KR101194375B1 - 구형의 Ｃｕ２ＩｎＧａＳｅ２응집체를 포함하는 광흡수 층 및 이를 이용한 태양전지, 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
구형의 Cu2InGaSe2 응집체를 포함하는 광흡수 층 및 이를 이용한 태양전지, 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 광흡수 층은 광흡수 나노입자들이 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 응집되어 이루어진 응집체를 포함하는 제 1 광흡수 층; 및 상기 제 1 광 흡수층 상에 도포된 제 2 광흡수 층을 포함하며, 본 발명에 의하면, 나노입자들이 응집되어 형성된 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들과 광흡수 전구체를 함유하는 용액으로부터 코팅되어 형성된 제 2의 광흡수 막이 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들 사이의 기공을 채우고, 광흡수 응집체들의 거친 표면을 매끄럽게 코팅하여 줌으로써, 표면 거칠기가 없고, 기공이 잘 채워져 있는 치밀한 태양전지 광흡수 층을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 광흡수 층은 광흡수 나노입자들이 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 응집되어 이루어진 응집체를 포함하는 제 1 광흡수 층; 및 상기 제 1 광 흡수층 상에 도포된 제 2 광흡수 층을 포함하며, 본 발명에 의하면, 나노입자들이 응집되어 형성된 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들과 광흡수 전구체를 함유하는 용액으로부터 코팅되어 형성된 제 2의 광흡수 막이 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들 사이의 기공을 채우고, 광흡수 응집체들의 거친 표면을 매끄럽게 코팅하여 줌으로써, 표면 거칠기가 없고, 기공이 잘 채워져 있는 치밀한 태양전지 광흡수 층을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 나노미터 크기를 갖는 제 1 광흡수 나노입자들 (Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나)이 서로 자기조립되어 이루어진 구형 내지는 타원형상을 포함하는 제 1 광흡수 응집체 층과, 응집체 사이의 공간을 제 2의 광흡수 층 (Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나)이 채워서 형성된 박층 및 이를 광흡수 층으로 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 광흡수 나노입자가 자기조립되어 이루어진 제 1 광흡수 응집체 층과 전구체 용액으로부터 열처리 되어 형성된 제 2 광흡수 층이 제 1 광흡수 응집체 사이의 기공을 채우고, 표면에 코팅되어 치밀한 광흡수막을 형성하는 태양전지 광흡수 층 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
박막 태양전지 중에서 최근들어 CuInGaSe2 (CIGS) 태양전지가 큰 주목을 받고 있다. CIGS를 광흡수층으로 이용한 태양전지는 CIGS의 높은 광흡수 계수 (> 104 cm-1) 특성으로 인하여, 현재까지 최고 20%에 달하는 광효율을 보여주고 있다. 박막형 CIGS 태양전지는 1~3 ㎛의 두께로 비교적 얇게 제작이 되기 때문에 재료의 소모가 적고, 오랜 시간 사용 후에도 성능의 열화가 잘 되지 않는 우수한 물성을 가지고 있다. 특히 에너지 밴드 갭이 1.04 eV로 이상적인 값에 가깝고, Se와 Ga 등의 함량 조절에 의하여 에너지 밴드 갭의 조절이 가능하다. CIGS 광흡수 층 제조방법으로 동시증착(co-evaporation) 법, 유기금속 기상 성장법(molecular organic chemical vapor deposition), electrodeposition 법 또는 스퍼터링 법 증착 후 H2Se 분위기에서 selenization 열처리 하는 방법 등과 같이 매우 대양하다. 최근에는 비진공 공정으로, CIGS 나노입자 분산용액을 제조하고 이를 프린팅(printing)하여 광흡수 층을 제조하는 연구들이 활발히 진행이 되고 있다. 그러나 4성분계 CIGS의 비화학양론 조성비가 정확하게 조절이 되면서, 20 nm 이하의 크기를 갖는 CIGS 나노입자를 대량으로 제조하는 것은 여전히 큰 숙제이며, 원활한 프린팅 공정을 위해 CIGS 나노분산용액에 첨가되는 분산제는 최종 열처리 후에 잔류 카본을 남겨, CIGS의 광학 특성을 크게 저하시키는 문제점이 발생한다. 이를 위해서는 고분자 바인더(binder)의 사용을 최소로 하여, 최종 열처리 공정 후에 잔류물질이 남지 않도록 하는 것이 중요하다. 또한 P-type CIGS 광흡수 층과 N-type CdS 층 사이의 계면이 균일해야 한다. CIGS 박층이 거대한 기공과 거친 표면을 가지지 않도록 치밀하면서도 표면이 균일한 CIGS 박층을 형성하는 것이 중요하다. 이를 위해서는 비진공 공정 기술을 이용하여 박층을 형성하는 것이 중요하며, 기존의 프린팅이나 스핀코팅 공정과 차별화된 제조공정 기술을 이용하여 제 1 광흡수 층 나노입자의 균일한 응집과 제 2 광흡수 층이 제 1 광흡수 응집체들 사이의 기공을 채워서 박층을 치밀하게 하여 광흡수 층과 N-type CdS 층의 계면 특성이 우수한 광흡수 층 제조 기술이 필요하다.
본 발명의 목적은, 제 1의 광흡수 나노입자가 응집되어 형성된 응집체들을 포함하고, 응집체들 사이의 기공과 표면에 제 2의 광흡수 막을 코팅하여 형성된 태양전지 광흡수 층 및 그 제조방법을 제공하는 것으로서,
구체적으로 본 발명의 목적은,
첫째, 구형, 타원형, 도우넛형 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 형상으로 응집된 제 1의 광흡수 나노입자 응집체 및 그 제조 방법을 제공하고,
둘째, 응집체 위에 광흡수 전구체를 함유하는 용액을 코팅하여 제 1의 광흡수 응집체들 사이의 기공이 채워지도록 제 2의 광흡수 막을 제공하며,
셋째, H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 열처리하여, 제 1의 광흡수 응집체를 구성하는 나노입자간의 결합력을 증대시키고, 제 2의 광흡수 전구체를 함유하는 용액을 결정화 시켜, 제 1 광흡수 층과 제 2 광흡수막이 결합된 치밀한 태양전지 광흡수 층을 제공하고,
넷째, 상기 치밀한 태양전지 광흡수 층을 빠른 수율로 대면적으로 생산할 수 있는 제조방법을 제공한다.
본 발명의 태양전지 광흡수 층은 제 1의 광흡수 나노입자가 응집되어 형성된 구형, 도우넛형 및 타원형으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 형태를 갖는 응집체들로 구성이 되며, 각 응집체들 사이를 기공을 제 2의 광흡수막으로 채워 넣어 치밀도를 높인 광흡수 층을 포함한다. 특히 제 1의 광흡수 응집체와 제 2의 광흡수 막을 서로 하나의 층으로 연결하기 위하여, H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 열처리를 진행하여, 제 1의 광흡수 응집체와 제 2의 광흡수 코팅 층이 서로 하나의 막으로 연결된 광흡수 층을 제공한다. 본 발명의 태양전지 광흡수 층의 제조방법은, (a) 제 1의 광흡수 나노입자 분산용액을 준비하는 단계, (b) Mo(몰리브데늄) 집전체 전극이 코팅된 유리기판 상에 제 1의 광흡수 나노입자 분산용액을 전기분사하여 광흡수 나노입자 응집체를 형성하는 단계 및 (c) 상기 제 1의 광흡수 나노입자 응집체를 압착하여 밀도를 높이는 단계 및 (d) 상기 제 1의 광흡수 나노입자 응집체 층 위에 제 2의 광흡수 전구체를 함유하는 분산용액을 전기분사하여 응집체들 사이의 기공을 제 2의 광흡수 전구체 용액으로 채우고, 제 1의 광흡수 응집체의 표면 또한 균일하게 코팅하는 단계, 및 (e) 제 1의 광흡수 응집체 층과 제 2의 광흡수 전구체 용액 코팅 층을 H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 열처리하여, 제 2의 광흡수 전구체용액 코팅 층이 결정화 되어 제 1의 광흡수 응집체 층과 서로 결합된, 단일의 치밀한 광흡수 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 나노입자들이 응집되어 형성된 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들과 광흡수 전구체를 함유하는 용액으로부터 코팅되어 형성된 제 2의 광흡수 막이 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들 사이의 기공을 채우고, 광흡수 응집체들의 거친 표면을 매끄럽게 코팅하여 줌으로써, 표면 거칠기가 없고, 기공이 잘 채워져 있는 치밀한 태양전지 광흡수 층을 형성할 수 있다. 또한 후속 열처리 공정 내지는 광소결(제논램프를 이용한 소결) 공정을 통해, 제 1의 광흡수 응집체들을 구성하는 나노입자들 간의 결합력을 증대시키고, 제 2의 광흡수 전구체 용액이 결정질 광흡수 막으로 형성되는 과정을 통해, 기계적 안정성이 높고, 제 1 광흡수 층과 제 2 광흡수 코팅 층이 전기적으로도 잘 연결되어 있는 태양전지 광흡수 층을 형성할 수 있다. 또한 제 1의 광흡수 응집체 층의 두께를 조절함으로써, 제 2의 광흡수 막과 결합된 전체 광흡수 층의 두께를 손쉽게 조절할 수 있다. 무엇보다도 본 공정은 바인더가 포함되지 않은 나노입자 분산용액 또는 전구체 포함 분산용액으로부터 전기분사 되어 제 1 광흡수 응집체와 제 2 광흡수막이 형성되기 때문에, 최종 열처리를 거쳐 얻어진 광흡수 층에 있어서 잔류 카본의 함유량을 최소화 할 수 있는 장점이 있다. 또한 분사 노즐의 숫자를 수십 ~ 수천 개로 늘려서, 1 m x 1 m 이상의 넓은 면적을 손쉽게 코팅할 수 있어, 대면적 연속생산 공정에도 적합하다.
본 발명의 CIGS 태양전지의 구성요소인 P-type 광흡수 층은 태양전지 모듈을 제공한다.
또한, 제 1 광흡수 응집체 층의 형성 후에 압착 과정을 도입하고 추가적인 열처리 과정을 통해 제 1의 광흡수 응집체의 밀도를 높일 수 있으며, 제 2의 광흡수층의 코팅 후의 표면 거칠기를 최소화할 수 있다. 이를 통해 전기적, 기계적 안정성이 높은 태양전지 층을 제조할 수 있고, 제 1의 광흡수 응집체 층을 얻기 위한 전기분사 시간의 조절 및 제 2의 광흡수 층을 얻기 위한 전기분사 시간을 조절하여 전체 태양전지 광흡수 층의 두께를 손쉽게 조절하여 박막 두께를 최적화 할 수 있다.
도 1은 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들 사이의 기공을 채우면서 형성된 제 2의 광흡수 박층으로 이루어진 광흡수 층의 형태를 나타낸 개념도이다.
도 2는 연속 전기분사법을 이용한 본 발명에 따른 태양전지 광흡수 층의 제조공정의 모식도이다.
도 3은 실시예에 따라 제조된 제 1 광흡수 응집체 층의 주사전자현미경 사진이며,
도 4는 실시예에 따라 제조된 제 1광흡수 응집체 층 위에 제 2 광흡수 전구체 코팅 층을 형성하고 열처리한 후에 관찰한 주사전자현미경 사진이다.
도 2는 연속 전기분사법을 이용한 본 발명에 따른 태양전지 광흡수 층의 제조공정의 모식도이다.
도 3은 실시예에 따라 제조된 제 1 광흡수 응집체 층의 주사전자현미경 사진이며,
도 4는 실시예에 따라 제조된 제 1광흡수 응집체 층 위에 제 2 광흡수 전구체 코팅 층을 형성하고 열처리한 후에 관찰한 주사전자현미경 사진이다.
본 발명의 제 1의 광흡수 나노입자 응집체는 구형, 도우넛형 및 타원형으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 형태를 갖는 응집체를 포함하고, 상기 나노입자는 결정질 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나의 나노입자이다. 나노입자 응집체 사이에 존재하는 기공을 채우기 위하여 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 제 2의 광흡수 박층이 응집체 사이의 기공을 매우고, 제 1의 광흡수 응집체의 표면에 코팅이 되어, 치밀한 태양전지 광흡수 층을 구성한다. 제 1 및 제 2의 광흡수 층은 밴드갭의 조절을 위하여, In과 Ga의 비율을 조절하거나, S 원소를 첨가하는 공지된 기술을 이용하여 얼마든지 조절이 가능하다. 도 1을 참조하면 Mo 전극(200)이 코팅된 유리기판(100) 상에 형성된 상기 제 1의 광흡수 나노입자가 응집된 응집체(400)의 크기는 100 nm ~ 3 ㎛의 크기 범위를 갖으며, 응집체를 구성하는 나노입자(300)의 크기는 2 nm ~ 200 nm의 크기를 갖는다. 여기서 응집체란 표면에너지를 최소화하기 위하여 나노입자들이 스스로 뭉쳐져서 이루어진 집합적인 덩어리를 의미한다. 이러한 광흡수 나노입자 응집체는 상당히 치밀한 응집체를 구성함을 도 1의 모식도에서 관찰할 수 있다. 응집체 사이에 존재하는 기공을 최소화하고, 치밀한 태양전지 광흡수 층을 구성하기 위하여, 구형, 타원형 또는 도우넛형으로 이루어진 제 1의 광흡수 응집체 층을 압착하여 충진 밀도를 높이고, 치밀하게 압착된 제 1 광흡수 층을 형성한다. 추가적으로 응집체들 사이의 열린 기공을 채우고, 매끄러운 표면을 얻기 위하여, 제 2의 광흡수 박층을 구성할 수 있는 전구체가 포함된 용액을 제 1의 광흡수 응집체 층 위에 도포하고, 후속 열처리를 진행하여, 제 1의 광흡수 층과 제 2 광흡수 박층이 균일하게 결합된 광흡수 층을 제조한다.
후속 열처리는 응집체를 구성하는 나노입자의 입자성장이 원활하게 일어날 수 있도록, H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 열처리를 진행한다. 상기의 열처리를 통해 제 1 광흡수 응집체로 구성된 박층은 더욱 치밀해지거나, 거대 입자로 성장이 되고, 제 2 광흡수 코팅 층은 전구체 상으로부터 결정화가 이루어 결정질 광흡수 층을 형성하게 된다. 이러한 결정화 과정에서 제 1의 광흡수 층과 제 2의 광흡수 박층이 하나의 치밀한 박층으로 연결이 될 수 있다.
본 발명의 Chalcopyrite 계열의 태양전지 광흡수 층을 포함하는 태양전지는 순차적으로 적층된 Mo 전극이 코팅된 유리기판, P-type 광흡수 층, N-type CdS 버퍼 층, Al-doped ZnO 층, FTO가 코팅된 유리기판을 포함하여 이루어진다. 여기서 P-type 광흡수 층은 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 태양전지 광흡수 층의 제조방법은 도 1과 도 2의 제조공정 모식도에서 보여지듯이, (a) 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 준비하는 단계, (b) 태양전지 집전체 상에 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 전기분사하여 광흡수 나노입자 응집체를 형성하는 단계 및 (c) 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체 위에, 제 2 광흡수 전구체를 포함하는 용액을 전기분사하여, 광흡수 응집체 사이의 열린 기공을 채우고, 광흡수 응집체의 표면을 도포하는 단계 및 (d) 제 1 광흡수 응집체의 입자크기 증대와 제 2 광흡수 층의 결정화를 위한 후열처리 공정을 진행하는 단계를 포함한다. 본 발명에서 태양전지 집전체는 전극이 구비된 기판을 기존 구조로 하면, 본 발명의 일 실시예에서는 Mo 전극이 코팅된 유리기판을 집전체로 사용하였다. 하지만, 본 발명의 범위는 이에 제한되지 않으며, 광흡수 층이 코팅이 될 수 있는 임의의 전극이 형성된 기판이 본 발명의 집전체에 해당한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 상기 단계 (b)와 (c) 사이에 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체를 압착하여 밀도를 높이는 단계를 더 포함하며, 제 1 광흡수 응집체의 입자크기 증대와 제 2 광흡수 층의 결정화를 위한 후열처리 공정은 H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 진행된다.
상기 제 1 광흡수 나노입자를 포함하는 용매는 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, IPA, 디메틸포름아마이드(dimethylformamide; DMF), 아세톤, 데트라하이드로퓨란, 톨루엔, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종이 사용될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 전기분사 과정에서 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 나노입자들이 잘 응집될 수 있도록 비점(휘발점)이 80 oC 이하인 용매를 70%이상 함유하는 용매를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 전기분사는, 제 1 광흡수의 박층 두께가 200 nm 내지 3 ㎛가 되도록 수행하는 것일 수 있고, 상기 열처리는, H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 300℃ 내지 500℃에서 10초 내지는 2시간 수행하는 것일 수 있다.
본 발명의 제 1 광흡수 나노입자 응집체를 포함하는 광흡수 층의 제조방법에서, 광흡수 나노입자 분사용액은 전체 용액대비 0.5 ~ 20 wt%의 함유량을 갖는다. 나노입자 분산용액을 전기분사하여 얻어진 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 나노입자 응집체의 크기는 100 nm ~ 3 ㎛가 되도록 한다. 이때 용액상에 분산되어 있는 제 1 광흡수 나노입자는 2 nm ~ 200 nm의 크기를 갖는다.
본 발명의 제 2 광흡수 박층을 제조하기 위하여, Cu 전구체, In 전구체, Ga 전구체, Se 전구체, Zn 전구체, Sn 전구체 등이 용해될 수 있는 용매를 선정하고, 각각의 전구체가 균일하게 녹아있는 용액을 제조한다. 이때 제 2 광흡수 박층을 구성할 수 있는 전구체를 녹일 수 있는 용매면 특정 용매에 제약을 두지는 않는다. 제 1 광흡수 응집체 사이의 기공을 채우고, 제 1 광흡수 응집체의 표면을 코팅하기 위하여 제 2 광흡수 분사용액을 전기분사 방법을 이용하여 제 1 광흡수 응집체층 위에 코팅한다. 코팅 후에는 제 1 광흡수 응집체 층의 조대화와 제 2 광흡수 코팅 막의 결정화를 위하여 H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 300℃ 내지 500℃에서 10초 내지는 2시간 후열처리를 진행한다.
본 발명의 태양전지 광흡수 층의 제조방법을 단계별로 상세히 설명하면 다음과 같다.
분사용액의 준비 단계
먼저, 광흡수 나노입자가 분산되어 있는 제 1 분산용액과 광흡수 전구체가 녹아있는 제 2 분산용액을 준비한다. 각각의 분산용액은 전기분사 공정을 위한 용액으로 사용이 된다. 일반적으로 광흡수 나노입자의 경우 입자간의 응집이 일어나서, 수백 - 수 μm 크기의 응집된 분말로 존재하게 된다. 안정적인 전기분사 과정을 위해 0.1 mm 이하의 지르코니아 볼을 이용하여 습식 분위기 하에서 마이크로비드 밀링을 진행하여 균일한 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 제조하는 것이 중요하다. 상기의 제 1 광흡수 나노입자는 2 nm ~ 200 nm 의 크기를 갖는 것이 바람직하며, 벌크 광흡수 입자로부터, 볼밀링(ball-milling)과 마이크로 비드 밀링(microbead-milling) 과정을 단계적으로 거쳐서 제조할 수도 있고, 수열합성(hydrothermal) 및 용융열합성(solvothermal)법과 같은 Bottom-up 공정을 이용하여 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나의 광흡수 나노입자를 화학적으로 직접 제조하는 것도 가능하다. 분사용액으로 사용 가능한 제 1 광흡수 나노입자면 특정 합성 조건에 제약을 두지는 않는다. 본 실시예에서는 볼밀링 공정과 마이크로 비드밀링 과정을 거쳐서 제조된 Cu2InGaSe2 나노입자를 이용하여, 에탄올 상에 균일하게 분산된 분사용액을 제조하였다.
또한 광흡수 전구체가 녹아있는 제 2 분사용액을 제조한다. 상기의 제 1 분사용액과 제 2 분사용액을 하나로 혼합하여 전구체와 나노입자가 혼합되어 있는 분산용액을 제조할 수도 있다. 또한 나노입자와 전구체가 함께 포함되어 있는 분산용액을 전기분사하여 광흡수 층을 제조하는 것도 가능하다.
상기 분산용액을 구성하는 용매로는 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, IPA, 디메틸포름아마이드(dimethylformamide; DMF), 아세톤, 데트라하이드로퓨란, 톨루엔, 물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다.
나아가, 상기 분사용액에는 원활한 분사를 위해 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제로는 아세트산, 스테아릭산, 아디픽산, 에톡시아세틱산, 벤조익산, 니트릭산, 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드 (Cetyltrimethyl ammonium bromide; CTAB) 등을 사용할 수 있다.
전기분사에 의한 제 1
광흡수
응집체 층의 제조 단계
상기의 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체가 용해된 분산용액을 각각 전기분사 장치에 따로 장착하여 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 전기분사 한 후에 제 2 광흡수 전구체가 용해된 분산용액을 전기분사한다. (도 2 참조). 또한 제 1 광흡수 분산용액과 제 2 광흡수 분산용액을 동시에 전기분사 하는 것도 가능하다. 또한 두 가지 분산용액을 동시에 혼합한 분산용액을 전기분사 하는 것도 가능하다. 전기장 하에서 스프레이(분사)를 진행하기에 앞서, 분산용액을 재차 초음파 분쇄기 등으로 1 내지 60 분 정도 교반을 한 후에 전기분사를 진행한다. 전기분사 장치는 분산액을 정량적으로 투입할 수 있는 정량펌프에 연결된 분사노즐, 고전압 발생기, 접지된 전도성 기판 등으로 구성된다. 먼저 Mo가 코팅된 유리기판을 접지된 전도성 기판 상에 위치시킨다. 이때 접지된 전도성 기판을 음극으로 사용하고, 시간당 토출량이 조절되는 펌프가 부착된 분사노즐을 양극으로 사용한다. 전압 8 - 30 kV를 인가하고 용액 토출 속도를 10 - 300 ㎕/분으로 조절하여 박층의 두께가 200 nm - 3 ㎛의 두께가 형성될 때까지 집전체 위에 분사한다. 적절한 광흡수를 위하여 1 ~ 4 ㎛의 두께 범위에서 광흡수 층의 두께를 정한다.
전기장 하에서 나노입자 분산용액을 스프레이하여 코팅하는 경우, 분사노즐에서 토출된 나노입자들은 표면에너지를 최소화하기 위하여 입자들 간의 뭉침 현상이 관찰이 된다. 표면에너지가 가장 낮은 형상은 구형이기 때문에, 분사노즐의 구멍크기, 토출속도, 분산용액의 나노입자 농도, 분사 거리 등의 조건이 최적화가 이루어지면, 평균 입경 100 ㎚ ~ 3 ㎛의 크기의 응집체를 형성하게 된다. 경우에 따라서는 구형이 아닌 타원형 내지는 도우넛 형의 응집체가 형성이 될 수도 있다. 제 1 광흡수 나노입자가 응집되어 형성된 구형 응집체의 크기는 100 nm 내지 3000 nm의 범위를 가지며, 타원형 응집체의 크기는 100 nm 내지 3000 nm의 범위를 갖고, 장단축의 비가 1 초과 5 이하의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다. 또한 도우넛형 응집체의 경우 그 크기는 외경이 500 nm 내지 3000 nm의 범위를 가지며, 내경이 100 nm 내지 2000 nm의 범위를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 제 1 광흡수 나노입자들이 응집되어 이루어진 응집체의 특정 형상에 제약을 두지는 않는다. 전기분사 후에 응집체를 구성하기 위해서는 용매의 휘발속도 또한 매우 중요하다. 비점이 물보다 낮은 용매로는 에탄올(CH3CH2-OH, 78℃), 메탄올(CH3-OH, 68℃), tetrahydrofuran (THF, 66℃), 아세톤(CH3COCH3, 56.2℃) 등이 있으며, 응집체의 형성을 위하여 상기의 용매가 충분히 포함된 분산용액을 전기분사하는 것을 특징으로 한다.
구체적으로, 휘발성이 강한 에탄올을 이용하는 경우 분사가 이루어지는 분사노즐에서 나노입자들이 분사됨과 동시에 용매의 휘발이 이루어지기 때문에, 전하를 띈 입자들이 표면적을 최소화하기 위하여 구형, 도우넛형, 타원형 형상 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 나노 입자 응집체들로 형성이 되게 된다. 이에 비하여 휘발성이 낮은 물을 용매로 이용하는 경우, 분사노즐에서 분사가 된 후에 전도성 집전체 상에 나노입자들이 코팅이 될 때까지 용매의 휘발이 잘 이루어지지 않는다. 결국 집전체 위에 코팅됨과 동시에 물의 휘발이 이루어지기 때문에, 균일한 응집체가 잘 형성이 되지 않고, 불균일한 박층의 형태로 집전체층 상에 도포가 이루어지게 된다.
전기분사 시에, 분사용액이 토출되는 분사노즐의 구멍 크기와 토출 속도에 따라서도 그 응집체의 형상이 바뀔 수 있다. 토출 속도가 지나치게 빠르면 구형의 응집체가 잘 형성이 되지 않게 된다.
제 1 광흡수 응집체 입자의 형태는 구형이 바람직하며, 평균 입경은 100 ㎚ ~ 3 ㎛의 범위를 갖는다. 상기 응집체 입자의 입경 조절은 전기분사 과정에서 분산용액 내의 나노입자의 함유량을 변화시켜 조절이 가능하다. 1 wt% 나노입자가 포함된 분산용액을 이용하는 경우 광흡수 응집체 입자의 크기가 600 nm 이하로 작으며, 5 wt% 이상의 분산용액을 이용하는 경우 자기조립된 응집체 입자의 크기가 1 ㎛ 정도인 것들도 분포될 수 있다. 원활한 제 1 광흡수 나노입자의 전기분사를 위하여 전체 용액 중의 광흡수 나노입자의 중량비는 0.5 ~ 20 wt%의 범위에서 분사용액을 제조하는 것이 바람직하다. 나노입자들이 용액 내에 많이 존재하게 되면, 분사 과정에서 응집체의 크기가 커질 수 있다. 나노입자가 고르게 분산될 수 있는 용해도의 한계가 존재하기 때문에, 응집체의 크기를 무한히 키울 수는 없으며, 제 1 광흡수 응집체의 크기는 100 ㎚ ~ 3 ㎛의 범위 안에서 선정되는 것이 바람직하다.
제 1
광흡수
응집체 층의 압착 단계
전기분사 후에 제 1 광흡수 나노입자 응집체의 밀도를 높이고 기판과의 접착 강도를 개선시켜 주기 위하여 압착 단계를 더 포함할 수 있다. 압착 강도에 따라서 구형, 도우넛형, 또는 타원형의 응집체들의 일부가 납작하게 찌그러지는 현상이 발생할 수도 있다. 압착은 일반적인 일축가압 또는 롤프레스를 이용하여 이루어진다.
전기분사에 의한 제 2
광흡수
박층의
제조 단계
제 2 광흡수 전구체가 용해된 분산용액을 전기분사 장치에 따로 장착하여 제 1 광흡수 응집체 층 위에 순차적으로 전기분사 한다(도 2 참조). 하지만, 앞에서 설명하였듯이, 제 1 광흡수 분산용액과 제 2 광흡수 분산용액을 동시에 전기분사 하는 것도 가능하다. 또한 두 가지 분산용액을 동시에 혼합한 혼합 분산용액을 전기분사 하는 것도 가능하다. 용액상의 전구체가 전기분사 장치에 의하여 코팅이 됨에 따라, 제 1 광흡수 응집체들 사이의 기공이 채워지고, 광흡수 응집체의 표면상에 제 2 광흡수 전구체를 포함하는 용액이 균일하게 코팅이 된다.
제 1
광흡수
응집체 층 및 제 2
광흡수
코팅층의 열처리단계
전 단계를 거쳐 형성된 제 1 광흡수 응집체 층과 제 2 광흡수 코팅층을 서로 연결시키고, 입자간의 성장을 유도하기 위하여, 후열처리를 진행한다. 열처리는 산소의 유입을 차단하기 위하여, H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 열처리를 진행한다. 열처리 과정 중에 미세한 나노입자로 구성된 제 1 광흡수 응집체는 입자간 성장이 유도되어, 거대한 입자로 성장하게 된다. 입자가 조대해질수록 전기적인 저항이 줄어들기 때문에, 광효율 관점에서는 유리하다.
열처리는 300 - 600℃의 범위에서 열처리를 진행한다. 열처리 온도가 600℃의 범위를 넘어서게 되면, 하부의 유리 기판이 열에 영향을 받을 수 있으며, 광흡수 층을 구성하는 원소 중의 일부가 휘발하여 비화학양론 조성을 맞추기 어려울 수도 있다. 따라서 열처리 온도를 지나치게 높게 하지 않는 것이 바람직하다. 열처리 온도가 300℃ 이하로 낮은 경우 입자간의 결합력이 약하고, 입자성장이 이루어지지 않을 수 있으며, 전구체를 포함하는 제 2 광흡수 용액으로부터 제조된 박막의 결정화가 유도되지 않을 수 있다. 상기의 열처리 과정이 없이, 제논 램프를 이용한 광소결 과정을 거쳐서 동일하거나 유사한 효과를 얻을 수 있다. 광소결(Intense Pulsed Light sintering) 공정은 제논 램프를 이용하여 원하는 파장 영역(또는 전 영역)의 빛을 일정 에너지로 1초에서 수초 동안 조사하는 소결 방식으로 빛을 이용하여 짧은 시간동안 물질 내부에 직접 소결을 할 수 있다는 점에서 공정시간을 줄일 수 있고 또한 기타 공정으로 인한 오염을 배제할 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명한다. 다만, 이러한 실시예는 본 발명을 좀 더 명확하게 이해하기 위하여 제시되는 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 제 1 광흡수 나노입자들이 응집되어 이루어진 제 1 광흡수 응집체 층 및 상기 층위에 제 2 광흡수 코팅층의 연속제조
균일한 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 제조하기 위하여 300 nm ~ 10 μm의 크기를 갖는 Cu2InGaSe2 분말 10 g을 에탄올 190 g에 넣어서 5 wt% 분산용액을 제조하였다. 이때 Cu2InGaSe2 입자의 균일한 분산을 위하여, 0.1 mm 크기의 지르코니아 볼을 이용하여 마이크로비드 밀링을 습식 방식으로 진행을 하였다. 마이크로비드(Kyotobuki)는 30분 동안 4000 rpm의 속도로 진행을 하였다. 보다 작은 나노입자를 얻기 위하여 0.015 ~0.1 mm 크기의 비드를 이용할 수도 있다. 마이크로비드 밀링 후에 Cu2InGaSe2 입자의 크기는 10 nm ~ 150 nm의 크기 분포를 보였다. 본 실시예에서는 Cu2InGaSe2 분말을 이용하였으나, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 나노입자를 이용할 수도 있다. 제 1 Cu2InGaSe2 응집체들로 구성된 광흡수 층을 제조하기 위하여, 준비된 분산용액을 각각 실린지(Syringe)에 옮겨 담고 전기분사 장비에 장착한 후, 도 2에서 도시된 방식으로 전기분사를 진행하였다. 이때, Cu2InGaSe2 전기분사에 사용된 전압은 23 ㎸, 니들의 크기는 27 GA, 유량(flow rate)은 30 ㎕/min, 팁과 기판 사이의 거리는 11 cm로 하였다. 집전체 기판은 Mo 전극이 코팅된 유리기판을 이용하였다. Mo 전극은 스퍼터링 방법 또는 전자빔 증착법으로 코팅을 하였다. 전기분사 후에 얻어진 박층의 밀도를 높이기 위하여 압착 단계를 거칠 수 있으며, 본 실시예에서는 압착 후에 500℃에서 30분간 포밍가스 (H2 (20%)/N2) 분위기에서 후열처리를 진행하였다. 열처리는 튜브로에서 수행하였다.
전기분사 후 얻어진 응집된 CIGS 광흡수층의 주사전자현미경사진을 도 3에서 볼 수 있다. 도 3을 참조하면 100 nm ~ 800 nm 크기를 갖는 자기조립된 Cu2InGaSe2 응집체가 Mo 전극위에 잘 형성되어져 있음을 알 수 있다. 특히 나노입자들이 응집되어 이루어진 Cu2InGaSe2 응집체들 사이에 열린 기공들이 분포되어 다공성 구조를 가짐을 확인할 수 있다. Cu2InGaSe2 분산용액이 분사노즐에서 토출이 되면서, 에탄올이 휘발이 일어나고, 표면에너지를 줄이기 위하여 구형, 타원형, 도우넛형 중에서 선택된 하나 이상의 형상으로 응집이 일어나게 된다. 도 3에서는 Cu2InGaSe2 응집체들이 구형 내지는 타원형의 형상을 갖고 있음을 보여주고 있다.
Cu2InGaSe2 응집체 층의 밀도를 높여주기 위하여 일축가압기를 이용하여 압착을 실시하였다. 압착 후에는 제 1 Cu2InGaSe2 응집체들 간의 충진 밀도가 크게 개선이 된다. 압착 과정을 거친 제 1 Cu2InGaSe2 광흡수 층을 열처리 하거나 광소결하여 태양전지의 광흡수층으로 직접 사용하는 것이 가능하다. 그러나 응집체들 사이의 기공을 채우고, Cu2InGaSe2 광흡수 층을 더욱 매끄럽게 하여, 광전변환 효율을 높여줄 수 있기 때문에, 제 2 광흡수 박층으로 제 1 Cu2InGaSe2 응집체 층을 도포하여 열린 기공을 채우고, 표면이 매끄러운 박층을 제조할 수 있다.
제 2 광흡수 코팅 층을 제조하기 위하여 제 2의 분사노즐을 이용하여, 제 1의 CIGS 응집체 층 위에 제 2의 광흡수 전구체가 녹아있는 용액을 코팅한다. Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 어느 하나의 광흡수 층을 구성할 수 있는 전구체면 어떤 것이든지 사용이 가능하다. 본 실시예에서는 Se 분위기의 영향을 최소화하기 위하여, Cu2ZnSnS4를 구성할 수 있는 전구체를 용액에 녹여서 분사용액으로 사용하였다. 즉 제 1 광흡수 층은 Cu2InGaSe2 였으며, 제 2 광흡수 박층은 Cu2ZnSnS4 으로 구성을 하였다. Cu2ZnSnS4 전구체 용액이 정전분사과정을 거쳐서 Cu2InGaSe2 응집체 위에 도포가 되고, 용매의 휘발이 급격하게 빠르게 일어나지 않으면, Cu2InGaSe2 응집체 위에 코팅된 전구체 용액은 열린 기공들 사이로 스며들어, 빈 공간을 채우게 되고, 응집체들이 표면에도 코팅이 되게 된다. 최종 열처리 또는 광소결 후에는 매끄러운 Cu2ZnSnS4/Cu2InGaSe2 복합 광흡수 층을 제조할 수 있게 된다.
실시예 1에서는 전기분사가 두 개의 분사노즐에서 순차적으로 진행이 되었다. 본 실시예 1에서는 2개의 분사노즐을 이용하여 각각 제 1 광흡수 층 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 층 전구체 용액을 전기분사 코팅하였으나, 분사 노즐의 양을 수십~ 수천개로 늘리는 경우, 대면적을 증착할 수 있는 연속적인 방식으로 박 층 제조가 가능하다.
Cu2ZnSnS4 코팅 층이 Cu2InGaSe2 응집체 위에 형성되어 있는 Cu2ZnSnS4/Cu2InGaSe2 복합 광흡수 층을 제조한 후에, 500℃에서 30분간 포밍가스 (H2 (20%)/N2) 분위기에서 후열처리를 진행하였다. 열처리는 튜브 로에서 수행하였다. 도 4는 열처리 후에 얻어진 광흡수 층의 주사전자현미경 사진으로, 도 3에서와는 달리 입자의 조대화가 일어났으며, 열린 기공들이 막혀져 있는 비교적 치밀한 광흡수 박층이 얻어졌음을 확인할 수 있다. 전기분사를 통해 얻어지 광흡수 박층은 태양전지용 광흡수 층으로 이용된다.
이상, 본 발명을 도시된 예를 중심으로 하여 설명하였으나 이는 예시에 지나지 아니하며, 본 발명은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 다양한 변형 및 균등한 기타의 실시예를 수행할 수 있다는 사실을 이해하여야 한다.
Claims (32)
- 광흡수 나노입자들이 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 응집되어 이루어진 응집체를 포함하며, 상기 응집체 사이에는 기공이 형성된 제 1 광흡수 층; 및
상기 제 1 광흡수 층 상에 도포되는 제 2 광흡수 층을 포함하며, 상기 제 2 광흡수 층은 상기 제 1 광합수 층의 상기 응집체 사이의 기공을 채우는 태양전지 광흡수 층. - 제1항에 있어서, 상기 광흡수 나노입자는 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나 이상의 나노입자를 포함하는 태양전지 광흡수 층.
- 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 제 1 광흡수 층의 구형 나노입자 응집체의 크기는 100 nm 내지 3000 nm의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층.
- 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 제 1 광흡수 층의 타원형 나노입자 응집체 크기는 100 nm 내지 3000 nm의 장축의 범위를 가지며, 장단축의 비는 1 초과 5 이하의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층.
- 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 제 1 광흡수 층의 도우넛형 나노입자 응집체의 외경은 500 nm 내지 3000 nm의 범위를 가지며, 내경은 100 nm 내지 2000 nm의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층.
- 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 기공은 1 nm - 500 nm 범위의 크기를 갖는 태양전지 광흡수 층.
- 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 층을 구성하는 나노입자들은 서로 연결되어 응집체를 구성하는 태양전지 광흡수 층.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2 광흡수 층은 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 화합물을 포함하는 태양전지 광흡수 층.
- 삭제
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 층과 제 2 광흡수 층이 단일 층으로 연결되어 이루어진 태양전지 광흡수 층.
- 집전체와, 상기 집전체 상에 적층된 제1항 내지 제8항, 제10항 중 어느 한 항의 광흡수 층을 포함하는 태양전지.
- Mo 전극이 코팅된 유리기판;
제1항 내지 제8항, 제 10항 중 어느 한 항에 따른 광흡수 층을 포함하는 p-type 광흡수 층;
N-type CdS 버퍼 층; 및
투명전극 층을 순차적으로 적층시킨 구조를 포함하는 태양전지. - (a) 전극이 코팅된 기판 상에 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 전기분사하여 광흡수 나노입자 응집체를 형성하는 단계;
(b) 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체위에, 제 2 광흡수 전구체를 포함하는 용액을 전기분사하여, 상기 제 1 광흡수 응집체 사이의 열린 기공을 채우고, 광흡수 응집체의 표면을 도포하는 단계; 및
(e) 제 1 광흡수 응집체의 입자크기 증대와 제 2 광흡수 층의 결정화를 위한 후열처리를 진행하는 단계를 포함하여 이루어진 태양전지 광흡수 층의 제조방법. - 제 13항에 있어서, 상기 방법은 상기 단계 (a)와 단계 (b) 사이에 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체를 압착하여, 밀도를 높이는 단계를 더 포함하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 후열처리는 H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 진행되는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제13항에 있어서,
제 1 광흡수 나노입자는 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나 이상의 나노입자를 포함하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법. - 제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체의 분산용액은 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, IPA, 디메틸포름아마이드(dimethylformamide; DMF), 아세톤, 데트라하이드로퓨란, 톨루엔, 물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매를 포함하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체 분산용액은 비점이 80℃ 이하인 용매를 전체 용액 내에 50% 이상 함유하고 있는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 용매는 에탄올(CH3CH2-OH, 78℃), 메탄올(CH3-OH, 68℃), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran (THF, 66 ℃)), 아세톤(CH3COCH3, 56.2℃) 등과 같은 용매를 전체 용액 내에 50% 이상 함유하고 있는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액에서 나노입자의 함유량은 전체용액 대비 0.5 - 20 wt%의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 분산용액은, 아세트산, 스테아릭산, 아디픽산, 에톡시아세틱산, 벤조익산, 니트릭산 및 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 첨가제를 더 포함하는 것인 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제13항에 있어서, 상기 전기분사는 분산용액을 정량적으로 투입시킬 수 있는 정량 펌프;
상기 정량 펌프로부터 투입된 분산용액을 분산시키는 노즐;
상기 노즐에 연결된 고전압 발생기; 및
접지된 전도성 기판을 포함하는 전기분사 장치에 의하여 수행되는 태양전지 광흡수 층의 제조방법. - 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제13항에 있어서, 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체 분산용액의 전기분사는 순차적으로 수행되는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체 분산용액의 전기분사는 동시에 수행되는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제13항에 있어서, 상기 광흡수 층은 제 1 광흡수 응집체 층과 제 2 광흡수 코팅 층이 서로 연결되어 하나의 광흡수 층을 구성하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체는 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 이루어진 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제26항에 있어서, 상기 구형 응집체의 크기는 100 nm 내지 3000 nm의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제26항에 있어서, 상기 타원형 응집체의 크기는 100 nm 내지 3000 nm의 범위를 가지며, 장단축의 비가 1 초과 5 이하의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제26항에 있어서, 상기 도우넛형 응집체의 크기는 외경이 500 nm 내지 3000 nm의 범위를 가지며, 내경이 100 nm 내지 2000 nm의 범위를 갖는 태양전지 광흡수 층의 제조방법.
- 제 13항 내지 제 29항 중 어느 한 항에 따라 제조된 태양전지 광흡수 층.
- 집전체와, 상기 집전체 상에 형성되며 제13항 내지 제26항 중 어느 한 항에 따라 제조된 광흡수 층을 포함하여 이루어진 광흡수 층을 전극으로 포함하는 태양전지.
- 제 31항에 있어서, 상기 태양전지는
Mo 전극이 코팅된 유리기판;
상기 광흡수 층;
N-type CdS 버퍼 층; 및
투명전극 층을 순차적으로 적층시킨 구조로서, 상기 광흡수 층은 P-type인 태양전지.
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