KR20190099890A - Organic light emitting display and method for manufacturing encapsulation film - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, an organic light emitting display device comprises: an organic light emitting device part provided on a substrate; and an encapsulation film sealing the organic light emitting device part. The encapsulation film can comprise an organic film provided so as to cover the organic light emitting device part, and an inorganic multilayer film provided on the organic film and having different inorganic layers alternately laminated. Therefore, the present invention provides the organic light emitting display device having the encapsulation film formed of the organic film and the multilayer inorganic film.

Description

유기발광표시장치 및 봉지막 제조방법{Organic light emitting display and method for manufacturing encapsulation film}Organic light emitting display and method for manufacturing encapsulation film

본 발명은 유기발광표시장치 및 봉지막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기막과 다층 무기막으로 이루어진 봉지막이 형성된 유기발광표시장치 및 봉지막 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a method for manufacturing an encapsulation film, and more particularly, to an organic light emitting display device and an encapsulation method for manufacturing an encapsulation film formed of an organic film and a multilayer inorganic film.

일반적으로 유기발광표시장치는 음극과 양극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기물로 이루어진 발광층을 포함하는 유기발광소자부를 구비하며, 양극에서 주입되는 정공과 음극에서 주입되는 전자가 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시장치이다.In general, an organic light emitting display device includes an organic light emitting device unit including a light emitting layer including a cathode, an anode, and an organic material formed therebetween, and excitons generated by combining holes injected from the anode and electrons injected from the cathode in the light emitting layer. An exiton is a self-luminous display device that generates light while falling from an excited state to a ground state.

유기발광표시장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압 구동이 가능하고, 넓은 시야각을 가지며, 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있으나, 외부의 수분이나 산소에 매우 취약하며 열에 대해서도 내구성이 약한 문제가 존재하기 때문에 유기발광소자부를 보호하기 위한 봉지 공정이 필요하다. 봉지 공정으로는 유리나 금속의 덮개 내에 흡습제(getter)를 부착한 후 접착제를 이용하여 유기발광소자부에 부착하는 덮개 방식 또는 유기발광소자부 상에 유기막 및/또는 무기막을 포함하는 봉지막(Thin Film Encapsulation; TFE)을 증착하는 박막 방식이 이용되고 있다.The organic light emitting display has the advantages of low voltage driving, wide viewing angle, and fast response speed because it does not need a separate light source, but it is very vulnerable to external moisture or oxygen and has low durability against heat. Therefore, an encapsulation process for protecting the organic light emitting device portion is required. In the encapsulation process, a moisture absorbent (getter) is attached to a cover of glass or metal, and an encapsulation film (Thin) including an organic film and / or an inorganic film on the organic light emitting device part or a cover method is attached to the organic light emitting device part using an adhesive. A thin film method for depositing Film Encapsulation (TFE) is used.

박막 방식을 이용하여 봉지막을 제조하는 경우에는 일반적으로 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등의 용액공정을 사용하여 상압에서 유기막을 형성하는 공정과 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD) 혹은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD) 등의 진공공정을 사용하여 무기막을 형성하는 공정을 복수 회 반복하게 되는데, 유기막을 용액공정으로 형성하게 되면 노즐에서 용액이 비균일하게 토출되는 문제로 유기막의 두께가 불균일해지는 문제가 발생하게 되고, 상압(유기막)-진공(무기막)-상압(유기막) 순으로 공정이 진행됨에 따라 증착 공정이 번거롭게 되어 파티클이 유입되는 문제가 발생하게 된다. 또한, 유기막 형성 시 용매 사용으로 인한 유기발광소자부의 손상이 발생되고, 용액공정으로 인한 유기막의 두께가 두꺼워짐에 따라 플렉서블한 특성이 저하되어 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기 어려운 문제가 있다.When the encapsulation film is manufactured using a thin film method, an organic film is formed at atmospheric pressure using a solution process such as screen printing or inkjet printing, and a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or atomic layer is generally used. The process of forming an inorganic film using a vacuum process such as an Atomic Layer Deposition (ALD) is repeated a plurality of times. When the organic film is formed by a solution process, the thickness of the organic film may be increased due to the non-uniform discharge of the solution from the nozzle. Unevenness occurs, and as the process proceeds in the order of atmospheric pressure (organic film) -vacuum (inorganic film) -normal pressure (organic film), the deposition process becomes cumbersome, causing a problem of particle inflow. In addition, when the organic film is formed, damage to the organic light emitting device may occur due to the use of a solvent, and as the thickness of the organic film is increased due to the solution process, the flexible characteristics may be degraded, which may make it difficult to apply the flexible display.

이에, 유기발광소자부 상에 유기막 없이 무기막만을 형성하여 봉지막을 제조할 수도 있는데, 유기발광소자부에 존재하는 파티클이 모두 제거되지 않은 상태에서 무기막을 바로 형성할 경우에는 추후에 유기발광소자부가 휘어지게 되었을 때 파티클이 탈착되면서 무기막의 박리가 일어나게 된다. 무기막의 박리가 일어나게 되면 파티클이 떨어져 나가면서 형성된 곳으로 외부로부터 수분 이동 경로가 형성되고, 이로부터 유기발광소자부의 열화 발생 및 내구성이 저하되는 문제점이 있다.Thus, the encapsulation film may be manufactured by forming only the inorganic film without the organic film on the organic light emitting device part. When the inorganic film is formed immediately without all the particles present in the organic light emitting device part, the organic light emitting device may be formed later. When the part is bent, the particles are detached and peeling of the inorganic film occurs. When the separation of the inorganic film occurs, there is a problem that the moisture migration path is formed from the outside to the place where the particles are formed while falling off, from which deterioration and durability of the organic light emitting device portion are reduced.

한국등록특허 제10-1783146호Korean Patent Registration No. 10-1783146

본 발명은 유기막과 다층 무기막으로 이루어진 봉지막이 형성된 유기발광표시장치 및 봉지막 제조방법을 제공한다.The present invention provides an organic light emitting display device and an encapsulation film manufacturing method including an encapsulation film formed of an organic film and a multilayer inorganic film.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 기판 상에 제공되는 유기발광소자부; 및 상기 유기발광소자부를 밀봉하는 봉지막을 포함하고, 상기 봉지막은, 상기 유기발광소자부를 덮도록 제공되는 유기막; 및 상기 유기막 상에 제공되고, 서로 다른 무기층이 교번 적층된 무기 다층막을 포함할 수 있다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting element portion provided on the substrate; And an encapsulation film for sealing the organic light emitting device portion, wherein the encapsulation film includes: an organic film provided to cover the organic light emitting device portion; And an inorganic multilayer film provided on the organic film and having different inorganic layers alternately stacked.

상기 무기 다층막은 SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층 및 SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층을 포함할 수 있다.The inorganic multilayer film may include a first inorganic layer made of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1 ≧ 0) and a second inorganic layer made of SiN z O x2 (where z> 0 and x2 ≧ 0). .

상기 무기 다층막의 최하층은 상기 제1 무기층이고, 상기 제1 무기층은 상기 유기막과 접할 수 있다.The lowest layer of the inorganic multilayer film may be the first inorganic layer, and the first inorganic layer may contact the organic film.

상기 유기막은 비정질 탄소를 포함할 수 있다.The organic layer may include amorphous carbon.

상기 유기막은 진공 분위기에서 기상 증착법으로 형성될 수 있다.The organic layer may be formed by vapor deposition in a vacuum atmosphere.

상기 유기막은 상기 무기 다층막보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다.The organic layer may have a thickness thicker than that of the inorganic multilayer layer.

상기 유기막의 두께는 3μm 이하이고, 상기 무기 다층막의 두께는 0.2μm 이하일 수 있다.The organic film may have a thickness of 3 μm or less, and the inorganic multilayer film may have a thickness of 0.2 μm or less.

본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막 제조방법은 유기발광소자부가 형성된 기판을 공정챔버 내부에 로딩하는 과정; 상기 공정챔버 내에 진공 분위기에서 기상 증착법으로 상기 유기발광소자부를 덮도록 유기막을 형성하는 과정; 및 상기 유기막 상에 무기 다층막을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an encapsulation film, the method including loading a substrate on which an organic light emitting element portion is formed into a process chamber; Forming an organic film in the process chamber to cover the organic light emitting device unit by vapor deposition in a vacuum atmosphere; And forming an inorganic multilayer film on the organic film.

상기 무기 다층막을 형성하는 과정은, SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층을 형성하는 과정; 및 SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 제1 무기층을 형성하는 과정 및 제2 무기층을 형성하는 과정은 복수 회 반복될 수 있다.The forming of the inorganic multilayer film may include forming a first inorganic layer made of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1 ≧ 0); And forming a second inorganic layer formed of SiN z O x2 (where z> 0 and x2 ≧ 0), wherein forming the first inorganic layer and forming the second inorganic layer are performed a plurality of times. Can be repeated.

상기 무기 다층막을 형성하는 과정은, 상기 유기막과 접하도록 상기 유기막 상에 상기 제1 무기층을 형성하는 과정; 및 상기 제1 무기층 상에 상기 제2 무기층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.The forming of the inorganic multilayer film may include forming the first inorganic layer on the organic film so as to contact the organic film; And forming the second inorganic layer on the first inorganic layer.

상기 무기 다층막을 형성하는 과정은, SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층을 형성하는 과정; 및 SiNzOx2Cy2(여기서 z＞0, x2≥0, y2≥0)로 이루어진 제2 무기층을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 제1 무기층을 형성하는 과정 및 제2 무기층을 형성하는 과정은 복수 회 반복될 수 있다.The forming of the inorganic multilayer film may include forming a first inorganic layer made of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1 ≧ 0); And forming a second inorganic layer formed of SiN z O x2 C y2 (where z> 0, x2≥0, y2≥0), and forming the first inorganic layer and forming the second inorganic layer. The forming process may be repeated a plurality of times.

상기 유기막을 형성하는 과정에서, 상기 유기막은 100℃ 이하의 온도에서 형성될 수 있다.In the process of forming the organic film, the organic film may be formed at a temperature of less than 100 ℃.

상기 유기막은 비정질 탄소를 포함할 수 있다.The organic layer may include amorphous carbon.

상기 비정질 탄소는, 상기 공정챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 과정;The amorphous carbon, the process of generating a plasma in the process chamber;

상기 비정질 탄소의 소스물질을 기화하여 증기 상태의 소스가스를 형성하는 과정; 및 상기 소스가스를 상기 공정챔버 내부로 공급하여 분해시키는 과정을 통하여 형성될 수 있다.Vaporizing the source material of amorphous carbon to form a source gas in a vapor state; And decomposing the source gas by supplying the source gas into the process chamber.

상기 소스물질은 지방족 탄화수소를 포함할 수 있다.The source material may comprise an aliphatic hydrocarbon.

상기 소스물질은 알릴 메타크릴산메틸(Ally methacrylate), 메타크릴산메틸(Methyl methacrylate), 사이클로헥세인(Cyclohexane), 모노헥세인(1-Hexene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The source material may include at least one of allyl methyl methacrylate (methyl methacrylate), methyl methacrylate (Methyl methacrylate), cyclohexane, monohexane (1-Hexene).

상기 유기막은 상기 무기 다층막보다 두꺼운 두께로 형성될 수 있다.The organic film may be formed to a thickness thicker than that of the inorganic multilayer film.

본 발명에 따르면 유기발광소자부를 밀봉하는 봉지막이 유기막과 다층 구조를 가지는 무기 다층막으로 이루어짐으로써 봉지막이 유연하면서도 매우 우수한 투습 방지 효율을 가질 수 있고, 동시에 매우 얇은 두께를 가질 수 있어 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기가 용이해질 수 있다.According to the present invention, since the encapsulation film for sealing the organic light emitting device portion is formed of an organic multilayer and an inorganic multilayer film having a multilayer structure, the encapsulation film can be flexible and have very excellent moisture permeation prevention efficiency, and at the same time can be applied to a flexible display. It can be easy to do.

그리고, 유기막이 유기발광소자부와 파티클 사이의 빈 공간을 형성시키지 않고 유기발광소자부를 완전하게 피복할 수 있기 때문에 유기발광소자부 표면에 존재하는 파티클이 떨어져 나가는 현상을 방지할 수 있고, 이로부터 파티클에 의한 박막 박리로부터 발생되는 유기발광소자부의 열화 및 내구성 저하를 방지할 수 있다.And since the organic film can completely cover the organic light emitting element portion without forming an empty space between the organic light emitting element portion and the particle, it is possible to prevent the phenomenon that particles existing on the surface of the organic light emitting element portion fall off. It is possible to prevent deterioration and durability degradation of the organic light emitting element portion generated from peeling the thin film by the particles.

또한, 무기 다층막을 이루는 무기층에 탄소를 첨가(또는 도핑)함으로써 탄성을 제공하는 탄소 성분에 의해 폴더블(Foldable) 수준의 극유연성을 확보할 수 있고, 이에 딱딱하고 유연성이 없어 쉽게 깨지는 종래의 무기막이 가진 단점을 보완할 수 있다.In addition, by adding (or doping) carbon to the inorganic layer constituting the inorganic multilayer film, it is possible to secure a foldable level of ultra-flexibility by a carbon component that provides elasticity, which is hard and inflexible and thus easily broken. It can compensate for the disadvantages of the inorganic film.

특히, 유기막을 기상 증착법으로 형성함으로써 유기막의 전체적인 두께를 균일하게 함과 동시에 유기막의 두께를 최소화할 수 있고, 용매 사용으로 인한 유기발광소자부의 손상 발생을 방지할 수 있어 유기막 형성 이전에 유기발광소자부에 접하여 제공되는 무기막이 필요하지 않을 수 있다.In particular, by forming the organic film by vapor deposition, the overall thickness of the organic film can be made uniform, and the thickness of the organic film can be minimized, and the damage of the organic light emitting device portion due to the use of a solvent can be prevented. An inorganic film provided in contact with the device portion may not be necessary.

더욱이, 진공을 깨지 않은 상태에서 유기막과 다층 무기막을 형성하여 봉지막을 제조함으로써 전체 장비의 풋프린트(Foot-print)를 줄일 수 있어 장비 제작 비용의 절감 및 클린룸의 공간 확보가 용이해질 수 있다.Furthermore, by forming an encapsulation film by forming an organic film and a multilayer inorganic film without breaking the vacuum, the footprint of the entire equipment can be reduced, thereby reducing the cost of manufacturing equipment and securing a clean room space. .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 파티클이 존재하는 유기발광소자부를 밀봉하는 봉지막을 나타내는 단면도.
도 3은 종래의 봉지막이 형성된 유기발광표시장치를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막 제조방법을 나타내는 순서도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막 제조방법을 나타내는 공정 개략도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증기 상태의 소스가스 공급을 설명하기 위한 개념도.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 유기막 형성장치를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an encapsulation film for sealing an organic light emitting diode part having particles according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device in which a conventional encapsulation film is formed.
Figure 4 is a flow chart showing a sealing film manufacturing method according to another embodiment of the present invention.
5 is a process schematic diagram showing a method for manufacturing an encapsulation film according to another embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a source gas supply in a steam state according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing an organic film forming apparatus using plasma according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. In the description, like reference numerals refer to like elements, and the drawings may be partially exaggerated in size in order to accurately describe embodiments of the present invention, and like reference numerals refer to like elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 파티클이 존재하는 유기발광소자부를 밀봉하는 봉지막을 나타내는 단면도며, 도 3은 종래의 봉지막이 형성된 유기발광표시장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing an encapsulation film encapsulating an organic light emitting device unit in which particles are present according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is sectional drawing which shows the organic light emitting display device in which the sealing film was formed.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 기판(10) 상에 제공되는 유기발광소자부(110); 및 상기 유기발광소자부(110)를 밀봉하는 봉지막(120)을 포함하고, 상기 봉지막(120)은, 상기 유기발광소자부(110)를 덮도록 제공되는 유기막(130); 및 상기 유기막(130) 상에 제공되고, 서로 다른 무기층이 교번 적층된 무기 다층막(140)을 포함할 수 있다.1 to 3, an organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting device unit 110 provided on a substrate 10; And an encapsulation film 120 encapsulating the organic light emitting device part 110, wherein the encapsulation film 120 includes an organic film 130 provided to cover the organic light emitting device part 110; And an inorganic multilayer film 140 provided on the organic layer 130 and in which different inorganic layers are alternately stacked.

먼저, 유기발광소자부(110)는 기판(10) 상에 제공되는 것으로, 크게 음극과 양극 및 음극과 양극 사이에 구비된 유기물로 이루어진 발광층으로 이루어질 수 있으며, 추가적으로 투명한 음극(또는 상부 전극) 상에 형성된 캡핑층을 포함할 수도 있다. 음극과 양극에 각각 전압이 인가되어 발광층에 전자와 정공이 주입되면, 전자와 정공이 서로 결합하면서 형성된 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 천이하면서 에너지 차이에 해당하는 광자를 방출하게 되는데, 유기발광소자부(110)는 이와 같은 원리에 의하여 빛을 발생시키게 된다. 유기발광소자부(110)가 구비된 유기발광표시장치(100)는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압 구동이 가능하고, 넓은 시야각을 가지며, 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있으나, 외부의 수분이나 산소에 매우 취약하며 열에 대해 내구성이 약한 문제가 존재하기 때문에 유기발광소자부(110)를 보호하기 위한 봉지막(120)이 필요하다.First, the organic light emitting diode unit 110 is provided on the substrate 10, and may be formed of a light emitting layer consisting of an organic material provided between the cathode and the anode and the cathode and the anode, and additionally, on the transparent cathode (or upper electrode). It may also include a capping layer formed on. When a voltage is applied to the cathode and the anode, respectively, and electrons and holes are injected into the light emitting layer, excitons formed while the electrons and holes combine with each other transition from the excited state to the ground state to emit photons corresponding to the energy difference. The unit 110 generates light by this principle. The organic light emitting diode display 100 having the organic light emitting diode unit 110 has a merit of low voltage driving, a wide viewing angle, and a fast response speed because an additional light source is not required. Since there is a problem that is very vulnerable to the weak durability against heat is necessary for the encapsulation film 120 to protect the organic light emitting device unit (110).

봉지막(120)은 기판(10) 상에 제공되는 유기발광소자부(110)를 밀봉하여 외부의 수분이나 산소의 침투를 막기 위한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 봉지막(120)은 유기발광소자부(110)를 덮도록 제공되는 유기막(130)과 유기막(130) 상에 제공되어 서로 다른 무기층이 교번 적층된 무기 다층막(140)으로 이루어질 수 있다.The encapsulation film 120 seals the organic light emitting device unit 110 provided on the substrate 10 to prevent infiltration of external moisture or oxygen. The encapsulation film 120 according to the embodiment of the present invention is organic. The organic layer 130 provided to cover the light emitting device unit 110 and the inorganic layer 130 provided on the organic layer 130 and having different inorganic layers alternately stacked may be formed.

유기막(130)은 유기발광소자부(110)에 접하여 유기발광소자부(110)를 덮도록 제공될 수 있고, 유기발광소자부(110) 상에 가장 먼저 형성되어 유기발광소자부(110)에 직접 접촉할 수 있으며, 유기발광소자부(110)를 밀봉하는 봉지막(120)에 연성을 부여할 수 있다. 또한, 후술하겠지만 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 유기막(130)이 유기발광소자부(110)와 파티클(20) 사이의 빈 공간을 형성시키지 않고 유기발광소자부(110)를 완전하게 피복할 수 있기 때문에 유기발광소자부(110) 표면에 존재하는 파티클(20)이 떨어져 나가는 현상을 방지할 수 있고, 이로부터 파티클(20)에 의한 박막 박리로부터 발생되는 유기발광소자부(110)의 열화 및 내구성 저하를 방지할 수 있다.The organic layer 130 may be provided to be in contact with the organic light emitting diode unit 110 to cover the organic light emitting diode unit 110. The organic layer 130 may be formed first on the organic light emitting diode unit 110 so as to cover the organic light emitting diode unit 110. It may be in direct contact with, and may provide ductility to the encapsulation film 120 that seals the organic light emitting device unit 110. In addition, as will be described later, as shown in FIG. 2, the organic layer 130 according to the exemplary embodiment of the present invention does not form an empty space between the organic light emitting element unit 110 and the particle 20, and the organic light emitting element unit 110. ) Can be completely covered, it is possible to prevent the particle 20 existing on the surface of the organic light emitting element unit 110 to fall off, from which the organic light emitting element generated from peeling the thin film by the particle 20 Deterioration and durability of the unit 110 may be prevented.

일반적으로 유기막(130)은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등의 용액공정을 사용하여 상압에서 형성하게 되는데, 유기막(130)을 용액공정으로 형성하게 되면 용액이 노즐에서 비균일하게 토출되어 유기막(130)의 전체적인 두께가 불균일해지는 문제가 발생하게 되고, 용액에 잔존하는 용매로 인해 유기발광소자부(110)에 손상을 일으키므로, 유기막(130)의 형성 이전에 유기발광소자부(110) 상에 무기막을 형성하는 추가적인 공정이 필요하게 된다. 또한, 용액공정으로 인한 유기막(130)의 두께가 두꺼워짐에 따라 플렉서블한 특성이 저하되므로 유기막(130)이 포함된 봉지막(120)을 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기에는 어려운 문제점이 있다.In general, the organic layer 130 is formed at normal pressure using a solution process such as screen printing or inkjet printing. When the organic layer 130 is formed by the solution process, the solution is discharged non-uniformly from the nozzle to form the organic film. The overall thickness of the 130 is caused to be non-uniform, and because the solvent remaining in the solution causes damage to the organic light emitting element portion 110, the organic light emitting element portion 110 before the formation of the organic film 130 An additional step of forming an inorganic film on the () is required. In addition, as the thickness of the organic layer 130 is increased due to the solution process, the flexible property is lowered, so that the encapsulation layer 120 including the organic layer 130 may be difficult to apply to the flexible display.

본 발명에서는 용액공정으로 인한 전술한 문제점들을 해결하여 유기막(130)의 두께를 균일하게 함과 동시에 유기발광소자부(110)에 접하여 유기막(130)을 형성하면서 유기막(130)의 두께를 최소화할 수 있도록 용액공정이 아닌 진공공정 즉, 진공 분위기에서 기상 증착법으로 유기막(130)을 형성하였으며, 진공공정에서 사용할 수 있는 물질(예를 들어, 비정질 탄소 또는 페릴렌)로 유기막(130)을 형성하였다.In the present invention, the thickness of the organic layer 130 is formed while forming the organic layer 130 in contact with the organic light emitting element unit 110 while making the thickness of the organic layer 130 uniform by solving the aforementioned problems due to the solution process. The organic film 130 was formed by a vapor deposition method in a vacuum process, that is, a vacuum atmosphere, rather than a solution process, so as to minimize the organic matter (eg, amorphous carbon or perylene). 130).

유기발광소자부(110)에는 제거되지 못한 파티클(20)이 존재할 수 있는데, 유기발광소자부(110)에 접하여 무기막을 먼저 형성하는 경우에는 유기발광소자부(110)와 파티클(20) 사이에 존재하는 빈 공간(30)을 고르게 채우면서 무기막을 증착하지 못하는 문제 등이 존재하게 된다. 이에 따라 유기발광소자부(110)가 빈 공간(30)에 의해 완전히 피복되지 않게 되면 외부의 수분이나 산소가 투과될 확률이 증가할 수 있고, 파티클(20)이 탈착되면서 무기막의 박리가 일어날 수 있으므로, 파티클(20)의 하부 공간(30)까지 고르게 봉지막(120)을 증착하기 위해서 유기발광소자부(110)에 접하여 유기막(130)을 가장 먼저 형성할 수 있다.Particles 20 that could not be removed may exist in the organic light emitting diode unit 110. When the inorganic film is first formed in contact with the organic light emitting diode unit 110, the organic light emitting diode unit 110 may be disposed between the organic light emitting diode unit 110 and the particle 20. While filling the empty space 30 evenly present, there is a problem of not depositing an inorganic film. Accordingly, when the organic light emitting diode unit 110 is not completely covered by the empty space 30, the probability of external moisture or oxygen permeation may increase, and as the particle 20 is detached, separation of the inorganic layer may occur. Therefore, in order to deposit the encapsulation layer 120 evenly to the lower space 30 of the particle 20, the organic layer 130 may be formed first in contact with the organic light emitting element unit 110.

유기막(130)은 비정질 탄소를 포함할 수 있고, 비정질 탄소로 이루어진 유기막(130)은 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 통해 형성될 수 있다. 비정질 탄소로 이루어진 유기막(130)을 형성하기 위해 먼저 알릴 메타크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 사이클로헥세인, 모노헥세인 등의 소스물질의 온도를 제어하여(예를 들어, 가열 또는 냉각하여) 기화(예를 들어, 증발)시킬 수 있으며, 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스를 운반 가스(또는 수송 가스)로 사용하여 기화된 소스물질(즉, 소스가스)을 공정챔버(210) 내부로 공급하면 공정챔버(210) 내부에 형성된 플라즈마에 의해 분해되면서 기판(10) 상에 제공되는 유기발광소자부(110) 표면에 비정질 탄소로 이루어진 유기막(130)이 형성될 수 있다.The organic layer 130 may include amorphous carbon, and the organic layer 130 formed of amorphous carbon may be formed through plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) . In order to form the organic film 130 made of amorphous carbon, first, the temperature of a source material such as allyl methyl methacrylate, methyl methacrylate, cyclohexane, and monohexane is controlled (for example, by heating or cooling ) Vaporized (eg, evaporated), and inert gas such as argon (Ar) may be used as a carrier gas (or transport gas) to vaporize a source material (ie, source gas) into the process chamber 210. When supplied, the organic layer 130 made of amorphous carbon may be formed on the surface of the organic light emitting diode unit 110 provided on the substrate 10 while being decomposed by the plasma formed in the process chamber 210.

비정질 탄소를 포함하는 유기막(130) 형성 방법은 100nm/min 이상의 증착 속도를 확보할 수 있기 때문에 원하는 적절한 증착 속도를 가지고 비정질 탄소를 증착시킬 수 있으며, 이에 따라 파티클(20)의 하부 공간(30)까지 고르게 채우면서 유기막(130)을 증착할 수 있어 유기발광소자부(110)를 완전히 피복시킬 수 있게 된다. 증착 속도를 적절히 제어하는 경우에는 빈 공간(30)이 발생되지 않고 빈 공간(30)을 고르게 채운 유기막(130)을 형성할 수 있는데, 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)으로 비정질 탄소를 포함하는 유기막(130)을 형성하는 경우에는 증착 속도를 정밀하게 제어할 수 있어 비정질 탄소를 포함하는 유기막(130)이 유기발광소자부(110)와 파티클(20) 사이의 빈 공간(30)을 형성시키지 않고 유기발광소자부(110)를 더욱 완전하게 피복할 수 있게 된다. 그리고, 본 발명에서는 플라즈마를 이용하여 유기막(130)을 증착하기 때문에 용액공정으로 형성되는 유기막(130)의 두께에 비해 상대적으로 매우 얇은 두께의 유기막(130)의 형성이 가능할 수 있다.Since the method of forming the organic layer 130 including amorphous carbon may secure a deposition rate of 100 nm / min or more, it is possible to deposit amorphous carbon at a desired deposition rate, and thus, the lower space 30 of the particle 20. The organic layer 130 may be deposited while evenly filling the organic light emitting diode 130, thereby completely covering the organic light emitting diode unit 110. When the deposition rate is appropriately controlled, the organic layer 130 evenly filling the empty space 30 without forming the empty space 30 may be formed. The organic layer containing amorphous carbon may be formed by plasma chemical vapor deposition (PECVD). When the film 130 is formed, the deposition rate can be precisely controlled so that the organic film 130 including amorphous carbon forms an empty space 30 between the organic light emitting element unit 110 and the particle 20. The organic light emitting element unit 110 can be more completely covered without making it possible. In the present invention, since the organic film 130 is deposited using plasma, the organic film 130 having a relatively thin thickness may be formed in comparison with the thickness of the organic film 130 formed by a solution process.

한편, 무기 다층막(140)은 서로 교번 적층되는 제1 무기층(141) 및 제2 무기층(142)을 포함할 수 있으며, 보다 자세하게는, 상기 무기 다층막(140)은 SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층(141) 및 SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층(142)을 포함할 수 있다. 봉지막(120)에서 무기 다층막(140)을 제1 무기층(141) 및 제2 무기층(142)의 다층 구조로 형성하는 경우에는 우수한 투습 방지 효율을 갖는 동시에 유연 특성을 확보할 수 있다.Meanwhile, the inorganic multilayer film 140 may include a first inorganic layer 141 and a second inorganic layer 142 that are alternately stacked with each other. More specifically, the inorganic multilayer film 140 may include SiO x1 C y1 (where It may include a first inorganic layer 141 made of x1> 0, y1 ≧ 0 and a second inorganic layer 142 made of SiN z O x2 (where z> 0, x2 ≧ 0). When the inorganic multilayer film 140 is formed in the encapsulation film 120 in a multilayer structure of the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142, it is possible to secure excellent moisture permeation efficiency and at the same time ensure a flexible property.

제1 무기층(141)은 실리콘 산화물(SiOx)에 탄소가 첨가(또는 도핑)된 실리콘옥시카바이드(SiOx1Cy1, 여기서 x1＞0, y1＞0)로 이루어질 수 있는데, 실리콘 산화물에 탄소를 첨가하여 제1 무기층(141)을 형성하는 경우에는 탄소의 첨가에 따라 제1 무기층(141)의 유연성을 조절할 수 있게 되고, 실리콘과 산소의 높은 결합력으로 인해 제1 무기층(141)은 치밀하면서도 우수한 막질을 가질 수 있게 된다. 또한, 후술하겠지만 유기막(130)과의 재료 유사성으로 제1 무기층(141) 하부에 형성된 유기막과(130)의 접착 특성이 우수할 수 있다.The first inorganic layer 141 may be made of silicon oxycarbide (SiO x1 C y1 , where x1> 0, y1> 0), in which carbon is added (or doped) to silicon oxide (SiO x ), In the case of forming the first inorganic layer 141 by adding a carbon, it is possible to adjust the flexibility of the first inorganic layer 141 according to the addition of carbon, the first inorganic layer 141 due to the high bonding force of silicon and oxygen Can have a dense and excellent film quality. In addition, as will be described later, adhesive properties of the organic layer 130 formed under the first inorganic layer 141 may be excellent due to material similarity with the organic layer 130.

종래에 사용되던 SiO2 등의 무기막은 투습 방지 특성이 우수하지만, 딱딱하고 유연성이 없어 깨지기 쉽기 때문에 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기 어려운 문제가 있다. 그러나, 본 발명에서와 같이 SiOx1Cy1의 조성에서 y1이 0보다 커서(y1＞0) 제1 무기층(141)에 탄소가 함유되면 탄소 성분이 탄성을 제공하기 때문에 제1 무기층(141)의 유연성이 향상될 수 있다. 이에 따라 유기발광소자부(110)를 밀봉하는 봉지막(120)의 유연 특성이 확보될 수 있고, 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기가 용이할 수 있다.Inorganic films such as SiO 2 used in the related art have excellent moisture permeation prevention properties, but are difficult to be applied to a flexible display because they are hard and have no flexibility and are easily broken. However, as in the present invention, when y1 is greater than 0 in the composition of SiO x1 C y1 (y1> 0), when the first inorganic layer 141 contains carbon, the carbon component provides elasticity, so the first inorganic layer 141 ) Flexibility can be improved. Accordingly, the flexible property of the encapsulation layer 120 encapsulating the organic light emitting diode unit 110 may be secured, and may be easily applied to a flexible display.

이때, y1을 변화시켜 제1 무기층(141)의 유연성을 조절할 수 있는데, 제1 무기층(141)에 탄소의 함량이 많아지면 유연성은 향상될 수 있지만, 다른 원소들의 비율이 적어져 제1 무기층(141)의 투습 방지 특성이 저하될 수 있기 때문에 투습 방지 특성과 유연성 중에서 중요도에 따라 탄소의 함량(또는 y1)을 적절하게 조절할 필요가 있다.In this case, the flexibility of the first inorganic layer 141 may be adjusted by changing y1. When the carbon content of the first inorganic layer 141 is increased, the flexibility may be improved, but the ratio of other elements may be reduced. Since the moisture barrier property of the inorganic layer 141 may be lowered, it is necessary to appropriately adjust the carbon content (or y1) according to the importance among the moisture barrier properties and flexibility.

제2 무기층(142)은 실리콘 질화산화물(SiNzOx2)로 이루어질 수 있으며, SiNzOx2는 산소의 함량이 낮을 경우에 소수성의 특성을 갖기 때문에 매우 높은 투습 방지 효율을 가져 봉지막(120)의 투습 방지 특성을 향상시키는데 매우 효과적일 수 있다.The second inorganic layer 142 may be made of silicon nitride oxide (SiN z O x2 ), and since SiN z O x2 has a hydrophobic characteristic when the oxygen content is low, the second inorganic layer 142 may have a very high moisture permeation prevention efficiency. 120) can be very effective in improving the moisture barrier properties.

제1 무기층(141)은 실리콘 산화물의 산소와 탄소의 높은 결합력으로 치밀하면서도 우수한 막질을 가질 수 있으므로, 양호한 투습 방지 특성과 함께 유연한 특성을 확보할 수 있고, 제2 무기층(142)은 소수성인 실리콘 질화물(SiNz)의 높은 투습 방지 효율로 인해 제1 무기층(141)보다 투습 방지 특성이 더욱 우수할 수 있으므로, 제1 무기층(141)과 제2 무기층(142)의 다층 구조로 무기 다층막(140)을 형성하게 되면 본 발명의 실시예에 따른 봉지막(120)의 투습 방지 특성이 매우 우수해질 수 있다. 그리고 실리콘 산화물에 탄소가 첨가되어 제1 무기층(141)이 SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1＞0)로 이루어지게 되면 봉지막(120)이 양호한 투습 방지 효율을 갖는 동시에 폴더블(Foldable) 수준의 극유연성을 확보할 수도 있다. 더욱이, 무기 다층막(140)이 서로 다른 물질로 이루어진 무기층들(141, 142)로 형성됨으로써 어느 한 무기층에 형성된 핀홀 성장이 다른 물질로 형성된 무기층에 의해 차단될 수 있다.Since the first inorganic layer 141 may have a dense and excellent film quality due to the high bonding force of oxygen and carbon of silicon oxide, the first inorganic layer 141 may secure a flexible property with good moisture permeation prevention properties, and the second inorganic layer 142 may be hydrophobic. Due to the high moisture-permeability of phosphorus silicon nitride (SiN z ), the moisture-permeable property may be better than that of the first inorganic layer 141, and thus, a multilayer structure of the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142 may be used. When the inorganic multilayer film 140 is formed, the moisture barrier property of the encapsulation film 120 according to the exemplary embodiment of the present invention may be very excellent. When carbon is added to silicon oxide and the first inorganic layer 141 is formed of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1> 0), the encapsulation layer 120 has a good moisture permeation prevention efficiency and a foldable ( Foldable level of flexibility can be achieved. Furthermore, since the inorganic multilayer film 140 is formed of inorganic layers 141 and 142 made of different materials, pinhole growth formed in one inorganic layer may be blocked by the inorganic layer formed of another material.

본 발명에서는 실리콘 질화산화물이 아닌 실리콘 산화물에 탄소를 첨가하여 제1 무기층(141)을 형성하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 실리콘 질화산화물에 탄소를 첨가할 수도 있으며, 실리콘 질화산화물에 탄소가 첨가되는 경우에도 실리콘과 탄소의 높은 결합력으로 인해 치밀하면서도 우수한 막질을 가질 수 있음과 동시에 제2 무기층(142)의 유연성을 조절할 수도 있다.In the present invention, the first inorganic layer 141 is formed by adding carbon to silicon oxide other than silicon nitride oxide, but the present invention is not limited thereto. Carbon may be added to silicon nitride oxide, and carbon may be added to silicon nitride oxide. Even when added, due to the high bonding strength of silicon and carbon, it is possible to have a dense and excellent film quality and to adjust the flexibility of the second inorganic layer 142.

상기 무기 다층막(140)의 최하층은 상기 제1 무기층(141)이고, 상기 제1 무기층(141)은 상기 유기막(130)과 접할 수 있다.The lowest layer of the inorganic multilayer film 140 may be the first inorganic layer 141, and the first inorganic layer 141 may be in contact with the organic layer 130.

제1 무기층(141)과 제2 무기층(142)으로 이루어진 무기 다층막(140)을 유기막(130) 상에 형성할 때, 제1 무기층(141)이 유기막(130)에 접하도록 제1 무기층(141)을 가장 먼저 형성할 수도 있고, 제2 무기층(142)이 유기막(130)에 접하도록 제2 무기층(142)을 가장 먼저 형성할 수도 있지만, 유기막(130)의 성질과 무기 다층막(140)의 성질이 서로 달라 계면간 접착력이 약한 문제가 존재하기 때문에 본 발명에서는 SiNzOx2로 이루어진 제2 무기층(142)에 비해 상대적으로 유기막(130)의 성질과 비슷한 SiOx1Cy1로 이루어진 제1 무기층(141)이 유기막(130)에 접하도록 먼저 형성하였다. 즉, 유기막(130) 상에 제1 무기층(141)이 가장 먼저 형성되므로 무기 다층막(140)의 최하층은 제1 무기층(141)일 수 있다.When the inorganic multilayer film 140 including the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142 is formed on the organic layer 130, the first inorganic layer 141 is in contact with the organic layer 130. Although the first inorganic layer 141 may be formed first and the second inorganic layer 142 may be formed first so that the second inorganic layer 142 contacts the organic layer 130, the organic layer 130 may be formed first. In the present invention, since there is a problem in that the adhesion between the interfaces is different because the properties of the multilayered film 140 and the inorganic multilayer film 140 are different from each other, the organic film 130 may be relatively thinner than the second inorganic layer 142 formed of SiN z O x2 . A first inorganic layer 141 made of SiO x1 C y1 similar in properties to the organic layer 130 was first formed. That is, since the first inorganic layer 141 is first formed on the organic layer 130, the lowest layer of the inorganic multilayer layer 140 may be the first inorganic layer 141.

한편, 제2 무기층(142)이 SiNzOx2에 탄소가 첨가된 SiNzOx2Cy2으로 형성되는 경우에는 제2 무기층(142)을 먼저 형성하여도 유기막(130)의 성질과 비슷하여 계면간 접착력이 탄소가 첨가되지 않은 무기층이 유기막(130)에 접하여 형성되는 경우보다 향상될 수 있다.On the other hand, the nature of the second inorganic layer 142, the SiN z O x2 when carbon is formed in the addition of SiN z O x2 C y2, the second inorganic layer 142, the first to form also the organic film 130 in the Similarly, interfacial adhesion may be improved than when the inorganic layer without carbon is formed in contact with the organic layer 130.

상기 유기막(130)은 상기 무기 다층막(140)보다 두꺼운 두께를 가질 수 있고, 상기 유기막(130)의 두께는 3μm 이하이고, 상기 무기 다층막(140)의 두께는 0.2μm 이하일 수 있다.The organic layer 130 may have a thickness thicker than that of the inorganic multilayer layer 140, the thickness of the organic layer 130 may be 3 μm or less, and the thickness of the inorganic multilayer layer 140 may be 0.2 μm or less.

유기막(130)은 무기 다층막(140)과 달리 유기발광소자부(110)를 먼저 봉지하여 유기발광소자부(110) 상에 존재하는 파티클(20)의 탈착을 방지하는 역할을 하기 때문에 유기막(130)은 무기 다층막(140)보다 두꺼운 두께를 가질 수 있는데, 유기막(130)의 두께가 3μm 보다 두꺼워지게 되면, 봉지막(120)의 전체적인 두께가 너무 두꺼워져 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기 어려운 문제가 있다. 그리고, 무기 다층막(140)의 경우 무기 다층막(140)의 두께가 0.2μm 보다 두꺼워지게 되면, 유연성이 저하되어 휘어지게 되었을 때 무기 다층막(140)에 크랙이 발생하게 되고, 이러한 크랙에 의해 산소 또는 수분이 침투하여 유기발광소자부(110)에 악영향을 미치게 된다. 따라서, 유기막(130)은 얇은 두께로 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기 용이하도록 3μm 이하의 두께를 가질 수 있고, 무기 다층막(140)은 0.2μm 이하의 두께를 가질 수 있다. 여기서, 바람직하게는, 유기막(130)의 두께는 1μm 이하일 수 있고, 무기 다층막(140)의 두께는 0.1μm 이하일 수 있으며, 보다 바람직하게는, 유기막(130)의 두께는 0.5μm 이하일 수 있고, 무기 다층막(140)의 두께는 0.1μm 이하일 수 있다. 이를 통해 봉지막(120)의 전체적인 두께를 얇게 하면서 무기 다층막(140)의 크랙을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 투습 방지 특성을 확보할 수 있다.Unlike the inorganic multilayer film 140, the organic layer 130 encapsulates the organic light emitting diode unit 110 first to prevent desorption of particles 20 present on the organic light emitting diode unit 110. 130 may have a thickness thicker than that of the inorganic multilayer film 140. When the thickness of the organic film 130 becomes thicker than 3 μm, the overall thickness of the encapsulation film 120 becomes too thick and difficult to be applied to a flexible display. There is. In the case of the inorganic multilayer film 140, when the thickness of the inorganic multilayer film 140 becomes thicker than 0.2 μm, cracks occur in the inorganic multilayer film 140 when the flexibility decreases and the bending occurs. Moisture penetrates and adversely affects the organic light emitting diode unit 110. Therefore, the organic layer 130 may have a thickness of 3 μm or less so that the organic layer 130 may be easily applied to a flexible display, and the inorganic multilayer layer 140 may have a thickness of 0.2 μm or less. Here, preferably, the thickness of the organic layer 130 may be 1 μm or less, the thickness of the inorganic multilayer film 140 may be 0.1 μm or less, and more preferably, the thickness of the organic layer 130 may be 0.5 μm or less. The thickness of the inorganic multilayer film 140 may be 0.1 μm or less. Through this, the overall thickness of the encapsulation film 120 can be reduced, and the cracks of the inorganic multilayer film 140 can be prevented as well as the moisture permeation prevention property can be secured.

한편, 플렉서블 디스플레이 등에 응용하기 위해서 유연성을 더욱 필요로 하거나, 봉지막(120)의 전체적인 두께를 제한하여야 할 필요가 있는 경우에는 유기막(130)의 두께를 0.9μm 이하로, 무기 다층막(140)의 두께를 0.1μm 이하로 형성하여 봉지막(120)의 전체 두께를 1μm보다 낮게 형성할 수도 있다.On the other hand, in the case of requiring more flexibility or to limit the overall thickness of the encapsulation film 120 in order to be applied to a flexible display or the like, the thickness of the organic film 130 to 0.9μm or less, the inorganic multilayer film 140 May be formed to a thickness of 0.1 μm or less to form a total thickness of the encapsulation film 120 lower than 1 μm.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막 제조방법을 나타내는 공정 개략도이다. 또한, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증기 상태의 소스가스 공급을 설명하기 위한 개념도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 유기막 형성장치를 나타내는 단면도이다.4 is a flowchart showing a method of manufacturing an encapsulation film according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a process schematic diagram showing a method of manufacturing an encapsulation film according to another embodiment of the present invention. 6 is a conceptual diagram illustrating a source gas supply in a vapor state according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an organic film forming apparatus using plasma according to another embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막(120) 제조방법은 유기발광소자부(110)가 형성된 기판(10)을 공정챔버(210) 내부에 로딩하는 과정; 상기 공정챔버(210) 내에 진공 분위기에서 기상 증착법으로 상기 유기발광소자부(110)를 덮도록 유기막(130)을 형성하는 과정; 및 상기 유기막(130) 상에 무기 다층막(140)을 형성하는 과정을 포함할 수 있다. 여기서, 유기막(130)을 형성한 후에 다른 챔버로 이동하여 무기 다층막(140)을 형성할 수도 있고, 단일 챔버에서 공정가스를 변화시켜 유기막(130)과 무기 다층막(140)을 모두 형성할 수도 있다.4 to 7, the method of manufacturing the encapsulation film 120 according to another embodiment of the present invention includes loading a substrate 10 in which the organic light emitting diode unit 110 is formed into the process chamber 210; Forming an organic layer 130 in the process chamber 210 to cover the organic light emitting element unit 110 by vapor deposition in a vacuum atmosphere; And forming an inorganic multilayer film 140 on the organic layer 130. Here, after the organic layer 130 is formed, the organic multilayer 130 may be moved to another chamber to form the inorganic multilayer layer 140, or the process gas may be changed in a single chamber to form both the organic layer 130 and the inorganic multilayer layer 140. It may be.

먼저, 봉지막(120) 형성이 필요한 유기발광소자부(110)가 형성된 기판(10)을 공정챔버(210) 내부에 로딩할 수 있다(S100). 유기발광소자부(110)가 형성된 기판(10)이 공정챔버(210) 내부로 인입되면, 공정챔버(210) 내부에 진공 분위기를 형성한 뒤 기상 증착법으로 유기발광소자부(110)를 덮도록 유기막(130)을 형성하게 된다(S200). 본 발명에서는 봉지막(120)이 단일층으로 이루어진 유기막(130)과 다층 구조를 가지는 무기 다층막(140)으로 이루어지기 때문에 유기발광소자부(110) 상에 유기막(130)과 다층 무기막을 형성할 수 있다.First, the substrate 10 on which the organic light emitting diode unit 110, which requires the encapsulation film 120, is formed may be loaded into the process chamber 210 (S100). When the substrate 10 on which the organic light emitting device unit 110 is formed is introduced into the process chamber 210, a vacuum atmosphere is formed inside the process chamber 210 and then the organic light emitting device unit 110 is covered by vapor deposition. The organic layer 130 is formed (S200). In the present invention, since the encapsulation film 120 is composed of an organic film 130 having a single layer and an inorganic multilayer film 140 having a multilayer structure, the organic film 130 and the multilayer inorganic film are formed on the organic light emitting device unit 110. Can be formed.

유기발광소자부(110) 상에 직접 유기막(130) 및/또는 무기막을 포함하는 봉지막(120)(Thin Film Encapsulation; TFE)을 증착하는 박막 방식을 이용하여 봉지막(120)을 제조하는 경우에는 일반적으로 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등의 용액공정을 사용하여 상압에서 유기막(130)을 형성하는 공정과 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD) 등의 진공공정을 사용하여 무기막을 형성하는 공정을 복수 회 반복하고 있다. 이때, 통상적으로는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD)으로 실리콘 질화물(SiNz)을 먼저 증착하고 프린팅하며, 마지막으로 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD)으로 실리콘 질화물(SiNz)을 증착하는 3층구조가 사용된다. 그러나, 유기막(130)을 용액공정으로 형성하게 되면 노즐에서 용액이 비균일하게 토출되는 문제로 유기막(130)의 두께가 불균일해지는 문제가 발생하게 되고, 진공(무기막)-상압(유기막)-진공(무기막) 순으로 공정이 진행됨에 따라 증착 공정이 번거롭게 되어 파티클(20)이 유입되는 문제가 발생하게 된다. 또한, 유기막(130) 형성 시 용매 사용으로 인한 유기발광소자부(110)의 손상이 발생되고, 용액공정으로 인한 유기막(130)의 두께가 두꺼워짐에 따라 플렉서블한 특성이 저하되므로 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기에는 어려운 문제가 있다. 한편, 첫 번째 무기막이 용매로 인한 유기발광소자부의 손상을 막아주는 역할을 하지만, 완벽하게 막아주지는 못하고 있다.The encapsulation film 120 is manufactured by using a thin film method of depositing an encapsulation film 120 (TFE) including the organic film 130 and / or an inorganic film directly on the organic light emitting device unit 110. In general, the process of forming the organic layer 130 at atmospheric pressure using a solution process such as screen printing or inkjet printing and an inorganic process using a vacuum process such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) The process of forming a film is repeated a plurality of times. In this case, a conventional three-layer structure is used to deposit and print silicon nitride (SiN z ) first by plasma chemical vapor deposition (PECVD), and finally, silicon nitride (SiN z ) by plasma chemical vapor deposition (PECVD). do. However, when the organic film 130 is formed by a solution process, a problem occurs that the thickness of the organic film 130 becomes nonuniform due to a problem that the solution is unevenly discharged from the nozzle, and the vacuum (inorganic film) to atmospheric pressure (organic) As the process proceeds in the order of film) -vacuum (inorganic film), the deposition process becomes cumbersome, causing a problem that particles 20 are introduced. In addition, when the organic layer 130 is formed, damage to the organic light emitting diode unit 110 occurs due to the use of a solvent, and as the thickness of the organic layer 130 is increased due to the solution process, the flexible characteristics are lowered, thereby the flexible display. There is a problem that is difficult to apply to the back. On the other hand, the first inorganic film serves to prevent damage to the organic light emitting device portion due to the solvent, but does not completely prevent.

본 발명에서는 진공(무기막)-상압(유기막)-진공(무기막) 순으로 공정이 진행됨에 따라 발생하는 문제를 방지하기 위해, 진공을 깨지 않은 상태에서 유기막(130)과 다층 무기막을 형성하여 봉지막(120)을 제조하였으며, 진공 분위기 하에서 유기막(130)이 형성될 수 있도록 진공공정에서 사용할 수 있는 물질(예를 들어, 비정질 탄소 또는 페릴렌)로 유기막(130)을 형성하였다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 봉지막(120) 제조방법에서 유기막(130) 및 무기 다층막(140)은 전술한 실시에에 따른 유기막(130) 및 무기 다층막(140)과 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.In the present invention, in order to prevent problems caused by the process in the order of vacuum (inorganic membrane) -atmospheric pressure (organic membrane) -vacuum (inorganic membrane), the organic layer 130 and the multilayer inorganic layer are not broken in a vacuum state. To form the encapsulation film 120, and to form the organic film 130 using a material (eg, amorphous carbon or perylene) that can be used in a vacuum process so that the organic film 130 can be formed in a vacuum atmosphere. It was. In the method of manufacturing the encapsulation film 120 according to another embodiment of the present invention, the organic film 130 and the inorganic multilayer film 140 are the same as the organic film 130 and the inorganic multilayer film 140 according to the above-described embodiments, and thus overlap. The description will be omitted.

외부의 수분이나 산소의 투과를 방지함과 동시에 파티클(20)의 하부 공간(30)까지 고르게 채우면서 유기막(130)을 증착하기 위해 유기막(130)은 비정질 탄소를 포함할 수 있고, 도 6 및 7을 참조하면 상기 비정질 탄소는, 상기 공정챔버(210) 내부에 플라즈마를 발생시키는 과정; 상기 비정질 탄소의 소스물질을 기화하여 증기 상태의 소스가스를 형성하는 과정; 및 상기 소스가스를 상기 공정챔버(210) 내부로 공급하여 분해시키는 과정을 통하여 형성될 수 있다. 이때, 상기 소스가스는 불활성 가스를 통해 수송되어 공정챔버(210) 내부로 공급될 수 있다. 또한, 상기 소스물질은 사이클로헥세인(Cyclohexane)을 포함하는 사이클로 알케인(Cyclo Alkane)계 물질, 메타크릴산메틸(Methyl methacrylate)을 포함하는 메틸 에스테르(Methyl ester)계 물질 등의 지방족 탄화수소를 포함할 수 있으며, 알릴 메타크릴산메틸(Ally methacrylate), 메타크릴산메틸(Methyl methacrylate), 사이클로헥세인(Cyclohexane), 모노헥세인(1-Hexene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The organic layer 130 may include amorphous carbon in order to deposit the organic layer 130 while preventing the penetration of external moisture or oxygen and evenly filling the lower space 30 of the particle 20. Referring to 6 and 7, the amorphous carbon, the process of generating a plasma in the process chamber 210; Vaporizing the source material of amorphous carbon to form a source gas in a vapor state; And decomposing the source gas by supplying the source gas into the process chamber 210. In this case, the source gas may be transported through the inert gas and supplied into the process chamber 210. In addition, the source material may include an aliphatic hydrocarbon such as a cyclo alkane-based material including cyclohexane and a methyl ester-based material including methyl methacrylate. It may be, and may include at least one of allyl methyl methacrylate (Allly methacrylate), methyl methacrylate (Methyl methacrylate), cyclohexane (Cyclohexane), monohexane (1-Hexene).

비정질 탄소로 이루어진 유기막(130)을 형성하기 위해 먼저 공정챔버(210)(또는 유기막 증착용 공정챔버(210)) 내부에 반응가스를 주입하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 공정챔버(210)에 플라즈마가 발생되면 공정챔버(210) 외부에서 알릴 메타크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 사이클로헥세인, 모노헥세인 등의 소스물질의 온도를 제어하고 불활성 가스로 버블링시키며, 증기 상태의 소스가스를 불활성 가스와 함께 공정챔버(210) 내부로 공급하면 공정챔버(210) 내부에 형성된 플라즈마에 의해 분해되면서 기판(10) 상에 제공되는 유기발광소자부(110) 표면에 비정질 탄소로 이루어진 유기막(130)이 형성될 수 있다. 비정질 탄소를 포함하는 유기막(130) 형성 방법은 페릴렌을 포함하는 유기막(130) 형성 방법에 비해 예를 들어, 100nm/min 이상의 증착 속도를 확보할 수 있기 때문에 원하는 적절한 증착 속도를 가지고 비정질 탄소를 증착시킬 수 있으며, 이에 따라 파티클(20)의 하부 공간(30)까지 고르게 채우면서 유기막(130)을 증착할 수 있어 유기발광소자부(110)와 파티클(20)을 완전히 피복시킬 수 있게 된다. 그리고, 본 발명에서는 플라즈마를 이용하여 유기막(130)을 증착하기 때문에 용액공정으로 형성되는 유기막(130)의 두께에 비해 상대적으로 매우 얇은 두께의 유기막(130)의 형성이 가능할 수 있고, 플라즈마로 인해 100℃ 이하의 낮은 온도에서도 유기막(130) 증착이 가능할 수 있기 때문에 유기발광소자부(110)가 고온의 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.In order to form the organic film 130 made of amorphous carbon, first, a reaction gas may be injected into the process chamber 210 (or the process chamber 210 for deposition of an organic film) to generate a plasma. When plasma is generated in the process chamber 210, the temperature of source materials such as allyl methyl methacrylate, methyl methacrylate, cyclohexane, and monohexane are controlled outside the process chamber 210 and bubbled with an inert gas. When the source gas in the vapor state is supplied into the process chamber 210 together with the inert gas, it is decomposed by the plasma formed in the process chamber 210 and is disposed on the surface of the organic light emitting device unit 110 provided on the substrate 10. The organic layer 130 made of amorphous carbon may be formed. Since the method for forming the organic film 130 including amorphous carbon can secure a deposition rate of 100 nm / min or more, for example, compared to the method for forming the organic film 130 including perylene, it has an appropriate deposition rate desired and has amorphous. Carbon may be deposited, and thus, the organic layer 130 may be deposited while evenly filling the lower space 30 of the particle 20, thereby completely covering the organic light emitting device unit 110 and the particle 20. Will be. In the present invention, since the organic film 130 is deposited using plasma, the organic film 130 having a relatively thin thickness may be formed in comparison with the thickness of the organic film 130 formed by a solution process. Since the organic film 130 may be deposited even at a low temperature of 100 ° C. or lower due to the plasma, the organic light emitting device unit 110 may be prevented from being damaged by high temperature heat.

상기의 유기막(130) 증착을 위한 알릴 메타크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 사이클로헥세인, 모노헥산 등의 물질(즉, 지방족 탄화수소)은 유기발광소자부(110)에 손상을 주지 않기 때문에 유기막(130)과 유기발광소자부(110)의 사이에 추가적인 무기막이 필요없으므로, 유기발광소자부(110) 상에 직접 형성될 수 있다.Since allyl methyl methacrylate, methyl methacrylate, cyclohexane, monohexane, and the like (ie, aliphatic hydrocarbons) for depositing the organic layer 130 do not damage the organic light emitting diode unit 110. Since an additional inorganic film is not required between the organic layer 130 and the organic light emitting element unit 110, the organic layer 130 may be directly formed on the organic light emitting element unit 110.

유기발광소자부(110)를 덮도록 비정질 탄소를 포함하는 유기막(130)을 형성하는 과정에서 유기막(130)은 무기 다층막(140)과 달리 유기발광소자부(110)를 먼저 봉지하여 파티클(20)의 탈착을 방지하는 역할을 하기 때문에 유기막(130)은 무기 다층막(140)보다 두꺼운 두께를 가지도록 형성될 수 있다.In the process of forming the organic film 130 including amorphous carbon to cover the organic light emitting device unit 110, unlike the inorganic multilayer film 140, the organic film 130 first encapsulates the organic light emitting device unit 110 to form particles. The organic layer 130 may be formed to have a thickness thicker than that of the inorganic multilayer layer 140 because it serves to prevent desorption of the 20.

한편, 진공 분위기 하에서 유기막(130)을 형성하기 위해 페릴렌을 이용하는 경우, 상기 페릴렌은, 고체 상태의 페릴렌 전구체를 기화하여 증기 상태의 페릴렌 다이머를 형성하는 과정; 상기 증기 상태의 페릴렌 다이머를 가열하여 페릴렌 모노머를 형성하는 과정; 및 상기 페릴렌 모노머를 상기 공정챔버(210) 내부로 공급하는 과정을 통해 형성될 수 있다.On the other hand, when using perylene to form the organic film 130 in a vacuum atmosphere, the parylene is a process of forming a perylene dimer in the vapor state by vaporizing a solid perylene precursor; Heating the vaporized parylene dimer to form a perylene monomer; And a process of supplying the perylene monomer into the process chamber 210.

우선, 페릴렌으로 이루어진 유기막(130)을 형성하기 위해 고체 상태의 페릴렌 전구체를 기화하여 증기 상태의 페릴렌 다이머를 형성할 수 있다. 페릴렌 전구체는 고체 형태로 용기 내를 채우게 되며, 용기의 외부를 감싸는 가열기에 의해 열에너지를 받아 기화되면서 기체 상태의 페릴렌 다이머 증기로 변화될 수 있다. 페릴렌 전구체가 증기 상태의 페릴렌 다이머로 변화되면, 이 페릴렌 다이머 증기는 공정챔버(210)(또는 유기막 증착용 공정챔버(210))와 연결된 배관으로 유입되고, 배관을 유동하는 증기 상태의 페릴렌 다이머는 배관을 감싸는 가열기에 의해 온도가 올라가게 된다. 배관을 가열하는 가열기는 증기 상태의 페릴렌 다이머를 매우 높은 온도로 상승시켜 페릴렌 다이머 분자들의 결합이 끊겨진 페릴렌 모노머로 변화시키는 역할을 수행하며, 가열기에 의하여 형성된 페릴렌 모노머는 진공 분위기가 형성된 공정챔버(210)에 유입된다. 최종적으로 페릴렌 다이머의 고리가 끊어져 형성된 페릴렌 모노머들은 기판(10)의 표면으로 이동하여 유기발광소자부(110)가 제공된 기판(10) 상에서 유기발광소자부(110)를 덮도록 유기막(130)을 형성하게 된다.First, in order to form the organic layer 130 made of perylene, a perylene precursor in a solid state may be vaporized to form a perylene dimer in a vapor state. The perylene precursor fills the inside of the container in solid form, and may be converted into a gaseous perylene dimer vapor while being vaporized by receiving heat energy by a heater surrounding the outside of the container. When the parylene precursor is changed into a parylene dimer in the vapor state, the parylene dimer vapor is introduced into a pipe connected to the process chamber 210 (or the process chamber 210 for organic film deposition), and the vapor state flowing through the pipe. Perylene dimer is heated by a heater that wraps around the pipe. The heater heating the pipe serves to raise the vaporized parylene dimer to a very high temperature and convert the perylene dimer molecules into disassociated perylene monomers, and the perylene monomer formed by the heater has a vacuum atmosphere. It flows into the formed process chamber 210. Finally, the perylene monomers formed by breaking the ring of the perylene dimer move to the surface of the substrate 10 to cover the organic light emitting device portion 110 on the substrate 10 provided with the organic light emitting device portion 110. 130).

유기발광소자부(110)를 덮도록 유기막(130)이 형성되면, 유기막(130) 상에 다층 무기막(140)을 형성할 수 있다(S300). 상기 무기 다층막(140)을 형성하는 과정은, SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층(141)을 형성하는 과정; 및 SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층(142)을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 제1 무기층(141)을 형성하는 과정 및 제2 무기층(142)을 형성하는 과정은 복수 회 반복될 수 있다. 이때, 제1 무기층(141)과 제2 무기층(142)은 동일한 챔버에서 공정가스를 변화시키면서 증착할 수 있고, 서로 다른 증착 가스(또는 증착 물질)를 이용하여 증착할 수 있다. 또한, 상기 무기 다층막(140)을 형성하는 과정은, 상기 유기막(130)과 접하도록 상기 유기막(130) 상에 상기 제1 무기층(141)을 형성하는 과정; 및 상기 제1 무기층(141) 상에 상기 제2 무기층(142)을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.When the organic layer 130 is formed to cover the organic light emitting diode unit 110, the multilayer inorganic layer 140 may be formed on the organic layer 130 (S300). The process of forming the inorganic multilayer film 140 may include forming a first inorganic layer 141 made of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1 ≧ 0); And forming a second inorganic layer 142 formed of SiN z O x2 (where z> 0 and x2 ≧ 0), and forming the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer ( The process of forming 142 may be repeated a plurality of times. In this case, the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142 may be deposited while changing process gases in the same chamber, and may be deposited using different deposition gases (or deposition materials). In addition, the forming of the inorganic multilayer film 140 may include forming the first inorganic layer 141 on the organic film 130 to be in contact with the organic film 130; And forming the second inorganic layer 142 on the first inorganic layer 141.

진공 분위기의 공정 챔버 내부에서 기상 증착법으로 유기발광소자부(110) 상에 유기막(130)이 형성되면, 진공을 깨지 않고 유기막(130)이 형성된 기판(10)을 무기 다층막 증착용 공정챔버(220, 230)로 이동시켜 한 실시예로 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD) 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)으로 무기 다층막(140)을 형성할 수 있다. 즉, 유기막(130)이 형성된 기판(10)이 진공 분위기가 형성된 무기 다층막 증착용 공정챔버(220)로 인입되면, 유기막(130)과 접하도록 유기막(130) 상에 SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층(141)을 형성할 수 있고, 제1 무기층(141)이 형성되면 도 5에 도시된 바와 같이 유기막(130)과 제1 무기층(141)이 형성된 기판(10)을 진공 분위기가 형성된 또 다른 무기 다층막 증착용 공정챔버(230)로 이동시켜 제1 무기층(141) 상에 SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층(142)을 형성할 수 있다. 복수의 무기 다층막 증착용 공정챔버(220, 230)를 이동해가며 제1 무기층(141)을 형성하는 과정과 제2 무기층(142)을 형성하는 과정을 복수 회 반복할 수 있으며, 무기 다층막(140)이 다층 구조를 가질 수 있다면 횟수는 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에서는 유기막(130)과 제1 무기층(141) 및 제2 무기층(142)을 서로 다른 공정챔버(210)에서 형성하는 것으로 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 단일 진공 공정 즉, 진공을 깨지 않고 유기막(130)과 제1 무기층(141) 및 제2 무기층(142)으로 이루어진 무기 다층막(140)을 형성할 수 있다면 하나의 공정챔버(210)라도 상관없다.When the organic layer 130 is formed on the organic light emitting element unit 110 by vapor deposition in a process chamber in a vacuum atmosphere, a process chamber for depositing an inorganic multilayer film on the substrate 10 on which the organic layer 130 is formed without breaking the vacuum. In one embodiment, the inorganic multilayer layer 140 may be formed by plasma chemical vapor deposition (PECVD) or atomic layer deposition (ALD). That is, when the substrate 10 having the organic film 130 is introduced into the process chamber 220 for depositing the inorganic multilayer film having the vacuum atmosphere formed thereon, SiO x1 C y1 may be formed on the organic film 130 to be in contact with the organic film 130. (Where x1> 0 and y1≥0), the first inorganic layer 141 may be formed, and when the first inorganic layer 141 is formed, as shown in FIG. 5, the organic layer 130 and the first The substrate 10 on which the inorganic layer 141 is formed is moved to another inorganic multilayer film deposition process chamber 230 in which a vacuum atmosphere is formed, and SiN z O x2 (here z> 0, x2) is formed on the first inorganic layer 141. The second inorganic layer 142 may be formed of ≧ 0. The process of forming the first inorganic layer 141 and the process of forming the second inorganic layer 142 may be repeated a plurality of times while moving the process chambers 220 and 230 for depositing the plurality of inorganic multilayer films. The number of times is not particularly limited as long as 140 can have a multilayer structure. In the present invention, although the organic film 130, the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142 are shown and described as being formed in different process chambers 210, the present invention is not limited thereto, If the inorganic multilayer film 140 including the organic layer 130, the first inorganic layer 141, and the second inorganic layer 142 can be formed without breaking a vacuum, that is, even one process chamber 210 may be used. none.

제1 무기층(141)을 형성하는 과정에서 SiOx1Cy1의 조성에서 y1이 0보다 크도록(y1＞0) 제1 무기층(141)에 탄소를 함유시키면 탄소 성분이 탄성을 제공하기 때문에 제1 무기층(141)의 유연성이 향상될 수 있다. 이에 유기발광소자부(110)를 밀봉하는 봉지막(120)의 유연 특성이 확보될 수 있고, 플렉서블 디스플레이 등에 적용하기가 용이할 수 있다. 그리고 유연성이 없어 깨지기 쉬운 무기막에서 생기던 핀홀 성장도 억제할 수 있다. 또한, 제2 무기층(142)을 형성하는 과정에서 제2 무기층(142)이 실리콘 질화산화물(SiNzOx2)로 이루어지도록 함으로써 높은 투습 방지 효율을 가지는 SiNz에 의해 봉지막(120)의 투습 방지 특성이 향상될 수 있다.In the process of forming the first inorganic layer 141, when the carbon is included in the first inorganic layer 141 such that y1 is greater than 0 (y1> 0) in the composition of SiO x1 C y1 , the carbon component provides elasticity. Flexibility of the first inorganic layer 141 may be improved. Accordingly, the flexible property of the encapsulation layer 120 encapsulating the organic light emitting diode unit 110 may be secured, and may be easily applied to a flexible display. In addition, pinhole growth caused by inorganic films that are fragile due to inflexibility can be suppressed. In addition, in the process of forming the second inorganic layer 142, the second inorganic layer 142 is made of silicon nitride oxide (SiN z O x 2 ), so that the encapsulation layer 120 is formed of SiN z having high moisture permeation prevention efficiency. The moisture permeation prevention characteristic of can be improved.

또한, 무기 다층막(140)을 형성하는 과정에서 제1 무기층(141)이 유기막(130)에 접하도록 제1 무기층(141)을 가장 먼저 형성할 수도 있고, 제2 무기층(142)이 유기막(130)에 접하도록 제2 무기층(142)을 가장 먼저 형성할 수도 있지만, 유기막(130)의 성질과 무기 다층막(140)의 성질이 서로 달라 계면간 접착력이 약한 문제가 존재하기 때문에 SiNzOx2로 이루어진 제2 무기층(142)에 비해 상대적으로 유기막(130)의 성질과 비슷한 SiOx1Cy1로 이루어진 제1 무기층(141)이 유기막(130)에 접하도록 먼저 형성할 수 있다.In addition, in the process of forming the inorganic multilayer film 140, the first inorganic layer 141 may be formed first so that the first inorganic layer 141 contacts the organic layer 130, and the second inorganic layer 142 may be formed. Although the second inorganic layer 142 may be formed first to contact the organic layer 130, there is a problem in that the adhesion between the interfaces is weak because the properties of the organic layer 130 and the inorganic multilayer layer 140 are different from each other. Therefore, the first inorganic layer 141 made of SiO x1 C y1 , which is similar to the property of the organic layer 130, is in contact with the organic layer 130 compared to the second inorganic layer 142 made of SiN z O x2 . It can be formed first.

상기 무기 다층막(140)을 형성하는 과정은, SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층(141)을 형성하는 과정; 및 SiNzOx2Cy2(여기서 z＞0, x2≥0, y2≥0)로 이루어진 제2 무기층(142)을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 제1 무기층(141)을 형성하는 과정 및 제2 무기층(142)을 형성하는 과정은 복수 회 반복될 수 있다. 이러한 경우, 제2 무기층(142)을 먼저 형성하여도 유기막(130)의 성질과 비슷하여 계면간 접착력이 탄소가 첨가되지 않은 무기층이 유기막(130)에 접하여 형성되는 경우보다 향상될 수 있다. 이에 따라 SiNz의 소수성 특성으로 인해 높은 투습 방지 효율을 갖는 제2 무기층(142)을 유기막(130)에 접하여 형성할 수 있을 뿐만 아니라 제1 무기층(141)과 제2 무기층(142)의 성분이 유사하여 제1 무기층(141)과 제2 무기층(142)의 계면간 접착력도 향상될 수 있다.The process of forming the inorganic multilayer film 140 may include forming a first inorganic layer 141 made of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1 ≧ 0); And forming a second inorganic layer 142 formed of SiN z O x2 C y2 (where z> 0, x2≥0, y2≥0), and forming the first inorganic layer 141. And the process of forming the second inorganic layer 142 may be repeated a plurality of times. In this case, even when the second inorganic layer 142 is first formed, the adhesion between the interfaces is similar to that of the organic layer 130, and thus, the interfacial adhesion may be improved compared to the case where the inorganic layer without carbon is formed in contact with the organic layer 130. Can be. Accordingly, the second inorganic layer 142 having a high moisture permeation prevention efficiency may be formed in contact with the organic layer 130 due to the hydrophobic property of SiN z , and the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142 may be formed. ) Similar to each other, the adhesion between the interface between the first inorganic layer 141 and the second inorganic layer 142 can also be improved.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims described below, but also by equivalents thereof.

10: 기판 20: 파티클
100: 유기발광표시장치 110: 유기발광소자부
120: 봉지막 130: 유기막
140: 무기 다층막 141: 제1 무기층
142: 제2 무기층 210: 공정챔버
220, 230: 무기 다층막 증착용 공정챔버10: substrate 20: particle
100: organic light emitting display device 110: organic light emitting element portion
120: sealing film 130: organic film
140: inorganic multilayer film 141: first inorganic layer
142: second inorganic layer 210: process chamber
220, 230: process chamber for inorganic multilayer film deposition

Claims (17)

기판 상에 제공되는 유기발광소자부; 및
상기 유기발광소자부를 밀봉하는 봉지막을 포함하고,
상기 봉지막은,
상기 유기발광소자부를 덮도록 제공되는 유기막; 및
상기 유기막 상에 제공되고, 서로 다른 무기층이 교번 적층된 무기 다층막을 포함하는 유기발광표시장치.
An organic light emitting device unit provided on the substrate; And
An encapsulation film for sealing the organic light emitting device portion,
The encapsulation film,
An organic film provided to cover the organic light emitting device portion; And
An organic light emitting display device comprising: an inorganic multilayer film provided on the organic layer and having different inorganic layers alternately stacked.
청구항 1에 있어서,
상기 무기 다층막은 SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층 및 SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층을 포함하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
The inorganic multilayer film includes an organic light emitting layer including a first inorganic layer made of SiO x1 C y1 (where x1> 0 and y1 ≧ 0) and a second inorganic layer made of SiN z O x2 (where z> 0 and x2 ≧ 0). Display.
청구항 2에 있어서,
상기 무기 다층막의 최하층은 상기 제1 무기층이고, 상기 제1 무기층은 상기 유기막과 접하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 2,
The lowermost layer of the inorganic multilayer film is the first inorganic layer, and the first inorganic layer is in contact with the organic layer.
청구항 1에 있어서,
상기 유기막은 비정질 탄소를 포함하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And the organic layer includes amorphous carbon.
청구항 1에 있어서,
상기 유기막은 진공 분위기에서 기상 증착법으로 형성되는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And the organic layer is formed by vapor deposition in a vacuum atmosphere.
청구항 1에 있어서,
상기 유기막은 상기 무기 다층막보다 두꺼운 두께를 가지는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
The organic light emitting display device has a thickness greater than that of the inorganic multilayer film.
청구항 1에 있어서,
상기 유기막의 두께는 3μm 이하이고, 상기 무기 다층막의 두께는 0.2μm 이하인 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
The organic light emitting display device has a thickness of 3 μm or less, and the thickness of the inorganic multilayer film is 0.2 μm or less.
유기발광소자부가 형성된 기판을 공정챔버 내부에 로딩하는 과정;
상기 공정챔버 내에 진공 분위기에서 기상 증착법으로 상기 유기발광소자부를 덮도록 유기막을 형성하는 과정; 및
상기 유기막 상에 무기 다층막을 형성하는 과정을 포함하는 봉지막 제조방법.
Loading the substrate on which the organic light emitting element portion is formed into the process chamber;
Forming an organic film in the process chamber to cover the organic light emitting device unit by vapor deposition in a vacuum atmosphere; And
An encapsulation film manufacturing method comprising the step of forming an inorganic multilayer film on the organic film.
청구항 8에 있어서,
상기 무기 다층막을 형성하는 과정은,
SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층을 형성하는 과정; 및
SiNzOx2(여기서 z＞0, x2≥0)로 이루어진 제2 무기층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 제1 무기층을 형성하는 과정 및 제2 무기층을 형성하는 과정은 복수 회 반복되는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 8,
The process of forming the inorganic multilayer film,
Forming a first inorganic layer made of SiO x1 C y1 (where x1> 0, y1 ≧ 0); And
Forming a second inorganic layer made of SiN z O x2 (where z> 0, x2 ≧ 0),
The forming of the first inorganic layer and the forming of the second inorganic layer may be repeated a plurality of times.
청구항 9에 있어서,
상기 무기 다층막을 형성하는 과정은,
상기 유기막과 접하도록 상기 유기막 상에 상기 제1 무기층을 형성하는 과정; 및
상기 제1 무기층 상에 상기 제2 무기층을 형성하는 과정을 포함하는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 9,
The process of forming the inorganic multilayer film,
Forming the first inorganic layer on the organic layer so as to contact the organic layer; And
An encapsulation film manufacturing method comprising the step of forming the second inorganic layer on the first inorganic layer.
청구항 8에 있어서,
상기 무기 다층막을 형성하는 과정은,
SiOx1Cy1(여기서 x1＞0, y1≥0)로 이루어진 제1 무기층을 형성하는 과정; 및
SiNzOx2Cy2(여기서 z＞0, x2≥0, y2≥0)로 이루어진 제2 무기층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 제1 무기층을 형성하는 과정 및 제2 무기층을 형성하는 과정은 복수 회 반복되는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 8,
The process of forming the inorganic multilayer film,
Forming a first inorganic layer made of SiO x1 C y1 (where x1> 0, y1 ≧ 0); And
Forming a second inorganic layer consisting of SiN z O x2 C y2 (where z> 0, x2≥0, y2≥0),
The forming of the first inorganic layer and the forming of the second inorganic layer may be repeated a plurality of times.
청구항 8에 있어서,
상기 유기막을 형성하는 과정에서,
상기 유기막은 100℃ 이하의 온도에서 형성되는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 8,
In the process of forming the organic film,
The organic film is a sealing film manufacturing method is formed at a temperature of less than 100 ℃.
청구항 8에 있어서,
상기 유기막은 비정질 탄소를 포함하는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 8,
The organic film is an encapsulation film manufacturing method comprising amorphous carbon.
청구항 13에 있어서,
상기 비정질 탄소는,
상기 공정챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 과정;
상기 비정질 탄소의 소스물질을 기화하여 증기 상태의 소스가스를 형성하는 과정; 및
상기 소스가스를 상기 공정챔버 내부로 공급하여 분해시키는 과정을 통하여 형성되는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 13,
The amorphous carbon is,
Generating a plasma inside the process chamber;
Vaporizing the source material of amorphous carbon to form a source gas in a vapor state; And
A method of manufacturing an encapsulation film formed by supplying the source gas into the process chamber to decompose the source gas.
청구항 14에 있어서,
상기 소스물질은 지방족 탄화수소를 포함하는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 14,
The source material is an encapsulation film production method comprising an aliphatic hydrocarbon.
청구항 14에 있어서,
상기 소스물질은 알릴 메타크릴산메틸(Ally methacrylate), 메타크릴산메틸(Methyl methacrylate), 사이클로헥세인(Cyclohexane), 모노헥세인(1-Hexene) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 봉지막 제조방법.
The method according to claim 14,
The source material is an allyl methyl methacrylate (Allly methacrylate), methyl methacrylate (Methyl methacrylate), cyclohexane (Cyclohexane), monohexane (1-Hexene) at least any one of the manufacturing method of the encapsulation film.
청구항 8에 있어서,
상기 유기막은 상기 무기 다층막보다 두꺼운 두께로 형성되는 봉지막 제조방법.The method according to claim 8,
The organic film is a method of manufacturing an encapsulation film formed to a thickness thicker than the inorganic multilayer film.
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