KR101395201B1 - 기판 처리 장치 및 기판 베이킹 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 베이킹 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서, 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과; 상기 공정 챔버 내에 제공되며 상기 지지 부재와 대향되도록 제공되는 플레이트와; 그리고 상기 플레이트의 영역에 따라 높이를 독립적으로 제공할 수 있도록 제공되는 높이 조절 유닛를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 베이킹 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE BAKING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 베이킹 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다.
포토리소그라피 공정은 기판 상에 약액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에 불필요한 영역을 제거하는 현상공정이 순차적으로 이루어진다.
베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 내부 공간을 제공하는 하우징과, 하우징 내부에 설치되어 공정시 기판을 가열하는 히터, 그리고 배기라인를 포함한다. 베이크 공정을 수행하는 과정에서 발생되는 흄(fume)은 배기라인을 통해 외부로 배출된다.
기판 처리 장치는 배기라인이 하우징의 상부 중앙에 제공되는 중앙 집중 배기 방식으로, 중앙 집중 배기 방식은 배기 유속이 높기 때문에 기판 표면의 코팅 두께의 균일성을 떨어뜨린다. 또한, 중앙 집중 배기 방식은 기판 표면의 빠른 유속에 의한 결함(defect)이 발생될 뿐만 아니라 히터의 온도 분포 성능을 저하시킨다.
본 발명은 플레이트의 영역별 높이를 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 베이킹 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서, 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과; 상기 공정 챔버 내에 제공되며 상기 지지 부재와 대향되도록 제공되는 플레이트와; 그리고 상기 플레이트의 영역에 따라 높이를 독립적으로 제공할 수 있도록 제공되는 높이 조절 유닛를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 제 1 항에 있어서, 상기 높이 조절 유닛은 복수의 승강 부재를 포함하고, 각각의 상기 승강 부재는, 상기 플레이트의 상면에 고정 결합되는 승강 로드와; 상기 승강 로드를 상하로 구동시키는 구동기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 승강 부재는 상기 플레이트와 동심인 원 상에 배열될 수 있다.
또한, 상기 승강 부재들은 서로 동일한 거리 이격 되도록 배열될 수 있다.
또한, 상기 승강 부재는 상기 플레이트의 중심을 기준으로 반대 방향에 각각 배열되도록 쌍을 이룰 수 있다.
또한, 상기 승강 부재들 중 일부는 상기 플레이트의 중심을 기준으로 제 1 반경을 갖는 제 1 원주 상에 배열되는 제 1 그룹에 속하도록 제공되고, 상기 승강 부재들 중 다른 일부는 상기 제 1 반경보다 큰 제 2 반경을 갖는 제 2 원주상에 배열되는 제 2 그룹에 속하도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 제 1 그룹에 속하는 상기 승강 부재들과 상기 제 2 그룹에 속하는 상기 승강 부재들은 동일한 수로 제공될 수 있다.
또한, 상기 제 1 그룹에 속하는 상기 승강 부재는 상기 제 2 그룹에 속하는 상기 승강 부재들과 상기 플레이트의 중심을 잊는 직선 상에 위치될 수 있다.
또한, 상기 제 1 그룹에 속하는 상기 승강 부재는 상기 제 2 그룹에 속하는 상기 승강 부재들과 상기 플레이트의 중심을 잇는 직선 사이에 배열될 수 있다.
또한, 상기 승강 부재는 상기 가이드 부재의 단부에 위치될 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버에는 상기 승강 로드가 위치되는 가이드 홀이 형성되고, 상기 구동기는, 상기 공정 챔버의 외면에 위치되는 가이드 부재; 및 상기 승강 로드의 단부가 회전 가능하게 결합되고, 상기 가이드 부재에 대해 상하 이동 되는 조절부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 구동기는 상기 승강 로드를 감싸는 링을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 가열하는 방법에 있어서, 상기 지지 부재의 상면과 상기 플레이트의 하면 사이의 거리가 일정하게 되도록 상기 플레이트의 영역별 높이를 조절하는 기판 베이킹 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플레이트의 영역별 높이가 조절될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 지지 부재와 플레이트 사이의 거리가 균일하게 유지될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 위쪽에 형성되는 기체의 흐름이 균일하게 형성될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 처리부의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 제 1 처리실의 평면도이다.
도 4는 제 2 처리실의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 유닛을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 플레이트의 평면도이다.
도 7은 도 5의 구동기를 나타내는 단면도이다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 플레이트의 평면도이다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 플레이트의 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예에서는 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 디스플레이 패널에 사용되는 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스부(10), 처리부(20) 및 인터페이스부(30)를 포함한다. 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼 상에 포토리소그래피 공정을 수행한다. 인덱스부(10), 처리부(20) 및 인터페이스부(30)는 순차적으로 일방향(이하, 제 1 방향(62))으로 나란히 배치될 수 있다. 인덱스부(10)는 카세트 거치대(12)와 로봇 이동로(14)를 가진다.
기판들이 수용된 카세트들(12a)은 카세트 거치대(12)에 놓여진다. 로봇 이동로(14)에는 카세트 거치대(12)에 놓여진 카세트(12a)와 처리부(20)간 기판을 이송하는 로봇(14a)이 설치된다. 로봇(14a)은 위쪽에서 볼때 제 1 방향(62)과 수직한 제 2 방향(64) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다. 수평 방향 및 상하 방향으로 로봇(14a)을 이송하는 구조는 당업자라면 용이하게 구성할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
처리부(20)는 기판에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포공정과 노광 공정이 수행된 기판에 현상 공정을 수행한다. 처리부(20)에는 도포 유닛(120a), 현상 유닛(120b), 그리고 베이크 유닛(200)들이 제공된다.
처리부(20)의 일측에는 노광부(40)와 연결되는 인터페이스부(30)가 제공된다. 인터페이스부(30)에는 노광부(40)와 처리부(20) 간에 기판을 이송하는 로봇(32)이 배치된다. 로봇(32)은 제 2 방향(64) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다.
도 2는 도 1의 처리부의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 2를 참조하면, 처리부(20)는 제 1 처리실(100a) 및 제 2 처리실(100b)을 포함한다. 제 1 처리실(100a)과 제 2 처리실(100b)은 서로 적층된 구조를 가진다. 제 1 처리실(100a)에는 도포 공정을 수행하는 유닛들이 제공되고, 제 2 처리실(100b)에는 현상 공정을 수행하는 유닛들이 제공된다. 즉, 제 1 처리실(100a)에는 도포 유닛(120a)들과 베이크 유닛(200)들이 제공되며, 제 2 처리실(100b)에는 현상 유닛(120b)들과 베이크 유닛(200)들이 제공된다. 일 예에 의하면, 제 1 처리실(100a)은 제 2 처리실(100b)의 위쪽에 위치될 수 있다. 이와 달리 제 1 처리실(100a)은 제 2처리실(100b)의 아래 쪽에 배치될 수 있다.
상술한 구조로 인해 기판은 인덱스부(10), 제 1 처리실(100a), 인터페이스부(30), 노광부(40), 인터페이스부(30), 제 2 처리실(100b) 및 인덱스부(10)의 순서로 이동된다. 즉, 포토리소그래피 공정 수행시 기판은 상하방향으로 루프식으로 이동된다.
도 3은 제 1 처리실의 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 처리실(100a)에는 중앙에 제 1 이동로(160a)가 제 1 방향(62)을 따라 제공된다. 제 1 이동로(160a)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 1 이동로(160a)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 1 이동로(160a)의 일측에는 베이크 유닛(200)들이 제 1 이동로(160a)를 따라 일렬로 배치되고, 제 1 이동로(160a)의 타측에는 도포 유닛(120a)들이 제 1 이동로(160a)를 따라 일렬로 배치된다. 또한, 베이크 유닛(200)들 또는 도포 유닛(120a)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치될 수 있다. 제 1 이동로(160a)에는 인덱스부(10), 도포 유닛(120a), 베이크 유닛(200), 및 인터페이스부(30)들 간에 기판을 이송하는 제 1 로봇(162a)이 제공된다. 제 1 이동로(160a)에는 제 1 로봇(162a)이 제 1 방향(62)으로 이동 되도록 위치되는 가이드 레일(164a)이 제공된다.
도 4는 제 2 처리실의 평면도이다.
도 2 및 도4를 참조하면, 제 2 처리실(100b)에는 중앙에는 제 2 이동로(160b)가 제 1 방향(62)을 따라 길게 제공된다. 제 2 이동로(160b)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 2 이동로(160b)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 2 이동로(160b)의 일측에는 베이크 유닛(200)들이 제 2 이동로(160b)를 따라 일렬로 배치되고, 제 2 이동로(160b)의 타측에는 현상 유닛(120b)들이 제 2 이동로(160b)를 따라 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(200)들 및 현상 유닛(120b)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치될 수 있다. 제 2 이동로(160b)에는 인덱스부(10), 현상 유닛(120b), 베이크 유닛(200) 및 인터페이스부(30)들 간에 기판을 이송하는 제 2 로봇(162b)이 제공된다.
제 2 이동로(160b)에는 제 1 방향(62)을 따라 가이드 레일(164b)이 제공된다. 제 2 로봇(162b)은 가이드 레일(162b)에 위치되어, 제 1 방향(62)으로 이동될 수 있다. 상술한 바와 달리, 제 1 처리실의 일측에는 제 1 이동로가 배치되고, 제 1 처리실의 타측에는 도포 유닛들과 베이크 유닛(200)들이 배치될 수 있다. 또한, 제 2 처리실의 일측에는 제 2 이동로가 배치되고, 제 2 처리실의 타측에는 현상 유닛들과 베이크 유닛(200)들이 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 유닛을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 베이크 유닛(200)은 공정 챔버(210), 지지부재(220), 플레이트(240), 배기 라인(250) 및 높이 조절 유닛(260)을 포함한다.
공정 챔버(210)는 기판이 처리되는 내부공간을 형성한다. 공정 챔버(210)는 베이크 유닛(200)에서 처리되는 기판(S)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(S)이 반도체 소자 제조를 위한 것인 경우, 공정 챔버(210)는 원통형상으로 제공될 수 있다. 또한, 기판(S)이 액정 디스플레이 제조를 위한 것인 경우 육면체 형상으로 제공될 수 있다. 이하에서, 기판(S)이 반도체 소자 제조를 위한 것인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 액정 디스플레이 제조를 위한 기판 처리에도 적용될 수 있다.
공정 챔버(210)는 제 1 하우징(211) 및 제 2 하우징(212)을 포함한다. 제 1 하우징(211)은 상측이 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 그리고, 제 2 하우징(212)은 제 1 하우징(211)의 개방된 상측에 대응하여, 하측이 개방된 통 형상 또는 플레이트 형상으로 제공될 수 있다.
제 2 하우징(212)이 제 1 하우징(211)의 개방된 상측에 위치되면, 제 1 하우징(211) 및 제 2 하우징(212)이 형성하는 내부공간은 밀폐된다. 제 2 하우징(212)은 상하로 이동 가능하게 제공된다. 제 2 하우징(212)이 제 1 하우징(211)의 상면과 일정 거리 이격 되게 위쪽으로 이동된 상태에서, 내부 공간의 기판(S)이 반출되거나 외부에서 기판(S)이 내부공간으로 반입된다. 처리될 기판(S)이 내부 공간으로 반입되면 제 2 하우징(212)은 제 1 하우징(211)의 상면에 위치되어 내부 공간을 차폐한다.
제 2 하우징(212)이 제 1 하우징(211)에서 이격 된 상태에서 기판(S)이 공정 챔버(210)로 반입된 후, 제 2 하우징(212)은 제 1 하우징(211)의 상측에 위치된다. 공정 챔버(210)의 상부에는 유입구(213)가 형성될 수 있다. 예를 들어 유입구(213)는 공정 챔버(210)의 상면에 위치되도록 제 2 하우징(212)에 형성될 수 있다. 또한, 유입구(213)는 공정 챔버(210)의 측면에 위치되도록 제 2 하우징(212) 또는 제 1 하우징(211)에 형성될 수 있다. 공정 챔버(210) 외부의 기체는 유입구(213)를 통해 내부 공간으로 유입될 수 있다.
지지부재(220)는 공정 챔버(210)의 내부공간에 설치된다. 지지부재(220)는 상부에서 보았을 때 기판보다 큰 면적을 가지게 제공될 수 있다. 지지부재(220)는 원판 형상 또는 다각형 형상으로 제공되어, 제 1 하우징(211)에 고정된다. 공정 챔버(210) 내부로 반입된 기판(S)은 지지부재(220)에 위치된다.
지지부재(220)에는 가열유닛(230)이 설치된다. 가열유닛(230)은 지지부재(220)와 열교환 가능하게 제공된다. 가열유닛(230)은 지지부재(220) 내부에 설치되거나, 지지부재(220)의 하면에 접하게 설치된다. 가열유닛(230)이 동작하면, 가열유닛(230)에서 발생한 열이 기판(S)에 전도되어, 기판(S)이 가열된다.
플레이트(240)는 지지부재(220)와 대향되게 지지부재(220)의 위쪽에 위치된다. 플레이트(240)는 지지부재(220)와 대응하는 형상을 갖는 플레이트(240)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지부재(220)의 상면이 원형으로 제공되는 경우, 플레이트(240)는 중앙에 홀(241)이 형성된 원형으로 제공될 수 있다. 위쪽에서 바라보았을 때, 플레이트(240)의 면적은 지지부재(20)에 위치되는 기판(S)보다 크게 형성될 수 있다. 플레이트(240)의 상면 및 측면은 하우징의 내벽과 일정거리 이격 되게 위치된다. 플레이트(240)는 내부공간을 플레이트(240) 위쪽의 상부 공간(214)과 플레이트(240) 아래쪽의 하부 공간(215)으로 구획한다. 플레이트(240)의 상면과 하우징 사이에는 연결부(242)가 제공된다. 연결부(242)는 플레이트(240)를 제 2 하우징(212)과 연결하여, 플레이트(240)가 제 2 하우징(212)과 함께 이동되게 한다. 플레이트(240)는 유입구(213)로 유입된 외부의 기체가 기판(S)의 상면으로 바로 공급되지 않고, 상부 공간에서 지지부재(220)의 측면으로 이동되도록 한다. 따라서, 가열되는 기판(S)이 외부에서 유입된 기체에 의해 온도 분포가 불균일 해지는 것을 방지된다. 베이크 공정이 수행되는 동안, 내부 공간의 가열된 기체 또는 기판(S)에서 증발된 흄은 제 2 하우징(212)에 형성된 배기구(216)를 통해 배출된다. 이 때, 플레이트(240)는 기판의 위쪽에서 형성되는 기체의 흐름이 균일하게 형성되어, 배기구(216) 쪽으로 이동되도록 한다. 따라서, 기판의 상면에 형성되는 기체의 흐름이 불균일 하여 기판에 불량이 발생하는 것을 방지한다.
배출관(250)은 제 1 배출관(251) 및 제 2 배출관(252)을 포함한다. 배출관(250)는 공정 챔버(210)의 위쪽에 제공될 수 있다. 제 1 배출관(251)은 제 2 하우징(212)에 형성되는 배기구(216)와 연통된다. 제 1 배출관(250)은 제 2 하우징(212)의 외면으로 돌출되게 제공될 수 있다. 제 1 배출관(250)의 연장방향은 제 2 하우징(212)의 이동방향과 동일하게 제공될 수 있다.
제 2 배출관(252)은 제 1 배출관(251)의 타단과 연통된다. 제 2 배출관(252)은 제 1 배출관(251)과 상이한 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 제 2 배출관(252)은 횡 방향으로 연장될 수 있다. 제 2 배출관(252)은 제 1 배출관(251)과 일체로 형성되거나, 제 1 배출관(251)과 따로 제공되어 제 1 배출관(251)의 단부에 탈착 될 수 있다.
또한, 제 1 배출관(250)은 배기구(216)에 삽입되도록 제공될 수 있다. 제 1 배출관(251)의 일단은 공정챔버(10)의 내부공간에 돌출되도록 위치될 수 있다. 제 1 배출관(250)은 플레이트(240)에 제공되는 홀(241)에 삽입된다. 따라서, 제 1 배출관(250)의 단부가 도 5의 연결부가 될 수 있다.
도 6은 도 5의 플레이트의 평면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 높이 조절 유닛(260)은 복수의 승강 부재(260)를 포함한다. 승강 부재(260)는 승강 로드(270) 및 구동기(280)를 포함한다.
승강 로드(270)의 일단은 플레이트(240)의 상면에 고정되고 승강 로드(270)의 타단은 공정 챔버(210)에 형성된 가이드홀(217)을 통해 공정 챔버(210)의 외부공간에 위치된다. 승강 로드(270)는 플레이트(240)의 상면에 대해 수직하게 위치될 수 있다. 승강 로드(270)는 복수가 제공될 수 있다. 승강 로드(270)는 플레이트(240)의 중심에서 멀리 떨어지도록, 플레이트(240)의 단부에 위치될 수 있다. 복수의 승강 로드(270)는 플레이트(240)의 중심부에 대해 서로 대칭되게 쌍을 이루며 배열될 수 있다. 또한, 이웃한 승강 로드(270)는 플레이트(240)의 중심부를 기준으로 동일한 원주 상에 등 간격으로 위치될 수 있다. 예를 들어, 승강 로드(270)는 플레이트(240) 상에 8개가 위치될 수 있다. 이때, 승강로드(270)와 플레이트(240)의 중심부를 잇는 선(L1)들은 서로 45°를 이루게 배치될 수 있다.
도 7은 도 5의 구동기를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 구동기(280)는 가이드 부재(281) 및 조절부재(285)를 포함한다.
구동기(280)는 승강 로드(270)의 타단에 제공된다. 구동기(280)는 승강 로드(270)와 공정 챔버(210)의 내벽 사이의 거리를 조절한다. 가이드 부재(281)는 공정 챔버(210)의 외벽에 제공된다. 가이드 부재(281)는 그 중심에 승강홀(282)이 형성된다. 승강홀(282)은 공정챔버(210)의 가이드홀(217)과 정렬되게 형성된다. 가이드홀(217) 및 승강홀(282)에는 승강 로드(270)가 위치된다. 가이드홀(217) 및 승강홀(282)은 승강 로드(270)의 측면을 지지하여, 승강 로드(270)가 흔들리지 않고 이동 될 수 있게 한다.
조절부재(285)는 조절부(285a) 및 고정부(285b)를 포함한다. 조절부재(285)는 관 형상으로 제공될 수 있다. 조절부(285a)는 조절부재(285)의 하부에 위치된다. 조절부(285a)는 가이드 부재(281)의 상부에 대응하는 내주면을 갖도록 제공될 수 있다. 조절부(285a)는 가이드 부재(281)의 상부를 감싸도록 위치된다. 조절부(285a)는 가이드 부재(281)에 대해 상하로 이동될 수 있도록 제공된다. 예를 들어, 가이드 부재(281)의 외주면과 조절부(285a)의 내주면에는 각각 서로 맞물리도록 나사산(283a, 283b)이 형성될 수 있다. 따라서, 조절부재(285)를 일방향으로 회전 시키면, 조절부재(285)는 하강되고, 조절부재(285)를 타 방향으로 회전 시키면, 조절부재(285)는 상승된다. 고정부(285b)는 조절부(285a)의 위쪽에 제공된다. 고정부(285b)의 내주면은 조절부(285a)의 내주면보다 작은 지름을 가지게 형성될 수 있다. 따라서, 조절부재(285)는 고정부(285b)의 하단이 가이드 부재(281)의 상단에 위치될 때까지 아래로 이동될 수 있다. 고정부(285b)는 승강로드(270)를 조절부재(285)에 결합시킨다. 승강로드(270)는 조절부재(285)에 회전 가능하게 결합될 수 있다. 예를 들어, 고정부(285b)의 내주면에는 걸림부(287)가 돌출되어 제공될 수 있다. 승강로드(270)는 걸림부(287)로 지지되는 핀(286)에 의해 고정부(285b)에 결합된다. 핀(286)은 고정부(285b)에 대해 회전가능하게 제공된다. 즉, 핀(286)의 머리 부분은 걸림부(287)의 직경보다 크게 제공되고, 핀(286)의 머리 부분 아래는 걸림부(287)의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 조절부재(285)가 가이드 부재(281)에 대해 회전되어 상하로 이동되면, 승강로드(270)는 조절부재(285)를 따라 상하로 이동된다. 또한, 핀(286)은 승강로드(270)와 일체로 제공될 수 있다. 즉, 승강로드(270)의 상단에는 걸림부(287)에 대응하는 홈이 형성될 수 있다. 걸림부(287)의 내주면에는 링(288)이 더 포함될 수 있다. 링(288)은 핀(286)이 회전 가능한 범위 내에서, 핀(286)과 조절부재(285) 사이의 틈을 최소화 한다. 따라서, 조절부재(285)를 통해 공정챔버(210)의 내부 공간으로 파티클이 유입되는 것이 차단될 수 있다.
이하, 높이 조절 유닛(260)의 동작을 설명한다.
지지부재(220)의 상면 또는 기판(S)의 상면과 플레이트(240)의 하면 사이의 거리는 위치별로 상이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 베이크 유닛(200)의 사용에 따라 지지부재(220)가 열변형 되어, 그 상면이 위치별로 상이한 높이를 가질 수 있다. 또한, 플레이트(240)는 그 중심에서 멀어 질수록 자중에 의해 아래로 쳐질 수 있다. 또한, 베이크 유닛(200)의 사용에 따라 플레이트(240)가 열변형 되어, 플레이트(240)의 하면의 높이가 위치에 따라 상이하게 될 수 있다. 기판(S)의 상면과 플레이트(240)의 하면 사이의 거리가 위치에 따라 상이하면, 기판(S)의 위쪽에 형성되는 기체 또는 흄의 유속이 상이하게 형성될 수 있다. 이는 기판(S)의 영역별로 베이크되는 정도에 차이를 발생시켜, 기판(S)이 균일하게 베이크되는 것을 방해한다. 이 때, 각각의 승강 부재(260)를 개별적으로 조절하여 플레이트(240) 하면의 높이를 조절하여, 기판(S)의 상면과 플레이트(240) 하면 사이의 거리가 균일하게 할 수 있다. 따라서, 기판(S)의 상면에 형성되는 유속이 균일하게 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라 플레이트(240) 하면의 높이를 부분별로 조절할 수 있다. 따라서, 기판(S)의 상면에 형성되는 유속을 부분별로 제어할 수 있다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 플레이트의 평면도이다.
도 8을 참조하면, 승강 로드(370)는 2개의 그룹을 이룰 수 있다.
승강 로드(370)들은 제 1 그룹에 속하는 승강 로드(370a) 및 제 2 그룹에 속하는 승강 로드(370b)를 포함할 수 있다. 플레이트(340)의 중앙에는 기체 또는 흄이 배출되는 홀(341)이 형성된다. 제 1 그룹의 승강 로드(370a)와 제 2 그룹의 승강 로드(370b)는 플레이트(340)의 중심을 기준으로 상이한 반경을 갖는 동심원 상에 각각 위치된다. 제 1 그룹에 포함되는 승강 로드(370a)들은 플레이트(340)의 중심을 기준으로 제 1 반경(R1)을 갖는 제 1 원주상에 위치된다.
제 2 그룹에 속하는 승강 로드(370b)들은 플레이트(340)의 중심을 기준으로 제 2 반경(R2)을 갖는 제 2 원주상에 위치된다. 제 2 그룹에 속하는 승강 로드(370b)들은 제 1 그룹에 속하는 승강 로드(370a)와 동일한 수로 제공될 수 있다. 제 2 반경(R2)은 제 1 반경(R1)보다 큰 값을 갖는다. 제 2 그룹에 포함되는 승강 로드(370b)는 플레이트(340)의 중심에서 제 1 그룹의 승강 로드(370a)를 잇는 직선(L2)상에 위치될 수 있다.
제 1 그룹의 승강 로드들(370a) 및 제 2 그룹의 승강 로드들(370b)는 각각 도 6의 승강 로드(270)와 동일한 방식으로 배열될 수 있다.
각각의 승강로드(370)의 단부에는 구동기가 위치된다. 구동기의 구성 및 구동기와 승강로드(370)를 포함하는 승강 부재들의 동작은 도 5 내지 도 7과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
본 실시 예에 따르면, 플레이트(340)는 그 영역별로 각각 높이가 조절될 수 있다.
도 9는 또 다른 실시 예에 따른 플레이트의 평면도이다.
도 9를 참조하면, 승강 로드(470)는 2개의 그룹을 이룰 수 있다.
승강 로드(470)들은 제 1 그룹에 속하는 승강 로드(470a) 및 제 2 그룹에 속하는 승강 로드(470b)를 포함할 수 있다. 플레이트(440)의 중앙에는 기체 또는 흄이 배출되는 홀(441)이 형성된다. 제 1 그룹에 속하는 승강 로드(470a)와 제 2 그룹에 속하는 승강 로드(470b)는 플레이트(440)의 중심을 기준으로 상이한 반경을 갖는 동심원 상에 각각 위치된다. 제 1 그룹에 포함되는 승강 로드(470a)들은 플레이트(440)의 중심을 기준으로 제 1 반경(R3)을 갖는 제 1 원주상에 위치된다.
제 2 그룹에 포함되는 승강 로드(470b)들은 플레이트(440)의 중심을 기준으로 제 2 반경(R4)을 갖는 제 2 원주상에 위치된다. 제 2 반경(R4)은 제 1 반경(R3)보다 큰 값을 갖는다. 플레이트(440)의 중심에서 제 1 그룹의 승강로드(470a)을 잊는 제 1 직선(L3)과 플레이트(440)의 중심에서 제 2 그룹의 승강로드(470b)를 잊는 제 2 직선(L4)은 서로 교대로 위치된다. 그리고, 제 1 직선(L3)과 제 2 직선(L4)이 플레이트(440)의 중심에서 이루는 각도는 모두 동일하게 제공될 수 있다. 예를 들어, 제 1 그룹의 승강로드(470a) 및 제 2 그룹의 승강로드(470b)가 각각 4개씩 제공되는 경우, 제 1 직선(L3)과 제 2 직선(L4)이 이루는 각도는 45°일 수 있다.
제 1 그룹의 승강 로드(470a) 및 제 2 그룹의 승강 로드(470b)는 도 6의 승강 로드(270)와 동일한 방식으로 배열될 수 있다.
각각의 승강로드(470)의 단부에는 구동기가 위치된다. 구동기의 구성 및 구동기와 승강로드(470)를 포함하는 승강 부재들의 동작은 도 5 내지 도 7과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
본 실시 예에 따르면, 플레이트(340)는 그 영역별로 각각 높이가 조절될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 인덱스부 20: 처리부
30: 인터페이스부 40: 노광부
100a: 제 1 처리실 100b: 제 2 처리실
200: 베이크 유닛 210: 공정 챔버
220: 지지부재 230: 가열유닛
240: 플레이트 250: 배출관
260: 높이 조절 유닛 270: 승강 로드

Claims (13)

  1. 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서,
    공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 지지 부재와 대향되도록 상기 공정 챔버 내에 제공되되, 흄이 배기될 수 있도록 그 중앙에 형성된 홀은 상기 공정 챔버에 형성된 배기구에 연결부를 통해 연결되는 플레이트와; 그리고
    상기 플레이트의 영역에 따라 높이를 독립적으로 제공할 수 있도록 제공되는 높이 조절 유닛를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 높이 조절 유닛은 복수의 승강 부재를 포함하고,
    각각의 상기 승강 부재는,
    상기 플레이트의 상면에 고정 결합되는 승강 로드와;
    상기 승강 로드를 상하로 구동시키는 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 부재는 상기 플레이트와 동심인 원 상에 배열되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 승강 부재들은 서로 동일한 거리 이격 되도록 배열되는 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 부재는 상기 플레이트의 중심을 기준으로 반대 방향에 각각 배열되도록 쌍을 이루는 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 부재들 중 일부는 상기 플레이트의 중심을 기준으로 제 1 반경을 갖는 제 1 원주 상에 배열되는 제 1 그룹에 속하도록 제공되고,
    상기 승강 부재들 중 다른 일부는 상기 제 1 반경보다 큰 제 2 반경을 갖는 제 2 원주상에 배열되는 제 2 그룹에 속하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 그룹에 속하는 상기 승강 부재들과 상기 제 2 그룹에 속하는 상기 승강 부재들은 동일한 수로 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 그룹에 속하는 상기 승강 부재는 상기 제 2 그룹에 속하는 상기 승강 부재들과 상기 플레이트의 중심을 잊는 직선 상에 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 그룹에 속하는 상기 승강 부재는 상기 제 2 그룹에 속하는 상기 승강 부재들과 상기 플레이트의 중심을 잇는 직선 사이에 배열되는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 상부에는 외부의 기체가 유입될 수 있는 유입구가 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 있어서,
    공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지 부재와;
    상기 지지 부재에 놓인 상기 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 공정 챔버 내에 제공되며 상기 지지 부재와 대향되도록 제공되는 플레이트와; 그리고
    상기 플레이트의 영역에 따라 높이를 독립적으로 제공할 수 있도록 제공되는 높이 조절 유닛를 포함하되,
    상기 높이 조절 유닛은 복수의 승강 부재를 포함하고,
    각각의 상기 승강 부재는,
    상기 플레이트의 상면에 고정 결합되는 승강 로드와;
    상기 승강 로드를 상하로 구동시키는 구동기를 포함하고,
    상기 공정 챔버에는 상기 승강 로드가 위치되는 가이드 홀이 형성되고,
    상기 구동기는,
    상기 공정 챔버의 외면에 위치되는 가이드 부재; 및
    상기 승강 로드의 단부가 회전 가능하게 결합되고, 상기 가이드 부재에 대해 상하 이동되는 조절부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 구동기는 상기 승강 로드를 감싸는 링을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 가열하는 방법에 있어서,
    상기 지지 부재의 상면과 상기 플레이트의 하면 사이의 거리가 일정하게 되도록 상기 플레이트의 영역별 높이를 조절하는 기판 베이킹 방법.
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