatment process of raising and cooling a substrate using one heating furnace. However, the conventional heat treatment apparatus using a single heating furnace has a disadvantage in that the productivity takes a long time to manufacture the substrate as a product.

상기와 같은 단점을 해소하기 위하여 복수의 가열로를 연속적으로 배치하고, 기판을 각각의 상기 가열로에 순차적으로 이송시켜 기판을 열처리하는 인라인 열처리 장치가 개발되어 사용되고 있다.In order to solve the above disadvantages, in-line heat treatment apparatuses for continuously arranging a plurality of heating furnaces and transferring the substrates sequentially to the respective heating furnaces to heat-treat the substrates have been developed and used.

종래의 인라인 열처리 장치는 각 가열로의 정해진 위치를 따라 기판이 수평으로 이송만 되면서 열처리된다. 그런데, 특정 구간에서 소정 온도 및 소정 시간 동안 기판의 열처리가 필요한 경우, 특정 구간에서 기판을 정지시켜야 한다. 그런데, 기판이 정지한 특정 구간의 온도가 고온일 경우, 기판의 이송 경로 주위에 위치된 부품들이 고열(高熱)에 의하여 손상될 우려가 있으므로, 인라인 열처리 장치의 내구성이 저하되는 단점이 있었다. In the conventional inline heat treatment apparatus, the substrate is heat-treated only while the substrate is horizontally transferred along a predetermined position of each heating furnace. However, when heat treatment of the substrate is required for a predetermined temperature and for a predetermined time in a certain section, the substrate should be stopped in a certain section. However, when the temperature of a specific section in which the substrate is stopped is a high temperature, components located around the transfer path of the substrate may be damaged by high heat, and thus, durability of the inline heat treatment apparatus may be lowered.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 고온에서 소정 시간 동안 기판의 열처리가 필요한 경우, 기판을 상승시켜 가열로의 상측 부위에서 열처리함으로써, 기판의 이송 경로 주위에 위치된 부품들이 손상되는 것을 방지할 수 있는 인라인 열처리 장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, the object of the present invention is to heat the substrate in the upper portion of the heating by raising the substrate when the heat treatment of the substrate for a predetermined time at a high temperature, It is to provide an in-line heat treatment apparatus that can prevent damage to the parts located around the transfer path.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는, 연속적으로 배치되며 기판이 열처리되는 공간을 각각 제공하는 복수의 가열로(Furnace); 각각의 상기 가열로의 내부에 설치되며, 상기 기판이 탑재 지지되는 지지판을 인접하는 다른 가열로로 이송하는 복수의 롤러; 각각의 상기 가열로의 내부에 설치되며, 상기 기판을 승온시키는 복수의 히터; 및 복수의 상기 가열로 중 적어도 하나의 가열로에 설치되며, 상기 지지판을 승강시키는 승강수단을 포함한다.In-line heat treatment apparatus according to the present invention for achieving the above object, a plurality of heating furnaces (Furnace) which are continuously disposed and each provides a space for heat treatment of the substrate; A plurality of rollers installed in each of the heating furnaces and transferring the supporting plate on which the substrate is mounted and supported to another adjacent heating furnace; A plurality of heaters installed inside each of the heating furnaces to heat up the substrate; And elevating means installed in at least one heating furnace of the plurality of heating furnaces to elevate the support plate.

본 발명에 따른 인라인 열처리 장치는 상대적으로 고온에서 기판을 열처리할 경우, 기판을 상승시켜 가열로의 상측 부위에서 기판을 열처리 한다. 그러면, 상대적으로 하측에 설치되어 기판을 이송시키는 롤러와 롤러 주위의 부품들이 열에 의하여 손상되는 것이 상대적으로 방지되므로, 인라인 열처리 장치의 내구성이 향상되는 효과가 있다.When the in-line heat treatment apparatus according to the present invention heat-treats the substrate at a relatively high temperature, the substrate is raised to heat-treat the substrate at the upper portion of the heating furnace. Then, the rollers and the parts around the rollers, which are installed on the lower side and transport the substrate, are relatively prevented from being damaged by heat, thereby improving the durability of the inline heat treatment apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략적 구성을 보인 정면도.
도 2a 및 도 2b는 기판이 하강한 상태를 보인, 도 1에 도시된 공정부의 가열로의 확대 정면도 및 확대 측면도.
도 3a 및 도 3b는 기판이 상승한 상태를 보인, 도 1에 도시된 공정부의 가열로의 확대 정면도 및 확대 측면도.1 is a front view showing a schematic configuration of an inline heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are enlarged front and enlarged side views of the heating furnace of the process unit shown in FIG. 1, in which the substrate is in a lowered state;
3A and 3B are enlarged front and enlarged side views of the heating furnace of the process unit shown in Fig. 1, showing the state in which the substrate is raised;

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특정 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and specific features described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, an inline heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 인라인 열처리 장치의 개략적 구성을 보인 정면도이다.1 is a front view showing a schematic configuration of an inline heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치는 로딩부(100), 승온부(200), 공정부(300), 냉각부(400) 및 언로딩부(500)를 포함하며, 로딩부(100)와 승온부(200)와 공정부(300)와 냉각부(400)와 언로딩부(500)는 차례로 연속적으로 배치된다.As shown, the in-line heat treatment apparatus according to the present embodiment includes a loading part 100, a temperature rising part 200, a process part 300, a cooling part 400 and an unloading part 500, the loading part The 100, the temperature increasing part 200, the processing part 300, the cooling part 400, and the unloading part 500 are sequentially arranged in sequence.

로딩부(100)는 외관을 형성하는 본체(111)와 본체(111)의 내부에 회전가능하게 설치된 복수의 롤러(113)를 가지는 가열로(110)를 포함한다. 롤러(113)에는 지지판(50)이 탑재되어 이송되고, 지지판(50)에는 기판(60)이 로봇아암(미도시)에 의하여 로딩된다. 즉, 지지판(50)에는 기판(60)이 탑재 지지된다. 그러면, 롤러(113)의 회전에 의하여 지지판(50) 및 기판(60)이 승온부(200)로 이송 투입된다. 기판(60)은 로딩부(100)에서 예를 들어 약 200℃ 로 균일하게 예열된 후, 승온부(200)로 이송될 수 있다. 이를 위하여, 본체(111)에는 히터(미도시)가 설치될 수 있다.The loading unit 100 includes a heating furnace 110 having a main body 111 forming an appearance and a plurality of rollers 113 rotatably installed in the main body 111. The support plate 50 is mounted and transported on the roller 113, and the substrate 60 is loaded on the support plate 50 by a robot arm (not shown). That is, the substrate 60 is mounted and supported on the support plate 50. Then, the support plate 50 and the substrate 60 are transferred to the temperature raising part 200 by the rotation of the roller 113. The substrate 60 may be uniformly preheated to, for example, about 200 ° C. in the loading part 100, and then transferred to the temperature raising part 200. To this end, a heater (not shown) may be installed in the main body 111.

승온부(200)는 기판(60)을 소정 온도로 가열하여 공정부(300)로 이송한다. 승온부(200)는 독립적으로 온도가 제어되는 적어도 2개의 가열로(Furnace)(210, 220, 230)를 포함한다. 승온부(200)의 가열로(210, 220, 230)의 개수는 기판(60)의 열처리 온도를 고려하여 적정하게 마련한다.The temperature raising part 200 heats the substrate 60 to a predetermined temperature and transfers the same to the process part 300. The temperature raising unit 200 includes at least two furnaces 210, 220, and 230 which are independently temperature controlled. The number of the heating furnaces 210, 220, 230 of the temperature raising part 200 is appropriately provided in consideration of the heat treatment temperature of the substrate 60.

예를 들면, 기판(60)의 열처리 온도가 약 600℃ 이면, 승온부(200)의 가열로(210, 220, 230)는 3개 마련된다. 그리하여, 첫 번째 가열로(210)의 온도는 로딩부(100)의 예열 온도를 고려하여 300℃ 이상으로 유지되고, 두 번째 가열로(220) 및 세 번째 가열로(230)로의 온도는 각각 450℃ 이상 및 600℃ 이상으로 유지되는 것이 바람직하다.For example, when the heat processing temperature of the board | substrate 60 is about 600 degreeC, three heating furnaces 210, 220, 230 of the temperature raising part 200 are provided. Thus, the temperature of the first furnace 210 is maintained at 300 ° C or higher in consideration of the preheating temperature of the loading unit 100, and the temperatures of the second furnace 220 and the third furnace 230 are 450, respectively. It is preferred to be kept at or above and at or above 600 ° C.

기판(60)은 저온에서는 빠르게 가열 온도를 상승시켜도 변형이 방지될 수 있으나, 고온에서는 빠르게 가열 온도를 상승시키면 변형이 될 수 있다. 따라서, 승온부(200)의 가열로(210, 220, 230)는 저온에서는 빠르게 가열 온도가 상승되도록 설정하고, 고온에서는 서서히 가열 온도가 상승되도록 설정하는 것이 바람직하다.The substrate 60 may be deformed even if the heating temperature is rapidly increased at low temperatures, but may be deformed if the heating temperature is quickly increased at high temperatures. Therefore, it is preferable to set the heating furnaces 210, 220, 230 of the temperature raising part 200 so that the heating temperature is quickly increased at low temperature, and the heating temperature is gradually increased at high temperature.

승온부(200)의 첫 번째 가열로(210)는 외관을 형성하는 본체(211), 본체(211)의 내부에 설치되어 지지판(50)에 탑재된 기판(60)을 이송시키는 복수의 롤러(213) 및 본체(211)의 내부에 독립적으로 설치되어 기판(60)을 가열하는 복수의 히터(215)를 가진다.The first heating furnace 210 of the temperature rising unit 200 is a plurality of rollers for transporting the substrate 60 mounted on the support plate 50 installed in the main body 211 and the main body 211 forming the appearance ( 213 and a plurality of heaters 215 that are independently provided inside the main body 211 to heat the substrate 60.

승온부(200)의 첫 번째 가열로(210)의 구성과 두 번째 및 세 번째 가열로(220, 230)의 구성은 동일하다.The configuration of the first heating furnace 210 and the configuration of the second and third heating furnaces 220 and 230 of the heating unit 200 is the same.

공정부(300)에 대하여 도 1 내지 도 2b를 참조하여 설명한다. 도 2a 및 도 2b는 기판이 하강한 상태를 보인, 도 1에 도시된 공정부의 가열로의 확대 정면도 및 확대 측면도이다.The process unit 300 will be described with reference to FIGS. 1 to 2B. 2A and 2B are enlarged front views and enlarged side views of the heating furnace of the process unit shown in FIG. 1, in which the substrate is lowered.

공정부(300)는 가열로(310)를 가지며, 승온부(200)에서 이송된 기판(60)을 소정의 열처리 온도에서 열처리한다. 가열로(310)는 외관을 형성하는 본체(311), 본체(311)의 내부에 설치되어 지지판(50)에 탑재된 기판(60)을 이송시키는 복수의 롤러(313) 및 본체(311)의 내부에 독립적으로 설치되어 기판(60)을 가열하는 복수의 히터(315)를 가진다.The process unit 300 has a heating furnace 310 and heat-treats the substrate 60 transferred from the temperature raising unit 200 at a predetermined heat treatment temperature. The heating furnace 310 may include a main body 311 forming an exterior, a plurality of rollers 313 and a main body 311 installed inside the main body 311 to transfer the substrate 60 mounted on the support plate 50. It has a plurality of heaters 315 which are independently installed inside and heat the substrate 60.

공정부(300)로 이송된 기판(60)은, 필요에 따라, 예를 들면 600℃ 이상에서 소정 시간 이상 열처리 될 경우가 있다. 이때, 기판(60)이 롤러(313)에 탑재된 지지판(50)에 탑재 지지되어 열처리 되면, 롤러(313)와 롤러(313) 주위의 부품들이 고열에 의하여 손상될 우려가 있다.The board | substrate 60 conveyed to the process part 300 may be heat-processed for more than predetermined time, for example at 600 degreeC or more as needed. At this time, when the substrate 60 is mounted and supported by the support plate 50 mounted on the roller 313 and heat treated, the roller 313 and the parts around the roller 313 may be damaged by high heat.

이를 위하여, 본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치는 기판(60)이 소정 온도 이상에서 소정 시간 이상 열처리 될 경우, 기판(60)을 상승시켜, 가열로(310)의 상측에서 기판(60)을 열처리한다. 그러면, 롤러(313)와 롤러(313) 주위의 부품들이 고열에 의하여 손상되는 것이 상대적으로 방지된다.To this end, the in-line heat treatment apparatus according to the present embodiment, when the substrate 60 is heat-treated for a predetermined time or more at a predetermined temperature or more, the substrate 60 is raised to heat-treat the substrate 60 on the upper side of the heating furnace 310. do. Then, the roller 313 and the parts around the roller 313 are relatively prevented from being damaged by high heat.

본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치에는, 기판(60)을 승강시키기 위하여, 지지판(50)을 승강시키는 승강수단이 마련되는데, 이를 도 2a 내지 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 기판이 상승한 상태를 보인, 도 1에 도시된 공정부의 가열로의 확대 정면도 및 확대 측면도이다.In the in-line heat treatment apparatus according to the present embodiment, the elevating means for elevating the support plate 50 is provided in order to elevate the substrate 60, which will be described with reference to FIGS. 2A to 3B. 3A and 3B are enlarged front views and enlarged side views of the heating furnace of the process unit shown in FIG. 1, showing the state in which the substrate is raised.

도시된 바와 같이, 상기 승강수단은 상부측은 가열로(310)의 내부에 위치되고, 하부측은 가열로(310)의 외부에 위치되어 승강가능하게 설치된 복수의 승강바(321)와 승강바(321)의 하단부에 결합되어 승강바(321)를 승강시키는 실린더(323)로 마련된다.As shown in the drawing, the elevating means has a plurality of elevating bars 321 and elevating bars 321, the upper side of which is located inside the heating furnace 310 and the lower side of which is located outside of the heating furnace 310. It is coupled to the lower end of the provided with a cylinder 323 for elevating the lifting bar 321.

이때, 승강바(321)가 주위의 간섭 없이 승강할 수 있도록, 사각형상으로 마련된 지지판(60)의 모서리부는 롤러(313)의 양단부 외측으로 각각 노출되고, 승강부(321)는 4개 마련되어 지지판(60)의 모서리부 하부측에 위치된다.At this time, the corners of the support plate 60 provided in a quadrangular shape are exposed to the outside of both ends of the roller 313 so that the lifting bar 321 can be lifted without surrounding interference, and four lifting portions 321 are provided. It is located in the lower edge part of 60.

그리하여, 도 2a 및 도 2b의 상태에서, 실린더(323)의 피스톤(323a)(도 3a 및 도 3b 참조)이 상승하면, 승강바(321)가 상승하면서, 도 3a 및 도 3b의 상태와 같이, 지지판(50)과 기판(60)을 상승시킨다.Thus, in the state of FIGS. 2A and 2B, when the piston 323a (see FIGS. 3A and 3B) of the cylinder 323 rises, the lifting bar 321 rises, as in the states of FIGS. 3A and 3B. The support plate 50 and the substrate 60 are raised.

도 2a 및 도 2b와 같이 지지판(50)과 기판(60)이 하강한 상태, 그리고, 도 3a 및 도 3b와 같이 지지판(50)과 기판(60)이 상승한 상태에서 기판(60)을 열처리할 수 있도록, 히터(315) 중 일부는 승강바(321)의 하사점 위치에 대응되는 가열로(310)의 부위에 설치되고, 다른 일부는 승강바(321)의 상사점 위치에 대응되는 가열로(310)의 내부에 설치된다. 그리고, 롤러(313)는 승강바(321)의 하사점 위치와 대응되는 가열로(310)의 부위에 설치되는 것이 당연하다.2A and 2B, the support plate 50 and the substrate 60 are lowered, and as shown in FIGS. 3A and 3B, the support plate 50 and the substrate 60 are raised to heat-treat the substrate 60. Some of the heaters 315 may be installed at a portion of the heating furnace 310 corresponding to the bottom dead center position of the elevating bar 321, and another portion of the heater 315 may be disposed at the top dead center position of the elevating bar 321. It is installed inside the 310. In addition, the roller 313 is naturally installed in the portion of the heating furnace 310 corresponding to the bottom dead center position of the lifting bar 321.

기판(60)을 상승시킨 상태에서, 더욱 고온의 열로 기판(60)을 열처리할 수 있도록, 승강바(321)의 하사점 부위 측보다 승강바(321)의 상사점 부위 측에 더 많은 히터(315)를 설치하거나, 더 큰 용량의 히터(315)를 설치하는 것이 바람직하다.In the state in which the substrate 60 is raised, more heaters are disposed on the top dead center portion side of the elevating bar 321 than the bottom dead center portion side of the elevating bar 321 so that the substrate 60 can be heat treated with a higher temperature. It is desirable to install 315 or to install a larger capacity heater 315.

그러면, 기판(60)은 상대적으로 롤러(313)로부터 이격되어 상대적으로 고온인 가열로(310)이 상측 부위에서 열처리되므로, 롤러(313)와 롤러(313) 주위의 부품들이 열에 의하여 손상되는 것이 상대적으로 방지된다.Then, since the substrate 60 is relatively spaced apart from the roller 313 and the relatively high temperature heating furnace 310 is heat-treated at the upper portion, it is possible that the components around the roller 313 and the roller 313 are damaged by heat. Relatively avoided.

승강바(321)의 하단부측을 프레임(325)에 각각 결합하고, 실린더(323)의 피스톤(323a)을 프레임(325)의 중앙부측에 결합하면, 하나의 실린더(323)를 이용하여 4개의 승강바(321)를 승강시킬 수 있다.When the lower end side of the elevating bar 321 is coupled to the frame 325, respectively, and the piston 323a of the cylinder 323 is coupled to the center side of the frame 325, four cylinders are used using one cylinder 323. The lifting bar 321 may be raised and lowered.

가열로(310) 내부의 열이 외부로 방열되는 것을 방지하기 위하여, 승강바(321)가 관통하는 본체(311)의 부위에는 단열관(311a)이 결합되고, 승강바(321)는 단열관(311a)에 삽입되어 승강한다.In order to prevent heat inside the heating furnace 310 from being radiated to the outside, an insulation tube 311a is coupled to a portion of the main body 311 through which the elevating bar 321 penetrates, and the elevating bar 321 is an insulation tube. Inserted into and lifted by 311a.

그리고, 승강바(321)의 하사점 부위 측에 설치된 히터(315) 중 일부는 롤러(313)의 회전에 대하여 독립적으로 롤러(313)의 내부에 설치될 수 있다. 그러면, 롤러(313)가 위치된 부위의 온도와 롤러(313) 외측의 히터(315)가 위치된 부위의 온도가 거의 균일하게 되므로, 기판(60)은 더욱 균일하게 가열된다. 롤러(313)의 회전에 대하여 히터(315)가 회전되지 않도록 구성하는 것은 다양하게 구성할 수 있으므로, 설명을 생략한다.In addition, some of the heaters 315 provided at the bottom dead center portion side of the elevating bar 321 may be installed inside the roller 313 independently of the rotation of the roller 313. Then, since the temperature of the site where the roller 313 is located and the temperature of the site where the heater 315 outside the roller 313 is located are almost uniform, the substrate 60 is heated more uniformly. Since the heater 315 may not be rotated with respect to the rotation of the roller 313, various configurations may be made, and thus description thereof will be omitted.

로딩부(100)의 가열로(110) 및 승온부(200)의 가열로(210, 220, 230)도 공정부(300)의 가열로(310)와 같이 지지판(50)과 기판(60)을 승강시킬 수 있도록 구성할 수 있다. 또한, 로딩부(100)의 상기 히터 및 승온부(200)의 히터(215)도 공정부(300)의 히터(315)와 같이 구성할 수 있다. The heating plate 110 of the loading unit 100 and the heating furnaces 210, 220, and 230 of the heating unit 200 may also support the support plate 50 and the substrate 60 like the heating furnace 310 of the process unit 300. It can be configured to raise and lower. In addition, the heater of the loading unit 100 and the heater 215 of the heating unit 200 may also be configured like the heater 315 of the process unit 300.

냉각부(400)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정부(300)에서 이송된 기판(60)을 소정 온도로 냉각시킨 후 언로딩부(500)로 이송한다. 냉각부(400)는 독립적으로 온도가 제어되는 적어도 2개의 가열로(410, 420)를 포함하며, 냉각부(400)의 가열로(410, 420)의 개수는 기판(60)의 열처리 온도를 고려하여 적정한 수로 마련된다.As shown in FIG. 1, the cooling unit 400 cools the substrate 60 transferred from the process unit 300 to a predetermined temperature and then transfers the unloading unit 500. The cooling unit 400 includes at least two heating furnaces 410 and 420 whose temperature is independently controlled, and the number of the heating furnaces 410 and 420 of the cooling unit 400 determines the heat treatment temperature of the substrate 60. In consideration, the appropriate number is prepared.

냉각부(400)에는 기판(60)을 균일하게 냉각시키기 위한 다양한 냉각수단이 마련될 수 있다.The cooling unit 400 may be provided with various cooling means for uniformly cooling the substrate 60.

냉각부(400)의 가열로(410,420)도 공정부(300)의 가열로(310)와 같이 지지판(50)과 기판(60)을 승강시킬 수 있도록 구성할 수 있고, 공정부(300)의 히터(315)와 같이 구성할 수 있다.The heating furnaces 410 and 420 of the cooling unit 400 may also be configured to lift and lower the support plate 50 and the substrate 60, like the heating furnace 310 of the process unit 300. It can be configured as the heater 315.

언로딩부(500)는 외관을 형성하는 본체(511)와 본체(511)의 내부에 회전가능하게 설치된 복수의 롤러(513)를 가지는 가열로(510)를 포함한다. 언로딩부(500)로 이송된 기판(60)은 변형되지 않도록 예를 들면 100℃ 이하까지 균일하게 냉각된 후, 다음 공정으로 이송된다. 이때, 언로딩부(500)에는 기판(60)의 균일한 냉각을 위하여 기판(60)의 상면을 가열할 수 있는 히터(미도시)가 마련될 수 있다.The unloading part 500 includes a heating furnace 510 having a main body 511 forming an external appearance and a plurality of rollers 513 rotatably installed inside the main body 511. The substrate 60 transferred to the unloading part 500 is uniformly cooled to, for example, 100 ° C. or less so as not to be deformed, and then transferred to the next step. In this case, the unloading unit 500 may be provided with a heater (not shown) capable of heating the upper surface of the substrate 60 to uniformly cool the substrate 60.

언로딩부(500)의 가열로(510)도 공정부(300)의 가열로(310)와 같이 지지판(50)과 기판(60)을 승강시킬 수 있도록 구성할 수 있고, 공정부(300)의 히터(315)와 같이 구성할 수 있다.The heating furnace 510 of the unloading unit 500 may also be configured to lift and lower the support plate 50 and the substrate 60, like the heating furnace 310 of the process unit 300, and the process unit 300. It can be configured as the heater 315 of the.

본 실시예에 따른 인라인 열처리 장치는 각 가열로(110, 210, 220, 230, 310, 410, 420, 510)의 온도 및 상호 인접하는 가열로(110, 210)(210, 220)(220, 230)(230, 310)(310, 410)(410, 420)(420, 510) 사이의 온도 차가 완만한 구배(勾配)를 가지면서 선형적으로 변하도록 상기 히터들을 각각 독립적으로 설치하여, 독립적으로 제어한다.In-line heat treatment apparatus according to the present embodiment is the temperature of each of the heating furnace (110, 210, 220, 230, 310, 410, 420, 510) and adjacent heating furnace (110, 210) (210, 220) (220, 230, 230, 310, 310, 410, 410, 420, 420, 510 are independently installed such that the heaters change linearly with a gentle gradient, To control.

그러면, 상호 인접하는 가열로(110, 210)(210, 220)(220, 230)(230, 310)(310, 410)(410, 420)(420, 510) 사이의 온도 차가 완만한 구배를 가지면서 선형적으로 변하므로, 기판(60)이 열충격 또는 열응력에 의하여 손상되는 것이 방지된다.Then, the gradient between the heating furnaces 110, 210, 210, 220, 220, 230, 230, 310, 310, 410, 410, 420, 420, 510 that are adjacent to each other is gentle. Since it changes linearly with, the substrate 60 is prevented from being damaged by thermal shock or thermal stress.

상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.The drawings of the embodiments of the present invention described above are schematically illustrated so as to easily understand the parts belonging to the technical idea of the present invention by omitting detailed outline lines. It should be noted that the above-described embodiments are not intended to limit the technical spirit of the present invention and are merely a reference for understanding the technical scope of the present invention.

100: 로딩부 200: 승온부
300: 공정부 311: 본체
313: 롤러 315: 히터
321: 승강바 323: 실린더
400: 냉각부 500: 언로딩부100: loading unit 200: heating unit
300: process part 311: main body
313: roller 315: heater
321: lifting bar 323: cylinder
400: cooling part 500: unloading part

Claims (8)

연속적으로 배치되며 기판이 열처리되는 공간을 각각 제공하는 복수의 가열로(Furnace); 각각의 상기 가열로의 내부에 설치되며, 상기 기판이 탑재 지지되는 지지판을 인접하는 다른 가열로로 이송하는 복수의 롤러; 각각의 상기 가열로의 내부에 설치되며, 상기 기판을 승온시키는 복수의 히터; 복수의 상기 가열로 중 적어도 하나의 가열로에 설치되며, 상기 지지판을 승강시키는 승강수단을 포함하는 인라인 열처리 장치로서,
상기 롤러는 상기 승강수단의 하사점 부위와 대응되는 부위에 설치되며,
상기 히터 중 일부는 상기 승강수단의 하사점 부위와 대응되는 부위에 설치되고, 다른 일부는 상기 승강수단의 상사점 부위와 대응되는 부위에 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.A plurality of heating furnaces (Furnace) disposed continuously and each providing a space in which the substrate is heat treated; A plurality of rollers installed in each of the heating furnaces and transferring the supporting plate on which the substrate is mounted and supported to another adjacent heating furnace; A plurality of heaters installed inside each of the heating furnaces to heat up the substrate; An inline heat treatment apparatus installed in at least one heating furnace of a plurality of said heating furnaces, and including lifting means for elevating said supporting plate.
The roller is installed at a portion corresponding to the bottom dead center portion of the lifting means,
And a part of the heater is installed at a portion corresponding to the bottom dead center portion of the elevating means, and the other portion is installed at a portion corresponding to the top dead center portion of the elevating means. 제1항에 있어서,
상기 승강수단은, 일측은 상기 가열로의 내부에 위치되고 타측은 상기 가열로의 외부에 위치되어 승강가능하게 설치된 복수의 승강바; 및 상기 승강바의 타단부측에 결합되어 상기 승강바를 승강시키는 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.The method of claim 1,
The elevating means, a plurality of elevating bar is installed on one side is located inside the heating furnace and the other side is located outside the heating furnace to be elevated; And a cylinder coupled to the other end side of the elevating bar to elevate the elevating bar. 제2항에 있어서,
상기 승강바가 관통하는 상기 가열로의 부위에는 단열관이 설치되고, 상기 승강바는 상기 단열관에 삽입되어 승강하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치. The method of claim 2,
An insulator tube is installed at a portion of the heating furnace through which the elevating bar penetrates, and the elevating bar is inserted into the insulated tube to elevate. 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 승강바의 상사점 부위 측에 설치된 상기 히터에 의해 발생되는 열이 상기 승강바의 하사점 부위 측에 설치된 상기 히터에 의해서 발생되는 열 보다 고열(高熱)인 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.The method of claim 3,
And heat generated by the heater provided at the top dead center part side of the elevating bar is higher than heat generated by the heater provided at the bottom dead center part side of the elevating bar. 제5항에 있어서,
상기 승강바의 하사점 부위 측에 설치된 상기 히터 중 일부는 상기 롤러의 회전에 대하여 독립적으로 상기 롤러의 내부에 설치된 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.The method of claim 5,
Some of the heaters provided on the bottom dead center portion side of the elevating bar are installed inside the rollers independently of the rotation of the rollers. 제1항에 있어서,
상기 히터는 각각 독립적으로 설치되어, 각각 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.The method of claim 1,
The heaters are installed independently of each other, in-line heat treatment apparatus, characterized in that each independently controlled. 제7항에 있어서,
각각의 상기 가열로의 온도 및 상호 인접하는 상기 가열로 사이의 온도 차는 상기 기판의 이송 방향을 따라 선형적으로 변하는 것을 특징으로 하는 인라인 열처리 장치.The method of claim 7, wherein
In-line heat treatment apparatus, wherein the temperature difference between each of the heating furnaces and the adjacent heating furnaces varies linearly along the conveying direction of the substrate.
KR1020110042710A 2011-05-04 2011-05-04 In-line type heat treatment apparatus KR101243949B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110042710A KR101243949B1 (en) 2011-05-04 2011-05-04 In-line type heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110042710A KR101243949B1 (en) 2011-05-04 2011-05-04 In-line type heat treatment apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120124842A KR20120124842A (en) 2012-11-14
KR101243949B1 true KR101243949B1 (en) 2013-03-13

Family

ID=47510106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110042710A KR101243949B1 (en) 2011-05-04 2011-05-04 In-line type heat treatment apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101243949B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11293459A (en) * 1998-04-07 1999-10-26 Murata Mfg Co Ltd Multilayer film forming device
KR20060095371A (en) * 2005-02-28 2006-08-31 주식회사 비아트론 Apparatus for heat treatment of semiconductor thin film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11293459A (en) * 1998-04-07 1999-10-26 Murata Mfg Co Ltd Multilayer film forming device
KR20060095371A (en) * 2005-02-28 2006-08-31 주식회사 비아트론 Apparatus for heat treatment of semiconductor thin film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120124842A (en) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101015597B1 (en) Apparatus for Heat Treatment of Semiconductor device
KR101002661B1 (en) Inline thermal process equipment and wafer thermal processing method using the same
KR101432754B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101199954B1 (en) Boat For Processing A Substrate
KR20120126268A (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101015596B1 (en) Apparatus for Heat Treatment of Semiconductor Thin Film
KR101243949B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
CN105140153A (en) Heater block and substrate heat treatment apparatus using the heater block
KR101284065B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101258615B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101445685B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101015595B1 (en) Apparatus for Heat Treatment of Semiconductor Thin Film
KR20130032349A (en) In-line type heat treatment apparatus and method for controlling temperature of the same
KR101188270B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101258621B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101258620B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
JP2014519187A (en) In-line heat treatment equipment
KR101317282B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR20120124192A (en) In-line type heat treatment apparatus and method for controlling temperature of the same
KR101167989B1 (en) Appartus for processing a substrate
KR20140125205A (en) In-line type heat treatment apparatus
KR101258629B1 (en) In-line type heat treatment apparatus and method for transporting substrate of the same
KR101258982B1 (en) In-line type heat treatment apparatus
KR102166492B1 (en) Apparatus for heat processing
KR20140089169A (en) In-line type heat treatment apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170306

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180306

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190123

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 8