KR101226246B1 - 복합재 조성물, 및 이를 포함하는 전자 장치용 도막 및 전자 장치 - Google Patents

복합재 조성물, 및 이를 포함하는 전자 장치용 도막 및 전자 장치 Download PDF

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Abstract

그라핀, 비금속 물질 및 바인더를 포함하는 복합재 조성물, 그리고 이를 포함하는 전자 장치용 도막 및 전자 장치가 제공된다.

Description

복합재 조성물, 및 이를 포함하는 전자 장치용 도막 및 전자 장치{COMPLEX MATERIAL COMPOSITION, AND FILM FOR ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 기재는 복합재 조성물, 및 이를 포함하는 전자 장치용 도막 및 전자 장치에 관한 것이다.
그라핀은 높은 열전도성 및 전기전도성을 가지는 소재로서 최근 들어 전자 제품에 많이 이용되고 있다.
그러나 그라핀의 높은 전기전도성으로 인해 전자 제품에 간섭을 주게 된다.
이를 해소하기 위해 전자 장치용 도막 형성시 별도의 절연층을 형성하고 있는데, 이와 같이 추가 공정이 수반됨에 따라 생산성 저하, 비용 부담 등이 발생하고 있다.
본 발명의 일 측면은 고 열전도성 및 비 전기전도성을 가짐에 따라 전자 제품에 간섭을 주지 않는 복합재 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 복합재 조성물을 포함하는 전자 장치용 도막을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 상기 전자 장치용 도막의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 상기 복합재 조성물을 포함하는 전자 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면은 고 열전도성 및 비 전기전도성을 가짐에 따라 전자 제품에 간섭을 주지 않는 복합재 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 복합재 조성물을 포함하는 전자 장치용 도막을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 상기 전자 장치용 도막의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 측면은 상기 복합재 조성물을 포함하는 전자 장치를 제공하기 위한 것이다.
고 열전도성 및 비 전기전도성을 가짐으로써 전자 제품에 간섭을 주지 않는 복합재 조성물이 제공됨에 따라, 전자 장치에 유용하게 적용될 수 있다.
도 2 내지 4는 각각 일 구현예에 따른 전자 장치용 도막을 도시한 개략도이다.
도 5는 비교예 1에 따른 전자 장치용 도막을 도시한 개략도이다.
도 6은 비교예 1에 따른 전자 장치용 도막의 샘플 사진이다.
이하, 본 발명의 구현 예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
일 구현예는 그라핀, 비금속 물질 및 바인더를 포함하는 복합재 조성물이다.
상기 그라핀은 상기 복합재 조성물 총량에 대하여 2 내지 50 중량%로 포함될 수 있고, 구체적으로는 4 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 그라핀이 상기 범위 내로 포함될 경우 복합재 조성물의 고 열전도성을 얻을 수 있다.
상기 비금속 물질의 예로는 산화물, 질화물, 탄화물, 붕화물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 비금속 물질의 구체적인 예로는 Al2O3, AlN, SiC, Si02·Al2O3, Si02·TiO2· Al2O3 등을 들 수 있다.
상기 비금속 물질은 상기 복합재 조성물 총량에 대하여 10 내지 50 중량%로 포함될 수 있고, 구체적으로는 20 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 비금속 물질이 상기 범위 내로 포함될 경우 그라핀 입자간의 전기전도성이 억제되어 복합재 조성물의 고 열전도성 및 비 전기전도성을 얻을 수 있다.
상기 바인더로는 유기 바인더, 무기 바인더, 또는 이들의 조합의 유무기 바인더를 사용할 수 있다.
상기 유기 바인더의 예로는 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 무기 바인더의 예로는 실리콘계 화합물, 티탄실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바인더는 상기 복합재 조성물 총량에 대하여 30 내지 80 중량%로 포함될 수 있고, 구체적으로는 40 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 상기 바인더가 상기 범위 내로 포함될 경우, 복합재 조성물 내에서의 그라핀의 위치를 설계할 수 있으며, 복합재 조성물의 고 열전도성 및 비 전기전도성을 얻을 수 있다.
상기 그라핀 및 상기 비금속 물질은 1:0.1 내지 1:10의 중량비로 혼합될 수 있고, 구체적으로는 1:0.5 내지 1:8의 중량비로 혼합될 수 있다. 상기 그라핀 및 상기 비금속 물질이 상기 비율 범위 내로 혼합될 경우 복합재 조성물의 고 열전도성 및 비 전기전도성을 얻을 수 있다.
상기 복합재 조성물은 상기 성분 외에도, 카본나노튜브, 흑연, 다이아몬드, 금속 물질 또는 이들의 조합의 추가 성분을 더 포함할 수 있다.
상기 추가 성분은 상기 복합재 조성물 100 중량부에 대하여 0.2 내지 10 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 상기 추가 성분이 상기 범위 내로 포함될 경우 복합재 조성물의 수평적(X,Y축 방향) 특성뿐만 아니라 수직적(Z축 방향) 특성까지 고 열전도성 및 비 전기전도성 발현을 유지할 수 있다.
상기 복합재 조성물은 용매를 더 포함할 수도 있다.
상기 용매의 예로는 에탄올 등의 알코올, 부틸 셀로솔브, 메틸 카르비톨, 에틸 카르비톨, 부틸 카르비톨, 메틸 카르비톨 아세테이트, 에틸 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨 아세테이트, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 용매는 상기 복합재 조성물 100 중량부에 대하여 40 내지 80 중량부로 포함될 수 있고, 구체적으로는 50 내지 70 중량부로 포함될 수 있다. 상기 용매가 상기 범위 내로 포함될 경우 복합재 조성물의 고 열전도성 및 비 전기전도성을 얻을 수 있다.
다른 일 구현예는 전술한 복합재 조성물을 이용한 전자 장치용 도막이다.
상기 도막은 기판 및 상기 기판 위에 위치한 도포층을 포함한다.
상기 도포층은 상기 기판 위에 부분 또는 전부 위치할 수 있다.
상기 도포층은 전술한 복합재 조성물로 이루어진다.
상기 도막의 구체적인 구조는 도 2 내지 4에 나타나 있다. 도 2 내지 4는 도막의 여러 구조 중 일 예들에 해당될 뿐, 도막의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2 내지 4는 각각 일 구현예에 따른 전자 장치용 도막을 도시한 개략도이다.
도 2를 참고하면, 도막(20)은 기판(22) 및 상기 기판(22) 위에 전부 위치한 도포층(24)을 포함한다.
상기 기판(22)은 세척 후 건조하여 준비한다. 상기 기판(22)은 세척 후 소정의 표면처리를 하여 사용할 수도 있다.
상기 표면처리는 방열재 및 상기 복합재 조성물과의 부착성 및 열화학적 내구성을 향상시키기 위해, 알칼리 용액 또는 산 용액에 상기 기판을 침지시키는 화학적 방법이나, Ar/N2 가스 또는 대기압 플라즈마 처리를 통해 불순물을 제거하거나, 표면층에 히드록사이드 이온(OH-)을 생성하는 방법으로 수행될 수 있다.
상기 도포층(24)은 복수개의 층을 포함할 수 있고, 상기 복수개 층 중 적어도 하나의 층은 전술한 복합재 조성물로 이루어지며, 구체적으로는 그라핀과, 비금속 물질 및 바인더의 혼합물이 서로 교대로 배열될 수 있다. 상기 구조의 도막은 고 열전도성 및 비 전기전도성을 동시에 나타낼 수 있다.
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상기 도막(20)은 기판(22) 위에 전술한 복합재 조성물을 도포하여 도포층(24)을 형성한 후, 건조하여 제조될 수 있다.
상기 복합재 조성물은 상기 그라핀, 상기 바인더 및 선택적으로 용매를 우선 혼합한 후, 얻어진 혼합물에 상기 비금속 물질을 혼합하여 제조될 수 있다. 상기 제조방법에 따라 균일하게 혼합된 복합재 조성물을 얻을 수 있다.
상기 도포의 방법은 스크린 인쇄, 스프레이, 딥핑, 디스펜서 등의 방법이 사용될 수 있다.
상기 건조는 IR 건조, 열풍 건조 등의 방법으로 수행될 수 있다.
도 3을 참고하면, 도막(30)은 기판(32) 및 상기 기판(32) 위에 전부 위치한 도포층(34)을 포함하며, 상기 도포층(34) 위에 부분 위치하는 절연층(36)을 더 포함한다.
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상기 도포층(34)은 전술한 복합재 조성물로 이루어지며, 상기 절연층(36)은 앞에서 설명한 바와 같다.
상기 도막(30)의 제조 방법은 다음과 같다.
상기 기판(32) 위에 전술한 복합재 조성물을 도포하여 상기 도포층(34)을 형성한다. 이후 상기 도포층(34) 위에 절연층 형성용 조성물을 도포한 후, 패턴화하여, 상층에 위치하게 될 전극 부위와 부착되는 부분에만 절연층(36)을 부분 형성한 후, 건조하여 제조될 수 있다. 또는 상기 도포층(34)의 형성 후 에칭을 실시한 후, 절연층 형성용 조성물을 도포하여, 패턴화된 절연층(36)을 형성한 후, 건조하여 제조될 수도 있다.
상기 절연층(36)은 LED를 방열재에 부착시 LED 전극 부위가 방열재에 닿지 않도록 기능할 수 있으며, 온도 계면 물질(temperature interface material, TIM)로 기능할 수도 있고, 또한 접착 기능도 할 수 있다.
상기 절연층(36)으로는 열전도성이 높은 세라믹 재료, 접착성을 갖는 유기 바인더 등을 사용할 수 있다. 상기 절연층(36)의 구체적인 예로는, 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물, 질화물계 화합물, 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 에칭은 습식 에칭 및 건식 에칭 모두 가능하다.
상기 도포 및 건조 방법은 앞에서 설명된 방법에 의한다.
도 3과 같은 구조의 도막 형성시, 고 열전도성 및 비 전기전도성을 동시에 나타낼 수 있다.
도 4를 참고하면, 도막(40)은 기판(42) 및 상기 기판(42) 위에 전부 위치한 도포층(44)을 포함하며, 상기 기판(42) 및 상기 도포층(44) 사이에 부분 위치하는 제1 절연층(46a) 및 상기 도포층(44) 위에 부분 위치하는 제2 절연층(46b)을 더 포함한다.
상기 도포층(44)은 전술한 복합재 조성물로 이루어지며, 상기 제1 절연층(46a) 및 상기 제2 절연층(46b)은 앞에서 설명한 절연층의 재료와 같다.
상기 도막(40)의 제조 방법은 다음과 같다.
기판(42) 위에 제1 절연층 형성용 조성물을 도포하여 제1층을 형성하고, 상기 제1층 위에 전술한 복합재 조성물을 도포하여 제2층을 형성하고, 상기 제2층 위에 제2 절연층 형성용 조성물을 도포하여 제3층을 형성한다. 이후, 마스킹 및 에칭을 실시하여 상기 제1층, 제2층 및 제3층을 모두 패턴화하여, 각각 제1 절연층(46a), 도포층(44) 및 제2 절연층(46b)을 형성한 후, 건조하여 제조될 수 있다.
또는 상기 기판(42)을 대상으로 마스킹 및 에칭을 실시한 후, 제1 절연층 형성용 조성물, 전술한 복합재 조성물, 및 제2 절연층 형성용 조성물을 순서대로 도포하여, 각각 패턴화된 제1 절연층(46a), 도포층(44) 및 제2 절연층(46b)을 형성한 후, 건조하여 제조될 수 있다.
상기 도포 및 건조 방법은 앞에서 설명된 방법에 의한다.
도 4와 같은 구조의 도막 형성시, 고 열전도성 및 비 전기전도성을 동시에 나타낼 수 있다.
전술한 도막은 전자 장치에 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 　다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
또한, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
실시예 2
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그라핀 1.36 중량%, 바인더로서 SiO2-Al2O3계 화합물 22.14 중량% 및 에탄올 66.5 중량%를 혼합하여 혼합물을 얻은 후, 상기 혼합물에 비금속 물질로서 AlN 10 중량%를 혼합하여 복합재 조성물을 제조하였다. 상기 복합재 조성물을 기판 위에 스프레이 방법으로 도포하여 도포층을 형성함으로써 도막을 제조하였다. 상기 제조된 도막의 구조는 도 2에서 보는 바와 같다.
실시예 3
그라핀 13 중량%, 비금속 물질로서 AlN 10 중량%, 바인더로서 SiO2-Al2O3계 화합물 22 중량% 및 에탄올 55 중량%를 혼합하여 복합재 조성물을 제조하였다. 상기 복합재 조성물을 기판 위에 스프레이 방법으로 도포하여 도포층을 형성한 후, 그 위에 주석계 화합물 함유 조성물을 스크린 인쇄 방법으로 도포하여, LED 모듈에 해당하는 상층의 회로 부분과 접합되는 부분에만 패턴화하여 도막을 제조하였다. 상기 제조된 도막의 구조는 도 3에서 보는 바와 같다.
실시예 4
그라핀 13 중량%, 비금속 물질로서 AlN 10 중량%, 바인더로서 SiO2-Al2O3계 화합물 22 중량% 및 에탄올 55 중량%를 혼합하여 복합재 조성물을 제조하였다. 기판 위에 SiO2-Al2O3계 화합물을 스프레이 방법으로 도포하여 제1 절연층을 형성하고, 그 위에 상기 복합재 조성물을 스프레이 방법으로 도포하여 도포층을 형성하고, 그 위에 주석계 화합물 함유 조성물을 스크린 인쇄 방법으로 도포하여 제2 절연층을 형성하였다. 이어서, 마스킹 및 에칭을 실시하여 상기 제1 절연층, 도포층 및 제2 절연층을 모두 패턴화하여, 도막을 제조하였다. 상기 제조된 도막의 구조는 도 4에서 보는 바와 같다.
비교예 1
전도성 물질로서 그라핀 13 중량%, 바인더로서 SiO2-Al2O3계 화합물 32 중량% 및 에탄올 55 중량%를 혼합하여 복합재 조성물을 화합물을 혼합하여 조성물을 제조하였다. 상기 조성물을 기판 위에 스프레이 방법으로 도포하여 도막을 제조하였다. 상기 제조된 도막의 구조는 도 5에서 보는 바와 같다.
도 5는 비교예 1에 따른 전자 장치용 도막을 도시한 개략도이다. 도 5를 참조하면, 비교예 1에 따른 도막(50)은 기판(52) 위에 비금속 물질 및 바인더를 포함하는 도포층(54)이 형성된다.
평가 1: 도막의 샘플 사진
도 6은 비교예 1에 따른 전자 장치용 도막의 샘플 사진이다.
도 6을 참고하면, 비교예 1의 경우 고 열전도성 및 비 전기전도성을 가지도록 하기 위해서는 기판 위 전면에 별도의 절연층을 형성해야 함을 알 수 있다.
평가 2: 전기전도성 평가
상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 도막의 전기전도성을 다음과 같은 방법으로 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
4 포인트 및 선저항 측정 장치를 이용하여 각각의 기판 위에 형성된 각각의 도포층의 표면저항 및 선저항을 측정하였다.
(측정 기준)
○: 저항값 0 mΩ 초과
X: 저항값 0 mΩ
표면저항 선저항
실시예 2 X X
실시예 3 X X
실시예 4 X X
비교예 1 ○ ○
상기 표 1을 참고하면, 실시예 2 내지 4의 경우 기판 위에 형성된 도포층 자체는 절연성을 나타냄을 알 수 있는 반면, 비교예 1의 경우 기판위의 도포층은 전기전도성을 가짐에 따라 별도의 절연층을 형성해야 함을 알 수 있다.
평가 3: 열전도성 평가
상기 실시예 2 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 도막의 열전도성을 다음과 같은 방법으로 측정하여, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
제조된 도막 전면에 LED 전구를 전류량 별(350mA, 500mA, 700mA)로 구동시켜 열을 발생시킨 후, LED 반대면의 납땜 포인트(soldering point)에 Thermocouple를 이용하여 온도를 평가 비교하여, 방열 효과를 통해 열전도성을 평가하였다.
soldering point 1의 온도(℃)
전류량 350mA 전류량 500mA 전류량 700mA
무처리 56.81 69.03 85.27
실시예 2 53.18 64.79 79.63
실시예 3 54.1 65.84 80.83
실시예 4 54.43 65.94 81.58
비교예 1 55.79 68.21 82.09
상기 표 2를 참고하면, 실시예 2 내지 4에 따른 도막의 경우 비교예 1에 따른 도막의 경우와 비교하여 높은 방열 특성을 보임을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (24)

  1. 그라핀;
    질화물, 붕화물 또는 이들의 조합을 포함하는 비금속 물질; 및
    바인더를 포함하고,
    상기 바인더는 복합재 조성물 총량에 대하여 22 내지 80 중량%로 포함되는 것인 복합재 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 그라핀은 상기 복합재 조성물 총량에 대하여 2 내지 50 중량%로 포함되고, 상기 비금속 물질은 상기 복합재 조성물 총량에 대하여 10 내지 50 중량%로 포함되는 것인 복합재 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 그라핀 및 상기 비금속 물질은 1:0.1 내지 1:10의 중량비로 혼합되는 것인 복합재 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바인더는 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합의 유기 바인더; 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물 또는 이들의 조합의 무기 바인더; 또는 이들의 조합의 유무기 바인더를 포함하는 것인 복합재 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복합재 조성물은 금속 물질을 더 포함하는 것인 복합재 조성물.
  7. 기판; 및
    상기 기판 위에 부분 또는 전부 위치하고, 그라핀, 비금속 물질 및 바인더를 포함하는 도포층을 포함하고,
    상기 비금속 물질은 질화물, 붕화물 또는 이들의 조합을 포함하고,
    상기 바인더는 상기 도포층 총량에 대하여 22 내지 80 중량%로 포함되는
    전자 장치용 도막.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 도포층은 복수개 층을 포함하고,
    상기 복수개 층 중 적어도 하나의 층은, 상기 그라핀과, 상기 비금속 물질 및 상기 바인더의 혼합물이 서로 교대로 배열되는 것인 전자 장치용 도막.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 도막은 상기 도포층 위에 부분 위치하는 절연층을 더 포함하는 것인 전자 장치용 도막.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 도막은 상기 기판 및 상기 도포층 사이에 부분 위치하는 제1 절연층과, 상기 도포층 위에 부분 위치하는 제2 절연층을 더 포함하는 것인 전자 장치용 도막.
  12. 삭제
  13. 제7항 또는 제9항에 있어서,
    상기 바인더는 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합의 유기 바인더; 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물 또는 이들의 조합의 무기 바인더; 또는 이들의 조합의 유무기 바인더를 포함하는 것인 전자 장치용 도막.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 절연층은 각각 독립적으로 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물, 질화물계 화합물, 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 전자 장치용 도막.
  15. 기판 위에 그라핀, 비금속 물질 및 바인더를 포함하는 복합재 조성물을 도포하여 도포층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 비금속 물질은 질화물, 붕화물 또는 이들의 조합을 포함하고,
    상기 바인더는 상기 복합재 조성물의 총량에 대하여 22 내지 80 중량%로 포함되는 전자 장치용 도막의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 도막의 제조 방법은,
    상기 도포층 위에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층을 패턴화하는 단계
    를 더 포함하는 것인 전자 장치용 도막의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 도막의 제조 방법은,
    상기 기판 및 상기 도포층 사이에 제1 절연층을 형성하고, 상기 도포층 위에 제2 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 절연층, 상기 도포층 및 상기 제2 절연층을 패턴화하는 단계
    를 더 포함하는 것인 전자 장치용 도막의 제조 방법.
  18. 삭제
  19. 제15항에 있어서,
    상기 바인더는 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합의 유기 바인더; 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물 또는 이들의 조합의 무기 바인더; 또는 이들의 조합의 유무기 바인더를 포함하는 것인 전자 장치용 도막의 제조 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 절연층은 각각 독립적으로 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물, 질화물계 화합물, 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 전자 장치용 도막의 제조 방법.
  21. 제1항 내지 제3항, 제5항 및 제6항 중 어느 한 항의 복합재 조성물을 포함하는 전자 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 비금속 물질은 카본나노튜브, 흑연, 다이아몬드 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것인 복합재 조성물.
  23. 제11항에 있어서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 각각 독립적으로 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물, 질화물계 화합물, 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 전자 장치용 도막.
  24. 제17항에 있어서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 각각 독립적으로 실리콘계 화합물, 주석계 화합물, 알루미나계 화합물, 티탄디옥사이드계 화합물, 질화물계 화합물, 에폭시계 화합물, 페녹시계 화합물, 아크릴계 화합물, 우레탄계 화합물, 셀룰로즈계 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 전자 장치용 도막의 제조 방법.
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