KR101232197B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부 하측에 설치되고, 상기 기판이 놓이는 기판지지부재; 및 상기 공정챔버의 내부 상측에 설치되고, 상기 공간으로 플라즈마 및 공정가스를 분배하는 제1 및 제2가스분배플레이트를 포함하고, 상기 제1가스분배플레이트는 상기 제2가스분배플레이트의 하측에 배치될 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 2단 배플 구조를 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 식각 공정은 웨이퍼의 상면에 도포된 박막 위에 포토 공정에서 패턴을 형성한 대로 필요한 부분만 남기고 필요 없는 부분의 박막을 화학적 또는 물리적 방법으로 제거하는 공정을 말한다.
이와 같이 반도체 웨이퍼에 증착된 박막을 제거하기 위한 대표적인 방법으로 습식 식각과 건식 식각 방법이 있다. 습식 식각 방법은 주로 희석된 불산(HF)과 초순수(DI water)를 적당한 비율로 혼합하여 웨이퍼의 상면에 증착된 산화막을 제거하는 방법이다. 건식 식각 방법은 산화막과 반응하는 반응막을 산화막 상면에 형성한 후, 플라즈마(plasma)를 이용하여 반응막을 휘발시킴으로써 산화막을 제거하는 방법이다.
도 1은 건식 식각 공정이 진행되는 공정챔버의 단면도이다.
공정챔버(10)는 챔버몸체(30)와 탑리드(40)를 포함한다. 챔버몸체(30)의 내부에는 기판지지부(50)가 제공된다. 기판지지부(50) 상에는 기판(W)이 놓인다. 기판(W)은 챔버몸체(30)의 일측벽(13)에 형성된 기판출입구(12)를 통해 챔버몸체(30)로 인입 또는 인출된다. 기판출입구(12)는 게이트밸브(20)에 의해 열리거나 닫힌다. 배플(41)은 탑리드(40)의 내부에 설치된다. 배플(41)은 다수의 통공(42)을 갖는다. 통공(42)을 통해 플라즈마가 기판(W) 상으로 제공된다.
한편, 이러한 구조의 공정챔버는 배플(41)이 탑리드(40) 상에 나사로 고정되므로 배플(41)과 기판(W) 상의 거리가 고정된다. 따라서 기판(W) 상의 식각 균일도를 향상시키는 방법은 통공(42)의 형성패턴과 개구밀도에 의존하게 된다.
본 발명의 실시예들은 기판의 식각 균일도를 조절하고자 한다.
또한, 본 발명의 실시예들은 기판 상으로 제공되는 플라즈마 가스의 흐름방향을 조절하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정챔버, 상기 공정챔버의 내부 공간을 밀폐하도록 상기 공정챔버의 상부에 결합되며 유입관이 제공된 탑리드, 상기 공정챔버의 내부 하측에 설치되고, 상기 기판이 놓이는 기판지지부재, 상기 공정챔버의 내부 상측에 설치되며 다수의 제1관통홀이 형성된 제1가스분배플레이트, 그리고 상기 탑리드와 상기 제1가스분배플레이트 사이에 배치되며 다수의 제2관통홀이 형성된 제2가스분배플레이트를 포함하고, 상기 제1가스분배플레이트 또는 상기 제2가스분배플레이트는 상하 이동가능하게 제공되고, 상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트는 상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트가 접촉되는 경우에도 상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트 사이에 플라즈마 가스가 머무르는 공간이 형성되도록 형상지어진다.
또한, 상기 제1 및 제2가스분배플레이트는 독립적으로 상하 이동가능할 수 있다.
또한, 상기 제1가스분배플레이트는 상기 공정챔버의 내부 상측에 고정되고, 상기 제2가스분배플레이트는 상기 제1가스분배플레이트의 상측에서 상하로 이동할 수 있다.
또한, 상기 제1가스분배플레이트를 상하로 이동시키는 제1구동부재와, 상기 제2가스분배플레이트를 상하로 이동시키는 제2구동부재가 상기 공정챔버의 탑리드 상부에 더 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1구동부재는 상기 제1가스분배플레이트에 결합되는 제1구동축들; 상기 제1구동축들을 연결하는 제1연결바; 상기 제1구동축들을 상하로 이동시키는 제1구동부를 포함하고, 상기 제2구동부재는 상기 제2가스분배플레이트에 결합되는 제2구동축들; 상기 제2구동축들을 연결하는 제2연결바; 상기 제2구동축들을 상하로 이동시키는 제2구동부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1구동축들은 상기 제1연결바와 상기 탑리드 사이에 제공된 제1벨로우즈 내부에 위치하고, 상기 제2구동축들은 상기 제2연결바와 상기 탑리드 사이에 제공된 제2벨로우즈 내부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1연결바와 상기 제2연결바는 서로 직교하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1구동축들은 상기 제1가스분배플레이트의 중심에 대해 서로 대칭되게 배치되고, 상기 제2구동축들은 상기 제2가스분배플레이트의 중심에 대해 서로 대칭되게 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1구동축들은 상기 제2가스분배플레이트를 관통하여 상기 제1가스분배플레이트에 결합될 수 있다.
또한, 상기 제1가스분배플레이트에는 히터가 더 포함되고, 상기 히터는 상기 제1가스분배플레이트를 가열할 수 있다.
또한, 상기 제1구동축들과 상기 제2구동축들은 알루미나 산화막 재질로 코팅될 수 있다.
또한, 상기 제1구동부재는 상기 제1가스분배플레이트의 상하 위치를 검출하는 제1위치검출부재를 더 포함하고, 상기 제2구동부재는 상기 제2가스분배플레이트의 상하 위치를 검출하는 제2위치검출부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1위치검출부재는 상기 제1구동부재의 제1브라켓에 구비된 제1기준표시부재와, 상기 제1기준표시부재의 상하 위치를 검출하는 제1센서부를 포함하고, 상기 제2위치검출부재는 상기 제2구동부재의 제2브라켓에 구비된 제2기준표시부재와, 상기 제2기준표시부재의 상하 위치를 검출하는 제2센서부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 상하로 이동가능한 가스분배플레이트들로 플라즈마 가스의 흐름방향을 조절하여 기판의 식각 균일도를 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 가스분배플레이트에 히터를 제공하여 공정가스의 잔류 시간과 반응시키고자 하는 막질과의 반응력을 증가시킬 수 있다.
도 1은 건식 식각 공정이 진행되는 공정챔버의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 외관도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3a 및 도 3b의 가스분배플레이트들의 사시도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 6은 도 5a 내지 도 5c의 가스분배플레이트들의 사시도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 외관도이다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
기판 처리 장치(200)는 공정챔버(210), 기판지지부재(미도시), 제1구동부재(240), 제2구동부재(260), 제1가스분배플레이트(310), 그리고 제2가스분배플레이트(330)를 포함한다.
공정챔버(210)는 기판 상의 박막 증착 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정챔버(210)의 내부에는 기판지지부재(350)가 제공된다. 기판지지부재(350)의 상부에는 기판(W)이 놓인다.
탑리드(220)는 공정챔버(210)의 상부에 결합된다. 탑리드(220)는 공정챔버(210)의 내부공간을 밀폐시킨다. 탑리드(220)와 공정챔버(210) 사이에는 실링부재(미도시)가 제공될 수 있다. 탑리드(220)의 중앙부에는 유입관(280)이 제공된다. 유입관(280)을 통해 플라즈마 가스가 공정챔버(210) 내부로 유입된다.
제1구동부재(240)는 제1구동축(301), 제1연결바(248), 그리고 제1구동부(241)를 포함한다. 제1구동부재(240)는 후술할 제2가스분배플레이트(330)를 상하로 이동시킨다. 제1구동부(241)는 모터로 제공될 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조할 때, 제1구동축(301)은 제2가스분배플레이트(330)에 결합된다. 제1구동축(301)은 제2가스분배플레이트(330)의 중심을 기준으로 맞은 편에 2개가 제공된다. 제1구동축(301)은 탑리드(220)를 관통하여 상하로 이동한다. 제2가스분배플레이트(330)는 제1구동축(301)과 연동하여 상하로 이동한다. 제1구동축(301)은 탑리드(220)의 외부 상단에서 제1벨로우즈(245)의 내부에 위치한다. 제1벨로우즈(245)는 제1구동축(301)과 탑리드(220) 사이 공간을 외부와 차단한다.
제1연결바(248)는 제1지지판(244)들과 제1이음판(246)을 포함한다. 제1지지판(244)들은 각각 제1구동축(301)의 상단으로부터 수평으로 나란하게 연장된다. 제1이음판(246)은 제1지지판(244)들을 연결한다. 제1지지판(244)들은 제1이음판(246)이 유입관(280)과 간섭되지 않도록 한다. 제1연결바(248)는 제2가스분배플레이트(330)에 결합된 2개의 제1구동축(301)이 동시에 상하로 이동하게 한다.
제1구동부재(240)는 제1위치검출부재(247)를 더 포함한다. 제1위치검출부재(247)는 제1기준표시부재(242)와 제1센서부(251)를 포함한다. 제1기준표시부재(242)는 제1브라켓(243)에 제공된다. 제1브라켓(243)은 제1구동축(301)의 상단 및 제1지지판(244)들 중 어느 하나와 연결된다. 제1브라켓(243)은 제1구동부(241)에 의해 상하로 이동한다. 제1센서부(251)는 제1기준표시부재(242)의 상하 위치를 검출한다. 제1센서부(251)는 제1구동부(241)의 외부 케이스 일면에 위치고정된다.
한편, 도 3a의 경우 제2가스분배플레이트(330)와 제1가스분배플레이트(310) 사이의 간격은 최소가 된다. 이 때, 제1센서부(251)는 제1기준표시부재(242)의 위치를 하향경계점으로 판단한다. 따라서 제2가스분배플레이트(330)는 더 이상 하방향으로 이동하지 못하게 된다. 도 3b의 경우 제2가스분배플레이트(330)와 제1가스분배플레이트(310) 사이의 간격은 최대가 된다. 이 때, 제1센서부(251)는 제1기준표시부재(242)의 위치를 상향경계점으로 판단한다. 따라서, 제2가스분배플레이트(330)는 더 이상 상방향으로 이동하지 못하게 된다.
다시 도 2와 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제2구동부재(260)는 제2구동축(341), 제2연결바(268), 제2구동부(261), 그리고 제2위치검출부재(267)를 포함한다. 제2구동부재(260)는 상술한 제1구동부재(240)와 동일한 구성을 갖는다. 제2구동부재(260)는 상술한 제1구동부재(240)와 함께 제2가스분배플레이트(330)를 상하로 이동시킨다. 즉, 제1구동부재(240)와 제2구동부재(260)는 연동하여 제2가스분배플레이트(330)를 상하로 이동시킨다. 제2구동축(341)을 연결하는 제2연결바(268)는 제1구동축(301)을 연결하는 제1연결바(248)와 수직으로 교차된다.
도 4는 도 3a 내지 도 3b의 가스분배플레이트들을 도시한 사시도이다.
도 3a와 도 4를 참조하면, 제1가스분배플레이트(310)는 탑리드(220)의 내부에 고정된다. 제1가스분배플레이트(310)는 상면이 개방된 원기둥 형상이다. 제1가스분배플레이트(310)의 하면에는 다수개의 제1관통홀(311)이 형성된다. 플라즈마 가스는 제1관통홀(311)을 통해 기판 상으로 제공된다. 제1가스분배플레이트(310)의 측면 내부에는 히터(320)가 제공된다. 히터(320)는 제1가스분배플레이트(310)를 가열한다. 이로 인해 플라즈마 가스가 기판 상에 잔류하는 시간을 증가시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 가스와 기판 상에서 반응시키고자 하는 막질과의 반응력을 증가시킬 수 있다.
제2가스분배플레이트(330)는 제1가스분배플레이트(310)의 상측에 제공된다. 제2가스분배플레이트(330)는 원판 형상으로 제공된다. 제2가스분배플레이트(320)의 중앙부에는 다수개의 제2관통홀(331)이 형성된다. 플라즈마 가스는 제2관통홀(331)을 통해 제1가스분배플레이트(310)로 유입된다. 제1결합공(401)과 제2결합공(403)은 제2가스분배플레이트(330)의 상면 가장자리를 따라 형성된다. 제1결합공(401)은 제2가스분배플레이트(330)의 중심을 기준으로 맞은편에 형성된다. 제2결합공(403)은 제2가스분배플레이트(330)의 중심을 기준으로 맞은편에 형성된다. 제1결합공(401)을 연결한 선분과 제2결합공(403)을 연결한 선분은 제2가스분배플레이트(330)의 중심에서 수직으로 교차한다. 제1구동축(301)은 제1결합공(401)에 결합된다. 제2구동축(341)은 제2결합공(403)에 결합된다. 제1구동축(301)은 제1결합공(401)에 나사결합할 수 있다. 제2구동축(341)은 제2결합공(403)에 나사결합할 수 있다.
도 2 내지 도 3b를 참조하여, 기판 처리 장치(200)의 작동과정을 설명한다.
유입관(280)을 통해 유입되는 플라즈마 가스는 제2가스분배플레이트(330)의 제2관통홀(331)들을 통해 제1가스분배플레이트(310)로 유입된다. 제1가스분배플레이트(310)로 유입된 플라즈마 가스는 제1관통홀(311)을 통해 기판 상으로 제공된다(도 3a의 상태). 기판 상으로 제공되는 플라즈마 가스의 흐름방향을 변경하고자 하는 경우 제1구동부(241)와 제2구동부(261)를 구동시켜 제2가스분배플레이트(330)를 상승시킨다(도 3b의 상태). 제2가스분배플레이트(330)를 상하로 이동시켜 제1가스분배플레이트(310)와 제2가스분배플레이트(330) 사이의 공간 크기를 변경시킴으로써 기판 상으로 제공되는 플라즈마 가스의 흐름방향을 변경시킬 수 있다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c의 기판 처리 장치(500)는 상술한 도 3a 내지 도 3b의 기판 처리 장치(200)와 비교시 제1가스분배플레이트(510)와 제2가스분배플레이트(530)가 독립적으로 상하 이동 가능함에 차이가 있으므로 이에 대해 설명한다.
도 6은 도 5a 내지 도 5c의 가스분배플레이트들의 사시도이다.
제1결합홈(611)은 제1가스분배플레이트(510)의 상부면 가장자리에 형성된다. 관통공(601)과 제2결합홈(603)은 제2가스분배플레이트(530)의 상면 둘레를 따라 형성된다. 제1구동축(301)은 제2가스분배플레이트(530)의 관통공(601)을 통과하여 제1가스분배플레이트(510)의 제1결합홈(611)에 결합된다. 제2구동축(341)은 제2가스분배플레이트(530)의 제2결합홈(603)에 결합된다. 제1가스분배플레이트(510)는 제1구동축(301)을 상하로 이동시키는 제1구동부(241, 도 2 참조)에 의해 상하로 이동한다. 제2가스분배플레이트(530)는 제2구동축(341)을 상하로 이동시키는 제2구동부(261, 도 2 참조)에 의해 상하로 이동한다. 제1가스분배플레이트(510)의 상하 이동 간격은 제1위치검출부재(247)로부터 측정된 값들을 기준으로 결정된다. 제2가스분배플레이트(530)의 상하 이동 간격은 제2위치검출부재(267)로부터 측정된 값들을 기준으로 결정된다.
도 7a 내지 도 7b는 도 5a의 기판 처리 장치 내에서 플라즈마 가스의 흐름방향을 표시한 도면이다.
도 7a를 참조하면, 제2가스분배플레이트(530)가 최하측으로 이동하면 탑리드(220)와 제2가스분배플레이트(530)의 사이에 형성되는 공간이 넓어진다. 따라서, 제2가스분배플레이트(530)의 가장자리 영역까지 확산되는 플라즈마 가스의 양이 증가할 수 있어, 결국 기판(W)의 가장자리 영역으로 제공되는 플라즈마 가스의 양이 증가하게 된다.
한편, 도 7b를 참조하면, 제2가스분배플레이트(530)가 최상측으로 이동하면 탑리드(220)와 제2가스분배플레이트(530)의 사이에 형성되는 공간이 좁아진다. 따라서, 제2가스분배플레이트(530)의 가장자리 영역까지 확산되는 플라즈마 가스의 양이 감소할 수 있어, 결국 기판(W)의 가장자리 영역으로 제공되는 플라즈마 가스의 양이 감소하게 된다.
이상과 같이 제2가스분배플레이트(530)를 이동시켜 탑리드(220)와 제2가스분배플레이트(530)의 사이에 형성되는 공간의 크기를 조절함으로써 플라즈마 가스가 기판 상에 제공되는 영역과 그 농도를 조절할 수 있게 된다.
더불어, 제2가스분배플레이트(530)와 제1가스분배플레이트(510)가 서로 독립적으로 이동가능하게 제공되면, 탑리드(220)와 제2가스분배플레이트(530)의 사이에 형성되는 공간 및 제2가스분배플레이트(530)와 제1가스분배플레이트(510)의 사이에 형성되는 공간을 다양하게 변화시킬 수 있어, 플라즈마 가스가 기판 상에 제공되는 영역과 그 농도를 다양하게 조절할 수 있게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 **
200,500 : 기판 처리 장치 210 : 공정챔버
220 : 탑리드 240 : 제1구동부재
260 : 제2구동부재 280 : 유입관
310,510 : 제1가스분배플레이트 320 : 히터
330,530 : 제2가스분배플레이트

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 내부 공간을 밀폐하도록 상기 공정챔버의 상부에 결합되며 유입관이 제공된 탑리드;
    상기 공정챔버의 내부 하측에 설치되고, 상기 기판이 놓이는 기판지지부재;
    상기 공정챔버의 내부 상측에 설치되며 다수의 제1관통홀이 형성된 제1가스분배플레이트; 그리고
    상기 탑리드와 상기 제1가스분배플레이트 사이에 배치되며 다수의 제2관통홀이 형성된 제2가스분배플레이트를 포함하고,
    상기 제1가스분배플레이트 또는 상기 제2가스분배플레이트는 상하 이동가능하게 제공되고,
    상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트는 상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트가 접촉되는 경우에도 상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트 사이에 플라즈마 가스가 머무르는 공간이 형성되도록 형상지어진 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1가스분배플레이트와 상기 제2가스분배플레이트는 각각 독립적으로 상하 이동 가능한 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1가스분배플레이트는 상기 공정챔버의 내부 상측에 고정되고,
    상기 제2가스분배플레이트는 상기 제1가스분배플레이트의 상측에서 상하로 이동하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1가스분배플레이트를 상하로 이동시키는 제1구동부재와, 상기 제2가스분배플레이트를 상하로 이동시키는 제2구동부재가 상기 공정챔버의 탑리드 상부에 더 구비된 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1구동부재는 상기 제1가스분배플레이트에 결합되는 제1구동축들; 상기 제1구동축들을 연결하는 제1연결바; 상기 제1구동축들을 상하로 이동시키는 제1구동부를 포함하고,
    상기 제2구동부재는 상기 제2가스분배플레이트에 결합되는 제2구동축들; 상기 제2구동축들을 연결하는 제2연결바; 상기 제2구동축들을 상하로 이동시키는 제2구동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1구동축들은 상기 제1연결바와 상기 탑리드 사이에 제공된 제1벨로우즈 내부에 위치하고,
    상기 제2구동축들은 상기 제2연결바와 상기 탑리드 사이에 제공된 제2벨로우즈 내부에 위치하는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1연결바와 상기 제2연결바는 서로 직교하도록 배치되는 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1구동축들은 상기 제1가스분배플레이트의 중심에 대해 서로 대칭으로 배치되고, 상기 제2구동축들은 상기 제2가스분배플레이트의 중심에 대해 서로 대칭으로 배치되는 기판 처리 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1구동축들은 상기 제2가스분배플레이트를 관통하여 상기 제1가스분배플레이트에 결합되는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1가스분배플레이트에는 히터가 더 포함되고, 상기 히터는 상기 제1가스분배플레이트를 가열하는 기판 처리 장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제1구동축들과 상기 제2구동축들은 알루미나 산화막으로 코팅된 기판 처리 장치.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 제1구동부재는 상기 제1가스분배플레이트의 상하 위치를 검출하는 제1위치검출부재를 더 포함하고,
    상기 제2구동부재는 상기 제2가스분배플레이트의 상하 위치를 검출하는 제2위치검출부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1위치검출부재는 상기 제1구동부재의 제1브라켓에 구비된 제1기준표시부재와, 상기 제1기준표시부재의 상하 위치를 검출하는 제1센서부를 포함하고,
    상기 제2위치검출부재는 상기 제2구동부재의 제2브라켓에 구비된 제2기준표시부재와, 상기 제2기준표시부재의 상하 위치를 검출하는 제2센서부를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제9항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제1가스분배플레이트는 상면이 개방된 원기둥 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  15. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판의 가장자리 영역으로 공급되는 플라즈마 가스의 양을 감소시키고자 하는 경우 상기 제2가스분배플레이트를 위 방향으로 이동시키고, 상기 기판의 가장자리 영역으로 공급되는 플라즈마 가스의 양을 증가시키고자 하는 경우 상기 제2가스분배플레이트를 아래 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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