KR101166790B1 - 주석(Ｓｎ) 또는 ＳＡＣ(Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ) 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법 및 이에 따라 제조된 솔더 페이스트 - Google Patents

주석(Ｓｎ) 또는 ＳＡＣ(Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ) 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법 및 이에 따라 제조된 솔더 페이스트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu) 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법 및 이에 따라 제조된 솔더 페이스트에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 주석 또는 SAC합금을 직류아크방법(DCA)에 의해 나노입자화하는 나노입자 제조단계와, 제조된 나노입자를 원심분리하여 고농도화하는 고농도 나노입자 제조단계와, 제조된 고농도 나노입자와 플럭스(Flux)를 초음파로 혼합하여 페이스트를 제조하는 솔더 페이스트(Solder Paste) 제조단계를 포함하여 이루어지는 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu) 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법 및 이에 따라 제조된 솔더 페이스트에 관한 것이다.

Description

주석(Ｓｎ) 또는 ＳＡＣ(Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ) 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법 및 이에 따라 제조된 솔더 페이스트{MANUFACTURING PROCESS OF Sn OR SAC NANO SOLDER PASTE WITH LOW MELTING TEMPERATURE AND THE SOLDER PASTE MANUFACTURED BY THE METHOD}
본 발명은 주석 나노입자 또는 SAC 나노입자를 실질적으로 녹이지 못하는 종래기술의 문제를 해결하기 위한 주석 또는 SAC 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법 및 이에 따라 제조된 솔더 페이스트(Solder Paste)에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 낮은 녹는점의 솔더 페이스트를 사용하게 되는 경우, Reflow 공정시 PCB보드의 변형을 방지하고 나노입자화된 솔더를 사용함으로써 솔더 균일성을 높일 수 있으며, SOP(Solder on Pad) 공정으로 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding), TSV(Through-Silicon Via)공정 등 다양한 분야에 적용할 수 있다는 장점을 갖는다.
솔더링(soldering)은 450℃ 이하의 온도에서 두 이종재료를 저융점 삽입 금속을 녹여 접합하는 방식으로, 금속면 사이의 모세관 현상에 의해서 솔더가 전체적으로 퍼지게 해서 접합하는 접합법이다. 이때 사용되는 삽입금속을 솔더(solder)라고 한다. 흔히 납땜이라고 알려져 있는 이 접합법은 비교적 저온에서 접합이 이루어진다는 특성으로 최근에는 전자 부품처럼 열에 민감한 재료의 접합을 위한 대표적인 방법으로 사용되고 있다.
솔더(solder) 재료는 수 천년 이상 인류 문명과 함께 해온 대표적인 금속 합금으로서 현재까지도 전자 패키징(electronic packing) 및 표면 실장(SMT, surface mount technology) 분야의 핵심 소재로 사용되고 있다. 솔더 재료로서 일차적으로 요구되는 특성으로는 적절한 융점과 젖음성(wettability), 그리고 합금 자체의 기계적 특성 등을 들 수 있다.
솔더 재료로서 주석, SAC는 비교적 젖음성이 우수하고, 합금 자체의 기계적 특성이 향상되어 현재까지 산업 현장에는 최적의 무연 솔더로서 각광받고 있으나, 기존 Sn-Pb에 비하여 그 융점이 35℃ 가량 높은 단점이 있다.
주석 나노입자 또는 SAC 나노입자를 제작하여 녹는점(융점)을 낮추는 방법은 여러 연구자에 의하여 제안되어 왔으나, 주석 나노입자와 SAC 나노입자가 쉽게 산화되는 이유로 시차 주사 열량 측정법(Differential Scanning Calorimetry)을 이용하여 녹는점이 낮아지는 것을 실험적으로 보여 주었다. 하지만 실제 완전히 주석, SAC 나노입자가 녹는 현상(Full Melting Phenomena)을 보여주지 못했으며, 특히 완전 녹음 현상에 의해 주석 또는 SAC 나노입자들끼리 서로 합쳐지는 현상을 보여주지 못했다. 그 결과 주석, SAC 나노입자를 솔더 재료로 사용하는데 한계가 있었다.
이에 따라, 본 발명자는 기존의 주석 나노입자와 SAC 나노입자를 녹이는 문제를 해결하기 위하여 나노입자를 제작 후 산화막을 제거할 수 있는 플럭스(Flux)와 혼합을 통해 주석 또는 SAC 나노입자를 포함하는 낮은 녹는점의 솔더 페이스트를 제작하는 기술을 개발함으로써 본 발명의 완성에 이르게 되었다.
상기의 문제를 해결하고자, 본 발명은 주석(Sn) 나노입자와 SAC(Sn-Ag-Cu) 나노입자를 실질적으로 녹일 수 없다는 종래의 문제를 해결하기 위하여 주석 나노입자 또는 SAC 나노입자를 먼저 제작한 후 산화막을 제거할 수 있는 플럭스(Flux)와의 혼합을 통해 낮은 녹는점의 솔더 페이스트(Solder Paste)를 제조하는 방법의 제공과, 이에 따라 제조된 솔더 페이스트를 제공하고자 하는 것을 발명의 목적으로 한다.
상기의 문제를 해결하고자,
본 발명은 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu)를 직류아크방법(DCA)을 통해 나노입자화하는 나노입자 제조단계와,
주석 나노입자 또는 SAC 나노입자를 원심분리하여 고농도화하는 고농도 나노입자 제조단계와,
고농도 주석 또는 SAC 나노입자와 플럭스(Flux)를 초음파로 혼합하여 페이스트를 제조하는 솔더 페이스트(Solder Paste) 제조단계를 포함하여 이루어지는 주석 또는 SAC 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법과,
상기 솔더 페이스트 제조방법에 따라 제조된 솔더 페이스트를 주요 기술적 구성으로 한다.
기존에는 주석(Sn) 나노입자와 SAC(Sn-Ag-Cu) 나노입자가 쉽게 산화되는 이유로 시차 주사 열량 측정법(Differential Scanning Calorimetry)을 이용하여 녹는점이 낮아지는 것을 실험적으로 보여 주기만 하였을 뿐, 제작된 주석 나노입자와 SAC 나노입자를 실질적으로 녹일 수가 없었으나, 본 발명에 따른 솔더 페이스트(Solder Paste)는 주석 또는 SAC 나노입자의 녹는점 감소를 DSC측정 뿐만 아니라 제조된 나노입자를 플럭스(Flux)와 혼합하여 입자의 산화를 방지를 통해 구리판 위에 직접 녹이는 것이 가능하여 실제 공정에 활용할 수 있다는 장점을 갖는다.
그리고 나노입자화된 솔더 페이스트(Solder Paste)를 사용함으로써 녹는점을 낮추어 공정에서 사용되는 에너지 절감 및 미세 패터닝이 가능함에 따라 전자 기기의 집적화를 용이하게 하는 장점을 갖는다.
도 1은 본 발명에 따른 솔더 페이스트(Solder Paste) 제조공정을 도시한 순서도.
도 2는 본 발명의 주석 또는 SAC 나노입자를 제작하기 위한 직류 아크 방법(DCA)에 따른 나노입자 제조장치의 개념도.
도 3은 본 발명의 주석 또는 SAC나노입자를 제작하기 위한 직류 아크 방법(DCA)에 따른 나노입자 제조장치의 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 주석 또는 SAC 나노입자의 DSC(Differential Scanning Calorimetry) 측정 결과를 보인 그래프.
도 5는 본 발명에 따른 주석 또는 SAC 나노입자를 이용하여 제조한 솔더 페이스트(Solder Paste)를 녹이기 전(a)의 사진과 녹인 후(b)의 사진.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 솔더 페이스트는 직류아크(DCA)방법을 이용하여 구리합금 또는 SAC합금으로부터 나노입자를 제조하고, 제조된 나노입자를 원심분리하여 고농도화하며, 고농도화된 나노입자를 플럭스(Flux)와 혼합함으로써 본 발명에 따른 낮은 녹는점의 솔더 페이스트를 제조하게 된다.
이하, 상기의 솔더 페이스트 제조에 따른 구체적인 기술 내용을 각 단계별로 살펴보고자 한다.
주석 또는 SAC 나노입자 제조단계
본 발명에 따른 주석(Sn) 나노입자 또는 SAC(Sn-Ag-Cu) 나노입자는 주석합금 또는 SAC합금으로부터 직류아크 방법을 통해 제조되며,
상기 SAC(Sn-Ag-Cu) 합금은 95.5Sn/4.0Ag/0.5Cu(융점:216-219℃), 95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu(융점:217-219℃), 95.0Sn/4.0Ag/1.0Cu(융점:216-219℃), 93.6Sn/4.7Ag/1.7Cu(융점:216-218℃) 합금 등 다양하게 사용할 수 있다.
상기 주석 또는 SAC 나노입자는 도 2 및 도 3에 도시된 나노입자 제조장치(1)를 통해 나노입자를 생성하게 되며, 상기 나노입자 제조장치(1)는 몸체부(10)와, 상기 몸체부(10)로부터 횡 방향으로 뻗은 날개부(20)와, 상기 날개부(20)에 수직방향으로 하향 고정되어 있는 2개의 구리(Cu) 기둥(30)과, 상기 2개의 구리(bar) 기둥 하단에 각각 체결되는 육면체 형상의 주석 또는 SAC로 이루어진 양극(Anode)과 음극(Cathode)의 전극(40)과, 상기 양극(Anode)과 음극(Cathode)의 전극(40)에 소정의 직류전압을 인가하는 전원공급기(50)와, 상기 양극(Anode)과 음극(Cathode) 사이의 간극을 조절하기 위하여 2개의 구리(Cu) 기둥(30) 중 어느 하나의 상단과 결합되어 날개부에 설치되는 간극조절용핸들(60)과, 상기 전극(40)이 잠기도록 유전체인 벤질 알콜(Benzyl Alcohol)을 수용하는 컨테이너(70)를 포함하여 구성된다.
이와 같은 나노입자 제조장치(1)를 이용하여 직류아크방법(DCA)에 의해 주석 또는 SAC 나노입자의 제조는 주석 또는 SAC로 이루어진 전극(40)에 직류 전류 20~50A를 10~30분간 흘려주게 되면, 양극(Anode)과 음극(Cathode)의 전극 사이에서 아크가 발생하게 되고, 발생한 아크에 의해 양 전극이 국부적으로 녹는 현상과 상변화에 의해 나노입자를 생성하게 된다.
이때, 양극(Anode)과 음극(Cathode) 사이의 이격 거리는 상호 맞닿지 않는 조건에서 1mm 이하의 간격을 유지하는 것이 바람직하며, 이는 이격 거리가 1mm를 초과하게 되는 경우에는 아크가 발생하지 않아 나노입자를 생성할 수 없게 되기 때문이다.
그리고 상기 직류 전류가 20A 미만인 경우에는 아크가 원활하게 발생하지 않는 문제가 있고, 50A를 초과하게 되는 경우에는 큰 크기의 금속이 전극으로부터 떨어지는 경우가 발생하게 되므로, 상기 직류 전류는 20~50A의 범위를 유지하는 것이 바람직하며,
전류를 흘려주는 시간이 5분 미만인 경우에는 생성되는 나노입자의 양이 매우 적은 문제가 있고, 30분을 초과하게 되는 경우에는 유체가 과열되어 위험하므로 상기 시간은 5~30분의 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
결과적으로 이와 같은 직류 아크 방법에 의해 제조된 주석 또는 SAC 나노입자의 크기는 40~80nm이다.
보다 구체적으로는 다음의 실시예 1에 제시된 과정을 거쳐 주석 나노입자를 제조하고, 실시예 2에 제시된 과정을 거쳐 SAC 나노입자를 제조한다.
앞서 살펴본 도 3에 도시된 나노입자 제조장치(1)를 이용하여 주석(Sn) 나노입자를 제조하되, 양극(Anode)과 음극(Cathode)으로 6mm×6mm×30mm의 직육면체의 주석(Sn)을 각각 구리(Cu) 기둥(30)에 결합시킨 후, 400㎖의 유전체를 채운 컨테이너 내부에 위치시킨다. 이때 유전체는 나노입자의 산화를 방지하기 위하여 산소를 포함하지 않은 유전체를 사용하며, 보다 구체적으로는 벤질 알콜(Benzyl Alcohol)로서 생성된 주석(Sn) 나노입자의 산화를 방지한다.
이와 같이 나노입자 제조장치(1)를 구성한 후에는 상기 전원공급기(50)를 이용하여 상기 양극(Anode)과 음극(Cathode)에 30A의 직류 전류를 10분간 흘려주게 되면 상기 양극(Anode)과 음극(Cathode) 사이에서 아크(Arc)가 발생하게 된다. 이때 발생하는 아크(Arc)에 의해 국부적으로 녹는 현상에 의해 주석(Sn) 나노입자가 제조된다.
상기 실시예 1과 동일한 조건에서 SAC 나노입자를 제조하며, 다만 전극을 주석(Sn)이 아닌 SAC(Sn-Ag-Cu)로 하여 나노입자를 제조한다.
그리고 실시예 2에서 제조된 SAC 나노입자의 녹는점은 시차주사 열량법을 이용하여 측정한 결과, 도 4에 도시된 바와 같이, 주석 합금의 녹는점인 218℃가 아닌 약 96℃에서 측정되었다.
고농도 주석 또는 SAC 나노입자 제조단계
이전 단계에서 제조된 나노입자의 고농도화는 원심분리에 의해 이루어지며, 더욱 상세하게는 이전 단계에서 제조된 나노입자를 3,000~7,000rpm에서 20~40분 동안 원심분리하여 80wt%이상으로 농축하여 고농도화한다.
이와 같이 주석 또는 SAC 나노입자를 고농도로 농축하는 이유는 벤질 알콜(Benzyl Alcohol)의 양이 나노입자의 양보다 많아 나노입자를 녹이기 위하여 오랜 시간 가열을 해야 하며, 또한 녹고 난 후에 솔더링 부분에 기공이 많아 접합강도가 낮아지기 문제가 발생하기 때문에, 이와 같은 문제를 해소하기 위하여 고농도로 농축하는 과정을 거치게 된다.
그리고 고농도 농축을 위한 원심분리가 3,000rpm 미만인 경우에는 나노입자의 고농도화가 제대로 이루어지지 않아 벤질 알콜 내부에 포함된 입자의 양이 적어 솔더 페이스트의 역할을 기대할 수가 없고, 또한 7,000rpm을 초과하게 되는 경우에는 벤질 알콜 내부의 입자가 서로 엉겨 붙어 나노입자의 성질을 잃게 돼 녹는점 강하를 기대할 수 없게 되므로, 상기 원심분리는 3,000~7,000rpm의 범위 내에서 이루어지는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 6,000rpm으로 한정한다.
또한, 상기 원심분리 시간이 20분 미만인 경우에는 농축되는 입자의 양이 적고, 40분을 초과하게 되는 경우에는 입자의 뭉침 현상이 생기므로 상기 원심분리 시간은 20 ~ 40분의 범위 내로 한정하는 것이 바람직하다.
솔더 페이스트( Solder Paste ) 제조단계
본 단계는 고농도의 주석 또는 SAC 나노입자와 플럭스(Flux)를 혼합하여 솔더 페이스트를 제조하는 단계로서, 상기 솔더 페이스트(Solder Paste)는 고농도 나노입자 75 ~ 99wt%와, 플럭스(Flux) 1 ~ 25wt%를 40 ~ 50kHz의 초음파 에너지를 이용하여 혼합함으로써 조성된다.
이때, 고농도 나노입자의 양이 75wt% 미만인 경우에는 입자의 양이 적어 실제로 녹이는 데 있어 어려움이 있기 때문에 고농도 나노입자의 사용량은75 ~ 99wt%의 범위 내로 한정하는 것이 바람직하다.
상기 플럭스(Flux)는 솔더링과 모재 금속 표면의 산화막을 제거하여 솔더링 작업 중 가열하는 동안에 금속의 재산화를 방지하며, 용융 솔더링의 표면장력을 저하시킴으로서 솔더링의 넓어짐(퍼짐성 또는 젖음성)을 좋게 하는 역할을 하는 것으로서, 수지계, 유기계, 무기계로 분류되는데, 전자기기에 사용되는 플럭스는 수지계가 주류를 이룬다.
수지계의 주요 재료는 로진(rosin), 변성로진, 합성수지 등이 있으며, 로진은 소나무 등 침엽수의 수지(예, 송진)를 정제하여 만든다. 플럭스 활성화 정도에 따라 RA(rosin activated), RMA(rosin maidly activated), R(rosin)형이 있는데, RA형은 활성력이 너무 강하기 때문에 전자 산업에는 잘 사용하지 않고 있다.
플럭스는 보통 로진, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol), 활성제(할로겐 원소 0.2%이하)로 구성되어 있다. 솔더링의 대상재료로서는 Cu가 많으며, 그 이외의 Cu 합금 및 Fe-Ni등이 있다. 이러한 재료는 Sn과 반응하기 쉬우나, 재료표면의 오염층의 종류 및 두께, 산화피막 등에 의하여 솔더링성(solderability)이 크게 차이가 생기므로, 오염층 및 산화 피막을 제거하여 금속의 표면과 솔더가 직접적으로 접촉하도록 플럭스가 이용된다.
본 발명에서 사용하는 플럭스(Flux)로는 로진 50~60wt%, 용제인 이소프로필 알콜 40~50wt%의 혼합으로 조성된 제1조성물(A);과 벤질 알콜(B);의 배합비가 중량비율로 1~2:1~2 범위 안에서 조성된 혼합물을 사용한다.
그리고 고농도 나노입자와 혼합하는 상기 플럭스(Flux)의 사용량이 1wt% 미만인 경우에는 생성된 주석 나노입자 또는 SAC 나노입자의 산화방지 기능이 제대로 발휘되지 않아 녹는 현상이 관찰되지 않고, 25wt%를 초과하게 되는 경우에는 플럭스(Flux)의 양이 너무 많아 세척이 잘 되지 않는 문제가 있으므로, 상기 플럭스(Flux)의 사용량은 1~25wt%의 범위 내로 한정하는 것이 바람직하다.
상기 솔더 페이스트(Solder Paste)를 제조하기 위한 보다 구체적인 내용은 다음의 실시예 2와 같다.
솔더 페이스트(Solder Paste) 제조과정은 주석 나노입자를 사용하거나 또는 SAC 나노입자를 사용하는 경우 모두 동일하며, 여기에서는 SAC 나노입자를 이용한 솔더 페이스트(Solder Paste) 제조에 대해 설명토록 한다.
앞서와 같이, 시차주사 열량법을 통한 녹는점 실험 결과를 통하여 나노입자화된 SAC의 녹는 점이 충분히 낮아짐을 확인하였고, 이를 기반으로 솔더 페이스트(Solder Paste)를 제조하였다.
먼저 고농도화한 SAC나노입자 90wt%에 플럭스(Flux) 10wt%를 첨가한 후, 45kHz의 초음파 에너지를 5분간 가하여 솔더 페이스트(Solder Paste)를 제조한다.
본 발명에 따른 솔더 페이스트는 플럭스(Flux)를 사용하여 입자의 산화 방지 와 산화막 제거를 통하여 실제로 녹이는 것이 가능하며 이는 본 발명에 따라 제조된 솔더 페이스트(Solder Paste)를 구리판 위에서 실제로 녹인 사진(도 5; (a) 녹이기 전, (b) 녹인 후)을 통해 확인할 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 솔더 페이스트는 녹는점을 170℃까지 낮추어 녹일 수 있는 장점이 있으며, 솔더 페이스트 내부에 포함된 주석 또는 SAC 나노입자를 녹이기 위하여 가열하는 시간이 1~2분 이내로 짧아 SOP(Solder on Pad)공정 시 공정 시간 단축 및 필요한 에너지를 절감하는 장점이 있다.
본 발명에 따른 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu) 나노입자를 사용하여 낮은 녹는점의 솔더 페이스트(Solder Paste)를 적용할 경우 Reflow 공정시 PCB보드의 변형을 방지하고 나노입자화된 솔더를 사용함으로 솔더 균일성을 높일 수 있으며, SOP(Solder on Pad) 공정으로 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding), TSV(Through-Silicon Via)공정 등 다양한 분야에 적용할 수 있어 산업상 이용가능성이 크다.
1: 나노입자 제조장치
10: 몸체부
20: 날개부
30: 구리(Cu) 기둥
40: 전극
50: 전원공급기
60: 간극조절용핸들
70: 컨테이너

Claims (5)

  1. 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu)를 직류아크방법(DCA)을 통해 나노입자화하는 나노입자 제조단계와,
    제조된 나노입자를 원심분리하여 고농도화하는 고농도 나노입자 제조단계와,
    제조된 고농도 나노입자와 플럭스(Flux)를 초음파로 혼합하여 페이스트를 제조하는 솔더 페이스트(Solder Paste) 제조단계를 포함하여 이루어지는 것임을 특징으로 하는 주석 또는 SAC 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    나노입자 제조단계는
    몸체부(10)와,
    상기 몸체부(10)로부터 횡방향으로 뻗은 날개부(20)와,
    상기 날개부(20)에 수직방향으로 하향 고정되어 있는 2개의 구리(Cu) 기둥(30)과,
    상기 2개의 구리(bar) 기둥 하단에 각각 체결되는 육면체 형상의 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu)으로 이루어진 양극(Anode)과 음극(Cathode)의 전극(40)과,
    상기 양극(Anode)과 음극(Cathode)의 전극(40)에 소정의 직류전압을 인가하는 전원공급기(50)와,
    상기 양극(Anode)과 음극(Cathode) 사이의 간극을 조절하기 위하여 2개의 구리(Cu) 기둥(30) 중 어느 하나의 상단과 결합되어 날개부에 설치되는 간극조절용핸들(60)과,
    상기 전극(40)이 잠기도록 유전체인 벤질 알콜(Benzyl Alcohol)을 수용하는 컨테이너(70)를 포함하여 구성된 나노입자 제조장치(1)를 이용하여 직류아크방법(DCA)에 의해 주석(Sn) 또는 SAC(Sn-Ag-Cu)합금을 나노입자화 하는 것으로서,
    상기 전극(40)에 직류 전류 20~50A를 10~30분간 흘려주어 양극(Anode)과 음극(Cathode) 사이에 아크를 발생시켜, 발생된 아크에 의해 양 전극이 국부적으로 녹는 현상과 상변화에 의해 나노입자를 제조하는 것임을 특징으로 하는 주석 또는 SAC 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    고농도 나노입자 제조단계는 3,000~7,000rpm에서 20~40분 동안 원심분리하여 80wt%이상으로 농축하는 것임을 특징으로 하는 주석 또는 SAC 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    솔더 페이스트(Solder Paste) 제조단계는 고농도 나노입자 75 ~ 99wt%과, 플럭스(Flux) 1 ~ 25wt%를 40 ~ 50kHz의 초음파 에너지로 혼합하여 솔더 페이스트(Solder Paste)를 조성하는 것임을 특징으로 하는 주석 또는 SAC 나노입자를 이용한 낮은 녹는점의 솔더 페이스트 제조방법.
  5. 삭제
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