KR101137908B1 - 질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법 - Google Patents

질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101137908B1
KR101137908B1 KR1020070112266A KR20070112266A KR101137908B1 KR 101137908 B1 KR101137908 B1 KR 101137908B1 KR 1020070112266 A KR1020070112266 A KR 1020070112266A KR 20070112266 A KR20070112266 A KR 20070112266A KR 101137908 B1 KR101137908 B1 KR 101137908B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gallium nitride
type dopant
activation rate
nitride wafer
wafer
Prior art date
Application number
KR1020070112266A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090046248A (ko
Inventor
유영조
신현민
장학진
Original Assignee
삼성코닝정밀소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성코닝정밀소재 주식회사 filed Critical 삼성코닝정밀소재 주식회사
Priority to KR1020070112266A priority Critical patent/KR101137908B1/ko
Publication of KR20090046248A publication Critical patent/KR20090046248A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101137908B1 publication Critical patent/KR101137908B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

질화갈륨 웨이퍼에 주입된 n 타입 도판트의 활성화율을 조절하여 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도를 제어한다. 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼에 도핑된 n 타입 도판트를 상쇄시킬 수 있는 격자 내의 점결함을 안정화시켜 n 타입 도판트의 활성화율을 감소시키고 전하 농도를 낮춘다. 활성화율 조절 물질은 선택된 n 타입 도판트와 다른 이종 물질을 사용할 수 있다. 본 발명에 따르면, 질화갈륨 웨이퍼 내의 전하 농도를 효과적으로 제어할 수 있어, 질화갈륨의 전기적 특성 제어가 용이하며 질화갈륨을 사용하는 각종 소자의 응용 범위를 확대시킬 수 있다.
질화갈륨, 도판트, 전하 농도, 활성화율

Description

질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법{GALLIUM NITRIDE WAFER AND CONTROL FOR CHARGE CONCENTRATION OF GALLIUM NITRIDE}
본 발명은 질화갈륨 웨이퍼에 관한 것으로, 구체적으로는 n 타입 도판트의 활성화율을 조절하여 질화갈륨 내 전하 농도를 효과적으로 제어하는 방법을 제안한다.
질화갈륨은 에너지 밴드갭(Bandgap Energy)이 3.39eV고, 직접 천이형인 반도체 물질로 단파장 영역의 발광 소자 제작 등에 유용한 물질이다. 질화갈륨 단결정은 융점에서 높은 질소 증기압 때문에 액상 결정 성장은 1500℃ 이상의 고온과 20000 기압의 질소 분위기가 필요하므로 대량 생산이 어려울 뿐만 아니라 현재 사용 가능한 결정 크기도 약 100㎟ 정도의 박판형으로 이를 소자 제작에 사용하기 곤란하다.
지금까지 질화갈륨막은 이종 기판상에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법 등의 기상 성장법으로 성장되고 있다. MOCVD법은 고품질의 막을 얻을 수 있음에도 불구하고 성장 속도가 너무 느리기 때문에 수십 또는 수백 ㎛의 GaN 기판을 얻는데 사용하기가 어려운 문 제가 있다. 이러한 이유로 GaN 후막을 얻기 위해서는 HVPE를 이용한 성장 방법이 주로 사용된다.
질화갈륨막 제조용 이종 기판으로는 사파이어(Sapphire) 기판이 가장 많이 사용되고 있는데, 이는 사파이어가 질화갈륨과 같은 육방정계 구조이며, 값이 싸고, 고온에서 안정하기 때문이다. 그러나 사파이어는 질화갈륨과 격자 상수 차(약 16%) 및 열팽창 계수 차(약 35%)에 의해 계면에서 스트레인(Strain)이 유발되고, 이 스트레인이 결정 내에 격자 결함 및 크랙(crack)을 발생시켜 고품질의 질화갈륨막 성장을 어렵게 하고, 질화갈륨막 상에 제조된 소자의 수명을 단축시킨다.
한편, 질화갈륨 기판 또는 웨이퍼를 실제 발광 소자 또는 전자 소자 등으로 응용하기 위해서는 전기적 특성을 부여하는 도핑 과정이 수반된다. 질화갈륨 웨이퍼에 주입되는 n 타입 또는 p 타입 도판트는 전기적으로 중성인 질화갈륨에 전도성을 부여하여 다양한 광학적, 전자적 동작을 가능하게 한다.
전하 농도는 질화갈륨의 전기적 특성을 결정하는 중요 인자로서, 그 농도에 따라서 전기전도성이 절연성으로부터 도전성으로 변하게 되므로 그 특성 변화에 따라 질화갈륨의 응용 분야도 다양해진다.
질화갈륨 웨이퍼 내의 n 타입 전하 농도 조절은 다음과 같은 두 가지 방법이 있다.
i) 실제 투여되는 도판트의 양을 조절하는 방법
ii) n 타입 도판트와 동시에 p 타입 도판트를 투여하여 n 타입 도판트로부터 전자와 p 타입 도판트로부터 정공이 서로 상쇄되도록 함으로써 전하 농도를 조절하 는 방법
전자의 경우, 전하 농도 제어 방법으로 널리 행해지고 있으나, 도판트 양이 증가함에 따라 전하 이동도가 비례하여 감소되는 단점이 있다. 반면, 후자의 경우, 급격한 전하 농도의 감소 뿐만 아니라, n 타입 도판트와 p 타입 도판트 투여 공정을 동시에 만족하는 조건에서 행해져야하는 이중 공정이 필요하다.
한편, 질화갈륨 벌크 성장시 웨이퍼 내에서 도판트가 어느 정도 활성화되어 전하로 작용하고 이 활성화율을 효율적으로 조절할 수 있는가가 질화갈륨의 전기적 특성을 결정하는데 매우 중요하다.
그러나, 전하 활성화율을 조절하여 전하 농도를 제어하는 효과적인 방안이 제시되지 않고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 도판트의 활성화율이 조절된 질화갈륨 웨이퍼를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 성장 공정 중에 또는 성장 후 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도를 효과적으로 제어할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 질화갈륨 웨이퍼에 주입된 n 타입 도판트의 도핑 농도가 1016/cm3 ~ 1019/cm3 의 범위이고, 상기 질화갈륨 웨이퍼에 주 입되며, 상기 n 타입 도판트의 활성화율을 조절하는 물질의 양이 n 타입 도판트 농도의 0.1% ~ 50%의 범위인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼를 제공한다.
상기 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼에 도핑된 n 타입 도판트를 상쇄시킬 수 있는 격자 내의 점결함(Point defect)을 안정화시켜 n 타입 도판트의 활성화율을 감소시킨다.
상기 n 타입 도판트로는 Si, Ge, C, S, Se, Te, 산소 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 사용할 수 있으며, 상기 활성화율 조절 물질은 선택된 n 타입 도판트와 다른 이종 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼에 전체적으로 또는 임플란테이션(implantation) 방법을 통하여 국부적으로 주입될 수 있다.
본 발명은 또한, 질화갈륨 웨이퍼에 n 타입 도판트를 주입하고, 상기 n 타입 도판트의 활성화율 조절 물질을 주입하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법을 제공한다.
활성화율 조절 물질로는 이종의 n 타입 도판트인 것이 바람직하며, 활성화율 조절 물질의 주입 농도는 n 타입 도판트 농도의 0.1% ~ 50%의 범위인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 활성화율 조절 물질이 질화갈륨 웨이퍼의 점결함을 안정화시켜 n 타입 도판트의 활성화율을 감소시킴으로써 질화갈륨 웨이퍼 내의 전하 농도를 감소시킬 수 있다. 이와 같이, 질화갈륨 웨이퍼 성장 중에 또는 성장 후에 간 단한 공정으로 질화갈륨 웨이퍼 내의 전하 농도를 효과적으로 제어할 수 있어, 질화갈륨의 전기적 특성 제어가 용이하며 질화갈륨을 사용하는 각종 소자의 응용 범위를 확대시킬 수 있다.
전하 농도를 제어하기 위해 질화갈륨에 도판트를 주입하는 경우 가장 중요한 것은 도판트가 어느 정도로 전자를 내어서 실제 전기 전도에 기여하느냐이다. 즉, 도판트의 활성화율(activation ratio)이 그것이다.
이와 같은 활성화율을 제어함으로써 효과적으로 전화 농도를 조절할 수 있고, 나아가 전도성, 반전도성, 절연성 등의 전기적 특성을 효과적으로 튜닝할 수 있어 소자로 제작시 더 많은 응용 분야로 확대될 수 있다. 또한, 전하 이동도의 큰 변화없이 효과적으로 전하 농도를 조절할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에서는 질화갈륨 웨이퍼에 주입되는 n 타입 도판트의 활성화율을 조절하는 방법과 활성화율 조절을 통한 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법을 제안한다.
도 1의 공정도를 참조하면, 성장된 또는 (베이스 기판에서) 성장 중인 질화갈륨 웨이퍼를 준비한다(단계 S1).
다음으로, 도 2에 도시한 바와 같이 n 타입 도판트(300)를 질화갈륨 웨이퍼(200)에 주입한다(단계 S2). 다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이 활성화율 조절 물질(400)을 질화갈륨 웨이퍼(200)에 주입한다(단계 S3).
도 2에 도시한 실시예에서 처럼, n 타입 도판트는 질화갈륨 웨이퍼 성장 중 에 주입할 수도 있지만, 이와 달리 성장이 완료된 후 베이스 기판(100)으로부터 분리하기 이전 또는 분리된 후에 주입할 수도 있다.
또한, 주입된 도판트의 활성화율을 조절하기 위하여 추가로 주입되는 물질은 도 3에 도시한 바와 같이 n 타입 도판트 주입 후에 순차적으로 주입될 수도 있지만, 질화갈륨 성장 중에 또는 성장이 끝난 후 n 타입 도판트와 동시에 주입될 수도 있다.
활성화율 조절 물질로는 이미 주입된 n 타입 도판트와 다른 이종의 n 타입 도판트를 사용할 수 있다. 서로 다른 두 가지 이상의 n 타입 도판트를 순차적으로 또는 동시에 주입할 경우, GaN 웨이퍼 내에서 전하 농도가 증가할 것으로 예상할 수 있지만, 실제 결과는 그와 반대로 전하 농도가 감소하였다.
즉, 후속적으로 또는 동시에 주입된 활성화율 조절 물질은 최초 주입된 n 타입 도판트의 활성화율을 떨어뜨려 GaN 웨이퍼 내의 전하 농도를 감소시키는 결과를 가져왔다.
이러한 전하 농도 조절이 가능하게 된 것은 다음과 같은 메카니즘으로 이해될 수 있다.
도 4의 모식도를 참조하면, Ga은 전기적으로 +3가이고 도핑되는 n 타입 도판트로서 예를 들어 Si의 경우 +4가이다. Si가 도핑될 때 GaN 웨이퍼는 전기적으로 중성을 이루기 위하여 내부 결정 구조에 있어서 Ga 격자(100a)에 (-) 전하를 갖는 점결함(즉, Ga vacancy)(100b)이 형성된다. 이러한 점결함은 n 타입 도판트를 상쇄시키는 억셉터로서 작용한다.
n 타입 도판트의 양이 증가할수록 점결함의 생성도 증가한다. 하지만, 실제로는 이러한 점결함은 약 800℃ 이상의 고온에서는 불안정하게 되어 상당 부분 소멸한다. 특히 GaN의 성장 온도가 약 800℃ 이상의 고온이기 때문에 점결함 (Ga vacancy)이 상당부분 소멸한다.
n 타입 도판트 주입과 동시에 혹은 순차적으로 활성화율 조절 물질을 GaN 웨이퍼에 주입하게 되면 이 조절 물질이 억셉터로 작용하는 점결함을 안정화시켜줌으로써 n 타입 도판트의 활성화율을 제어하게 된다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 주입된 도판트의 양을 조절하여 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도를 제어하는 것이 아니라, 별도의 물질을 추가로 주입하여 기주입된 도판트의 활성화율을 제어함으로써 질화갈륨의 전하 농도를 보다 효과적으로 또한 매우 정밀하게 조절할 수 있다.
이와 같은 새로운 방식의 질화갈륨 전하 농도 조절을 통하여 질화갈륨을 사용하는 각종 발광 소자, 검출 소자, 스위칭 소자 등의 전기적 특성을 다양하게 변화시킬 수 있으며, 질화갈륨의 응용 범위를 확대시킬 수 있다.
실시예
베이스 기판에서 성장시킨 질화갈륨 웨이퍼에 n 타입 도판트로서 Si를 주입하고, 순차적으로 활성화율 조절 물질로서 산소를 주입하였다. 질화갈륨 웨이퍼 내에 Si와 산소 농도를 SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)로 측정하여 도 5에 도시하였다.
또한, 질화갈륨 웨이퍼에 n 타입 도판트의 주입 후 활성화율 조절 물질의 양을 조절하며 주입하여 n 타입 도판트의 활성화율의 변화 및 그에 따른 질화갈륨 웨이퍼 내의 전하 농도의 변화를 측정하였다.
도 6을 참조하면, n 타입 도판트로서 Si를 주입하고 활성화율 조절 물질로서 산소를 Si 양에 대하여 0.5% ~ 1%의 범위로 주입함으로써 Si의 활성화율이 약 52%에서 32%로 비례적으로 감소하는 것을 볼 수 있다. 활성화율의 감소에 따라 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도는 6×1018/cm3 에서 2×1018/cm3 로 크게 감소하였다.
이러한 결과를 통하여, n 타입 도판트 주입 후 활성화율 조절 물질의 양을 조절하여 주입함으로써 GaN 웨이퍼의 전하 농도를 효과적으로 제어함을 확인할 수 있다.
n 타입 도판트에 대한 활성화율 조절 물질은 최대 50%까지 가능하며 이에 따라 n 타입 도판트의 활성화율 및 GaN 웨이퍼의 전하 농도 감소가 가능하였다.
n 타입 도판트로는 Si, Ge, C, S, Se, Te, 산소 등을 하나 또는 이종 이상으로 사용할 수 있으며, 활성화율 조절 물질은 이종의 n 타입 도판트를 사용할 수 있다. 따라서, 예를 들어 n 타입 도판트로서 Si, Ge, C, S, Se, Te 중의 어느 하나 이상을 사용하는 경우 활성화율 조절 물질로서 산소를 사용할 수 있고, n 타입 도판트로서 산소를 사용하는 경우에는 활성화율 조절 물질로서 Si, Ge, C, S, Se, Te 중의 어느 하나 이상을 사용할 수 있을 것이다.
한편, n 타입 도판트의 활성화율을 조절하기 위한 물질은 질화갈륨 웨이퍼에 전면적으로 주입될 수도 있지만, 질화갈륨 웨이퍼에 국부적으로 주입함으로써 전하 농도를 위치에 따라 제어할 수도 있다.
이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 전하 농도 제어 공정을 보인 순서도.
도 2는 n 타입 도판트를 주입하는 단계를 보인 단면도.
도 3은 활성화율 조절 물질을 주입하는 단계를 보인 단면도.
도 4는 질화갈륨 결정 구조에서 격자 내의 점결함을 보인 모식도.
도 5는 질화갈륨 웨이퍼 내에 주입된 n 타입 도판트와 활성화율 조절 물질의 농도를 보인 그래프.
도 6은 활성화율 조절 물질의 양에 따라 질화갈륨 웨이퍼 내에 주입된 n 타입 도판트의 활성화율 변화를 보인 그래프.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
100:베이스 기판 200:질화갈륨 웨이퍼
300:n 타입 도판트 400:활성화율 조절 물질

Claims (16)

  1. 질화갈륨 웨이퍼에 주입된 n 타입 도판트의 도핑 농도가 1016/cm3 ~ 1019/cm3 의 범위이고,
    상기 질화갈륨 웨이퍼에 주입되며, 상기 주입된 n 타입 도판트의 활성화율을 조절하는 물질의 양이 n 타입 도판트 농도의 0.1% ~ 50%의 범위인 것을 특징으로 하는
    질화갈륨 웨이퍼.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼의 점결함을 안정화시켜 n 타입 도판트의 활성화율을 감소시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼.
  3. 제1항에 있어서, 상기 n 타입 도판트는 Si, Ge, C, S, Se, Te 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼.
  4. 제3항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 산소인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼.
  5. 제1항에 있어서, 상기 n 타입 도판트는 산소인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼.
  6. 제5항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 Si, Ge, C, S, Se, Te 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼.
  7. 제1항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼에 국부적으로 주입되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼.
  8. 질화갈륨 웨이퍼에 n 타입 도판트를 주입하고,
    상기 주입된 n 타입 도판트의 활성화율 조절 물질을 주입하는 것을 특징으로 하는
    질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 이종의 n 타입 도판트인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 n 타입 도판트 농도의 0.1% ~ 50%의 범위로 주입되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 n 타입 도판트는 Si, Ge, C, S, Se, Te 중에서 선택되 는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 산소인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 n 타입 도판트는 산소인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 Si, Ge, C, S, Se, Te 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼에 국부적으로 주입하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 활성화율 조절 물질은 질화갈륨 웨이퍼의 점결함을 안정화시켜 n 타입 도판트의 활성화율을 감소시킴으로써 질화갈륨 웨이퍼 내의 전하 농도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 웨이퍼의 전하 농도 제어 방법.
KR1020070112266A 2007-11-05 2007-11-05 질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법 KR101137908B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070112266A KR101137908B1 (ko) 2007-11-05 2007-11-05 질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070112266A KR101137908B1 (ko) 2007-11-05 2007-11-05 질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090046248A KR20090046248A (ko) 2009-05-11
KR101137908B1 true KR101137908B1 (ko) 2012-05-03

Family

ID=40856151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070112266A KR101137908B1 (ko) 2007-11-05 2007-11-05 질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101137908B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100210330B1 (ko) * 1996-12-30 1999-07-15 윤종용 바이폴라 소자 및 이의 제조 방법
KR100720366B1 (ko) * 1999-07-16 2007-05-21 섬코 오리건 코포레이션 에피텍셜 웨이퍼 기판에 사용되는 증가형 ｎ-타입 실리콘물질 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100210330B1 (ko) * 1996-12-30 1999-07-15 윤종용 바이폴라 소자 및 이의 제조 방법
KR100720366B1 (ko) * 1999-07-16 2007-05-21 섬코 오리건 코포레이션 에피텍셜 웨이퍼 기판에 사용되는 증가형 ｎ-타입 실리콘물질 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090046248A (ko) 2009-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3650727B2 (ja) 炭化珪素製造方法
KR102519899B1 (ko) 반도체 소자용 에피택셜 기판, 반도체 소자, 및 반도체 소자용 에피택셜 기판의 제조 방법
US20070262295A1 (en) A method for manipulation of oxygen within semiconductor materials
CN102369594A (zh) 半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体基板的判定方法以及电子器件
KR20140024303A (ko) 금속-비금속 화합물의 계면활성제 결정 성장을 위한 방법
KR102132760B1 (ko) 13족 질화물 복합 기판, 반도체 소자, 및 13족 질화물 복합 기판의 제조 방법
Nikolaev et al. Gallium oxide
KR101071623B1 (ko) 기상 성장 방법
WO2004025712A2 (en) Method for p-type doping wide band gap oxide semiconductors
RU2297690C1 (ru) Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии
CN110610849B (zh) 一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用
KR101137908B1 (ko) 질화갈륨 웨이퍼 및 질화갈륨의 전하 농도 제어 방법
KR20080046097A (ko) 화합물 반도체 기판 및 그 전기적 특성 제어 방법
JP2004343133A (ja) 炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
KR100693129B1 (ko) ｐｎ 접합 ＧａＮ 나노막대 ＬＥＤ 제조방법
KR101153862B1 (ko) 전자 소자용 ＧａＮ 웨이퍼 및 그 제조 방법
JP2022118459A (ja) Ｌｉドープｐ型ＮｉＯ薄膜の製造方法
KR101384071B1 (ko) 질화물 반도체 기판, 이의 제조방법 및 질화물 반도체 기판을 구비하는 발광 다이오드
KR101082773B1 (ko) 화합물 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101381056B1 (ko) Ⅲ-질화계 에피층이 성장된 반도체 기판 및 그 방법
Schurman et al. Reproducibility of GaN and InGaN films grown in a multi-wafer rotating-disc reactor
US6406931B1 (en) Structural tuning of residual conductivity in highly mismatched III-V layers
JP2645418B2 (ja) ＧａＡｓ化合物半導体単結晶
KR101168655B1 (ko) Ｎ 타입 질화갈륨 웨이퍼의 광학 특성 향상 방법
JP2004103930A (ja) ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee