KR101235906B1 - 다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치 - Google Patents

다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101235906B1
KR101235906B1 KR1020100027538A KR20100027538A KR101235906B1 KR 101235906 B1 KR101235906 B1 KR 101235906B1 KR 1020100027538 A KR1020100027538 A KR 1020100027538A KR 20100027538 A KR20100027538 A KR 20100027538A KR 101235906 B1 KR101235906 B1 KR 101235906B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
target
thin film
sputtering
tif
Prior art date
Application number
KR1020100027538A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110108178A (ko
Inventor
윤능구
유연상
박성진
Original Assignee
주식회사 소로나
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 소로나 filed Critical 주식회사 소로나
Priority to KR1020100027538A priority Critical patent/KR101235906B1/ko
Publication of KR20110108178A publication Critical patent/KR20110108178A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101235906B1 publication Critical patent/KR101235906B1/ko

Links

Images

Abstract

스퍼터링에 의한 다성분 무기물질 박막의 형성 박막 및 이를 위한 스퍼터링 장치를 개시한다. 타깃 물질과 별도로 전기적으로 부유된 보충물질이 마련되어 이 보충물질은 플라즈마 영역 가까이에 위치하여 플라즈마로부터의 에너지에 의해 용융 분해되어 그 성분이 플라즈마 영역으로 공급된다. 스퍼터링 후 플라즈마 영역에서 결핍되는 주요 원소가 보충물질로부터 보충되어 완전한 분자구조의 무기물질 박막을 형성할 수 있다.

Description

다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치{fabrication method of multi-component thin layer and sputtering apparatus adopting the same}
박막 형성 방법 및 이를 적용하는 장치에 관한 것으로, 상세하게 다성분 무기물 박막을 형성하는 방법 및 이를 적용하는 플라즈마 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
무기물의 물리적 증착 방법으로서 진공 증착법과 플라즈마 스퍼터링 법이 응용된다. 플라즈마 스퍼터링의 메커니즘에 따르면, 플라즈마 이온에 의해 타깃(target) 물질이 스퍼터링되고, 이때에 뜯겨 나온 타깃 물질의 원자 또는 분자가 피착(또는 증착) 대상물의 표면에 코팅(증착 또는 피착)되는 것이다. 플라스마 가스로는 주로 알곤(Ar)이 이용되는데, 잘 알려진 바와 같이 플라즈마에 발생된 알곤 이온을 이용한 스퍼터링 방법에는 2 극 DC 스퍼터링, RF 스퍼터링, 마그네트론 스퍼터링, 반응성 스퍼터링 등이 있다. 스퍼터링 타깃(또는 소오스)은 무거운 양이온이 충돌하는 캐소드측에 마련되며, 피착 대상물, 예를 들어 유리나 웨이퍼는 애노드(또는 플레이트) 측에 마련된다.
이러한 스퍼터링은 대면적 기판에 우수한 박막을 형성할 수 있는 장점을 가진다. 이러한 스퍼터링의 단점 중의 하나는 다성분 박막에서의 조성비의 제어가 어려운 점이다. 이러한 조성비의 제어를 위하여 다양한 타깃 물질이 개발되고 있으나, 그 결과는 그리 만족스럽지 않다. 다성분 박막 중, 예를 들어 MgF2, CaF2, NiF2, SrF2 와 같이 하나의 분자 내에 같은 원자의 수가 둘 또는 그 이상 마련되는 경우, 그 일부 원소가 충분히 공급되지 않고 결핍, 손실 되는 경우, 목표로 하는 박막이 예를 들어 MgF2, CaF2, NiF2, SrF2 일 때 원하지 않는 MgF2-x, CaF2-x, NiF2-x, SrF2-x를 얻게 된다. 잘 알려진 바와 같이 MgF2 는 광학재료로서 렌즈나 태양전지 등에 많이 사용되는데, 스퍼터링시 불소(F) 원자가 부족하면, SrF2-x 가 얻어지게 된다. SrF2-x는 부도체인 MgF2 와 달리 도전체로서 광을 흡수하는 성질을 가지며, 따라서 광학적 재료, 특히 광의 효율적인 투과가 요구되는 박막 재료로서 적절치 않다. 불소의 성분 결핍의 요인으로는, MgF2 타깃으로부터 원자 상태로 뜯겨 나온 불소 원자(F) 또는 불소 라디칼(F*)의 외부 방출을 한 예로 들 수 있다.
따라서, 목표로 하는 완전한 분자 구조의 박막을 형성하기 위해서는 예를 불화물의 경우 별도로 불소를 공급해 줄 필요가 있다. 일반적으로 타깃에 과잉의 불소를 함유시킬 수 있으나, 비용이나 공정 면에서 불리하다. 특히 불소는 강한 부식성과 맹독성을 가지기 때문에 가스의 상태로 공급하기에는 매우 위험하다.
본 발명에 따르면, 다성분 무기물질 박막을 효과적으로 형성할 수 있는 방법및 스퍼터링 장치가 제시된다.
본 발명에 따르면, 매우 용이한 방법으로 결핍 원소를 무기물질 박막에 공급하여 목표로 하는 조성의 박막을 형성할 수 있는 방법 및 스퍼터링 장치가 제공된다.
본 발명의 한 유형에 따르면,
플라즈마 영역 양측에 캐소드와 애노드가 마련되는 챔버 내에, 캐소드 측의 스퍼터링 타깃과 애노드 측의 증착 대상물을 준비하는 단계;
상기 타깃과 증착 대상물의 사이의 플라즈마 영역에서 플라즈마 이온을 상기 스퍼터링 타깃에 충돌시켜 스퍼터링 타깃으로부터 뜯겨 나온 타깃 물질을 상기 증착 대상물에 증착하는 단계;를 포함하며,
상기 스퍼터링 타깃과 애노드 사이의 플라즈마 영역 가까이에 상기 스퍼터링 타깃의 성분의 일부를 포함하는 고체 상태의 보충물질을 위치시켜, 상기 플라즈마 영역으로부터의 에너지에 의해 상기 보충물질을 분해시켜 그 성분을 플라즈마 영역 내로 공급하는 단계;를 포함하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법이 제공된다.
본 발명의 다른 유형에 따르면,
플라즈마 가스가 공급되는 진공 챔버와;
상기 진공 챔버 내에 정의되는 플라즈마 영역의 일측에 마련되는 것으로 스퍼터링 타깃이 마련된 캐소드;
상기 진공챔버의 타측에서 상기 캐소드를 마주 보게 위치하는 것으로 증착대상 기판이 마련되는 애노드;
상기 플라즈마 영역에 인접하는 설치되는 것으로 상기 타깃의 일부 성분을 포함하는 고체 상태의 보충물질 공급부;를 구비하는 스퍼터링 장치가 제공된다.
상기 플라즈마는 2 극 직류(DC) 플라즈마, RF(고주파) 플라즈마, 마그네트론 플라즈마, 반응성 플라즈마 중의 어느 하나이다.
한 실시 예에 따르면, 상기 보충물질은 상기 타깃 물질의 분자 구조에서 복수 개 마련되는 원소를 포함하며, 바람직하게는 이 원소를 포함하는 고분자물질이다.
다른 실시 예에 따르면, 상기 타깃 물질은 RbF, TiF, AgF, AgF2, CaF2, CuF2, FeF2, MnF2, NiF2, SnF2, SrF2, ZnF2, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TlF3, CeF4, GeF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF5, ReF5 으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 타깃물질은 불화물질이며, 상기 보충물질은 불소를 함유하는 고분자이다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 보충물질은 불소를 함유하는 PTFE이다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 타깃 물질은 MgF2 이다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 이온에 의해 타깃으로부터 뜯겨 나온 원소 중 일부의 결핍을 별도의 보충물질의 공급에 의해 보충함으로써 목적하는 조성의 박막을 형성할 수 있다. 이러한 방법은 결핍이 용이한 원소가 맹독성이 강한 원소, 예를 들어 불소인 경우, 매우 유용하다. 결핍용이 원소를 타깃에 첨가되는 물질에 의해 공급하지 않고, 플라즈마 영역 가까이에 결핍용이 원소 함유 고체, 예를 들어 고분자물질을 근접시키는 것으로 결핍용이 원소를 보충할 수 있다. 이러한 방법 및 이를 적용하는 장치에 따르면 양질의 박막을 용이하고 저렴한 비용으로 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적 구조를 보인다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적 구조를 보인다.
이하 첨부된 도면을 참고하면서, 본 발명에 따른 다성분 무기물 박막의 형성 방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치의 실시 예를 설명한다.
본 발명에 따른 박막 증착 방법 및 이를 적용하는 장치에 의해 형성될 수 있는 박막은 매우 다양하다. 바람직하게는 이들 박막은 여러 원소(다성분)을 포함하며, 일부는 맹독성 원소일 수 있다. 다성분 박막을 구성 원소 중 분자 당 원자수가 복수인 원소가 마련될 수 있으며, 복수 원자수의 원소는 결핍이 용이한 원소일 수 있다.
이하의 설명에서는 다성분 무기물질로서 다양한 분야에서 사용되는 MgF2를 중심으로 설명되며, 이를 통해서 다양한 다성분 무기물 박막의 형성에 대해 쉽게 이해될 수 있다.
MgF2 는 전술한 바와 같이, 광학재료로 많이 사용되며, 렌즈나 태양전지 등에 사용된다. 순수한 MgF2 는 부도체로서 높은 광투과율을 가지지만 증착시 불소(F)가 결핍되는 MgF2-x 가 형성될 수 있다. 이는 전도체로서 상당한 광흡수특성을 가지게 된다. 따라서, 렌즈나 태양전지에서와 같이 높은 광투과율이 보장되어야 하는 응용대상에 있어서 MgF2-x 의 형성은 치명적이다.
물질적 증착법의 하나인 스퍼터링 법은 잘 알려진 바와 같이 플라즈마 이온이 타깃으로부터 분자 또는 원자를 떼어 내어 유리가 기판 등의 증착 대상물의 표면에 코팅되는 것이다. 그런데, 스퍼터링된 분자나 원자가 플라즈마 영역 내에서 일부 손실되게 되는데, 이때에 불소가 부족하게 되면 MgF2-x 가 형성될 수 있다. 마찬가지로 MgF2 외의 다성분계 무기물질, 예를 들어, RbF, TiF, AgF, AgF2, CaF2, CuF2, FeF2, MnF2, NiF2, SnF2, SrF2, ZnF2, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TlF3, CeF4, GeF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF5, ReF5 들도 역시 스터터링 과정에서 일부 원소가 손실됨으로써 원자수가 적은 불완전한 분자막이 형성될 것이다.
본 발명은 플라즈마 스퍼터링 시 일부 원소의 손실을 효과적으로 보충하여, 목표로 하는 조성의 무기물 박막을 형성하기 위하여, 플라즈마 영역 근방에 손실이 용이한 원소를 포함하는 고체상태의 보충물질을 위치시킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 기본적인 구조를 개략적으로 도시한다.
도 1을 참조하며, 챔버(10) 일측에 플라즈마 가스 주입구(11)가 마련되고, 타측에는 외부 진공 펌프에 연결되는 진공 배기구(12)가 마련되어 있다. 챔버(10)의 내부의 상방에는 타깃 물질(21a)이 마련된 캐소드(21)가 위치하며, 그 하방에는 증착 대상물(40), 예를 들어 유리기판이나 웨이퍼가 장착되는 애노드(22)가 마련된다. 캐소드(21)와 애노드(22)는 외부 전원 장치(23)에 연결된다. 외부 전원 장치(23)는 직류(DC) 또는 DC 펄스를 인가할 수 있다.
상기와 같은 구조의 플라즈마 스퍼터링 장치(1)에는 여러가지 부가적 요소를 가질 수 있으며, 부가적 요소의 유무 및 그 유형에 따라 스퍼터링 장치(1)가 2 극형 DC 스퍼터링 장치, RF 스퍼터링 장치, 마그네트론 스퍼터링 장치가 될 수 있다. 즉, 도 1는 여러 유형의 스퍼터링 장치 들의 공통적 요소를 개략적으로 도시한 것이며, 여기에는 2 극형 DC 스퍼터링 장치, RF 스퍼터링 장치, RF 마그네트론 스퍼터링 장치들에 필요한 부가적 요소가 추가될 수 있다.
한편, 상기 스퍼터링 장치(1)에는 상기 타깃 물질(21a)과는 별도로 첨가 원소 공급원으로서 고체 상태의 보충물질 공급부(50)가 마련된다. 이 보충물질 공급부(50)은 플라즈마 영역으로부터의 고열에 의해 증발되며, 이에 더불어 플라즈마 영역과 타깃 물질 사이의 위치로부터 벗어난 영역에 위치함으로써 타깃 물질로 진행하는 이온이 일부 충돌할 수 있다.
이 보충물질 공급부(50)는 전기적으로 부유된 상태로서 플라즈마 영역(30) 가까이에서 열과 플라즈마 이온 등에 노출됨으로써 용융, 증발하고 이것이 플라즈마 영역 내에 공급됨으로써 분해된다. 증착하고자 하는 물질인 MgF2인 경우, 타깃 물질은 MgF2를 포함하며, 따라서 스퍼터링 시 MgF2가 분자 및 원자의 상태로 뜯겨 나온다. 이때에 전술한 바와 같이 불소가 원자 또는 라디칼의 형태로 손실될 수 있게 되며, 따라서 플라즈마 공간에는 Mg에 비해 불소(F)가 결핍되게 된다. 이때에 예를 들어 PTFE(테트라 플루오르화 에틸렌 수지), PCTFE(불화 염화 에틸렌수지), PFEP(육 불화 에틸렌 프로필렌 수지), PVF(불화비닐수지), PVDF(불화 비닐리덴 수지) 등과 같은 고분자 불화물질이 보충물질로서 사용되는 경우, 플라즈마 영역으로부터의 고에너지에 의해 용융 및 분해되는데, 고분자의 체인이 끊어지게 된다. 이때에 플라즈마 가스에 산소가 존재하는 경우 탄소는 산소와 결합하여 가스 상태로 배출되고, 잔류하는 보충 물질로부터의 불소는 결핍된 불소를 보충하게 된다. 따라서, 증착 대상물(40)에는 성공적으로 양질의 MgF2 박막이 형성되게 된다.
즉 본 발명은 타깃 물질의 스퍼터링에 의해 기판 등의 증착 대상물에 무기물 박막을 형성함에 있어서, 결핍 원소를 타깃 물질과는 별도로 공급하여 완전한 조성의 무기물 박막을 형성하는 것이다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 보충 물질 공급부는 타깃 물질(21a)과 인접하여 캐소드(21) 측에 마련될 수 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 캐소드(21) 일측에 보충물질 공급부(50')가 마련된다. 보충물질 공급부(50')는 캐소드(21)의 몸체 일부가 될 수 있으며, 경우에 따라서는 별도의 몸체 이면서 캐소드(21)에 같이 결합될 수 있다. 보충물질(50a')은 타깃 물질(21a)과는 별도로 존재한다. 이 실시 예에 따르면 보충물질(50a')은 전기적으로 음의 상태가 되며 따라서, 플라즈마 영역(30) 가까이에서 열과 플라즈마 이온 등에 직접 노출됨으로써 용융, 증발하고 이것이 플라즈마 영역 내에 공급됨으로써 분해된다.
따라서, 본 발명의 방법은 전술한 실시 예들과 같은 스퍼터링 장치(1)를 이용한다. 즉, 플라즈마 영역(30) 양측에 캐소드(21)와 애노드(22)가 마련되는 챔버(10) 내에, 캐소드(21) 측의 스퍼터링 타깃, 즉 타깃 물질(21a)과 애노드(22) 측의 증착 대상물(40)을 준비한다.
삭제
그리고, 상기 타깃 물질(21a)과 증착 대상물(40)의 사이의 플라즈마 영역(30)에서 플라즈마를 발생시켜, 플라즈마 이온을 상기 스퍼터링 타깃, 즉 타깃 물질(21a)에 충돌시켜 타깃 물질로부터 뜯겨 나온 분자 또는 원자를 상기 증착 대상물(40)의 표면에 증착한다.
이때에, 상기 타깃 물질(21a)과 애노드(40) 사이의 플라즈마 영역(30) 가까이에 상기 타깃 물질의 성분의 일부, 특히 전술한 바와 같이 결핍이 되는 원소를 포함하는 고체 상태의 보충물질(50a)을 위치시킨다. 이와 같이 함으로써 상기 플라즈마 영역(30)으로부터의 고 에너지에 의해 상기 보충물질(50a, 50a')을 분해시켜 그 성분을 플라즈마 영역 내로 공급하여, 결핍된 원소를 보충한다. 이때에 약간의 산소를 공급하게 되면, 보충원소를 제외한 나머지 원소와 반응하여 기체 상태로 배출되게 된다.
위와 같은 본 발명은 결핍 용이 원소가 독성을 가진 물질인 경우 매우 유용하다. 즉, 본 발명은 결핍 용이 원소를 독성을 가진 상태로 공급하지 않고, 독성이 없는 고분자 상태로 플라즈마 챔버 내에 공급하고, 내부 에너지에 의해 분해되도록 함으로써 결핍 원소를 공급하게 된다.
이러한 본 발명에 따르면 다양한 무기물 박막을 성공적으로 형성할 수 있으며, 이러한 본 발명의 개념에 따라 MgF2 외에 다양한 다성분계 무기물 박막, 예를 들어, 다성분계 무기물질, 예를 들어, RbF, TiF, AgF, AgF2, CaF2, CuF2, FeF2, MnF2, NiF2, SnF2, SrF2, ZnF2, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TlF3, CeF4, GeF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF5, ReF5 들를 성공적으로 형성할 수 있다.
1: 스퍼터링 장치
10: 챔버
11 : 가스 주입구
12 : 배기구
21 : 캐소드
22 : 애노드
30: 플라즈마 영역
40: 피착(증착) 대상물
50, 50': 보충물질 공급부
50a, 50a': 보충물질

Claims (19)

  1. 플라즈마가 발생하는 플라즈마 영역 양측에 캐소드와 애노드가 마련되는 챔버 내에, 캐소드 측의 스퍼터링 타깃과 애노드 측의 증착 대상물을 준비하는 단계;
    상기 타깃과 증착 대상물의 사이의 플라즈마 영역에서 플라즈마 이온을 상기 스퍼터링 타깃에 충돌시켜 스퍼터링 타깃으로부터 뜯겨 나온 타깃 물질을 상기 증착 대상물에 증착하는 단계;를 포함하며,
    상기 스퍼터링 타깃과 애노드 사이의 플라즈마 영역 가까이에 상기 스퍼터링 타깃의 성분의 일부를 포함하는 고분자 물질로 된 고체 상태의 보충물질을 위치시켜, 상기 플라즈마 영역으로부터의 에너지에 의해 상기 보충물질을 분해시켜 그 성분을 플라즈마 영역 내로 공급하는 단계;를 포함하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 2 극 직류(DC) 플라즈마, RF(고주파) 플라즈마, 마그네트론 플라즈마, 반응성 플라즈마 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보충물질은 상기 타깃 물질에 포함된 분자에서 복수 원자 수를 가지는 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보충물질은 상기 캐소드 측에 마련하는 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  5. 삭제
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 보충 물질은 불화물인 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 타깃 물질은 RbF, TiF, AgF, AgF2, BaF2, CaF2, CuF2, FeF2, MnF2, NiF2, SnF2, SrF2, ZnF2, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TlF3, CeF4, GeF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF5, ReF5 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 산소를 공급하는 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 산소를 공급하는 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 보충 물질은 4 불화 에틸렌 수지(PTFE), 3 불화 염화 에틸렌 수지(PCTFE), 6 불화 에틸렌 프로필렌 수지(PFEP), 불화 비닐 수지(PVF) 또는 불화 비닐리덴 수지(PVDF)인 것을 특징으로 하는 다성분 무기물질 박막의 형성방법.
  11. 플라즈마 가스가 공급되는 진공 챔버와;
    상기 진공 챔버 내에 정의되는 플라즈마 영역의 일측에 마련되는 것으로 스퍼터링 타깃이 마련된 캐소드;
    상기 진공챔버의 타측에서 상기 캐소드를 마주 보게 위치하는 것으로 증착대상 기판이 마련되는 애노드;
    상기 플라즈마 영역에 인접하는 설치되는 것으로 상기 타깃의 일부 성분을 포함하는 고분자 물질로 된 고체 상태의 보충물질 공급부;를 구비하는 스퍼터링 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 2 극 직류(DC) 플라즈마, RF(고주파) 플라즈마, 마그네트론 플라즈마, 반응성 플라즈마 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 보충물질은 상기 타깃 물질에 포함된 분자에서 복수 원자 수를 가지는 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 보충물질은 상기 캐소드 측에 마련되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  15. 삭제
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 보충 물질은 불화물인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  17. 제 11 항 내지 제 14 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 보충 물질은 4 불화 에틸렌 수지(PTFE), 3 불화 염화 에틸렌 수지(PCTFE), 6 불화 에틸렌 프로필렌 수지(PFEP), 불화 비닐 수지(PVF) 또는 불화 비닐리덴 수지(PVDF)인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 타깃 물질은 RbF, TiF, AgF, AgF2, BaF2, CaF2, CuF2, FeF2, MnF2, NiF2, SnF2, SrF2, ZnF2, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TlF3, CeF4, GeF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF5, ReF5 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  19. 제 11 항 내지 제 14항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 타깃 물질은 RbF, TiF, AgF, AgF2, BaF2, CaF2, CuF2, FeF2, MnF2, NiF2, SnF2, SrF2, ZnF2, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TlF3, CeF4, GeF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF5, ReF5 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
KR1020100027538A 2010-03-26 2010-03-26 다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치 KR101235906B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100027538A KR101235906B1 (ko) 2010-03-26 2010-03-26 다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100027538A KR101235906B1 (ko) 2010-03-26 2010-03-26 다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110108178A KR20110108178A (ko) 2011-10-05
KR101235906B1 true KR101235906B1 (ko) 2013-02-21

Family

ID=45317196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100027538A KR101235906B1 (ko) 2010-03-26 2010-03-26 다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101235906B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101418304B1 (ko) * 2013-01-14 2014-07-10 (주)알에프트론 테프론을 이용한 금속산화물의 불소 도핑 방법 및 그를 이용한 산화물 반도체 제조 방법
WO2016122223A1 (ko) * 2015-01-28 2016-08-04 한국화학연구원 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
KR20160092896A (ko) 2015-01-28 2016-08-05 한국화학연구원 증착용 불소계고분자 복합 타겟

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09263936A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Olympus Optical Co Ltd 薄膜の製造方法および薄膜
JP2004162116A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Nikko Materials Co Ltd スパッタリング方法及びスパッタリングターゲット
JP2005048260A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc 反応性スパッタリング方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09263936A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Olympus Optical Co Ltd 薄膜の製造方法および薄膜
JP2004162116A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Nikko Materials Co Ltd スパッタリング方法及びスパッタリングターゲット
JP2005048260A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Canon Inc 反応性スパッタリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110108178A (ko) 2011-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150016983A (ko) 사전 안정화된 플라즈마를 이용하는 프로세스들을 위한 스퍼터링을 위한 방법
US20090200159A1 (en) Reactive sputtering method
US7309531B2 (en) El device
KR101235906B1 (ko) 다성분 무기물 박막 형성방법 및 이를 적용하는 스퍼터링 장치
US20130122252A1 (en) Ion beam deposition of fluorine-based optical films
Willey Practical production of optical thin films
KR101113128B1 (ko) 성막 장치의 제어 방법, 성막 방법, 성막 장치, 유기 ｅｌ 전자 디바이스 및 그 제어 프로그램을 격납한 기억 매체
JP2007248828A (ja) 光学薄膜形成方法および装置
JP2010007125A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2001335924A (ja) スパッタリング装置
WO1996032520A1 (en) Method for producing dielectric coatings
JP2005133131A (ja) 屈折率変化層の形成方法
KR20200145858A (ko) 기판을 코팅하는 방법 및 기판을 코팅하기 위한 코팅 장치
EP2535438B1 (en) Methods for forming metal fluoride film
JP2001207260A (ja) 成膜方法および成膜装置
US9748569B2 (en) Porous, thin film electrodes for lithium-ion batteries
JPH09324262A (ja) フッ化物薄膜の製造方法及びフッ化物薄膜
JP3740301B2 (ja) フッ化物薄膜の形成方法、該薄膜を有する光学部材及びスパッタ装置
JPH10237642A (ja) 光学薄膜の成膜方法および成膜装置
KR20060057461A (ko) 복수의 대향 타겟식 스퍼터를 이용한 증착장치 및 이를이용한 증착방법
KR100282024B1 (ko) 스퍼터링에 의한 유기전기발광소자의 제조방법
KR100546632B1 (ko) 이온빔 스퍼터링 증착 및 디씨 스퍼터링 증착을 이용한투명 전극용 아이티오 복합층, 동 증착 방법 및 동 증착장치
JP2002348662A (ja) 真空蒸着装置および薄膜形成方法
JP3670697B2 (ja) 光学薄膜の製造方法
JP2003113464A (ja) 真空蒸着装置及び真空蒸着方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160211

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200217

Year of fee payment: 8