JP4055687B2

JP4055687B2 - 半導体装置及び電子装置

Info

Publication number: JP4055687B2
Application number: JP2003333756A
Authority: JP
Inventors: 生朗赤澤; 直樹黒田; 博之伊藤; 健児林
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2003-09-25
Filing date: 2003-09-25
Publication date: 2008-03-05
Anticipated expiration: 2023-09-25
Also published as: JP2005101321A

Description

本発明は混成集積回路装置（ハイブリッドＩＣ）等の半導体装置及びその半導体装置を組み込んだ電子装置に係わり、例えば、携帯電話機に適用して有効な技術に関する。

携帯電話機の実装基板に搭載する半導体装置として、送信部に用いる高周波電力増幅装置等の半導体装置が知られている。この半導体装置は、例えば、基板（モジュール基板）の上面に、トランジスタ等の能動部品（能動素子）や、抵抗，コンデンサ等の受動部品（受動素子）を搭載した構造になっている。モジュール基板はセラミックからなる低温焼成基板（低温焼成多層配線基板）で形成されている。また、モジュール基板の裏面には複数の電極端子（外部電極端子）が設けられている（例えば、特許文献１参照）。

特開平９−１１６０９１号公報

携帯電話機（携帯端末）は、小型軽量であり携帯性に優れているが、不注意で落とすことも多い。そして、この落下時の衝撃によって故障してしまうことも多い。そこで、携帯電話機及びこの携帯電話機に組み込む部品に対して耐衝撃性が高いものが求められている。

耐衝撃性を確認するため、例えば、１．８ｍの高さから携帯電話機を姿勢を変えて数十回、鉄板上やコンクリートブロック上に落下させる落下試験が行われている。

本発明者においては、携帯電話機に組み込む半導体装置の耐衝撃性の向上を図るべく部品の見直しを行った。この結果、焼成温度が８００〜９００℃程度の低温焼成基板（低温焼成セラミック基板）を基板（モジュール基板）として使用した半導体装置においては、落下時の衝撃で、携帯電話機の実装基板に固定（搭載）した半導体装置のモジュール基板にクラックが発生し、断線不良が発生することがあることを確認した。

フィルター高周波回路を含む半導体装置では、基板にフィルター配線を焼成にて形成する。この場合、フィルター配線形成のために、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等のインピーダンスの低い材料が使用される。しかし、ＣｕやＡｇはその融点が低いため、低温焼成によって基板を製造する必要がある。

図１１は携帯電話機の実装基板８０の上面に実装した低温焼成基板を用いた半導体装置(高周波電力増幅装置)８１を示すものである。また、同図は落下試験によって発生したクラック８２を示すものである。図１２はクラック８２が入った半導体装置８１のみを示す図である。

半導体装置８１は、図１２に示すように、低温焼成基板（低温焼成セラミック基板）からなる基板（モジュール基板）８５と、このモジュール基板８５の主面側を被う封止体、例えば、金属製のキャップ８６とからなっている。クラック８２はモジュール基板８５の端部の外部電極端子８７部分に発生しやすいことが判明した。

半導体装置８１は、図１２に示すように、例えば、基板（モジュール基板）８５と、このモジュール基板８５の主面側を被う金属製のキャップ８６とからなっている。基板８５は低温焼成基板で形成されている。クラック８２はモジュール基板８５の端部の外部電極端子８７部分に発生しやすいことが判明した。なお、半導体装置８１としては、キャップの代わりに樹脂で形成した封止体で基板表面を被う構造もある。この場合でも、クラックは同様の位置に発生する。

図１３はモジュール基板８５の端部における外部電極端子８７と、実装基板８０との接続状態（実装状態）を示す拡大断面図である。モジュール基板８５の下面（実装される面側）には導体層によって外部電極端子８７が形成されている。外部電極端子８７は、例えば、矩形状に形成され、モジュール基板８５の裏面に複数配置されている。この外部電極端子８７の周囲は絶縁性の保護膜８８で被われている。保護膜８８は、例えば、アルミナコート膜である。保護膜８８に被われない外部電極端子８７の表面にはメッキ膜８９が設けられている。メッキ膜、例えば、第１メッキ膜８９ａと、この第１メッキ膜８９ａ上に形成される第２メッキ膜８９ｂが設けられている。外部電極端子８７は、銀（Ａｇ）に白金（Ｐｔ）を含むペーストを印刷し、かつ焼成することによって形成される。また、第１メッキ膜８９ａはニッケル（Ｎｉ）メッキ膜、第２メッキ膜８９ｂは金（Ａｕ）メッキ膜である。

実装基板８０の上面には前記外部電極端子８７に対応してランド９１が設けられている。対面する外部電極端子８７とランド９１は接着材９２によって電気的に接続されている。接着材９２は、例えば、ＰｂＳｎ半田が使用される。

落下時の衝撃によって、実装基板８０とこの実装基板８０に搭載された半導体装置８１との間には剪断力が作用し、外部電極端子８７とランド９１を接続する接着材９２の部分に剪断応力が作用する。この結果、図１３に示すように、外部電極端子８７の表面を被う第１メッキ膜８９ａ及び第２メッキ膜８９ｂの内側の端部分からモジュール基板８５の端に掛けてクラック８２が発生する。このクラック８２の発生により外部電極端子８７が損傷し、断線不良が発生してしまう。
本発明の目的は、耐衝撃性の高い半導体装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、耐衝撃性の高い電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、耐衝撃性の高い携帯電話機を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）半導体装置は、
第１の面（上面）に素子搭載部や導体層を有し、第１の面と反対の面である第２の面（下面）に外部電極端子を有する低温焼成セラミックからなる基板（低温焼成基板）と、
前記基板の上面に搭載される回路素子（能動素子や受動素子）と、
前記回路素子の電極と、前記基板に設けた導体層を電気的に接続する接続手段とを有し、
前記外部電極端子はその周縁部分を絶縁性の保護膜で被われ、かつ前記保護膜で被われない表面はメッキ膜で被われ、
前記外部電極端子の周縁部分の厚さは、前記周縁部分の内側部分の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする。

前記外部電極端子の周縁部分は１６〜２５μｍの厚さで、かつその厚い部分の幅は５０〜８０μｍであり、前記周縁部分の内側の薄い部分の厚さは５〜１６μｍである。また、前記外部電極端子はＡｇ−Ｐｔからなり、前記外部電極端子を被うメッキ膜は、下層のＮｉメッキ膜と、このＮｉメッキ膜上に形成されるＡｕメッキ膜とからなっている。

このような半導体装置は、実装基板に搭載される。実装基板の上面には、半導体装置の外部電極端子に対応するランドが設けられ、半導体装置の外部電極端子とランドは導電性の接着材によって電気的に接続されている。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）半導体装置の外部電極端子は、クラックが発生し易い周縁部分が厚く形成されて機械的強度が高くなっている。この結果、実装基板に半導体装置を搭載した電子装置の落下試験を行った場合、落下時の衝撃で外部電極端子部分にクラックが入り難くなり、電子装置の耐衝撃性が高くなり、実装の信頼性が高くなる。従って、携帯電話機の実装基板に本発明による耐衝撃性の高い半導体装置を組み込めば、携帯電話機等の耐衝撃性も高いものとなる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

本実施例１は、携帯電話機（電子装置）に組み込む半導体装置（混成集積回路装置）に本発明を適用した例について説明する。図１乃至図６は本発明の実施例１である半導体装置に係わる図であり、図７及び図８は図１１に示す携帯電話機の落下試験によるデータを示す表及びグラフである。

本実施例１の半導体装置（混成集積回路装置）１は、外観的には、図２に示すように、四角形状の低温焼成積層基板からなる基板（モジュール基板）２と、このモジュール基板２の上面を被う絶縁性の樹脂（レジン）からなる封止体３とからなっている。レジンとしては、例えば、シリコンレジンが使用されている。封止体３は、トランスファモールディング法によって形成され、モジュール基板２の上面全域に同じ厚さに設けられている。なお、封止体３の代わりに金属製のキャップでモジュール基板２の表面を被う構造でもよい。

また、封止体３の裏面には、図３に示すように、外部電極端子４が複数設けられている。図４は半導体装置１の裏面を示す図であり、大小の四角形部分が外部電極端子４である。外部電極端子４の縁は封止体３の裏面に設けた絶縁膜５によって被われている。そして、絶縁膜５に被われない部分が接続に寄与する実質的な外部電極端子部分となる。図４において、点線枠で囲まれた領域の外部電極端子４はグランド電極である。絶縁膜５は、例えば、アルミナコート膜である。

半導体装置１の厚さは１．６ｍｍ程度である。例えば、モジュール基板２の厚さは０．６５ｍｍ程度であり、封止体３を含めた厚さは１．６ｍｍ程度である。

モジュール基板２は低温焼成基板（低温焼成アルミナセラミック基板）であり、図３に示すように積層構造の基板である。モジュール基板２の上面，中層及び下面にそれぞれ導体層７ａ，７ｂ，７ｃが設けられている。また、モジュール基板２の各積層を貫いて導体層７ａ，７ｂ，７ｃのいずれかの層を電気的に接続する導体７ｄが設けられている。さらに、モジュール基板２の上面には所定箇所に窪み８が設けられている。これら窪み８の底にも素子搭載用の導体層７ｅが設けられている。そして、この導体層７ｅ上には図示しない接着材を介して半導体チップ９（能動部品：能動素子）が固定（搭載）されている。半導体チップ９の上面の電極とモジュール基板２の上面の所定の導体層７ａは導電性のワイヤ１０で電気的に接続されている。また、モジュール基板２の上面には一対の導体層７ａが設けられ、これら一対の導体層７ａにはチップ型電子部品１１の電極部分が半田等の接着材１２を介して電気的に接続されている。チップ型電子部品１１は、チップ抵抗，チップコンデンサ，チップインダクタ等の受動部品（受動素子）である。即ち、モジュール基板２の上面には能動素子や受動素子等の回路素子が搭載されている。

一方、モジュール基板２の下面には選択的に絶縁膜５が設けられている。この絶縁膜５は部分的に各導体層７ｃを被う。モジュール基板２の縁に沿って、電源端子，信号端子等を形成する外部電極端子が、途中途切れるが一列に配列されている。これらの外部電極端子は、図１及び図５に示すように、四角形状の１個の導体層７ｃで形成されている。四角形状の１個の導体層７ｃはその縁を絶縁膜５で被われている。

また、モジュール基板２の内側から部分的には縁にまで、これも外部電極端子となるグランド電極４ｆが複数設けられている。このグランド電極４ｆはモジュール基板２の下面に広い面積に亘って形成した導体層７ｃを絶縁膜５によって小分けに露出させてグランド電極４ｆとしたものである（図３、図４参照）。また、絶縁膜５から露出する外部電極端子４の表面にはメッキ膜１５が形成されている。

図１はモジュール基板２の端の単一構造の外部電極端子４（導体層７ｃ）部分の模式的拡大断面図である。この部分が落下試験においてクラックが入りやすい部分である。この単一構造の四角形状の外部電極端子４は、グランド電極とは異なり、前述の電源端子，信号端子等となり、クラックの発生を抑止したい外部電極端子である。

本実施例では、単一構造の外部電極端子４は、図１に示すような構造になっている。即ち、外部電極端子４（導体層７ｃ）は、特に限定はされないが、図１及び図５に示す一辺がａなる正方形になっている。なお、図１では導体層７ｃに接続される導体７ｄは省略してある。また、図５では点々を施した領域が絶縁膜５が設けられる領域である。

外部電極端子４の表面に設けられるメッキ膜１５は、下層の第１メッキ膜１５ａと、この第１メッキ膜１５ａ上に形成される第２メッキ膜１５ｂとからなっている。例えば、導体層７ｃは、ＡｇにＰｔを含むペーストを印刷し、かつ焼成して形成したものである。第１メッキ膜１５ａはＡｕであり、第２メッキ膜１５ｂはＮｉである。この構造はグランド電極４ｆも同様である。

本実施例では、外部電極端子４の厚さは周縁が厚く（厚肉部２１）、内側は薄く（薄肉部２２）なっている。即ち、厚肉部２１は、四角形状の外部電極端子４（導体層７ｃ）の縁に沿って所定の幅を有して全周に亘って設けられている。図５では、外部電極端子４部分は三重の四角形で示してあるが、最も小さい四角形が薄肉部２２と厚肉部２１との境界線部分を示し、最外周の四角形が厚肉部２１の外周縁を示し、中間の四角形が絶縁膜５の開口部分を示すものである。図１及び図５におけるｂは厚肉部２１の幅であり、ｃは厚肉部２１を被う絶縁膜５の長さである。

外部電極端子４を形成する導体層７ｃはモジュール基板２の形成時、スクリーン印刷によって形成する。この印刷の際、縁を厚く形成する。例えば、薄肉部２２の厚さは５〜１６μｍである。また、厚肉部２１の厚さは１６〜２５μｍであり、その幅は５０〜１５０μｍである。

ここで、厚肉部２１を１６〜２５μｍにする理由について説明する。図７及び図８は本発明に先立って行った落下試験結果による表とグラフである。落下試験には図１１に示すように、携帯電話機用の実装基板８０に半導体装置８１を搭載した電子装置（携帯電話機）を使用した。

この落下実験では、外部電極端子の導体の厚さ、即ち、導体層７ｃの厚さを、８μｍ，１１μｍ，１４μｍ，１６μｍ，１８μｍ，２３μｍ，２５μｍと変えて行い、その際のクラックの発生数を測定した。落下実験では、各厚さとも製品６０個を使用してクラック発生の有無を測定した。８μｍの場合は１３個の製品にクラックが発生し、１１μｍの場合は４個の製品にクラックが発生し、１４μｍの場合は１個の製品にクラックが発生し、１６μｍよりも厚い製品では全くクラックが発生しなかった。

従って、厚肉部２１の厚さの下限を１６μｍとした。上限は製造上の観点で決定した。例えば、厚すぎると材料の無駄になり、コスト高となる。印刷技術上からは厚すぎるとペーストのスクリーン通過において版抜け性が悪くなり均一な膜形成が困難で、導体間隔の維持が困難になるなど、パターン精度が悪くなる。そこで、例えば、上限を２５μｍとした。薄肉部２２は５μｍ〜１６μｍとした。これは、同一のスクリーンメッシュ条件での印刷においてパターン内側部分の肉厚をパターン周縁部分より極端に薄くすると導体とセラミックとの熱膨張係数差による焼成後の歪みが発生する可能性があるため、パターン周縁部分とパターン内側部分との間の肉厚差に限界を設けて焼成後の歪みを抑制する理由による。また、厚肉部２１がその外周縁から絶縁膜５によってｃの長さにわたって被われるとした場合、厚肉部２１の幅はｂとなる。クラックの発生を抑えるため、ｃは３０〜７０μｍ、厚肉部２１の幅であるｂは５０〜１５０μｍであり、絶縁膜５に被われる厚肉部２１の縁から厚肉部２１の内側の縁までの距離（ｂ−ｃ）は少なくとも１０〜３０μｍ程度必要であることが、実験的にも判明した。そこで、本実施例では外部電極端子４を周縁部分が厚肉部２１となる構造とした。

図６は外部電極端子４を部分的に厚くした半導体装置１の実装構造（電子装置）を示す。即ち、基板構造からなる実装基板４０の上面には、半導体装置１の外部電極端子４に対応して導体からなるランド４１が設けられている。ランド４１の表面には図示しないがメッキ膜が設けられている。半導体装置１は、外部電極端子４が接着剤４５を介してランド４１に機械的にかつ電気的に接続される。接着剤４５は、例えばＰｂＳｎからなる半田である。実装基板４０は、例えば、携帯電話機の実装基板である。

このような製品において、落下試験を行った場合、低温焼成基板へのクラックの発生は抑止できることも実験で確認済である。

ここで、本実施例の半導体装置１について説明する。本実施例１の半導体装置１は、具体的には高周波電力増幅装置やデュプレクサー等を含む混成集積回路装置１である。そこで、本実施例による半導体装置１（高周波電力増幅装置）を組み込んだ携帯電話機（無線通信機）について説明する。図９はデュアルバンド無線通信機の一部を示すブロック図である。このブロック図は、無線通信システムにおけるＧＳＭ方式用の増幅系と、ＤＣＳ方式用の増幅系を有する高周波電力増幅装置と、これら二つの通信システムが利用できるデュアルバンド方式の携帯電話機の一部を示すブロック図である。

図９のブロック図は、高周波信号処理ＩＣ（ＲＦlinear）５０からアンテナ５９までの部分を示すものである。同図に示すように、高周波信号処理ＩＣ５０からのＧＳＭ用の信号はＧＳＭ用の増幅器（ＰＡ）５１に送られ、増幅器５１の出力はカプラー５２によって検出され、この検出信号は自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作して増幅器５１を制御する。また、同様に高周波信号処理ＩＣ５０からのＤＣＳ用の信号はＤＣＳ用の増幅器（ＰＡ）５４に送られ、増幅器５４の出力はカプラー５５によって検出され、この検出信号は自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）５３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路５３は上記検出信号を基に動作して増幅器５４を制御する。

ＧＳＭ用の増幅器５１の出力は、出力端子Ｐout1からフィルター５６に送られ、ＧＳＭ用の送信受信切替スイッチ５７を通ってデュプレクサー５８に入力される。デュプレクサー５８の出力端子にはアンテナ５９が接続されている。同様にＤＣＳ用の増幅器５４の出力は、出力端子Ｐout2からフィルター６５に送られ，ＤＣＳ用の送信受信切替スイッチ６６を通ってデュプレクサー５８に入力される。

送信受信切替スイッチ５７，６６は、制御端子Cont１，Cont２から制御信号を受けて切り替わり、アンテナ５９で受信した受信信号を受信端子ＲＸ１，ＲＸ２に送り出す。これら信号はフィルター６０，６７及び低雑音アンプ（ＬＮＡ）６１，６８を通して高周波信号処理ＩＣ５０に送られる。この無線通信機によってＧＳＭ通信及びＤＣＳ通信が可能になる。

本実施例の半導体装置１は、図９に示すように、増幅器（ＰＡ）５１，５４、カプラー５２，５５、フィルター５６，６５、送信受信切替スイッチ５７，６６、デュプレクサー５８を一体とした構造になっている。

本実施例１によれば、以下の効果を有する。
（１）半導体装置１の外部電極端子４は、クラックが発生し易い外部電極端子４の周縁部分が厚く形成されて機械的強度が高くなっている。この結果、実装基板４０に半導体装置１を搭載した電子装置の落下試験を行った場合、落下時の衝撃で外部電極端子部分にクラックが入り難くなり、電子装置の耐衝撃性が高くなり、実装の信頼性が高くなる。従って、携帯電話機の実装基板４０に本発明による耐衝撃性の高い半導体装置１を組み込めば、携帯電話機等の耐衝撃性も高いものとなる。

図１０は本発明の実施例２である半導体装置１の一部の模式的拡大断面図である。本実施例２は、実施例１の半導体装置１において、単一構成の外部電極端子４全体を厚くした構造になっている。図１０は図１に対応する図面であり、落下試験においてクラックが発生し易い半導体装置１の端の部分を示すものである。実施例１で説明したように、外部電極端子４（導体層７ｃ）を１６μｍよりも厚くすると、落下試験においてクラックが発生し難くなる。そこで、本実施例２では１辺がａとなる正方形からなる外部電極端子４全体の厚さを１６〜２５μｍと厚くしてある。長さｃは絶縁膜５による外部電極端子４の端の部分の被覆長さである。ａ及びｃも実施例１と同様な寸法になる。

本実施例２においても、半導体装置１の外部電極端子４は、全体が厚く形成されていることから、クラックが発生し易い箇所でも機械的強度が高くなっている。この結果、実装基板に半導体装置１を搭載した電子装置の落下試験を行った場合、落下時の衝撃で外部電極端子部分にクラックが入り難くなり、電子装置の耐衝撃性が高くなり、実装の信頼性が高くなる。従って、携帯電話機の実装基板に本発明による耐衝撃性の高い半導体装置１を組み込めば、携帯電話機等の耐衝撃性も高いものとなる。

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明の実施例１である混成集積回路装置の一部の模式的拡大断面図である。前記混成集積回路装置の外観を示す模式的斜視図である。前記混成集積回路装置の概要を示す模式的断面図である。前記混成集積回路装置の外部電極端子の配列を示す模式的底面図である。前記外部電極端子の形状を示す模式図である。前記混成集積回路装置の実装状態を示す模式的断面図である。本発明に先立って検討した混成集積回路装置の実験結果であり、外部電極端子の導体の厚さの違いとクラックの発生数を示す表である。前記検討した混成集積回路装置において外部電極端子部分の導体の厚さの違いとクラックの発生数との相関を示すグラフである。本実施例１の混成集積回路装置を含む携帯電話機の回路構成を示す一部のブロック図である。本発明の実施例２である混成集積回路装置の一部の模式的拡大断面図である。本発明に先立って検討した実装状態の混成集積回路装置における落下試験で発生したクラックを示す模式図である。前記クラックが入った混成集積回路装置を示す斜視図である。前記クラックが入った混成集積回路装置の一部を示す模式的拡大断面図である。

符号の説明

１…半導体装置(混成集積回路装置)、２…基板（モジュール基板）、３…封止体、４…外部電極端子、４ｆ…グランド電極、５…絶縁膜、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｅ…導体層、７ｄ…導体、８…窪み、９…半導体チップ、１０…ワイヤ、１１…チップ型電子部品、１２…接着材、１５…メッキ膜、４０…実装基板、４１…ランド、４５…接着剤、５０…高周波信号処理ＩＣ、５１，５４…増幅器（ＰＡ）、５２，５５…カプラー、５３…自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）、５６，６０，６５，６７…フィルター、５７，６６…送信受信切替スイッチ、５８…デュプレクサー、５９…アンテナ、６１，６８…低雑音アンプ（ＬＮＡ）、８０…実装基板、８１…半導体装置(高周波電力増幅装置)、８２…クラック、８５…基板（モジュール基板）、８６…キャップ、８７…外部電極端子、８８…保護膜、８９…メッキ膜、９１…ランド、９２…接着材

Claims

第１の面に素子搭載部および導体層の少なくとも１つを有し、前記第１の面と反対の面である第２の面に外部電極端子を有するセラミックからなる基板と、
前記基板の前記第１の面に搭載された回路素子と、
前記回路素子の電極と、前記基板に設けた導体層とを電気的に接続する接続手段とを具備して成り、
前記外部電極端子はその周縁部分を全周に亘って絶縁性の保護膜で被って前記基板の内部に埋め、
前記外部電極端子の前記保護膜で被われた部分を含む周縁部分は、前記基板の表面に現れる前記外部電極端子の平面中央部分の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
前記外部電極端子の周縁部分は１６〜２５μｍの厚さで、かつその厚い部分の幅は５０〜８０μｍであり、
前記外部電極端子の平面中央部分の厚さは５〜１６μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記基板は低温焼成基板であり、
前記外部電極端子はＡｇ−Ｐｔを含む層であり、
前記外部電極端子の表面にはメッキ膜が形成され、
前記メッキ膜は、下層のＮｉメッキ膜と、このＮｉメッキ膜上に形成されるＡｕメッキ膜とを含んで成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記外部電極端子に対応するランドを有する実装基板とを具備して成り、
前記半導体装置の前記外部電極端子は導電性の接着材によって前記ランドに電気的に接続されてなることを特徴とする電子装置。