KR101240646B1 - Liquid crystal display - Google Patents
Liquid crystal display Download PDFInfo
- Publication number
- KR101240646B1 KR101240646B1 KR1020050083267A KR20050083267A KR101240646B1 KR 101240646 B1 KR101240646 B1 KR 101240646B1 KR 1020050083267 A KR1020050083267 A KR 1020050083267A KR 20050083267 A KR20050083267 A KR 20050083267A KR 101240646 B1 KR101240646 B1 KR 101240646B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- subpixel
- liquid crystal
- pixel
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 54
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 101150022676 CSTB gene Proteins 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 101150084890 cstA gene Proteins 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 molybdenum alloys Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
- G02F1/134354—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy the sub-pixels being capacitively coupled
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 기판, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있으며 각각 제1 및 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극을 포함하며, 상기 화소 전극은 각각 위아래로 인접한 적어도 두 개의 제1 전극과 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 경사 방향이 서로 다른 적어도 두 개의 평행사변형 전극편을 포함하며, 상기 제1 부화소 전극은 상기 제1 전극을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 적어도 하나씩 포함하는 액정 표시 장치이다. 이와 같이 본 발명에서는 개구율이 더 향상되며 측면 시인성을 향상시킬 수 있고, 세로줄 표현이 더욱 좋아지며 중대형 표시 장치에서 투과율을 높일 수 있다. 또한 유지 축전기의 용량 조절, 화소 전극의 면적 조절 및 데이터선 사이의 간격 조절이 자유롭고, 데이터선과 화소 전극과의 중첩 면적의 조절이 용이하여 기생 축전기의 용량을 적절히 조절할 수 있다.The present invention includes a substrate and a pixel electrode formed on the substrate, each pixel electrode including a first and a second subpixel electrode, each pixel electrode comprising at least two first electrodes and at least one second electrode adjacent up and down, respectively. An electrode, each of the first and second electrodes including at least two parallelogram electrodes having different inclination directions, wherein the first subpixel electrode includes the first electrode, and the second subpixel An electrode is a liquid crystal display including at least one of the first electrode and the second electrode. As described above, in the present invention, the aperture ratio may be further improved, the side visibility may be improved, the vertical line representation may be improved, and the transmittance may be increased in the medium-large display device. In addition, the capacitance of the storage capacitor, the area of the pixel electrode, and the distance between the data lines can be freely adjusted, and the overlapping area between the data lines and the pixel electrodes can be easily adjusted, so that the capacitance of the parasitic capacitor can be appropriately adjusted.
Zcell, 더블부메랑, SPVA, 시인성구조, 고개구율, 유기막 Zcell, double boomerang, SPVA, visibility structure, high opening ratio, organic film
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이고,1 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 두 부화소에 대한 등가 회로도이고,2 is an equivalent circuit diagram of two subpixels of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 한 화소에 대한 등가 회로도이고,3 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal panel assembly according to an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 하부 표시판의 배치도이고,4 is a layout view of a lower panel of a liquid crystal panel assembly according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 상부 표시판의 배치도이고,5 is a layout view of an upper panel of a liquid crystal panel assembly according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6은 도 4의 하부 표시판과 도 5의 상부 표시판을 포함하는 액정 표시판 조립체의 배치도이고,FIG. 6 is a layout view of a liquid crystal panel assembly including the lower panel of FIG. 4 and the upper panel of FIG. 5.
도 7은 도 6의 액정 표시판 조립체를 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal panel assembly of FIG. 6 taken along the line VII-VII. FIG.
도 8a 내지 도 8c는 도 4 내지 도 7에 도시한 부화소 전극의 기본이 되는 전극편의 평면도이고,8A to 8C are plan views of electrode pieces serving as a basis for the subpixel electrodes shown in FIGS. 4 to 7,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 하부 표시판의 배치도이고,9 is a layout view of a lower panel of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 상부 표시판의 배치도이고,10 is a layout view of an upper panel of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 11은 도 9의 하부 표시판과 도 10의 상부 표시판을 포함하는 액정 표시판 조립체의 배치도이고,FIG. 11 is a layout view of a liquid crystal panel assembly including the lower panel of FIG. 9 and the upper panel of FIG. 10.
도 12는 도 11의 액정 표시판 조립체를 XII-XII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 12 is a cross-sectional view of the liquid crystal panel assembly of FIG. 11 taken along the line XII-XII.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 한 화소에 대한 등가 회로도이고,FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 배치도이고,14 is a layout view of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 15는 도 14의 액정 표시판 조립체를 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 15 is a cross-sectional view of the liquid crystal panel assembly of FIG. 14 taken along the line XV-XV.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.16 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
<도면부호의 설명><Description of Drawing>
12, 22: 편광판 11, 21: 배향막12, 22: polarizing
71Ra-71Rd2, 71Ga-71Gd, 71Ba-71Bd2: 공통 전극 절개부71Ra-71Rd2, 71Ga-71Gd, 71Ba-71Bd2: common electrode incision
91a-91d, 92: 화소 전극 절개부91a-91d and 92: pixel electrode cutouts
81, 81a, 81b, 82, 82a, 82b: 접촉 보조 부재81, 81a, 81b, 82, 82a, 82b: contact auxiliary member
110, 210: 기판110, 210: substrate
121, 121a, 121b, 129a, 129b: 게이트선121, 121a, 121b, 129a, 129b: gate line
124, 124a, 124b, 124c, 124d: 게이트 전극124, 124a, 124b, 124c, and 124d: gate electrode
131, 137, 137a, 137b: 유지 전극선 140: 게이트 절연막131, 137, 137a, and 137b: sustain electrode line 140: gate insulating film
154, 154a-154d: 반도체154, 154a-154d: semiconductor
161, 163a-163c, 165a-165c: 저항성 접촉 부재161, 163a-163c, and 165a-165c: resistive contact members
171, 171c, 171d, 179, 179c, 179d: 데이터선171, 171c, 171d, 179, 179c, 179d: data line
173, 173a-173d: 소스 전극173, 173a-173d: source electrode
175a-175d, 176a, 177a-177d: 드레인 전극175a-175d, 176a, 177a-177d: drain electrode
180: 보호막180: shield
181, 181a, 181b, 182, 182c, 182d, 185, 185a-185d: 접촉 구멍181, 181a, 181b, 182, 182c, 182d, 185, 185a-185d: contact hole
191Ra-191Rd2, 191Ga-191Gd, 191Ba-191Bd2, 192R, 192B: 화소 전극191Ra-191Rd2, 191Ga-191Gd, 191Ba-191Bd2, 192R, 192B: pixel electrode
220: 차광 부재 230: 색필터220: light blocking member 230: color filter
250: 덮개막 270: 공통 전극250: overcoat 270: common electrode
300: 액정 표시판 조립체 400: 게이트 구동부300: liquid crystal panel assembly 400: gate driver
500: 데이터 구동부 600: 신호 제어부500: data driver 600: signal controller
800: 계조 전압 생성부800: a gradation voltage generating section
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices and is composed of two display panels in which electric field generating electrodes such as a pixel electrode and a common electrode are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween, To generate an electric field in the liquid crystal layer, thereby determining the orientation of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer and controlling the polarization of the incident light to display an image.
액정 표시 장치는 또한 각 화소 전극에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 스위칭 소자를 제어하여 화소 전극에 전압을 인가하기 위한 게이트선과 데이터선 등 다수의 신호선을 포함한다.The liquid crystal display device further includes a switching element connected to each pixel electrode, and a plurality of signal lines such as a gate line and a data line for controlling the switching element to apply a voltage to the pixel electrode.
이러한 액정 표시 장치 중에서도, 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode)의 액정 표시 장치는 대비비가 크고 기준 시야각이 넓어서 각광받고 있다. 여기에서 기준 시야각이란 대비비가 1:10인 시야각 또는 계조간 휘도 반전 한계 각도를 의미한다.Among such liquid crystal display devices, a liquid crystal display device having a vertically aligned mode in which the long axis of the liquid crystal molecules are arranged perpendicular to the upper and lower display panels without an electric field applied to the liquid crystal display device is gaining attention due to its large contrast ratio and wide reference viewing angle. . Herein, the reference viewing angle means a viewing angle with a contrast ratio of 1:10 or a luminance reversal limit angle between gradations.
수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전기장 생성 전극에 절개부를 형성하는 방법과 전기장 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 절개부와 돌기로 액정 분자가 기우는 방향을 결정할 수 있으므로, 이들을 사용하여 액정 분자의 경사 방향을 여러 방향으로 분산시킴으로써 기준 시야각을 넓힐 수 있다.As means for realizing a wide viewing angle in a vertical alignment mode liquid crystal display device, there are a method of forming a cut portion in an electric field generating electrode and a method of forming a projection on an electric field generating electrode. Since the inclination and the projection can determine the direction in which the liquid crystal molecules are tilted, the reference viewing angle can be widened by using these to disperse the oblique directions of the liquid crystal molecules in various directions.
측면 시인성을 개선하기 위하여 하나의 화소를 두 개의 부화소로 분할하고 두 부화소를 용량성 결합시킨 후 한 쪽 부화소에는 직접 전압을 인가하고 다른 쪽 부화소에는 용량성 결합에 의한 전압 하강을 일으켜 두 부화소의 전압을 달리 함으로써 투과율을 다르게 하는 방법이 제시되었다.In order to improve side visibility, one pixel is divided into two subpixels, two subpixels are capacitively coupled, and a voltage is directly applied to one subpixel and a voltage drop is caused by capacitive coupling to the other subpixel. A method of changing the transmittances by changing the voltages of the two subpixels has been proposed.
그러나 이러한 방법은 두 부화소의 투과율을 원하는 수준으로 정확하게 맞출 수 없고, 특히 색상에 따라 광투과율이 다르므로 각 색상에 대한 전압 배합을 달리 하여야 함에도 불구하고 이를 행할 수 없다. 또한 용량성 결합을 위한 도전체의 추가 등으로 인한 개구율의 저하가 나타나고 용량성 결합에 의한 전압 강하로 인하여 투과율이 감소한다.However, this method does not exactly match the transmittance of the two subpixels to the desired level, and in particular, the light transmittance is different depending on the color, and thus this cannot be done even though the voltage combination for each color must be different. In addition, a decrease in the aperture ratio may occur due to the addition of a conductor for capacitive coupling, and the transmittance may decrease due to a voltage drop caused by the capacitive coupling.
또한 돌기나 절개부가 있는 부분은 빛이 투과하기 어려우므로 이들이 많을수록 개구율이 떨어진다. 개구율을 높이기 위하여 화소 전극을 넓힌 초고개구율 구조가 제시되었다. 그러나 이 경우 화소 전극 사이의 거리가 가깝고 화소 전극과 데이터선 사이의 거리도 가까워서 화소 전극 가장자리 부근에 강한 측방향 전기장(lateral field)이 형성된다. 이러한 측방향 전기장으로 인하여 액정 분자들의 배향이 흐트러지고 이에 따라 텍스처(texture)나 빛샘이 생기며 응답 시간이 길어진다.In addition, the part with protrusions or cutouts is difficult to transmit light, so the more they are, the lower the opening ratio. In order to increase the aperture ratio, an ultra-high opening ratio structure in which a pixel electrode is widened is proposed. However, in this case, the distance between the pixel electrodes is close and the distance between the pixel electrode and the data line is also close, so that a strong lateral field is formed near the edge of the pixel electrode. Due to this lateral electric field, the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed, resulting in texture or light leakage and a long response time.
또한 수직 배향 모드의 액정 표시 장치는 전면 시인성에 비하여 측면 시인성이 떨어진다. 예를 들어, 절개부가 구비된 PVA(patterned vertically aligned) 방식의 액정 표시 장치의 경우에는 측면으로 갈수록 영상이 밝아져서, 심한 경우에는 높은 계조 사이의 휘도 차이가 없어져 그림이 뭉그러져 보이기도 한다.In addition, the liquid crystal display of the vertical alignment mode is less lateral visibility than the front visibility. For example, in the case of a patterned vertically aligned (PVA) type liquid crystal display device having an incision, the image becomes brighter toward the side, and in severe cases, the luminance difference between the high grays is disappeared, and the picture may be clumped.
본 발명이 이루고자 하는 한 기술적 과제는 액정 표시 장치의 개구율을 높이 면서 투과율을 향상하는 것이다.One technical problem to be achieved by the present invention is to improve transmittance while increasing the aperture ratio of the liquid crystal display device.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 측면 시인성을 향상하는 것이다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to improve side visibility.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 세로줄 표현을 좋게 하고, 각 부화소 전극에 전압 인가를 용이하게 하며, 액정 표시판 조립체 배치의 유연성을 높이는 것이다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to improve the vertical line representation, facilitate the application of voltage to each subpixel electrode, and increase the flexibility of the liquid crystal panel assembly arrangement.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있으며 각각 제1 및 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극을 포함하며, 상기 화소 전극은 각각 위아래로 인접한 적어도 두 개의 제1 전극과 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 경사 방향이 서로 다른 적어도 두 개의 평행사변형 전극편을 포함하며, 상기 제1 부화소 전극은 상기 제1 전극을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 적어도 하나씩 포함한다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate and a pixel electrode formed on the substrate, the pixel electrode including first and second subpixel electrodes, respectively, wherein the pixel electrode is at least two adjacent top and bottom sides. A first electrode and at least one second electrode, each of the first and second electrodes including at least two parallelogram electrodes having different inclination directions, wherein the first subpixel electrode is configured to support the first electrode. The second subpixel electrode includes at least one of the first electrode and the second electrode.
상기 제1 전극의 높이와 상기 제2 전극의 높이는 서로 다를 수 있다.The height of the first electrode and the height of the second electrode may be different from each other.
상기 제1 부화소 전극의 제1 전극은 상기 제2 부화소 전극의 제1 전극과 좌우로 인접할 수 있다.The first electrode of the first subpixel electrode may be adjacent to the left and right of the first electrode of the second subpixel electrode.
상기 화소 전극은 왼쪽 또는 오른쪽으로 정렬되어 있을 수 있다.The pixel electrode may be aligned left or right.
상기 전극편은 서로 나란한 한 쌍의 빗변을 포함하고, 상기 제1 전극의 전극편의 빗변은 상기 제2 전극의 전극편의 빗변과 엇갈리게 배치되어 있을 수 있다.The electrode piece may include a pair of hypotenuses that are parallel to each other, and the hypotenuse of the electrode piece of the first electrode may be alternately arranged with the hypotenuse of the electrode piece of the second electrode.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있으며 각각 제1 및 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극을 포함하며, 상기 화소 전극은 각각 위아래로 인접한 적어도 하나의 제1 전극과 적어도 하나의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극 각각은 경사 방향이 서로 다른 적어도 두 개의 평행사변형 전극편을 포함하며, 상기 제1 전극의 높이와 상기 제2 전극의 높이는 서로 다르다.A liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate and a pixel electrode formed on the substrate, the pixel electrode including first and second subpixel electrodes, respectively, wherein the pixel electrode is at least one adjacent up and down. A first electrode and at least one second electrode, each of the first and second electrodes including at least two parallelogram electrodes having different inclination directions, the height of the first electrode and the second electrode Heights are different.
상기 제1 부화소 전극은 상기 제1 전극을 포함하고, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제2 전극을 두 개 이상 포함할 수 있다.The first subpixel electrode may include the first electrode, and the second subpixel electrode may include two or more second electrodes.
상기 제2 부화소 전극은 좌우로 인접하며 서로 연결되어 있는 세 개의 상기 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 부화소 전극은 상기 제2 전극 중 가운데에 위치한 제2 전극과 정렬되어 있을 수 있다.The second subpixel electrode may include three second electrodes adjacent to each other and connected to each other, and the first subpixel electrode may be aligned with a second electrode located at the center of the second electrodes.
상기 화소 전극은 왼쪽 또는 오른쪽으로 정렬되어 있을 수 있다.The pixel electrode may be aligned left or right.
상기 제1 전극의 높이는 상기 제2 전극의 높이보다 높고 2배 이하일 수 있다.The height of the first electrode may be higher than the height of the second electrode and less than twice.
상기 제2 부화소 전극의 면적은 상기 제1 부화소 전극 면적의 1.1배 내지 3배일 수 있다.The area of the second subpixel electrode may be 1.1 to 3 times the area of the first subpixel electrode.
상기 화소 전극과 마주하며 절개부를 가지는 공통 전극을 더 포함하고, 상기 전극편은 서로 나란한 한 쌍의 빗변을 포함하고, 상기 절개부는 상기 제1 및 제2 부화소 전극을 가로지르며, 상기 전극편의 빗변과 평행한 사선부를 포함할 수 있다.And a common electrode facing the pixel electrode and having a cutout portion, wherein the electrode piece includes a pair of hypotenuses parallel to each other, and the cutoff portion crosses the first and second subpixel electrodes, and the hypotenuse side of the electrode piece. It may include an oblique portion parallel to the.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극의 전압은 서로 다를 수 있다.Voltages of the first subpixel electrode and the second subpixel electrode may be different from each other.
상기 제1 부화소 전극과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 부화소 전극과 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 신호선, 상기 제2 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제2 신호선, 그리고 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 상기 제1 및 제2 신호선과 교차하는 제3 신호선을 더 포함할 수 있다.A first thin film transistor connected to the first subpixel electrode, a second thin film transistor connected to the second subpixel electrode, a first signal line connected to the first thin film transistor, and connected to the second thin film transistor The display device may further include a second signal line and a third signal line connected to the first and second thin film transistors and intersecting the first and second signal lines.
상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터는 각각 상기 제1 및 제2 신호선으로부터의 신호에 따라 턴온되어 상기 제3 신호선으로부터의 신호를 전달할 수 있다.The first and second thin film transistors may be turned on according to signals from the first and second signal lines, respectively, to transmit signals from the third signal line.
상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터는 각각 상기 제3 신호선으로부터의 신호에 따라 턴온되어 상기 제1 및 제2 신호선으로부터의 신호를 전달할 수 있다.The first and second thin film transistors may be turned on according to signals from the third signal line, respectively, to transmit signals from the first and second signal lines.
상기 제1 전극 및 제2 전극의 경계를 따라 뻗는 제4 신호선을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a fourth signal line extending along a boundary between the first electrode and the second electrode.
상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터는 상기 제4 신호선과 중첩하는 제1 및 제2 드레인 전극을 각각 포함할 수 있다.The first and second thin film transistors may include first and second drain electrodes respectively overlapping the fourth signal line.
상기 제1 전극의 가로 중심선을 따라 뻗는 제4 신호선과 상기 제2 전극의 가로 중심선을 따라 뻗는 제5 신호선을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a fourth signal line extending along the horizontal center line of the first electrode and a fifth signal line extending along the horizontal center line of the second electrode.
상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터는 각각 상기 제4 및 제5 신호선과 중첩하는 제1 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다.The first and second thin film transistors may include first and second drain electrodes overlapping the fourth and fifth signal lines, respectively.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극은 용량성 결합되어 있을 수 있다.The first subpixel electrode and the second subpixel electrode may be capacitively coupled.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 기판, 그리고 상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 화소 전극 집합을 포함하며, 상기 화소 전극 집합 각각은 복수의 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극 각각은 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 부화 전극 각각은 경사 방향이 서로 다른 적어도 두 개의 평행사변형 전극편을 포함하며, 상기 각 화소 전극 집합의 화소 전극 중 적어도 하나는 다른 모양을 가진다.A liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate and a plurality of pixel electrode sets formed on the substrate, each of the pixel electrode sets including a plurality of pixel electrodes, and each of the pixel electrodes may be mutually provided. First and second subpixel electrodes separated from each other, each of the first and second subpixel electrodes including at least two parallelogram electrodes having different inclination directions, and among the pixel electrodes of the respective pixel electrode sets. At least one has a different shape.
상기 화소 전극 집합이 동일한 모양으로 행 및 열 방향으로 반복되어 배열되어 있을 수 있다.The pixel electrode sets may be arranged in a row and column direction in the same shape.
상기 화소 전극 집합의 각 화소 전극의 면적은 서로 동일할 수 있다.The area of each pixel electrode of the pixel electrode set may be the same.
상기 화소 전극 집합은 왼쪽 또는 오른쪽으로 정렬되어 있을 수 있다.The pixel electrode set may be aligned left or right.
상기 제2 부화소 전극의 면적은 상기 제1 부화소 전극 면적의 1.1배 내지 3배일 수 있다.The area of the second subpixel electrode may be 1.1 to 3 times the area of the first subpixel electrode.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극의 전압은 서로 다를 수 있다.Voltages of the first subpixel electrode and the second subpixel electrode may be different from each other.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.
먼저, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.First, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 두 부화소에 대한 등가 회로도이다.1 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of two subpixels of the liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시판 조립체(liquid crystal panel assembly)(300) 및 이와 연결된 게이트 구동부(400) 및 데이터 구동부(500), 데이터 구동부(500)에 연결된 계조 전압 생성부(800), 그리고 이들을 제어하는 신호 제어부(600)를 포함한다.1, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a liquid
액정 표시판 조립체(300)는 등가 회로로 볼 때 복수의 신호선(도시하지 않음)과 이에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다. 반면, 도 2에 도시한 구조로 볼 때 액정 표시판 조립체(300)는 서로 마주하는 하부 및 상부 표시판(100, 200)과 그 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.The liquid
신호선은 게이트 신호("주사 신호"라고도 함)를 전달하는 복수의 게이트선(도시하지 않음)과 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(도시하지 않음)을 포함한다. 게이트선은 대략 행 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하고, 데이터선은 대략 열 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of gate lines (not shown) that transmit gate signals (also referred to as "scan signals") and a plurality of data lines (not shown) that transmit data signals. The gate lines extend substantially in the row direction and are substantially parallel to each other, and the data lines extend substantially in the column direction and are substantially parallel to each other.
각 화소(PX)는 한 쌍의 부화소를 포함하며, 각 부화소는 액정 축전기(liquid crystal capacitor)(Clca, Clcb)를 포함한다. 두 부화소 중 적어도 하나는 게이트선, 데이터선 및 액정 축전기(Clca, Clcb)와 연결된 스위칭 소자(도시하지 않음)를 포함한다.Each pixel PX includes a pair of subpixels, and each subpixel includes liquid crystal capacitors Clca and Clcb. At least one of the two subpixels includes a switching element (not shown) connected to the gate line, the data line, and the liquid crystal capacitors Clca and Clcb.
액정 축전기(Clca/Clcb)는 하부 표시판(100)의 부화소 전극(PEa/PEb)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(CE)을 두 단자로 하며 부화소 전극(PEa/PEb)과 공통 전극(CE) 사이의 액정층(3)은 유전체로서 기능한다. 한 쌍의 부화소 전극(PEa, PEb)은 서로 분리되어 있으며 하나의 화소 전극(PE)을 이룬다. 공통 전극(CE)은 상부 표시판(200)의 전면에 형성되어 있고 공통 전압(Vcom)을 인가 받는다. 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있을 수 있다.The liquid crystal capacitor Clca / Clcb has two terminals of the subpixel electrode PEa / PEb of the
한편, 색 표시를 구현하기 위해서는 각 화소(PX)가 기본색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시하거나(공간 분할) 각 화소(PX)가 시간에 따라 번갈아 기본색을 표시하게(시간 분할) 하여 이들 기본색의 공간적, 시간적 합으로 원하는 색상이 인식되도록 한다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색을 들 수 있다. 도 2는 공간 분할의 한 예로서 각 화소(PX)가 상부 표시판(200)의 영역에 기본색 중 하나를 나타내는 색 필터(CF)를 구비함을 보여주고 있다. 도 2와는 달리 색 필터(CF)는 하부 표시판(100)의 부화소 전극(PEa, PEb) 위 또는 아래에 형성할 수도 있다.On the other hand, in order to implement color display, each pixel PX uniquely displays one of primary colors (space division), or each pixel PX alternately displays a basic color (time division) So that the desired color is recognized by the spatial and temporal sum of these basic colors. Examples of basic colors include red, green, and blue. 2 shows that each pixel PX has a color filter CF indicating one of the basic colors in an area of the
표시판(100, 200)의 바깥 면에는 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비 되어 있는데, 두 편광자의 편광축은 직교할 수 있다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광자(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다. 직교 편광자인 경우 전기장이 없는 액정층(3)에 들어온 입사광을 차단한다.Polarizers (not shown) are provided on the outer surfaces of the
다시 도 1을 참고하면, 계조 전압 생성부(800)는 화소(PX)의 투과율과 관련된 복수의 계조 전압(또는 기준 계조 전압)을 생성한다.Referring back to FIG. 1, the
게이트 구동부(400)는 액정 표시판 조립체(300)의 게이트선과 연결되어 게이트 온 전압(Von)과 게이트 오프 전압(Voff)의 조합으로 이루어진 게이트 신호(Vg)를 게이트선에 인가한다.The
데이터 구동부(500)는 액정 표시판 조립체(300)의 데이터선과 연결되어 있으며, 계조 전압 생성부(800)로부터의 계조 전압을 선택하고 이를 데이터 신호로서 데이터선에 인가한다. 그러나 계조 전압 생성부(800)가 모든 계조에 대한 전압을 모두 제공하는 것이 아니라 정해진 수의 기준 계조 전압만을 제공하는 경우에, 데이터 구동부(500)는 기준 계조 전압을 분압하여 전체 계조에 대한 계조 전압을 생성하고 이 중에서 데이터 신호를 선택한다.The
신호 제어부(600)는 게이트 구동부(400) 및 데이터 구동부(500) 등을 제어한다.The
이러한 구동 장치(400, 500, 600, 800) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 액정 표시판 조립체(300) 위에 직접 장착되거나, 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 액정 표시판 조립체(300)에 부착되거나, 별도의 인쇄 회로 기판 (printed circuit board)(도시하지 않음) 위에 장착될 수도 있다. 이와는 달리, 이들 구동 장치(400, 500, 600, 800)가 액정 표시판 조립체(300)에 집적될 수도 있다. 또한, 구동 장치(400, 500, 600, 800)는 단일 칩으로 집적될 수 있으며, 이 경우 이들 중 적어도 하나 또는 이들을 이루는 적어도 하나의 회로 소자가 단일 칩 바깥에 있을 수 있다.Each of the driving
그러면 이러한 액정 표시판 조립체의 구조에 대하여 도 3 내지 도 12 및 앞에서 설명한 도 1 및 도 2를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, the structure of the liquid crystal panel assembly will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 12 and FIGS. 1 and 2 described above.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.3 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal panel assembly according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체는 복수 쌍의 게이트선(GLa, GLb), 복수의 데이터선(DL) 및 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment includes a signal line including a plurality of pairs of gate lines GLa and GLb, a plurality of data lines DL, and a plurality of storage electrode lines SL, and a plurality of connected signal lines. The pixel PX is included.
각 화소(PX)는 한 쌍의 부화소(PXa, PXb)를 포함하며, 각 부화소(PXa/PXb)는 각각 해당 게이트선(GLa/GLb) 및 데이터선(DL)에 연결되어 있는 스위칭 소자(Qa/Qb)와 이에 연결된 액정 축전기(Clca/Clcb), 그리고 스위칭 소자(Qa/Qb) 및 유지 전극선(SL)에 연결되어 있는 유지 축전기(storage capacitor)(Csta/Cstb)를 포함한다.Each pixel PX includes a pair of subpixels PXa and PXb, and each subpixel PXa / PXb is a switching element connected to a corresponding gate line GLa / GLb and a data line DL, respectively. Qa / Qb, a liquid crystal capacitor Clca / Clcb connected thereto, and a storage capacitor Csta / Cstb connected to the switching element Qa / Qb and the storage electrode line SL.
각 스위칭 소자(Qa/Qb)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GLa/GLb )과 연결되어 있고, 입 력 단자는 데이터선(DL)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clca/Clcb) 및 유지 축전기(Csta/Cstb)와 연결되어 있다.Each switching element Qa / Qb is a three-terminal element, such as a thin film transistor, provided in the
액정 축전기(Clca/Clcb)의 보조적인 역할을 하는 유지 축전기(Csta/Cstb)는 하부 표시판(100)에 구비된 유지 전극선(SL)과 화소 전극(PE)이 절연체를 사이에 두고 중첩되어 이루어지며 유지 전극선(SL)에는 공통 전압(Vcom) 따위의 정해진 전압이 인가된다. 그러나 유지 축전기(Csta, Cstb)는 부화소 전극(PEa, PEb)이 절연체를 매개로 바로 위의 전단 게이트선과 중첩되어 이루어질 수 있다.The storage capacitor Csta / Cstb, which serves as an auxiliary role of the liquid crystal capacitor Clca / Clcb, is formed by overlapping the storage electrode line SL and the pixel electrode PE provided in the
액정 축전기(Clca, Clcb) 등에 대해서는 앞에서 설명하였으므로 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal capacitors Clca and Clcb have been described above, detailed descriptions thereof will be omitted.
이와 같은 액정 표시판 조립체를 포함하는 액정 표시 장치에서는, 신호 제어부(600)가 한 화소(PX)에 대한 입력 영상 신호(R, G, B)를 수신하여 두 부화소(PXa, PXb)에 대한 출력 영상 신호(DAT)로 변환하여 데이터 구동부(500)에 전송할 수 있다. 이와는 달리, 계조 전압 생성부(800)에서 두 부화소(PXa, PXb)에 대한 계조 전압 집합을 따로 만들고 이를 번갈아 데이터 구동부(500)에 제공하거나, 데이터 구동부(500)에서 이를 번갈아 선택함으로써, 두 부화소(PXa, PXb)에 서로 다른 전압을 인가할 수 있다. 단, 이 때 두 부화소(PXa, PXb)의 합성 감마 곡선이 정면에서의 기준 감마 곡선에 가깝게 되도록 영상 신호를 보정하거나 계조 전압 집합을 만드는 것이 바람직하다. 예를 들면 정면에서의 합성 감마 곡선은 이 액정 표시판 조립체에 가장 적합하도록 정해진 정면에서의 기준 감마 곡선과 일치하도록 하고 측면에서의 합성 감마 곡선은 정면에서의 기준 감마 곡선과 가장 가깝게 되도 록 한다.In the liquid crystal display including the liquid crystal panel assembly, the
그러면 도 3에 도시한 액정 표시판 조립체의 한 예에 대하여 도 4 내지 도 8c, 그리고 앞에서 설명한 도 1 및 도 2를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, an example of the liquid crystal panel assembly illustrated in FIG. 3 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 8C and FIGS. 1 and 2 described above.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 하부 표시판의 배치도이고, 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 상부 표시판의 배치도이고, 도 6은 도 4의 하부 표시판과 도 5의 상부 표시판을 포함하는 액정 표시판 조립체의 배치도이고, 도 7은 도 6의 액정 표시판 조립체를 VII-VII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 8a 내지 도 8c는 도 4 내지 도 7에 도시한 부화소 전극의 기본이 되는 전극편의 평면도이다.4 is a layout view of a lower panel of the liquid crystal panel assembly according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 5 is a layout view of an upper panel of the liquid crystal panel assembly according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a lower panel of FIG. 4. And a top view of the liquid crystal panel assembly including the upper panel of FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal panel assembly of FIG. 6 taken along the line VII-VII, and FIGS. 8A to 8C are FIGS. 4 to 7. It is a top view of the electrode piece used as the basis of the illustrated subpixel electrode.
도 4 내지 도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.4 to 7, the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment includes a
먼저, 도 4 및 도 6 내지 도 8c를 참고하여 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수 쌍의 제1 및 제2 게이트선(gate line)(121a, 121b)과 복수의 유지 전극선(storage electrode lines)(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 형성되어 있다.A plurality of pairs of first and
제1 및 제2 게이트선(121a, 121b)은 게이트 신호를 전달하고 주로 가로 방향으로 뻗으며, 각각 위쪽 및 아래쪽에 위치한다.The first and
제1 게이트선(121a)은 아래로 돌출한 복수의 제1 게이트 전극(gate electrode)(124a)과 다른 층 또는 게이트 구동부(400)와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129a)을 포함한다. 제2 게이트선(121b)은 위로 돌출한 복수의 제2 게이트 전극(124b)과 다른 층 또는 게이트 구동부(400)와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129b)을 포함한다. 게이트 구동부(400)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121a, 121b)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The
유지 전극선(131)은 공통 전압(Vcom) 등 소정의 전압을 인가 받으며, 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 유지 전극선(131)은 제1 게이트선(121a)과 제2 게이트선(121b) 사이에 위치하고, 제2 게이트선(121b)보다 제1 게이트선(121a)에 더 가깝다. 각 유지 전극선(131)은 아래위로 확장된 유지 전극(storage electrode)(137)을 포함한다. 그러나 유지 전극(137)을 비롯한 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.The
게이트 도전체(121a, 121b, 131)는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접 촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트 도전체(121a, 121b, 131)는 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The
게이트 도전체(121a, 121b, 131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the
게이트 도전체(121a, 121b, 131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 및 제2 섬형 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다. 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)는 각각 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b) 위에 위치한다.On the
각각의 제1 반도체(154a) 위에는 한 쌍의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 각각의 제2 반도체(154b) 위에도 한 쌍의 섬형 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163b, 165b)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.A pair of island-like ohmic contacts (not shown) are formed on each of the
반도체(154a, 154b)와 저항성 접촉 부재(163b, 165b)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.Side surfaces of the
저항성 접촉 부재(163b, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수 쌍의 제1 및 제2 드레인 전극(drain electrode)(175a, 175b)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.Data including a plurality of
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121a, 121b) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 향하여 각각 뻗은 복수 쌍의 제1 및 제2 소스 전극(source electrode)(173a, 173b)과 다른 층 또는 데이터 구동부(500)와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 구동부(500)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The
제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171)과도 분리되어 있다. 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)은 제1/제2 게이트 전극(124a/124b)을 중심으로 제1/제2 소스 전극(173a/173b)과 마주하며, 넓은 한 쪽 끝 부분(177a/177b)과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제2 드레인 전극(175b)의 넓은 끝 부분(177b)이 제1 드레인 전극(175a)의 넓은 끝 부분(177a)보다 면적이 더 크다. 넓은 끝 부분(177a, 177b)은 유지 전극(137)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 구부러진 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)으로 일부 둘러싸여 있다.The first and
제1/제2 게이트 전극(124a/124b), 제1/제2 소스 전극(173a/173b) 및 제1/제2 드레인 전극(175a/175b)은 제1/제2 반도체(154a/154b)와 함께 제1/제2 박막 트랜지 스터(thin film transistor, TFT)(Qa/Qb)를 이루며, 제1/제2 박막 트랜지스터(Qa/Qb)의 채널(channel)은 제1/제2 소스 전극(173a/173b)과 제1/제2 드레인 전극(175a/175b) 사이의 제1/제2 반도체(154a/154b)에 형성된다. 제1/제2 박막 트랜지스터(Qa/Qb)는 각각 데이터선(171)의 왼쪽/오른쪽에 위치한다.The first and
데이터 도전체(171, 175a, 175b)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터 도전체(171, 175a, 175b)는 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The
데이터 도전체(171, 175a, 175b) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.The
저항성 접촉 부재(163b, 165b)는 그 아래의 반도체(154a, 154b)와 그 위의 데이터 도전체(171, 175a, 175b) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터 도전체(171, 175a, 175b)로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The
데이터 도전체(171, 175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 표면이 평탄할 수 있다. 유기 절연물은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154a, 154b) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A
보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)의 넓은 끝 부분(177a, 177b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185a, 185b)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121a, 121b)의 끝 부분(129a, 129b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(181a, 181b)이 형성되어 있다.The
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191R, 191G, 191B) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81a, 81b, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of
화소 전극(191R, 191G, 191B)은 각각 상부 표시판(200)에 형성되어 있으며 기본색, 예를 들어 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 삼원색 중 하나를 나타내는 색필터(CF)와 각각 마주한다. 각 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 서로 분리되어 있는 한 쌍의 제1 및 제2 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)을 포함하며, 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Ba, 191Bb)은 절개부(91a, 91b)를 가지고 부화소 전극(191Gb)은 절개부(92)를 가진다. 또한 화소 전극(191)과 마주하는 공통 전극(270)은 복수의 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)를 가진다.The
제1 및 제2 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb) 각각은 적어도 도 8a에 도시한 평행사변형의 전극편(196) 하나와 도 8b에 도시한 평행사변형의 전극편(197) 하나를 포함한다. 도 8a 및 도 8b에 도시한 전극편(196, 197)을 상하로 연결하면 도 8c에 도시한 기본 전극(198)이 되는데, 각 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)은 이러한 기본 전극(198)을 근간으로 하는 구조를 가진다.Each of the first and second subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb each includes at least one
도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같이, 전극편(196, 197) 각각은 한 쌍의 빗변(oblique edge)(196o, 197o) 및 한 쌍의 가로변(transverse edge)(196t, 197t)을 가지며 대략 평행사변형이다. 각 빗변(196o, 197o)은 가로변(196t, 197t)에 대하여 빗각(oblique angle)을 이루며, 빗각의 크기는 대략 45도 내지 135도인 것이 바람직하다. 편의상 앞으로 밑변(196t, 197t)을 중심으로 수직인 상태에서 기울어진 방향("경사 방향")에 따라 구분하며, 도 8a와 같이 오른쪽으로 기울어진 경우를 "우경사"라 하고 도 8b와 같이 왼쪽으로 기울어진 경우를 "좌경사"라 한다.As shown in FIGS. 8A and 8B, each of the
전극편(196, 197)에서 가로변(196t, 197t)의 길이, 즉 너비(W)와 가로변(196t, 197t) 사이의 거리, 즉 높이(H)는 표시판 조립체(300)의 크기에 따라서 자유롭게 결정할 수 있다. 또한 각 전극편(196, 197)에서 가로변(196t, 197t)은 다른 부분과의 관계를 고려하여 꺾이거나 튀어나오는 등 변형될 수 있으며, 앞으로는 이러한 변형도 모두 포함하여 평행사변형이라 일컫는다.The lengths of the
공통 전극(270)에는 전극편(196, 197)과 마주하는 절개부(61, 62)가 형성되어 있으며 전극편(196, 197)은 절개부(61, 62)를 중심으로 두 개의 부영역(S1, S2)으로 구획된다. 절개부(61, 62)는 전극편(196, 197)의 빗변(196o, 197o)과 나란한 사선부(61o, 62o)와 사선부(61o, 62o)와 둔각을 이루면서 전극편(196, 197)의 가로변(196t, 197t)과 중첩하는 가로부(61t, 62t)를 포함한다.The
각 부영역(S1, S2)은 절개부(61, 62)의 사선부(61o, 62o) 및 전극편(196, 197)의 빗변(196t, 197t)에 의하여 정의되는 두 개의 주 변(primary edge)을 가진다. 주 변 사이의 거리, 즉 부영역의 너비는 약 25-40㎛ 정도인 것이 바람직하다.Each of the subregions S1 and S2 has two primary edges defined by the oblique portions 61o and 62o of the
도 8c에 도시한 기본 전극(198)은 우경사 전극편(196)과 좌경사 전극편(197)이 결합하여 이루어진다. 우경사 전극편(196)과 좌경사 전극편(197)이 이루는 각도는 대략 직각인 것이 바람직하며, 두 전극편(196, 197)의 연결은 일부에서만 이루어진다. 연결되지 않은 부분은 절개부(90)를 이루며 오목하게 들어간 쪽에 위치한다. 그러나 절개부(90)는 생략될 수도 있다.The
두 전극편(196, 197)의 바깥 쪽 가로변(196t, 197)은 기본 전극(198)의 가로변(198t)을 이루며, 두 전극편(196)의 대응하는 빗변(196o, 197o)는 서로 연결되어 기본 전극(198)의 굴곡변(curved edge)(198o1, 198o2)을 이룬다.The outer
굴곡변(198o1, 198o2)은 가로변(198t)과 둔각, 예를 들면 약 135°를 이루며 만나는 볼록변(convex edge)(198o1) 및 가로변(198t)과 예각, 예를 들면 약 45°를 이루며 만나는 오목변(concave edge)(198o2)을 포함한다. 굴곡변(198o1, 198o2)은 한 쌍의 빗변(196o, 197o)이 대략 직각으로 만나 이루어지므로 그 꺾인 각도는 대략 직각이다.Curved edges 198o1 and 198o2 meet convex edges 198o1 and
절개부(60)는 오목변(198o2) 상의 오목 꼭지점(CV)에서 볼록변(198o1) 상의 볼록 꼭지점(VV)을 향하여 대략 기본 전극(198) 중심까지 뻗는다고 할 수 있다.The
또한, 공통 전극(270)의 절개부(61, 62)는 서로 연결되어 하나의 절개부(60)를 이룬다. 이때, 절개부(61, 62)에서 중복되는 가로부(61t, 62t)는 합쳐져서 하나의 가로부(60t1)를 이룬다. 이 새로운 형태의 절개부(60)는 다음과 같이 다시 설명할 수 있다.In addition, the
절개부(60)는 굴곡점(CP)을 가지는 굴곡부(60o), 굴곡부(60o)의 굴곡점(CP)에 연결되어 있는 중앙 가로부(60t1), 그리고 굴곡부(60o)의 양 끝에 연결되어 있는 한 쌍의 종단 가로부(60t2)를 포함한다. 절개부(60)의 굴곡부(60o)는 직각으로 만나는 한 쌍의 사선부로 이루어지고, 기본 전극(198)의 굴곡변(198o1, 198o2)과 거의 평행하며, 기본 전극(198)을 좌반부와 우반부로 이등분한다. 절개부(60)의 중앙 가로부(60t1)는 굴곡부(60o)와 둔각, 예를 들면 약 135°를 이루며, 대략 기본 전극(198)의 볼록 꼭지점(VV)을 향하여 뻗어 있다. 종단 가로부(60t2)는 기본 전극(198)의 가로변(198t)과 정렬되어 있으며 굴곡부(60o)와 둔각, 예를 들면 약 135°를 이룬다.The
기본 전극(198)과 절개부(60)는 기본 전극(198)의 볼록 꼭지점(VV)과 오목 꼭지점(CV)를 잇는 가상의 직선(앞으로 "가로 중심선"이라 함)에 대하여 대략 반전 대칭이다.The
도 4 내지 6에 도시한 바와 같이, 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)은 좌경사 전극편(197)과 우경사 전극편(196)으로 이루어지며, 도 8c에 도시한 기본 전극(198)과 실질적으로 동일한 구조를 가진다.As shown in FIGS. 4 to 6, the first subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, and 191Ba are formed of the left
제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)은 기본 전극(198)과 실질적으로 동일한 구조를 가진 제1 및 제2 단위 전극(191Rb1, 191Rb2, 191Bb1, 191Bb2)을 포함하며, 제1 및 제2 단위 전극(191Rb1, 191Rb2, 191Bb1, 191Bb2)은 연결부(192R, 192B)에 의해 위아래로 연결되어 있다. 제1 단위 전극(191Rb1, 191Bb1)의 높이가 제2 단위 전극(191Rb2, 191Bb2)의 높이보다 높으며, 대략 1.1배 내지 2배인 것이 바람직하다. 또한 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ba)의 높이가 제1 단위 전극(191Rb1, 191Bb1)의 높이와 동일한 경우 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ba)과 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 면적비가 대략 1:1.5 내지 1:2가 된다. 이와 같이 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ba)과 제2 부화소 전극의 제1 및 제2 단위 전극(191Rb1, 191Rb2, 191Bb1, 191Bb2)의 너비와 높이를 조절하면 원하는 면적비를 얻을 수 있으며, 대략 1:1.1 에서 1:3 정도의 면적비를 가지는 것이 바람직하다.The second subpixel electrodes 191Rb and 191Bb include first and second unit electrodes 191Rb1, 191Rb2, 191Bb1, and 191Bb2 having substantially the same structure as the
제2 부화소 전극(191RG)은 기본 전극(198)과 실질적으로 동일한 구조를 가지며 하단과 상단에서 연결된 세 개의 단위 전극을 포함한다. 두 개의 절개부(92)는 제2 부화소 전극(191Gb)을 삼등분하며 각각 제2 부화소 전극(191Gb)의 굴곡변과 평행한 굴곡부와 이에 연결된 가로부를 포함한다. 제2 부화소 전극(191Gb)의 너비는 제1 부화소 전극(191Ga)의 너비보다 넓고, 예를 들면 대략 3배이다. 또한 제2 부화소 전극(191Gb)의 높이는 제1 부화소 전극(191Ga) 높이의 대략 1/2배 내지 1배인 것이 바람직하다. 마찬가지로 제1 및 제2 부화소 전극(191Ga, 191Gb)의 너비와 높이를 조절하여 면적비를 조절할 수 있고, 대략 1:1.1 에서 1:3 정도의 면적비를 가지는 것이 바람직하다.The second subpixel electrode 191RG has three structures substantially the same as the
부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)의 너비와 높이를 조절하여 화소 전극(191R, 191G, 191B)의 면적을 서로 실질적으로 동일하게 할 수 있다.The widths and heights of the subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb may be adjusted to substantially equal the areas of the
이와 같이 하면 세 가지 기본색을 나타내는 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 하나의 화소 전극 집합을 이룬다고 할 때, 이웃하는 화소 전극 집합의 같은 색을 나타내는 화소 전극(191R, 191G, 191B)의 모양이 동일하게 반복되며, 이웃하는 화소 전극 집합 자체의 모양도 동일하게 반복된다. 따라서 세로줄 표현이 더 좋아지고 제1 및 제2 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)에 데이터 전압을 따로 인가하는 것도 용이하다.In this way, when the
또한 한 화소 전극 집합에서 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)의 너비와 높이 조절이 용이하므로 각 화소 전극(191R, 191G, 191B) 간의 면적 조절도 쉬워진다.In addition, since the width and height of the subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb can be easily adjusted in one pixel electrode set, the area between each
화소 크기가 큰 표시 장치, 예를 들어 32인치 또는 그 이상의 중대형 표시 장치에서 개구율과 투과율을 높일 수 있다.An aperture ratio and a transmittance may be increased in a display device having a large pixel size, for example, a 32-inch or larger medium-large display device.
제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)은 각각 접촉 구멍(185a)을 통하여 각각의 제1 드레인 전극(175a)과 연결되어 있으며, 제2 부화소 전극(191Gb)과 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 연결부(192R, 192B)는 각각 접촉 구멍(185b)을 통하여 각각의 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있다.The first subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, and 191Ba are connected to the respective
유지 전극선(131), 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)의 넓은 끝 부분(177a, 177b) 및 접촉 구멍(185a, 185b)은 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)과 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 제2 단위 전극(191Rb2, 191Bb2) 또는 제2 부화소 전극(191Gb)과의 경계 부근에 위치하고 있다. 이 부근에서는 액정 분자의 배열이 흐트러져 텍스처(texture)가 나타날 수 있는데, 이와 같이 배치하면 텍스처를 가리면서 개구율을 향상할 수 있다. 또한 제2 게이트선(121b)도 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)과 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 제2 단위 전극(191Rb2, 191Bb2) 또는 제2 부화소 전극(191Gb)과의 경계 부근에 위치하고 있다.The
제1/제2 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)/(191Rb, 191Gb, 191Bb)과 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)은 그 사이의 액정층(3) 부분과 함께 각각 제1/제2 액정 축전기(Clca/Clcb)를 이루어 박막 트랜지스터(Qa/Qb)가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The first / second subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, and 191Ba) / (191Rb, 191Gb, and 191Bb) and the
제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba) 및 이와 연결된 제1 드레인 전극(175a)은 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 유지 전극(137)과 중첩하여 각각 제1/제2 유지 축전기(Csta/Cstb)를 이루며, 제1/제2 유지 축전기(Csta/Cstb)는 제1/제2 액정 축전기(Clca/Clcb)의 전압 유지 능력을 강화한다.The first subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, and 191Ba and the
접촉 보조 부재(81a, 81b, 82)는 각각 접촉 구멍(181a, 181b, 182)을 통하여 게이트선(121a, 121b)의 끝 부분(129a, 129b) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81a, 81b, 82)는 게이트선(121a, 121b)의 끝 부분 (129a, 129b) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact
다음, 도 5 내지 도 8을 참고하여 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191R, 191G, 191B)의 굴곡변에 대응하는 굴곡부와 박막 트랜지스터에 대응하는 사각형 부분을 포함하며, 화소 전극(191R, 191G, 191B) 사이의 빛샘을 막고 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 마주하는 개구 영역을 정의한다.A
기판(210) 및 차광 부재(220) 위에는 또한 복수의 색필터(230R, 230G)가 형성되어 있다. 색필터(230R, 230G)는 차광 부재(230)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191R, 191G, 191B) 열을 따라서 길게 뻗을 수 있다. 색필터(230R)는 적색(R)을 표시하고, 색필터(230G)는 녹색(G)을 표시하며, 도시하지는 않았지만 청색(B)을 나타내는 색필터(230)도 포함한다. 색필터는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 이외에도 다른 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.A plurality of
색필터(230R, 230G) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.An
덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어지며 복수의 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)를 가진다.A
공통 전극(270)의 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)의 모양은 앞에서 설명한 바와 같으므로 상세한 설명은 생략한다.Since the shapes of the cutouts 71Ra, 71Rb1.71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2 of the
절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)의 수효는 설계 요소에 따라 달라질 수 있으며, 차광 부재(220)가 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)와 중첩하여 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2) 부근의 빛샘을 차단할 수 있다.The number of cutouts 71Ra, 71Rb1.71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2 may vary depending on the design element, and the
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 형성되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다.Alignment layers 11 and 21 are formed on inner surfaces of the
표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(12, 22)가 구비되어 있는데, 두 편광자(12, 22)의 편광축은 직교하며 부화소 전극(191a, 191b)의 굴곡변과 대략 45°의 각도를 이루는 것이 바람직하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광자(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다.Polarizers 12 and 22 are provided on the outer surfaces of the
액정 표시 장치는 편광자(12, 22), 위상 지연막, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.The liquid crystal display may include a
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다.The
절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)는 돌기(protrusion)(도시하지 않음)나 함몰부(depression)(도시하지 않음)로 대체할 수 있다. 돌기는 유기물 또는 무기물로 만들어질 수 있고 전기장 생성 전극(191R, 191G, 191B, 270)의 위 또는 아래에 배치될 수 있다.The cutouts 71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2 may be replaced by protrusions (not shown) or depressions (not shown). The protrusions may be made of organic or inorganic materials and may be disposed above or below the
그러면 이러한 액정 표시 장치의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.The operation of the liquid crystal display device will now be described in detail.
신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 제어기(도시하지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 입력 영상 신호(R, G, B)는 각 화소(PX)의 휘도(luminance) 정보를 담고 있으며 휘도는 정해진 수효, 예를 들면 1024(=210), 256(=28) 또는 64(=26) 개의 계조(gray)를 가지고 있다. 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등이 있다.The
신호 제어부(600)는 입력 영상 신호(R, G, B)와 입력 제어 신호를 기초로 입력 영상 신호(R, G, B)를 액정 표시판 조립체(300) 및 데이터 구동부(500)의 동작 조건에 맞게 적절히 처리하고 게이트 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 게이트 제어 신호(CONT1)를 게이트 구동부(400)로 내보내고 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 영상 신호(DAT)를 데이터 구동부(500)로 출력한다. 출력 영상 신호(DAT)는 디지털 신호로서 정해진 수효의 값(또는 계조)을 가진다.The
게이트 제어 신호(CONT1)는 주사 시작을 지시하는 주사 시작 신호(STV)와 게이트 온 전압(Von)의 출력 주기를 제어하는 적어도 하나의 클록 신호를 포함한다. 게이트 제어 신호(CONT1)는 또한 게이트 온 전압(Von)의 지속 시간을 한정하는 출력 인에이블 신호(OE)를 더 포함할 수 있다.The gate control signal CONT1 includes at least one clock signal for controlling the output period of the scan start signal STV indicating the start of scanning and the gate-on voltage Von. The gate control signal CONT1 may further include an output enable signal OE that defines the duration of the gate on voltage Von.
데이터 제어 신호(CONT2)는 한 묶음의 부화소에 대한 영상 데이터의 전송 시작을 알리는 수평 동기 시작 신호(STH)와 액정 표시판 조립체(300)에 데이터 신호를 인가하라는 로드 신호(LOAD) 및 데이터 클록 신호(HCLK)를 포함한다. 데이터 제어 신호(CONT2)는 또한 공통 전압(Vcom)에 대한 데이터 신호의 전압 극성(이하 "공통 전압에 대한 데이터 신호의 전압 극성"을 줄여 "데이터 신호의 극성"이라 함)을 반전시키는 반전 신호(RVS)를 더 포함할 수 있다.The data control signal CONT2 includes a horizontal synchronization start signal STH indicating the start of transmission of image data to a group of subpixels, a load signal LOAD and a data clock signal for applying a data signal to the liquid
신호 제어부(600)로부터의 데이터 제어 신호(CONT2)에 따라, 데이터 구동부(500)는 한 묶음의 부화소에 대한 디지털 영상 신호(DAT)를 수신하고, 각 디지털 영상 신호(DAT)에 대응하는 계조 전압을 선택함으로써 디지털 영상 신호(DAT)를 아날로그 데이터 신호로 변환한 다음, 이를 해당 데이터선(171)에 인가한다.In response to the data control signal CONT2 from the
게이트 구동부(400)는 신호 제어부(600)로부터의 게이트 제어 신호(CONT1)에 따라 게이트 온 전압(Von)을 게이트선(121a, 121b)에 인가하여 이 게이트선(121a, 121b)에 연결된 스위칭 소자(Qa, Qb)를 턴온시킨다. 그러면 데이터선(171)에 인가된 데이터 신호가 턴온된 스위칭 소자(Qa, Qb)를 통하여 해당 부화소(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)에 인가된다.The
이렇게 제1 또는 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)의 양단에 전위차가 생기면 표시판(100, 200)의 표면에 거의 수직인 주 전기장(전계)(primary electric field)이 액정층(3)에 생성된다. [앞으로 화소 전극(191R, 191G, 191B) 및 공통 전극(270)을 아울러 "전기장 생성 전극(field generating electrode)"라 한다.] 그러면 액정층(3)의 액정 분자들은 전기장에 응답하여 그 장축이 전기장의 방향에 수직을 이루도 록 기울어지며, 액정 분자가 기울어진 정도에 따라 액정층(3)에 입사광의 편광의 변화 정도가 달라진다. 이러한 편광의 변화는 편광자에 의하여 투과율 변화로 나타나며 이를 통하여 액정 표시 장치는 영상을 표시한다.When a potential difference occurs between both ends of the first or second liquid crystal capacitors Clca and Clcb, a primary electric field substantially perpendicular to the surfaces of the
액정 분자가 기울어지는 각도는 전기장의 세기에 따라 달라지는데, 두 액정 축전기(Clca, Clcb)의 전압이 서로 다르므로 액정 분자들이 기울어진 각도가 다르고 이에 따라 두 부화소의 휘도가 다르다. 따라서 제1 액정 축전기(Clca)의 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)의 전압을 적절하게 맞추면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 최대한 가깝게 할 수 있으며, 즉 측면 감마 곡선을 정면 감마 곡선에 최대한 가깝게 할 수 있으며, 이렇게 함으로써 측면 시인성을 향상할 수 있다.The angle at which the liquid crystal molecules are inclined depends on the intensity of the electric field. Since the voltages of the two liquid crystal capacitors Clca and Clcb are different from each other, the angles at which the liquid crystal molecules are inclined are different and thus the luminance of the two subpixels is different. Therefore, if the voltage of the first liquid crystal capacitor Clca and the voltage of the second liquid crystal capacitor Clcb are properly adjusted, the image viewed from the side may be as close as possible to the image viewed from the front, that is, the side gamma curve may be front gamma curve. As close as possible to this, side visibility can be improved.
또한 높은 전압을 인가 받는 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)의 면적을 제2 부화소 전극(191Rb, 191Gb, 191Bb)의 면적보다 작게 하면 측면 감마 곡선을 정면 감마 곡선에 더욱 가깝게 할 수 있다. 특히 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)과 제2 부화소 전극(191Rb, 191Gb, 191Bb)의 면적비가 대략 1:2이므로 측면 감마 곡선이 정면 감마 곡선에 더욱더 가깝게 되어 측면 시인성이 더욱 좋아진다. 특히 본 발명에서는 하나의 화소 전극 집합 안에서 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)의 너비와 높이 조절이 자유로우므로 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba) 및 제2 부화소 전극(191Rb, 191Gb, 191Bb)의 면적비 조절도 자유롭고 1:2로 맞추기 쉽다.In addition, when the area of the first subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, and 191Ba to which a high voltage is applied is smaller than the area of the second subpixel electrodes 191Rb, 191Gb, and 191Bb, the side gamma curve may be closer to the front gamma curve. have. In particular, since the area ratio of the first subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, and 191Ba and the second subpixel electrodes 191Rb, 191Gb, and 191Bb is approximately 1: 2, the side gamma curve becomes closer to the front gamma curve, so that side visibility is better. Lose. In particular, in the present invention, since the width and height of the subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb are freely adjusted in one pixel electrode set, the first subpixel electrodes 191Ra, 191Ga, 191Ba, and the second subunit are free. The area ratio control of the pixel electrodes 191Rb, 191Gb, and 191Bb is also free and easy to adjust to 1: 2.
액정 분자들이 기울어지는 방향은 일차적으로 전기장 생성 전극(191R, 191G, 191B, 270)의 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2, 91a, 91b, 92)와 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba, 191Rb, 191Gb, 191Bb)의 변이 주 전기장을 왜곡하여 만들어내는 수평 성분에 의하여 결정된다. 이러한 주 전기장의 수평 성분은 절개부(71Ra, 71Rb1, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2, 91a, 91b, 92)의 변과 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)의 변에 거의 수직이다.The direction in which the liquid crystal molecules are inclined is primarily the incisions 71Ra, 71Rb1.71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2, 91a, 91b, 92 and subpixels of the
부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)은 절개부(71Ra, 71Rb1, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)에 의하여 4개의 부영역(sub-area)으로 나뉘며, 각 부영역은 절개부(71Ra, 71Rb1, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)의 굴곡부 및 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)의 굴곡변에 의하여 정의되는 두 개의 주변(major edge)을 가진다. 각 부영역 위의 액정 분자들은 대부분 주 변에 수직인 방향으로 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.The subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb are divided into four sub-areas by the incisions 71Ra, 71Rb1, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, and 71Bb2. Each subregion is defined by the bent portions of the cutouts 71Ra, 71Rb1, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2 and the bent sides of the subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb. Has major edges. Most of the liquid crystal molecules on each subregion are inclined in a direction perpendicular to the periphery thereof, and thus, the inclination directions are approximately four directions. When the direction in which the liquid crystal molecules are tilted is varied in this way, the reference viewing angle of the liquid crystal display device is increased.
한편, 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb) 사이의 전압 차에 의하여 부차적으로 생성되는 부 전기장(secondary electric field)의 방향은 부영역의 주 변과 수직이다. 따라서 부 전기장의 방향과 주 전기장의 수평 성분의 방향과 일치한다. 결국 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb) 사이의 부 전기장은 액정 분자들의 경사 방향의 결정을 강화하는 쪽으로 작용한다.On the other hand, the direction of the secondary electric field generated by the voltage difference between the subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb is perpendicular to the periphery of the subregion. Thus, the direction of the negative electric field coincides with the direction of the horizontal component of the main electric field. As a result, the negative electric field between the subpixel electrodes 191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, and 191Bb acts to strengthen the crystal in the oblique direction of the liquid crystal molecules.
1 수평 주기["1H"라고도 쓰며, 수평 동기 신호(Hsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE)의 한 주기와 동일함]를 단위로 하여 이러한 과정을 되풀이함으로써, 모든 화소(PX)에 데이터 신호를 인가하여 한 프레임(frame)의 영상을 표시한다.This process is repeated in units of one horizontal period (also referred to as "1H" and equal to one period of the horizontal sync signal Hsync and the data enable signal DE), thereby allocating data signals to all the pixels PX. Is applied to display an image of one frame.
한 프레임이 끝나면 다음 프레임이 시작되고 각 화소(PX)에 인가되는 데이터 신호의 극성이 이전 프레임에서의 극성과 반대가 되도록 데이터 구동부(500)에 인가되는 반전 신호(RVS)의 상태가 제어된다("프레임 반전"). 이때, 한 프레임 내에서도 반전 신호(RVS)의 특성에 따라 한 데이터선을 통하여 흐르는 데이터 신호의 극성이 바뀌거나(보기: 행 반전, 점 반전), 한 묶음의 화소에 인가되는 데이터 신호의 극성도 서로 다를 수 있다(보기: 열 반전, 점 반전).At the end of one frame, the next frame starts and the state of the inversion signal RVS applied to the
다음, 도 3에 도시한 액정 표시판 조립체의 다른 예에 대하여 도 9 내지 도 12, 그리고 앞에서 설명한 도 1 및 도 2를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, another example of the liquid crystal panel assembly illustrated in FIG. 3 will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 12, and FIGS. 1 and 2 described above.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 하부 표시판의 배치도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 상부 표시판의 배치도이고, 도 11은 도 9의 하부 표시판과 도 10의 상부 표시판을 포함하는 액정 표시판 조립체의 배치도이고, 도 12는 도 11의 액정 표시판 조립체를 XII-XII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.9 is a layout view of a lower panel of the liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention, FIG. 10 is a layout view of an upper panel of the liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a lower panel of FIG. 9. 10 is a layout view of the liquid crystal panel assembly including the upper panel of FIG. 10, and FIG. 12 is a cross-sectional view of the liquid crystal panel assembly of FIG. 11 taken along the line XII-XII.
도 9 내지 도 12를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200) 및 그 사이의 액정층(3)을 포함한다.9 to 12, the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment includes a
본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 층상 구조는 대개 도 4 내지 도 7에 도시한 액정 표시판 조립체의 층상 구조와 동일하다.The layered structure of the liquid crystal panel assembly according to the present embodiment is usually the same as that of the liquid crystal panel assembly shown in FIGS. 4 to 7.
하부 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 절연 기판(110) 위에 복수 쌍의 제1 및 제2 게이트선(121a, 121b)과 복수 쌍의 제1 및 제2 유지 전극선(131a, 131b)을 포함하는 게이트 도전체가 형성되어 있다. 제1 및 제2 게이트선(121a, 121b)은 각각 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b)과 끝 부분(129a, 129b)을 포함하고, 제1 및 제2 유지 전극선(131a, 131b)은 각각 제1 및 제2 유지 전극(137a, 137b)을 포함한다. 제2 유지 전극선(131b)은 제3 유지 전극(136b)을 더 포함한다. 게이트 도전체(121a, 121b, 131a, 131b) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있고, 그 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163a, 165a)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 165a) 위에는 복수의 데이터선(171)과 복수의 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다. 데이터선(171)은 복수의 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)과 끝 부분(179)을 포함하며, 드레인 전극(175a, 175b)은 넓은 끝 부분(177a, 177b), 돌출부(176a) 및 확장부(176b)를 포함한다. 데이터 도전체(171, 175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181a, 181b, 182, 185a, 185b)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 제1 및 제2 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)을 포함하는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 복수의 접촉 보조 부재(81a, 81b, 82)가 형성되어 있으며, 제1 및 제2 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)에는 각각 절개부(91a, 91b, 92)가 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B), 접촉 보조 부재(81a, 81b, 82) 및 보호막(180) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.Referring to the
상부 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220), 복수의 색필터(230R), 덮개막(250), 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)를 가지는 공통 전극(270), 그리고 배향막(21)이 형성되어 있다.Referring to the
그러나 도 4 내지 도 7에 도시한 액정 표시판 조립체와 달리, 제1 게이트선(121a)이 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba)과 제2 부화소 전극(191G) 또는 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 제2 단위 전극(191Rb2, 191Bb2)과의 경계 부근에 위치하고 있다.However, unlike the liquid crystal panel assembly illustrated in FIGS. 4 to 7, the
또한 제1 유지 전극선(131a), 제1 드레인 전극(175a)의 확장부(177a) 및 접촉 구멍(185a)은 제1 부화소 전극(191Ra, 191Ga, 191Ba) 또는 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 제1 단위 전극(191Rb1, 191Bb1)의 굴곡점을 연결하는 직선 상에 위치하고 있다. 제2 유지 전극선(131b), 제2 드레인 전극(175b)의 확장부(177b) 및 접촉 구멍(185b)은 제2 부화소 전극(191Rb, 191Bb)의 제1 단위 전극(191Rb1, 191Bb1) 또는 제2 부화소 전극(191Gb)의 굴곡점을 연결하는 직선 상에 위치하고 있다. 부화소 전극(191Ra, 191Rb, 191Ga, 191Gb, 191Ba, 191Bb)의 굴곡점을 연결하는 직선 부분에서는 액정 분자의 배열이 흐트러져 텍스처가 나타나기 쉬우므로 이와 같이 배치하면 텍스처를 가리면서 개구율을 향상할 수 있다. 또한 제1 및 제2 유지 축전기(Csta, Cstb)와 접촉 구멍(185a, 185b)이 절개부(71Ra, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb2) 아래에 형성되어 있으므로 절개부(71Ra, 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb2) 부근의 텍스처를 가릴 수 있다.In addition, the first
제1 드레인 전극(175a)은 확장부(177a)에서 제1 유지 전극선(131a)을 따라 중첩하며 뻗은 돌출부(176a)를 포함한다. 제2 부화소 전극(191Bb)와 연결되어 있는 제2 드레인 전극(175b)은 확장부(177b)와 연결되어 있으며 제3 유지 전극(136b)과 중첩하는 확장부(176b)를 더 포함한다.The
이와 같이 배치하면 유지 전극(137a, 137b, 136b)과 드레인 전극(175a, 175b)이 중첩하는 면적을 자유롭게 조절할 수 있고 유지 축전기(Csta, Cstb)의 용량 조절이 자유롭다.In this way, the area where the sustain
그리고 제1/제2 박막 트랜지스터(Qa/Qb)는 모두 데이터선(171)의 오른쪽에 위치하므로 제조 공정에서 편차에 의한 불량을 줄일 수 있다. 또한 데이터선(171) 사이의 간격 조절이 자유롭고 데이터선(171)과 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 중첩하는 면적의 조절이 용이하여, 데이터선(171)과 화소 전극(191R, 191G, 191B)에 의해 이루어지는 기생 축전기의 용량을 조절할 수 있다.In addition, since the first and second thin film transistors Qa and Qb are both positioned to the right of the
공통 전극(270)의 절개부(71Ra, 71Rb1. 71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2)의 사선부에는 움푹 팬 적어도 하나의 노치(notch)가 있다.At the oblique portions of the cutouts 71Ra, 71Rb1.71Rb2, 71Ga, 71Gb, 71Ba, 71Bb1, 71Bb2 of the
또한 도 4 내지 도 7에 도시한 액정 표시판 조립체와 달리, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체에서는 상부 표시판(200)에 색필터와 덮개막이 없고 하부 표시판(100)의 보호막(180) 아래에 복수의 색필터(230R)가 형성되어 있다.In addition, unlike the liquid crystal panel assembly illustrated in FIGS. 4 to 7, in the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment, there is no color filter and an overcoat on the
색필터(230R)는 화소 전극(191R) 열을 따라 주기적으로 꺾이면서 세로로 길게 뻗어 있으며 게이트선(121a, 121b)의 끝 부분(129a, 129b) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)이 위치하는 주변 영역에는 존재하지 않는다. 색필터(230R)에는 접촉 구멍(185a)이 통과하며 접촉 구멍(185a)보다 큰 관통 구멍(235)이 형성되어 있다.The
이웃하는 색필터(230R)는 데이터선(171) 위에서 중첩하여 이웃하는 화소 전극(191R, 191G, 191B) 사이에서 누설되는 빛을 차단하는 차광 부재의 기능을 가질 수 있다. 이 경우 상부 표시판(200)의 차광 부재를 생략할 수 있으며 이에 따라 공정이 간소화된다.The neighboring
색필터(230R) 아래에도 보호막(도시하지 않음)을 둘 수 있다.A protective film (not shown) may be provided below the
본 실시예와 같이 배치하면, 빛의 투과 면적이 증가하여 개구율 및 투과율이 향상된다.When arranged in the present embodiment, the light transmittance is increased to improve the aperture ratio and transmittance.
도 4 내지 도 7에 도시한 액정 표시판 조립체의 많은 특징들이 도 9 내지 도 12에 도시한 액정 표시판 조립체에도 적용될 수 있다.Many features of the liquid crystal panel assembly illustrated in FIGS. 4 to 7 may be applied to the liquid crystal panel assembly illustrated in FIGS. 9 to 12.
다음, 도 13 내지 도 15 및 앞에서 설명한 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 13 to 15 and FIGS. 1 and 2 described above.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.13 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 13을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체는 복수의 게이트선(GL), 복수 쌍의 데이터선(DLc, DLd) 및 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결된 복수의 화소(PX)를 포함한다.Referring to FIG. 13, the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment includes a signal line including a plurality of gate lines GL, a plurality of pairs of data lines DLc and DLd, and a plurality of storage electrode lines SL, and a plurality of signal lines connected thereto. The pixel PX is included.
각 화소(PX)는 한 쌍의 부화소(PXc, PXd)를 포함하며, 각 부화소(PXc/PXd)는 각각 해당 게이트선(GL) 및 데이터선(DLc/DLd)에 연결되어 있는 스위칭 소자(Qc/Qd)와 이에 연결된 액정 축전기(Clcc/Clcd), 그리고 스위칭 소자(Qc/Qd) 및 유 지 전극선(SL)에 연결되어 있는 유지 축전기(Cstc/Cstd)를 포함한다.Each pixel PX includes a pair of subpixels PXc and PXd, and each subpixel PXc / PXd is a switching element connected to a corresponding gate line GL and a data line DLc / DLd, respectively. Qc / Qd, the liquid crystal capacitor Clcc / Clcd connected thereto, and the storage capacitor Cstc / Cstd connected to the switching element Qc / Qd and the sustain electrode line SL.
각 스위칭 소자(Qc/Qd) 또한 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DLc/DLd)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clcc/Clcd) 및 유지 축전기(Cstc/Cstd)와 연결되어 있다.Each switching element Qc / Qd is also a three-terminal element of a thin film transistor or the like provided in the
액정 축전기(Clcc, Clcd)와 유지 축전기(Cstc, Cstd) 및 이와 같은 액정 표시판 조립체를 포함하는 액정 표시 장치의 동작 등에 대해서는 앞선 실시예와 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다. 단, 도 3 내지 도 12에 도시한 액정 표시 장치에서는 한 화소(PX)를 이루는 두 부화소(PXa, PXa))가 시차를 두고 데이터 전압을 인가 받는 반면, 본 실시예에서는 두 부화소(PXc, PXd)가 동일한 시간에 데이터 전압을 인가 받는다.Operations of the liquid crystal display including the liquid crystal capacitors Clcc and Clcd, the storage capacitors Cstc and Cstd, and the liquid crystal panel assembly as described above are substantially the same as in the foregoing embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted. However, in the liquid crystal display of FIGS. 3 to 12, two subpixels PXa and PXa constituting one pixel PX receive a data voltage with a parallax, whereas in the present embodiment, two subpixels PXc , PXd) receives a data voltage at the same time.
그러면 도 13에 도시한 액정 표시판 조립체의 한 예에 대하여 도 14 및 도 15를 참고하여 상세하게 설명한다.An example of the liquid crystal panel assembly illustrated in FIG. 13 will be described in detail with reference to FIGS. 14 and 15.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 배치도이고, 도 15는 도 14의 액정 표시판 조립체를 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 14 is a layout view of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment. FIG. 15 is a cross-sectional view of the liquid crystal panel assembly of FIG. 14 taken along the line XV-XV.
도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 이들 두 표시판 사이에 들어 있는 액정층(3) 및 표시판(100, 200) 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.As shown in FIG. 14 and FIG. 15, the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment includes a
본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 층상 구조는 대개 도 4 내지 도 8에 도시한 액정 표시판 조립체의 층상 구조와 동일하다.The layer structure of the liquid crystal panel assembly according to the present embodiment is usually the same as the layer structure of the liquid crystal panel assembly shown in Figs.
하부 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 절연 기판(100) 위에 복수의 게이트선(121)과 복수의 유지 전극선(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 형성되어 있다. 각 게이트선(121)은 복수 쌍의 제1 및 제2 게이트 전극(124c, 124d)과 끝 부분(129)을 포함한다. 유지 전극선(131)은 복수의 유지 전극(137)을 포함한다. 게이트 도전체(121, 131) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 제1 및 제2 돌출부(154c, 154d)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있고, 그 위에는 돌출부(163c)를 가지는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165c)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165c) 위에는 복수 쌍의 제1 및 제2 데이터선(171c, 171d)과 복수의 제1 및 제2 드레인 전극(175c, 175d)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다. 제1 및 제2 데이터선(171c, 171d)은 각각 복수의 제1 및 제2 소스 전극(173c, 173d)과 끝 부분(179c, 179d)을 포함하며, 제1 및 제2 드레인 전극(175c)은 확장부(177c, 177d)를 포함한다. 데이터 도전체(171c, 171d, 175c, 175d) 및 노출된 반도체(154c, 154d) 부분 위에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182c, 182d, 185c, 185d)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 제1 및 제2 부화소 전극(191Rc, 191Rd, 191Gc, 191Gd, 191Bc, 191Bd)을 포함하는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 복수의 접촉 보조 부재(81, 82c, 82d)가 형성되어 있다. 제2 부화소 전극(191Rd)은 제1 및 제2 단위 전극(191Rd1, 191Rd2)을 포함하며, 제2 부화소 전극(191Bd)은 제1 및 제2 단 위 전극(191Bd1, 191Bd2)을 포함한다. 부화소 전극(191Rc, 191Rd, 191Gc, 191Bc, 191Bd)에는 절개부(91c, 91d)가 형성되어 있고 부화소 전극(191Gd)에는 절개부(92)가 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B), 접촉 보조 부재(81, 82c, 82d) 및 보호막(180) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.Referring to the
상부 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220), 복수의 색필터(230R), 덮개막(250), 절개부(71Rc, 71Rd1. 71Rd2, 71Gc, 71Gd, 71Bc, 71Bd1, 71Bd2)를 가지는 공통 전극(270), 그리고 배향막(21)이 형성되어 있다.Referring to the
그러나 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체에서는 도 4 내지 도 8에 도시한 액정 표시판 조립체와 비교할 때 게이트선(121)의 수효가 반이고 대신 데이터선(171c, 171d)의 수효가 두 배이다. 그리고 하나의 화소 전극(191R, 191G, 191B)을 이루는 제1 및 제2 부화소 전극(191Rc, 191Rd, 191Gc, 191Gd, 191Bc, 191Bd)에 연결된 제1 및 제2 박막 트랜지스터(Qc, Qd)가 동일한 게이트선(121), 서로 다른 데이터선(171c, 171d)에 연결되어 있다.However, in the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment, the number of
제1 및 제2 박막 트랜지스터(Qc, Qd)는 각각 제1 및 제2 데이터선(171c, 171d)의 왼쪽에 위치한다.The first and second thin film transistors Qc and Qd are positioned on the left side of the first and
또한, 반도체(154c, 154d)는 데이터선(171c, 171d) 및 드레인 전극(175c, 175d)을 따라 연장되어 선형 반도체(151)를 이루며, 저항성 접촉 부재(163c)는 데이터선(171c)을 따라 연장되어 선형 저항성 접촉 부재(161)를 이룬다. 선형 반도체(151)는 데이터 도전체(171c, 171d, 175c, 175d) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재 (161, 165c)와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지고 있다.In addition, the
이러한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에서는 데이터선(171c, 171d)과 드레인 전극(175c, 175c), 반도체(151) 및 저항성 접촉 부재(161, 165c)를 한 번의 사진 공정으로 형성한다.In the method of manufacturing the thin film transistor array panel according to the exemplary embodiment of the present invention, the
이러한 사진 공정에서 사용하는 감광막은 위치에 따라 두께가 다르며, 특히 두께가 작아지는 순서로 제1 부분과 제2 부분을 포함한다. 제1 부분은 데이터선(171c, 171d)과 드레인 전극(175c, 175d)이 차지하는 배선 영역에 위치하며, 제2 부분은 박막 트랜지스터의 채널 영역에 위치한다.The photosensitive film used in such a photo process differs in thickness according to a position, and especially includes a 1st part and a 2nd part in order of decreasing thickness. The first portion is positioned in the wiring region occupied by the
위치에 따라 감광막의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있는데, 예를 들면 광마스크에 투광 영역(light transmitting area) 및 차광 영역(light blocking area) 외에 반투명 영역(translucent area)을 두는 방법이 있다. 반투명 영역에는 슬릿 패턴(slit pattern), 격자 패턴(lattice pattern) 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간인 박막이 구비된다. 슬릿 패턴을 사용할 때에는, 슬릿의 폭이나 슬릿 사이의 간격이 사진 공정에 사용하는 노광기의 분해능(resolution)보다 작은 것이 바람직하다. 다른 예로는 리플로우가 가능한 감광막을 사용하는 방법이 있다. 즉, 투광 영역과 차광 영역만을 지닌 통상의 노광 마스크로 리플로우 가능한 감광막을 형성한 다음 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않은 영역으로 흘러내리도록 함으로써 얇은 부분을 형성하는 것이다.There may be various methods of varying the thickness of the photoresist film according to the position. For example, a method of providing a translucent area in addition to a light transmitting area and a light blocking area in a photomask is possible. have. The translucent region is provided with a slit pattern, a lattice pattern, or a thin film having a medium transmittance or a medium thickness. When using the slit pattern, it is preferable that the width of the slits and the interval between the slits are smaller than the resolution of the exposure machine used for the photographic process. Another example is a method using a reflowable photoresist. That is, a reflowable photoresist film is formed with a normal exposure mask having only a light-transmitting region and a light-shielding region, and then reflowed to flow into a region where the photoresist film is not left, thereby forming a thin portion.
이와 같이 하면 한 번의 사진 공정을 줄일 수 있으므로 제조 방법이 간단해진다.In this way, a one-time photographic process can be reduced, thereby simplifying the manufacturing method.
도 4 내지 도 8에 도시한 액정 표시판 조립체의 많은 특징들이 도 13 내지 도 15에 도시한 액정 표시판 조립체에도 적용될 수 있다.Many features of the liquid crystal panel assembly illustrated in FIGS. 4 to 8 may also be applied to the liquid crystal panel assembly illustrated in FIGS. 13 to 15.
다음, 도 16과 앞에서 설명한 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 16 and FIGS. 1 and 2 described above.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.16 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a liquid crystal panel assembly according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 16을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체는 복수의 게이트선(GL)과 복수의 데이터선(DL)을 포함하는 신호선과 이에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다.Referring to FIG. 16, the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment includes a signal line including a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL and a plurality of pixels PX connected thereto.
각 화소(PX)는 한 쌍의 제1 및 제2 부화소(PXe, PXf)와 두 부화소(PXe, PXf) 사이에 연결되어 있는 결합 축전기(Ccp)를 포함한다.Each pixel PX includes a pair of first and second subpixels PXe and PXf and a coupling capacitor Ccp connected between the two subpixels PXe and PXf.
제1 부화소(PXe)는 해당 게이트선(GL) 및 데이터선(DL)에 연결되어 있는 스위칭 소자(Q)와 이에 연결된 제1 액정 축전기(Clce) 및 유지 축전기(Cst)를 포함하며, 제2 부화소(PXf)는 결합 축전기(Ccp)와 연결되어 있는 제2 액정 축전기(Clcf)를 포함한다.The first subpixel PXe includes a switching element Q connected to a corresponding gate line GL and a data line DL, a first liquid crystal capacitor Clce, and a storage capacitor Cst connected thereto. The second subpixel PXf includes a second liquid crystal capacitor Clcf connected to the coupling capacitor Ccp.
스위칭 소자(Q) 또한 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DL)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 액정 축전기(Clce), 유지 축전기(Cste) 및 결합 축전기(Ccp)와 연결되어 있다.The switching element Q is also a three-terminal element of a thin film transistor or the like provided in the
스위칭 소자(Q)는 게이트선(GL)으로부터의 게이트 신호에 따라 데이터선(DL) 으로부터의 데이터 전압을 제1 액정 축전기(Clce) 및 결합 축전기(Ccp)에 인가하고, 결합 축전기(Ccp)는 이 전압을 그 크기를 바꾸어 제2 액정 축전기(Clcf)에 전달한다.The switching element Q applies the data voltage from the data line DL to the first liquid crystal capacitor Clce and the coupling capacitor Ccp according to the gate signal from the gate line GL, and the coupling capacitor Ccp The voltage is changed in magnitude and transferred to the second liquid crystal capacitor Clcf.
유지 축전기(Cste)에 공통 전압(Vcom)이 인가되고 축전기(Clce, Cste, Clcf, Ccp)와 그 정전 용량을 동일한 도면 부호로 나타낸다고 하면, 제1 액정 축전기(Clce)에 충전된 전압(Ve)과 제2 액정 축전기(Clcf)에 충전된 전압(Vf)은 다음과 같은 관계를 가진다.If the common voltage Vcom is applied to the storage capacitor Cste and the capacitors Clce, Cste, Clcf, and Ccp are represented by the same reference numerals, the voltage Ve charged in the first liquid crystal capacitor Clce is assumed to be the same. And the voltage Vf charged in the second liquid crystal capacitor Clcf have the following relationship.
Vf=Ve×[Ccp/(Ccp+Clcf)]Vf = Ve × [Ccp / (Ccp + Clcf)]
Ccp/(Ccp+Clcf)의 값이 1보다 작기 때문에 제2 액정 축전기(Clcf)에 충전된 전압(Vf)은 제1 액정 축전기(Clce)에 충전된 전압(Ve)에 비하여 항상 작다. 이 관계는 유지 축전기(Cste)에 인가된 전압이 공통 전압(Vcom)이 아니라도 마찬가지로 성립한다.Since the value of Ccp / (Ccp + Clcf) is less than 1, the voltage Vf charged in the second liquid crystal capacitor Clcf is always smaller than the voltage Ve charged in the first liquid crystal capacitor Clce. This relationship holds true even when the voltage applied to the storage capacitor Cste is not the common voltage Vcom.
제1 액정 축전기(Clce) 전압(Ve)과 제2 액정 축전기(Clcf) 전압(Vf)의 적정한 비율은 결합 축전기(Ccp)의 정전 용량을 조절함으로써 얻을 수 있다.An appropriate ratio of the first liquid crystal capacitor Clce and the second liquid crystal capacitor Clcf voltage Vf can be obtained by adjusting the capacitance of the coupling capacitor Ccp.
이와 같이 본 발명에서는 개구율이 더 향상되며 측면 시인성을 향상시킬 수 있고, 제1 및 제2 부화소 전극에 데이터 전압을 따로 인가하기가 용이하다. 또한 세로줄 표현이 더욱 좋아지고 중대형 표시 장치에서 투과율을 높일 수 있다. 유지 축전기의 용량 조절, 화소 전극의 면적 조절 및 데이터선 사이의 간격 조절이 자유롭고, 데이터선과 화소 전극과의 중첩 면적의 조절이 용이하여 기생 축전기의 용량 을 적절히 조절할 수 있다.As described above, in the present invention, the aperture ratio may be further improved, the side visibility may be improved, and the data voltage may be easily applied to the first and second subpixel electrodes separately. In addition, the vertical line expression is better and the transmittance can be increased in the medium and large display device. The capacitance of the storage capacitor, the area of the pixel electrode, and the distance between the data lines can be freely adjusted, and the overlapping area between the data lines and the pixel electrodes can be easily adjusted, so that the capacitance of the parasitic capacitor can be adjusted appropriately.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
Claims (27)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050083267A KR101240646B1 (en) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | Liquid crystal display |
US11/319,074 US7826018B2 (en) | 2004-12-27 | 2005-12-27 | Liquid crystal display |
JP2005376284A JP5229765B2 (en) | 2004-12-27 | 2005-12-27 | Liquid crystal display |
TW094146727A TWI399598B (en) | 2004-12-27 | 2005-12-27 | Liquid crystal display |
EP05028484A EP1674922A1 (en) | 2004-12-27 | 2005-12-27 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050083267A KR101240646B1 (en) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | Liquid crystal display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070028084A KR20070028084A (en) | 2007-03-12 |
KR101240646B1 true KR101240646B1 (en) | 2013-03-08 |
Family
ID=38100997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050083267A KR101240646B1 (en) | 2004-12-27 | 2005-09-07 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101240646B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11226527B2 (en) | 2019-04-30 | 2022-01-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102242229B1 (en) | 2014-07-29 | 2021-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09269509A (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element and its production |
KR20030095260A (en) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 샤프 가부시키가이샤 | Liquid crystal display |
KR20040062752A (en) * | 2003-01-03 | 2004-07-09 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor array panel for multi-domain liquid crystal display |
KR20050028703A (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-23 | 삼성전자주식회사 | Multi-domain liquid crystal display and thin film transistor array panel of the same |
-
2005
- 2005-09-07 KR KR1020050083267A patent/KR101240646B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09269509A (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element and its production |
KR20030095260A (en) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 샤프 가부시키가이샤 | Liquid crystal display |
KR20040062752A (en) * | 2003-01-03 | 2004-07-09 | 삼성전자주식회사 | Thin film transistor array panel for multi-domain liquid crystal display |
KR20050028703A (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-23 | 삼성전자주식회사 | Multi-domain liquid crystal display and thin film transistor array panel of the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11226527B2 (en) | 2019-04-30 | 2022-01-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US11762251B2 (en) | 2019-04-30 | 2023-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070028084A (en) | 2007-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101230304B1 (en) | Liquid crystal display | |
JP5229765B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP5057500B2 (en) | Multi-domain liquid crystal display device and display panel used therefor | |
KR101171180B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR101383714B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR20070051037A (en) | Liquid crystal display | |
KR101230301B1 (en) | Liquid crystal display and driving method thereof | |
KR20070051045A (en) | Liquid crystal display | |
KR20080009888A (en) | Liquid crystal display | |
JP2007011377A (en) | Liquid crystal display | |
KR101230312B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR101251996B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR101251994B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR101326132B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR20080010159A (en) | Liquid crystal display | |
KR20070097266A (en) | Liquid crystal display | |
KR20090072208A (en) | Liquid crystal display device | |
KR101240646B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR101326131B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR101518330B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR20070051036A (en) | Liquid crystal display | |
KR20070063373A (en) | Liquid crystal display | |
KR101392183B1 (en) | Liquid crystal display | |
KR20070117073A (en) | Liquid crystal display | |
KR20070016412A (en) | Liquid crystal display including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |