JP2003017244A - Organic electroluminescent element and its manufacturing method - Google Patents

Organic electroluminescent element and its manufacturing method

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JP2003017244A
JP2003017244A JP2001204446A JP2001204446A JP2003017244A JP 2003017244 A JP2003017244 A JP 2003017244A JP 2001204446 A JP2001204446 A JP 2001204446A JP 2001204446 A JP2001204446 A JP 2001204446A JP 2003017244 A JP2003017244 A JP 2003017244A
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layer
organic
substrate
inorganic
organic electroluminescent
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JP2001204446A
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Naoji Nada
直司 名田
Hideyoshi Kito
英至 鬼頭
Masato Kobayashi
正人 小林
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Sony Corp
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroluminescent element that prevents deterioration by water or oxygen and is capable of improving reliability, and its manufacturing method. SOLUTION: The element part 10 on the substrate is covered by a barrier layer 20 at its surface. The barrier layer 20 seals the element part 10 and an organic layer P and an inorganic layer I are laminated alternately so as to shut off infiltration of water and oxygen. The inorganic layer I performs the function of mainly preventing transmission of water and oxygen and the organic layer P has sufficient elasticity and performs the function of suppressing stress by being provided between the inorganic layers I so that the inorganic layers I may not contact each other. When the barrier layer 20 is made multi-layered by thinning the thickness of one layer, the occurrence of cracks is prevented and the barrier performance is improved and flexibility for enduring deformation such as bending is provided. These organic layer P and inorganic layer I are formed by the vacuum dry process such as vacuum evaporation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、極薄型の有機電界
発光(ElectroLuminescence;EL)ディスプレイに用い
て好適な有機電界発光素子およびその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device suitable for use in an ultra-thin organic electroluminescent (EL) display and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フラットパネルディスプレイとし
ては液晶ディスプレイが主流であったが、近年、さらな
る極薄化・大画面化を達成するものとして、有機ELデ
ィスプレイが注目されている。その実用化にあたって
は、軽量化、薄型化と共に曲面形状とすることが可能な
形状加工性が求められており、高分子フィルムなどの可
撓性を有する材料からなる基板を用いることが提案され
ている(例えば特開平2−251429号公報や特開平
6−124785号公報など)。
2. Description of the Related Art Conventionally, a liquid crystal display has been the mainstream as a flat panel display, but in recent years, an organic EL display has been attracting attention as one that achieves further thinning and a larger screen. For its practical use, it is required to have a shape processability capable of forming a curved shape as well as a reduction in weight and thickness, and it has been proposed to use a substrate made of a flexible material such as a polymer film. (For example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 2-251449 and 2-124785).

【0003】この有機ELディスプレイは、透明基板上
に透明導電膜よりなる短冊状の電極層(陽極)と、金属
薄膜よりなり、陽極と直交する短冊状の電極層(陰極)
との間に有機電界発光層を有する素子本体部が多数設け
られた構造をしている。また、陽極と陰極とはマトリク
ス状となっており、選択された電極の間に電圧を印加す
ることにより、所定位置の有機電界発光層を発光させ
る。このような発光部分は、個々の有機EL素子に対応
しており、すなわちディスプレイ上の画素を構成してい
る。
This organic EL display has a strip-shaped electrode layer (anode) made of a transparent conductive film on a transparent substrate and a strip-shaped electrode layer (cathode) made of a metal thin film and orthogonal to the anode.
And a large number of element body portions having an organic electroluminescent layer are provided between and. Further, the anode and the cathode are in a matrix, and a voltage is applied between the selected electrodes to cause the organic electroluminescent layer at a predetermined position to emit light. Such a light emitting portion corresponds to each organic EL element, that is, constitutes a pixel on the display.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、有機EL材
料は水分や酸素によって容易に、しかも著しく劣化する
ことが知られており、有機ELディスプレイには、その
ために輝度が低下するという実用上大きな課題が残され
ている。従来では、有機ELディスプレイの素子本体部
への水分や酸素の侵入を防ぐために、表示面(透明基板
側)の反対側から素子本体部を覆うように、金属の蓋あ
るいはガラスの蓋を紫外線硬化樹脂などの接着剤で取り
付ける方法が採られていた。しかしながら、このような
方法では、ディスプレイの薄型化や軽量化には限界があ
った。また、高分子フィルムを基板とする可撓性を有す
るディスプレイに対しては、この方法ではその形状自由
度を充分に生かすことができない。
By the way, it is known that the organic EL material is easily and significantly deteriorated by moisture and oxygen, and the organic EL display has a practically great problem that the brightness is lowered. Is left. Conventionally, in order to prevent moisture and oxygen from entering the element body of an organic EL display, a metal lid or glass lid is UV-cured so as to cover the element body from the side opposite to the display surface (transparent substrate side). A method of attaching with an adhesive such as resin has been adopted. However, such a method has a limit in reducing the thickness and weight of the display. In addition, for a flexible display using a polymer film as a substrate, this method cannot fully utilize the degree of freedom in shape.

【0005】一方、素子本体部の上に窒化シリコン等の
無機薄膜を形成し、更にその上にスピンコーティング法
やディップ法により樹脂を塗布することにより、素子本
体部を水分や酸素から保護する方法も提案されている
(特開2000−223264号公報)。この方法で
は、樹脂ペーストに含まれる溶媒が有機電界発光層を侵
す可能性があるので、まず無機薄膜を形成してから樹脂
を積層する。この無機薄膜は、充分なバリア性をもたせ
るためには緻密かつ十分厚く形成されねばならないが、
このため応力の増大などによりクラックが発生しやすく
なり、却ってバリア性を低下させることになる。さら
に、有機電界発光層はITO(indium tin oxide)等の
透明電極層との密着性があまり高くないので、無機薄膜
の内部応力が高いと、透明電極層から有機電界発光層が
剥がれてしまう虞がある。また、樹脂の塗布時に水分が
下地となる膜中に侵入したり、形成する膜と下地との界
面に水分や酸素が吸着したりする可能性があるので、無
機薄膜が薄いあるいは膜質が粗いと、水分や酸素が無機
薄膜を透過して有機電界発光層に達し、これを劣化させ
る虞もあった。このように、従来では、有機EL素子の
上をバリア性の高い薄膜により封止して素子の信頼性を
向上させることが困難であった。
On the other hand, a method of protecting the element body from moisture and oxygen by forming an inorganic thin film of silicon nitride or the like on the element body, and further applying a resin by spin coating or dipping on it. Has also been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-223264). In this method, the solvent contained in the resin paste may attack the organic electroluminescent layer, so that the inorganic thin film is first formed and then the resin is laminated. This inorganic thin film must be dense and thick enough to have sufficient barrier properties.
For this reason, cracks are likely to occur due to an increase in stress and the barrier properties are rather deteriorated. Further, since the organic electroluminescent layer does not have high adhesion to the transparent electrode layer such as ITO (indium tin oxide), the organic electroluminescent layer may peel off from the transparent electrode layer if the internal stress of the inorganic thin film is high. There is. In addition, since there is a possibility that water may enter the underlying film during the application of the resin, or water or oxygen may be adsorbed at the interface between the film to be formed and the underlying film, the inorganic thin film is thin or the film quality is poor. However, there is a possibility that moisture or oxygen may penetrate the inorganic thin film to reach the organic electroluminescent layer and deteriorate it. As described above, conventionally, it has been difficult to improve the reliability of the element by sealing the organic EL element with a thin film having a high barrier property.

【0006】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、水や酸素に対する劣化を防止し、信
頼性を高めることが可能な有機電界発光素子およびその
製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic electroluminescent device capable of preventing deterioration due to water and oxygen and enhancing reliability, and a method for manufacturing the same. It is in.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による有機電界発
光素子は、基板と、第1の電極層と第2の電極層との間
に有機電界発光層を有し、基板の一面側に接する素子本
体部と、有機層と無機層とが交互に成膜され積層された
構造を有すると共に、素子本体部の基板と反対側の面に
接するバリア層とを備えている。このバリア層は、水分
および酸素の透過を防止するものである。
An organic electroluminescent device according to the present invention has an organic electroluminescent layer between a substrate and a first electrode layer and a second electrode layer and is in contact with one surface side of the substrate. The device body has a structure in which an organic layer and an inorganic layer are alternately deposited and laminated, and includes a barrier layer in contact with the surface of the device body opposite to the substrate. This barrier layer prevents the permeation of moisture and oxygen.

【0008】また、本発明による有機電界発光素子の製
造方法は、基板の一面側に、第1の電極層、有機電界発
光層および第2の電極層を順に成膜し、素子本体部を形
成する工程と、素子本体部の上に、有機層と無機層を交
互に真空成膜してバリア層を形成する工程とを含むもの
である。
In the method for manufacturing an organic electroluminescent device according to the present invention, the first electrode layer, the organic electroluminescent layer and the second electrode layer are sequentially formed on one surface of the substrate to form the device body. And a step of alternately forming an organic layer and an inorganic layer in vacuum on the element body to form a barrier layer.

【0009】本発明による有機電界発光素子およびその
製造方法では、バリア層が形成時にその内部に水分や酸
素を含有しないものとなり、同時にバリア層が有機層を
挟みながら形成されることで、素子の可撓性を損なわず
にバリア層内の応力が抑制される。
In the organic electroluminescent device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the barrier layer does not contain water or oxygen inside when it is formed, and at the same time, the barrier layer is formed while sandwiching the organic layer. Stresses in the barrier layer are suppressed without compromising flexibility.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0011】図1は、本発明の一実施の形態に係る有機
EL素子の概略を示す構成図である。この有機EL素子
は、基板1の上に素子本体部10が設けられ、更にその
表面がバリア層20および保護層30により覆われて構
成されている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an organic EL device according to an embodiment of the present invention. This organic EL device is configured such that the device body 10 is provided on the substrate 1 and the surface thereof is covered with the barrier layer 20 and the protective layer 30.

【0012】基板1は、透明で可撓性を有する材料から
構成されていることが好ましく、ここではポリエチレン
テレフタレート(PET; Poly(EthyleneTerephthalat
e))が用いられる。その他、ポリカーボネート(P
C;PolyCarbonate)、ポリオレフィン(PO;PolyOlef
in)、ポリエーテルスルホン(PES;PolyEter Sulph
one)を初めとする高分子ポリマー系材料を好適に用いる
ことができ、薄膜ガラスを用いてもよい。
The substrate 1 is preferably made of a transparent and flexible material, and here, polyethylene (Terephthalate) (PET) is used.
e)) is used. In addition, polycarbonate (P
C: Poly Carbonate), polyolefin (PO: PolyOlef)
in), polyether sulfone (PES; PolyEter Sulph)
One can be preferably used as a high molecular polymer material, and thin film glass may be used.

【0013】素子本体部10は、有機EL素子としての
機能を有する部分であり、基板1側より透明電極層2、
有機EL層3、金属電極層4が順に積層して構成されて
いる。ここで、透明電極層2は、正孔を有機EL層3に
注入するために設けられる短冊状の電極層(陽極)であ
る。透明電極層2としては、基板1の側から光を取り出
すために透光性を有する材料で構成されていることが望
ましい。そのような材料をしてITOを用いることが好
ましく、その他、酸化スズ(SnO2 ),酸化亜鉛(Z
nO)等が用いられる。
The element body 10 is a portion having a function as an organic EL element, and the transparent electrode layer 2 from the substrate 1 side,
The organic EL layer 3 and the metal electrode layer 4 are laminated in this order. Here, the transparent electrode layer 2 is a strip-shaped electrode layer (anode) provided to inject holes into the organic EL layer 3. The transparent electrode layer 2 is preferably made of a material having a light-transmitting property in order to extract light from the substrate 1 side. It is preferable that ITO is used as such a material, and tin oxide (SnO 2 ) and zinc oxide (Z
nO) or the like is used.

【0014】また、有機EL層3は、透明電極層2の上
に形成され、透明電極層2の側から順に、正孔輸送層、
発光層および電子輸送層(いずれも図示せず)が積層さ
れたものである。正孔輸送層は、透明電極層2から注入
された正孔を発光層まで輸送するためのものであり、そ
の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、
トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イ
ミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカ
ン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾー
ル、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチル
ベン、あるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系
化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化
合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモ
ノマー,オリゴマーあるいはポリマーを用いることがで
きる。具体的には、例えば、α−ナフチルフェニルジア
ミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリ
ン、金属ナフタロシアニン、4,4,4−トリス(3−
メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)
トリフェニルアミン、N,N,N,N−テトラキス(p
−トリル)p−フェニレンジアミン、N,N,N,N−
テトラフェニル4,4−ジアミノビフェニル、N−フェ
ニルカルバゾール、4−ジ−p−トリルアミノスチルベ
ン、ポリ(パラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェ
ンビニレン)、ポリ(2,2−チエニルピロール)等が
挙げられる。
The organic EL layer 3 is formed on the transparent electrode layer 2, and the hole transport layer,
A light emitting layer and an electron transporting layer (neither shown) are laminated. The hole transport layer is for transporting holes injected from the transparent electrode layer 2 to the light emitting layer, and its material is, for example, benzine, styrylamine,
Triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, or derivatives thereof, or polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, A heterocyclic conjugated monomer, oligomer or polymer such as a thiophene compound or an aniline compound can be used. Specifically, for example, α-naphthylphenyldiamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, metal naphthalocyanine, 4,4,4-tris (3-
Methylphenylphenylamino) triphenylamine)
Triphenylamine, N, N, N, N-tetrakis (p
-Tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N, N-
Examples thereof include tetraphenyl 4,4-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenylenevinylene), poly (thiophenvinylene), poly (2,2-thienylpyrrole), and the like. .

【0015】発光層は、金属電極層4,透明電極層2に
おける電圧印加時に、それぞれから電子および正孔が注
入され、これら電子および正孔が再結合する領域であ
る。この発光層は、発光効率が高い材料、例えば、低分
子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料か
ら構成されている。そのような材料としては、例えば、
アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、
クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジ
ン、スチルベン、トリス(8−キノリノラト)アルミニ
ウム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯
体、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユー
ロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルが挙げられ
る。
The light emitting layer is a region in which electrons and holes are injected from the metal electrode layer 4 and the transparent electrode layer 2 when a voltage is applied, and these electrons and holes are recombined. The light emitting layer is made of a material having a high luminous efficiency, for example, an organic material such as a low molecular weight fluorescent dye, a fluorescent polymer, and a metal complex. Such materials include, for example:
Anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene,
Examples include chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, and tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex ditoluyl vinylbiphenyl.

【0016】電子輸送層は、金属電極層4から注入され
る電子を発光層に輸送するためのものである。電子輸送
層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビス
スチリル、ピラジン,またはこれらの誘導体が挙げられ
る。具体的には、8−ヒドロキシキノリンアルミニウ
ム,アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アク
リジン、スチルベン、またはこれらの誘導体が用いられ
る。
The electron transport layer is for transporting electrons injected from the metal electrode layer 4 to the light emitting layer. Examples of the material for the electron transport layer include quinoline, perylene, bisstyryl, pyrazine, and derivatives thereof. Specifically, 8-hydroxyquinoline aluminum, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, or derivatives thereof are used.

【0017】この有機EL層3の上に、金属電極層4が
設けられている。金属電極層4は、有機EL層3に電子
を注入するために設けられる短冊状の電極層(陰極)で
あり、透明電極層2と直交する方向に形成される。金属
電極層4としては、例えば、アルミニウム(Al)、イ
ンジウム(In)、マグネシウム(Mg)、銀(A
g)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)およびリ
チウム(Li)などが用いられる。なお、これらの金属
は単体で用いてもよく、他の金属との合金としてもよ
い。
A metal electrode layer 4 is provided on the organic EL layer 3. The metal electrode layer 4 is a strip-shaped electrode layer (cathode) provided to inject electrons into the organic EL layer 3, and is formed in a direction orthogonal to the transparent electrode layer 2. Examples of the metal electrode layer 4 include aluminum (Al), indium (In), magnesium (Mg), and silver (A).
g), calcium (Ca), barium (Ba), lithium (Li) and the like are used. Note that these metals may be used alone or may be alloyed with other metals.

【0018】バリア層20は、素子本体部10への水分
および酸素の侵入を遮断するために素子本体部10を封
止しており、有機層Pと無機層Iとを交互に積層して構
成されたものである。本実施の形態では、バリア層20
を、素子本体部10側より有機層P1,無機層I1,・
・・,有機層Pn,無機層Inと、有機層Pから始めて
それぞれn層(n≧2)積層されたものとする。
The barrier layer 20 seals the element body 10 in order to block intrusion of moisture and oxygen into the element body 10, and is formed by alternately stacking organic layers P and inorganic layers I. It was done. In the present embodiment, the barrier layer 20
From the element body 10 side to the organic layer P1, the inorganic layer I1 ,.
.., starting from the organic layer P, the organic layer Pn, the inorganic layer In, and n layers (n ≧ 2) are laminated.

【0019】このバリア層20では、無機層Iが主に水
分や酸素の透過を防ぐ機能を有し、有機層Pは、一般に
弾性に富み、無機層I同士が接しないようにその間に設
けられることで各層の界面において応力を抑制する機能
を有している。なお、ここで1層目を有機層P1として
いるのは、このような機能を有する有機層Pが金属電極
層4と無機層Iとの間に介在することによって両者の界
面に生じる応力もまた低減されるためである。
In this barrier layer 20, the inorganic layer I mainly has a function of preventing permeation of moisture and oxygen, and the organic layer P is generally rich in elasticity and is provided between the inorganic layers I so that they do not come into contact with each other. This has the function of suppressing stress at the interface between the layers. Note that the first layer is the organic layer P1 here because the organic layer P having such a function is also present between the metal electrode layer 4 and the inorganic layer I so that the stress generated at the interface between the two is also present. This is because it is reduced.

【0020】また、バリア層20の水分や酸素に対する
バリア性は、無機層Iの総厚によって決まる。そこで、
本実施の形態では、充分なバリア性が得られるような無
機層Iの所定総厚みに対して層数nを適度に多く設定す
るようにしている。そのため、各層の厚みは相対的に薄
くなるので、バリア層20は応力が低減してクラック発
生が防止されると共に、曲げなどの変形に耐えうる可撓
性を備えたものとなる。このように、バリア層20の厚
みと層数nは、バリア性と総厚の関係や、有機層P,無
機層Iの材料等を考慮して適宜選択されるが、バリア性
向上のためには、バリア層20は1層の厚みを薄くして
多層化されることが望ましい。
The barrier property of the barrier layer 20 against moisture and oxygen is determined by the total thickness of the inorganic layer I. Therefore,
In the present embodiment, the number of layers n is set to be appropriately large with respect to the predetermined total thickness of the inorganic layer I that provides sufficient barrier properties. Therefore, the thickness of each layer is relatively thin, so that the barrier layer 20 has a reduced stress to prevent the occurrence of cracks, and also has flexibility to withstand deformation such as bending. As described above, the thickness of the barrier layer 20 and the number of layers n are appropriately selected in consideration of the relationship between the barrier property and the total thickness, the materials of the organic layer P and the inorganic layer I, and the like. As for the barrier layer 20, it is desirable that the thickness of one layer is made thin to form a multilayer.

【0021】このような有機層Pおよび無機層Iは、真
空成膜法で成膜されたものである。真空成膜法とは、予
め高真空とした容器内で行われる成膜法を指し、これに
より有機層P,無機層Iは、層の界面や内部に水分や酸
素をほとんど含まないものとなる。真空成膜法として
は、例えば、真空蒸着法,スパッタリング法あるいはC
VD(Chemical Vapor Deposition )法が用いられる。
従来のバリア層では有機膜原料に含まれる溶媒が有機E
L層まで浸透する可能性があったのに対し、これらは水
分を含む溶液や溶媒を用いずに成膜を行うドライプロセ
スであるために、バリア層20は、形成時にその内部に
水分を包含することが防止され、バリア性が高いものと
なる。
The organic layer P and the inorganic layer I are formed by a vacuum film forming method. The vacuum film forming method refers to a film forming method that is performed in a container that has been evacuated to a high vacuum in advance, whereby the organic layer P and the inorganic layer I contain almost no water or oxygen at the interfaces or insides of the layers. . As the vacuum film forming method, for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or C
The VD (Chemical Vapor Deposition) method is used.
In the conventional barrier layer, the solvent contained in the organic film raw material is organic E
Although there is a possibility that the barrier layer 20 may penetrate to the L layer, since these are a dry process in which film formation is performed without using a solution or solvent containing water, the barrier layer 20 contains water inside when it is formed. Is prevented and the barrier property is high.

【0022】なお、有機層Pは、真空中の成膜プロセス
により成膜が可能な有機材料で構成され、透水性や吸水
性が低いものが好ましい。そのような材料としては、例
えば、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレン、ポリ
テトラフルオロエチレン、ナイロン、ポリメチルメタク
リレート(PMMA)を用いることができるが、これら
に限定されるものではない。なお、同一のバリア層20
において、有機層P1,・・・,Pnを1種類の材料に
限る必要はなく、有機層Pは2種以上としてもよい。更
に、有機層Pを2層以上の積層膜で構成することも可能
である。例えば、透水率,吸水率が低いシクロオレフィ
ンポリマーの間に吸湿剤として機能するナイロンを設け
た積層膜などを用いてもよい。
The organic layer P is preferably made of an organic material that can be formed into a film by a film forming process in vacuum and has low water permeability and water absorption. As such a material, for example, cycloolefin polymer, polyethylene, polytetrafluoroethylene, nylon, polymethylmethacrylate (PMMA) can be used, but the material is not limited thereto. In addition, the same barrier layer 20
In the above, it is not necessary to limit the organic layers P1, ..., Pn to one kind of material, and the organic layers P may be two or more kinds. Further, the organic layer P can be composed of a laminated film of two or more layers. For example, a laminated film in which nylon that functions as a moisture absorbent is provided between cycloolefin polymers having low water permeability and low water absorption may be used.

【0023】無機層Iは、真空中の成膜プロセスにより
成膜が可能であると共に、透水性や吸水性が低く、か
つ、酸素透過性の低い無機材料で構成されている。その
ような材料としては、例えば、窒化シリコン(Si
x ),酸化シリコン(SiOx ),酸化アルミニウム
(AlOx )およびアルミニウム等の金属が挙げられる
が、これらに限定されるわけではない。
The inorganic layer I can be formed by a film forming process in vacuum and is made of an inorganic material having low water permeability and water absorption and low oxygen permeability. As such a material, for example, silicon nitride (Si
N x ), silicon oxide (SiO x ), aluminum oxide (AlO x ), and metals such as aluminum are included, but are not limited thereto.

【0024】保護層30は、有機EL素子の外部からの
損傷を防止するためのものであり、例えば紫外線硬化樹
脂などにより構成される。なお、バリア層20の最外層
を無機層Inとした場合、無機層の材料によっては保護
層30の役割を兼ねることも可能である。
The protective layer 30 is for preventing the organic EL element from being damaged from the outside, and is made of, for example, an ultraviolet curable resin. When the outermost layer of the barrier layer 20 is the inorganic layer In, it may also serve as the protective layer 30 depending on the material of the inorganic layer.

【0025】次に、このような構成を有する有機EL素
子の製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the organic EL device having such a structure will be described.

【0026】まず、素子本体部10を形成する。例えば
厚さ188μmのPETからなる帯状の基板1を用意
し、その上に以下の各層を順次成膜する。すなわち、例
えば、反応性DCスパッタリングにより、ITOからな
る厚さ150nmの透明電極層2を成膜する。次いで、
透明電極層2の上に、例えば真空蒸着法により有機EL
層3として正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの
順に成膜する。このとき、例えば、正孔輸送層として
は、4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphen
ylamine (m−MTDATA)、発光層としては、4,4'
-bis[N-(1-naphtyl)-N-phenylamino]biphenyl)(α−N
PD)、電子輸送層としては、tris(8-hydroxyquinolin
e)aluminum(Alq3 )を用いてそれぞれを成膜する。
この有機EL層3の総厚は、例えば150nmとする。
次に、有機EL層3上に、例えば真空蒸着法によりAl
−Li合金よりなる厚さ100nmの金属電極層4を形
成する。
First, the element body 10 is formed. For example, a strip-shaped substrate 1 made of PET having a thickness of 188 μm is prepared, and the following layers are sequentially formed thereon. That is, for example, the transparent electrode layer 2 made of ITO and having a thickness of 150 nm is formed by reactive DC sputtering. Then
An organic EL is formed on the transparent electrode layer 2 by, for example, a vacuum deposition method.
As the layer 3, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer are formed in this order. At this time, for example, as the hole transport layer, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphene is used.
ylamine (m-MTDATA), 4,4 'as the light emitting layer
-bis [N- (1-naphtyl) -N-phenylamino] biphenyl) (α-N
PD), as an electron transport layer, tris (8-hydroxyquinolin
e) A film is formed using aluminum (Alq 3 ).
The total thickness of the organic EL layer 3 is, eg, 150 nm.
Next, on the organic EL layer 3, Al is formed by, for example, a vacuum deposition method.
A metal electrode layer 4 made of a Li alloy and having a thickness of 100 nm is formed.

【0027】次に、バリア層20を形成する。図2は、
本実施の形態において有機EL素子のバリア層20の成
膜に用いられる成膜装置の概略を示す構成図である。こ
の成膜装置100は、一方のロールから他方のロールに
フィルムを送る間にそのフィルムに加工を施す所謂ロー
ルコーティング法により、フィルム状の基板1の上に成
膜を行うものである。
Next, the barrier layer 20 is formed. Figure 2
It is a block diagram which shows the outline of the film-forming apparatus used for film-forming of the barrier layer 20 of an organic EL element in this Embodiment. The film forming apparatus 100 forms a film on the film-shaped substrate 1 by a so-called roll coating method in which the film is processed while being fed from one roll to the other roll.

【0028】成膜装置100は、例えば、真空ポンプ
(図示せず)に接続された排気バルブ42と、反応ガス
を導入するためのガス導入バルブ43が設けられた真空
チャンバ41によって、外気を遮断することが可能とな
っている。真空チャンバ41の内部には、フィルム状の
基板1を連続して送り出すための送りロール44,ガイ
ドロール45、および、送り出された基板1を巻き取る
ための巻取ロール46が設けられ、これらのロール間に
おける基板1の走行経路を形成するためのキャンロール
47a〜47eが適宜に配置されている。更に、基板1
の一面側に対して、その表面をクリーニングするための
プラズマ電極48と、その表面上に薄膜を形成するため
の蒸着源49Aおよび蒸着源49Bとが設けられてい
る。ここでは、蒸着源49Aが蒸着により有機層Pを成
膜し、蒸着源49Bがスパッタにより無機層Iを成膜す
るものとし、蒸着源49Aには蒸発材料として有機層P
の材料が収容され、蒸着源49Bには無機層Iの材料に
応じたターゲットが備えられる。有機層Pの材料として
は、例えばシクロオレフィンポリマーが用いられ、無機
層Iを例えば窒化シリコンとする場合にはSiターゲッ
トが用いられる。なお、形成された薄膜の膜質や厚みを
確認するためのモニタを真空チャンバ41内に設けても
よい。
The film forming apparatus 100 shuts off outside air by, for example, an exhaust valve 42 connected to a vacuum pump (not shown) and a vacuum chamber 41 provided with a gas introduction valve 43 for introducing a reaction gas. It is possible to do. Inside the vacuum chamber 41, there are provided a feed roll 44 for continuously feeding the film-shaped substrate 1, a guide roll 45, and a winding roll 46 for winding the fed-out substrate 1. Can rolls 47a to 47e for forming a traveling path of the substrate 1 between the rolls are appropriately arranged. Furthermore, the substrate 1
A plasma electrode 48 for cleaning the surface thereof, and a vapor deposition source 49A and a vapor deposition source 49B for forming a thin film on the surface are provided on the one surface side. Here, it is assumed that the vapor deposition source 49A deposits the organic layer P by vapor deposition, and the vapor deposition source 49B deposits the inorganic layer I by sputtering. The vapor deposition source 49A uses the organic layer P as an evaporation material.
The material is stored in the vapor deposition source 49B, and the vapor deposition source 49B is provided with a target according to the material of the inorganic layer I. For example, a cycloolefin polymer is used as the material of the organic layer P, and a Si target is used when the inorganic layer I is, for example, silicon nitride. A monitor for confirming the film quality and thickness of the formed thin film may be provided in the vacuum chamber 41.

【0029】この成膜装置100では、送りロール44
が回転して、これに巻回されている基板1が送り出され
ると、巻取ロール46が回転し、図のような経路をたど
った基板1を巻き取るようになっている。その際、送り
ロール44と巻取ロール46の回転速度を調節すること
で、両者間における基板1の走行速度を制御することが
できる。また、一旦送りロール44から送り出された基
板1は、キャンロール47a〜47c、ガイドロール4
5、キャンロール47d,47eを介して巻取ロール4
6に巻き取られる。この走行経路において、基板1はそ
の一面側に順次以下の処理が施される。
In this film forming apparatus 100, the feed roll 44
When the substrate 1 is rotated and the substrate 1 wound around it is delivered, the take-up roll 46 is rotated to wind the substrate 1 following the path shown in the figure. At that time, by adjusting the rotation speeds of the feed roll 44 and the take-up roll 46, the traveling speed of the substrate 1 between them can be controlled. Further, the substrate 1 once fed from the feed roll 44, the can rolls 47a to 47c, the guide roll 4
5, winding roll 4 through can rolls 47d and 47e
Take up to 6. In this traveling route, the substrate 1 is sequentially subjected to the following processing on its one surface side.

【0030】まず、プラズマ電極48が発生させるプラ
ズマ放電によって、表面洗浄が行われ、次いで、ガイド
ロール45の蒸着源49Aと対向する位置に達すると、
ここで、蒸着源49Aによる真空蒸着によって有機層P
が成膜される。更に、ガイドロール45の蒸着源49B
と対向する位置に達すると、ここで、蒸着源49Bによ
るスパッタリングによって無機層Iが成膜される。こう
して基板1の上には有機層Pと無機層Iが順に成膜され
るが、これを送りロール44と巻取ロール46を回転さ
せながら行なうことによって基板1の上に有機層P,無
機層Iを連続的に成膜することができる。
First, the surface is cleaned by the plasma discharge generated by the plasma electrode 48, and when the position of the guide roll 45 facing the vapor deposition source 49A is reached,
Here, the organic layer P is vacuum-deposited by the vapor deposition source 49A.
Is formed. Further, the evaporation source 49B of the guide roll 45
When it reaches a position facing with, the inorganic layer I is deposited here by sputtering by the vapor deposition source 49B. In this way, the organic layer P and the inorganic layer I are sequentially formed on the substrate 1. By performing this while rotating the feed roll 44 and the winding roll 46, the organic layer P and the inorganic layer I are formed on the substrate 1. I can be continuously formed into a film.

【0031】次に、成膜の手順を説明する。初めに、素
子本体部10が形成された帯状の基板1を成膜装置10
0の送りロール44に巻回し、基板1が上述の経路に沿
って巻取ロール46まで走行するように調整する。更
に、真空チャンバ41を密閉したうえで、その内部を排
気バルブ42を通じて真空引きしておく。
Next, the procedure of film formation will be described. First, the strip-shaped substrate 1 on which the element body 10 is formed is formed into a film forming apparatus 10
The substrate 1 is wound around the 0 feed roll 44 and adjusted so that the substrate 1 travels to the take-up roll 46 along the above-described path. Further, the vacuum chamber 41 is hermetically sealed, and the inside thereof is evacuated through the exhaust valve 42.

【0032】続いて、プラズマ電極48にプラズマ放電
を発生させ、蒸着源49Aおよび蒸着源49Bにおいて
それぞれ蒸着を開始させておき、この状態で送りロール
44と巻取ロール46を回転させ、送りロール44に巻
回されている基板1を送り出すと同時に巻取ロール46
で巻き取るようにする。その際、蒸着源49Aおよび蒸
着源49Bへの投入電力は(蒸着速度を決めるため)、
基板1の走行速度との間で適宜調整するようにする。
Subsequently, plasma discharge is generated in the plasma electrode 48, and vapor deposition is started in the vapor deposition sources 49A and 49B respectively. In this state, the feed roll 44 and the take-up roll 46 are rotated to feed the feed roll 44. At the same time as the substrate 1 wound on the
Try to wind it up with. At that time, the input power to the vapor deposition sources 49A and 49B is (to determine the vapor deposition rate):
The travel speed of the substrate 1 is adjusted appropriately.

【0033】これにより、基板1は、キャンロール47
a,47bの間を走行するときに表面をプラズマ洗浄さ
れ、キャンロール47cを介してガイドロール45の蒸
着源49Aと対向する位置に達すると、表面に真空蒸着
により有機層Pが成膜される。更に、ガイドロール45
の蒸着源49Bと対向する位置に達すると、有機層Pの
上に、スパッタリングにより無機層Iが成膜される。こ
の後、基板1は、キャンロール47d,47eを介して
巻取ロール46に巻き取られるが、収容される基板1に
は、一面側に素子本体部10,有機層P,無機層Iが順
に成膜されている。
As a result, the substrate 1 is moved to the can roll 47.
When traveling between a and 47b, the surface is plasma-cleaned, and when it reaches a position facing the vapor deposition source 49A of the guide roll 45 via the can roll 47c, the organic layer P is formed on the surface by vacuum vapor deposition. . Further, the guide roll 45
When reaching a position facing the vapor deposition source 49B, the inorganic layer I is formed on the organic layer P by sputtering. After that, the substrate 1 is wound around the winding roll 46 via the can rolls 47d and 47e. The substrate 1 to be housed has the element body portion 10, the organic layer P, and the inorganic layer I in that order on one surface side. It has been formed into a film.

【0034】その際、素子本体部10と無機層Iとの間
に設けた有機層Pが応力を緩衝し、その影響を防止する
ようになっている。よって、成膜された基板1では、ロ
ールに巻き取られて曲げられたり張力を受けたりして
も、有機EL層3が剥がれたり無機層Iにクラックが生
じたりすることが少ない。
At this time, the organic layer P provided between the element body 10 and the inorganic layer I buffers the stress and prevents its influence. Therefore, in the formed substrate 1, the organic EL layer 3 is less likely to be peeled off or the inorganic layer I is cracked even if the substrate 1 is wound by a roll and bent or subjected to tension.

【0035】所定長さの基板1について成膜し終えた
ら、一旦、プラズマ電極48,蒸着源49Aおよび蒸着
源49Bを停止させ、送りロール44に基板1を巻き戻
す。なお、送りロール44と巻取ロール46を互換でき
るようにし、巻取り後に取り外した巻取ロール46を送
りロール44位置に取り付けるようにしてもよい。次
に、プラズマ電極48,蒸着源49Aおよび蒸着源49
Bを再び稼動させ、上記の工程と同様にして基板1上に
有機層P,無機層Iを成膜する。こうして、有機層Pお
よび無機層Iを一度に成膜する工程を繰り返すことで、
容易に有機層Pと無機層Iを所望の層数で周期的に積層
することができる。
After the film formation on the substrate 1 having a predetermined length is completed, the plasma electrode 48, the vapor deposition source 49A and the vapor deposition source 49B are once stopped, and the substrate 1 is rewound on the feed roll 44. The feed roll 44 and the take-up roll 46 may be made compatible with each other, and the take-up roll 46 removed after winding may be attached to the position of the feed roll 44. Next, the plasma electrode 48, the vapor deposition source 49A and the vapor deposition source 49
B is operated again, and the organic layer P and the inorganic layer I are formed on the substrate 1 in the same manner as the above steps. Thus, by repeating the step of forming the organic layer P and the inorganic layer I at one time,
The organic layer P and the inorganic layer I can be easily laminated periodically in a desired number of layers.

【0036】これにより、素子本体部10の表面に、有
機層Pと無機層Iとがそれぞれ2層以上交互に積層され
たバリア層20が形成される。ここでは、有機層Pと無
機層Iが大気に曝されることなく連続的にドライプロセ
スにより成膜されることで、これらの膜界面や膜中に水
分や酸素が取り込まれる危険性が防止される。
As a result, the barrier layer 20 in which two or more organic layers P and inorganic layers I are alternately laminated is formed on the surface of the element body 10. Here, since the organic layer P and the inorganic layer I are continuously formed by a dry process without being exposed to the atmosphere, the risk of water or oxygen being taken in at the film interface or in the film is prevented. It

【0037】最後に、例えば、紫外線硬化樹脂をスピン
コーティングして、厚さ10μmの保護層30をバリア
層20の上から覆うように形成する。こうして、有機E
L素子が製造される。
Finally, for example, an ultraviolet curable resin is spin-coated to form a protective layer 30 having a thickness of 10 μm so as to cover the barrier layer 20 from above. Thus, organic E
The L element is manufactured.

【0038】このように、本実施の形態では、素子本体
部10の上に設けられるバリア層20を無機層Iの間に
有機層Pを介するように積層して形成したので、バリア
層20内の応力が低減され、無機層Iにおけるクラック
の発生が防止される。また、バリア層20は、薄い層を
多く重ねることで所望の総厚を達成するようにしたの
で、無機層Iの1層あたりの厚みが薄くなることによっ
ても応力が軽減され、クラックが発生し難くなる。よっ
て、無機層Iを、クラック発生を防止しつつ所望の総厚
まで成膜することが可能となり、バリア層20は充分な
バリア性を備えることができる。これにより、有機EL
素子は劣化に強く、信頼性の高いものとなる。
As described above, in this embodiment, since the barrier layer 20 provided on the element body 10 is laminated between the inorganic layers I with the organic layer P interposed therebetween, the inside of the barrier layer 20 is formed. Is reduced, and the occurrence of cracks in the inorganic layer I is prevented. Further, since the barrier layer 20 is configured to achieve a desired total thickness by stacking a large number of thin layers, the stress is reduced and the cracks are generated even when the thickness of the inorganic layer I per layer is reduced. It will be difficult. Therefore, it becomes possible to form the inorganic layer I to a desired total thickness while preventing the occurrence of cracks, and the barrier layer 20 can have a sufficient barrier property. This allows organic EL
The element is resistant to deterioration and has high reliability.

【0039】同時に、従来では素子本体部の封止にガラ
ス蓋などを用いていたが、薄膜からなるバリア層20に
代えることで、有機EL素子はより薄型化が可能とな
る。また、有機層Pと無機層Iとが多層化されること
で、有機EL素子は、基板1の変形に追従できる可撓性
を兼ね備えたものとなる。
At the same time, a glass lid or the like is conventionally used to seal the element body, but the organic EL element can be made thinner by replacing the barrier layer 20 made of a thin film. Further, the organic layer P and the inorganic layer I are multi-layered, so that the organic EL element has flexibility that can follow the deformation of the substrate 1.

【0040】更に、バリア層20は有機層P1を第1層
としたので、無機層Iと素子本体部10の金属電極層4
との間に生じる応力も低減されて、無機層Iに発生する
クラックをより防止することができ、有機EL層3の剥
がれ等を防止することも可能となる。
Further, since the barrier layer 20 uses the organic layer P1 as the first layer, the inorganic layer I and the metal electrode layer 4 of the element body 10 are
The stress generated between and is also reduced, cracks generated in the inorganic layer I can be further prevented, and peeling of the organic EL layer 3 and the like can also be prevented.

【0041】また更に、有機層Pおよび無機層Iを真空
蒸着法により同一装置内で連続的に成膜するようにした
ので、水分や酸素を膜中や膜界面に含まないバリア層2
0が形成され、劣化に強い有機EL素子を得ることがで
きると共に、製造工程の簡素化や製造コストの低減を図
ることができる。なお、ここでは、基板1として帯状の
高分子基板を用いるようにしたので、成膜装置100に
よるロールコーティングが可能となり、量産性が飛躍的
に向上する。
Furthermore, since the organic layer P and the inorganic layer I are formed continuously by the vacuum evaporation method in the same apparatus, the barrier layer 2 containing neither moisture nor oxygen in the film or at the film interface is used.
It is possible to obtain an organic EL element that is resistant to deterioration because 0 is formed, and it is possible to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost. Here, since the belt-shaped polymer substrate is used as the substrate 1, roll coating by the film forming apparatus 100 is possible, and mass productivity is dramatically improved.

【0042】[0042]

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。な
お、本実施例では、上記実施の形態と同様の要素につい
ては同一の符号を付して対応させながら説明を行なう。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. In the present embodiment, the same elements as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and described.

【0043】(実施例1)基板1上の素子本体部10の
表面に有機層Pと無機層Iを各1層積層させ、バリア層
を形成した。用いた成膜装置は、真空蒸着のための蒸着
源と、スパッタリングのための蒸着源(ターゲット)を
共に1つの容器内に備えた真空成膜用の装置である。
Example 1 One layer each of the organic layer P and the inorganic layer I was laminated on the surface of the element body 10 on the substrate 1 to form a barrier layer. The film forming apparatus used is an apparatus for vacuum film forming, in which both an evaporation source for vacuum evaporation and an evaporation source (target) for sputtering are provided in one container.

【0044】まず、素子本体部10が形成された基板1
を装置内に設置し、その素子本体部10側の表面に、有
機層Pとしてシクロオレフィンポリマーを真空蒸着によ
り100nm成膜した。その際には、シクロオレフィン
ポリマーを粉砕し、これを蒸発材料としてタンタル(T
a)製ボートに入れて抵抗加熱により蒸着を行なった。
なお、成膜したシクロオレフィンポリマー層に対してF
T−IR測定を行ったところ、成膜前の蒸発材料と構造
が同じであることが明らかとなった。これにより、シク
ロオレフィンポリマーの成膜に蒸着法を用いることが可
能であることが確認できた。
First, the substrate 1 on which the element body 10 is formed
Was installed in the device, and a cycloolefin polymer was formed as a 100 nm-thick organic layer P on the surface of the element body 10 side by vacuum deposition. At that time, the cycloolefin polymer was pulverized and the tantalum (T
a) It was placed in a boat made by evaporation and vapor deposition was performed by resistance heating.
In addition, F was added to the formed cycloolefin polymer layer.
When T-IR measurement was performed, it became clear that the structure was the same as that of the evaporation material before film formation. From this, it was confirmed that the vapor deposition method can be used for the film formation of the cycloolefin polymer.

【0045】引き続き、シクロオレフィンポリマー膜の
上に、無機層Iとして窒化シリコン膜をスパッタリング
により200nm成膜した。その際の成膜条件は、ター
ゲットにSiを用い、アルゴンガスと窒素ガスの流量比
を88:12として装置内に導入し、ガス圧0.4P
a、RFパワー1.5kWとした。このようにして形成
されたバリア層には、窒化シリコン層にクラックの発生
は見られなかった。
Subsequently, a 200 nm thick silicon nitride film was formed as an inorganic layer I on the cycloolefin polymer film by sputtering. The film forming conditions at that time were as follows: Si was used as a target, the flow rate ratio of argon gas and nitrogen gas was 88:12, and the gas was introduced into the apparatus at a gas pressure of 0.4 P.
a, RF power was 1.5 kW. No crack was found in the silicon nitride layer of the barrier layer thus formed.

【0046】また、バリア層を形成した後に、この有機
EL素子を40℃、相対湿度90%の雰囲気下で60時
間以上放置したが、素子本体部10の劣化は認められな
かった。よって、形成されたバリア層がバリア性に優れ
ていることがわかる。
After forming the barrier layer, the organic EL device was left in an atmosphere of 40 ° C. and a relative humidity of 90% for 60 hours or more, but no deterioration of the device body 10 was observed. Therefore, it is understood that the formed barrier layer has excellent barrier properties.

【0047】(実施例2)基板1上の素子本体部10の
表面に、バリア層の第1層目として無機層I1を窒化シ
リコンにより成膜した。成膜条件は実施例1と同様であ
り、厚みは100nmとした。この窒化シリコン層には
クラックが見られなかった。また、成膜後の窒化シリコ
ンの屈折率を波長633nmの光を用いて測定したとこ
ろ、その値は2.0であり、密度の高い膜が得られたも
のと考えられる。従って、同様の窒化シリコン層を有機
層Pと交互に成膜することで、クラックのないバリア層
を形成することができることがわかる。
Example 2 On the surface of the element body 10 on the substrate 1, an inorganic layer I1 was formed as a first barrier layer by using silicon nitride. The film forming conditions were the same as in Example 1, and the thickness was 100 nm. No cracks were found in this silicon nitride layer. Further, when the refractive index of the deposited silicon nitride was measured using light with a wavelength of 633 nm, the value was 2.0, and it is considered that a film with high density was obtained. Therefore, it is understood that a barrier layer without cracks can be formed by alternately depositing the same silicon nitride layer and the organic layer P.

【0048】(比較例)基板1上の素子本体部10の表
面に、バリア層の第1層目として無機層I1を窒化シリ
コンにより成膜した。成膜条件は実施例1と同様であ
り、厚みは200nmとした。この窒化シリコン層に
は、クラックの発生が認められた。
(Comparative Example) On the surface of the element body 10 on the substrate 1, an inorganic layer I1 was formed as a first barrier layer by silicon nitride. The film forming conditions were the same as in Example 1, and the thickness was 200 nm. Generation of cracks was observed in this silicon nitride layer.

【0049】実施例1および比較例より、実施例1で
は、素子本体部10との間にシクロオレフィンポリマー
層が設けられることで窒化シリコン層に生じる応力が抑
制されたと考えられる。また、実施例1,実施例2およ
び比較例より、バリア層として第1層目に無機層Iを形
成する場合、有機層Pを第1層目とする場合に比べてク
ラックが発生しやすく、その厚みはより薄く設定される
必要があることが示唆される。
From Example 1 and Comparative Example, it is considered that in Example 1, the stress generated in the silicon nitride layer was suppressed by providing the cycloolefin polymer layer with the element body 10. Further, according to Examples 1, 2 and Comparative Example, when the inorganic layer I is formed as the first layer as the barrier layer, cracks are more likely to occur than when the organic layer P is the first layer, It is suggested that the thickness needs to be set thinner.

【0050】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態および実
施例に限定されるものではなく、種々変形が可能であ
る。例えば、上記実施の形態では、バリア層20を、素
子本体部10側より有機層P1,無機層I1,・・・有
機層Pn,無機層Inと、有機層Pから始めてそれぞれ
n層(n≧2)積層されたものとしたが、バリア層20
の1層目および最外層は有機層Pおよび無機層Iのどち
らであっても構わないし、有機層Pおよび無機層Iが同
数ではなく、どちらかが1層多くともよい。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments and examples, the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the barrier layer 20 includes the organic layers P1, the inorganic layers I1, ... 2) The barrier layer 20 is assumed to be laminated.
The first layer and the outermost layer may be either the organic layer P or the inorganic layer I, and the number of the organic layers P and the inorganic layers I is not the same, and either one may be more than one layer.

【0051】また、上記実施の形態では、成膜装置10
0は蒸着源49A,蒸着源49Bが設けられ、一度のロ
ールコーティングで2層形成するものとして説明した
が、蒸着源49の数や種類は任意に選ぶことが可能であ
る。また、各層の成膜を必ずロールコーティング法によ
って行なう必要がないことは勿論である。そのような成
膜装置の変形としては、例えば、1つの真空チャンバ3
1に蒸着源49を複数設けて、一回のロールコーティン
グもしくは基板を一巡させる間にて多層を形成するよう
にしてもよい。また、1つの真空チャンバをいくつかの
領域に仕切り、その間に基板1を走行させるようにして
もよい。いずれにしても、有機層Pと無機層Iとを大気
暴露することなく連続して成膜できる構造であればよ
い。更に、有機層Pと無機層Iのみならず、素子本体部
10あるいは保護膜30についても蒸着源49を設け、
成膜装置100内でロールコーティングによって形成す
るようにしてもよい。
Further, in the above embodiment, the film forming apparatus 10
In the description of 0, the vapor deposition sources 49A and 49B are provided and two layers are formed by one roll coating, but the number and type of the vapor deposition sources 49 can be arbitrarily selected. Further, it goes without saying that the film formation of each layer does not necessarily have to be performed by the roll coating method. As a modification of such a film forming apparatus, for example, one vacuum chamber 3
A plurality of vapor deposition sources 49 may be provided in one to form a multilayer during one roll coating or one cycle of the substrate. Further, one vacuum chamber may be partitioned into several areas, and the substrate 1 may be run between them. In any case, any structure may be used as long as the organic layer P and the inorganic layer I can be continuously formed without exposure to the atmosphere. Furthermore, not only the organic layer P and the inorganic layer I but also the vapor deposition source 49 is provided not only for the element body 10 or the protective film 30.
It may be formed by roll coating in the film forming apparatus 100.

【0052】更に、素子本体部の構造は上記実施の形態
で示した構造に限らず、発光層に有機化合物を用いた有
機EL素子として構成可能なものであればよい。
Further, the structure of the element body is not limited to the structure shown in the above-mentioned embodiment, and any structure can be used as long as it can be configured as an organic EL element using an organic compound in the light emitting layer.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように請求項1ないし請求
項6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子によれ
ば、有機層と無機層とが交互に成膜され積層された構造
を有すると共に、素子本体部の基板と反対側の面に接す
るバリア層備えるようにしたので、水分や酸素をほとん
ど含有せず、クラックの発生が抑制されることで水分や
酸素を遮断するのに充分なバリア性を有するバリア層に
よって素子本体部が保護され、その劣化が防止される。
よって、素子の信頼性を向上させることができる。ま
た、無機層の間に有機層を介在させたバリア層は曲げに
強く、素子自体を可撓性を備えたものとすることが可能
である。更に、バリア層は、従来封止に用いられてきた
ガラス蓋などに比べてより薄型化が可能となる。
As described above, according to the organic electroluminescent element of any one of claims 1 to 6, an organic layer and an inorganic layer are alternately deposited and laminated. As well as having a barrier layer in contact with the surface of the element body portion opposite to the substrate, it contains almost no moisture or oxygen and is sufficient to block moisture or oxygen by suppressing the occurrence of cracks. The element body portion is protected by the barrier layer having a good barrier property and its deterioration is prevented.
Therefore, the reliability of the element can be improved. Further, the barrier layer in which the organic layer is interposed between the inorganic layers is resistant to bending, and the element itself can be provided with flexibility. Furthermore, the barrier layer can be made thinner than a glass lid or the like that has been conventionally used for sealing.

【0054】また、請求項7ないし請求項13のいずれ
か1項に記載の有機電界発光素子の製造方法によれば、
素子本体部の上に、有機層と無機層を交互に真空成膜し
てバリア層を形成する工程を含むようにしたので、水分
や酸素をほとんど含有しないバリア層により素子本体部
が封止され、劣化が防止された有機電界発光素子を得る
ことができる。また、有機層と無機層を連続して成膜す
ることができ、製造工程の簡素化や製造コストの低減を
図ることが可能となる。
Further, according to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to any one of claims 7 to 13,
Since a step of forming a barrier layer by alternately vacuum-depositing an organic layer and an inorganic layer on the element body is included, the element body is sealed with a barrier layer containing almost no water or oxygen. Thus, it is possible to obtain an organic electroluminescence device in which deterioration is prevented. Further, the organic layer and the inorganic layer can be continuously formed, and the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る有機EL素子の概
略図である。
FIG. 1 is a schematic view of an organic EL element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態に係る成膜装置を側面か
ら見た概略図である。
FIG. 2 is a schematic view of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention as seen from a side surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…透明電極層、3…有機EL層、4…金属
電極層、10…素子本体部、20…バリア層、30…保
護層、41…真空チャンバ、42…排気バルブ、43…
ガス導入バルブ、44…送りロール、45…ガイドロー
ル、46…巻取ロール、47…キャンロール、48…プ
ラズマ電極、49A,49B…蒸着源、100…成膜装
置、P…有機層、I…無機層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Transparent electrode layer, 3 ... Organic EL layer, 4 ... Metal electrode layer, 10 ... Element body part, 20 ... Barrier layer, 30 ... Protective layer, 41 ... Vacuum chamber, 42 ... Exhaust valve, 43 ...
Gas introduction valve, 44 ... Feed roll, 45 ... Guide roll, 46 ... Winding roll, 47 ... Can roll, 48 ... Plasma electrode, 49A, 49B ... Vapor deposition source, 100 ... Film forming apparatus, P ... Organic layer, I ... Inorganic layer

フロントページの続き (72)発明者 小林 正人 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB11 AB13 AB15 AB18 BA07 BB00 CA06 CB01 DA01 DB03 EA01 EA04 EB00 FA01 FA02Continued front page    (72) Inventor Masato Kobayashi             6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Soni             -Inside the corporation F-term (reference) 3K007 AB11 AB13 AB15 AB18 BA07                       BB00 CA06 CB01 DA01 DB03                       EA01 EA04 EB00 FA01 FA02

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、 第1の電極層と第2の電極層との間に有機電界発光層を
有し、前記基板の一面側に接する素子本体部と、 有機層と無機層とが交互に成膜され積層された構造を有
すると共に、前記素子本体部の前記基板と反対側の面に
接するバリア層とを備えた有機電界発光素子。
1. A substrate, an element main body portion having an organic electroluminescent layer between the first electrode layer and the second electrode layer, which is in contact with one surface side of the substrate, and an organic layer and an inorganic layer. An organic electroluminescence device having a structure in which films are alternately formed and stacked, and a barrier layer in contact with a surface of the device body opposite to the substrate.
【請求項2】 前記有機層および前記無機層は、真空成
膜法により成膜されていることを特徴とする請求項1記
載の有機電界発光素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic layer and the inorganic layer are formed by a vacuum film forming method.
【請求項3】 前記有機層および前記無機層は、蒸着
法、スパッタリング法およびCVD法のいずれかにより
成膜されていることを特徴とする請求項2記載の有機電
界発光素子。
3. The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the organic layer and the inorganic layer are formed by any one of a vapor deposition method, a sputtering method and a CVD method.
【請求項4】 前記バリア層のうち前記素子本体部と接
する層が有機層であることを特徴とする請求項1記載の
有機電界発光素子。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein a layer of the barrier layer that is in contact with the device body is an organic layer.
【請求項5】 前記基板は可撓性を有する材料よりなる
ことを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the substrate is made of a flexible material.
【請求項6】 前記基板は高分子材料よりなることを特
徴とする請求項5記載の有機電界発光素子。
6. The organic electroluminescent device according to claim 5, wherein the substrate is made of a polymer material.
【請求項7】 基板の一面側に、第1の電極層、有機電
界発光層および第2の電極層を順に成膜し、素子本体部
を形成する工程と、 前記素子本体部の上に、有機層と無機層を交互に真空成
膜してバリア層を形成する工程とを含むことを特徴とす
る有機電界発光素子の製造方法。
7. A step of sequentially forming a first electrode layer, an organic electroluminescent layer, and a second electrode layer on one surface side of the substrate to form an element body portion; and, on the element body portion, And a step of forming a barrier layer by alternately vacuum-depositing an organic layer and an inorganic layer.
【請求項8】 前記有機層と前記無機層とを連続して成
膜することを特徴とする請求項7記載の有機電界発光素
子の製造方法。
8. The method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 7, wherein the organic layer and the inorganic layer are continuously formed.
【請求項9】 前記素子本体部の形成工程の少なくとも
一部を前記バリア層の形成工程と連続して行なうことを
特徴とする請求項8記載の有機電界発光素子の製造方
法。
9. The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 8, wherein at least a part of the process of forming the device body is continuously performed with the process of forming the barrier layer.
【請求項10】 前記有機層および前記無機層を蒸着
法、スパッタリング法およびCVD法のいずれかにより
成膜することを特徴とする請求項7記載の有機電界発光
素子の製造方法。
10. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 7, wherein the organic layer and the inorganic layer are formed by any one of a vapor deposition method, a sputtering method and a CVD method.
【請求項11】 前記バリア層の形成工程において前記
素子本体部の直上にまず有機層を成膜することを特徴と
する請求項7記載の有機電界発光素子の製造方法。
11. The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, wherein in the step of forming the barrier layer, an organic layer is first formed immediately above the device body.
【請求項12】 前記基板として可撓性を有する基板を
用いることを特徴とする請求項7記載の有機電界発光素
子の製造方法。
12. The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, wherein a flexible substrate is used as the substrate.
【請求項13】 前記基板に高分子基板を用いることを
特徴とする請求項12記載の有機電界発光素子の製造方
法。
13. The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 12, wherein a polymer substrate is used as the substrate.
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