KR101169479B1 - Adhesive sheet for dicing - Google Patents

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KR101169479B1
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쇼오지 야마모또
고오이찌 하시모또
도시오 신따니
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 익스팬드 공정시의 파단을 완전히 방지하는 것이 가능한 다이싱용 점착 시트, 그것을 이용한 피절단체의 가공 방법 및 그 방법에 의해 얻어지는 피절단체 소편을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a dicing adhesive sheet capable of completely preventing fracture during an expanding process, a method for processing a cut single body using the same, and a cut single piece obtained by the method.

기재(1) 중 적어도 한쪽면에 점착제층(2)을 갖고 구성되고, 피절단체의 가공시에 이용하는 다이싱용 점착 시트(11)이며, 상기 기재(1)의 인장 탄성율이 50 내지 250 ㎫이고, 파단 연신도가 200 % 이상이고, 하기 식으로 표시되는 내절입도가 2.5 이상인 것을 특징으로 한다. It is comprised with the adhesive layer 2 in at least one surface of the base material 1, It is the dicing adhesive sheet 11 used at the time of the process of a cut body, The tensile elasticity modulus of the said base material 1 is 50-250 Mpa, It is characterized by breaking elongation of 200% or more, and breaking resistance of 2.5 or more represented by the following formula.

[수학식 1][Equation 1]

내절입도 = [상기 기재(1)의 파단 강도]/[상기 기재(1)의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도]Breaking resistance = [breaking strength of the base material 1] / [tensile strength at 30% of tensile elongation of the base material 1]

기재, 점착체층, 다이싱용 점착 시트, 피절단체 소편, 반도체 칩 Base material, pressure-sensitive adhesive layer, pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, single cut piece, semiconductor chip

Description

다이싱용 점착 시트{ADHESIVE SHEET FOR DICING}Adhesive sheet for dicing {ADHESIVE SHEET FOR DICING}

도1은 본 발명의 실시 형태에 관한 다이싱용 점착 시트의 개략을 도시한 단면도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Sectional drawing which shows the outline of the adhesive sheet for dicing which concerns on embodiment of this invention.

도2는 상기 다이싱용 점착 시트에 있어서의 기재 필름의 인장 연신도와 인장 강도의 관계를 나타낸 그래프. Fig. 2 is a graph showing the relationship between tensile elongation and tensile strength of the base film in the dicing adhesive sheet.

도3의 (a)는 반도체 웨이퍼에 부착된 상기 다이싱용 점착 시트의 익스팬드의 모습을 도시한 설명도, 도3의 (b)는 반도체 칩 및 다이싱 링이 다이싱용 점착 시트에 접착 고정되어 있는 모습을 도시한 평면도. Figure 3 (a) is an explanatory view showing the expansion of the dicing adhesive sheet attached to the semiconductor wafer, Figure 3 (b) is a semiconductor chip and the dicing ring is adhesively fixed to the dicing adhesive sheet Floor plan showing the appearance.

도4의 (a)는 다이싱 후의 반도체 칩 및 다이싱용 점착 시트를 도시한 단면도, 도4의 (b)는 익스팬드된 반도체 칩 및 다이싱용 점착 시트의 모습을 도시한 단면도. 4A is a cross-sectional view showing a semiconductor chip and a dicing adhesive sheet after dicing, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing a state of an expanded semiconductor chip and a dicing adhesive sheet.

도5는 실시예에 관한 다이싱용 점착 시트의 기재 필름에 있어서의 인장 연신도와 인장 강도의 관계를 나타낸 그래프.5 is a graph showing a relationship between tensile elongation and tensile strength in a base film of a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to an embodiment.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기재 필름(기재)1: base film (base material)

2 : 점착제층2: Pressure-sensitive adhesive layer

3 : 세퍼레이터3: separator

11 : 다이싱용 점착 시트11: adhesive sheet for dicing

12 : 반도체 칩12: semiconductor chip

13 : 다이싱 링13: dicing ring

14 : 외부 링14: outer ring

15 : 내부 링15: inner ring

16 : 다이싱 스트릿16: dicing street

[문헌 1] 일본 특허 공개 평5-156214호 공보[Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 5-156214

[문헌 2] 일본 특허 공개 평11-43656호 공보[Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-43656

[문헌 3] 일본 특허 공개 제2000-124169호 공보[Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-124169

본 발명은 다이싱용 점착 시트, 그것을 이용한 피절단체의 가공 방법 및 그 방법에 의해 얻어지는 피절단체 소편(小片)에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the dicing adhesive sheet, the processing method of the cut single piece using the same, and the cut single piece obtained by the method.

종래, 실리콘, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는, 대경의 상태로 제조된 후, 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되고, 다시 마운트 공정으로 이동된다. 그 때, 반도체 웨이퍼는 다이싱용 점착 시트(이하,「점착 시트」라 함)에 부착되어 보유 지지된 상태에서 다이싱 공정, 세정 공정, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 마운트 공정의 각 공정이 실시된다. 상기 점착 시트로서는, 플라스틱 필름으 로 이루어지는 기재(基材) 상에 아크릴계 접착제 등을 도포하고, 두께가 1 내지 200 ㎛ 정도인 점착제층을 형성하여 이루어지는 것이 일반적으로 이용되고 있다. BACKGROUND ART Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, or the like is manufactured in a large diameter state, and then cut and diced into element pieces and then moved to a mounting process. At that time, each step of the dicing step, the cleaning step, the expansion step, the pick-up step, and the mounting step is carried out while the semiconductor wafer is attached to and held on the dicing adhesive sheet (hereinafter referred to as "adhesive sheet"). . As the pressure-sensitive adhesive sheet, an acrylic adhesive or the like is applied onto a substrate made of a plastic film, and a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 1 to 200 μm is generally used.

상기 다이싱 공정에서는, 회전하면서 이동하는 둥근 칼에 의해 반도체 웨이퍼가 절단되고, 반도체 칩의 형성이 행해진다. 상기 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼를 보유 지지하는 점착 시트의 기재 내부까지 절입을 행하는 풀 컷트라 불리워지는 절단 방식이 주류가 되고 있다. In the said dicing process, a semiconductor wafer is cut | disconnected by the round knife which moves while rotating, and formation of a semiconductor chip is performed. In the said process, the cutting system called full cut which cuts in into the base material of the adhesive sheet holding a semiconductor wafer becomes the mainstream.

상기 익스팬드 공정에서는, 충분한 칩 간격을 확보하여, 그 후에 행해지는 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행하는 것을 목적으로 하여 점착 시트의 확장이 행해진다. 그러나, 풀 컷트에 의한 절단 방법에서는, 점착 시트의 내부까지 절입이 행해져 있으므로, 점착 시트를 크게 확장하려고 하면 점착 시트가 그 절입 부분으로부터 파단되는 경우가 있었다. 그 결과, 픽업 공정에 있어서 반도체 칩을 픽업할 수 없게 되어, 작업성 및 가공의 수율을 현저히 저하시키는 문제가 있었다. In the expansion step, the pressure-sensitive adhesive sheet is expanded for the purpose of securing a sufficient chip spacing and easily picking up the semiconductor chip to be performed thereafter. However, in the cutting method by full cut, since the incision is performed to the inside of an adhesive sheet, when the adhesive sheet is going to expand large, the adhesive sheet might break from the cut part. As a result, the semiconductor chip cannot be picked up in the pick-up step, and there is a problem that the workability and the yield of processing are significantly reduced.

상기 문제를 회피하기 위해, 종래의 점착 시트에 있어서는 폴리염화비닐로 이루어지는 기재 필름을 이용해 왔다. 그러나, 그러한 점착 시트는 반도체 웨이퍼에 부착한 상태로 장기간 보관되면, 염화비닐에 포함되는 가소제 등의 첨가제가 점착제층으로 이동하여 점착 특성의 저하를 초래한다. 그 결과, 다이싱시의 칩 비산이나 픽업시의 박리 불량을 발생시키는 경우가 있었다. In order to avoid the said problem, in the conventional adhesive sheet, the base film which consists of polyvinyl chloride has been used. However, when such an adhesive sheet is stored for a long time in a state where it is attached to a semiconductor wafer, additives such as a plasticizer contained in vinyl chloride move to the adhesive layer, resulting in deterioration of adhesive properties. As a result, chip scattering at the time of dicing and peeling failure at the time of pick-up may occur.

점착 시트에 있어서의 점착 특성의 시간의 흐름에 따른 변화를 해결하기 위해, 예를 들어 하기 특허 문헌 1에는 기재 필름으로서 에틸렌?메틸메타아크릴레이트 공중합체 필름을 이용한 웨이퍼 점착용 점착 시트가 개시되어 있다. 또한, 하 기 특허 문헌 2에는 기재 필름으로서 무연신 폴리프로필렌층을 갖는 것을 이용한 웨이퍼 점착용 점착 시트가 개시되어 있다. 그러나, 이들 선행 기술은 모두 익스팬드 공정에 있어서의 작업성에 대해 고려하고 있지 않다. 또한, 이들 선행 기술에 개시되어 있는 각 웨이퍼 점착용 점착 시트를 이용하여 반도체 웨이퍼의 가공을 행하면, 실제로 익스팬드 공정에 있어서 웨이퍼 점착용 점착 시트의 파단이 발생하였다. In order to solve the change with the passage of time of the adhesive characteristic in an adhesive sheet, for example, the following patent document 1 discloses the adhesive sheet for wafer adhesion using the ethylene methyl methacrylate copolymer film as a base film. . In addition, Patent Document 2 discloses a pressure sensitive adhesive sheet for wafer adhesion using a non-stretched polypropylene layer as a base film. However, none of these prior art considers workability in the expand process. Moreover, when a semiconductor wafer was processed using each adhesive sheet for wafer adhesion disclosed by these prior arts, the break | disconnection of the adhesive sheet for wafer adhesion was actually generate | occur | produced in the expansion process.

또한, 하기 특허 문헌 3에서는 기재 시트와, 그 편측 표면 상에 설치한 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프이며, 점착제층과 접촉하는 상부층과, 그 상부층의 하부에 설치한 중간층과, 그 중간층의 하부에 설치한 하부층으로 이루어지는 기재 시트를 구비한 다이싱 테이프가 개시되어 있다. 또한, 상기 다이싱 테이프에 있어서는 탄성율과 층 두께의 곱에 의해 나타내는 항신장성[인장 탄성율(영율)과 두께의 곱]에 관하여 상부층의 항신장성(A)과, 중간층의 항신장성(B)과, 하부층의 항신장성(C)이, B < A ≤ C의 관계를 만족하는 취지가 기재되어 있다. 특허 문헌 3에 따르면, 다이싱에 있어서의 익스팬드 공정에 있어서, 점착제의 탄성율의 영향을 받지 않고 균일하고 또한 충분히 다이싱 라인의 간격을 넓힐 수 있는 동시에, 다이싱 라인에 있어서의 파단이 생기기 어려운 것이 기재되어 있다. 그러나, 상기 구성의 다이싱 테이프라도 기재 필름을 구성하는 각 층의 파단 연신도가 충분하지 않거나, 인장 탄성율과 비교하여 파단 강도가 충분히 크지 않거나 한 경우에는, 익스팬드 공정에 있어서 다이싱 테이프의 파단이 생기는 경우도 있다. 즉, 상기 구성의 다이싱 테이프라도 익스팬드 공정시의 파단의 방지가 불충분하다. Moreover, in following patent document 3, it is a dicing tape containing a base material sheet and the adhesive layer provided on the one side surface, The upper layer contacting an adhesive layer, The intermediate | middle layer provided in the lower part of this upper layer, and the lower part of this intermediate | middle layer Disclosed is a dicing tape having a base sheet composed of a lower layer provided on the substrate. Moreover, in the said dicing tape, the anti-elongation (A) of an upper layer and the anti-elongation (B) of an intermediate | middle layer regarding the anti-elongation (product of tensile modulus (Young's modulus) and thickness) represented by the product of an elasticity modulus and a layer thickness. ) And that the anti-elongation (C) of the lower layer satisfies the relationship of B <A ≤ C. According to Patent Document 3, in the expansion step in dicing, the spacing of the dicing lines can be widened uniformly and sufficiently without being affected by the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive, and breakage in the dicing lines is unlikely to occur. Is described. However, even when the dicing tape of the above configuration is not sufficient to break the elongation of each layer constituting the base film, or when the breaking strength is not large enough compared with the tensile modulus, the dicing tape is broken in the expansion step This may occur. That is, even the dicing tape of the said structure is inadequate prevention of the fracture at the time of an expansion process.

[특허 문헌 1][Patent Document 1]

일본 특허 공개 평5-156214호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 5-156214

[특허 문헌 2][Patent Document 2]

일본 특허 공개 평11-43656호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 11-43656

[특허 문헌 3][Patent Document 3]

일본 특허 공개 제2000-124169호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2000-124169

본 발명은 상기 문제점에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 익스팬드 공정시의 파단을 완전히 방지하는 것이 가능한 다이싱용 점착 시트, 그것을 이용한 피절단체의 가공 방법 및 그 방법에 의해 얻어지는 피절단체 소편을 제공하는 데 있다. The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a dicing adhesive sheet capable of completely preventing fracture during an expanding process, a method for processing a cut single body using the same, and a cut single piece obtained by the method. have.

본원 발명자들은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해, 다이싱용 점착 시트, 그것을 이용한 피절단체의 가공 방법 및 그 방법에 의해 얻어지는 피절단체 소편에 대해 검토하였다. 그 결과, 기재의 인장 물성치를 소정의 범위 내로 제어함으로써 종래의 다이싱용 점착 시트에서는 불충분한 익스팬드 공정시의 파단을 완전히 방지할 수 있는 것을 발견하고 본 발명을 완성하는 데 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said conventional problem, the present inventors examined the adhesive sheet for dicing, the processing method of the cut single body using the same, and the cut single piece obtained by the method. As a result, by discovering that the tensile physical property value of a base material can be controlled in a predetermined range, the breakage at the time of the expansion process insufficient in the conventional dicing adhesive sheet was completely prevented, and the present invention was completed.

즉, 본 발명에 관한 다이싱용 점착 시트는 상기한 과제를 해결하기 위해 기재 중 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖고 구성되고, 피절단체의 가공시에 이용하는 다이싱용 점착 시트이며, 상기 기재의 인장 탄성율이 50 내지 250 ㎫이고, 파단 연 신도가 200 % 이상이고, 하기 식으로 표시되는 내절입도가 2.5 이상인 것을 특징으로 한다. That is, the adhesive sheet for dicing which concerns on this invention is an adhesive sheet for dicing which is comprised with an adhesive layer in at least one surface of a base material, and is used at the time of processing of a cut body, in order to solve said subject, and the tensile elasticity modulus of the said base material is It is 50-250 Mpa, Elongation at break is 200% or more, It is characterized by the breakthrough resistance represented by a following formula at 2.5 or more.

[수학식 1][Equation 1]

내절입도 = (상기 기재의 파단 강도)/(상기 기재의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도)Breaking resistance = (break strength of the substrate) / (tensile strength at 30% of tensile elongation of the substrate)

상기 구성에 있어서는, 상기 기재의 항복점 연신도가 30 % 이상인 것이 바람직하다. 여기서, 기재의 항복점 연신도는 소정의 조건 하에서 JIS K 7162에 준거한 인장력 시험에 의해 얻어진 S-S 곡선에 있어서의 항복점으로부터 판독한 것이다. In the said structure, it is preferable that the yield point elongation of the said base material is 30% or more. Here, the yield point elongation of a base material is read out from the yield point in the S-S curve obtained by the tensile force test based on JISK7126 under predetermined conditions.

또한, 상기 구성에 있어서는 상기 기재가 폴리프로필렌계 열가소성 엘라스토머, 아크릴 수지 및 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류 이상을 함유하는 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that the said base material contains at least 1 sort (s) or more chosen from the group which consists of a polypropylene thermoplastic elastomer, an acrylic resin, and a polyester thermoplastic elastomer.

또한, 상기 구성에 있어서는, 상기 점착제층의 두께가 1 ㎛ 이상이고, 또한 상기 기재의 두께의 1/3 이하인 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that the thickness of the said adhesive layer is 1 micrometer or more, and is 1/3 or less of the thickness of the said base material.

또한, 상기 구성에 있어서는 상기 점착제층이 방사선 경화형 점착제를 포함하여 구성되어 있는 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that the said adhesive layer is comprised including the radiation-curable adhesive.

또한, 본 발명에 관한 피절단체의 가공 방법은, 상기한 과제를 해결하기 위하 기재 중 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖고 구성되고, 피절단체의 가공시에 이용하는 다이싱용 점착 시트이며, 상기 기재의 인장 탄성율이 50 내지 250 ㎫이고, 파단 연신도가 200 % 이상이고, 하기 식으로 표시되는 내절입도가 2.5 이상인 다이 싱용 점착 시트를 피절단체에 부착하는 공정과, 상기 피절단체를 절단하여 피절단체 소편을 형성하는 공정이며, 상기 절단을 상기 피절단체측으로부터 상기 다이싱용 점착 시트의 기재까지 행하는 공정과, 상기 다이싱용 점착 시트를 확장시켜 상기 다이싱용 점착 시트에 접착 고정되어 있는 각 피절단체 소편의 간격을 넓히는 공정과, 상기 점착제층이 구비된 피절단체 소편을 상기 기재로부터 박리하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. Moreover, the processing method of the cut single body which concerns on this invention is an adhesive sheet for dicing which is comprised with an adhesive layer in at least one surface of a base material, and solves the said subject, and is used at the time of processing of a cut single body, The tension of the said base material A step of attaching a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing to a cut single body having an elastic modulus of 50 to 250 MPa, an elongation at break of 200% or more, and a cut resistance of 2.5 or more represented by the following formula; A step of forming the cutting to the base material of the dicing pressure sensitive adhesive sheet from the side of the cut single body, and expanding the dicing pressure sensitive adhesive sheet to separate the intervals of the individual cut pieces that are adhesively fixed to the dicing pressure sensitive adhesive sheet. Characterized in that it has a step of widening and a step of peeling the cut piece of small piece provided with the pressure-sensitive adhesive layer from the base material. .

[수학식 2]&Quot; (2) &quot;

내절입도 = (상기 기재의 파단 강도)/(상기 기재의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도)Breaking resistance = (break strength of the substrate) / (tensile strength at 30% of tensile elongation of the substrate)

상기 방법에 있어서는, 상기 기재의 항복점 연신도가 30 % 이상인 것이 바람직하다. In the said method, it is preferable that the yield point elongation of the said base material is 30% or more.

또한, 상기 방법에 있어서는 상기 기재가, 폴리프로필렌계 열가소성 엘라스토머, 아크릴 수지 및 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류 이상을 함유하는 것이 바람직하다. Moreover, in the said method, it is preferable that the said base material contains at least 1 sort (s) or more chosen from the group which consists of a polypropylene thermoplastic elastomer, an acrylic resin, and a polyester thermoplastic elastomer.

또한, 상기 방법에 있어서는 상기 점착제층의 두께가 1 ㎛ 이상이고, 또한 상기 기재의 두께의 1/3 이하인 것이 바람직하다. Moreover, in the said method, it is preferable that the thickness of the said adhesive layer is 1 micrometer or more, and is 1/3 or less of the thickness of the said base material.

또한, 상기 방법에 있어서는 상기 점착제층이 방사선 경화형 점착제를 포함하여 구성되어 있는 것이 바람직하다. Moreover, in the said method, it is preferable that the said adhesive layer is comprised including the radiation-curable adhesive.

또한, 상기 방법에 있어서는 상기 피절단체로서 반도체 소자를 사용할 수 있다. In the above method, a semiconductor element can be used as the cut body.

또한, 본 발명에 관한 피절단체 소편은 상기한 과제를 해결하기 위해,에 기재된 피절단체의 가공 방법에 의해 제작된 것을 특징으로 한다. Moreover, the cut single piece which concerns on this invention was produced by the processing method of the cut single piece as described in order to solve the said subject, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명에 대해, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 본 발명의 다이싱용 점착 시트(11)는, 도1에 도시한 바와 같이 기재 필름(기재)(1) 중 적어도 한쪽면에 점착제층(2)을 갖는 구성이다. 본원 발명자들은, 기재 필름(1)의 물성과, 피절단체로서의 반도체 웨이퍼(반도체 소자)를 다이싱할 때의 다이싱 조건 및 다이싱용 점착 시트를 익스팬드할 때의 익스팬드 조건에 대해 검토를 행하여, 다이싱용 점착 시트(11)의 파단이 일어나는 메카니즘을 해명하였다. 우선, 기재 필름(1)을 인장력 시험기로 인장력 시험을 행하고, 인장 연신도 및 인장 강도에 대해 측정하였다. 그 결과, 예를 들어 도2에 도시한 연신도-강도(Strain-Strength) 커브(이하,「S-S 곡선」이라 함)가 얻어졌다. 도1은, 인장 연신도와 인장 강도의 관계를 나타내는 그래프이다. 기재 필름(1)은, 인장 하중의 부가에 의해 확장되면, 도2의 S-S 곡선에 있어서의 파단 강도 및 파단 연신도로 나타내어지는 점에서 파단한다. 익스팬드시에 발생하는 다이싱 후의 다이싱용 점착 시트(11)의 파단도, 상기 기재 필름(1)의 파단에 의해 발생되는 것이다. The present invention will be described below with reference to the drawings. The adhesive sheet 11 for dicing of this invention is a structure which has the adhesive layer 2 in at least one surface of the base film (base material) 1, as shown in FIG. The inventors of the present application examine the physical properties of the base film 1, the dicing conditions when dicing a semiconductor wafer (semiconductor element) as a cut body, and the expand conditions when expanding a dicing adhesive sheet. The mechanism by which breakage of the pressure sensitive adhesive sheet 11 for dicing occurs is explained. First, the base film 1 was subjected to a tensile test with a tensile tester, and measured for tensile elongation and tensile strength. As a result, for example, a stretch-strength curve (hereinafter referred to as an "S-S curve") shown in FIG. 2 was obtained. 1 is a graph showing the relationship between tensile elongation and tensile strength. When the base film 1 expands by addition of the tensile load, it breaks at the point represented by the breaking strength and the breaking elongation in the S-S curve of FIG. The breaking of the adhesive sheet 11 for dicing after dicing which arises at the time of expansion is also produced by the breaking of the said base film 1.

다이싱용 점착 시트(11)의 익스팬드는, 예를 들어 도3의 (a) 및 도3의 (b)에 도시한 바와 같이 하여 행해진다. 도3의 (a)는, 반도체 웨이퍼에 부착된 다이싱용 점착 시트(11)의 익스팬드의 모습을 도시한 설명도이고, 도3의 (b)는 복수의 반도체 칩(피절단체 소편) 및 다이싱 링이 다이싱용 점착 시트(11)에 접착 고정되어 있는 모습을 도시한 평면도이다. 다이싱용 점착 시트(11)에는, 반도체 웨이퍼를 다 이싱함으로써 형성된 복수의 반도체 칩(12)이 접착 고정되어 있다. 또한, 각 반도체 칩(12)의 형성 영역의 외측에는, 복수의 반도체 칩(12)이 접착 고정되어 있는 영역으로부터 소정의 영역을 거쳐서 다이싱 링(13)이, 다이싱용 점착 시트(11)에 접착 고정되어 있다. 익스팬드는, 필요에 따라서 다이싱용 점착 시트(11)에 방사선을 조사한 후, 종래 공지의 익스팬드 장치를 이용하여 행한다. 익스팬드 장치는, 다이싱 링(13)을 거쳐서 다이싱용 점착 시트(11)를 하방으로 압하하는 것이 가능한 도넛 형상의 외부 링(14)과, 상기 외부 링(14)보다도 직경이 작고 다이싱용 점착 시트(11)를 지지하는 내부 링(15)을 갖고 있다. The expansion of the dicing adhesive sheet 11 is performed as shown, for example in FIG.3 (a) and FIG.3 (b). FIG. 3A is an explanatory view showing an expanded state of the dicing adhesive sheet 11 attached to a semiconductor wafer, and FIG. 3B is a plurality of semiconductor chips (small piece of cut piece) and a die. It is a top view which shows the state in which the Singh ring is adhesively fixed to the adhesive sheet 11 for dicing. The plurality of semiconductor chips 12 formed by dicing the semiconductor wafer are adhesively fixed to the dicing adhesive sheet 11. Moreover, the dicing ring 13 is carried out to the dicing adhesive sheet 11 for dicing from the area | region where the some semiconductor chip 12 is adhesively fixed to the outside of the formation area | region of each semiconductor chip 12 through a predetermined | prescribed area | region. The adhesive is fixed. Expanding is performed using the conventionally well-known expander, after irradiating the radiation to the adhesive sheet 11 for dicing as needed. The expander is a donut-shaped outer ring 14 capable of pressing down the dicing adhesive sheet 11 downward through the dicing ring 13 and a dicing adhesive smaller than the outer ring 14. It has an inner ring 15 for supporting the seat 11.

익스팬드는, 다음과 같이 하여 행해진다. 우선, 외부 링(14)은 다이싱용 점착 시트(11)가 개재 삽입 가능한 정도로, 내부 링(15)의 상방에 충분한 거리를 두고 위치시킨다. 다음에, 외부 링(14)과 내부 링(15) 사이에, 반도체 칩(12) 및 다이싱 링(13)이 접착 고정된 다이싱용 점착 시트(11)를 개재 삽입시킨다. 이 때, 반도체 칩(12)이 접착 고정되어 있는 영역이, 내부 링(15)의 중앙부에 위치하도록 셋트한다. 그 후, 외부 링(14)이 내부 링(15)에 따라 하방으로 이동하고, 동시에 다이싱 링(13)을 압하한다. 다이싱 링(13)이 압하됨으로써, 다이싱용 점착 시트(11)는 다이싱 링과 내부 링의 고도차에 의해 확대되어 익스팬드가 행해진다. 익스팬드의 목적은, 픽업시에 반도체 칩(12)끼리가 접촉하여 파손하는 것을 막는 데 있다. The expansion is performed as follows. First, the outer ring 14 is positioned at a sufficient distance above the inner ring 15 to the extent that the adhesive sheet 11 for dicing can be interposed. Next, between the outer ring 14 and the inner ring 15, the adhesive sheet 11 for dicing with which the semiconductor chip 12 and the dicing ring 13 was adhesively fixed is interposed. At this time, the area | region to which the semiconductor chip 12 is adhesively fixed is set so that it may be located in the center part of the inner ring 15. FIG. Thereafter, the outer ring 14 moves downward along the inner ring 15 and simultaneously pushes the dicing ring 13 down. As the dicing ring 13 is pressed down, the pressure-sensitive adhesive sheet 11 for dicing is enlarged due to the difference in altitude between the dicing ring and the inner ring to expand. The purpose of the expansion is to prevent the semiconductor chips 12 from coming into contact with each other and being damaged during pickup.

다이싱에 의해 형성된 각 반도체 칩(12)의 간극(이하,「다이싱 스트릿」이라 함)(16)은 다이싱 블레이드(날)의 두께에도 의하지만, 15 내지 60 ㎛가 일반적이 다[도4의 (a) 참조]. 그러한 반도체 칩(12)이 접착 고정된 다이싱용 점착 시트(11)가 익스팬드되면, 다이싱 스트릿(16)의 폭은 100 내지 500 ㎛ 정도까지 확장된다[도4의 (b) 참조]. 익스팬드시의, 외부 링(14)의 내부 링(15)에 대한 삽입 깊이는, 다이싱 링 내경, 반도체 웨이퍼의 사이즈, 반도체 칩(12)의 사이즈, 다이싱 스트릿수 등에 의해 적절하게 조정된다. 예를 들어, 종래의 익스팬드 장치를 이용하여, 반도체 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼를 가공하는 경우, 삽입 깊이는 일반적으로는 2 내지 15 mm, 보다 바람직하게는 5 내지 10 mm 정도로 설정된다. 삽입 깊이는, 반도체 칩 사이즈나 다이싱 스트릿수, 생산성 등에 따라서 적절히 설정될 수 있다. The gap (hereinafter referred to as a "dicing street") 16 of each semiconductor chip 12 formed by dicing is also based on the thickness of the dicing blade (blade), but is generally 15 to 60 µm [Fig. 4 (a)]. When the adhesive sheet 11 for dicing which the semiconductor chip 12 is adhesively fixed is expanded, the width of the dicing street 16 expands to about 100-500 micrometers (refer FIG. 4 (b)). The insertion depth of the outer ring 14 into the inner ring 15 during expansion is appropriately adjusted by the dicing ring inner diameter, the size of the semiconductor wafer, the size of the semiconductor chip 12, the number of dicing streets, and the like. . For example, when processing a semiconductor wafer as a semiconductor wafer using a conventional expander, the insertion depth is generally set to about 2 to 15 mm, more preferably about 5 to 10 mm. The insertion depth can be appropriately set according to the semiconductor chip size, the number of dicing streets, the productivity, and the like.

익스팬드시에 다이싱용 점착 시트(11)에 있어서 확장되는 영역은, 다이싱 스트릿(16)이나 다이싱 링(13)과 반도체 칩(12) 사이의 영역 등, 반도체 칩(12)이 부착되어 있지 않은 영역에 한정된다. 각 반도체 칩(12)이 접착되어 고정되어 있는 영역은 확장되지 않는다. The area | region extended in the adhesive sheet 11 for dicing at the time of expansion is attached to the semiconductor chip 12, such as the area | region between the dicing street 16, the dicing ring 13, and the semiconductor chip 12, It is limited to the area which is not. The region where each semiconductor chip 12 is bonded and fixed is not expanded.

반도체 웨이퍼의 다이싱시에는, 절입은 예를 들어 다이싱용 점착 시트(11)의 기재 필름(1)에 대해 그 두께의 1/4 내지 1/2 정도의 깊이까지 행해져 있다. 익스팬드시에는, 우선 처음에 다이싱 스트릿(16)의 부분이 V자형으로 개방되어 확장된다. 그러나, 다이싱 스트릿(16)의 부분이 확장되는 것만으로는, 각 반도체 칩(12)의 간극을 충분한 간격으로 하는 것은 어렵다. 따라서, 상기한 간격이 충분히 넓어질 때까지, 다시 다이싱용 점착 시트(11)의 확장이 계속된다. 여기서, 다이싱 스트릿(16)이 익스팬드에 의한 확장에 충분히 대응할 수 있을 만큼의 파단 연신도 를 갖고 있지 않은 경우, 다이싱용 점착 시트(11)는 상기 다이싱 스트릿(16)의 부분에서 파단한다. At the time of dicing of a semiconductor wafer, cutting is performed to the depth of about 1/4 to 1/2 of the thickness with respect to the base film 1 of the adhesive sheet 11 for dicing, for example. At the time of expansion, first, the portion of the dicing street 16 is opened in a V shape and expanded. However, it is difficult to make the space | interval of each semiconductor chip 12 into sufficient interval only by extending the part of the dicing street 16. FIG. Accordingly, the dicing of the pressure-sensitive adhesive sheet 11 for dicing is continued until the above gap is sufficiently widened. Here, when the dicing street 16 does not have a breaking elongation enough to cope with the expansion by expansion, the dicing adhesive sheet 11 breaks at the portion of the dicing street 16. .

또한, 기재 필름(1)의 파단 연신도를 증대시켜 상기한 확장에 충분히 대응시켰다고 해도, 익스팬드를 행할 때에는 칩 사이즈, 다이싱 스트릿 수 등이 다른 많은 종류의 반도체 웨이퍼를 처리하는 편의상, 경우에 따라서 다이싱 스트릿(16)이 소정의 폭이 된 후에도 확장이 행해지는 경우가 있다. 상기 확장이 행해지는 경우에 있어서도, 다이싱 스트릿(16)의 부분에서만 대응하려고 하면, 수배 내지 수십배의 파단 연신도가 더 필요해진다. 따라서, 일반적인 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재 필름에서는 그 대응이 곤란하다. In addition, even if the fracture elongation of the base film 1 is increased to sufficiently correspond to the above-described expansion, for the convenience of processing many kinds of semiconductor wafers having different chip sizes, the number of dicing streets, and the like when expanding, Therefore, expansion may be performed even after the dicing street 16 reaches a predetermined width. Also in the case where the expansion is carried out, if only the portion of the dicing street 16 is to be coped with, elongation to break several times to several tens of times is further required. Therefore, the correspondence is difficult in the base film which consists of a general plastic film.

여기서 발명자들은, 도1에 예시하는 S-S 곡선에 착안하여 다이싱 스트릿(16)이 파단에 이르기 전에, 다이싱용 점착 시트(11)의 반도체 웨이퍼 외주부에 있어서의 영역이 확장하는 강도 밸런스로 함으로써 다이싱용 점착 시트(11)의 파단을 완전히 방지할 수 있는 방법을 발견하였다. 즉, 본 발명에 있어서는, 우선 기재 필름(1)의 파단 연신도를 200 % 이상, 바람직하게는 400 % 이상으로 한다. 또한, 기재 필름(1)의 내절입도를 2.5 이상, 바람직하게는 3 이상으로 한다. 이에 의해, 다이싱 스트릿(16)이 파단에 이르기 전에, 다이싱용 점착 시트(11)의 반도체 웨이퍼 외주부에 있어서의 영역이 확장되는 강도 밸런스를 가능하게 한다. 파단 연신도의 값은, 예를 들어 제막시에 생기는 분자 배향을 제어함으로써 상기 범위 내에서 증대 또는 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 파단 연신도는 MD 방향 및 TD 방향의 각각 있어서 상기 수치 범위 내에 들어가는 것이 바람직하다. Here, the inventors pay attention to the SS curve illustrated in Fig. 1, and before dicing street 16 breaks, the dicing adhesive sheet 11 has a strength balance in which the area in the outer peripheral portion of the semiconductor wafer extends, thereby dicing. The method which can completely prevent the fracture of the adhesive sheet 11 was discovered. That is, in this invention, the breaking elongation of the base film 1 is made into 200% or more, Preferably it is 400% or more. Moreover, cut-in degree of the base film 1 shall be 2.5 or more, Preferably it is three or more. Thereby, the intensity | strength balance which the area | region in the outer peripheral part of the semiconductor wafer of the dicing adhesive sheet 11 expands before the dicing street 16 reaches breaking is attained. The value of the elongation at break can be increased or decreased within the above range by, for example, controlling the molecular orientation occurring during film formation. In addition, it is preferable that breaking elongation falls in the said numerical range in MD direction and TD direction, respectively.

기재 필름(1)의 내절입도라 함은, 절입 깊이에 대한 기재 필름(1)의 익스팬드 내성을 나타내는 지표로, 하기 식에 의해 구할 수 있다. 예를 들어, 내절입도는 그 역수분의 1까지의 자르고 남기는 것에 견디는 것을 의미한다. 가령 내절입도가 3이면, 기재 필름(1)을 1/3 자르고 남기는, 즉 기재 필름(1)에 대해 그 두께의 2/3까지 절입해도 충분히 익스팬드에 견디는 것을 나타내는 것이다. The break-in degree of the base film 1 is an index indicating the expand resistance of the base film 1 to the depth of cut, and can be obtained by the following formula. For example, the depth of cut means to withstand cutting and leaving up to one inverse. For example, when the cutting depth is 3, it indicates that the substrate film 1 is cut in 1/3 and left, that is, even if it is cut to 2/3 of its thickness with respect to the substrate film 1, it is sufficiently endurable to expand.

[수학식 3]&Quot; (3) &quot;

내절입도 = [기재 필름(1)의 파단 강도]/[기재 필름(1)의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도] Breaking resistance = [breaking strength of base film 1] / [tensile strength at 30% of tensile elongation of base film 1]

본 발명에 있어서 기재 필름(1)의 내절입도를 2.5 이상으로 하는 것은, 다음 이유에 따른다. 즉, 기재 필름(1)이 파단에 이르는 인장 강도가, 다이싱용 점착 시트(11)에 있어서의 반도체 웨이퍼 외주부에서의 영역을 인장 연신도 30 %로 확장하기 위해 필요한 인장 강도를 상회하고 있으면, 기재 필름(1)의 파단을 방지하는 것은 가능하다. 이것은, 예를 들어 기재 필름(1)의 두께의 1/4 내지 1/2 정도의 깊이까지 절입이 행해져 있는 다이싱 스트릿(16)의 부분에 있어서도 마찬가지이다. 환언하면, 절입이 행해져 있지 않은 상태에서의 파단 강도의 3/4 내지 1/2의 값이, 인장 연신도 30 %로 확장하였을 때의 인장 강도를 상회하고 있을 필요가 있다. 따라서, 절입 깊이의 오차 등도 고려하여, 파단 강도가 인장 연신도 30 %로 확장하였을 때의 인장 강도의 2.5배 이상, 바람직하게는 3배 이상이면 되게 된다. 즉, 본 발명에 있어서는 기재 필름(1)의 내절입도를 2.5 이상, 바람직하게는 3 이상으로 한다. 또한, 내절입도는 MD 방향 및 TD 방향의 각각 있어서 상기 수치 범 위 내에 들어가는 것이 바람직하다.In this invention, making cut-in resistance of the base film 1 into 2.5 or more is based on the following reason. That is, if the tensile strength which leads to breaking of the base film 1 exceeds the tensile strength required in order to expand the area | region in the outer peripheral part of the semiconductor wafer in the adhesive sheet 11 for dicing to 30% of tensile elongation, It is possible to prevent break of the film 1. This is the same also in the part of the dicing street 16 where the cutting is performed to the depth of about 1/4 to 1/2 of the thickness of the base film 1, for example. In other words, it is necessary for the value of 3/4-1/2 of the breaking strength in the state which is not cut to exceed the tensile strength at the time of extending | stretching to 30% of tensile elongation. Therefore, considering the error of the depth of cut and the like, the breaking strength is preferably 2.5 times or more, preferably 3 times or more of the tensile strength when the tensile elongation is expanded to 30%. That is, in this invention, the cut-in degree of the base film 1 shall be 2.5 or more, Preferably it is three or more. In addition, it is preferable that the break-in degree falls within the numerical range in each of the MD direction and the TD direction.

또한, 본 발명에 있어서 기재 필름(1)의 인장 탄성율을 50 내지 250 ㎫, 바람직하게는 80 내지 150 ㎫로 한다. 인장 탄성율을 50 내지 250 ㎫의 범위 내로 함으로써 양호하게 픽업을 할 수 있다. 또한, 인장 탄성율을 상기 수치 범위 내로 하는 동시에, 기재 필름(1)의 항복점 연신도를 30 % 이상으로 하여 인장 연신도 0 내지 30 % 미만의 사이에서의 확장에 있어서 항복점을 갖지 않는 기재 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 익스팬드시에 다이싱 스트릿(16)의 확장에 수반하여, 반도체 웨이퍼 외주부도 서서히 확장시키는 것이 가능해진다. 또한, 인장 탄성율의 값은, 예를 들어 기재 필름(1)을 구성하는 수지의 분자 구조(하드 세그먼트, 소프트 세그먼트비 등)를 조정함으로써 상기 범위 내에서 증대 또는 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 인장 탄성율은 MD 방향 및 TD 방향의 각각 있어서 상기 수치 범위 내에 들어가는 것이 바람직하다. 기재 필름(1)의 항복점 연신도는, 소정의 조건하에서 JIS K 7162에 준거한 인장 시험에 의해 얻어진 S-S 곡선에 있어서의 항복점으로부터 판독한 것이다. 항복점 연신도의 값은, 예를 들어 인장 탄성율과 마찬가지로, 기재 필름(1)을 구성하는 수지의 분자 구조를 조정함으로써 상기 범위 내에서 증대 또는 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 항복점 연신도은 MD 방향 또는 TD 방향 중 어느 하나에 있어서 30 % 이상이면 좋다. In addition, in this invention, the tensile elasticity modulus of the base film 1 is 50-250 Mpa, Preferably it is 80-150 Mpa. Pickup can be performed favorably by setting tensile modulus in the range of 50-250 Mpa. Moreover, while using the base film which does not have a yield point in the extension | stretching elongation between 0 to less than 30%, the tensile elasticity modulus is in the said numerical range, and the yield point elongation of the base film 1 is made into 30% or more. It is preferable. Thereby, with expansion of the dicing street 16 at the time of expansion, it becomes possible to gradually expand the semiconductor wafer outer peripheral portion. In addition, the value of the tensile elasticity modulus can be increased or decreased within the said range by adjusting the molecular structure (hard segment, soft segment ratio, etc.) of resin which comprises the base film 1, for example. In addition, it is preferable that the tensile modulus falls within the numerical range in each of the MD direction and the TD direction. The yield point elongation of the base film 1 is read from the yield point in the S-S curve obtained by the tension test based on JISK7126 under predetermined conditions. The value of yield point elongation can be increased or decreased within the said range by adjusting the molecular structure of resin which comprises the base film 1 similarly to a tensile elasticity modulus, for example. In addition, yield point elongation should just be 30% or more in either MD direction or TD direction.

상기 기재 필름(1)으로서는, 폴리프로필렌계 열가소성 엘라스토머, 아크릴 수지 및 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류의 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 중합체의 함유량으로 서는, 1 종류밖에 함유하지 않는 경우에는 기재 필름(1) 전체에 차지하는 비율이 30 wt % 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중합체를 복수 종류 이용하는 경우에는, 그들 함유량의 합계가 기재 필름(1) 전체에 차지하는 비율의 30 wt % 이상으로 하는 것이 바람직하다. As the said base film 1, it is preferable to contain at least 1 sort (s) of polymer chosen from the group which consists of a polypropylene thermoplastic elastomer, an acrylic resin, and a polyester thermoplastic elastomer. As content of the said polymer, when it contains only one type, it is preferable that the ratio which occupies for the whole base film 1 is 30 wt% or more. Moreover, when using two or more types of the said polymers, it is preferable to set it as 30 wt% or more of the ratio which the sum total of those content occupies for the base film 1 whole.

상기 폴리프로필렌계 열가소성 엘라스토머로서는, 예를 들어 프로필렌-SEBS 공중합체, 프로필렌-SEPS 공중합체, 프로필렌-EPR 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 수지로서는, 메타 아크릴 수지, 각종 아크릴산 에스테르의 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머로서는, 예를 들어 PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트)-PE(폴리에테르)-PBT로 구성되는 TPEE(서모플라스틱에스테르엘라스토머) 등을 들 수 있다. As said polypropylene thermoplastic elastomer, a propylene-SEBS copolymer, a propylene-SEPS copolymer, a propylene-EPR copolymer, etc. are mentioned, for example. As said acrylic resin, the copolymer of methacrylic resin, various acrylic acid ester, etc. are mentioned. Examples of the polyester-based thermoplastic elastomers include TPEE (thermoplastic ester elastomer) composed of PBT (polybutylene terephthalate) -PE (polyether) -PBT.

기재 필름(1)은 단층, 다층 중 어떠한 적층 구조라도 좋다. 다층 구조로 하는 경우에는, 홀수층으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 홀수층으로 하는 경우에는 그 중앙층을 중심으로 하여 동일한 물성치, 구성 재료 등으로 이루어지는 층이 양측에 대조가 되도록 적층된 대조 구조인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층(2)이 방사선 경화형인 경우에는 X선, 자외선, 전자선 등의 방사선을 적어도 일부 투과하는 것을 이용하는 것이 바람직하다. The base film 1 may have any laminated structure among a single layer and a multilayer. When it is set as a multilayer structure, it is preferable to consist of an odd layer. In the case of an odd layer, it is more preferable to have a control structure in which a layer made of the same physical properties, constituent materials, and the like is laminated on both sides so as to be contrasted with respect to the center layer. Moreover, when the adhesive layer 2 is a radiation curing type, it is preferable to use what transmits at least one part of radiation, such as X-rays, an ultraviolet-ray, an electron beam.

기재 필름(1) 중에는, 광유 등의 연화제, 탄산칼슘, 실리카, 탈크, 마이카, 클레이 등의 충전제, 산화 방지제, 광안정제, 대전 방지제, 윤활제, 분산제, 중화제, 착색제 등의 각종 첨가제가 필요에 따라서 배합되어도 좋다. 또한, 필요에 따라서 대전 방지제나 착색제 등을 도포해도 좋다. In the base film 1, various additives such as softeners such as mineral oil, fillers such as calcium carbonate, silica, talc, mica, clay, antioxidants, light stabilizers, antistatic agents, lubricants, dispersants, neutralizers, and colorants may be used as necessary. It may be combined. Moreover, you may apply an antistatic agent, a coloring agent, etc. as needed.

기재 필름(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 10 내지 300 ㎛, 바람직하게는 50 내지 200 ㎛ 정도이다. Although the thickness of the base film 1 is not specifically limited and can be determined suitably, Generally, it is 10-300 micrometers, Preferably it is about 50-200 micrometers.

또한, 기재 필름(1)은 무연신으로 이용해도 좋고, 필요에 따라서 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시해도 좋다. 이와 같이 하여 제조된 기재 필름(1)의 표면에는, 필요에 따라서 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리, 가교 처리 등의 관용의 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다. In addition, the base film 1 may be used without extending | stretching, and you may perform a uniaxial or biaxial stretching process as needed. The surface of the substrate film 1 thus produced can be subjected to conventional physical or chemical treatments such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment, crosslinking treatment and the like as necessary.

기재 필름(1)의 제막 방법으로서는, 종래 공지의 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 캘린더 제막, 캐스팅 제막, 인플레이션 압출, T 다이 압출 등을 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 기재 필름(1)이 다층 필름으로 이루어지는 경우, 그 기재 필름(1)의 제막 방법으로서는 예를 들어 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 관용의 필름 적층법을 이용할 수 있다.As a film forming method of the base film 1, a conventionally well-known method can be employ | adopted. Specifically, calender film forming, casting film forming, inflation extrusion, T-die extrusion, or the like can be suitably used. In addition, when the base film 1 consists of a multilayer film, as a film forming method of the base film 1, the usual film lamination methods, such as a coextrusion method and a dry lamination method, can be used.

점착제층(2)은, 공지 내지 관용의 점착제를 사용할 수 있다. 이와 같은 점착제는, 조금도 제한되는 것은 아니지만 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아세트산비닐계 등의 각종 점착제가 이용된다. The adhesive layer 2 can use a well-known or usual adhesive. Although such an adhesive is not restrict | limited at all, Various adhesives, such as rubber type, an acryl type, silicone type, polyester type, polyvinyl acetate type, are used, for example.

상기 점착제로서는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머는, 통상 (메타)아크릴산알킬의 중합체 또는 공중합성 모노머와의 공중합체가 이용된다. 아크릴계 폴리머의 주 모노머로서는, 그 호모폴리머의 글래스 전이 온도가 20 ℃ 이하인 (메타)아크릴산알킬이 바람직하다.As said adhesive, an acrylic adhesive is preferable. As the acrylic polymer that is the base polymer of the acrylic pressure sensitive adhesive, a copolymer of an alkyl (meth) acrylate or a copolymerizable monomer is usually used. As a main monomer of an acryl-type polymer, the alkyl (meth) acrylate whose glass transition temperature of this homopolymer is 20 degrees C or less is preferable.

(메타)아크릴산알킬의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소노닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 공중합성 모노머로 서는, (메타)아크릴산의 히드록시알킬에스테르(예를 들어 히드록시에틸에스테르, 히드록시부틸에스테르, 히드록시헥실에스테르 등), (메타)아크릴산글리시딜에스테르, (메타)아크릴산, 이타콘산, 무수말레인산, (메타)아크릴산아미드, (메타)아크릴산N-히드록시메틸아미드, (메타)아크릴산알킬아미노알킬(예를 들어, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), 아세트산비닐, 스틸렌, 아크릴로니트릴, 아크릴로일몰포린 등을 들 수 있다. As an alkyl group of (meth) acrylate, a methyl group, an ethyl group, a butyl group, 2-ethylhexyl group, an octyl group, an isononyl group, etc. are mentioned, for example. Moreover, as said copolymerizable monomer, hydroxyalkyl ester of (meth) acrylic acid (for example, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester, etc.), (meth) acrylic acid glycidyl ester, (meth) ) Acrylic acid, itaconic acid, maleic anhydride, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl (e.g., dimethylaminoethyl methacrylate, t-butylaminoethyl Methacrylate, etc.), vinyl acetate, styrene, acrylonitrile, acryloyl morpholine, etc. are mentioned.

또한, 점착제로서는 자외선, 전자선 등에 의해 경화하는 방사선 경화형 점착제나 가열 발포형 점착제를 이용할 수도 있다. 이에 의해, 반도체 칩(12)을 다이싱용 점착 시트(11)로부터 박리할 때에 점착제층(2)에 방사선을 조사하거나, 또는 소정 가열함으로써 상기 점착제층(2)의 점착력을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 반도체 칩(12)의 박리를 용이하게 행하는 것이 가능해진다. 또한, 다이싱?다이본드 겸용 가능한 점착제라도 좋다. 본 발명에 있어서는, 방사선 경화형, 특히 자외선 경화형을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제로서 방사선 경화형 점착제를 이용하는 경우에는 다이싱 공정의 전 또는 후에 점착제에 방사선이 조사되므로 상기 기재 필름(1)은 충분한 방사선 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다. As the pressure-sensitive adhesive, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive or a heat-expandable pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams, or the like can also be used. Thereby, when peeling the semiconductor chip 12 from the adhesive sheet 11 for dicing, the adhesive force of the said adhesive layer 2 can be reduced by irradiating radiation to the adhesive layer 2, or predetermined heating. As a result, the semiconductor chip 12 can be easily peeled off. Moreover, the adhesive which can be used for dicing and die-bonding may be sufficient. In this invention, it is preferable to use radiation curing type, especially ultraviolet curing type. In addition, when using a radiation curable adhesive as an adhesive, since the adhesive is irradiated before or after a dicing process, it is preferable that the said base film 1 has sufficient radiation transmittance.

방사선 경화형 점착제는, 예를 들어 상기 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)와, 방사선 경화 성분을 함유하여 이루어진다. 방사선 경화 성분은, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 래디컬 중합에 의해 경화 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화 성분으로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레 이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1, 6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가알코올과의 에스테르화물 : 에스테르아크릴레이트올리고머 ; 2-프로페닐디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴록시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴록시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물, 또는 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. The radiation curable pressure sensitive adhesive contains, for example, the base polymer (acrylic polymer) and a radiation curable component. The radiation hardening component can use a monomer, an oligomer, or a polymer which has a carbon-carbon double bond in a molecule | numerator, and can be hardened by radical polymerization without a restriction | limiting in particular. As a radiation hardening component, For example, trimethylol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1, 6- hexanediol di (meth) acrylate Esters of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohols such as neopentyl glycol di (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate; ester acrylate oligomers; Isocyanurs such as 2-propenyldi-3-butenylcyanurate, 2-hydroxyethylbis (2-acryloxyethyl) isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate Elate or isocyanurate compound, urethane acrylate, etc. are mentioned.

또한, 방사선 경화형 점착제는 베이스 폴리머(아크릴폴리머)로서, 폴리머 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 방사선 경화형 폴리머를 사용할 수도 있고, 이 경우에 있어서는 특히 상기 방사선 경화 성분을 첨가할 필요는 없다. In addition, the radiation curable pressure sensitive adhesive may be a radiation curable polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain as the base polymer (acrylic polymer), and in this case, it is not particularly necessary to add the radiation curable component.

방사선 경화형 점착제를 자외선에 의해 경화시키는 경우에는, 광중합 개시제가 필요하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인메틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류 : 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류 ; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류 ; 폴리비닐벤조페논 ; 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤 등의 티옥산톤류 등을 들 수 있다. In the case of curing the radiation curable pressure sensitive adhesive with ultraviolet rays, a photopolymerization initiator is required. As a photoinitiator, For example, benzoin alkyl ether, such as benzoin methyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isobutyl ether: aromatic ketones, such as benzyl, benzoin, benzophenone, and (alpha)-hydroxycyclohexyl phenyl ketone ; Aromatic ketals such as benzyl dimethyl ketal; Polyvinyl benzophenone; Thioxanthones, such as a chloro thioxanthone, a dodecyl thioxanthone, a dimethyl thioxanthone, and a diethyl thioxanthone, etc. are mentioned.

상기 점착제에는, 또한 필요에 따라서 가교제, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용의 첨가제를 함유시킬 수 있다. 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 아지리딘 화합물, 에폭시 수지, 무수화물, 폴리아민카르복실기 함유 폴리머 등을 들 수 있다. The said adhesive can be made to contain common additives, such as a crosslinking agent, a tackifier, a filler, an antioxidant, and a coloring agent as needed. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, melamine resins, urea resins, aziridine compounds, epoxy resins, anhydrides, and polyaminecarboxyl group-containing polymers.

상기 점착제층(2)의 두께는, 점착제의 종류 및 다이싱시의 절입 깊이 등을 고려하여 적절하게 설정할 수 있다. 구체적으로는, 점착제층(2)의 두께는 1 ㎛ 이상이고, 또한 기재 필름(1)의 두께의 1/3 이하인 것이 바람직하다. 점착제층(2)의 두께를 1 ㎛ 이상으로 함으로써 다이싱용 점착 시트(11)로서의 점착력을 유지할 수 있다. 또한, 점착제층(2)의 두께를 기재 필름(1)의 두께의 1/3 이하로 함으로써, 점착제층(2)의 인장 탄성율 및 파단 강도 등이 지나치게 저감되는 것을 억제하여, 기재 필름(1)이 갖는 특성을 충분히 발휘시킬 수 있다. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be appropriately set in consideration of the type of the pressure-sensitive adhesive and the depth of cut at the time of dicing. It is preferable that the thickness of the adhesive layer 2 is 1 micrometer or more specifically, and it is 1/3 or less of the thickness of the base film 1. By making thickness of the adhesive layer 2 into 1 micrometer or more, the adhesive force as the adhesive sheet 11 for dicing can be maintained. Moreover, by making the thickness of the adhesive layer 2 into 1/3 or less of the thickness of the base film 1, suppression that the tensile elasticity modulus, breaking strength, etc. of the adhesive layer 2 are reduced too much, and the base film 1 This characteristic can be sufficiently exhibited.

본 발명의 다이싱용 점착 시트(11)는 라벨 가공을 위해, 또는 점착제층(2)을 평활하게 하는 목적을 위해, 세퍼레이터(3)를 점착제층(2) 상에 적층해도 좋다. 세퍼레이터(3)의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(3)의 표면에는, 점착제층(2)으로부터의 박리성을 높이기 위해 필요에 따라서 실리콘 처리, 장쇄 아크릴 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, 강성을 높이는 등의 목적에 따라서 1축 또는 2축의 연신 처리나 다른 플라스틱 필름 등으로 적층을 행해도 좋다. 세퍼레이터(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 10 내지 200 ㎛인 것이 바람직하고, 25 내지 100 ㎛인 것이 보다 바람직하다. In the adhesive sheet 11 for dicing of this invention, you may laminate | stack the separator 3 on the adhesive layer 2 for the purpose of label processing, or for the purpose of making the adhesive layer 2 smooth. As a constituent material of the separator 3, synthetic resin films, such as paper, polyethylene, a polypropylene, and a polyethylene terephthalate, etc. are mentioned. In order to improve the peelability from the adhesive layer 2, the surface of the separator 3 may be subjected to peeling treatments such as silicon treatment, long chain acrylic treatment, and fluorine treatment as necessary. Moreover, you may laminate | stack by uniaxial or biaxial stretching process, another plastic film, etc. according to the purpose of raising rigidity. Although the thickness of the separator 3 is not specifically limited, For example, it is preferable that it is 10-200 micrometers, and it is more preferable that it is 25-100 micrometers.

도1에서는 기재 필름(1)의 한쪽면에 점착제층(2)을 갖지만, 점착제층(2)은 기재 필름(1)의 양면에 형성할 수도 있다. 또한, 다이싱용 점착 시트(11)는 시트를 권취하여 테이프 형상으로 할 수도 있다. In FIG. 1, although the adhesive layer 2 is provided in one side of the base film 1, the adhesive layer 2 can also be formed in both surfaces of the base film 1. As shown in FIG. Moreover, the dicing adhesive sheet 11 can also wind up a sheet, and can make it a tape shape.

본 발명의 다이싱용 점착 시트(11)는, 예를 들어 기재 필름(1)의 표면에, 점 착제를 도포하여 건조시켜(필요에 따라서 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성하고, 필요에 따라서 이 점착제층(2)의 표면에 세퍼레이터를 접합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 별도 세퍼레이터에 점착제층(2)을 형성한 후, 그들을 기재 필름(1)에 접합하는 방법 등을 채용할 수 있다. In the adhesive sheet 11 for dicing of this invention, an adhesive is apply | coated to the surface of the base film 1, for example, it is made to dry (heat crosslinking as needed), and the adhesive layer 2 is needed, Therefore, it can manufacture by bonding a separator to the surface of this adhesive layer 2. Moreover, after forming the adhesive layer 2 in a separator separately, the method etc. which join them to the base film 1 can be employ | adopted.

또한, 다이싱용 점착 시트(11)를 반도체 웨이퍼에 부착하는 공정은, 양면 점착 시트를 거쳐서 지지 웨이퍼(지지판)에 고정된 반도체 웨이퍼를 다이싱용 점착 시트(11)에 접합하고, 이것을 다이싱 링(13)에 고정한다. 상기 공정은, 반도체 웨이퍼와 다이싱용 점착 시트(11)를, 점착제층(2)측이 접합면이 되도록 포개고, 압착 롤 등의 압박 수단에 의해 압박하면서 행한다. 또한, 가압 가능한 용기(예를 들어 옥토크레이브 등) 중에서, 반도체 웨이퍼와 다이싱용 점착 시트(11)를 상기한 바와 같이 포개고, 용기 내를 가압함으로써 부착할 수도 있다. 이 때, 압박 수단에 의해 압박하면서 부착해도 좋다. 또한, 진공 챔버 내에서 상기와 마찬가지로 부착할 수도 있다. 부착시의 부착 온도는 조금도 한정되지 않지만, 20 내지 80 ℃인 것이 바람직하다. Moreover, in the process of attaching the dicing adhesive sheet 11 to a semiconductor wafer, the semiconductor wafer fixed to the support wafer (support plate) is bonded to the dicing adhesive sheet 11 via a double-sided adhesive sheet, and this dicing ring ( 13). The said process is performed, while covering the semiconductor wafer and the adhesive sheet 11 for dicing so that the adhesive layer 2 side may become a joining surface, and pressing by pressing means, such as a crimping roll. Moreover, in a container which can be pressurized (for example, an octocrave etc.), the semiconductor wafer and the dicing adhesive sheet 11 can be piled up as mentioned above, and can be attached by pressurizing the inside of a container. At this time, you may adhere, pressing by a press means. Moreover, it can also attach in the vacuum chamber similarly to the above. Although the adhesion temperature at the time of adhesion is not limited at all, It is preferable that it is 20-80 degreeC.

반도체 웨이퍼를 절단(다이싱)하여 반도체 칩(12)을 형성하는 공정은, 반도체 웨이퍼의 회로면측으로부터 통상적인 방법에 따라서 행해진다. 또한 다이싱은, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱, 플라즈마 다이싱, 또는 브레이킹 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다. 또한, 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. The process of cutting (dicing) the semiconductor wafer to form the semiconductor chip 12 is performed according to a conventional method from the circuit surface side of the semiconductor wafer. As the dicing, a known method such as blade dicing, laser dicing, plasma dicing, or braking can be used. Moreover, it does not specifically limit as a dicing apparatus used at this process, A conventionally well-known thing can be used.

점착제층(2)이 구비된 각 반도체 칩(12)을 기재 필름(1)으로부터 박리하는 공정에 있어서는, 예를 들어 각각의 반도체 칩(12)을 다이싱용 점착 시트(11)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(12)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등이 행해진다. In the process of peeling each semiconductor chip 12 with the adhesive layer 2 from the base film 1, each semiconductor chip 12 is, for example, with a needle from the dicing adhesive sheet 11 side. A method of picking up the pushed up semiconductor chip 12 by the pick-up device or the like is performed.

이상의 설명에 있어서는, 피절단체로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우를 예로서 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예를 들어 반도체 패키지, 글래스, 세라믹스 등의 피절단체에 대해서도 적용 가능하다. In the above description, the case where a semiconductor wafer is used as the cut body is described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention can also be applied to cut bodies such as semiconductor packages, glasses, ceramics, and the like.

이하에, 본 발명이 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 본 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은 본 발명의 범위를 그들에만 한정하는 취지의 것이 아닌, 단순한 설명예에 불과하다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the Example from which this invention is suitable is demonstrated to detail in an example. However, unless otherwise indicated, the material, compounding quantity, etc. which are described in this Example are only the explanatory examples which are not the meaning which limits the scope of this invention only to them.

(기재 필름의 물성 평가)(Physical property evaluation of base film)

상기에서 제작한 기재 필름을 하기의 방법에 의해 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. The base film produced above was evaluated by the following method. The results are shown in Table 1.

(1) 인장 탄성율(1) tensile modulus

시험 방법은 JIS K 7162에 준거하여 행하였다. 측정 조건으로서, 샘플로서의 기재 필름을 초기 길이 120 mm, 폭 10 mm의 단책형으로 하고, 척간 거리 50 mm, 인장 속도 300 mm/분으로 MD 방향 또는 TD 방향에 인장 시험을 행하고, 각 방향에 있어서의 샘플의 신장 변화량(mm)을 측정하였다. 그 결과, 얻어진 S-S 곡선(도1 참조)의 초기 수직 상승의 부분에 접선을 긋고, 그 접선이 100 % 신장에 상당할 때의 인장 강도를 기재 필름의 단면적으로 나누어 인장 탄성율로 하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다. The test method was performed based on JISK7126. As measurement conditions, the base film as a sample was made into a single strip of 120 mm in initial length and 10 mm in width, and a tensile test was performed in the MD direction or the TD direction at a distance between the chucks of 50 mm and a tensile speed of 300 mm / min. The change in elongation (mm) of the sample of was measured. As a result, a tangent line was drawn to the initial vertical rise portion of the obtained S-S curve (see FIG. 1), and the tensile strength when the tangent line corresponds to 100% elongation was divided by the cross-sectional area of the base film to obtain a tensile modulus of elasticity. The results are shown in Table 1 below.

(2) 항복점 연신도, 파단 연신도, 내절입도(2) Yield Point Elongation, Break Elongation, Internal Break

상기 (1)에 나타낸 방법과 마찬가지로 하여 인장 시험을 행하고, S-S 곡선을 얻었다. 또한, 인장 연신도가 30 %일 때의 MD 방향 또는 TD 방향에 있어서의 인장 강도, 파단 강도 및 파단 연신도를 각각 구하였다. 내절입도는 하기 식에 의해 구하였다. 또한, S-S 곡선이 도5에 나타낸 바와 같이, 확장에 따라서 인장 강도가 증가하지 않고, 일단 인장 강도의 저하가 일어나 다시 상승하는 항복점이 발현되는 경우에는, 그 항복점에 있어서의 인장 연신도를 항복점 연신도로 하여, 이것을 구하였다. The tensile test was done similarly to the method shown in said (1), and the S-S curve was obtained. Moreover, the tensile strength, breaking strength, and breaking elongation in MD direction or TD direction at the time of 30% of tensile elongation were calculated | required, respectively. The break-in degree was determined by the following equation. In addition, as the SS curve is shown in Fig. 5, when the tensile strength does not increase with expansion and a yield point that rises again occurs after tensile strength decreases, the tensile elongation at the yield point is stretched. By doing this, this was obtained.

[수학식 4]&Quot; (4) &quot;

내절입도 = (기재 필름의 파단 강도)/(기재 필름의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도)Breaking resistance = (break strength of base film) / (tensile strength at 30% of tensile elongation of base film)

(제1 실시예)(First embodiment)

<기재 필름의 제작> <Production of base film>

미쓰비시 가가꾸(가부시끼가이샤)제의「상품명: 제라스」를, 프라코사제의 T 다이 성형기(설정 온도 230 ℃)에 공급하여 제막하고, 두께 100 ㎛, 폭 35 cm의 기재 필름을 제작하였다. 미쓰비시 가가꾸(가부시끼가이샤)제의「상품명 : 제라스」는, 프로필렌 성분 및 에틸렌프로필렌 고무 성분을 포함하는 프로필렌계 열가소성 엘라스토머이다. Mitsubishi Chemical Corporation (trade name: "Jeras") was supplied to the T die molding machine (setting temperature 230 degreeC) by the Praco Corporation, and was formed into a film, and the base film of thickness 100micrometer and width 35cm was produced. "Brand name: Geras" by Mitsubishi Chemical Corporation is a propylene thermoplastic elastomer containing a propylene component and an ethylene propylene rubber component.

<기재 필름의 물성 평가> <Evaluation of Physical Properties of Base Film>

이와 같이 하여 얻어진 기재 필름에 대해, 인장 탄성율, 항복점 연신도, 파단 연신도, 내절입도의 각 물성을 평가하였다. Thus, the physical properties of tensile elasticity modulus, yield point elongation, breaking elongation, and cut-in degree were evaluated about the obtained base film.

<다이싱용 점착 시트의 제작><Production of adhesive sheet for dicing>

아크릴산부틸 90 중량부 및 아크릴산 10 중량부를 톨루엔 용액 중에서 통상적인 방법에 의해 공중합시켜, 중량 평균 분자량 50만의 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액에, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트[상품명 「카야라드 DPHA」, 니혼 가야꾸(가부시끼가이샤)제] 80 중량부, 광중합 개시제(상품명「일가큐어 184」, 지바?스페셜티?케미컬즈사제) 5 중량부, 폴리이소시아네이트 화합물[상품명「콜로네이트 L」, 니혼폴리우레탄(가부시끼가이샤)제] 5 중량부를 첨가하여 아크릴계 자외선 경화형 점착제 용액을 조제하였다. 90 parts by weight of butyl acrylate and 10 parts by weight of acrylic acid were copolymerized in a toluene solution by a conventional method to obtain an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 500,000. To a solution containing this acryl-based copolymer, 80 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name "Kayarad DPHA", manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.), a photopolymerization initiator (trade name "Singacure 184", Chiba? 5 parts by weight of Specialty Chemicals Co., Ltd. and 5 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name "Colonate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) were added to prepare an acrylic ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive solution.

상기에서 조제한 점착제 용액을, 상기에서 얻어진 기재 필름의 코로나 처리면 상에 도포하고, 80 ℃로 10분간 가열 가교하여 두께 10 ㎛의 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 계속해서, 상기 점착제층면에 세퍼레이터를 접합하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작하였다. The adhesive solution prepared above was apply | coated on the corona treatment surface of the base film obtained above, and it heat-crosslinked at 80 degreeC for 10 minutes, and formed the ultraviolet curable adhesive layer of thickness 10micrometer. Subsequently, the separator was bonded to the said adhesive layer surface, and the adhesive sheet for ultraviolet curable dicing was produced.

(제2 실시예)(Second Embodiment)

<기재 필름의 제작><Production of base film>

(가부시끼가이샤)크라레제의「상품명 : 파라펫 SA-F」(메타아크릴산에스테르 수지)를 캘린더 성형으로 필름화(설정 온도 170 ℃)하여, 두께 100 ㎛, 폭 35 cm의 기재 필름을 제작하였다. (Brand name: parapet SA-F "(methacrylic acid ester resin) of crarese was formed into a film by calendering (setting temperature 170 degreeC), and the base film of thickness 100micrometer and width 35cm was produced. .

<기재 필름의 물성 평가> <Evaluation of Physical Properties of Base Film>

제1 실시예와 마찬가지로 하여, 얻어진 기재 필름의 물성 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다. The physical properties of the obtained base film were evaluated in the same manner as in the first example. The results are shown in Table 1 below.

<다이싱용 점착 시트의 제작> <Production of adhesive sheet for dicing>

제1 실시예에서 조제한 점착제 용액을, 상기에서 얻어진 기재 필름의 코로나 처리면 상에 도포하고, 80 ℃에서 10분간 가열 가교하여 두께 10 ㎛의 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 계속해서, 상기 점착제층면에 세퍼레이터를 접합하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작하였다. The adhesive solution prepared in Example 1 was apply | coated on the corona treatment surface of the base film obtained above, and it heat-crosslinked at 80 degreeC for 10 minutes, and formed the ultraviolet curable adhesive layer of thickness 10micrometer. Subsequently, the separator was bonded to the said adhesive layer surface, and the adhesive sheet for ultraviolet curable dicing was produced.

(제3 실시예)(Third Embodiment)

<기재 필름의 제작> <Production of base film>

데이진 카세이(가부시끼가이샤)제의「상품명 : 누베란」(폴리에스테르엘라스토머 수지)을, 프라코사제 T 다이 성형기(설정 온도 230 ℃)에 공급하여 제막하고, 두께 100 ㎛, 폭 35 cm의 기재 필름을 제작하였다."Brand name: Nuberan" (polyester elastomer resin) made by Teijin Kasei Co., Ltd. was supplied to a T die molding machine (set temperature 230 deg. C) made by Fraco Co., Ltd., to form a film having a thickness of 100 µm and a width of 35 cm. A film was produced.

<기재 필름의 물성 평가> <Evaluation of Physical Properties of Base Film>

제1 실시예와 마찬가지로 하여, 얻어진 기재 필름의 물성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. The physical properties of the obtained base film were evaluated in the same manner as in the first example. The results are shown in Table 1.

<다이싱용 점착 시트의 제작> <Production of adhesive sheet for dicing>

제1 실시예에서 조제한 점착제 용액을, 상기에서 얻어진 기재 필름의 코로나 처리면 상에 도포하고, 80 ℃에서 10분간 가열 가교하여 두께 10 ㎛의 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 계속해서, 상기 점착제층면에 세퍼레이터를 접합하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작하였다. The adhesive solution prepared in Example 1 was apply | coated on the corona treatment surface of the base film obtained above, and it heat-crosslinked at 80 degreeC for 10 minutes, and formed the ultraviolet curable adhesive layer of thickness 10micrometer. Subsequently, the separator was bonded to the said adhesive layer surface, and the adhesive sheet for ultraviolet curable dicing was produced.

(제1 비교예)(Comparative Example 1)

본 비교예에 있어서는, 기재 필름으로서 저밀도 폴리에틸렌[상품명 : 스미카센, MFR = 1.5, 미쯔이 스미또모 폴리올레핀(가부시끼가이샤)제]를 이용하여 T 다이 압출법에 의해 필름을 제막하고(두께 100 ㎛), 상기 필름의 한쪽면에 코로나 처리를 실시한 것을 이용한 것 이외에는, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작하였다. In this comparative example, a film was formed by T-die extrusion method using the low density polyethylene [brand name: Sumikacene, MFR = 1.5, Mitsui Sumitomo polyolefin (made by Mitsui Co., Ltd.)] as a base film (thickness 100 micrometers). Except having used the corona treatment to one side of the said film, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive sheet for ultraviolet curable dicing.

(제2 비교예)(Comparative Example 2)

본 비교예에 있어서는, 기재 필름으로서 에틸렌-메타크릴산 공중합물[상품명 : 뉴크렐, MFR = 2.0, 미쯔이 듀폰 폴리케미컬(가부시끼가이샤)제]을 이용하여 T 다이 압출법에 의해 필름을 제막하고(두께 100 ㎛), 상기 필름의 한쪽면에 코로나 처리를 실시한 것을 이용한 것 이외에는, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 자외선 경화형 다이싱용 점착 시트를 제작하였다. In this comparative example, a film was formed into a film by T-die extrusion method using the ethylene-methacrylic acid copolymer [brand name: Nucrel, MFR = 2.0, Mitsui Dupont Polychemical (made by Mitsui Chemicals)] as a base film. (100 micrometers in thickness) Except having used the corona treatment to one side of the said film, it carried out similarly to Example 1, and produced the adhesive sheet for ultraviolet curable dicing.

(평가) (evaluation)

실시예 및 비교예에서 얻어진 각 다이싱용 점착 시트를 하기의 방법에 의해 평가하였다. 그들 결과를 하기 표 1에 나타낸다. Each adhesive sheet for dicing obtained by the Example and the comparative example was evaluated by the following method. The results are shown in Table 1 below.

(1) 익스팬드성 평가 (1) Expandability Evaluation

다이싱용 점착 시트에, 두께 350 ㎛의 8 인치 웨이퍼를 마운트하여, 이하의 조건으로 다이싱하였다. The 8-inch wafer of 350 micrometers in thickness was mounted on the adhesive sheet for dicing, and it diced on condition of the following.

다이서 : DISCO사제, DFD-651(상품명)Dicer: DFD-651 (brand name) made in DISCO company

블레이드 : DISCO사제, NBC-ZH2050 27HEDD(상품명)Blade: made by DISCO, NBC-ZH2050 27HEDD (brand name)

블레이드 회전수 : 45,000 rpm Blade Speed: 45,000 rpm

다이싱 속도 : 100 mm/초 Dicing Speed: 100 mm / sec

다이싱 깊이 : 기재 필름에 대해 40 ㎛ Dicing Depth: 40 μm for the base film

다이싱 사이즈 : 8 mm × 8 mmDicing Size: 8 mm × 8 mm

다이싱 후의 워크를 다이본더[장치명 :「CPS-100」, NEC 머시너리(가부시끼가이샤)제]로, 내부 링에 대한 외부 링의 삽입 깊이를 5 mm, 10 mm, 15 mm로 변화시켜 각각 익스팬드를 행하고, 각 다이싱용 점착 시트의 파단의 유무를 확인하였다. The work after dicing is changed to die bonder (device name: "CPS-100", manufactured by NEC Machinery Co., Ltd.), and the insertion depth of the outer ring to the inner ring is changed to 5 mm, 10 mm, and 15 mm, respectively. It expanded and confirmed the presence or absence of the fracture | rupture of each adhesive sheet for dicing.

[표 1][Table 1]


인장
탄성율(N)
Seal
Modulus (N)
내절입도
(-)
Depth of cut
(-)
파단 연신도
(%)
Elongation at break
(%)
항복 연신도
(%)
Yield Elongation
(%)
익스팬드성Expandability
5 ㎜5 mm 10 ㎜10 mm 15 ㎜15 mm 제1 실시예
First embodiment
MDMD 200200 3.43.4 900900 3434





TDTD 200200 3.53.5 10001000 3737 제2 실시예
Second embodiment
MDMD 7070 3.03.0 200200 항복점 없음No yield point





TDTD 7070 3.03.0 280280 항복점 없음No yield point 제3 실시예
Third embodiment
MDMD 150150 4.04.0 10001000 항복점 없음No yield point





TDTD 150150 4.04.0 10001000 항복점 없음No yield point 제1 비교예
Comparative Example 1
MDMD 130130 2.22.2 600600 항복점 없음No yield point

파단
Breaking
파단
Breaking
TDTD 130130 1.91.9 700700 항복점 없음No yield point 제2 비교예
2nd comparative example
MDMD 120120 2.42.4 700700 2525



파단
Breaking
TDTD 120120 2.42.4 700700 2525

(2) 결과 (2) results

표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에 관한 다이싱용 점착 시트인 경우, 파단이 생기지 않고 익스팬드성이 우수한 것을 알 수 있었다. 한편, 비교예에 관한 다이싱용 점착 시트의 경우, 삽입 깊이가 5 mm일 때에는 파단이 생기지 않았 지만, 10 mm 또는 15 mm의 삽입 깊이일 때에 파단이 생기는 것이 확인되었다.As can be seen from Table 1, in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to the example, it was found that no breakage occurred and the expandability was excellent. On the other hand, in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to the comparative example, no breakage occurred when the insertion depth was 5 mm, but it was confirmed that breakage occurred when the insertion depth was 10 mm or 15 mm.

본 발명에 따르면, 기재의 인장 탄성율을 50 내지 250 MPa로 하고, 파단 연신도를 200 % 이상으로 하고, 또한 내절입도를 2.5 이상으로 함으로써 예를 들어 다이싱용 점착 시트에 절입이 형성되어 있을 때에도, 익스팬드를 행할 때에 상기 다이싱용 점착 시트가 파단하는 것을 방지한다. 그 결과, 피절단체 소편의 픽업을 양호하게 행할 수 있어 작업성 및 제품 비율의 향상을 도모할 수 있다. According to the present invention, even when an incision is formed in the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing by setting the tensile modulus of the base material to 50 to 250 MPa, the breaking elongation to 200% or more, and the cut-in resistance to 2.5 or more, for example, When the expansion is performed, the adhesive sheet for dicing is prevented from breaking. As a result, it is possible to satisfactorily pick up the cut individual pieces, and the workability and the product ratio can be improved.

Claims (12)

기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖도록 구성되고, 피절단체의 가공시에 이용하는 다이싱용 점착 시트이며, It is comprised so that an adhesive layer may be provided in at least one surface of a base material, and it is an adhesive sheet for dicing used at the time of processing of a cut body, 상기 기재의 인장 탄성율이 50 내지 250 ㎫이고, 파단 연신도가 200 % 이상이고, 하기 식으로 표시되는 내절입도가 2.5 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.The tensile elasticity modulus of the said base material is 50-250 Mpa, the elongation at break is 200% or more, and the incision degree represented by a following formula is 2.5 or more, The adhesive sheet for dicing characterized by the above-mentioned. [수학식 1] [Equation 1] 내절입도 = (상기 기재의 파단 강도)/(상기 기재의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도)Breaking resistance = (break strength of the substrate) / (tensile strength at 30% of tensile elongation of the substrate) 제1항에 있어서, 상기 기재의 항복점 연신도가 30 % 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트. The yield point elongation of the said base material is 30% or more, The adhesive sheet for dicing of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 기재가, 폴리프로필렌계 열가소성 엘라스토머, 아크릴 수지 및 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트. The adhesive sheet for dicing according to claim 1, wherein the base material contains at least one or more selected from the group consisting of a polypropylene thermoplastic elastomer, an acrylic resin, and a polyester thermoplastic elastomer. 제1항에 있어서, 상기 점착제층의 두께가 1 ㎛ 이상이고, 또한 상기 기재의 두께의 1/3 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트. The thickness of the said adhesive layer is 1 micrometer or more, and is 1/3 or less of the thickness of the said base material, The adhesive sheet for dicing of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 점착제층이 방사선 경화형 점착제를 포함하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트. The pressure sensitive adhesive sheet for dicing according to claim 1, wherein the pressure sensitive adhesive layer is configured to include a radiation curable pressure sensitive adhesive. 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖도록 구성되고, 피절단체의 가공시에 이용하는 다이싱용 점착 시트이며, 상기 기재의 인장 탄성율이 50 내지 250 ㎫이고, 파단 연신도가 200 % 이상이고, 하기 식으로 표시되는 내절입도가 2.5 이상인 다이싱용 점착 시트를 피절단체에 부착하는 공정과, It is comprised so that an adhesive layer may be provided on at least one surface of a base material, It is a dicing adhesive sheet used at the time of processing of a cut body, The tensile elasticity modulus of the said base material is 50-250 Mpa, The elongation at break is 200% or more, Attaching the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing having a cut resistance of 2.5 or more to the cut body; 상기 피절단체를 절단하여 피절단체 소편을 형성하는 공정이며, 상기 절단을 상기 피절단체측으로부터 상기 다이싱용 점착 시트의 기재까지 행하는 공정과, Cutting the cut single piece to form a cut single piece, and performing the cutting from the cut single side to the base material of the dicing adhesive sheet; 상기 다이싱용 점착 시트를 확장시켜, 상기 다이싱용 점착 시트에 접착 고정되어 있는 각 피절단체 소편의 간격을 넓히는 공정과, Expanding the dicing adhesive sheet to widen the interval of each cut piece piece that is adhesively fixed to the dicing adhesive sheet; 상기 점착제층이 구비된 피절단체 소편을 상기 기재로부터 박리하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 피절단체의 가공 방법. And a step of peeling the cut piece small piece provided with the pressure-sensitive adhesive layer from the base material. [수학식 2] &Quot; (2) &quot; 내절입도 = (상기 기재의 파단 강도)/(상기 기재의 인장 연신도 30 %에 있어서의 인장 강도)Breaking resistance = (break strength of the substrate) / (tensile strength at 30% of tensile elongation of the substrate) 제6항에 있어서, 상기 기재의 항복점 연신도가 30 % 이상인 것을 특징으로 하는 피절단체의 가공 방법. The yield point elongation of the said base material is 30% or more, The processing method of the single body of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 제6항에 있어서, 상기 기재가, 폴리프로필렌계 열가소성 엘라스토머, 아크릴 수지 및 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1 종류 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 피절단체의 가공 방법. The method for processing a cutle member according to claim 6, wherein the base material contains at least one or more selected from the group consisting of polypropylene-based thermoplastic elastomers, acrylic resins and polyester-based thermoplastic elastomers. 제6항에 있어서, 상기 점착제층의 두께가 1 ㎛ 이상이고, 또한 상기 기재의 두께의 1/3 이하인 것을 특징으로 하는 피절단체의 가공 방법. The thickness of the said adhesive layer is 1 micrometer or more, and is 1/3 or less of the thickness of the said base material, The processing method of the single body of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 제6항에 있어서, 상기 점착제층이 방사선 경화형 점착제를 포함하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 피절단체의 가공 방법. The processing method of a single body according to claim 6, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is configured to include a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. 제6항에 있어서, 상기 피절단체로서 반도체 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 피절단체의 가공 방법. The method for processing a cut single member according to claim 6, wherein a semiconductor element is used as the cut single member. 제6항에 기재된 피절단체의 가공 방법에 의해 제작된 것을 특징으로 하는 피절단체 소편. A cut body piece, which is produced by a method for processing a cut body according to claim 6.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4979063B2 (en) * 2006-06-15 2012-07-18 日東電工株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP5122893B2 (en) * 2007-09-14 2013-01-16 株式会社ディスコ Device manufacturing method
KR101191121B1 (en) 2007-12-03 2012-10-15 주식회사 엘지화학 Dicing die bonding film and dicing method
KR100922226B1 (en) * 2007-12-10 2009-10-20 주식회사 엘지화학 Adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same
JP2009277778A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Disco Abrasive Syst Ltd Method of dividing wafer
JP2010251727A (en) * 2009-03-24 2010-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for semiconductor wafer processing
JP5253322B2 (en) * 2009-08-05 2013-07-31 三菱樹脂株式会社 Film for semiconductor manufacturing process adhesive tape
JP5149888B2 (en) * 2009-12-04 2013-02-20 リンテック株式会社 Stealth dicing adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
JP2012079936A (en) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp Dicing, die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device
WO2012157671A1 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 リンテック株式会社 Film and adhesive sheet
JP6084818B2 (en) * 2012-11-14 2017-02-22 矢崎総業株式会社 Foam and foam manufacturing method
JP6084819B2 (en) * 2012-11-14 2017-02-22 矢崎総業株式会社 Foam and foam manufacturing method
KR20150099768A (en) * 2012-12-28 2015-09-01 린텍 가부시키가이샤 Dicing-sheet substrate film and dicing sheet
JP6211771B2 (en) * 2013-02-08 2017-10-11 日東電工株式会社 Adhesive tape
JP6167024B2 (en) * 2013-11-22 2017-07-19 リンテック株式会社 Dicing sheet base film and dicing sheet
JP6295132B2 (en) * 2014-04-24 2018-03-14 日東電工株式会社 Dicing die bond film
JP6295135B2 (en) * 2014-04-24 2018-03-14 日東電工株式会社 Dicing die bond film
JP6490459B2 (en) * 2015-03-13 2019-03-27 古河電気工業株式会社 Wafer fixing tape, semiconductor wafer processing method, and semiconductor chip
TWI692519B (en) 2015-06-11 2020-05-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 Electronic parts protection film, electronic parts protection member, electronic parts manufacturing method and packaging manufacturing method
US10858547B2 (en) 2015-06-29 2020-12-08 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Film for manufacturing semiconductor parts
JP6196751B1 (en) 2016-03-31 2017-09-13 三井化学東セロ株式会社 Film for parts production and method for producing parts
CN108966672B (en) 2016-03-31 2023-08-18 三井化学东赛璐株式会社 Film for producing component and method for producing component
KR101943705B1 (en) 2016-06-27 2019-01-29 삼성에스디아이 주식회사 Adhesive film, optical member comprising the same and optical display apparatus comprising the same
WO2018083986A1 (en) * 2016-11-02 2018-05-11 リンテック株式会社 Adhesive sheet for stealth dicing
US11251062B2 (en) 2017-01-30 2022-02-15 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Component-manufacturing film, component-manufacturing tool, and component-manufacturing method
WO2019131603A1 (en) * 2017-12-27 2019-07-04 古河電気工業株式会社 Radiation curable adhesive tape for dicing
CN109207080A (en) * 2018-09-06 2019-01-15 陈裕旺 A kind of polyolefin facestock UV adhesive tape and preparation method thereof
CN109233659A (en) * 2018-09-06 2019-01-18 陈裕旺 A kind of PO plane materiel UV adhesive tape and preparation method thereof
JP6915675B2 (en) * 2019-01-22 2021-08-04 住友ベークライト株式会社 Adhesive tape and base material for adhesive tape
KR20210118080A (en) * 2019-01-31 2021-09-29 린텍 가부시키가이샤 Expand method and semiconductor device manufacturing method
JP7328807B2 (en) * 2019-06-26 2023-08-17 日東電工株式会社 Dicing tape and dicing die bond film
JP2021077861A (en) * 2019-11-07 2021-05-20 日東電工株式会社 Dicing tape and dicing die bond film
JPWO2021200619A1 (en) * 2020-03-30 2021-10-07
CN113618840B (en) * 2020-05-07 2023-06-02 复扬电子(苏州)有限公司 Forming method of process film

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430350B1 (en) 1995-07-11 2004-06-16 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 Semiconductor Wafer Processing Adhesives and Tapes
JP2004228420A (en) 2003-01-24 2004-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The Semiconductor-wafer fastening self-adhesive tape

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2618491B2 (en) * 1989-08-05 1997-06-11 古河電気工業株式会社 Radiation curable adhesive tape
JPH04196342A (en) * 1990-11-28 1992-07-16 Mitsui Toatsu Chem Inc Film for semiconductor wafer dicing use
US6184109B1 (en) * 1997-07-23 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP4510954B2 (en) * 1998-08-10 2010-07-28 リンテック株式会社 Dicing tape and dicing method
JP4545379B2 (en) * 2003-01-06 2010-09-15 グンゼ株式会社 Dicing adhesive sheet

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430350B1 (en) 1995-07-11 2004-06-16 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 Semiconductor Wafer Processing Adhesives and Tapes
JP2004228420A (en) 2003-01-24 2004-08-12 Furukawa Electric Co Ltd:The Semiconductor-wafer fastening self-adhesive tape

Also Published As

Publication number Publication date
CN1884412B (en) 2012-01-25
TW200700527A (en) 2007-01-01
KR20060134790A (en) 2006-12-28
TWI382074B (en) 2013-01-11
CN1884412A (en) 2006-12-27
JP4549239B2 (en) 2010-09-22
JP2007005436A (en) 2007-01-11

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