KR101139020B1

KR101139020B1 - 멀티 저항막 터치스크린 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101139020B1
Application number: KR1020090092598A
Authority: KR
Inventors: 홍혁진
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2009-09-29
Filing date: 2009-09-29
Publication date: 2012-04-26
Also published as: KR20110035050A; JP5016092B2; CN102033676A; TWI419038B; JP2011076610A; TW201120727A; CN102033676B

Abstract

본 발명은 멀티 저항막 터치스크린의 제조방법에 관한 것으로, 멀티 저항막 터치스크린의 제조방법에 있어서, 투명전도성 막에 형성되는 적어도 1 이상의 활성영역셀에 금속배선패턴을 형성하되, 상기 전체 금속배선패턴 중 일부는 포토리소그라피법, 나머지는 스크린인쇄법을 적용하여 형성하는 금속배선패턴형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 멀티저항막 스크린 제조에 있어 금속배선패턴의 형성을 포토리소그라피공법과 스크린 인쇄공법을 적용하여 구현함으로써, 미세패턴의 구현 및 배선저항을 현저하게 감소시킨 금속배선패턴을 제공함으로써, 고해상도를 구비한 멀티저항막 터치스크린을 제조할 수 있는 효과가 있다.

저항막 터치스크린, 포토리소그라피, 스크린인쇄

Description

멀티 저항막 터치스크린 및 그 제조방법{Multi-Resistive type touch screen and Manufacturing method of the same}

본 발명은 멀티 저항막 터치스크린의 제조방법 및 이에 의한 터치스크린의 구조에 관한 것이다.

전자공학기술과 정보기술이 발전을 거듭함에 따라 업무환경을 포함한 일상생활에서 전자기기가 차지하는 비중은 꾸준히 증가하고 있다. 근래에 들어서는 전자기기의 종류도 매우 다양해졌는데, 특히 노트북이나 휴대폰 등의 휴대용 전자기기 분야에서는 날마다 새로운 기능이 부가된 새로운 디자인의 기기들이 쏟아져 나오고 있다. 이처럼 일상생활에 접하게 되는 전자기기의 종류가 점차 다양해지고, 각 전자기기의 기능이 고도화, 복잡화됨에 따라, 사용자가 쉽게 익힐 수 있고 직관적인 조작이 가능한 사용자 인터페이스의 필요성이 제기되고 있다. 이러한 필요를 충족시킬 수 있는 입력 장치로서 터치스크린 장치가 주목받고 있으며, 이미 여러 전자기기에 널리 적용되고 있다. 터치스크린 장치는 디스플레이 화면상의 사용자의 접촉 위치를 감지하고, 감지된 접촉 위치에 관한 정보를 입력 정보로 하여 디스플레이 화면 제어를 포함한 전자기기의 제어를 수행하기 위한 장치를 일컫는다.

도 1a는 종래의 4선 저항막 방식의 터치스크린을 도시한 것이다.

투명전도막을 갖는 상?하 기판으로 구성된 4선 저항막 방식 터치스크린은, 도 1a에 보인 것처럼 투명 전도막(50)과 전극(20)과 도트스페이서(60)가 형성된 하부기판(10) 구조물, 투명 전도막(50)과 전극(20)이 형성된 상부기판(30) 구조물, 그리고 상부기판구조물과 하부기판구조물을 일정간격으로 부착시키기 위한 양면접착테이프로 구성되며, 상?하 기판의 전극(40, 20)으로부터 외부로 신호의 입출력을 위한 배선 구조물의 구조로 되어 있다. 터치입력에 대한 위치인식은, 상부 기판(30)상에 터치 압력을 인가하면, 상?하 기판(30, 10)의 투명전도막의 기계적인 접촉을 하게 되며, 이때 각각 상대 기판의 접촉점에 형성된 X축, Y축 전위를 인식하여 전위 값에 의해 간접적으로 위치를 인식하게 된다. Y축 방향의 전위의 형성은, 도 1b의 (a)에 보인 것처럼, 소정의 저항값을 갖는 투명 전도막의 상,하단부(10)에 대칭으로 Y축 전위 발생용 전극(40)을 형성시키고, 상, 하단 전극(40)에 소정의 전압을 인가하면 투명 전도막 상(10)에 Y축 방향의 등전위선(45)이 형성된다. 터치 압력에 의해 상?하 기판의 접촉점의 Y좌표인식은, Y축 방향으로 형성된 전위 값을 상대기판의 투명 전도막(10)을 통해서 측정하여 인식하게 된다. X축 방향의 전위의 측정은, 도 1b의 (b)에 보인 것처럼, 소정의 저항값을 갖는 투명 전도막(10)의 좌, 우단부에 대칭으로 형성된 X축 전위 발생용 전극(40)의 양단에 소정의 전압을 인가하면 투명 전도막상에 X축 방향의 등 전위선(45)이 형성된다. 터치 압력에 의해 상?하 기판의 접촉점의 X좌표인식은, X축 방향으로 형성된 전위 값을 상대기판의 투명 전도막을 통해서 측정하여 인식하게 된다.

그러나 상술한 구조의 4선 저항막 터치스크린은 전극형성에 있어서 그 구조가 간단하여 스크린 인쇄방법을 적용해 전극을 형성하여 왔다. 그러나 최근의 터치스크린이 적용되는 휴대단말기 등의 디바이스의 고기능화에 따라 단순한 하나의 터치 신호만을 인식하는 방식이 아닌, 멀티 터치에 대한 요구가 증대되고 있으며, 이에 따라 저항막 터치스크린도 멀티 터치 신호를 감지하여 구동하는 멀티 터치 스크린에 대한 요구가 커지고 있다. 이러한 멀티 터치 스크린의 제조를 위해서는 전극의 증가가 필수적이며, 특히 휴대용단말기 등에 적용되는 경우에는 휴대 단말기의 특성상, 활성영역으로 구현되는 화면의 외각부인 비활성역으로서의 베젤(Bezel)의 치수는 3mm 이내로 점차 줄어드는 사양이 주를 이루고 있다.

그러나 종래의 배선 전극패턴을 형성하는 공정의 한계로 인해 배선 폭 80㎛ 이하의 양산에는 부적합한 문제가 있었다. 즉, 종래의 배선패턴을 형성하는 공정으로서 사용되는 스크린 인쇄공정은 공정상의 한계로 인해 미세한 선 폭 및 선간 거리를 가진 배선구조를 형성하기가 어려운 문제가 있다. 실제로, 종래의 실크스크린법에 의하면 선 폭 및 선간 거리가 200㎛ 이하인 경우에는 대량 생산시 치수 관리가 어려워 안정적인 수율을 확보하기 어려운 문제가 있었으며, 나아가 배선 폭 80㎛ 이하는 양산이 거의 불가능한 문제가 있었다.

이를 극복하기 위한 방안으로는 포토리소그라피 공법을 이용하여 배선을 형성하는 공정을 고려할 수 있으나, 멀티저항막 터치스크린의 경우 전극의 요구저항 이 매우 낮은 것을 특징으로 하나, 포토리소그라피 공법을 이용하여 일반적으로 사용되는 금속 박막의 전극재료를 이용해 배선패턴을 형성하는 경우, 전기 저항이 높아 배선으로는 부적합한 단점이 있다. 이러한 문제는 멀티 저항막 터치스크린의 경우, 전극패턴을 형성하는 배선의 수가 증가하며, 아울러 다수의 전극 배턴이 일정한 길이를 가지고 형성되는데, 전극배선패턴의 길이가 길어질수록 저항이 급격히 증가하는 구조적인 부분에서 기인하게 된다.

본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 멀티저항막 스크린 제조에 있어 금속배선패턴의 형성을 포토리소그라피공법과 스크린 인쇄공법을 적용하여 구현함으로써, 미세패턴의 구현 및 배선저항을 현저하게 감소시킨 금속배선패턴을 제공함으로써, 고해상도를 구비한 멀티저항막 터치스크린을 제공하는 데 있다.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 멀티 저항막 터치스크린의 제조방법에 있어서, 투명전도성 막에 형성되는 적어도 1 이상의 활성영역셀에 금속배선패턴을 형성하되, 상기 전체 금속배선패턴 중 일부는 포토리소그라피법, 나머지는 스크린인쇄법을 적용하여 형성하는 금속배선패턴형성 공정을 포함하는 멀티 저항막 터치스크린의 금속배선 형성방법을 제공한다.

또한, 본 발명에서 상술한 상기 금속배선패턴형성 공정은, 단자부위에 가까운 활성영역셀에 연결되는 m개의 제1배선패턴 그룹은 포토리소그라피법으로 형성하고, 상기 제1배선패턴그룹을 제외한 n개의 제2배선패턴 그룹은 스크린 인쇄법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 저항막 터치스크린의 금속배선형성방법을 제공할 수 있다. (단, 전체 금속배선패턴의 길이(N)=m길이+n길이, N, m, n은 자연수, m≥n이다.)

또한, 상술한 금속배선형성방법과는 다른 실시예로서, 본 발명에서의 상기 금속배선패턴형성 공정은, 투명전도성 막에 배선형성을 위한 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 금속 박막을 포토리소그라피 법을 이용하여 상기 활성영역셀에 각각 연결되는 금속배선패턴을 형성하는 단계; 단자부위에 가까운 활성영역셀에 연결되는 m개의 제1배선패턴 그룹을 제외한 나머지 n개의 제1배선패턴 그룹의 배선패턴 상에 스크린인쇄를 통해 제2배선패턴 그룹을 형성하는 단계로 구현할 수도 있다. (단, 전체 금속배선패턴의 길이(N)=m길이+n길이, N, m, n은 자연수, m≥n이다.)

어느 실시예의 공정이던 상기 포토리소그라피법은, 투명전도상막에 감광물질을 도포하고, 노광, 현상, 에칭을 통해 배선패턴을 형성하는 공정으로 구현되며, 상기 금속배선패턴을 형성하는 도전물질은 Ag, Al, Cu, Au, Ni, Pd, Sn, Co 중 선택되는 어느 하나, 또는 이들의 이원 삼원 합금으로 형성된 물질을 이용할 수 있다.

또한, 본 발명에서의 상기 투명전도성막은 ITO(indium tin oxide), IZN(indium zinc oxide), ZnO(zinc Oxide) 중 어느 하나로 구현이 가능하며, 상기 금속배선패턴의 선 폭이 10 ~ 80㎛로 형성할 수 있다.

상술한 제조공정에 의해 제조된 멀티 저항막 터치스크린의 구조는 다음과 같다.

구체적으로는, 본 발명에 따른 멀티저항막 터치스크린은 투명전도성 막 상에 포토리소그라피와 스크린인쇄를 통해 활성셀영역의 측 단을 연결하는 금속배선패턴을 구비하는 상부 및 하부판을 포함하여 형성되되, 상기 상부 및 하부판에 형성되는 상기 활성셀영역은 서로 직교하는 배치구조를 구비하며, 상기 활성셀영역의 양 측단에 연결되는 금속배선패턴은 선폭이 10 ~ 80㎛로 구현이 가능하다.

아울러, 상술한 구조의 터치스크린에 형성되는 상기 금속배선패턴은, 상기 상부 및 하부판에 형성되는 단자부위에 가까운 제1배선패턴그룹과 이를 제외한 제2배선패턴그룹을 구비하되, 상기 제2배선패턴그룹은 상기 제1배선패턴그룹의 상부에 인쇄된 구조로 형성될 수 있다.

또는, 이러한 구조와는 달리, 본 발명에 따른 터치스크린의 상기 금속배선패턴은, 상기 상부 및 하부판에 형성되는 단자부위에 가까운 제1배선패턴그룹과 이를 제외한 제2배선패턴그룹을 구비하되, 상기 제1 및 제2배선패턴그룹 간에는 연결패턴부에서 연결되는 구조로 형성될 수도 있다.

어느 경우이던, 상기 금속배선패턴의 개수는 제1배선패턴그룹의 수(m)와 제2배선패턴그룹의 수(n)보다 큰 값이며, m≥n 으로서, 제1배선패턴의 수가 제2배선패턴의 수보다 일반적으로 더 많거나 같게 된다.

이러한 구조의 본 발명에 따른 멀티저항막 터치스크린의 상기 제1배선패턴그룹의 저항은 200Ω~1KΩ이며, 상기 제2배선패턴그룹의 저항은 10~30Ω로 구현될 수 있는 장점이 있다.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명하기로 한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.

본 발명은 멀티 저항막 터치스트린(이하, '터치스크린'이라 한다.)의 금속배선을 형성함에 있어, 금속배선의 밀도가 높은 곳은 포토리소그라피 공법을 통해 금속 배선을 형성하고, 밀도가 낮은 곳은 스크린 인쇄를 통해 인쇄하는 공법을 동시에 적용하여 미세패턴의 구현 및 배선저항을 현저하게 감소시킨 금속배선패턴을 제공하는 것을 그 요지로 한다.

도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 도 2a는 터치스크린의 상판의 투명전도막의 구조를 도시한 것이고, 도 2b는 상판 투명전도막의 금속배선구조를 개념적으로 도시한 것이며, 도 2c는 하판의 투명전도막의 구조를 도시한 것이다.

멀티 저항막 터치스크린은 도시된 것처럼, 투명전도막 상에 형성되는 금속배선패턴을 구비한 상판과 하판의 접합구조를 구비하는 것이 일반적이며, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것처럼, 외부의 접촉(터치)에 의한 저항값의 변화를 일으키는 유효영역(C1, C2,...Cn)이 다수의 셀(이하, '활성셀영역'이라 한다.)을 이루고 있으며, 각각의 활성셀영역은 금속배선이 외부로 터치 신호를 감지하여 읽어들이는 금속배 선배턴과 연결되어 있다. 특히 각각의 활성셀영역에 연결되는 금속배선패턴은 단자부위(110)로 모이게 되며, 상기 단자부위(110; P)는 접속신호 값의 변화를 읽어들여 감지하는 회로부와 연결되게 된다. 그러나 도시된 것처럼, 각각의 활성셀영역은 각각 2개의 금속배선패턴을 가지고 있으며, 이러한 금속배선이 투명전도막의 외부를 따라서 배선되고 상기 단자부위(110)로 집결되는바, 상기 단자부위(110)에서 먼 쪽에 있는 부위(130)의 금속배선은 당연히 그 길이가 길어지게 되고, 나아가 단자부위에 가까운 부위(120)의 금속배선은 짧기는 하나 순차적으로 집결되는 금속배선이 모여서 금속배선의 밀도가 높아지게 된다.

이는 집약되는 금속배선(120)으로 나타나며, 일례로 n개의 활성셀영역을 고려하면, 단자부위(110)에 가장 가까운 활성셀영역(C1) 좌우 주변의 금속배선의 집결수는 2n개가 되며, 단자부위(110)에서 가장 먼 쪽의 활성셀영역(Cn)의 좌우 주변의 금속배선의 수는 2개가 되게 된다.

이러한 금속배선의 증가는 이를 제조하는 제조공법의 한계로 나타나게 되며, 특히 전극 폭이 80㎛ 이하의 경우에는 미세패턴(Fine patterning)의 구현이 극히 어렵게 된다. 또한, 필연적으로 금속배선(전극)의 길이가 길어지는 경우에는 저항이 높아져서 멀티터치스크린의 요구저항이 매우 낮은 특성에 적합하지 않게 된다.

이러한 특성은 도 2c에 도시된 멀티 저항막 터치스크린의 하판의 투명전도막에 형성된 패턴 구조에서도 동일하게 적용된다. 즉 하판의 투명전도막에도 활성셀영역(D1, D2, D3...Dl)이 상판의 활성셀영역과 직교하는 배치구도로 형성되며, 이 역시 각각의 금속배선이 집결되는 단자부위(210)에서는 금속배선패턴의 밀도가 높 아 미세패턴구현이 어려우며, 단자부위에서 멀어지는 활성셀영역에서는 전극의 저항이 높아지는 문제가 발생하게 된다.

도 2d는 도 2b에서 나타난 금속배선의 배선저항, 구체적으로는 상판과 하판의 전극과 ITO의 저항을 측정한 Data를 도시한 것이다. (각각의 금속배선을 좌우 12개씩 총 24개로 가정하였을 경우, 각각의 배선을 단자부위의 최외측에서부터 오른쪽 끝까지 집결되는 배선을 a~x까지 명명하고 이에 대한 금속배선의 배선저항을 측정한 결과이다.)

구체적으로, 즉 Pad부에서 양쪽 전극의 저항을 측정한 값으로 (배선+ITO+배선)의 저항을 나타낸 것으로, 도시된 것처럼 ITO의 저항이 높아 값이 높게 나오게 된다. 이는 결국 ITO저항을 무시할 경우도 배선저항이 200~1000Ω으로 멀티 저항막에서 요구되는 배선저항 100Ω 이하로는 구현이 어려운 문제가 있다.

이러한 문제를 본 발명에서는 도 3a에서 제시된 공정을 통해 극복할 수 있게 된다. 즉 본 발명에서는 상판 또는 하판의 투명전도막상의 금속배선패턴을 형성함에 있어, 단자부위와 가까운 쪽의 배선패턴은 포토리소그라피 법을 통해, 먼 쪽은 스크린인쇄를 통해 형성하게 된다.

1. 제1실시예

구체적으로는, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 보면, 본 발명에 따른 금속배선의 형성방법은, 우선 투명전도막에 배선형성용 금속박막층을 형성한다(S 1~S 2단계). 이후 상기 금속박막층의 상부에 감광물질(예를 들면, DFR)을 도포하고, 노광, 현상, 에칭 공정을 통해 제1배선패턴을 형성한다(S 3~S 4단계). 상기 제1배선패턴 이 형성되는 부위는 단자부위(P영역)와 단자부위와 가까운 쪽(Q영역) 부분으로 한정할 수 있다. 이후, 단자부위(P 영역)보다 먼 부위인 R영역(150)은 상기 제1배선패턴에 이어 연결되도록 스크린 인쇄를 통해 형성한다(S 5단계).

전체 배선패턴의 길이를 N라고 하면, 총 m개의 배선패턴은 제1배선패턴으로, 나머지 n개의 제2배선패턴은 스크린 인쇄로 형성한다. (N, m, n은 자연수이며, m≥n이며, N=m의 길이+n의 길이). 이 중 m, n의 개수는 제조상황 및 제품의 사양에 따라 조절이 가능함은 자명하다 할 것이다. 예를 들면, N=12 경우에는 단자부위와 가까운 1~6번의 금속배선전극은 포토리소그라피로 형성하고, 먼 쪽의 7~12번의 금속배선은 스크린 인쇄로 형성하게 된다.

스크린 인쇄법은 Ag 페이스트를 적용해 7~12 금속배선전극의 전기 저항이 10~30Ω 이하이고, 또한 배선 저항은 단자부위 가까운 곳에 있는 금속배선 저항의 지배를 받는다. 포토리소그라피 공정으로 형성된 단자부위에 가까운 영역의 금속은 그 길이가 종래의 길이에 비해 절반의 길이(제1배선패턴만 고려)로 축소되어 200Ω~1KΩ이하로 형성이 가능하다.

도 3c를 통해 살펴보면, 이 실시예에 다르면, 단자부위(P)와 가까운 영역(Q) 부분인 배선 밀집부분(140)은 포토리소그라피 공법으로 형성(제1배선패턴)하고, 이와 연결하여 단자부위와 먼 쪽의 활성셀영역(R영역)의 금속배선(제2배선패턴)(150)은 스크린 인쇄로 구현하게 된다. 이 경우 제1배선패턴과 제2배선패턴이 연결되는 부분 연결패턴부(J)로 연결될 수 있으며, 이 연결패턴부는 총 배선의 수만큼 형성될 수 있다.

2. 제2실시예

상술한 방법과는 제조방법상의 차별점을 가지는 다른 실시예를 소개하면 다음과 같다. 이 공정에서는 우선 제1배선패턴을 형성함에 있어서, 투명전도막의 전체영역에 배선형성을 위한 금속 박막을 형성하고, 이후 노광, 현상, 에칭 공정을 통해 전체영역의 금속배선을 우선 형성한다. 이후, 상술한 제2배선패턴이 형성되는 영역의 제1배선패턴의 상부에 제2배선패턴을 스크린인쇄로 인쇄형성하게 된다. 즉 제1배선패턴의 상부 면에 금속물질을 스크린인쇄로 덮어 제2배선패턴을 형성하게 된다. 이 경우 제2배선패턴이 형성되는 부위는 제1배선패턴의 하부에 더 있는 2중 구조를 가지게 된다. 이 경우 전체 금속배선패턴의 개수를 N이라고 하면, 제1배선패턴의 개수는 m, 제1배선패턴 상면에 스크린인쇄로 덮여서 형성되는 제2배선패턴의 개수는 n이며, 각각의 개수는 동일하나, 전체배선의 길이(N)는 노출되는 제1배선패턴의 길이와 제2배선패턴의 길이를 합한 값과 동일하다. 이 경우에도 제2배선패턴이 형성되는 부분과 제1배선패턴만의 형성부의 경계점을 연결패턴부(J)라고 정의하고, 이 경우 제2배선패턴이 인쇄되는 구조에서는 제1배선패턴과 제2배선패턴의 적층구조로 형성하게 된다.

어느 경우이던, 본 발명에서의 금속배선패턴은 금속배선패턴을 형성하는 도전물질은 Ag, Al, Cu, Au, Ni, Pd, Sn, Co 중 선택되는 어느 하나, 또는 이들의 이원 삼원 합금으로 형성된 물질을 이용할 수 있다. 또한, 본 발명에서의 상기 투명전도성막은 ITO(indium tin oxide), IZN(indium zinc oxide), ZnO(zinc Oxide) 중 어느 하나로 구현이 가능하며, 상기 금속배선패턴의 선폭이 10 ~ 80㎛로 형성할 수 있다.

즉 본 발명에 따르면, 멀티 저항막 터치스크린의 제조에 있어서, 전극, 즉 금속배선을 형성하되, 포토리소그라피와 스크린인쇄를 동시에 적용하여, 제조효율을 향상시킬 수 있게 되며, 미세패턴의 금속배선을 형성할 수 있게 되며, 저항에 의한 신뢰성 하락을 방지할 수 있게 된다. 아울러 상술한 제조방법에 의해 제조되는 투명전도막상의 금속배선패턴을 구비한 상판과 하판을 접합하여 멀티 저항막 터치스크린을 제조할 수 있게 된다. 즉, 투명전도성 막상에 본 발명에 따른 포토리소그라피와 스크린인쇄를 통해 활성셀영역의 측단을 연결하는 금속배선패턴을 구비하는 상부 및 하부판이 형성되며, 이 경우 상기 상부 및 하부판에 형성되는 상기 활성셀영역은 서로 직교하는 배치구조를 구비하도록 하며, 상기 활성셀영역의 양측단에 연결되는 금속배선패턴은 선폭이 10 ~ 80㎛의 미세 패턴을 구비하는 구조를 제조할 수 있게 된다.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

도 1a 및 도 1b는 종래의 저항막 방식의 터치스크린의 구조를 도시한 개념도이다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 멀티저항막 터치스크린의 구조 및 제조방식의 문제를 설명하기 위한 요부 개념도이다.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 멀티 저항막 터치스크린의 제조공정도 및 이에 따른 요부 개념도이다.

Claims

멀티 저항막 터치스크린의 제조방법에 있어서, ITO(indium tin oxide), IZN(indium zinc oxide), ZnO(zinc Oxide) 중 어느 하나의 투명전도성 막에 형성되는 적어도 1 이상의 활성영역셀에 금속배선패턴을 형성하되,

상기 터치스크린의 단자부위(P)에 가장 가까이 인접하는 활성영역셀(C1)로부터 순차로 배치되어 k번째에 배치되는 활성영역셀(Ck)의 배치위치 사이에 포함되는 m개의 제1배선패턴그룹의 금속배선패턴은 포토리소그라피 법으로 인쇄하고,

상기 k번째에 배치되는 활성영역셀(Ck)의 다음 번부터 순차로 배치되는 다수 개(Cy)의 활성영역셀의 배치위치 사이에 포함되는 n개의 제2배선패턴그룹의 금속배선패턴은 스크린인쇄법을 적용하여 형성하는 멀티 저항막 터치스크린의 금속배선 형성방법.

(전체활성영역셀의 개수를 k개라고하면, k=x+y, k,x, y, m,n은 자연수이다.)
멀티 저항막 터치스크린의 제조방법에 있어서,

ITO(indium tin oxide), IZN(indium zinc oxide), ZnO(zinc Oxide) 중 어느 하나의 투명전도성 막에 형성되는 적어도 1 이상의 활성영역셀에 금속배선패턴을 형성하되,

상기 투명전도성막에 전체적인 금속배선패턴을 형성한 후,

상기 터치스크린의 단자부위(P)에 가장 가까이 인접하는 활성영역셀(C1)로부터 순차로 배치되는 k번째에 배치되는 활성영역셀(Ck)의 배치위치 사이에 포함되는 m개의 금속배선패턴을 제외한,

상기 k번째에 배치되는 활성영역셀(Ck)의 다음 번부터 순차로 배치되는 다수 개(Cy)의 활성영역셀의 배치위치 사이에 포함되는 n개의 금속배선패턴 상에 재차 스크린인쇄를 이용하여 금속배선패턴을 인쇄하여 형성하는 멀티 저항막 터치스크린의 금속 배선 형성방법.

(단, 전체 금속배선패턴의 길이(N)=m길이+n길이, N, m, n은 자연수이다.)
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

상기 금속배선패턴을 형성하는 도전물질은 Ag, Al, Cu, Au, Ni, Pd, Sn, Co 중 선택되는 어느 하나, 또는 이들의 이원 삼원 합금으로 형성된 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 멀티 저항막 터치스크린의 금속 배선 형성방법.
청구항 3에 있어서,

상기 금속배선패턴의 선폭이 10 ~ 80㎛로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 저항막 터치스크린의 금속배선 형성방법.
투명전도성막 상에 포토리소그라피와 스크린인쇄를 통해 활성셀영역의 측단을 연결하는 금속배선패턴을 구비하는 상부 및 하부판을 포함하여 형성되되,

상기 상부 및 하부판에 형성되는 상기 활성셀영역은 서로 직교하는 배치구조를 구비하며,

상기 활성셀영역의 양측단에 연결되는 금속배선패턴은 선폭이 10 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 멀티 저항막 터치스크린.
청구항 5에 있어서,

상기 금속배선패턴은,

상기 터치스크린의 단자부위(P)에 가장 가까이 인접하는 활성영역셀(C1)로부터 순차로 배치되는 다수의 활성영역셀 중 k번째에 배치되는 활성영역셀(Ck)의 배치위치 사이에 포함되는 m개의 제1배선패턴그룹과,

상기 k번째에 배치되는 활성영역셀(Ck)의 다음 번부터 순차로 배치되는 다수 개(Cy)의 활성영역셀의 배치위치 사이에 포함되는 n개의 제2배선패턴그룹을 포함하되,

상기 제2배선패턴그룹은 2개의 층으로 적층 인쇄된 구조로 형성되는 멀티 저항막 터치스크린.
청구항 6에 있어서,

상기 금속배선패턴은,

상기 제1 및 제2배선패턴그룹 간에는 연결패턴부를 구비하는 구조로 형성되는 멀티 저항막 터치스크린.
청구항 7에 있어서,

상기 연결패턴부의 갯수는 전체 배선패턴의 수와 일치하는 것을 특징으로 하는 멀티 저항막 터치 스크린.
청구항 8에 있어서,

상기 제1배선패턴그룹의 저항은 200Ω~1KΩ이며, 상기 제2배선패턴그룹의 저항은 10~30Ω 인 것을 특징으로 하는 멀티저항막 터치스크린.