KR101143608B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를위한 파워모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 플라즈마디스플레이패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈은, 싱글 형태의 제1 고전압 집적회로와, 제1 고전압 집적회로의 출력을 입력받아 스위칭동작을 수행하는 제1 스위칭소자와, 제1 스위칭소자의 일 단자에 연결되는 제1 다이오드와, 제1 고전압 집적회로에 대칭되도록 배치되는 제2 고전압 집적회로와, 제2 고전압 집적회로의 출력을 입력받아 스위칭동작을 수행하는 제2 스위칭소자와, 그리고 제2 스위칭소자의 일 단자에 연결되는 제2 다이오드를 구비한다.
플라즈마 디스플레이 패널, 에너지회수, 방전유지, 파워모듈, 고전압 집적회로
Description
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지 회로를 나타내 보인 회로도이다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈을 나타내 보인 도면이다.
도 3은 도 2의 파워모듈의 방전유지 회로동작을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 4는 도 2의 파워모듈의 에너지회수 회로동작을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel)에 관한 것으로서, 특히 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 반복적인 충방전을 통해 패널의 양단에 교번적 인 교류펄스를 방전개시전압까지 인가하고, 이 임계전압으로 인해 발생되는 가스방전을 이용하여 가시광을 발생시키는 장치이다. 이때 교류펄스 전압을 방전유지(sustain) 전압이라고 하는데, 이 방전유지 전압은 방전유지 회로에 의해 생성된다. 그러나 방전유지 회로가 에너지회수 기능을 갖지 못하면 방전유지 구간의 한 주기동안 일정 크기의 에너지 소비가 발생하며, 이 에너지 소비는 스위칭 주파수에 비례하여 증가한다는 것은 잘 알려져 있는 사실이다. 따라서 방전유지 회로와 함께 에너지회수 회로도 함께 채용하여 스위칭시 발생하는 에너지 소비를 최소화하고, 이에 따라 효율이 증대되도록 하고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지 회로를 나타내 보인 회로도이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 복수개의 픽셀(pixel)에 대응하는 복수개의 등가 커패시터로 나타낼 수 있으며, 각 픽셀에 대응하는 등가 커패시터를 선택하기 위한 스캔회로(110)가 플라즈마 디스플레이 패널(100)에 연결된다. 스캔회로(110)에는 충방전 파형조절회로(120), 방전유지회로(130) 및 에너지회수회로(140)가 순차적으로 연결된다. 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 반대쪽에도 유사하게 방전유지회로(150) 및 에너지회수회로(160)가 배치되는데, 그 구조 및 동작은 플라즈마 디스플레이 패널(100) 왼쪽에 배치되는 방전유진회로(130) 및 에너지회수회로(140)와 동일하다.
앞서 언급한 바와 같이, 스캔회로(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 특정 픽셀에 대응하는 등가 커패시터를 선택하기 위한 회로이다. 충방전 파형조절 회로(120)는 등가 커패시터의 충방전시 파형의 파형을 원하는 형태로 조절하기 위한 회로이다. 방전유지회로(130, 150)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 방전상태가 유지되도록 일정 전압을 인가시키는 회로이다. 그리고 에너지회수회로(140, 160)는 양방향 스위칭소자(Q1, Q2) 및 이에 연결된 에너지회수 커패시터(141)를 이용하여 양방향 스위칭동작을 수행함으로써 플라즈마 디스플레이 패널(100)을 충방전시키는 회로이다.
통상적으로 이와 같은 에너지회수회로(140, 160) 및 방전유지회로(130, 150)는 하나의 파워모듈 내에 집적되거나, 또는 각각의 파워모듈에 개별적으로 집적된다. 하나의 파워모듈 내에 모두 집적되는 경우, 하프-브리지(half-bridge) 방식의 고전압집적회로(HVIC; High Voltage Integrated Circuit)가 2개 배치된다. 하나의 고전압집적회로는 유지방전회로(130, 150)의 스위칭소자들을 제어하고, 다른 고전압집적회로는 에너지회수회로(140, 160)의 스위칭소자들을 제어한다. 그런데 이 경우 에너지회수회로(140, 160)의 스위칭소자들 중 하나의 스위칭소자에 연결되는 부트스트랩(boot strap)용 커패시터가 함께 집적될 것을 요구한다. 그러나 이 부트스트랩용 커패시터를 이용한 스위칭소자의 스위칭제어가 용이하지 않다는 단점을 갖는다.
각각의 파워모듈에 개별적으로 집적되는 경우, 에너지회수회로가 집적되는 파워모듈내에 부트스트랩용 커패시터를 집적시키지 않고, 파워모듈 외부에 별도로 부트스트랩용 커패시터를 배치시킨다. 그러나 별개의 파워모듈을 사용할 경우 전체 면적도 증가된다는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 하나의 파워모듈을 사용하면서도 에너지회수회로와 방전유지회로 동작을 모두 수행할 수 있도록 하는 플라즈마디스플레이패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마디스플레이패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈은, 싱글 형태의 제1 고전압 집적회로; 상기 제1 고전압 집적회로의 출력을 입력받아 스위칭동작을 수행하는 제1 스위칭소자; 상기 제1 스위칭소자의 일 단자에 연결되는 제1 다이오드; 상기 제1 고전압 집적회로에 대칭되도록 배치되는 제2 고전압 집적회로; 상기 제2 고전압 집적회로의 출력을 입력받아 스위칭동작을 수행하는 제2 스위칭소자; 및 상기 제2 스위칭소자의 일 단자에 연결되는 제2 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 스위칭소자는 파워 모스전계효과트랜지스터 또는 절연게이트바이폴라트랜지스터일 수 있다.
상기 제1 다이오드의 에노드는 상기 제1 스위칭소자의 에미터에 연결되고, 상기 제2 다이오드의 캐소드는 상기 제2 스위칭소자의 컬렉터에 연결될 수 있다.
상기 제1 스위칭소자의 컬렉터 및 제1 다이오드의 캐소드는 방전유지전압 입력단자로 사용되고, 상기 제2 다이오드의 애노드 및 제2 스위칭소자의 에미터는 그라운드로 사용되며, 그리고 상기 제1 스위칭소자의 에미터 및 제2 스위칭소자의 컬렉터를 출력단자로 사용할 수 있다.
상기 제1 스위칭소자의 컬렉터 및 제2 스위칭소자의 에미터는 외부의 에너지회수 커패시터에 연결되고, 상기 제1 다이오드의 캐소드 및 제2 다이오드의 애노드를 입출력라인으로 사용할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 고전압 집적회로 및 제1 스위칭소자 사이에 배치되어 상기 제1 고전압 집적회로의 출력전류를 상승시키는 제1 버퍼와, 그리고 상기 제2 고전압 집적회로 및 제2 스위칭소자 사이에 배치되어 상기 제2 고전압 집적회로의 출력전류를 상승시키는 제2 버퍼를 더 포함할 수도 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈을 나타내 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈(200)은, 싱글 형태(single typed)의 제1 및 제2 고전압집적회로(HVIC)(211, 212)와, 제1 및 제2 스위칭소자(221, 222)와, 그리고 제1 및 제2 다이오드(231, 232)를 포함하여 구성된다. 제1 고전압집적회로(HVIC)(211), 제1 스위칭소자(221) 및 제1 다이오드(231)로 이루어지는 제1 회로(201)와, 제2 고전압집적회로(HVIC)(212), 제2 스위칭소자(222) 및 제2 다이오드(232)로 이루어지는 제2 회로(202)는 상호 대칭적으로 배치된다. 제1 및 제2 고전압집적회 로(HVIC)(211, 212)는 충분한 전류구동능력을 가진 것을 사용하지만, 전류구동능력이 충분치 않은 경우에는, 제1 고전압집적회로(211) 및 제1 스위칭소자(221) 사이와, 제2 고전압집적회로(212) 및 제2 스위칭소자(222) 사이에 각각 제1 및 제2 고전압 집적회로(211, 212)의 출력전류를 상승시키는 제1 버퍼(241) 및 제2 버퍼(242)를 구비할 수 있다.
파워모듈(200)의 입력단자로는 고압측 플로팅 공급전압(VBH), 고압측 플로팅 공급리턴전압(VSH), 공급전압단자(VCC), 고압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(HIN), 저압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(LIN), 로직 그라운드/저압측 드라이버 리턴(COM), 저압측 플로팅 공급전압(VBL) 및 저압측 플로팅 공급리턴전압(VSL)이 있다. 파워모듈(200)의 출력단자로는 고압측 컬렉터(CH), 고압측 에미터(CE), 고압측 다이오드(DH), 저압측 다이오드(DL), 저압측 컬렉터(CL) 및 저압측 에미터(EL)가 있다.
싱글 형태의 제1 고전압집적회로(HVIC)(211)는, 파워모듈(200)의 공급전압단자(VCC)에 직접 연결되는 공급전압단자(VCC)와, 파워모듈(200)의 고압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(HIN)에 직접 연결되는 고압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(HIN)과, 파워모듈(200)의 로직 그라운드/저압측 드라이버 리턴(COM)에 직접 연결되는 로직 그라운드/저압측 드라이버 리턴(COM)과, 파워모듈(200)의 고압측 플로팅 공급전압(VBH)에 직접 연결되는 고압측 플로팅 공급전압(VB)과, 그리고 파워모듈(200)의 고압측 플로팅 공급리턴전압(VSH)에 직접 연결되는 고압측 플로팅 공급리턴전압(VS)을 입력단자로 구비하며, 하나의 출력단자(OUT)을 구비한 다.
마찬가지로, 싱글 형태의 제2 고전압집적회로(HVIC)(212)도, 파워모듈(200)의 공급전압단자(VCC)에 직접 연결되는 공급전압단자(VCC)와, 파워모듈(200)의 저압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(LIN)에 직접 연결되는 저압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(LIN)과, 파워모듈(200)의 로직 그라운드/저압측 드라이버 리턴(COM)에 직접 연결되는 로직 그라운드/저압측 드라이버 리턴(COM)과, 파워모듈(200)의 저압측 플로팅 공급전압(VBL)에 직접 연결되는 저압측 플로팅 공급전압(VB)과, 그리고 파워모듈(200)의 저압측 플로팅 공급리턴전압(VSL)에 직접 연결되는 저압측 플로팅 공급리턴전압(VS)을 입력단자로 구비하며, 하나의 출력단자(OUT)을 구비한다.
제1 스위칭소자(221)는 파워 모스전계효과트랜지스터(MOSFET)나, 절연게이트바이폴라트랜지스터(IGBT)나, 또는 다른 유사한 스위칭동작을 수행할 수 있는 트랜지스터일 수 있다. 이 제1 스위칭소자(221)의 베이스는 제1 고전압집적회로(HVIC)(211)의 출력단자(OUT)에 연결되며, 컬렉터단자는 고압측 컬렉터(CH)에 연결되며, 그리고 에미터단자는 제1 고전압집적회로(HVIC)(211)의 저압측 플로팅 공급리턴전압(VS), 제1 다이오드(231)의 애노드, 및 고압측 에미터(EH)에 공통으로 연결된다. 제1 다이오드(231)의 캐소드는 고압측 다이오드(DH)에 연결된다.
마찬가지로, 제2 스위칭소자(222)도 파워 모스전계효과트랜지스터(MOSFET)나, 절연게이트바이폴라트랜지스터(IGBT)나, 또는 다른 유사한 스위칭동작을 수행할 수 있는 트랜지스터일 수 있다. 이 제2 스위칭소자(222)의 베이스는 제2 고전압 집적회로(HVIC)(212)의 출력단자(OUT)에 연결되며, 컬렉터단자는 제2 고전압집적회로(HVIC)(212)의 저압측 플로팅 공급리턴전압(VS), 제2 다이오드(232)의 캐소드, 및 저압측 컬렉터(CL)에 공통으로 연결되며, 그리고 에미터단자는 저압측 에미터(EL)에 연결된다. 제2 다이오드(232)의 애노드는 저압측 다이오드(DL)에 연결된다.
도 3은 도 2의 파워모듈의 방전유지 회로동작을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 도 3에서 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 요소를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 파워모듈(200)이 방전유지 회로동작을 수행할 수 있도록 하기 위하여, 파워모듈(200)의 출력단자들 중에서, 고압측 컬렉터(CH)와 고압측 다이오드(DH)를 단락(short)시켜서 공통으로 방전유지전압입력단자(VSUS)로 사용하고, 저압측 다이오드(DH)와 저압측 에미터(EL)를 단락시켜서 공통으로 그라운드단자(VGND)로 사용하며, 그리고 고압측 에미터(EH)와 저압측 컬렉터(CL)를 최종 출력단자(OUT)로 사용한다. 또한 파워모듈(200)의 입력단자들 중에서, 고압측 플로팅 공급전압(VBH)과 고압측 플로팅 공급리턴전압(VSH) 사이에 부트스트랩(boot-strap) 커패시터(310)를 배치시키고, 또한 고압측 플로팅 공급전압(VBH)과 공급전압단자(VCC) 사이에 다이오드(320)를 배치시킨다. 이 다이오드(320)는 애노드가 공급전압단자(VCC)에 연결되고 캐소드가 고압측 플로팅 공급전압(VBH)에 연결되도록 배치된다. 이 외에도 공급전압단자(VCC)와 저압측 플로팅 공급전압(VBL)을 단락시키고, 로직 그라운드/저압측 드라이버 리턴(COM)과 저압측 플로팅 공급리턴전압(VSL)을 단란시킨다. 그리고 고압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(HIN) 및 저압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(LIN)을 컨트롤러(330)에 연결시킨다.
이와 같은 구성에 따르면, 파워모듈(200) 내의 제1 스위칭소자(221) 및 제2 스위칭소자(222)는 각각 유지방전회로(도 1의 130)의 트랜지스터(Q3) 및 트랜지스터(Q4)의 역할을 수행한다. 제1 스위칭소자(221)는 제1 고전압 집적회로(HVIC)(211)의 출력에 의해 스위칭동작이 이루어지고, 제2 스위칭소자(222)는 제2 고전압 집적회로(HVIC)(212)의 출력에 의해 스위칭동작이 이루어진다. 즉 제1 고전압 집적회로(HVIC)(211)에 의해 제1 스위칭소자(221)가 턴 온 되면, 제1 스위칭소자(221)의 컬렉터단자와 연결된 방전유지전압입력단자(VSUS)를 통해 입력되는 방전유지전압이 제1 스위칭소자(221)를 통해 최종 출력단자(OUT)로 출력되고, 이 출력신호는 충방전 파형조절회로(120) 및 스캔회로(110)를 통해 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 특정 커패시터를 충전상태로 유지시킨다. 반대로 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 특정 커패시터가 방전되어야 할 경우에는, 먼저 제2 고전압 집적회로(HVIC)(212)에 의해 제2 스위칭소자(222)를 턴 온 시킴으로써, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 특정 커패시터가 갖고 있던 방전전압이 그라운드단자(VGND)로 빠지도록 한다.
도 4는 도 2의 파워모듈의 에너지회수 회로동작을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 도 4에서 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 요소를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 파워모듈(200)이 에너지회수 회로동작을 수행할 수 있도록 하기 위하여, 파워모듈(200)의 출력단자들 중에서, 고압측 컬렉 터(CH)와 저압측 에미터(EL)를 단락시켜서 외부의 에너지회수 커패시터(미도시)와의 연결단자(ERC)로 사용한다. 그리고 고압측 다이오드(DH) 및 저압측 다이오드(DL)를 단락시켜서 출력, 즉 인덕터(미도시)와의 연결단자(ERL)로 사용한다. 또한 파워모듈(200)의 입력단자들 중에서, 고압측 플로팅 공급전압(VBH)과 고압측 플로팅 공급리턴전압(VSH) 사이에 제1 부트스트랩(boot-strap) 커패시터(310)를 배치시키고, 또한 고압측 플로팅 공급전압(VBH)과 공급전압단자(VCC) 사이에 제1 다이오드(321)를 배치시킨다. 이 제1 다이오드(320)는 애노드가 공급전압단자(VCC)에 연결되고 캐소드가 고압측 플로팅 공급전압(VBH)에 연결되도록 배치된다. 그리고 고압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(HIN) 및 저압측 게이트드라이버 출력을 위한 로직입력(LIN)을 컨트롤러(330)에 연결시킨다. 이 외에도, 저압측 플로팅 공급전압(VBL)과 저압측 플로팅 공급리턴전압(VSL) 사이에 제2 부트스트랩 커패시터(312)를 배치시키고, 또한 저압측 플로팅 공급전압(VBL)과 고압측 플로팅 공급전압(VBH) 사이에 제2 다이오드(322)를 배치시킨다. 이 제2 다이오드(322)는 애노드가 고압측 플로팅 공급전압(VBH)에 연결되고 캐소드가 저압측 플로팅 공급전압(VBL)에 연결되도록 배치된다. 비록 본 실시예 및 도면상에는 제1 부트스트랩 커패시터(311) 및 제2 부트스트랩 커패시터(312)를 별개로 나타내었지만, 실제로 제2 부트스트랩 커패시터(312)는 제1 부트스트랩 커패시터(311)를 공통으로 사용함으로써 제거되도록 할 수 있다.
이와 같은 구성에 따르면, 파워모듈(200) 내의 제1 스위칭소자(221) 및 제2 스위칭소자(222)는 각각 에너지회수회로(도 1의 140)의 트랜지스터(Q1) 및 트랜지 스터(Q2)의 역할을 수행한다. 제1 스위칭소자(221)는 제1 고전압 집적회로(HVIC)(211)의 출력에 의해 스위칭동작이 이루어지고, 제2 스위칭소자(222)는 제2 고전압 집적회로(HVIC)(212)의 출력에 의해 스위칭동작이 이루어진다. 이때 스위칭동작은 제1 스위칭소자(221) 및 제2 스위칭소자(222)가 양방향 스위칭동작하도록 이루어진다. 제1 고전압 집적회로(HVIC)(211)에 의해 제1 스위칭소자(221)가 턴 온 되면, 제1 스위칭소자(221)의 컬렉터단자를 통해 입력되는 에너지회수전압이 제1 스위칭소자(221)를 통해 최종 출력단자(ERL)로 출력되고, 이 출력신호는 충방전 파형조절회로(120) 및 스캔회로(110)를 통해 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 특정 커패시터를 충전시킨다. 반대로 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 특정 커패시터가 방전될 경우에는, 제2 고전압 집적회로(HVIC)(212)에 의해 턴 온된 제2 스위칭소자(222)에 의해 방전전압이 다시 에너지회수 커패시터를 충전시키도록 한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈에 따르면, 싱글 고전압 집적회로(HVIC) 2개를 2개의 스위칭소자와 함께 1개의 모듈 내에 집적되며, 적절한 외부배선을 통해 방전유지회로기능과 에너지회수회로기능을 선택적으로 모두 수행할 수 있으며, 또한 고전압 집적회로(HVIC)의 사용으로 인하여, 에너지회수회로 내에 별도의 커패시터를 집적시킬 필요가 없고, 스위칭소자의 게이트 드라이빙을 안정적으로 수행할 수 있다는 이점이 제공된다. 이 외에도, 방전유지와 에너지회수회로를 1개의 모듈을 사용하여 선택적으로 동작시킬 수 있으므로, 1개의 양산 테스터만으로도 충분하 며, 더욱이 대칭회로구조이므로 인쇄회로기판(PCB) 레이아웃 구현이 용이하다는 이점도 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
Claims (6)
- 싱글 형태의 제1 고전압 집적회로;상기 제1 고전압 집적회로의 출력을 입력받아 스위칭동작을 수행하는 제1 스위칭소자;상기 제1 스위칭소자의 일 단자에 연결되는 제1 다이오드;상기 제1 고전압 집적회로에 대칭되도록 배치되는 제2 고전압 집적회로;상기 제2 고전압 집적회로의 출력을 입력받아 스위칭동작을 수행하는 제2 스위칭소자; 및상기 제2 스위칭소자의 일 단자에 연결되는 제2 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 스위칭소자는 능동 스위칭소자인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈.
- 제1항에 있어서,상기 제1 다이오드의 에노드는 상기 제1 스위칭소자의 에미터에 연결되고, 상기 제2 다이오드의 캐소드는 상기 제2 스위칭소자의 컬렉터에 연결되는 것을 특 징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈.
- 제1항에 있어서,상기 제1 스위칭소자의 컬렉터 및 제1 다이오드의 캐소드는 방전유지전압 입력단자로 사용되고, 상기 제2 다이오드의 애노드 및 제2 스위칭소자의 에미터는 그라운드로 사용되며, 그리고 상기 제1 스위칭소자의 에미터 및 제2 스위칭소자의 컬렉터를 출력단자로 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈.
- 제1항에 있어서,상기 제1 스위칭소자의 컬렉터 및 제2 스위칭소자의 에미터는 외부의 에너지회수 커패시터에 연결되고, 상기 제1 다이오드의 캐소드 및 제2 다이오드의 애노드를 입출력라인으로 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈.
- 제1항에 있어서,상기 제1 고전압 집적회로 및 제1 스위칭소자 사이에 배치되어 상기 제1 고전압 집적회로의 출력전류를 상승시키는 제1 버퍼; 및상기 제2 고전압 집적회로 및 제2 스위칭소자 사이에 배치되어 상기 제2 고 전압 집적회로의 출력전류를 상승시키는 제2 버퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지회수 및 방전유지를 위한 파워모듈.
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