KR101170640B1 - 땜납 페이스트 조성물 및 땜납 프리코트법 - Google Patents

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Abstract

기판상의 전극주위에 댐을 형성하고, 이 댐에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극상에 땜납 페이스트 조성물을 충전하고, 충전한 땜납 페이스트 조성물을 가열하고, 땜납을 전극표면에 부착시켜서 땜납 범프를 형성하는 땜납 프리코트법에서 사용하는 땜납 페이스트 조성물로서, 상기 땜납 페이스트 조성물은 땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자가 16%이상이며, 또 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 90%이상이다. 이것에 의해 범프 결함의 발생을 억제하고, 높은 생산량이며, 또한 균일한 높이의 땜납 범프를 댐을 이용한 땜납 프리코트법으로 형성할 수 있다.

Description

땜납 페이스트 조성물 및 땜납 프리코트법{Solder Paste Composition and Solder Precoating method}
도 1의 (a)~(c)는 댐을 이용한 땜납 프리코트법에 의한 땜납 범프의 형성 방법을 나타내는 공정도이다.
본 발명은 전자부품을 전자회로기판에 실장하는 경우에 있어서, 상기 기판에 댐을 이용해서 땜납을 프리코트하는데에 적당한 땜납 페이스트 조성물, 및 이것을 사용한 땜납 프리코트법에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 소형경량화에 따라서, 탑재되는 전자부품도 다핀 및 피치협소화가 진행되고, 도체 패턴도 좁은 범위에 다수의 도체가 매우 작은 간격으로 형성되는 파인피치화가 진행되고 있다. 이 때문에, 전자회로기판에 전자부품을 접합시키는 경우에는, 종래의 와이어 결합 대신에, 땝남 범프를 사용하는 실장방법이 널리 채용되고 있다.
땜납 범프를 형성하는 방법으로, 수지 마스크(댐)를 이용한 땜납 프리코트법이 채용되고 있다(특허공개 제2002-334895호 참조). 도 1은, 특허공개 2002-334895 호에 기재되어 있는 것과 같은, 일반적인 댐을 이용한 땜납 프리코트법에 의한 땜납 범프의 형성 방법을 나타내는 공정도이다.
이 땜납 범프의 형성 방법에 있어서는, 우선, 도1 (a)에 나타낸 바와 같이 표면에 형성된 전극(2)이 덮여지지 않도록 그 부분에 개구부를 형성하는 땜납 레지스트막(3)으로 피복된 기판(1)상에, 상기 전극(2)을 둘러싸도록 댐(4)을 형성한다.
이어서, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이 상기 댐(4)에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극(2)상에, 소정의 땜납 분말을 함유하는 땜납 페이스트 조성물(5)을 충전한다. 그리고, 이것을 가열하고, 도 1(c)에 나타낸 것처럼 땜납을 전극(2)의 표면에 부착시켜서 땜납 범프(6)를 형성한다.
상기와 같은 댐(4)을 이용한 땜납 프리코트법에 의하면, 파인피치로 땜납 범프(6)를 형성할 수 있다.
그러나, 가열 용융시에 있어서, 댐(4)으로 둘러싸여진 개구부내에 충전된 땜납 페이스트 조성물(5)중의 땜납 분말이 전극(2)상에 잘 퇴적하지 않고, 그 결과, 전극(2)상에 땜납 범프(6)가 형성되지 않고, 소위 범프 결함이 발생한다는 문제가 있었다. 범프 결함이 기판상에 하나라도 발생하면, 그 기판은 사용할 수 없게 되므로, 범프(6)를 높은 생산량으로 형성할 수 있는 땜납 페이스트 조성물의 개발이 강하게 소망되고 있다.
또한 형성된 땜납 범프(6)의 높이가 불균일해지기 쉽다고 하는 문제도 있었다. 땜납 범프(6)의 높이의 균일성은, 그 후의 부품실장시의 접합 신뢰성에 크게 영향을 미치므로, 땜납 범프(6)가 균일한 높이로 형성되는 것이 바람직하다.
또, 댐을 사용하지 않는 종래의 방법에 비해, 댐을 이용한 땜납 프리코트 방법으로는, 전극상부의 개구부가 댐의 두께 정도로 두터워진다(일반적으로 댐(4)의 두께는 땜납 레지스트막(3)의 두께보다도 수배～수십배 두텁다). 이것 때문에, 댐을 사용한 방법으로는, 땜납 분말이 전극(2)상에 잘 퇴적하지 않고, 종래의 방법으로는 문제가 되지 않는 것과 같은 상기의 모든 문제가 생기는 것이다.
특허공개 제2002-141367호 공보에는, 마스크(댐)를 이용한 땜납 프리코트법에 있어서, 땜납 페이스트가 땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말이, 마스크(댐)의 두께이상이고, 이 두께의 1.5배이하의 입경을 갖는 것의 비율이 10중량％이하인 범프 형성 방법이 기재되어 있다.
이 특허공개 2002-141367호에 의하면, 개구부내에의 땜납 페이스트의 충전을 확실하게 하기 위해서 마스크상에서 스퀴지를 반복해서 이동시켜도, 일단 개구부에 충전된 땜납 분말을 제거할 우려가 적어지고, 범프 크기의 불균일이 생기기 어렵다고 기재되어 있다. 그러나, 범프의 불균일에 대해서는, 상기 방법으로 반드시 충분하다고는 말할 수 없고, 또한 땜납 분말이 가열 용융시에 있어서 전극상에 잘 퇴적하지 않는 것에 의한 범프 결함에 대해서는 특별히 기재되어 있지 않다.
본 발명의 과제는, 범프 결함의 발생을 억제하는 높은 생산량으로, 또한 균일한 높이의 땜납 범프를, 댐을 이용한 땜납 프리코트법으로 형성할 수 있는 땜납 페이스트 조성물, 및 이것을 사용한 땜납 프리코트법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의연구를 거듭한 결과, 댐을 이용한 땜납 프리코트법에서 사용하는 땜납 페이스트 조성물에 있어서, 상기 땜납 페이스트 조성물이 함유하는 땜납 분말의 입도분포가 소정의 입도분포일 경우에는, 댐으로 둘러싸여진 개구부내에 충전되는 땜납 페이스트 조성물중의 땜납 분말이, 가열 용융시에 확실하게 전극상에 퇴적하므로, 범프 결함의 발생을 억제할 수 있고, 생산량을 향상시킴과 아울러, 형성된 땜납 범프의 높이가 균일해진다는 새로운 사실을 찾아내고, 본 발명을 완성하는데 이르렀다.
즉, 본 발명의 땜납 페이스트 조성물은, 이하의 구성으로 이루어진다.
(1) 기판상의 전극주위에 댐을 형성하고, 이 댐에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극상에 땜납 페이스트 조성물을 충전하고, 충전한 상기 땜납 페이스트 조성물을 가열하고, 땜납을 상기 전극표면에 부착시켜서 땜납 범프를 형성하는 땜납 프리코트법에서 사용하는 땜납 페이스트 조성물로서, 상기 땜납 페이스트 조성물은 땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자가 16%이상이며, 또 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 90%이상인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트 조성물.
(2) 상기(1)에 있어서, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자가 20%이상인 땜납 페이스트 조성물.
(3) 상기(1)에 있어서, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 95%이상인 땜납 페이스트 조성물.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 석출형 땜납 조성물인 땜납 페이스트 조성물.
(5) 상기 (4)에 있어서, 주석분말과, 납, 동 및 은에서 선택되는 금속의 염을 함유하는 땜납 페이스트 조성물.
(6) 상기 (4)에 있어서, 주석분말과, 은 이온 및 동 이온에서 선택되는 1종 이상과, 아릴 포스핀류, 알킬포스핀류 및 아졸류에서 선택되는 1종 이상의 착체를 함유하는 땜납 페이스트 조성물.
(7) 상기 (5) 또는 (6)에 있어서, 상기 주석분말의 질량:상기 금속의 염 또는 상기 착체의 질량이, 99:1～50:50인 땜납 페이스트 조성물.
(8) 기판상의 전극주위에 댐을 형성하고, 이 댐에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극상에 땜납 페이스트 조성물을 충전하고, 충전한 상기 땜납 페이스트 조성물을 가열하고, 땜납을 상기 전극표면에 부착시켜서 땜납 범프를 형성하는 땜납 프리코트법에 있어서, 땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말의 입도분포가, 입경 10μｍ미만의 입자가 16%이상이며, 또 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 90%이상인 땜납 페이스트 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 땜납 프리코트법.
(9) 상기 (8)에 있어서, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자가 20%이상인 땜납 프리코트법.
(10) 상기(8)에 있어서, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 95%이상인 땜납 프리코트법.
(11) 상기(8) 내지 (10) 중 어느 하나에 있어서, 상기 땜납 페이스트 조성물은 석출형 땜납 조성물인 땜납 프리코트법.
(12) 상기(11)에 있어서, 상기 석출형 땜납 페이스트 조성물은, 주석분말과, 납, 동 및 은에서 선택되는 금속의 염을 함유하는 땜납 프리코트법.
(13) 상기 (11)에 있어서, 상기 석출형 땜납 페이스트 조성물은, 주석분말과, 은 이온 및 동 이온에서 선택되는 1종 이상과 아릴 포스핀류, 알킬포스핀류 및 아졸류에서 선택되는 1종 이상과의 착체를 함유하는 땜납 프리코트법.
(14) 상기 (12) 또는 (13)에 있어서, 상기 주석분말의 질량:상기 금속의 염 또는 상기 착체의 질량이, 99:1～50:50인 땜납 프리코트법.
본 발명에 의하면, 댐을 이용한 땜납 프리코트법에서 사용하는 땜납 페이스트 조성물에 있어서, 상기 땜납 페이스트 조성물이 함유하는 땜납 분말의 입도분포가 소정의 입도분포이므로, 댐으로 둘러싸여진 개구부내에 충전되는 땜납 페이스트 조성물중의 땜납 분말이, 가열 용융시에 확실하게 전극상에 퇴적하고, 범프 결함의 발생을 억제할 수 있고, 생산량을 향상시킴과 아울러, 형성된 땜납 범프의 높이가 균일해진다는 효과가 있다. 또한 상기 땜납 페이스트 조성물이 함유하는 땜납 분말의 입도분포를 또한 특정 범위의 입도분포로 함으로써, 더 효과적으로 범프 결함의 발생이 억제되어, 더욱 균일한 높이의 땜납 범프를 형성할 수 있다. 또한 상기 땜납 페이스트 조성물을 석출형의 땜납 페이스트 조성물로 함으로써, 미세한 피치에서도 정확하게 전극상에 땜납 범프를 형성할 수 있고, 또 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 땜납 페이스트 조성물 및 상기 땜납 페이스트 조성물을 사용한 땜납 프리코트법의 실시형태에 대해서 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 도 1은, 이 실시 형태에 따른 땜납 페이스트 조성물을 사용한 땜납 범프의 형성 방법을 나타내고 있다. 이 땜납 범프의 형성 방법에 있어서는, 우선, 도1 (a)에 나타낸 바와 같이 표면에 형성된 전극(2)이 덮여지지 않도록 그 부분에 개구부를 형성한 땜납 레지스트막(3)으로 피복된 기판(1)상에, 상기 전극(2)을 둘러싸도록 댐(4)을 형성한다.
이어서, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이 이 댐(4)에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극(2)상에 땜납 페이스트 조성물(5)을 충전한다. 그리고, 충전한 상기 땜납 페이스트 조성물(5)을 가열하고, 도 1(c)에 나타낸 바와 같이 땜납을 상기 전극(2)의 표면에 부착시켜서, 땜납 범프(6)가 형성된다 (땜납 프리코트법).
전극(2)은, 기판(1)의 표면에 소정의 피치로 복수개 형성되어 있다. 땜납 레지스트막(3)으로는, 에폭시계, 아크릴계, 폴리이미드계의 수지 등이 사용되지만, 바람직하게는 에폭시계 수지이다.
댐(4)을 형성하기 위해서는, 예를 들면 막형상의 포토레지스트, 드라이필름 레지스트, 액상의 포토레지스트 등을 사용할 수 있다. 막형상의 포토레지스트를 사용할 경우에는, 이것을 기판(1)의 표면에 압착시키면 좋다. 액상의 포토레지스트를 사용할 경우에는, 스핀코터 등의 도포수단으로 액상수지를 기판(1)의 표면에 도포하고, 경화시켜, 이어서, 소정의 포토마스크(도시되지 않음)를 통해서 노광 처리 및 현상(에칭)처리를 함으로써, 댐(4)을 형성할 수 있다. 또, 에칭 처리액으로는, 예를 들면 Ｎａ2ＣＯ3수용액, Ｃｕ2Ｃｌ2수용액, ＣｕＣｌ2수용액, ＦｅＣｌ3수용액 등이 사용가능하다.
댐(4)은, 전극(2)을 둘러싸도록 형성된 것이며, 또한, 각 전극(2)을 서로 구획하는 벽상의 것이면 좋다.
댐(4)의 내경(사각형의 경우에는 한 변의 길이)(L)은, 노출한 전극(2)의 지름(D)에 대하여 약1～3배, 바람직하게는 1.2～2배인 것이 좋다. 댐(4)의 두께 (즉 레지스트 수지막의 두께)는 특별히 제한되지 않고, 형성되는 땜납 범프(6)의 높이보다 높아도 좋고, 그것보다 낮아도 좋다. 구체적으로는, 땜납 범프(6)의 높이가, 댐(4)의 두께와 땜납 레지스트막(3)의 두께를 합한 총두께에 대하여 0.05～3배, 바람직하게는 0.1～1.5배인 것이 좋다. 보통, 댐(4)의 두께는 약10～300μm, 바람직하게는 약30～150μm이다.
댐(4)은, 땜납 범프(6)의 형성후에 제거해도 좋고, 그대로 잔존하고 있어도 좋다. 다만, 댐(4)의 높이가 땜납 범프(6)의 높이와 비슷하거나, 그것보다도 높을 경우에는, 땜납 접합에 지장을 초래하는 것이므로, 댐(4)을 제거하는 것이 바람직하다. 댐(4)의 제거 처리는, 예를 들면 수산화 나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리수용액, 2-에탄올아민 용액 등의 유기 아민의 수용액이나 유기용제용액을 사용하는 알칼리처리 등을 사용할 수 있다.
한편, 공정을 간략화하는 관점에서는, 댐(4)은 제거하지 않는 편이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 레지스트의 댐 높이와 재료의 금속량을 조정하는 것으로 땜 납 높이를 충분히 높게 할 수 있기 때문에, 댐(4)의 제거 공정은 반드시 필요로 하지 않다.
여기에서, 땜납 페이스트 조성물(5)은 땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자가 16%이상, 바람직하게는 20%이상이며, 또 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 90%이상, 바람직하게는 95%이상이다. 이에 따라 도 1(b)에 나타내는 댐(4)으로 둘러싸여진 개구부내에 충전되는 땜납 페이스트 조성물(5)중의 땜납 분말이, 가열 용융시에 확실하게 전극(2)상에 퇴적하므로, 범프 결함의 발생이 억제되어 생산량이 향상함과 아울러, 형성된 땜납 범프(6)의 높이가 균일해진다. 이에 대하여 상기 땜납 분말의 입도분포가 상기 소정의 입도분포가 아닐 경우에는, 범프 결함이 발생하고, 형성된 땜납 범프(6)의 높이에 불균일이 생긴다.
또, 본 발명에 있어서의 범프 결함이란, 전극(2)상에 땜납 범프(6)가 형성되지 않는 부분이 있는 것을 의미한다. 예를 들면 후술한 것처럼, 마이크로스코프(KEYENCE CORPORATION의 제품인 VHX-200)을 이용하여, 땜납 범프 결함부분의 유무나 결함발생수를 측정할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서의 입도분포는, 마이크로 트랙법으로 측정해서 얻어진 값이다. 마이크로 트랙법이란, 레이저에 의한 회절?산란을 이용한 입도분포의 측정 방법으로, 폭넓은 측정범위를 높은 분해능으로 측정할 수 있다.
상기 땜납 분말의 조성은, 특별하게 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 Ｓｎ(주석)-Ｐｂ(납)계, Ｓｎ-Ａｇ(은)계, Ｓｎ-Ｃｕ(동)계 등의 땜납 합금분말의 것 이외에, Ｓｎ-Ａｇ-Ｉｎ(인듐)계, Ｓｎ-Ａｇ-Ｂｉ(비스무트)계, Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ계등의 무납합금분말을 들 수 있다. 또한 이것들의 땜납 분말은, 각각 단독으로 사용 할 수 있는 것 이외에, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋고, 예를 들면 Ｓｎ-Ａｇ-Ｉｎ계와 Ｓｎ-Ａｇ-Ｂｉ계를 혼합한, Ｓｎ-Ａｇ-Ｉｎ-Ｂｉ계 등으로 해도 좋다.
상기와 같은 땜납 페이스트 조성물(5)은, 소정의 입도분포를 갖는 땜납 분말을 함유하고 있으면, 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 본 발명에서는 석출형 땜납 조성물인 것이 바람직하다. 땜납 페이스트 조성물(5)로서, 특히 석출형 땜납 조성물을 사용하면, 미세한 피치에서도 정확하게 전극(2)상에 땜납 범프(6)를 형성할 수 있고, 또 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
석출형 땜납 조성물이란, 예를 들면 땜납 분말로서 주석분말과, 유기산의 납염등을 함유하는 것이며, 상기 조성물을 가열하면, 유기산납염의 납원자가 주석원자와 치환해서 유리하고, 과잉의 주석금속분말중에 확산되어, Ｓｎ-Ｐｂ합금을 형성하는 것이다.
이러한 석출형 땜납 조성물로서는, 예를 들면 (a)주석분말과, 납, 동 및 은등에서 선택되는 금속의 염을 함유하는 석출형 땜납 조성물, 또는 (b)주석분말과, 은 이온 및 동 이온에서 선택되는 1종 이상과 아릴 포스핀류, 알킬포스핀류 및 아졸류에서 선택되는 1종 이상의 착체를 함유하는 석출형 땜납 조성물을 들 수 있다. 또한 상기 석출형 땜납 조성물에 있어서는, 상기 (a)의 금속염과 (b)의 착체를 혼합해서 사용할 수도 있다. 본 발명에서는, 특히 납을 함유하지 않는 납 프리의 석출형 땜납 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서 주석분말이라고 하는 경우는, 금속주석분말 이외에, 예를 들면 은을 함유하는 주석-은계의 주석합금분말이나, 동을 함유하는 주석-동계의 주석합금분말 등도 포함하는 것이라고 한다.
상기 (a)의 금속염으로서는, 예를 들면 유기 카르복실산염, 유기 술폰산염 등을 들수 있다.
유기 카르복실산으로서는, 탄소수 1～40의 모노 또는 디카르복실산을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 포름산, 아세트산, 프로피온산 등의 저급지방산, 카프론산, 카프릴산, 라우린산, 미리스틴산, 팔미틴산, 스테아르산, 올레산, 리놀레산 등의 동식물유지로부터 얻을 수 있는 지방산, 2,2-디메틸펜탄산, 2-에틸 헥산산, 이소노난산, 2,2-디메틸 옥탄산, n-운데칸산 등의 유기합성 반응으로부터 얻을 수 있는 각종 합성산, 피마르산, 아비에틴산, 디히드로아비에틴산, 디히드로 아비에틴산 등의 수지산, 석유로부터 얻을 수 있는 나프텐산 등의 모노 카르복실산과 톨유지방산 또는 대두지방산으로부터 합성해서 얻을 수 있는 다이머 산, 로진을 이량화시킨 중합 로진 등의 디카르복실산 등을 들 수 있다. 이것들은 2종 이상 포함하는 것이어도 좋다.
또한 유기 술폰산으로서는, 예를 들면 메탄 술폰산, 2-히드록시 에탄 술폰산, 2-히드록시 프로판-1-술폰산, 트리클로로 메탄 술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 톨루엔술폰산, 페놀술폰산, 크레졸 술폰산, 아니솔 술폰산, 나프탈렌 술폰산 등을 들 수 있다. 이것들은 2종 이상 포함하는 것이라도 좋다.
상기(b)의 착체는, 은 이온 및/ 또는 동 이온과, 아릴 포스핀류, 알킬포스핀 류 및 아졸류에서 선택되는 1종 이상의 착체이다.
상기 포스핀류(아릴 포스핀류, 알킬포스핀류)로서는, 예를 들면 하기 일반식(1)으로 표현되는 화합물이 적당하다.
Figure 112007012293873-pat00001
(식중, R1, R2 및 R3은, 각각, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 탄소수 1～8의 치환 혹은 비치환의 쇄상 혹은 환상 알킬기를 나타낸다. 여기에서, 상기 아릴기의 수소는, 탄소수 1～8의 알킬기 혹은 알콕시기, 수산기, 아미노기 또는 할로겐 원자에서 임의의 위치가 치환되어 있어도 좋고, 상기 알킬기의 수소는 탄소수 1～8의 알콕시기, 아릴기, 수산기, 아미노기 또는 할로겐 원자로 임의의 위치가 치환되어 있어도 좋다. R1, R2 및 R3은 서로 동일하여도 달라도 좋다.)
구체적으로는, 포스핀류로서는, 트리페닐 포스핀, 트리(o-, m- 또는 p-톨일)포스핀, 트리(p-메톡시페닐)포스핀 등의 아릴 포스핀류, 또는 트리부틸 포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리스(3-히드록시프로필)포스핀, 트리벤질포스핀 등의 알킬포스핀류가 바람직하게 사용된다. 이것들 중에서도, 트리페닐 포스핀, 트리(p-톨일)포스핀, 트리(p-메톡시페닐)포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리스(3-히드록시프로필)포스핀이 특히 적합하게 사용되고, 트리페닐 포스핀, 트리(p-톨일)포스핀, 트리(p-메톡시페닐)포스핀이 가장 바람직하게 사용된다.
아릴 포스핀류 또는 알킬포스핀류와의 착체는, 양이온성이므로, 카운터 음이 온이 필요하다. 이 카운터 음이온으로서는, 유기 술폰산 이온, 유기 카르복실산 이온, 할로겐 이온, 질산 이온 또는 황산이온이 적당하다. 이것들은, 단독으로 혹은 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.
카운터 음이온으로서 사용되는 유기 술폰산으로서는, 예를 들면 메탄 술폰산, 2-히드록시 에탄 술폰산, 2-히드록시 프로판-1-술폰산, 트리클로로메탄 술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 톨루엔술폰산, 페놀술폰산, 크레졸 술폰산, 아니솔 술폰산, 또는 나프탈렌 술폰산 등이 바람직하게 사용되고, 메탄 술폰산, 톨루엔술폰산, 페놀술폰산 등이 특히 바람직하다.
또한 상기 카운터 음이온으로서 사용되는 유기 카르복실산으로는, 예를 들면 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부탄산, 옥탄산 등의 모노 카르복실산, 옥살산, 말론산, 숙신산 등의 디카르복실산, 락트산, 글리콜산, 주석산, 쿠엔산 등의 히드록시카르복실산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 퍼플루오로프로피온산 등의 할로겐 치환 카르복실산이 적당하게 사용된다. 그 중에서도, 포름산, 아세트산, 옥살산, 락트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로아세트산 또는 퍼플루오로프로피온산이 바람직하고, 아세트산, 락트산, 트리플루오로아세트산이 특히 바람직하게 사용된다.
상기 아졸류로는, 예를 들면 테트라졸, 트리아졸, 벤조트리아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 피라졸, 인다졸, 티아졸, 벤조티아졸, 옥사졸, 벤조옥사졸, 피롤, 인돌 또는 이들 유도체의 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 테트라졸, 5-메르캅토-1-페닐테트라졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 톨일트리아졸, 카르복시 벤조트리아졸, 이미다졸, 2-메르캅토 이미다졸, 벤즈이미다졸, 2-옥틸 벤즈이미다졸, 2-페닐 벤즈이미다졸, 2-메르캅토 벤즈이미다졸, 2-메틸티오 벤즈이미다졸, 피라졸, 인다졸, 티아졸, 벤조티아졸, 2-페닐 벤조티아졸, 2-메르캅토 벤조티아졸, 2-메틸티오 벤조티아졸이소옥사졸, 안트라닐, 벤조옥사졸, 2-페닐벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 피롤, 4,5,6,7-테트라히드로 인돌, 인돌 등이 바람직하다.
특히, 5-메르캅토-1-페닐테트라졸, 3-메르캅토-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 톨일트리아졸, 카르복시 벤조트리아졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 2-옥틸 벤즈이미다졸, 2-메르캅토 벤즈이미다졸, 벤조티아졸, 2-메르캅토 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조옥사졸 등이 특히 바람직하게 사용된다.
상기 석출형 땜납 조성물 중의 상기 주석분말과, 상기 금속의 염 또는 착체의 비율(주석분말의 질량:금속의 염 또는 착체의 질량)은, 99:1～50:50정도, 바람직하게는 97:3～60:40정도로 하는 것이 좋다.
본 발명이 땜납 페이스트 조성물 중에는, 상기 성분 이외에 플럭스를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 플럭스는, 베이스 수지, 활성제 및 틱소트로피제 등을 주성분으로 하고, 플럭스를 액상으로 해서 사용할 경우에는, 또한 유기용제를 첨가해도 좋다.
상기 베이스 수지로서는, 예를 들면 로진 또는 아크릴 수지 등을 사용할 수 있다.
상기 로진으로서는, 종래부터 플럭스 용도에 사용되고 있는 로진 및 그 유도 체를 사용할 수 있다. 로진 및 그 유도체로서는, 예를 들면 일반적인 검 로진, 톨 로진, 우드 로진을 사용할 수 있고, 그 유도체로서 열처리한 수지, 중합 로진, 수소첨가 로진, 포르밀화 로진, 로진 에스테르, 로진 변성 말레산 수지, 로진 변성 페놀수지, 로진 변성 알키드 수지 등을 들 수 있다.
상기 아크릴수지는, 분자량이 10,000이하, 바람직하게는 3,000～8,000인 것이 좋다. 분자량이 10,000을 초과하면, 내균열성이나 내박리성이 저하할 우려가 있다. 또한 활성작용을 조장하기 위해서는, 산가는 30이상의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 납땜할 때에는 연화될 필요가 있기 때문에, 연화점은 230℃ 이하인 것이 바람직하다. 그것 때문에 중합성 불포화기를 갖는 모노머, 예를 들면 (메타)아크릴산 및 그 각종 에스테르, 크로톤산, 이타콘산, (무수)말레산 및 그 에스테르, (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴아미드, 염화비닐, 아세트산 비닐 등을 사용하고, 과산화물 등의 촉매를 이용하여, 블록중합법, 액상중합법, 현탁중합법, 유화중합법 등의 라디칼중합에 의해 중합된 것을 사용하는 것이 좋다.
상기 이들의 베이스 수지는 병용할 수 있고, 예를 들면 상기 로진과 상기 아크릴수지를 혼합해서 사용할 수도 있다. 또한 베이스 수지의 함유량은, 플럭스 총량에 대하여 0.5～80질량％, 바람직하게는 20～70질량％인 것이 좋다.
상기 활성제로서는, 예를 들면 에틸아민, 프로필아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 아닐린 등의 할로겐화수소산염, 락트산, 쿠엔산, 스테아르산, 아디핀산, 디페닐 아세트산, 안식향산 등의 유기 카르복실산 등을 들 수 있다. 활성제의 함유량은, 플럭스 총량에 대하여 0.1～30질량％인 것이 좋다.
상기 틱소트로피제로는, 예를 들면 경화 피마자유, 밀랍, 카르나우바왁스 등을 들 수 있다. 틱소트로피제의 함유량은, 플럭스 총량에 대하여 1～50질량％인 것이 좋다.
상기 유기용제로서는, 예를 들면 에틸알콜, 이소프로필알콜, 에틸셀로솔브, 부틸카르비톨, 헥실 카르비톨 등의 알콜계 용제, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸 등의 에스테르계 용제, 톨루엔, 테레핀유 등의 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. 휘발성, 활성제의 용해성의 점에서는 알콜계 용제를 주용제로 하는 것이 바람직하다. 유기용제는, 플럭스 총량에 대하여 1～99질량％의 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서 사용할 수 있는 플럭스는, 종래부터 플럭스의 베이스 수지로서 공지의 폴리에스테르 수지, 페녹시 수지, 테르벤 수지 등의 합성수지 등을 병용할 수 있고, 또한 산화방지제, 곰팡이제거제, 광택제거제 등의 첨가제를 첨가할 수도 있다. 또한 본 발명이 땜납 페이스트 조성물이 석출형 땜납 조성물일 경우에는, 상기 플럭스중에, 상기 금속의 염 또는 착체를 함유시켜도 좋다.
본 발명이 땜납 페이스트 조성물에 있어서의 상기 땜납 분말과, 플럭스의 질량비 (땜납 분말:플럭스)는, 95:5～80:20정도인 것이 좋다.
상기의 땜납 페이스트 조성물(5)을 댐(4)으로 둘러싸여진 개구부내의 전극(2)상에 충전하는 방법은, 특별하게 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 임프린팅 인쇄로 충전하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 충전후, 소정온도로 가열해서 땜납을 전극(2) 표면에 부착시킬 때의 가열온도는, 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 전 자부품의 내열성 등도 고려하면, 예를 들면 180～280℃ 정도, 바람직하게는 200～250℃ 정도로 하는 것이 좋다. 또한 가열 시간은, 조성물의 조성등에 따라 적당하게 결정하면 좋고, 보통 30초～10분정도, 바람직하게는 1분～5분 정도이다.
얻을 수 있는 땜납 범프(6)의 높이는, 보통 40～100μｍ정도이다. 또한 본 발명에 의하면, 이 땜납 범프(6)를 파인 피치로 배열하는 것이 가능해서, 약50～120μｍ정도의 피치에도 대응할 수 있다.
이하, 실시예를 들어서 본 발명을 상세하게 설명한다.
실시예
[실시예1～4 및 비교예1～4]
(댐의 제작)
기판으로서, 두께 15μm의 땜납 레지스트막으로 표면이 피복되어, 이 땜납 레지스트막에 형성된 개구부(지름:85μm)에서 패드(무전해 니켈 도금 전극)가 노출된 기판을 사용했다. 또, 841개의 패드가 225μm 피치로 기판에 형성되어 있다.
이 기판표면에, 드라이필름 레지스트(Asahi Kasei EMD Corporation의 제품인 상품명 "SUNFORT™ AQ4036")를 압착하고, 이어서 감광성 수지층의 표면에 마스크를 배치하고, 각 패드와 그 주위를 노광한 후, 지지 필름을 벗겨서 Ｎａ2ＣＯ3수용액으로 현상하고, 패드의 주위에 개구부의 내경이 150μm이고, 두께 40μm인 (레지스트)댐을 225μm 피치로 형성했다.
(땜납 페이스트 조성물의 제작)
하기 표1에 나타난 입도분포를 갖는 Ｓｎ/Ｃｕ합금분말 (합금분말 No.01～08)과, 플럭스를 하기에 나타난 비율로 혼련하고, 표2에 나타난 각 땜납 페이스트 조성물을 얻었다 (땜납 페이스트 No.01P～08P).
Ｓｎ/Ｃｕ합금분말 88질량％
(Ｓｎ/Ｃｕ(질량비)=99.3/0.7)
플럭스 12질량％
상기에서 사용한 플럭스로는, 하기 처방의 성분을 혼합해서 150℃로 가열용융시켜, 실온에서 냉각한 것을 사용했다.
로진 수지 50질량％
(포르밀화 로진:Harima Chemicals, Inc.의 제품인, 상품명 "ＦＧ-90")
안식향산(유기산) 8질량％
헥실 카르비톨(용제) 7질량％
경화 피마자유(틱소트로피제) 35질량％
(표1)
합금분말1)
No.		 입도분포(%)2)
10㎛ 미만 10㎛ 이상 20㎛ 미만 20㎛ 이상 10㎛ 미만
+
10㎛ 이상 20㎛ 미만
01 20 79 1 99
02 90 9 1 99
03 52 38 10 90
04 16 74 10 90
05 8 78 14 86
06 1 90 9 91
07 38 50 12 88
08 32 56 12 88
1)Ｓｎ/Ｃｕ(질량비)=99.3/ 0.7
2)입도분포측정은, 마이크로 트랙 입도분포분석 장치 [Nikkiso Co.,Ltd.의 제품인 ＭＴ3000]을 사용했다
(땜납 프리코트 처리)
댐을 형성한 상기 기판의 각 개구부에, 상기에서 얻은 각 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.01P～08P)을 임프린팅 인쇄로 충전했다. 이어서, 질소분위기 하, 230℃이상으로 1분간 가열해서 땜납을 용융시키고, 땜납 프리코트를 실시해서 땜납 범프를 형성했다.
(댐의 제거 처리)
2-에탄올아민 용액(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.의 제품) 17ml을 증류수 83ml과 실온에서 혼합하고, 박리액 100ml을 조제했다. 이어서, 상기 박리액 100ml을 200ml 비이커에 가하고, 핫플레이트에서 약50℃로 가열한 후, 땜납 프리코트 처리를 행한 상기 기판을 박리액중에 2분간 침지해서 댐을 제거했다.
(땜납 페이스트 잔류물의 세정)
500ml 비이커에 부틸카르비톨 용액 300ml을 가하고, 초음파를 병용하고, 80℃의 상기 용액에 댐을 제거한 상기 기판을 2분간 침지했다. 계속해서, 이소프로필알콜 300ml에 2분간 침지하고, 여분인 땜납 페이스트 조성물을 제거했다. 그 후에 열풍을 이용하여 각 기판을 건조하고, 225μm피치의 각 땜납 프리코트 기판을 제작했다. 또, 땜납 프리코트 기판은 각 땜납 페이스트에 대해서 5매 제작했다 (프리코트 처리는 동일가열 조건에서 실시).
상기에서 얻어진 각 땜납 프리코트 기판에 대해서, 땜납 범프 결함을 평가했 다. 평가 방법을 이하에 나타냄과 동시에, 그 결과를 표2에 나타낸다.
(땜납 범프 결함의 평가 방법)
땜납 페이스트 잔류물 세정후의 각 땜납 프리코트 기판에 대해서, 마이크로스코프(KEYENCE CORPORATION의 제품인 VHX-200)을 이용하여, 기판 5매중의 땜납 범프 결함부분의 유무를 조사하고, 결함발생수의 측정을 행했다.
(표2)

 땜납
페이스트
No.		 합금분말
No.		 땜납 범프 결함수1)
기판1 기판2 기판3 기판4 기판5
실시예1 01P 01 0 0 0 0 0
실시예2 02P 02 0 0 0 0 0
실시예3 03P 03 0 0 0 0 0
실시예4 04P 04 0 0 0 0 0
비교예1 05P 05 2 1 1 0 2
비교예2 06P 06 35 20 28 31 22
비교예3 07P 07 18 0 2 0 4
비교예4 08P 08 5 12 0 2 0
1)측정 대상 패드수:841개/기판(전 패드를 대상)
표2로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 실시예 1～4의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.01P～04P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 범프 결함의 발생이 억제되고, 생산량이 향상되고 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여 비교예 1～4의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.05P～08P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 범프 결함이 발생했다.
[실시예 5～7 및 비교예5]
(댐의 제작)
기판으로서, 두께 10μm의 땜납 레지스트막으로 표면이 피복되고, 이 땜납 레지스트막에 형성된 개구부(지름:70μm)에서 패드(무전해 니켈 도금 전극)가 노출된 기판을 사용했다. 또, 6,561개의 패드가 150μm의 피치로 기판에 형성되어 있다.
이어서, 이 기판표면에, 상기 실시예 1～4과 같은 방법으로, 패드의 주위에 개구부의 내경이 150μm이고 두께 40μm인 (레지스트)댐을 150μm 피치로 형성했다.
(땜납 페이스트 조성물의 제작)
땜납 페이스트 조성물에 대해서는, 상기 실시예 1,3,4 및 비교예 2에서 얻어진 각 땜납 페이스트 조성물을 사용했다 (땜납 페이스트 No.01P, 03P, 04P, 06P).
이어서, 상기 실시예 1～4과 같은 방법으로, 땜납 프리코트 처리, 댐의 제거 처리 및 땜납 페이스트 잔류물의 세정을 행하고, 150μm피치의 각 땜납 프리코트 기판을 제작했다. 또, 땜납 프리코트 기판은, 각 땜납 페이스트에 대해서 2매 제작했다 (프리코트 처리는 동일가열 조건에서 실시).
상기에서 얻어진 각 땜납 프리코트 기판에 대해서, 상기 실시예 1～4과 동일한 방법으로, 땜납 범프 결함을 평가했다. 그 결과를 표3에 나타낸다.
(표3)

 땜납 페이스트
No.		 합금분말
No.		 땜납 범프 결함수1)
기판1 기판2
실시예5 01P 01 0 0
실시예6 03P 03 0 0
실시예7 04P 04 3 0
비교예5 06P 06 8 6
1)측정 대상 패드수:6,561개/기판(전 패드를 대상)
표3으로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 실시예 5～7의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.01P, 03P, 04P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 범프 결함수가 적고, 범프 결함의 발생이 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여 비교예 5의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.06P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 범프 결함수가 많은 결과를 나타냈다.
이어서, 상기에서 얻어진 150μm피치의 각 땜납 프리코트 기판에 대해서, 땜납 범프의 높이를 측정하고, 평균 높이과 높이 편차(표준편차)를 평가했다. 평가 방법을 이하에 나타냄과 동시에, 그 결과를 표4에 나타낸다.
(땜납 범프의 평균 높이와 높이 불균일의 평가 방법)
초점심도계(OLYMPUS CORPORATION의 제품인 STM)을 사용하고, 땜납 레지스트표면으로부터 범프 톱까지의 거리를 측정하고, 이것을 땜납 높이로 했다. 각 기판마다 임의의 60개의 범프에 대해서 땜납 높이를 측정하고, 그 측정 결과로부터 평균치(땜납 범프의 평균 높이)와 높이 편차(표준편차)를 산출했다.
(표4)
땜납 페이스트
No.		 합금분말
No.		 땜납 범프의
평균높이(AVG)
(㎛)		 표준편차
(STD)
실시예5 01P 01 45.5 2.5
실시예6 03P 03 47.4 2.2
실시예7 04P 04 46.0 3.1
비교예5 06P 06 45.1 5.2
표4로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 실시예 5～7의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.01P, 03P, 04P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 균일한 높이의 땜납 범프가 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여 비교예 5의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.06P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 높이의 불균일이 생겼다.
[실시예8～10및 비교예6]
(댐의 제작)
기판으로서, 상기 실시예 5～7과 같은 기판을 사용하고, 이어서, 이 기판표면에, 상기 실시예 5～7과 같은 방법으로, 패드의 주위에 개구부의 내경이 150μm이고, 두께 40μm인 (레지스트)댐을 150μm 피치로 형성했다.
(땜납 페이스트 조성물의 제작)
표1에 나타난 입도분포를 갖는 Ｓｎ/Ｃｕ합금분말 (합금분말 No.01, 03, 04, 06)과, 플럭스로서, 하기에 나타난 것을 사용하는 것 이외에, 상기 실시예 1～4와 같은 방법으로, 표5에 나타난 각 땜납 페이스트 조성물을 얻었다(땜납 페이스트 No.09P～12P, 석출형 땜납 조성물).
사용한 플럭스는, 하기 처방의 성분을 혼합해서 150℃로 가열용융시켜, 실온으로 냉각한 것을 사용했다.
로진 수지 40질량％
(포르밀화 로진:Harima Chemicals, Inc.의 제품인, 상품명 "ＦＧ-90")
안식향산(유기산) 8질량％
헥실 카르비톨(용제) 7질량％
경화 피마자유(틱소트로피제) 35질량％
스테아르산 동 10질량％
이어서, 상기 실시예 1～4과 같은 방법으로, 땜납 프리코트 처리, 댐의 제거 처리 및 땜납 페이스트 잔류물의 세정을 행하고, 150μm피치의 각 땜납 프리코트 기판을 제작했다. 또, 땜납 프리코트 기판은, 각 땜납 페이스트에 대해서 2매 제작했다(프리코트 처리는 동일가열 조건에서 실시).
상기에서 얻어진 각 땜납 프리코트 기판에 대해서, 상기 실시예 1～4과 같은 방법으로, 땜납 범프 결함을 평가했다. 그 결과를 표5에 나타낸다.
표5

 땜납 페이스트
No.		 합금분말
No.		 땜납 범프 결함수1)
기판1 기판2
실시예8 09P 01 0 0
실시예9 10P 03 0 0
실시예10 11P 04 1 1
비교예6 12P 06 9 4
1)측정 대상 패드수:6,561개/기판(전패드를 대상)
표5로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 실시예 8～10의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.09P～11P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 범프 결함수가 적고, 범프 결함의 발생이 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 대하여 비교예 6의 땜납 페이스트 조성물(땜납 페이스트 No.12P)을 이용하여 형성된 땜납 범프는, 범프 결함수가 많은 결과를 나타냈다.
이상, 본 발명의 일실시형태에 대해서 나타냈지만, 본 발명은 상기의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 의하면, 댐을 이용한 땜납 프리코트법에서 사용하는 땜납 페이스 트 조성물에 있어서, 상기 땜납 페이스트 조성물이 함유하는 땜납 분말의 입도분포가 소정의 입도분포이므로, 댐으로 둘러싸여진 개구부내에 충전된 땜납 페이스트 조성물중의 땜납 분말이, 가열 용융시에 있어서 확실하게 전극상에 퇴적하고, 범프 결함의 발생을 억제할 수 있고, 생산량을 향상시킴과 아울러, 형성된 땜납 범프의 높이가 균일해진다는 효과가 있다. 또한 상기 땜납 페이스트 조성물이 함유하는 땜납 분말의 입도분포를 또한 특정 범위의 입도분포로 함으로써, 더 효과적으로 범프 결함의 발생이 억제되어, 더욱 균일한 높이의 땜납 범프를 형성할 수 있다. 또한 상기 땜납 페이스트 조성물을 석출형의 땜납 페이스트 조성물로 함으로써, 미세한 피치에서도 정확하게 전극상에 땜납 범프를 형성할 수 있고, 또 보이드의 발생을 억제할 수 있다.

Claims (16)

  1. 기판상의 전극주위에 포토레지스트 또는 드라이필름 레지스트를 사용하여 댐을 형성하고, 이 댐에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극상에 땜납 페이스트 조성물을 충전하고, 충전한 상기 땜납 페이스트 조성물을 가열하고, 땜납을 상기 전극의 표면에 부착시켜서 땜납 범프를 형성하는 땜납 프리코트법에서 사용하는 땜납 페이스트 조성물로서,
    상기 땜납 페이스트 조성물은 땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말은 Sn/Cu 합금분말이고, 그 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자가 20%이상이며, 또 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 90%이상인 것을 특징으로 하는 땜납 페이스트 조성물.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 95%이상인 땜납 페이스트 조성물.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 석출형 땜납 조성물인 땜납 페이스트 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 주석분말과 동의 금속염을 함유하는 땜납 페이스트 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 주석분말과, 동 이온과 아릴 포스핀류, 알킬포스핀류 및 아졸류에서 선택되는 1종 이상과의 착체를 함유하는 땜납 페이스트 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 주석분말의 질량:상기 금속염의 질량이, 99:1～50:50인 땜납 페이스트 조성물.
  8. 기판상의 전극주위에 포토레지스트 또는 드라이필름 레지스트를 사용하여 댐을 형성하고, 이 댐에 의해 둘러싸여진 개구부내의 전극상에 땜납 페이스트 조성물을 충전하고, 충전한 상기 땜납 페이스트 조성물을 가열하고, 땜납을 상기 전극의 표면에 부착시켜서 땜납 범프를 형성하는 땜납 프리코트법에 있어서,
    땜납 분말을 함유하고, 상기 땜납 분말은 Sn/Cu 합금분말이고, 그 입도분포가, 입경 10μｍ미만의 입자가 20%이상이며, 또 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 90%이상인 땜납 페이스트 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 땜납 프리코트법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서, 상기 땜납 분말의 입도분포는, 입경 10μｍ미만의 입자와 입경 10μｍ이상 20μｍ미만의 입자의 합계가 95%이상인 땜납 프리코트법.
  11. 제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 땜납 페이스트 조성물은 석출형 땜납 조성물인 땜납 프리코트법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 석출형 땜납 페이스트 조성물은, 주석분말과 동의 금속염을 함유하는 땜납 프리코트법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 석출형 땜납 페이스트 조성물은, 주석분말과, 동 이온과 아릴 포스핀류, 알킬포스핀류 및 아졸류에서 선택되는 1종 이상과의 착체를 함유하는 땜납 프리코트법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 주석분말의 질량:상기 금속염의 질량이, 99:1～50:50인 땜납 프리코트법.
  15. 제6항에 있어서, 상기 주석분말의 질량:상기 착체의 질량이, 99:1～50:50인 땜납 페이스트 조성물.
  16. 제13항에 있어서, 상기 주석분말의 질량:상기 착체의 질량이, 99:1～50:50인 땜납 프리코트법.
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