KR101163777B1

KR101163777B1 - Ｒｆ집적모듈 및 ｒｆ집적모듈의 열방출형 기판 제조 방법

Info

Publication number: KR101163777B1
Application number: KR1020050077100A
Authority: KR
Inventors: 박경철
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2005-08-23
Filing date: 2005-08-23
Publication date: 2012-07-11
Also published as: KR20070022989A

Abstract

본 발명은 RF집적모듈에 구비되는 전력증폭단에서 발생되는 열로 인한 인접 소자의 손상을 최소화하기 위한 기판 구조에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 RF집적모듈은 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단을 포함하는 모듈로서, 상기 구성부들을 실장시키고, 상기 구성부 저면측 전극을 연결하는 적어도 하나 이상의 비아홀이 형성되며, 상기 비아홀이 단층 상에서 포함되도록 소정 영역에 열방출패턴이 형성되는 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 열방출패턴은 20 마이크로 미터 이하의 두께로 형성되고, 각 구성부들을 연결하는 신호선과 적어도 λ/40 이상의 이격 거리를 가지도록 면적이 결정되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 이동통신부품이 모듈화, 집적화, 소형화되는 기술 추세에 있어서 비아홀을 통한 열전도 구조를 개선시킴으로써 회로소자, 특히 전력증폭소자로부터 발생되는 열로 인한 인접회로의 기능 이상을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 기판 제조 비용의 증가없이 열방출 구조를 구현할 수 있고, RF집적모듈을 이루는 모든 소자에 개별적으로 적용할 수 있는 열전도 구조를 제공할 수 있게 된다.

Description

ＲＦ집적모듈 및 ＲＦ집적모듈의 열방출형 기판 제조 방법{Radio Frequency accumulated module and production method of circuit board of heat sink type for Radio Frequency accumulated module}

도 1은 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈의 구조를 개략적으로 도시한 상면도.

도 2는 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈 중에서 전력증폭단 블럭의 구조를 도시한 측단면도.

도 3은 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈에 구비되는 RF 쏘우(SAW) 필터의 온도에 따른 전기적 특성 변화를 도시한 그래프.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈 중에서 전력증폭단 블럭의 구조를 도시한 측단면도.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈의 전력증폭단 블럭에 형성되는 열방출패턴의 형태를 예시적으로 도시한 상면도.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈의 열방출형 기판 제조 방법을 도시한 흐름도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

220: 전력증폭단 블록 221: 전력증폭단

222: 몰딩부 223: 본딩 와이어

224a: 탑(top)층 224b: 중간층

224c: 바텀(boottom)층 225: 비아홀

226a, 226b: 전극 패턴 227a, 227b: 열방출패턴

본 발명은 RF집적모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 RF집적모듈에 구비되는 전력증폭단에서 발생되는 열로 인한 인접 소자의 손상을 최소화하기 위한 기판 구조에 관한 것이다.

최근, 휴대폰, 무선랜 등과 같은 이동통신단말기에는 RF통신모듈을 이루는 각 구성부들이 존재하며, 이들은 일반적으로 프론트 앤드 모듈(FEM; Front End Module)의 집적모듈의 형태로 제작된다.

여기서, 프론트 앤드 모듈이란 이동통신단말기 상에 사용되는 전파 신호를 제어하는 송수신 장치로서, 여러 가지 전자 부품이 하나의 기판 상에 일련적으로 구현되어 그 집적 공간이 최소화된 복합 부품을 의미한다.

상기 프론트 앤드 모듈이 사용되는 이동통신시스템 중에서 일반적인 GSM 이동통신시스템에 대하여 살펴보면 다음과 같다.

GSM은 유럽을 포함한 기타 지역에서 광범위하게 사용되고 있는 디지털 이동통신시스템으로서 시분할 다중접속(TDMA: Time Division Multiple Access)의 일종 인데, 이는 TDMA, CDMA(Code Division Multiple Access)와 함께 가장 널리 사용되는 3개의 디지털 무선전화기술 중 하나이다.

GSM은 데이터를 디지털화하고 압축한 다음, 사용자 데이터와 함께 채널을 통하여 송출하며, 각각의 데이터는 고유한 시간대에 송출된다. GSM은 850 MHz, 900 MHz 및 1800 MHz, 1900MHz의 주파수 대역에서 모두 동작할 수 있으므로, 보통 그 시스템은 4대역 GSM 시스템이라고 일컬어진다.

도 1은 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈의 구조를 개략적으로 도시한 상면도이고, 도 2는 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈 중에서 전력증폭단 블럭의 구조를 도시한 측단면도이다.

도 1에 의하면, 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈은 전력증폭단 블록(120), 송신단 블록(140), 스위치단 블록(160) 및 필터단 블록(180)을 포함하여 이루어지는데, 도 2에서 전력증폭단 블록(120)이 구현되듯이 각 블록들은 기판 상에서 해당 소자들이 실장되어 구성된다.

상기 송신단 블록(140)은 다수개의 GSM대역의 주파수를 처리하고, 교신 채널을 설정하여 무선망을 구성하며, GSM통신의 송신을 제어하는 기능을 수행한다.

또한, 상기 전력증폭단 블록(120)은 구동증폭기 및 전력증폭기를 구비하여 900MHz 대역 및 1800MHz 대역의 주파수를 처리한다.

이때, 구동증폭기는 송신단 블록(140)으로부터 출력된 신호를 증폭함에 있어서 이득(gain)을 조절하여 출력이 허용 수준을 넘지 않도록 하고, 전력증폭기는 출력단에 대량의 전류를 제공하여 전력을 상승시키는 기능을 한다.

상기 스위치단 블록(160)은 다수개의 GSM대역 주파수를 스위칭하여 필터단 블록(180)으로 전달하고, 상기 필터단 블록(180)은 다수개의 쏘우(SAW) 필터를 구비하여 해당 주파수 대역의 GSM신호만을 통과시킨다.

이때, 상기 스위치단 블록(160)은 전술한 900MHz 및 1800MHz 대역의 전력증폭단 블록(120)의 송출신호를 분리하여 상기 송신단 블록(140)이 처리한 해당 주파수를 안테나를 통하여 송출되도록 한다.

도 2에 의하면, 상기 전력증폭단 블록(120)은 구리 재질로 형성된 상/하 전극 패턴(126), 다수의 그린 시트(green sheet)로 이루어지는 세라믹층(124), 상기 상/하 전극층(126)을 연결시키는 비아홀(125), 전력증폭단 소자(121), 상기 전력증폭단 소자(121)를 전극과 통전시키는 와이어 본딩(123), 상기 전력증폭단 소자(121) 및 와이어 본딩(123) 상측으로 형성된 몰딩부(122)를 포함하여 이루어진다.

상기 전력증폭단 소자(121)는 RF통신모듈을 구성하는 각 소자 중에서도 발열량이 많은 소자로서, 전력증폭단 소자(121)로부터 발생된 열은 인접 소자들에 악영향을 초래할 수 있다.

특히, 필터단 블록(180)에 포함되는 RF 쏘우 필터의 경우 열에 민감한 특성을 가지므로 열충격에 의한 기능 저하 현상이 심각하다.

도 3은 종래의 GSM RF 싱글 패키지 모듈에 구비되는 RF 쏘우(SAW) 필터의 온도에 따른 전기적 특성 변화를 도시한 그래프이다.

도 3에 의하면, 세 가지 종류의 그래프 라인이 도시되어 있는데, "A" 라인은 25℃의 열에 반응하는 RF 쏘우 필터의 전기적 특성 변화를 도시한 것이고, "B" 라 인은 85℃의 열에 반응하는 RF 쏘우 필터의 전기적 특성 변화를 도시한 그래프이다.

또한, "C" 라인은 -30℃의 열에 반응하는 RF 쏘우 필터의 전기적 특성 변화를 도시한 그래프인데, 각 온도 상황에서 전체 주파수 대역에 걸쳐 전기적 특성 변화가 일어나는 것을 확인할 수 있으며, 특히 900MHz 대역의 주파수 신호 상에서의 전기적 특성 변화가 심한 것을 관찰할 수 있다.

따라서, 전력증폭단 소자(121)로부터 발생된 열이 인접 소자들로 전달되기 전에 외부로 방출시켜야 하는데, 이를 위하여 전력증폭단 소자(121) 아래의 상층 전극층(126)은 비아홀(125)을 통하여 하층 전극층(126)과 통전되어 열을 전달시키는 구조를 가진다.

즉, 상기 비아홀(125)은 기판 바닥의 전극층으로 전력증폭단 소자(121)에서 발생된 열을 유도하며(참고로, 이러한 기능을 제공하는 비아홀을 보통 "써멀(thermal) 비아홀"이라고 지칭한다), 이때 비아홀(125)의 개수가 많을 수록, 비아홀(125)의 단면적이 넓을 수록 열방출 유도 효과는 극대화된다.

그러나, 전력증폭단 소자(121)의 크기가 점차 최소화되는 추세이고, 따라서 비아홀(125)이 형성되는 영역은 좁아지게 되며, 비아홀 제조 공정 기술의 한계로 인하여 열방출 유도에 제한이 생긴다.

더욱이, 이동통신부품의 모듈화, 집적화, 소형화 추세로 인하여 상기 송신단 블록(140), 전력증폭단 블록(120), 스위치단 블록(160) 및 필터단 블록(180) 등이 집적된 RF모듈로 구성되므로 프론트 앤드 모듈 상에서 전술한 문제점은 더욱 심각 한 결과를 초래할 수 있다.

따라서, 본 발명은 그 사이즈가 점차 축소화되고 다수개의 부품이 집적화되는 RF통신모듈 상에서 비아홀 및 전극층의 기판 구조를 개선시킴으로써, 전력증폭단 소자로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출시키고 인접 소자들로 가해지는 열충격을 최소화할 수 있는 RF집적모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 RF집적모듈은 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단을 포함하는 모듈로서, 상기 구성부들을 실장시키고, 상기 구성부 저면측 전극을 연결하는 적어도 하나 이상의 비아홀이 형성되며, 상기 비아홀이 단층 상에서 포함되도록 소정 영역에 열방출패턴이 형성되는 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 열방출패턴은 금 또는 구리의 열전도성 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 열방출패턴은 20 마이크로 미터 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 열방출패턴은 상기 구성부들을 연결하는 신호선과 적어도 λ/40 이상의 이격 거리(상기 "λ"는 상기 구성부들이 처리하는 주파수 파장을 길이로 환산한 수치임)를 두어 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 열방출패턴은 상기 구성부들을 연결하는 신호선과 적어도 λ/40 이상의 이격 거리를 가지도록 면적이 결정되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 기판은 다층 구조로서, 상기 열방출패턴이 적어도 하나 이상의 층에 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF집적모듈의 상기 비아홀은 상기 전력증폭단 저면측 전극을 연결하고, 상기 열방출패턴은 상기 전력증폭단 저면측으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

상기의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 RF모듈의 열방출형 기판 제조 방법은 전력증폭단이 실장되도록 기판을 이루는 층들 중에 1개 이상의 열방출패턴이 형성되는 단계; 및 상기 기판의 상층으로부터 하층까지 적어도 하나 이상의 비아홀이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 의한 RF모듈의 열방출형 기판 제조 방법은 상기 기판 상층으로 전극이 형성되는 단계; 및 상기 전극의 상측으로 상기 전력증폭단이 실장되는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈 및 RF모듈의 열방출형 기판의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈 중에서 전력증폭단 블럭의 구조를 도시한 측단면도이다.

본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈에 대하여 설명하기에 앞서, 본 발명의 실시예는 전술한 바와 같이, 전력증폭단 블록, 송신단 블록, 스위치단 블록 및 필터단 블록을 포함하여 이루어지는 GSM RF 싱글 패키지 모듈인 것으로 하고, 이하에서는 본 발명의 기술적 사상과 관련된 전력증폭단 블록의 구조에 대해서만 언급하기로 한다.

도 4에 의하면, 상기 전력증폭단 블록은 상측 전극 패턴(226a), 하측 전극 패턴(226b), 바텀(bottom)층(224c), 중간층(224b), 탑(top)층(224a), 비아홀(225), 제1열방출패턴(227a), 제2열방출패턴(227b), 전력증폭단(221), 본딩 와이어(223) 및 몰딩부(222)를 포함하여 이루어지는데, 상층 전극 패턴(226)은 각 소자의 전극을 연결시키기 위하여 분리된 상태에서 기판의 최상층에 위치되고, 전력증폭단(221)이 실장된다.

상기 전력증폭단(221)은 인근 상측 전극 패턴(226a)과 본딩 와이어(223)를 통하여 통전되고, 본딩 와이어(223) 및 전력증폭단(221)을 보호하기 위하여 플라스틱 재질의 몰딩부(222)가 형성된다.

상기 몰딩부(222) 위로는 또한 소자간 전파 간섭을 억제하는 쉴드캔이 더 구비될 수 있다.

상기 전력증폭단(221)이 실장된 상측 전극 패턴(226a) 밑의 영역으로는 비아홀(225)이 형성되고, 제1열방출패턴(227a)과 제2열방출패턴(227b)이 비아홀(225)을 통하여 연결되는 구조를 가진다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 열방출패턴(227a, 227b) 및 비아홀(225)의 형태를 예시적으로 도시한 단면도이다.

도 5에 의하면, 제1열방출패턴(227a) 또는 제2열방출패턴(227b)에 다수개의 비아홀(225)이 형성되어 있는데(참고로, 도 4는 전력증폭단 블록의 측단면을 도시한 것으로서 5개의 비아홀이 도시되어 있음), 상기 비아홀(225)은 전력증폭단(221)의 면적, 연결 구조 그리고 비아홀 공정 기술에 따라 그 개수가 조정될 수 있다.

상기 비아홀(225), 제1열방출패턴(227a), 제2열방출패턴(227b)이 형성되는 탑층(224a), 중간층(224b), 바텀층(224c)은 에폭시와 같은 재질로 되어 있으며, 예를 들어 비티 레진(BT resin)과 같은 재질로 형성될 수 있다.

상기 비티 레진(BT resin)이란 내열성, 절연성, 내습성, 유전특성, 안정성, 내산성, 내알카리성, 내용제성에서 안정적인 특성을 가지므로, 고주파 회로에 많이 사용되며, 우수한 동박접착력을 갖는 에폭시 계열의 재질로 이루어진다.

상기 제1열방출패턴(227a)과 제2열방출패턴(227b)은 금, 또는 구리와 같은 금속성 열전도물질로 이루어지며, 판 형태로서 각각 바텀층(224c)과 중간층(224b), 그리고 중간층(224b)과 탑층(224a) 사이에 적층된다.

본 발명의 실시예에서는, 2개의 열방출패턴(227a, 227b)이 형성되어 있으나, 그 이상의 개수로 형성될 수 있음은 물론이다.

상기 비아홀(225)은 전력증폭단(221) 아래의 상측 전극 패턴(226a)과 이하에 적층된 제1열방출패턴(227a), 제2열방출패턴(227b) 및 하측 전극 패턴(226b)을 연결시키는데, 이러한 구조를 통하여 비아홀(225)의 단면적을 증가되는 결과가 발생되고, 열방출 효과가 극대화될 수 있다.

즉, 비아홀(225)을 통하여 제1열방출패턴(227a)과 제2열방출패턴(227b)으로 전도되는 열의 양이 많아지게 되고, 전도된 열이 효과적으로 하층 전극 패턴(226b)으로 전달될 수 있으므로 전력증폭단(221)에서 발생된 열이 전도되는 것을 억제시킬 수 있다.

도 5에 의하면, 열방출패턴(227a, 227b)이 형성된 층의 단면이 도시되어 있는데, 전술한 바와 같이, 비아홀(225)을 통하여 제1열방출패턴(227a) 및 제2열방출패턴(227b)이 연결되고, 이들 열방출패턴(227a, 227b)의 크기는 전력증폭단(221)의 실장 영역보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.

이때, 상기 열방출패턴들(227a, 227b)은 열전도도가 높은 금속성 재질일수록, 그리고 그 두께가 두꺼울수록, 그리고 단면적이 넓을 수록 높은 열방출 효과를 기대할 수 있으나, 두께와 단면적의 크기에는 한계가 있다.

상기 열방출패턴들(227a, 227b)은 전체 기판의 두께를 일정하게 유지하기 위하여, 최대 약 20 마이크로 미터의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 열방출패턴들(227a, 227b)이 형성되는 영역은, 소자들을 연결하는 신호선과 적어도 λ/40 이상의 이격 거리가 확보되는 것이 바람직하다.

여기서, 상기 "λ"는 본 발명에 의한 RF통신모듈이 처리하는 주파수 파장을 길이로 환산한 수치로서, 상기 열방출패턴들(227a, 227b)이 신호선과 커플링 현상을 발생시키지 않도록 하기 위하여, 약 "50Ω"의 임피던스를 형성하는 "λ/40"의 이격 거리를 확보하는 것이다.

가령, 본 발명에 의한 RF통신모듈이 약 850 MHz의 주파수 신호를 처리한다고 가정하면, 상기 "λ"는 약 170mm의 수치를 가지게 되며, 이격 거리는 약 0.43cm로 계산된다.

이하에서, 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈의 열방출형 기판 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 RF집적모듈의 열방출형 기판 제조 방법을 도시한 흐름도이다.

처음으로, 바텀층(224c)이 형성되고(S100), 그 위로 제2열방출패턴(227b)이 형성된다(S110).

상기 제2열방출패턴(227b) 위로 중간층(224b)이 적층되고(S120), 중간층(224b)의 표면에 제1열방출패턴(227a)이 형성된다(S130).

이때, 상기 중간층(224b)은 다층 구조를 가지는 것이 일반적이며, 회로 패턴이 구현된다.

상기 제1열방출패턴(227a)이 형성되면, 그 위로 탑층(224a)이 적층되고(S140), 상측 전극 패턴(226a) 및 하측 전극 패턴(226b)이 형성된다(S150).

또한, 상기 제1열방출패턴(227a)과 제2열방출패턴(227b)은 금과 같은 금속성 재질의 판으로서, 두께는 약 20 마이크로 미터 이하로 형성되는 것이 바람직하다.

상기의 과정을 통하여 전극 패턴들(226a, 226b)이 형성되면, 전극패턴들(226a, 226b), 제1열방출패턴(227a), 제2열방출패턴(227b)이 통전되도록 비아홀이 가공되고, 비아홀은 전도성 물질로 채워지거나 내벽이 도금된다(S160).

상기 비아홀(225)은 PTH(Pin Through Hole) 형식으로서, 에칭 및 드릴 공정을 통하여 형성될 수 있다.

이와 같이, 전극 패턴들(226a, 226b)이 형성되면, 상측 전극 패턴(226a) 부분에 전력증폭단(221)이 실장되고, 인접된 상측 전극 패턴(226a)과 와이어 본딩된다(S170).

와이어 본딩 고정 후, 전력증폭단(221)의 상측으로 플라스틱 재질로 몰딩이 이루어지고, 쉴드캔이 설치된다(S180).

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

본 발명에 의한 RF집적모듈에 의하면, 이동통신부품이 모듈화, 집적화, 소형화되는 기술 추세에 있어서 비아홀을 통한 열전도 구조를 개선시킴으로써 회로소자, 특히 전력증폭소자로부터 발생되는 열로 인한 인접회로의 기능 이상을 방지할 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 열방출패턴과 비아홀의 연결 구조에 의하면, 기판 제조 비용의 증가없이 열방출 구조를 구현할 수 있고, RF집적모듈을 이루는 모든 소자에 개별적으로 적용할 수 있는 열전도 구조를 제공할 수 있게 된다.

Claims

전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단을 포함하는 RF모듈에 있어서,

상기 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단을 실장시키고, 상기 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단들의 저면측 전극을 연결하는 적어도 하나 이상의 비아홀이 형성되며, 상기 비아홀이 단층 상에서 포함되도록 소정 영역에 열방출패턴이 형성되는 기판을 포함하고,

상기 비아홀은 상기 전력증폭단 저면측 전극을 연결하고,

상기 열방출패턴은 상기 전력증폭단 저면측으로 형성되는 것을 특징으로 하는 RF집적모듈.
제 1항에 있어서, 상기 열방출패턴은

금 또는 구리의 열전도성 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 RF집적모듈.
제 1항에 있어서, 상기 열방출패턴은

20 마이크로 미터 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 RF집적모듈.
제 1항에 있어서, 상기 열방출패턴은

상기 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단을 연결하는 신호선과 적어도 λ/40 이상의 이격 거리(상기 "λ"는 상기 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단이 처리하는 주파수 파장을 길이로 환산한 수치임)를 두어 형성되는 것을 특징으로 하는 RF집적모듈.
제 1항에 있어서, 상기 열방출패턴은

상기 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단을 연결하는 신호선과 적어도 λ/40 이상의 이격 거리(상기 "λ"는 상기 전력증폭단, 송신단, 스위치단 및 필터단이 처리하는 주파수 파장을 길이로 환산한 수치임)를 가지도록 면적이 결정되는 것을 특징으로 하는 RF집적모듈.
제 1항에 있어서, 상기 기판은

다층 구조로서, 상기 열방출패턴이 적어도 하나 이상의 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 RF집적모듈.
삭제
전력증폭단이 실장되도록 기판을 이루는 층들 중에 1개 이상의 열방출패턴이 형성되는 단계; 및

상기 기판의 상층으로부터 하층까지 적어도 하나 이상의 비아홀이 형성되는 단계를 포함하고,

상기 비아홀은 상기 전력증폭단 저면측 전극을 연결하고,

상기 열방출패턴은 상기 전력증폭단 저면측으로 형성되는 것을 특징으로 하는 RF모듈의 열방출형 기판 제조 방법.
제8항에 있어서,

상기 기판 상층으로 전극이 형성되는 단계; 및

상기 전극의 상측으로 상기 전력증폭단이 실장되는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 RF모듈의 열방출형 기판 제조 방법.