KR101185490B1 - 무기질 중공사 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

저비용으로, 난소결성 비산화물, 산화물-비산화물 등과 같은 무기질 중공사를 제조할 수 있는 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 무기질 중공사 제조 방법은 (a) 고온 자전 반응물(Self-propagating High Temperature Reactant), 고분자 및 분산제를 포함하는 조성물을 마련하는 단계; (b) 상기 조성물을 방사 노즐(spinneret)을 이용하여 습식 방사하는 단계; (c) 상기 (b)단계의 결과물을 세척 및 건조하여, 고분자-고온자전반응물 중공사를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 고분자-고온자전반응물 중공사를 열처리하여, 고분자 성분을 제거하고 상기 고온자전반응물을 고온자전반응(Self-propagating High Temperature Reaction)시켜 무기질 중공사를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 조성물은 고온자전반응물 45~60중량%, 고분자 6~17중량%, 분산제 0.1~4중량% 및 잔량의 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

무기질 중공사 및 그 제조 방법 {INORGANIC HOLLOW FIBERS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 무기질 중공사(inorganic hollow fibers) 제조 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온 자전 반응물(Self-propagating High Temperature Reactant)을 포함하는 무기질 중공사 제조용 조성물 및 이를 습식 방사 및 고온 자전 반응시켜 무기질 중공사를 제조하는 방법에 관한 것이다.
무기질 중공사는 가운데 구멍이 빈 실의 모양을 가지며, 단위 부피당 막면적이 매우 높고, 생산성이 우수한 장점이 있다. 따라서, 이를 이용하여 무기질 분리막을 제조할 경우, 수처리, 가스분리, 액체분리, 분진필터, 막반응, 촉매담체, 공조 등의 공정에 적용할 수 있다.
현재까지 알려진 대부분의 무기질 중공사는 다음과 같은 방법들로 제조된다. 무기질 중공사를 제조하는 첫 번째 방법으로, 유기용매에 고분자와 무기질 입자를 잘 분산시킨 후, 방사 노즐(spinneret)을 통해 고분자-무기질 중공사를 제조하고 열처리하여 소결하는 방법이 있다. 이 방법은 무기질 입자를 소결하는 것으로, 소결을 돕기 위한 소결조제를 잉여로 첨가하기도 한다. 이 방법으로 제조되는 무기질 중공사는 Al2O3 중공사, ZrO2 중공사, Ni 중공사, Ni-Fe 중공사, 페로브스카이트(Perovskite) 중공사, Si3N4 중공사 등을 들 수 있다.
무기질 중공사를 제조하는 두 번째 방법으로 탄소와 Si-C 고분자 전구체 원료를 방사 노즐을 통해 방사하여 중공사 형태로 만든 후, 특정한 가스 분위기 조건에서 열처리하는 방법이 있다. 이 방법으로 제조되는 무기질 중공사는 SiC 중공사, Si3N4 중공사, 카본(Carbon) 중공사 등을 들 수 있다.
상기의 첫 번째 방법 및 두 번째 방법 모두, 에너지 소비가 많은 고온에서의 열처리가 필수적이며, 기공구조는 열처리 중의 무기질 입자, 반응형성물의 입성장과 치밀화에 의해 결정된다.
한편, 지금까지 제조된 무기질 중공사의 대부분은 Al2O3 중공사와 같은 산화물 중공사로써, 무기질 분리막 지지체로 사용하기 위한 전제조건인 30~50% 정도의 고기공율을 갖기 위해서는 낮은 온도에서 소결할 필요성이 있었다. 그러나, 소결 온도가 낮을 경우, 저밀도에 의한 저강도를 갖게 되어 막 모듈화 및 재생 등의 후처리 공정에서 쉽게 깨어지는 문제가 있다.
따라서 높은 기공율을 가지면서도 강도가 우수한 무기질 중공사를 제조할 수 있는 기술이 요구된다. 이러한 무기질 중공사는 산화물-비산화물 복합체, 난소결성 비산화물 중공사 등이 될 수 있다.
한편, 현재까지 고안된 무기질 중공사 제조 예는 원소재적 측면에서 아래와 같다.
첫번째 예로, NiO, Fe2O3 산화물 입자와 고분자를 유기용매에 분산한 후에 습식방사 후 용매치환하여 고분자/NiO, 고분자/NiO-Fe2O3 중공사를 제조하고 이를 환원 분위기에서 소결함으로써 수소분리용 Ni, Ni-Fe 중공사를 제작한 바 있으며, 이 때에 Ni, Ni-Fe는 완전한 치밀질이었다.
두번째 예로, 셀룰로우즈 전구체를 열분해하여 탄소 중공사 분리막을 제조하였으며, 그 이후로 페놀레진, 피치, 폴리이미드, PAN(Poly acrylonitrile) 등을 동일한 방법으로 방사한 후에 탄화시켜 탄소 중공사를 제작한 바 있다. 이 때에 탄소 중공사는 미세한 다공성(micropore) 구조를 가졌다.
세번째 예로, 대표적인 산화물 입자인 Al2O3 입자를 고분자와 함께 유기용매에 분산한 후에 습식방사 후 용매치환하여 고분자/Al2O3 중공사를 제조한 후에 열처리함으로써 미세다공성 Al2O3 중공사를 제작한 바 있다.
네번째 예로, 유기 실라잔(organic silazane) 고분자를 용융방사(melt spinning)한 후에 섬유 표면을 비용융화하고 열분해하여 SiC, Si3N4계 중공사를 제조하였다. 비용융화 과정은 Si, B, P, 금속 화합물 증기를 포함하는 가스에서 중공사를 처리하는 단계와 물 또는 암모니아를 포함하는 가스에서 중공사를 보다 처리 하는 단계로 이루어졌으며, 중공사는 효과적으로 소결되어 다공성 실리콘계 중공사를 제조할 수 있었다.
다섯번째 예로, 열가소성 고분자와 Si3N4, Al2O3 입자를 혼합한 후에 가열한 상태에서 용융방사(melt spinning)하여 고분자-세라믹 중공사를 제조한 후에 소결하여 Si3N4계 중공사를 제작한 바 있으며, 또한 열경화성 고분자와 세라믹입자를 물과 혼합하여 압출함으로써 고분자-세라믹 중공사를 제조한 후에 소결하여 세라믹 중공사를 제작한 바 있다.
상기 무기질 중공사 제조 예들에서 알 수 있듯이, 현재까지 세라믹-금속 복합체인 산화물-비산화물 복합체 중공사를 제조한 예는 없었다.
또한, 강도가 우수한 난소결성 비산화물인 경우, 실리콘이 포함된 고분자를 용융방사하고 열처리하는 방법 이외의 방법은 보고되고 있지 않다.
본 발명의 목적은 고온자전반응을 통하여 산화물-비산화물 복합체 중공사와 난소결성 비산화물 중공사를 제조할 수 있는 무기질 중공사 제조용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 조성물을 이용하여 고온자전반응으로 무기질 중공사를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 무기질 중공사 제조용 조성물은 고온자전반응물(Self-propagating High Temperature Reactant) 45~60중량%, 고분자 6~17중량%, 분산제 0.1~4중량% 및 잔량의 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 고온 자전 반응물은 고온 자전 반응에 의하여 생성물로 세라믹-금속 복합체, 난소결성 비산화물 및 산화물-비산화물 복합체 중 어느 하나를 생성하는 물질일 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 무기질 중공사 제조 방법은 (a) 고온 자전 반응물, 고분자 및 분산제를 포함하는 조성물을 마련하는 단계; (b) 상기 조성물을 방사 노즐(spinneret)을 이용하여 습식 방사하는 단계; (c) 상기 (b)단계의 결과물을 세척 및 건조하여, 고분자-고온자전반응물 중공사를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 고분자-고온자전반응물 중공사를 열처리하여, 고분자 성분을 제거하고 상기 고온자전반응물을 고온자전반응(Self-propagating High Temperature Reaction)시켜 무기질 중공사를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 무기질 중공사 제조 방법은 고온자전반응을 이용함으로써 난 소결성 중공사를 보다 용이하게 제조할 수 있으며, 상대적으로 저온에서 최초 국부반응을 시키면 자연적으로 반응이 진행시킬 수도 있으므로, 에너지 저소비를 추구할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 무기질 중공사 제조 방법은 자전반응 전후의 반응물과 생성물의 밀도차이 및 반응물의 비충진 부피에 의해 자연적으로 3차원적으로 서로 연결된 필터 또는 분리막에 적합한 기공구조를 가진다.
또한, 고분자-고온자전반응물 중공사를 다발화한 후, 고온자전반응을 시킬 경우, 수천 ℃에 이르는 높은 온도에 의해 중공사들이 서로 강하게 연결되는 구조를 쉽게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 난소결성 세라믹 중공사는 우수한 열적, 기계적, 화학적 특성을 통하여 막모듈 제작 및 재생 공정 등에 상대적으로 안정성을 가질 수 있고, 금속을 포함하고 있으므로 금속과 화학적 친화력이 좋고, 이로 인해 고온에서 사용되는 막 모듈 제작이 용이하다.
또한, 제조되는 무기질 중공사의 경우, 열팽창계수가 낮아, 중간층, 분리층 도입시에 열충격에 의한 상기 층들의 파괴 현상을 방지할 수 있어, 무기질 분리막 제조의 신뢰성을 증진시킬 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기질 중공사 제조용 조성물 및 이를 이용한 무기질 중공사 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
무기질 중공사 제조용 조성물
본 발명에 따른 무기질 중공사 제조용 조성물은 고온 자전 반응(Self-propagating High Temperature Reaction)을 일으킬 수 있는 원료물질인 고온 자전 반응물, 고분자, 분산제 및 유기용매를 포함한다.
고온 자전 반응물
고온 자전 반응물은 고온 자전 반응을 일으킬 수 있는 원료 물질이다. 이러한 물질로는 고온자전반응에 의하여 TiC, TiB2, SiC, Si3N4과 같은 난소결성 비산화물, Al2O3/SiC, Al2O3/TiC와 같은 산화물-비산화물 복합체 등을 형성할 수 있는 물질이 될 수 있다.
이러한 고온 자전 반응물에 사용된 반응물 분말은 미립인 형태가 우수하나, 너무 미립일 경우, 습식 방사 및 건조 공정 중에 산화되어 고온자전반응을 중지시킬 수도 있으므로 고온 자전 반응물에 따라서 적당한 크기를 선정하여 사용할 필요성이 있다.
상기 고온 자전 반응물은 조성물 전체 중량의 45~60중량%의 함량비로 포함되는 것이 바람직하다. 고온 자전 반응물이 45중량% 미만으로 첨가되면 고온자전반응이 발생하지 않는 문제가 있고, 반대로 60중량%를 초과하면 점도가 과다하여 습식 방사가 이루어지지 않거나 고온자전반응 중에 팽윤(swelling) 현상이 일어나는 문제가 있다.
고분자
본 발명에서 적용되는 고분자는 무기질 중공사의 형상유지와 미세구조를 결정하는 역할을 한다. 이러한 고분자로는 폴리설폰계 고분자, 폴리에테르설폰계 고분자, 폴리아크릴로니트릴계 고분자, 셀룰로스아세테이트계 고분자, 폴리비닐리덴플루오라이드계 고분자, 폴리이미드계 고분자 등을 제시할 수 있으며, 이들을 단독으로 혹은 2종이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 고분자는 조성물 전체 중량의 6~17중량%의 함량비로 포함되는 것이 바람직하다. 고분자 바인더의 함량이 6중량% 미만일 경우, 중공사의 형상 유지가 어려울 정도도 습식 방사가 어려워지고, 17중량%를 초과할 경우 조성물의 점도가 과다하여 습식 방사가 잘 이루어지지 않는 문제점이 있다.
분산제
본 발명에서 적용되는 분산제는 조성물 제조시에 고온 자전 반응물의 분산을 향상시키고 조성물의 점도를 제어하는 역할을 한다. 본 발명에 적용되는 분산제는 유기용매 및 고분자의 종류에 따라 적절히 선정될 수 있으며, 보다 바람직하게는 고분자로 폴리설폰을, 유기용매로 N-메틸-2피롤리돈(NMP)을 사용할 경우, 분산제로 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌글리콜(PEG) 등을 제시할 수 있으며, 이들을 단독으로 혹은 2종 이상 혼합하여 이용할 수 있다.
분산제는 조성물 전체 중량의 0.1 ~ 4중량%의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 분산제의 함량이 0.1중량% 미만일 경우, 고온 자전 반응물 분말의 분산성이 낮아 균일하게 습식 방사할 수 없게 되고, 반면 4중량%를 초과할 경우, 조성물의 점도가 과다하여 습식 방사가 잘 이루어지지 않는 문제점이 있다.
유기용매
본 발명에 적용되는 유기 용매는 상기 고분자, 분산제를 해교시키는 역할을 함과 동시에 고온 자전 반응물의 분산매체의 역할을 한다. 본 발명에 적용되는 유기용매는 고분자의 종류에 따라 적당히 선정되나, 디메틸포름아마이드, N-메틸-2피롤리돈, 디메틸아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭사이드, 1,4-디옥산, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸 에테르 등을 제시 할 수 있으며, 이들을 단독으로 혹은 2 종 이상 혼합하여 이용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 무기질 중공사 제조용 조성물은 산화물, 질화물, 탄화물, 금속 등의 희석제(diluent)를 더 포함할 수 있는데, 희석제는 고온 자전 반응의 단열온도(adiabatic temperature)를 조절하여 고온 자전반응 속도 및 무기질 중공사의 미세구조를 제어할 수 있게 해 준다.
상기 희석제는 고온 자전 반응물 100중량부에 대하여, 50중량부까지 첨가할 수 있으며, 50중량부를 초과하여 첨가하는 경우, 고온자전 반응이 발생하지 않는 문제점이 있다.
무기질 중공사 제조 방법
도 1은 본 발명에 따른 무기질 중공사 제조 방법의 일실시예를 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 무기질 중공사 제조 방법은 조성물 마련 단계(S110), 습식 방사 단계(S120), 세척 및 건조 단계(S130) 및 고온 자전 반응 단계(S140)를 포함한다.
조성물 마련 단계(S110)에서는 고온 자전 반응물, 고분자, 분산제가 유기용매에 분산된 조성물을 마련하는 단계이다. 상기 조성물은 전술한 바와 같은, 고온 자전 반응물 45~60중량%, 고분자 6~17중량%, 분산제 0.1~4중량% 및 잔량의 유기용매를 포함하는 무기질 중공사 제조용 조성물이 될 수 있다.
상기 조성물은 습식 볼밀을 이용하여 혼합 분산할 수 있으며, 또한 추가적으로 막대 밀(mill)을 이용하여 분산성을 증진시킬 수 있다.
상기 조성물은 슬러리 형태로 상기 고온 자전 반응물, 고분자, 분산제를 유기용매에 분산 혼합하여 제조되며, 볼밀(ball mill)을 이용하는 것이 바람직하고, 상기 볼밀 공정은 세라믹 볼을 이용하여 100 ~ 400 rpm 속도로 4 ~ 168시간 수행된 것이 바람직하고, 얻어진 조성물 슬러리는 30 ~ 80℃에서 진공 분위기에서 4 ~ 24시간 탈기한 것이 바람직하다.
볼밀 회전속도가 100rpm 미만인 경우 세라믹 볼이 볼밀 하단에서 상단까지 이동이 용이하지 못하고, 볼밀 회전속도가 400rpm을 초과하는 경우 세라믹 볼이 슬러리와 함께 회전하므로 잘 분산된 조성물 슬러리를 제조할 수 없다.
또한 혼합된 조성물 슬러리를 탈기 공정을 수행하지 않을 경우, 조성물 슬러리에 기포가 존재하여 습식 방사 단계에서 중공사가 터지는 현상이 발생할 수 있다.
다음으로, 습식 방사 단계(S120)에서는 상기 고온 자전 반응물, 고분자, 분산제, 유기용매로 이루어진 조성물 슬러리를 3중 방사 노즐(spinneret)을 이용하여 습식 방사한다. 방사노즐의 외부 및 내부 구멍을 결정하는 3개 직경은 목적하고자 하는 무기질 중공사의 내경과 외경을 고려하여 선정하여야 하며, 상기 조성물 슬러리는 기어펌프에 의해 3중 방사노즐의 외부 구멍에 유입되며, 기어펌프의 회전수는 5 ~ 18rpm인 것이 바람직하다. 또한 상기 3중 방사노즐의 내부 구멍에 물을 LC 펌프로 유입하며, 물 유입 속도는 8 ~ 20ml/min, 유입 압력은 1 ~ 6MPa인 것이 바람직하다.
그 다음으로, 3중 방사노즐을 통해 방사된 중공사 형태의 슬러리를 물로 채워진 세척조에 낙하시킨다. 3중 노즐 입구와 세척조 물 표면 사이의 거리는 100cm 이하일 수 있고, 3중 노즐 내부 구멍에 도입된 물과 세척조에 담겨진 물에 의하여 방사된 중공사 형태의 슬러리 내의 유기용매는 물과 교환되어 고분자-고온자전반응물 중공사가 형성하게 한다.
여기서, 상기 고분자-고온자전반응물 중공사는 별도의 세척조를 통과시켜 물레로 감겨질 수 있으며, 또한 물레에 감겨진 고분자-고온자전반응물 중공사는 별도의 또 다른 세척 단계를 거칠 수 있다. 물레에 감겨진 고분자-고온자전반응물 중공사의 별도의 세척 공정은 30 ~ 100℃에서 6 ~ 168시간 동안 수행하는 것이 바람직하다. 또한 상기 고분자-고온자전반응물 중공사는 80 ~ 120℃에서 12 ~ 48시간 건조(S130)하여 용매치환된 물을 완전히 제거하는 것이 바람직하며 건조 단계를 끝으로 고분자-고온자전반응물 중공사를 제조 완료한다.
또한, 상기 습식 방사 단계(S120)와 세척 및 건조 단계(S130)는 무기질 중공사 제조에 있어서 널리 알려진 어떠한 방법으로 수행하여도 무방하다.
다음으로, 고온 자전 반응 단계(S140)에서는 고분자-고온자전반응물을 열처리하여, 고분자 성분을 제거하고 고온자전반응을 일으켜 난소결성 비산화물, 산화물-비산화물 복합체인 고온 자전 생성물을 형성하므로써, 무기질 중공사를 제조한다.
이때, 고온 자전 반응을 위한 열처리는 공기, 질소, 헬륨, 아르곤 또는 수소 분위기에서 이루어질 수 있다. 질화물을 생성하기 위해서는 질소 분위기를, 산화물-탄화물 복합체를 형성하기 위해서는 공기, 질소, 헬륨 또는 아르곤 분위기를 이용하는 것이 유리하다. 고온 자전 반응물의 한 성분 또는 2종 이상의 성분은 조성물 마련 단계(S110)뿐만 아니라, 고온 자전 반응 단계(S140)에서 가스의 형태로 공급될 수도 있다.
고온 자전 반응을 위한 열처리 온도는 고온 자전 반응이 일어나는 점화온도(Ignition temperature) 이상이어야 하며, 고온 자전 반응물에 따라 결정되나 1000 ~ 1800℃ 온도 범위를 갖는 것이 일반적이다
실시예
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예 1
평균 입자크기가 0.2㎛인 TiO2 분말, 평균 입자크기 #325인 알루미늄 분말, 평균 입자크기 0.2㎛인 콜로이달 흑연 분말을 3 : 4 : 1.5 몰비로 아세톤을 이용하 여 습식 볼밀하고 60℃에서 24시간 진공 건조하여 1000g 배치의 3TiO2-4Al-1.5C 고온 자전 반응물을 제조하였다.
700g의 상기 고온 자전 반응물, 100g의 폴리설폰(polysulfone), 30g의 폴리비닐피롤리돈(PVP), 400g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 2000ml 용적의 폴리프로필렌(PP)에 투입하고 400g의 지르코니아(ZrO2) 볼을 이용하여 상온에서 150rpm 속도로 48시간 볼밀하여 혼합 분산하여 조성물 슬러리를 제조하였다. 제조된 조성물 슬러리는 50℃, 진공에서 12시간 탈기시켜 최종적으로 습식 방사를 위한 조성물을 제조하였다.
얻어진 조성물 슬러리를 1.4-0.8-0.55mm 직경을 갖는 3중 노즐(spinneret)에 통과시킨 후에 물 세척조에 떨어뜨려 용매치환하였다. 이 때에 조성물 슬러리는 3중 노즐의 외부 구멍으로 유입되었고, 유입속도는 기어펌프로 조절하였으며 기어펌프의 회전수는 12rpm이었고 유입압력은 3기압이었다. 또한 3중 노즐의 내부 구멍으로는 물을 LC 펌프를 이용하여 유입시켰는데 그 유입속도는 14ml/min, 압력은 5MPa이었다. 세척조는 물로 채워졌으며 온도는 상온이었다. 3중 노즐 입구와 세척조 물 표면 사이의 거리는 15cm이었다. 그 후 얻어진 폴리설폰-3TiO2-4Al-1.5C 중공사는 상온에서 48시간 물로 세척하였고 100℃, 진공 분위기에서 24시간 건조하여 최종적으로 폴리설폰-3TiO2-4Al-1.5C 중공사를 제조하였다.
얻어진 폴리설폰-3TiO2-4Al-1.5C 중공사를 800℃에서 4시간 1차 열처리하여 폴리설폰 고분자를 제거하고 1500℃에서 4시간 2차 열처리하여 고온 자전 반응 (3TiO2 + 4Al + 1.5C = 2Al2O3 + 1.5TiC + 1.5Ti)을 일으켜 Al2O3-TiC-Ti 무기질 복합 중공사를 제조하였다. 열처리 중의 승온속도는 4℃/min 이었으며 냉각속도는 4℃/min이었다.
도 2a와 2b에 제조된 Al2O3-TiC-Ti 중공사 파단면의 저배율 및 고배율 주사전자현미경 사진을 각각 나타내었다. 형성된 Al2O3-TiC-Ti 물질은 다공성이었으며, 기공이 3차원적으로 서로 연결된 구조를 갖고 있으며 기공크기는 수십 마이크로미터 임을 확인할 수 있다.
실시예 2
평균 입자크기 #325인 Ti 분말, 평균 입자크기 0.2㎛인 콜로이달 흑연 분말, 평균입자크기 #325인 Ni 분말을 1 : 1 : 1 몰비로 건식 진동 밀(mill)하여 1000g 배치의 Ti-C-Ni 고온 자전 반응물을 제조하였다.
실시예 1과 동일한 공정을 거쳐 폴리설폰-Ti-C-Ni 중공사를 제조하였다. 제조된 폴리설폰-Ti-C-Ni 중공사는 800℃에서 4시간 1차 열처리하여 폴리설폰 고분자를 제거하고 1500℃에서 4시간 2차 열처리하여 고온 자전 반응 (Ti + C + Ni = TiC + Ni)을 일으켜 TiC-Ni 무기질 복합 중공사를 제조하였다. 열처리 중의 승온속도는 4℃/min 이었으며 냉각속도는 4℃/min이었다.
도 3a와 3b에 제조된 TiC-Ni 중공사 단면의 경면화된 저배율 광학현미경 사 진과 고배율 주사전자현미경 사진을 각각 나타내었다. 형성된 TiC-Ni 물질은 다공성이었으며, 기공이 3차원적으로 서로 연결된 구조를 갖고 있으며 기공크기는 수십 마이크로미터 임을 확인할 수 있다.
실시예 3
평균 입자크기 #325인 Ti 분말, 평균 입자크기 #325인 보론(B) 분말을 1 : 2 몰비로 건식 진동 밀(mill)하여 100g 배치의 Ti-2B 고온 자전 반응물을 제조하였다.
실시예 1과 동일한 공정이나 배치 크기를 1/10로 줄여 폴리설폰-Ti-2B 중공사를 제조하였다. 제조된 폴리설폰-Ti-2B 중공사는 800℃에서 4시간 1차 열처리하여 폴리설폰 고분자를 제거하고 1500℃에서 4시간 2차 열처리하여 고온 자전 반응 (Ti + 2B = TiB2)을 일으켜 TiB2 무기질 복합 중공사를 제조하였다. 열처리 중의 승온속도는 4℃/min 이었으며 냉각속도는 4℃/min이었다.
도 4a와 4b에 제조된 TiB2 중공사 단면의 저배율 및 고배율 주사전자현미경 사진을 각각 나타내었다. 형성된 TiB2 물질은 다공성이었으며, 기공이 3차원적으로 서로 연결된 구조를 갖고 있으며 기공크기는 수십 마이크로미터 임을 확인할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명에 의해 제조된 무기질 중공사는 강력한 발열반응으로 써 초기 반응에 의해 생성된 열을 이용하여 스스로 반응이 진행되는 고온 자전 반응을 이용하므로, 그 반응열에 의하여 온도가 열처리 온도를 상회하는 수천 ℃에 달하므로 일반적인 열처리과정에서 얻을 수 없는 물질의 중공사를 제조할 수 있다는 장점이 있다.
즉, 무기질 중공사의 대상 범위가 종래 소결에 의할 때 주로 산화물에 국한되던 것이, 본 발명에 의할 경우 난소결성 비산화물, 산화물-비산화물 복합체로 확대될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 무기질 중공사 제조 방법의 일실시예를 나타내는 순서도이다.
도 2a는 본 발명에 의해 제조된 Al2O3-TiC-Ti 중공사 파단면의 저배율 주사전자현미경 사진이다.
도 2b는 본 발명에 의해 제조된 Al2O3-TiC-Ti 중공사 파단면의 고배율 주사전자현미경 사진이다.
도 3a는 본 발명에 의해 제조된 TiC-Ni 중공사 단면의 경면화된 저배율 광학현미경 사진이다.
도 3b는 본 발명에 의해 제조된 TiC-Ni 중공사 단면의 경면화된 고배율 주사전자현미경 사진이다.
도 4a는 본 발명에 의해 제조된 TiB2 중공사 단면의 저배율 주사전자현미경 사진이다.
도 4b는 본 발명에 의해 제조된 TiB2 중공사 단면의 고배율 주사전자현미경 사진이다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. (a) 고온 자전 반응에 의하여 난소결성 비산화물, 산화물-비산화물 복합체 중 선택되는 1종을 형성하는 고온 자전 반응물 45~60중량% 및 폴리설폰계, 폴리에테르설폰계, 폴리아크릴로니트릴계, 셀룰로스아세테이트계, 폴리비닐리덴플루오라이드계 및 폴리이미드계 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 고분자 바인더 6~17중량%, 비이온성 고분자 분산제 0.1~4중량% 및 유기용매 20~50중량%를 포함하는 무기질 중공사 제조용 조성물을 마련하는 단계;
    (b) 상기 조성물을 방사 노즐(spinneret)을 이용하여 습식 방사하는 단계;
    (c) 상기 (b) 단계의 결과물을 세척 및 건조하여, 고분자-고온 자전 반응물 중공사를 형성하는 단계;
    (d) 상기 고분자-고온자전반응물 중공사를 열처리하여, 고분자 성분을 제거하고 상기 고온 자전 반응물을 고온 자전 반응(self-propagating high temperature reaction)시켜 무기질 중공사를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기질 중공사 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 (d)단계는 상기 고분자-고온자전반응물 중공사의 최초 반응을 위하여, 최초 1000℃ ~ 1800℃의 온도를 제공하는 것을 특징으로 하는 무기질 중공사 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 (d)단계는 공기, 질소, 아르곤, 헬륨 또는 수소 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 무기질 중공사 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서,
    상기 난소결성 비산화물은 TiC, TiB2, SiC, Si3N4 중 선택되는 1종 이상이며,
    상기 산화물-비산화물 복합체는 Al2O3/SiC, Al2O3/TiC 중 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 무기질 중공사 제조방법.
  11. 삭제
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