KR101198039B1 - Apparatus for depositing monomer and Method for exhausting monomer of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판상에 모노머가 증착되는 메인 챔버와, 모노머가 증기 상태로 수용되는 모노머 챔버와, 모노머가 모노머 챔버로부터 메인 챔버로 분사되도록 모노머 챔버를 개방시키는 셔터와, 모노머 챔버에서 외부로 배출되는 가스로부터 모노머를 회수하는 모노머 회수유닛을 포함하는 모노머 증착장치에 관한 것으로서, 제1진공펌프와, 제1밸브와, 제2밸브를 포함한다. 제1진공펌프는 모노머가 모노머 챔버로부터 메인 챔버로 분사되면서 증착 공정이 수행되는 동안은 메인 챔버에 연결되며 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하고, 모노머 챔버로의 모노머 공급이 중단되고 외부와 모노머 챔버를 연결하는 유로를 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 동안은 모노머 회수유닛에 연결되며 모노머 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입한다. 제1밸브는 메인 챔버와 제1진공펌프 사이의 유로를 개방 또는 차단한다. 제2밸브는 모노머 회수유닛과 제1진공펌프 사이의 유로를 개방 또는 차단한다.The present invention provides a main chamber in which monomers are deposited on a substrate, a monomer chamber in which monomers are contained in a vapor state, a shutter for opening a monomer chamber so that monomers are injected from the monomer chamber to the main chamber, and discharged from the monomer chamber to the outside. A monomer deposition apparatus comprising a monomer recovery unit for recovering a monomer from a gas, comprising a first vacuum pump, a first valve, and a second valve. The first vacuum pump is connected to the main chamber while the monomer is injected from the monomer chamber into the main chamber, and the monomer or gas in the main chamber is sucked in, and the monomer supply to the monomer chamber is stopped, and the external and monomer chambers are stopped. While the purge gas for purging the flow path connecting the supply is connected to the monomer recovery unit and sucks the monomer or gas in the monomer chamber. The first valve opens or closes the flow path between the main chamber and the first vacuum pump. The second valve opens or closes the flow path between the monomer recovery unit and the first vacuum pump.

Description

모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법{Apparatus for depositing monomer and Method for exhausting monomer of the same}Apparatus for depositing monomer and Method for exhausting monomer of the same}

본 발명은 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 모노머가 증착되는 메인 챔버 및 모노머가 수용되어 있는 모노머 챔버의 외부로 잔류 가스를 효과적으로 배기하기 위한 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법에 관한 것이다.The present invention relates to a monomer deposition apparatus and a method of evacuating a monomer deposition apparatus, and more particularly, a monomer deposition apparatus and a monomer for effectively exhausting residual gas to the outside of the monomer chamber in which the monomer is deposited and the monomer chamber in which the monomer is deposited. A method for evacuating a vapor deposition apparatus.

유기발광 표시장치는 자체발광 특성을 갖는 차세대 표시장치로서, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 우수한 특성을 가진다.The organic light emitting display device is a next generation display device having self-luminous characteristics, and has excellent characteristics in terms of viewing angle, contrast, response speed, power consumption, etc., compared to a liquid crystal display device (LCD).

유기발광 표시장치는 주사 라인(scan line)과 데이터 라인(data line) 사이에 매트릭스 방식으로 연결되어 화소를 구성하는 유기발광 소자를 포함한다. 유기발광 소자는 애노드(anode) 전극 및 캐소드(cathode) 전극과, 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성되고 정공 수송층, 유기발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기 박막층으로 구성되며, 애노드 전극과 캐소드 전극에 소정의 전압이 인가되면 애노드 전극을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극을 통해 주입되는 전자가 발광층에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생하는 에너지 차이에 의해 빛을 방출한다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode that is connected between a scan line and a data line in a matrix to form a pixel. The organic light emitting device is composed of an anode electrode and a cathode electrode, and an organic thin film layer formed between the anode electrode and the cathode electrode and including a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer, and is predetermined on the anode electrode and the cathode electrode. When a voltage of is applied, holes injected through the anode and electrons injected through the cathode are recombined in the emission layer, and light is emitted by the energy difference generated in the process.

그러나 유기발광 소자는 유기물을 포함하기 때문에 수소나 산소에 취약하며, 캐소드 전극이 금속 재료로 형성되기 때문에 공기 중의 수분에 의해 쉽게 산화되어 전기적 특성 및 발광 특성이 열화된다. 그래서 이를 방지하기 위해 금속 재질의 캔(can)이나 컵(cup) 형태로 제작된 용기 또는 유리나 플라스틱 등으로 이루어진 봉지 기판을 유기발광 소자가 형성된 기판과 대향하도록 배치한 후 에폭시와 같은 실런트(sealant)로 밀봉시킨다.However, the organic light emitting device is vulnerable to hydrogen or oxygen because it contains an organic material, and since the cathode electrode is formed of a metal material, the organic light emitting device is easily oxidized by moisture in the air, thereby deteriorating electrical characteristics and light emission characteristics. Therefore, in order to prevent this, a container made of a metal can or cup or an encapsulation substrate made of glass or plastic is disposed to face a substrate on which an organic light emitting element is formed, and then a sealant such as epoxy. Seal with

그러나 이와 같이 용기나 봉지 기판을 사용하는 기술은 두께가 얇거나 플렉서블한 유기발광 표시장치에는 적용이 어려운 단점이 있다. 그래서 두께가 얇거나 플렉서블한 유기발광 표시장치의 밀봉을 위해 박막 봉지(Thin Film Encapsulation) 기술이 제안되었다.However, such a technology using a container or an encapsulation substrate is difficult to apply to a thin or flexible organic light emitting display device. Therefore, a thin film encapsulation technique has been proposed for sealing a thin or flexible organic light emitting display device.

박막 봉지 기술의 일 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(1) 상에 배치된 유기발광 소자(2) 상에 유기막(3)과 무기막(4)을 교대로 적층하여 봉지막을 형성하는 방법은 유기발광 표시장치에서 요구되는 ~10E-6g/m2/day 정도의 투습도(Water Vapor Transmission Rate; WVTR) 조건을 만족시킬 수 있기 때문에 일반적으로 많이 이용되고 있다.As an example of a thin film encapsulation technique, as illustrated in FIG. 1, an organic layer 3 and an inorganic layer 4 are alternately stacked on an organic light emitting element 2 disposed on a substrate 1 to form an encapsulation layer. The method is generally used because it can satisfy the water vapor transmission rate (WVTR) requirements of ~ 10E-6g / m2 / day required in the organic light emitting display.

도 2를 참조하면, 액체 상태의 모노머가 수용된 모노머 탱크(21)로부터 증기 상태로 변환된 모노머(monomer,m)가 모노머 챔버(20)로 공급된다. 메인 챔버(10) 내부에서 기판(1)이 모노머 챔버(20) 상측으로 이송되어 오면, 셔터(30)가 열리면서 모노머(m)가 기판(1)으로 분사되면서 기판(1)상에 증착된다. 이후 공정에서 모노머(m)는 자외선에 의해 경화되어 폴리머(polymer)로 변형되어 유기막(3)을 형성한다. 이때, 유기막(3)의 밀도, 두께 등의 특성을 일정하게 유지하기 위해서, 모노머 챔버(20) 내의 불필요한 잔류 가스를 배출하는 것이 필수적이다. 여기서 잔류 가스라 함은, 박막 물질이 되는 모노머(m) 증기(또는 모노머(m) 증기와 원료 가스)외의 가스들을 의미한다. 즉, 모노머 챔버(20) 표면에서 나오는 가스, 모노머(m) 원료에서 발생되는 불필요한 가스 또는 모노머(m)가 공급되는 유로를 퍼지하기 위한 아르곤 가스 등이다. 이러한 잔류 가스들의 배출을 위해 일반적으로 진공펌프(41)를 모노머 챔버(20)에 연결하여 불필요한 잔류 가스를 외부로 배출한다.Referring to FIG. 2, a monomer (monomer, m) converted into a vapor state is supplied to the monomer chamber 20 from a monomer tank 21 in which a liquid monomer is accommodated. When the substrate 1 is transferred to the upper side of the monomer chamber 20 in the main chamber 10, the shutter 30 is opened and the monomer m is sprayed onto the substrate 1 to be deposited on the substrate 1. Subsequently, in the process, the monomer (m) is cured by ultraviolet rays to be transformed into a polymer to form the organic film (3). At this time, in order to maintain constant the characteristics such as the density, the thickness of the organic film 3, it is essential to discharge the unnecessary residual gas in the monomer chamber 20. Here, the residual gas refers to gases other than the monomer (m) vapor (or the monomer (m) vapor and the source gas) which become the thin film material. That is, gas out of the surface of the monomer chamber 20, unnecessary gas generated from the raw material of the monomer m, or argon gas for purging the flow path to which the monomer m is supplied. In order to discharge these residual gases, a vacuum pump 41 is generally connected to the monomer chamber 20 to discharge unnecessary residual gases to the outside.

또한, 메인 챔버(10) 내는 약 10E-4 ~ 10E-7 torr 정도의 진공 상태가 유지되는데, 이러한 진공 상태로 유지하기 위한 진공펌프(42)가 메인 챔버(10)와 연통되도록 설치된다.In addition, a vacuum state of about 10E-4 to 10E-7 torr is maintained in the main chamber 10, and a vacuum pump 42 for maintaining the vacuum state is installed to communicate with the main chamber 10.

그러나, 모노머 챔버(20) 내의 잔류 가스를 외부로 배출하는 유로 상에 설치된 진공펌프(41)에 의해, 잔류 가스 외에 박막의 원료가 되는 모노머(m)도 같이 배출됨으로써, 진공펌프(41)는 짧은 시간 내에 오염되었다. 진공펌프의 급속한 오염으로 인해 증착 장치의 가동을 멈추고 관리유지(maintenance) 작업을 수행해야 하는 횟수가 증가하므로, 장치의 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.However, by the vacuum pump 41 provided on the flow path for discharging the residual gas in the monomer chamber 20 to the outside, the monomer m serving as the raw material of the thin film is discharged together with the residual gas, whereby the vacuum pump 41 It was contaminated in a short time. Due to the rapid contamination of the vacuum pump increases the number of times to stop the operation of the deposition apparatus and perform the maintenance (maintenance), there is a problem that the productivity of the device is lowered.

또한, 모노머 챔버(20)와 연결된 진공펌프(41)는, 모노머 챔버(20) 내의 잔류 가스를 외부로 배출하는 데에만 이용되고, 모노머 챔버(20)보다 상대적으로 넓은 공간인 메인 챔버(10) 내의 진공 상태를 유지하기 위해 활용되지 못한 문제점이 있었다.In addition, the vacuum pump 41 connected to the monomer chamber 20 is used only to discharge residual gas in the monomer chamber 20 to the outside, and the main chamber 10 which is a relatively larger space than the monomer chamber 20. There was a problem that was not utilized to maintain the vacuum state in the interior.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 진공펌프를 메인 챔버 또는 모노머 챔버에 선택적으로 연결되도록 하여 진공펌프의 활용도를 높이고, 모노머 챔버와 진공펌프 사이에 모노머를 회수할 수 있는 유닛을 장착하여 진공펌프의 유지보수에 유리하고 진공펌프의 교체 비용도 절감할 수 있는 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, by selectively connecting the vacuum pump to the main chamber or the monomer chamber to increase the utilization of the vacuum pump, recover the monomer between the monomer chamber and the vacuum pump The present invention provides a monomer deposition apparatus and a method of evacuating the monomer deposition apparatus, which are advantageous in the maintenance of the vacuum pump and reducing the replacement cost of the vacuum pump.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 모노머 증착장치는, 기판상에 모노머가 증착되는 메인 챔버와, 상기 모노머가 증기 상태로 수용되는 모노머 챔버와, 상기 모노머가 상기 모노머 챔버로부터 상기 메인 챔버로 분사되도록 상기 모노머 챔버를 개방시키는 셔터와, 상기 모노머 챔버에서 외부로 배출되는 가스로부터 모노머를 회수하는 모노머 회수유닛을 포함하는 모노머 증착장치에 있어서, 상기 모노머가 상기 모노머 챔버로부터 상기 메인 챔버로 분사되면서 증착 공정이 수행되는 동안은 상기 메인 챔버에 연결되며 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하고, 상기 모노머 챔버로의 모노머 공급이 중단되고 외부와 상기 모노머 챔버를 연결하는 유로를 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 동안은 상기 모노머 회수유닛에 연결되며 상기 모노머 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하는 제1진공펌프; 상기 메인 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 유로를 개방 또는 차단하는 제1밸브; 및 상기 모노머 회수유닛과 상기 제1진공펌프 사이의 유로를 개방 또는 차단하는 제2밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the monomer deposition apparatus of the present invention includes a main chamber in which a monomer is deposited on a substrate, a monomer chamber in which the monomer is received in a vapor state, and the monomer from the monomer chamber to the main chamber. A monomer deposition apparatus comprising a shutter for opening the monomer chamber to be injected, and a monomer recovery unit for recovering monomer from a gas discharged from the monomer chamber to the outside, wherein the monomer is injected from the monomer chamber into the main chamber. While the deposition process is performed, a purge gas is connected to the main chamber and sucks the monomer or gas in the main chamber, the supply of the monomer to the monomer chamber is stopped, and a purge gas for purging the flow path connecting the outside and the monomer chamber is provided. While supplied, it is connected to the monomer recovery unit. A first vacuum pump for sucking the monomer or gas in the monomer chamber; A first valve for opening or blocking a flow path between the main chamber and the first vacuum pump; And a second valve for opening or blocking a flow path between the monomer recovery unit and the first vacuum pump.

본 발명에 따른 모노머 증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 모노머 회수유닛은, 외부로부터 공급되는 냉매에 의해 냉각되며 상하면을 관통하는 관통홀이 형성된 냉각 플레이트와, 상기 냉각 플레이트에 접촉되게 설치되며 상기 모노머가 부착되는 표면적을 넓히기 위한 격자판을 포함하며, 상기 냉각 플레이트의 표면 또는 상기 격자판의 표면에 증기 상태의 모노머를 응결시켜 회수한다.In the monomer deposition apparatus according to the present invention, Preferably, the monomer recovery unit is cooled by a refrigerant supplied from the outside and a cooling plate formed with a through hole penetrating the upper and lower surfaces, and is installed in contact with the cooling plate It includes a lattice plate for increasing the surface area to which the monomer is attached, and recovers by condensing the monomer in the vapor state on the surface of the cooling plate or the surface of the lattice plate.

본 발명에 따른 모노머 증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 메인 챔버에 연통되게 결합되며 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하는 제2진공펌프를 더 포함한다.In the monomer deposition apparatus according to the present invention, preferably, further comprising a second vacuum pump coupled to the main chamber in communication with the monomer or gas in the main chamber.

한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 모노머 증착장치의 배기방법은, 제1항에 기재된 모노머 증착장치를 이용하며, 상기 모노머가 상기 모노머 챔버로부터 상기 메인 챔버로 분사되면서 증착 공정이 수행되는 동안, 상기 제1밸브에 의해 상기 메인 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 개방되고, 상기 제2밸브에 의해 상기 모노머 회수유닛과 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 차단됨으로써, 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스가 상기 제1밸브 및 상기 제1진공펌프를 경유하여 배기되는 제1배기단계; 상기 모노머 챔버로의 모노머 공급이 중단되고 외부와 상기 모노머 챔버를 연결하는 유로를 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 동안, 상기 제1밸브에 의해 상기 메인 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 차단되고, 상기 제2밸브에 의해 상기 모노머 회수유닛과 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 개방됨으로써, 상기 모노머 챔버 내의 가스가 상기 모노머 회수유닛, 상기 제2밸브 및 상기 제1진공펌프를 경유하여 배기되는 제2배기단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, in order to achieve the above object, the method of evacuating the monomer deposition apparatus of the present invention, using the monomer deposition apparatus of claim 1, the deposition process is performed while the monomer is injected from the monomer chamber to the main chamber The flow path between the main chamber and the first vacuum pump is opened by the first valve, and the flow path between the monomer recovery unit and the first vacuum pump is blocked by the second valve, thereby A first exhaust step wherein the monomer or gas in the chamber is exhausted via the first valve and the first vacuum pump; The flow path between the main chamber and the first vacuum pump is blocked by the first valve while the supply of the monomer to the monomer chamber is stopped and the purge gas for purging the flow path connecting the outside and the monomer chamber is supplied. The flow path between the monomer recovery unit and the first vacuum pump is opened by the second valve, so that gas in the monomer chamber is exhausted through the monomer recovery unit, the second valve and the first vacuum pump. Being a second exhaust step; characterized in that it comprises a.

본 발명에 따른 모노머 증착장치의 배기방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하는 제2진공펌프가 상기 메인 챔버에 연통되게 설치되며, 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스가 상기 제2진공펌프에 의해 외부로 배기되는 제3배기단계;를 더 포함하며, 상기 제3배기단계는 상기 제1배기단계 및 상기 제2배기단계와 병행하여 수행된다.In the method of evacuating the monomer deposition apparatus according to the present invention, Preferably, the second vacuum pump for sucking the monomer or gas in the main chamber is installed in communication with the main chamber, the monomer or gas in the main chamber is And a third exhaust step exhausted to the outside by a second vacuum pump, wherein the third exhaust step is performed in parallel with the first exhaust step and the second exhaust step.

본 발명의 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법에 따르면, 진공펌프를 메인 챔버 또는 모노머 챔버에 선택적으로 연결되도록 하여 진공펌프의 활용도를 높일 수 있다.According to the method of evaluating the monomer deposition apparatus and the monomer deposition apparatus of the present invention, the utilization of the vacuum pump can be improved by selectively connecting the vacuum pump to the main chamber or the monomer chamber.

또한, 본 발명의 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법에 따르면, 모노머 챔버와 진공펌프 사이에 모노머를 회수할 수 있는 유닛을 장착하여 진공펌프의 유지보수에 유리하고 진공펌프의 교체 비용을 절감할 수 있다.In addition, according to the method of evacuating the monomer deposition apparatus and monomer deposition apparatus of the present invention, by mounting a unit that can recover the monomer between the monomer chamber and the vacuum pump is advantageous for the maintenance of the vacuum pump and reduce the replacement cost of the vacuum pump can do.

또한, 본 발명의 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법에 따르면, 냉매를 이용하여 증기 상태의 모노머를 응결시켜 회수하는 모노머 회수유닛를 활용함으로써, 모노머의 회수 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the method of evacuating the monomer deposition apparatus and the monomer deposition apparatus of the present invention, by utilizing the monomer recovery unit for condensing and recovering the monomer in the vapor state using the refrigerant, it is possible to improve the recovery efficiency of the monomer.

도 1은 박막 봉지 기술이 적용된 유기발광 표시장치의 일례의 단면도.
도 2는 종래의 모노머 증착장치의 일례를 간략하게 도시한 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 모노머 증착장치를 간략하게 도시한 구성도.
도 4는 도 3의 모노머 증착장치에 있어서 모노머 냉각트랩의 사시도.
도 5는 도 4의 모노머 냉각트랩에 있어서 냉각 플레이트를 제거한 상태를 도시한 도면.
도 6은 도 3의 모노머 증착장치에 있어서 메인 챔버와 제1진공펌프가 연통된 상태를 도시한 도면.
도 7은 도 3의 모노머 증착장치에 있어서 모노머 챔버와 제1진공펌프가 연통된 상태를 도시한 도면.1 is a cross-sectional view of an example of an organic light emitting display device to which a thin film encapsulation technology is applied.
Figure 2 is a schematic diagram showing an example of a conventional monomer deposition apparatus.
Figure 3 is a schematic diagram showing a monomer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a monomer cooling trap in the monomer deposition apparatus of FIG.
5 is a view showing a state in which the cooling plate is removed in the monomer cooling trap of FIG.
FIG. 6 is a view illustrating a state in which a main chamber and a first vacuum pump communicate with each other in the monomer deposition apparatus of FIG. 3.
FIG. 7 is a view illustrating a state in which a monomer chamber and a first vacuum pump communicate with each other in the monomer deposition apparatus of FIG. 3.

이하, 본 발명에 따른 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the monomer deposition apparatus and the method for evacuating the monomer deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 모노머 증착장치를 간략하게 도시한 구성도이고, 도 4는 도 3의 모노머 증착장치에 있어서 모노머 냉각트랩의 사시도이고, 도 5는 도 4의 모노머 냉각트랩에 있어서 냉각 플레이트를 제거한 상태를 도시한 도면이다.3 is a schematic view showing a monomer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a perspective view of the monomer cooling trap in the monomer deposition apparatus of Figure 3, Figure 5 is a monomer cooling trap of Figure 4 It is a figure which shows the state from which the cooling plate was removed.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예의 모노머 증착장치는, 진공펌프를 메인 챔버 또는 모노머 챔버에 선택적으로 연결되도록 한 것으로서, 메인 챔버(110)와, 모노머 챔버(120)와, 셔터(130)와, 모노머 회수유닛과, 제1진공펌프(151)와, 제1밸브(161)와, 제2밸브(162)를 포함한다.3 to 5, the monomer deposition apparatus of the present embodiment is to selectively connect the vacuum pump to the main chamber or the monomer chamber, and includes the main chamber 110, the monomer chamber 120, and the shutter 130. ), A monomer recovery unit, a first vacuum pump 151, a first valve 161, and a second valve 162.

상기 메인 챔버(110)는, 유기발광 소자(2)가 형성된 기판(1)이 배치되고, 유기발광 소자(2)를 밀봉하기 위한 박막이 증착되는 공간이다. 메인 챔버(110) 내에는 기판(1)을 지지하는 기판 지지부(미도시)와 기판 지지부를 직선으로 왕복이송시키는 직선이송유닛(미도시)이 마련되어 있다. 기판 지지부 상에 기판(1)이 안착되고 직선이송유닛에 의해 기판 지지부가 직선이송되면서 기체 상태의 모노머(m)가 기판(1) 측으로 분사된다. 기판(1) 상에 증착된 모노머(m)는 후속 공정에서 자외선에 조사되고, 자외선에 조사된 모노머(m)는 폴리머로 변형되면서 유기발광 소자(2)를 밀봉하는 박막에서 유기막(3)을 구성하게 된다. 직선이송유닛은 모터, 볼 스크류 및 직선이송가이드를 조합한 구성 또는 리니어 모터 등 통상의 기술자에 의해 구현 가능한 구성이므로 상세한 설명은 생략한다.The main chamber 110 is a space in which the substrate 1 on which the organic light emitting element 2 is formed is disposed, and a thin film for sealing the organic light emitting element 2 is deposited. In the main chamber 110, a substrate support part (not shown) for supporting the substrate 1 and a linear transfer unit (not shown) for reciprocating the substrate support part in a straight line are provided. The substrate 1 is seated on the substrate support portion, and the monomer m in a gaseous state is injected toward the substrate 1 while the substrate support portion is linearly transferred by the linear transfer unit. The monomer (m) deposited on the substrate (1) is irradiated with ultraviolet rays in a subsequent process, and the monomer (m) irradiated with the ultraviolet rays is transformed into a polymer and the organic film (3) in a thin film sealing the organic light emitting element (2). Will be configured. Since the linear transfer unit is a configuration that can be implemented by a person skilled in the art such as a combination of a motor, a ball screw and a linear transfer guide or a linear motor, detailed description thereof will be omitted.

메인 챔버(110) 내는 진공 상태가 유지되는데, 약 10E-4 ~ 10E-7 torr 정도의 진공 상태가 유지된다. 메인 챔버(110)를 진공 상태로 유지하기 위한 제2진공펌프(152)가 메인 챔버(110)와 연통되도록 결합되며, 메인 챔버(110) 내의 모노머(m) 또는 가스를 흡입한다.The vacuum in the main chamber 110 is maintained, and the vacuum of about 10E-4 to 10E-7 torr is maintained. The second vacuum pump 152 for maintaining the main chamber 110 in a vacuum state is coupled to communicate with the main chamber 110, and sucks the monomer m or gas in the main chamber 110.

상기 모노머 챔버(120)는, 박막에 이용되는 모노머(m)가 증기 상태로 수용되는 공간이다. 모노머 챔버(120)의 외부에는 액체 상태의 모노머를 수용하는 모노머 탱크(121)가 마련된다. 모노머 탱크(121)로부터 모노머 챔버(120) 측으로 모노머가 공급되는데, 모노머 탱크(121)와 모노머 챔버(120) 사이에 모세관 튜브(capillary tube) 또는 초음파 노즐(ultrasonic nozzle) 등을 설치하여 액체 상태의 모노머의 압력 강하를 유도함으로써, 증기 상태로 변환된 모노머(m)가 모노머 챔버(120)로 공급된다.The monomer chamber 120 is a space in which the monomer m used for the thin film is accommodated in a vapor state. Outside the monomer chamber 120, a monomer tank 121 for accommodating a liquid monomer is provided. The monomer is supplied from the monomer tank 121 to the monomer chamber 120. A capillary tube or an ultrasonic nozzle is installed between the monomer tank 121 and the monomer chamber 120 to provide a liquid state. By inducing the pressure drop of the monomer, the monomer m converted into the vapor state is supplied to the monomer chamber 120.

상기 셔터(130)는, 증기 상태의 모노머(m)가 모노머 챔버(120)로부터 메인 챔버(110)로 분사되도록 모노머 챔버(120)를 개방시킨다. 증착 공정이 수행되지 않는 동안, 셔터(130)는 메인 챔버(110)와 모노머 챔버(120)를 연결시키는 모노머 챔버의 노즐(122)을 막으면서, 모노머 챔버(120)에서 메인 챔버(110)로의 모노머(m) 공급이 이루어지지 않는다. 증착 공정이 시작되면, 즉 기판(1)이 메인 챔버(110) 내에서 모노머 챔버(120)의 상측으로 이송되어 오면, 셔터(130)는 모노머 챔버의 노즐(122)을 개방하고, 모노머 챔버(120)에서 메인 챔버(110)로의 모노머(m) 공급이 이루어진다. 이후, 기판(1)이 계속하여 이송되면서 모노머 챔버(120)의 상측 영역에서 벗어나면, 다시 셔터(130)는 모노머 챔버의 노즐(122)을 막게 되고 모노머 챔버(120)에서 메인 챔버(110)로의 모노머(m) 공급은 이루어지지 않는다.The shutter 130 opens the monomer chamber 120 so that the vaporized monomer m is injected from the monomer chamber 120 into the main chamber 110. While the deposition process is not performed, the shutter 130 blocks the nozzle 122 of the monomer chamber connecting the main chamber 110 and the monomer chamber 120, and from the monomer chamber 120 to the main chamber 110. No monomer (m) feed is made. When the deposition process is started, that is, when the substrate 1 is transferred to the upper side of the monomer chamber 120 in the main chamber 110, the shutter 130 opens the nozzle 122 of the monomer chamber and the monomer chamber ( In the 120, the monomer m is supplied to the main chamber 110. Subsequently, when the substrate 1 continues to be transferred and moves out of the upper region of the monomer chamber 120, the shutter 130 again blocks the nozzle 122 of the monomer chamber and the main chamber 110 in the monomer chamber 120. No monomer (m) feed to the furnace is made.

상기 모노머 회수유닛은, 모노머 챔버(120)로부터 외부로 배출되는 모노머(m)를 회수하는 것으로서, 본 실시예에서 모노머 회수유닛은 외부로부터 공급되는 냉매에 의해 냉각되어, 증기 상태의 모노머(m)를 응결시켜 회수하는 모노머 냉각트랩(140)이 이용된다.The monomer recovery unit recovers the monomer (m) discharged to the outside from the monomer chamber 120. In this embodiment, the monomer recovery unit is cooled by a refrigerant supplied from the outside, and the monomer (m) in the vapor state. The monomer cooling trap 140 which condenses and collect | recovers is used.

모노머 냉각트랩(140)은, 모노머 챔버(120) 내의 모노머(m) 및 가스를 외부로 배출하는 유로 상에 설치되며, 케이스(141)와, 냉각 플레이트(143)와, 격자판(145)을 포함한다. 이때, 모노머 챔버(120) 내에서 외부로 배출되는 가스는 모노머(m) 원료에서 발생되는 불필요한 가스, 모노머 챔버(120)의 벽면에서 나오는 가스 및 모노머(m)가 공급되는 유로를 퍼지하기 위한 아르곤 가스 등을 포함한다.The monomer cooling trap 140 is provided on a flow path for discharging the monomer m and the gas in the monomer chamber 120 to the outside, and includes a case 141, a cooling plate 143, and a grid plate 145. do. At this time, the gas discharged to the outside in the monomer chamber 120 is an unnecessary gas generated from the raw material of the monomer (m), the gas from the wall surface of the monomer chamber 120 and the argon for purging the flow path to the monomer (m) is supplied Gas and the like.

상기 케이스(141)는, 내부 공간에 후술할 냉각 플레이트(143)를 수용한다. 케이스의 벽면(142) 내부에 냉매가 유동할 수 있는 유로가 형성되어 외부로부터 냉매가 벽면(142) 내부로 공급된다. 케이스(141) 자체가 냉각되어, 모노머 냉각트랩(140) 내부에서 모노머(m)의 응결이 촉진됨으로써, 전체적인 냉각 효율이 향상된다.The case 141 accommodates a cooling plate 143 which will be described later in an inner space. A flow path through which the refrigerant flows is formed in the wall surface 142 of the case, and the refrigerant is supplied into the wall surface 142 from the outside. The case 141 itself is cooled, and condensation of the monomer m in the monomer cooling trap 140 is promoted, thereby improving the overall cooling efficiency.

케이스의 벽면(141)에는 가이드 홈(146)이 형성되어 있다. 냉각 플레이트(143)를 케이스(141) 내부로 삽입하여 결합할 때 냉각 플레이트(143)의 측부가 가이드 홈(146)에 끼움 삽입될 수 있으며, 냉각 플레이트(143)를 케이스(141)로부터 분리할 때도 가이드 홈(146)에 의해 냉각 플레이트(143)가 슬라이딩되면서 케이스(141)로부터 꺼내어진다. 이와 같이 케이스의 가이드 홈(146)으로 인해 냉각 플레이트(143)와 케이스(141)의 결합 및 분리 작업이 용이해진다.The guide groove 146 is formed in the wall surface 141 of the case. The side of the cooling plate 143 may be inserted into the guide groove 146 when the cooling plate 143 is inserted into the case 141, and the cooling plate 143 may be separated from the case 141. Even when the cooling plate 143 is slid by the guide groove 146, it is taken out of the case 141. As such, the guide groove 146 of the case facilitates the coupling and separation of the cooling plate 143 and the case 141.

케이스(141)의 일측에는 흡입구(미도시)가 형성되어 있으며, 흡입구를 통해 모노너 챔버(120)로부터 배출되는 모노머(m) 및 가스가 케이스(141) 내부로 흡입된다.An inlet (not shown) is formed at one side of the case 141, and the monomer m and the gas discharged from the mononer chamber 120 are sucked into the case 141 through the inlet.

상기 냉각 플레이트(143)는, 케이스(141) 내부에 수용되며, 외부에서 공급되는 냉매에 의해 냉각됨으로써 표면에 모노머(m)가 부착된다. 냉각 플레이트(143) 내부에 냉매가 유동할 수 있는 유로가 형성되어 있고, 유로를 통해 유동하는 냉매에 의해 냉각 플레이트(143) 자체가 냉각된다. 증기 상태의 모노너(m)는 냉각 플레이트(143)의 낮은 온도로 인해 응결되어 입자화되면서 냉각 플레이트(143) 표면에 부착된다. 냉각 플레이트(143)에 의해 모노머(m)가 회수됨으로써, 모노머(m)가 제거된 가스가 모노머 냉각트랩(140) 외부로 배출된다.The cooling plate 143 is accommodated in the case 141, and the monomer m is attached to the surface by cooling by a refrigerant supplied from the outside. A flow path through which the refrigerant flows is formed in the cooling plate 143, and the cooling plate 143 itself is cooled by the refrigerant flowing through the flow path. The mononer m in the vapor state is attached to the surface of the cooling plate 143 while being condensed and granulated due to the low temperature of the cooling plate 143. As the monomer m is recovered by the cooling plate 143, the gas from which the monomer m is removed is discharged to the outside of the monomer cooling trap 140.

냉각 플레이트(143)에는 상하면을 관통하도록 관통홀(144)이 형성되어 있는데, 관통홀(144)을 통해 모노머(m) 및 가스 등이 냉각 플레이트(143)를 통과하면서 유동하게 된다.The through plate 144 is formed in the cooling plate 143 to penetrate the upper and lower surfaces, and the monomer m and the gas flow through the cooling plate 143 through the through hole 144.

본 실시예에서 냉각 플레이트(143)는 케이스(141) 내부에 복수 개가 마련되어 가스 및 모노머의 유동 방향(A)을 따라 이격되게 배치됨으로써, 다수의 단계에 걸쳐 모노머(m)를 회수한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 최상측에 배치된 냉각 플레이트(143)에 의해 1차로 모노머(m)를 회수하고, 이후 하측에 배치된 복수의 냉각 플레이트(143)에 의해 모노머(m)를 재차 회수함으로써, 모노머(m)와 가스가 혼합된 가스로부터 모노머(m)의 회수율을 높일 수 있다.In the present embodiment, a plurality of cooling plates 143 are provided in the case 141 to be spaced apart along the flow direction A of the gas and the monomer, thereby recovering the monomer m in a plurality of steps. As shown in FIG. 4, the monomer m is recovered first by the cooling plate 143 disposed on the uppermost side, and the monomer m is again collected by the plurality of cooling plates 143 disposed on the lower side. By recovering | recovering, the recovery rate of the monomer m can be improved from the gas which mixed the monomer m and gas.

케이스(141) 내부에서 가스 및 모노머의 유동 방향(A)의 상류 측에서 하류 측으로 갈수록 각각의 냉각 플레이트(143)에 형성된 관통홀(144)의 개구 면적이 점점 작아진다. 최상측에 배치된 냉각 플레이트(143)의 관통홀(144)의 개구 면적이 가장 크고, 최하측에 배치된 냉각 플레이트(143)의 관통홀(144)의 개구 면적이 가장 작으며, 그 사이에 배치된 냉각 플레이트(143)의 관통홀(144)의 개구 면적은 순차적으로 작아진다.The opening area of the through holes 144 formed in the respective cooling plates 143 gradually decreases from the upstream side to the downstream side in the flow direction A of the gas and monomers in the case 141. The opening area of the through hole 144 of the cooling plate 143 disposed at the uppermost side is the largest, and the opening area of the through hole 144 of the cooling plate 143 arranged at the lowermost side is the smallest, and in between The opening area of the through holes 144 of the arranged cooling plates 143 is sequentially reduced.

이와 같이 가스 및 모노머의 유동 방향(A)의 상류 측에서 하류 측으로 갈수록 관통홀(144)의 개구 면적을 점점 작아지게 함으로써, 모노머(m)의 회수 효율을 높일 수 있다. 가스 및 모노머의 유동 방향(A)의 상류 측에서는 혼합 가스 내에 상대적으로 많은 양의 모노머(m)가 포함되어 있으므로 관통홀(144)의 개구 면적이 커서 유속이 빨라도 많은 모노머(m)가 회수될 수 있다. 그러나 가스 및 모노머의 유동 방향(A)의 하류 측에서는 상류 측에 배치된 냉각 플레이트(143)에 의해 모노머(m)가 제거되어 상대적으로 적은 양의 모노머(m)가 포함되어 있으므로 관통홀(144)의 개구 면적을 작게 하여(유동 저항을 크게 하여) 유속을 늦춤으로써 모노머(m)의 회수량을 높일 수 있다.As described above, by gradually decreasing the opening area of the through hole 144 from the upstream side to the downstream side in the flow direction A of the gas and the monomer, the recovery efficiency of the monomer m can be increased. On the upstream side of the flow direction A of the gas and the monomer, a relatively large amount of the monomer m is contained in the mixed gas, so that the opening area of the through hole 144 is large so that a large amount of monomer m can be recovered even at a high flow rate. have. However, in the downstream side of the flow direction A of the gas and the monomer, the monomer m is removed by the cooling plate 143 disposed upstream, so that a relatively small amount of the monomer m is included. The recovery amount of monomer (m) can be increased by reducing the opening area of the resin (by increasing the flow resistance) to slow the flow rate.

상기 격자판(145)은, 모노머(m)가 부착되는 표면적을 넓히기 위하여, 냉각 플레이트(143)의 상면 또는 하면에 접촉되게 설치된다. 격자판(145)은 냉각 플레이트(143)에 접촉 설치되어 냉각 플레이트(143)와 동일한 수준으로 냉각됨으로써, 격자판(145)의 표면에 모노머(m)가 응결, 입자화되어 부착될 수 있다. 격자판(145)으로 인해 모노머(m)가 부착되는 표면적을 넓어져서, 모노머의 회수 효율을 높일 수 있다.The grid plate 145 is provided in contact with the upper or lower surface of the cooling plate 143 in order to increase the surface area to which the monomer m is attached. The grating plate 145 is installed in contact with the cooling plate 143 and cooled to the same level as the cooling plate 143, so that the monomer (m) may be condensed and granulated on the surface of the grating plate 145. The grating plate 145 increases the surface area to which the monomer m is attached, thereby increasing the recovery efficiency of the monomer.

케이스(141)의 타측에는 배기구(미도시)가 형성되어 있으며, 모노머(m)가 제거된 가스는 배기구를 통해 모노머 냉각트랩(140) 외부로 배기된다. 이렇게 함으로써, 배기구 및 배기 유로가 모노머(m)에 의해 막히는 현상을 막을 수 있다.An exhaust port (not shown) is formed at the other side of the case 141, and the gas from which the monomer m is removed is exhausted to the outside of the monomer cooling trap 140 through the exhaust port. In this way, the phenomenon that the exhaust port and the exhaust flow path are blocked by the monomer m can be prevented.

이와 같이 구성된 모노머 냉각트랩(140)의 유지보수는 간단하게 수행될 수 있다. 냉각 플레이트(143) 및 격자판(145)을 케이스(141)로부터 꺼낸 후, 냉각 플레이트(143) 및 격자판(145) 표면에 부착된 입자화된 모노머를 제거함으로써, 모노머 냉각트랩(140)의 유지보수 작업을 완료할 수 있다. 따라서 모노머 냉각트랩(140)은 모노머 회수유닛의 유지보수 작업을 단순화시키고, 반영구적인 사용이 가능하다.Maintenance of the monomer cooling trap 140 configured as described above can be performed simply. Maintenance of the monomer cooling trap 140 by removing the cooling plate 143 and the grid plate 145 from the case 141 and then removing the granulated monomers attached to the surfaces of the cooling plate 143 and the grid plate 145. You can complete the task. Accordingly, the monomer cooling trap 140 simplifies the maintenance work of the monomer recovery unit, and can be used semi-permanently.

상기 제1진공펌프(151)는 메인 챔버(110) 또는 모노머 냉각트랩(140)(모노머 회수유닛)에 선택적으로 연결되며, 메인 챔버(110) 또는 모노머 챔버(120) 내의 모노머(m) 또는 가스를 흡입한다. 후술할 제1밸브(161)가 개방되고 제2밸브(162)가 폐쇄되면 제1진공펌프(151)는 메인 챔버(110)에 연결되고, 제1밸브(161)가 폐쇄되고 제2밸브(162)가 개방되면 제1진공펌프(151)는 모노머 냉각트랩(140)에 연결된다.The first vacuum pump 151 is selectively connected to the main chamber 110 or the monomer cooling trap 140 (monomer recovery unit), monomer (m) or gas in the main chamber 110 or monomer chamber 120 Inhale. When the first valve 161 to be described later is opened and the second valve 162 is closed, the first vacuum pump 151 is connected to the main chamber 110, and the first valve 161 is closed and the second valve ( When the 162 is open, the first vacuum pump 151 is connected to the monomer cooling trap 140.

상기 제1밸브(161)는 메인 챔버(110)와 제1진공펌프(151) 사이의 유로를 개방 또는 차단하며, 상기 제2밸브(162)는 모노머 회수유닛(모노머 냉각트랩(140))과 제1진공펌프(151) 사이의 유로를 개방 또는 차단한다.The first valve 161 opens or closes a flow path between the main chamber 110 and the first vacuum pump 151, and the second valve 162 is a monomer recovery unit (monomer cooling trap 140) and The flow path between the first vacuum pump 151 is opened or blocked.

이하, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 모노머 증착장치(100)를 이용한 모노머 증착장치의 배기방법의 일 실시예에 대하여, 도 3 내지 도 7을 참조하면서 개략적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a method of evacuating a monomer deposition apparatus using the monomer deposition apparatus 100 according to the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS. 3 to 7.

도 6은 도 3의 모노머 증착장치에 있어서 메인 챔버와 제1진공펌프가 연통된 상태를 도시한 도면이고, 도 7은 도 3의 모노머 증착장치에 있어서 모노머 챔버와 제1진공펌프가 연통된 상태를 도시한 도면이다.6 is a view illustrating a state in which a main chamber and a first vacuum pump communicate with each other in the monomer deposition apparatus of FIG. 3, and FIG. 7 is a view illustrating a state where the monomer chamber and a first vacuum pump communicate with each other in the monomer deposition apparatus of FIG. 3. It is a figure which shows.

본 실시예의 모노머 증착장치의 배기방법은, 제1배기단계와, 제2배기단계와, 제3배기단계를 포함한다.The exhaust method of the monomer deposition apparatus of this embodiment includes a first exhaust stage, a second exhaust stage, and a third exhaust stage.

상기 제1배기단계에서는, 모노머(m)가 모노머 챔버(120)로부터 메인 챔버(110)로 분사되면서 증착 공정이 수행되는 동안, 메인 챔버(110) 내의 모노머(m) 또는 가스가 제1밸브(161) 및 제1진공펌프(151)를 경유하여 외부로 배기된다(도 6에서 "B"로 표기된 유동 경로).In the first exhaust step, while the monomer (m) is injected from the monomer chamber 120 to the main chamber 110 while the deposition process is performed, the monomer (m) or gas in the main chamber 110 is the first valve ( It is exhausted to the outside via 161 and the first vacuum pump 151 (flow path denoted as "B" in Figure 6).

제1밸브(161)가 열리면서 메인 챔버(110)와 제1진공펌프(151) 사이의 유로는 개방되고, 제2밸브(162)가 닫히면서 모노머 냉각트랩(140)과 제1진공펌프(151) 사이의 유로는 차단된다.As the first valve 161 is opened, the flow path between the main chamber 110 and the first vacuum pump 151 is opened, and the second valve 162 is closed to close the monomer cooling trap 140 and the first vacuum pump 151. The flow path between) is blocked.

상기 제2배기단계에서는, 모노머 챔버(120)로의 모노머(m) 공급이 중단되고 외부와 모노머 챔버(120)를 연결하는 유로를 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 동안, 모노머 챔버(120) 내의 가스가 모노머 냉각트랩(140), 제2밸브(162) 및 제1진공펌프(151)을 경유하여 배기된다(도 7에서 "D"로 표기된 유동 경로).In the second exhaust stage, the gas in the monomer chamber 120 is supplied while the supply of the monomer m to the monomer chamber 120 is stopped and a purge gas for purging the flow path connecting the outside and the monomer chamber 120 is supplied. Is evacuated via the monomer cooling trap 140, the second valve 162 and the first vacuum pump 151 (flow path labeled “D” in FIG. 7).

제1밸브(161)가 닫히면서 메인 챔버(110)와 제1진공펌프(151) 사이의 유로는 차단되고, 제2밸브(162)가 열리면서 모노머 냉각트랩(140)과 제1진공펌프(151) 사이의 유로는 개방된다.As the first valve 161 is closed, the flow path between the main chamber 110 and the first vacuum pump 151 is blocked, and the second valve 162 is opened to open the monomer cooling trap 140 and the first vacuum pump 151. The flow path between) is opened.

모노머 챔버(120)로부터 배기되는 가스는, 모노머 챔버(120) 내에서 잔존하는 모노머(m), 모노머 챔버(120) 표면에서 나오는 가스, 모노머(m) 원료에서 발생되는 불필요한 가스 또는 모노머(m)가 공급되는 유로를 퍼지하기 위한 아르곤 가스 등을 포함한다.The gas exhausted from the monomer chamber 120 includes the monomer m remaining in the monomer chamber 120, the gas coming out of the surface of the monomer chamber 120, the unnecessary gas generated from the monomer m raw material, or the monomer m. Argon gas and the like for purging the flow path is supplied.

제2배기단계를 통해, 모노머 챔버(120) 내의 불필요한 가스를 외부로 배출하여 이후 증착 공정을 위해 모노머 챔버(120)로 공급되는 모노머(m)의 순도(quality)를 높일 수 있다.Through the second exhaust step, unnecessary gas in the monomer chamber 120 may be discharged to the outside to increase the purity of the monomer m supplied to the monomer chamber 120 for the subsequent deposition process.

증착 공정이 계속되면서 외부로부터 모노머의 공급과 중단이 반복적으로 이루어지고, 제1배기단계와 제2배기단계도 모노머의 공급과 중단에 따라 반복적으로 수행된다.As the deposition process continues, supply and interruption of the monomer from the outside is repeatedly performed, and the first and second exhaust steps are repeatedly performed as the monomer is supplied and stopped.

상기 제3배기단계에서는, 메인 챔버(110) 내의 모노머(m) 또는 가스가 제2진공펌프(152)에 의해 외부로 배기된다. 제3배기단계는 제1배기단계 및 제2배기단계와 병행하여 수행되면서, 항상 메인 챔버(110) 내의 모노머(m) 또는 가스를 외부로 배기한다.In the third exhaust step, the monomer (m) or gas in the main chamber 110 is exhausted to the outside by the second vacuum pump 152. The third exhaust stage is performed in parallel with the first exhaust stage and the second exhaust stage, and always exhausts the monomer m or the gas in the main chamber 110 to the outside.

앞서 설명한 바와 같이, 메인 챔버(110)는 약 10E-4 ~ 10E-7 torr 범위 내에서 일정한 진공 상태를 유지하여야 하는데, 상대적으로 넓은 메인 챔버(110) 내의 공간을 고려할 때 제1진공펌프(151)와 함께 제2진공펌프(152)에 의해 모노머(m) 또는 가스가 외부로 배출됨으로써, 메인 챔버(110) 내의 압력을 일정하게 유지하는데 도움이 된다.As described above, the main chamber 110 should maintain a constant vacuum within the range of about 10E-4 to 10E-7 torr, considering the space in the relatively wide main chamber 110, the first vacuum pump 151 The monomer (m) or the gas is discharged to the outside by the second vacuum pump 152 together with) to help maintain a constant pressure in the main chamber 110.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법은, 진공펌프를 메인 챔버 또는 모노머 챔버에 선택적으로 연결되도록 하여 진공펌프의 활용도를 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The method of evacuating the monomer deposition apparatus and the monomer deposition apparatus according to the present embodiment configured as described above can obtain an effect of increasing the utilization of the vacuum pump by selectively connecting the vacuum pump to the main chamber or the monomer chamber.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법은, 모노머 챔버와 진공펌프 사이에 모노머를 회수할 수 있는 유닛을 장착하여 진공펌프의 유지보수에 유리하고 진공펌프의 교체 비용을 절감할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the method of evacuating the monomer deposition apparatus and the monomer deposition apparatus according to the present embodiment configured as described above is advantageous for maintenance of the vacuum pump by installing a unit capable of recovering the monomer between the monomer chamber and the vacuum pump. The effect of reducing the replacement cost of the pump can be obtained.

또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 모노머 증착장치 및 모노머 증착장치의 배기방법은, 냉매를 이용하여 증기 상태의 모노머를 응결시켜 회수하는 모노머 회수유닛를 활용함으로써, 모노머의 회수 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the method of evacuating the monomer deposition apparatus and the monomer deposition apparatus according to the present embodiment configured as described above may improve the recovery efficiency of the monomer by utilizing a monomer recovery unit that condenses and recovers the monomer in the vapor state using a refrigerant. The effect can be obtained.

본 발명의 실시예들에 있어서, 모노머 냉각트랩은 직사각형 형상으로, 냉각 플레이트는 사각판 형상으로 기재, 도시되어 있지만, 모노머 냉각트랩은 원통형 형상으로, 냉각 플레이트는 원형판 형상으로 제작되어도 무방하며, 그외 가능한 다양한 형태로 구현될 수 있다.In the embodiments of the present invention, the monomer cooling trap has a rectangular shape, and the cooling plate is described and illustrated in a rectangular plate shape, but the monomer cooling trap may have a cylindrical shape, and the cooling plate may be manufactured in a circular plate shape. It can be implemented in various forms possible.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but can be implemented in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described in the present invention to various extents which can be modified.

100 : 모노머 증착장치
110 : 메인 챔버
120 : 모노머 챔버
130 : 셔터
140 : 모노머 냉각트랩
151 : 제1진공펌프
161 : 제1밸브
162 : 제2밸브100: monomer deposition apparatus
110: main chamber
120: monomer chamber
130: shutter
140: monomer cooling trap
151: first vacuum pump
161: first valve
162: second valve

Claims (5)

기판상에 모노머가 증착되는 메인 챔버와, 상기 모노머가 증기 상태로 수용되는 모노머 챔버와, 상기 모노머가 상기 모노머 챔버로부터 상기 메인 챔버로 분사되도록 상기 모노머 챔버를 개방시키는 셔터와, 상기 모노머 챔버에서 외부로 배출되는 가스로부터 모노머를 회수하는 모노머 회수유닛을 포함하는 모노머 증착장치에 있어서,
상기 모노머가 상기 모노머 챔버로부터 상기 메인 챔버로 분사되면서 증착 공정이 수행되는 동안은 상기 메인 챔버에 연결되며 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하고, 상기 모노머 챔버로의 모노머 공급이 중단되고 외부와 상기 모노머 챔버를 연결하는 유로를 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 동안은 상기 모노머 회수유닛에 연결되며 상기 모노머 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하는 제1진공펌프;
상기 메인 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 유로를 개방 또는 차단하는 제1밸브; 및
상기 모노머 회수유닛과 상기 제1진공펌프 사이의 유로를 개방 또는 차단하는 제2밸브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 모노머 증착장치.A main chamber in which monomer is deposited on a substrate, a monomer chamber in which the monomer is received in a vapor state, a shutter for opening the monomer chamber so that the monomer is injected from the monomer chamber into the main chamber, and an outside of the monomer chamber A monomer deposition apparatus comprising a monomer recovery unit for recovering a monomer from a gas discharged into a furnace,
While the monomer is injected from the monomer chamber into the main chamber while the deposition process is performed, the monomer is connected to the main chamber, and the monomer or gas in the main chamber is sucked, the monomer supply to the monomer chamber is stopped, and the external and the A first vacuum pump connected to the monomer recovery unit and sucking the monomer or the gas in the monomer chamber while the purge gas for purging the flow path connecting the monomer chamber is supplied;
A first valve for opening or blocking a flow path between the main chamber and the first vacuum pump; And
And a second valve for opening or blocking a flow path between the monomer recovery unit and the first vacuum pump. 제1항에 있어서,
상기 모노머 회수유닛은, 외부로부터 공급되는 냉매에 의해 냉각되며 상하면을 관통하는 관통홀이 형성된 냉각 플레이트와, 상기 냉각 플레이트에 접촉되게 설치되며 상기 모노머가 부착되는 표면적을 넓히기 위한 격자판을 포함하며,
상기 냉각 플레이트의 표면 또는 상기 격자판의 표면에 증기 상태의 모노머를 응결시켜 회수하는 것을 특징으로 하는 모노머 증착장치.The method of claim 1,
The monomer recovery unit includes a cooling plate cooled by a refrigerant supplied from the outside and having a through hole penetrating the upper and lower surfaces thereof, and a grating plate installed to be in contact with the cooling plate and widening the surface area to which the monomer is attached.
A monomer deposition apparatus characterized by condensing and recovering the monomer in the vapor state on the surface of the cooling plate or the surface of the grating plate. 제1항에 있어서,
상기 메인 챔버에 연통되게 결합되며 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하는 제2진공펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 모노머 증착장치.The method of claim 1,
And a second vacuum pump coupled to the main chamber in communication with the main chamber to suck the monomer or the gas in the main chamber. 제1항에 기재된 모노머 증착장치를 이용하며,
상기 모노머가 상기 모노머 챔버로부터 상기 메인 챔버로 분사되면서 증착 공정이 수행되는 동안, 상기 제1밸브에 의해 상기 메인 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 개방되고, 상기 제2밸브에 의해 상기 모노머 회수유닛과 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 차단됨으로써, 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스가 상기 제1밸브 및 상기 제1진공펌프를 경유하여 배기되는 제1배기단계; 및
상기 모노머 챔버로의 모노머 공급이 중단되고 외부와 상기 모노머 챔버를 연결하는 유로를 퍼지하기 위한 퍼지가스가 공급되는 동안, 상기 제1밸브에 의해 상기 메인 챔버와 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 차단되고, 상기 제2밸브에 의해 상기 모노머 회수유닛과 상기 제1진공펌프 사이의 유로는 개방됨으로써, 상기 모노머 챔버 내의 가스가 상기 모노머 회수유닛, 상기 제2밸브 및 상기 제1진공펌프를 경유하여 배기되는 제2배기단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 모노머 증착장치의 배기방법.Using the monomer vapor deposition apparatus of Claim 1,
While the deposition process is performed while the monomer is injected from the monomer chamber to the main chamber, the flow path between the main chamber and the first vacuum pump is opened by the first valve, and the monomer is opened by the second valve. A first exhaust step in which a flow path between the recovery unit and the first vacuum pump is blocked so that the monomer or gas in the main chamber is exhausted through the first valve and the first vacuum pump; And
The flow path between the main chamber and the first vacuum pump is blocked by the first valve while the supply of the monomer to the monomer chamber is stopped and the purge gas for purging the flow path connecting the outside and the monomer chamber is supplied. The flow path between the monomer recovery unit and the first vacuum pump is opened by the second valve, so that gas in the monomer chamber is exhausted through the monomer recovery unit, the second valve and the first vacuum pump. A second exhaust step of being; exhaust method of a monomer deposition apparatus comprising a. 제4항에 있어서,
상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스를 흡입하는 제2진공펌프가 상기 메인 챔버에 연통되게 설치되며, 상기 메인 챔버 내의 모노머 또는 가스가 상기 제2진공펌프에 의해 외부로 배기되는 제3배기단계;를 더 포함하며,
상기 제3배기단계는 상기 제1배기단계 및 상기 제2배기단계와 병행하여 수행되는 것을 특징으로 하는 모노머 증착장치의 배기방법.5. The method of claim 4,
A second vacuum pump for sucking the monomer or gas in the main chamber is installed in communication with the main chamber, and a third exhaust step of exhausting the monomer or gas in the main chamber to the outside by the second vacuum pump; Include,
And said third exhaust step is performed in parallel to said first exhaust step and said second exhaust step.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071723A (en) * 2002-08-05 2004-03-04 Tokyo Electron Ltd Vacuum treatment apparatus and its operating method
JP2005015820A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Nec Kansai Ltd Sputtering apparatus
JP2009177216A (en) 2005-03-04 2009-08-06 Nuflare Technology Inc Method of avoiding gas mixture in vapor phase epitaxy device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912756B2 (en) * 1992-03-04 1999-06-28 松下電器産業株式会社 Apparatus and method for forming synthetic resin film
JP3516819B2 (en) * 1996-09-12 2004-04-05 株式会社アルバック Evaporation system for monomer, vacuum processing chamber provided with the same, and method for forming organic compound film
JP3153190B2 (en) * 1998-09-21 2001-04-03 日本電気株式会社 Apparatus for producing polymer film and film forming method using this apparatus
JP4013859B2 (en) * 2003-07-17 2007-11-28 富士電機ホールディングス株式会社 Organic thin film manufacturing equipment
CN100517595C (en) * 2004-07-02 2009-07-22 株式会社爱发科 Etching method and system
JP2007217468A (en) * 2006-02-14 2007-08-30 Sharp Corp Device for producing polymer film and method for producing polyparaxylylene film
JP2008263093A (en) * 2007-04-13 2008-10-30 Tokyo Electron Ltd Etching method, etching system and etching apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071723A (en) * 2002-08-05 2004-03-04 Tokyo Electron Ltd Vacuum treatment apparatus and its operating method
JP2005015820A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Nec Kansai Ltd Sputtering apparatus
JP2009177216A (en) 2005-03-04 2009-08-06 Nuflare Technology Inc Method of avoiding gas mixture in vapor phase epitaxy device

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