KR101134162B1

KR101134162B1 - Sputtering Apparatus

Info

Publication number: KR101134162B1
Application number: KR1020040043717A
Authority: KR
Inventors: 김종윤
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2004-06-14
Filing date: 2004-06-14
Publication date: 2012-04-09
Also published as: KR20050118563A

Abstract

본 발명은 박막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 스퍼터링장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering apparatus capable of improving the uniformity of the thin film thickness.

본 발명은 플라즈마 가스에 스퍼터링 되는 타겟이 증착되는 기판과 상기 타겟쪽으로 자기장을 인가하는 자기장발생부를 포함하는 스퍼터링장치에 있어서, 상기 자기장발생부는 상기 타켓전역에 자기장을 인가하는 적어도 하나의 자석과; 상기 적어도 하나의 자석이 공통으로 연결되는 자석고정부와; 상기 자석과 상기 자석고정부 사이에 위치하여 상기 타겟쪽으로 인가되는 자기장을 보강하는 보조자석을 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention provides a sputtering apparatus comprising a substrate on which a target sputtered onto plasma gas is deposited and a magnetic field generator for applying a magnetic field toward the target, wherein the magnetic field generator comprises at least one magnet for applying a magnetic field to the entire target area; A magnet fixing part to which the at least one magnet is connected in common; And an auxiliary magnet positioned between the magnet and the magnet fixing part to reinforce the magnetic field applied to the target.

Description

Sputtering Apparatus

도 1은 종래 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional sputtering apparatus.

도 2는 종래의 클러스터 스퍼터 방식에 따른 타겟부를 나타내는 도면이다. 2 is a view showing a target unit according to a conventional cluster sputtering method.

도 3a 및 도 3b는 종래의 션트를 구비하는 타겟부를 나타내는 정면도 및 우측면도를 나타내는 도면이다. 3A and 3B are diagrams showing a front view and a right side view showing a target portion having a conventional shunt.

도 4는 종래에 박막의 증착불균일에 따른 션트의 부착을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining the adhesion of the shunt according to the deposition unevenness of the conventional film.

도 5는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 5 is a view schematically showing a sputtering apparatus according to the present invention.

도 6a 내지 6c는 도 6에 도시된 자기장 발생부의 형성과정을 설명하기 위한 도면이다.6A through 6C are diagrams for describing a process of forming the magnetic field generator illustrated in FIG. 6.

도 7은 박막의 증착불균일에 따른 보조자석의 부착을 설명하기 위한 도면이다. 7 is a view for explaining the adhesion of the auxiliary magnet according to the deposition unevenness of the thin film.

도 8은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 이용하여 형성된 유기전계발광표시소자를 개략적으로 나타내는 도면이다.
8 is a schematic view of an organic light emitting display device formed using a sputtering apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 > <Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

18,118 : 자석 14, 144 : 후면판 18,118: magnet 14,144: backplane

8,138 : 기판 10,110 : 서셉터 8,138: substrate 10,110: susceptor

12,112 : 타겟 125 : 보조자석 12,112: target 125: auxiliary magnet

127 : 자석손잡이 129 : 코팅막
127: magnet handle 129: coating film

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 자기장을 이용하여 증착물의 균일성을 향상시킬 수 있는 스퍼터링 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to sputtering apparatuses, and more particularly to sputtering apparatuses capable of improving the uniformity of deposits using magnetic fields.

통상 스퍼터링(Sputtering) 장치는 플라즈마에 의해 이온을 가속시켜 이온을 타겟에 충돌하게 하여 기판에 타겟물질을 성막하는 장치이다. 이 스퍼터링장치를 이용한 스퍼터링공정은 고온에서 진행되는 화학증착장치에 비해 기판을 약 400℃의 저온으로 유지하면서 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다. 이러한 스퍼터링장치는 비교적 간단한 구조로 짧은 시간에 증착막을 형성할 수 있기 때문에 유기 전계발광표시소자 등의 평판표시소자에 널리 이용되고 있다. In general, a sputtering apparatus is an apparatus for depositing a target material on a substrate by accelerating ions by plasma to cause ions to collide with a target. The sputtering process using this sputtering device has the advantage of forming a thin film while maintaining the substrate at a low temperature of about 400 ℃ compared to the chemical vapor deposition proceeding at a high temperature. Such sputtering apparatuses are widely used in flat panel display devices such as organic electroluminescent display devices because they can form a deposition film in a short time with a relatively simple structure.

이러한 스퍼터링 장치를 이용한 증착물의 형성과정을 살펴보면, 타겟부와 증착물 예를 들어, 투명전극 등의 무기물이 증착될 기판부(SP)를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고, 고주파를 발생시키면서 DC전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟에서 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다. 이 때, 가속 전자 들이 공정 챔버에 공급된 불활성가스 예를 들어, 아르곤(Ar)과 충돌하여 불활성가스가 이온화된다. 아르곤(Ar) 양이온은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 타겟과 충돌하여 타겟 표면에서 타겟 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상이 발생된다. 이러한 스퍼터링 현상에 의해 이탈된 타겟원자는 기판 상에 증착됨으로써 유기 전계발광표시소자의 투명전극 등의 무기물이 형성된다. Looking at the formation process of the deposit using such a sputtering device, the target portion and the substrate portion (SP) to be deposited, for example, inorganic materials such as transparent electrodes are connected to the cathode and anode ends of the power supply, respectively, while generating a high frequency DC. When power is applied, electrons are generated at the target under the action of an electric field, and these electrons are accelerated to the extreme ends. At this time, the accelerating electrons collide with an inert gas supplied to the process chamber, for example, argon (Ar), and the inert gas is ionized. Argon cations collide with the target connected to the cathode by the action of an electric field, resulting in sputtering of target atoms from the target surface. The target atoms separated by the sputtering phenomenon are deposited on the substrate to form an inorganic material such as a transparent electrode of the organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 종래 스퍼터링 장치는 기판부(SP), 타겟부(TP) 및 마스크부(MP)로 이루어진다. Referring to FIG. 1, a conventional sputtering apparatus includes a substrate part SP, a target part TP, and a mask part MP.

기판부(SP)는 스퍼터링공정에 의해 증착물질이 증착되는 기판(8)과, 기판(8)을 지지하는 서셉터(10)로 이루어진다. The substrate part SP includes a substrate 8 on which a deposition material is deposited by a sputtering process, and a susceptor 10 supporting the substrate 8.

마스크부(MP)는 마스크(2), 플로팅 마스크(4) 및 절연체(6)로 이루어진다. 마스크(2)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질을 이용하여 사각 테두리 형상으로 형성되어 플라즈마 방전시 양극 역할을 하게 된다. 플로팅마스크(4)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질로 마스크(2)의 테두리 내측에 마스크(2)와 전기적으로 절연되게 형성된다. 절연체(6)는 절연물질로 형성되어 마스크(2)와 플로팅 마스크(4)를 전기적으로 절연시킨다. The mask portion MP consists of a mask 2, a floating mask 4, and an insulator 6. The mask 2 is formed in a rectangular frame shape using a conductive material such as aluminum (Al) to serve as an anode during plasma discharge. The floating mask 4 is formed of a conductive material such as aluminum (Al) to be electrically insulated from the mask 2 inside the edge of the mask 2. The insulator 6 is formed of an insulating material to electrically insulate the mask 2 from the floating mask 4.

타겟부(TP)는 적어도 하나의 자석(18), 후면판(14) 및 타겟(12)으로 이루어진다. 자석(18)은 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위해 타겟(12)에 자기장을 인가하는 역할을 하고, 후면판(14)은 스퍼터링에 의해 기판(8)에 형성되는 증착물질인 타겟(12)을 고정하는 역할 을 한다. The target portion TP includes at least one magnet 18, a back plate 14, and a target 12. The magnet 18 serves to apply a magnetic field to the target 12 in order to prevent electrons generated in the plasma from escaping to another part of the sputtering device, and the back plate 14 is sputtered to the substrate 8. It serves to fix the target 12 which is a deposition material to be formed.

이러한 스퍼터링장치는 자기장 인가 방식으로 자석(18)이 일정한 간격을 두고 일정한 위치에 고정되어 타겟(12)에 자기장을 인가하는 인 라인 스퍼터 방식과, 다수개의 자석(18)이 밀집되어 후면판(14)의 양방향으로 왕복하면서 스캐닝 방식으로 타겟(12)에 자기장을 인가하는 클러스터 스퍼터 방식 등이 있는 바 일반적으로 도 2에 도시된 바와 같이 타켓(12)이 균일하게 식각될 수 있는 클러스터 스퍼터 방식이 널리 이용되고 있다. 도 2에 도시된 클러스터 스퍼터 방식의 자석(18)은 점착제 등을 통해 자석고정부(19)에 의해 고정되어 후면판(14)의 양방향(도면에서는 X방향)으로 왕복운동하게 된다. Such a sputtering apparatus has an in-line sputtering method in which a magnet 18 is fixed at a predetermined position at regular intervals by a magnetic field applying method to apply a magnetic field to the target 12, and a plurality of magnets 18 are densely packed with the back plate 14. There is a cluster sputter method for applying a magnetic field to the target 12 in a scanning manner while reciprocating in both directions. In general, as shown in FIG. 2, a cluster sputter method in which the target 12 can be uniformly etched is widely used. It is used. The cluster sputtering magnet 18 shown in FIG. 2 is fixed by the magnet fixing unit 19 through an adhesive or the like to reciprocate in both directions (the X direction in the figure) of the rear plate 14.

한편, 이러한 종래의 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링시 전자는 자석(18)에 의해 형성되는 자기장내에서 그 자기장에 의한 작은 원 운동을 하게 됨과 아울러 타겟(12)이 음극으로 대전되어 있기 때문에 수직방향으로 튀어 오르게 되어 복합적인 운동을 하게 된다. 이로써, 플라즈마 밀도가 높아지게 됨으로써 특정 영역에의 박막 증착률이 증가하게 되는 문제가 발생된다.On the other hand, when sputtering using such a conventional sputtering device is a small circular motion by the magnetic field in the magnetic field formed by the magnet 18 and the target 12 is charged to the cathode, so that the electrons bounce in the vertical direction You are going to go up and do a combination exercise. As a result, the plasma density increases, which causes a problem of increasing the thin film deposition rate in a specific region.

이를 해결하기 위해 도 3에 도시된 바와 같이 자기장의 힘을 약하게 하는 션트(Shunt)(21)를 설치한 스퍼터링 장치가 제안되었다. 션트(21)는 스테인리스 스틸 등의 강자성 물질로 제조되어 자석(18)과 반대 방향의 스핀(spin) 방향을 가지게 됨으로써 션트(21) 부위의 자기장의 세기를 약하게 함으로써 특정영역에의 박막 증착률 증가를 방지할 수 있게 되었다. In order to solve this problem, as shown in FIG. 3, a sputtering apparatus in which a shunt 21 is provided, which weakens the force of the magnetic field, has been proposed. The shunt 21 is made of ferromagnetic material such as stainless steel, and has a spin direction opposite to that of the magnet 18, thereby decreasing the strength of the magnetic field in the shunt 21, thereby increasing the deposition rate of the thin film in a specific region. Can be prevented.

그러나, 이와 같은 션트(21)의 도입으로 특정영역에의 박막 증착률 증가는 방지할 수 있게 되었으나 도 4에 도시된 바와 같이 증착률이 낮은 부분(A)이 국소적으로 존재하는 경우에는 전체의 박막 균일성을 향상하기 위해 증착률이 낮은 부분과 비중첩되는 자석(18) 전역에 션트(21)를 부착해야 함으로써 비용이 증가되는 문제가 발생된다.
However, the introduction of the shunt 21 can prevent the increase in the deposition rate of the thin film in a specific region, but as shown in FIG. In order to improve the uniformity of the thin film, a problem arises in that the cost is increased by attaching the shunt 21 to the portion of the low deposition rate and the non-overlapping magnet 18.

따라서, 본 발명의 목적은 박막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 스퍼터링장치를 제공하는 데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a sputtering apparatus capable of improving the uniformity of the thin film thickness.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 플라즈마 가스에 스퍼터링 되는 타겟이 증착되는 기판과 상기 타겟쪽으로 자기장을 인가하는 자기장발생부를 포함하는 스퍼터링장치에 있어서, 상기 자기장발생부는 상기 타켓전역에 자기장을 인가하는 적어도 하나의 자석과; 상기 적어도 하나의 자석이 공통으로 연결되는 자석고정부와; 상기 자석과 상기 자석고정부 사이에 위치하여 상기 타겟쪽으로 인가되는 자기장을 보강하는 보조자석을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a sputtering apparatus comprising a substrate on which a target sputtered on plasma gas is deposited and a magnetic field generating unit for applying a magnetic field toward the target, wherein the magnetic field generating unit applies a magnetic field to the entire target area. At least one magnet; A magnet fixing part to which the at least one magnet is connected in common; And an auxiliary magnet positioned between the magnet and the magnet fixing part to reinforce the magnetic field applied to the target.

상기 자석고정부는 홈을 구비하고, 상기 보조자석은 상기 홈에 안착된 것을 특징으로 한다.The magnet fixing part has a groove, and the auxiliary magnet is mounted on the groove.

상기 자석에서 상기 보조자석과 접촉되는 영역 및 상기 홈은 코팅처리된 것을 특징으로 한다. The region in contact with the auxiliary magnet and the groove in the magnet is coated.

상기 보조자석에 부착됨과 아울러 비금속물질로 형성된 자석손잡이를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition to the auxiliary magnet is characterized in that it further comprises a magnet handle formed of a non-metal material.

상기 자석에 부착되어 상기 타겟에 인가되는 자기장을 완하하는 션트를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.And a shunt attached to the magnet to relax the magnetic field applied to the target.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view schematically showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 스퍼터링 장치는 기판부(SP), 타겟부(TP) 및 마스크부(MP)로 이루어진다. The sputtering apparatus shown in FIG. 5 includes a substrate portion SP, a target portion TP, and a mask portion MP.

기판부(SP)는 스퍼터링공정에 의해 증착물질이 증착되는 기판(108)과, 기판(108)을 지지하는 서셉터(110)로 이루어진다. The substrate part SP includes a substrate 108 on which a deposition material is deposited by a sputtering process, and a susceptor 110 supporting the substrate 108.

마스크부(MP)는 마스크(102), 플로팅 마스크(104) 및 절연체(106)로 이루어진다. 마스크(102)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질을 이용하여 사각 테두리 형상으로 형성되어 플라즈마 방전시 양극 역할을 하게 된다. 플로팅마스크(104)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질로 마스크(102)의 테두리 내측에 마스크(102)와 전기적으로 절연되게 형성된다. 절연체(106)는 절연물질로 형성되어 마스크(102)와 플로팅 마스크(104)를 전기적으로 절연시킨다. The mask part MP consists of the mask 102, the floating mask 104, and the insulator 106. The mask 102 is formed in a rectangular frame shape using a conductive material such as aluminum (Al) to serve as an anode during plasma discharge. The floating mask 104 is formed of a conductive material such as aluminum (Al) to be electrically insulated from the mask 102 inside the edge of the mask 102. The insulator 106 is formed of an insulating material to electrically insulate the mask 102 and the floating mask 104.

타겟부(TP)는 타겟(112), 후면판(114) 및 자기장 발생부(150)로 이루어진다. 후면판(114)은 스퍼터링에 의해 기판(108)에 형성되는 증착물질인 타겟(112)을 고정하는 역할을 한다. The target portion TP includes a target 112, a back plate 114, and a magnetic field generator 150. The back plate 114 serves to fix the target 112, which is a deposition material formed on the substrate 108 by sputtering.

자기장발생부(150)는 적어도 하나의 자석(118), 자석고정부(119) 및 보조자석(125)를 포함함과 아울러 후면판(114)의 양방향(X방향)으로 왕복운동하며 타겟(112)에 자기장을 인가함으로써 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하는 역할을 한다. The magnetic field generating unit 150 includes at least one magnet 118, a magnet fixing part 119, and an auxiliary magnet 125, and reciprocates in both directions (X directions) of the rear plate 114 and moves to the target 112. The magnetic field is applied to) to prevent electrons generated in the plasma from escaping to other parts of the sputtering apparatus.

자석(118)은 타겟(112) 전영역에 자기장을 인가하는 역할을 하고, 자석고정부(119)는 적어도 하나의 자석(118)이 공통으로 연결됨과 아울러 스테인리스 스틸 등 강자성물질로 이루어져 자기장이 타겟(112)의 반대방향으로 빠져나가는 것을 방지하는 역할을 한다. The magnet 118 serves to apply a magnetic field to the entire area of the target 112, and the magnet fixing part 119 is connected to at least one magnet 118 in common, and made of a ferromagnetic material such as stainless steel to target the magnetic field. It serves to prevent the escape in the opposite direction of (112).

보조자석(125)은 박막의 증착률이 낮은 영역에 대응되는 자석(118)과 자석고정부(119) 사이에 위치하여 타겟(112)에 인가되는 자기장을 보강함으로써 박막 두께의 균일성을 향상시키는 역할을 한다. The auxiliary magnet 125 is positioned between the magnet 118 and the magnet fixing part 119 corresponding to the region where the deposition rate of the thin film is low to reinforce the magnetic field applied to the target 112 to improve the uniformity of the thin film thickness. Play a role.

이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. This will be described in more detail as follows.

도 6a에 도시된 바와 같이 홈(119a)을 갖는 자석고정부(119)를 마련하고 홈(119a)의 크기와 대응되는 보조자석(125)을 마련한다. 자석고정부(119)의 홈(119a)에는 합성수지 예를 들어, 테플론(teflon) 등의 물질의 코팅막(129)이 형성된다. 코팅막(129)은 보조자석(125)이 홈(119a)에 삽입되거나 제거되는 경우, 또는 자기장발생부(150)가 이동하는 경우 자석(118) 및 자석고정부(119)와 보조자석(118)간 의 마찰에 의한 손상을 방지하는 역할을 한다. 또한, 보조자석(125)에는 플라스틱 등의 비금속 및 구리 중 어느하나의 물질로 이루어진 보조자석손잡이(127)가 부착되어 있다. 보조자석손잡이(127)는 보조자석(125)을 관통하여 연결될 수 도 있고, 점착제에 의해 부착될 수 도 있다. As shown in FIG. 6A, a magnet fixing part 119 having a groove 119a is provided, and an auxiliary magnet 125 corresponding to the size of the groove 119a is provided. The groove 119a of the magnet fixing part 119 is formed with a coating film 129 of a material such as synthetic resin, for example, teflon. The coating layer 129 may include the magnet 118 and the magnet fixing part 119 and the auxiliary magnet 118 when the auxiliary magnet 125 is inserted into or removed from the groove 119a or when the magnetic field generating unit 150 moves. It prevents damage caused by friction between the livers. In addition, the auxiliary magnet 125 is attached to the auxiliary magnet handle 127 made of any one of non-metal and copper, such as plastic. The auxiliary magnet handle 127 may be connected through the auxiliary magnet 125, or may be attached by an adhesive.

이러한, 보조자석(125)은 도 6b에 도시된 바와 같이 자석고정부(119)의 홈(119a)에 안착된다. 보조자석(125)은 홈(119a)에 점착제 등을 통해 부착될 수 도 있다. 이 후, 도 6c에 도시된 바와 같이 보조자석(125)이 부착된 자석고정부(119)에 점착제 등에 의해 자석(118)이 부착된다. 자석(118)과 보조자석(118)의 접촉영역에도 코팅막(129)이 형성된다. The auxiliary magnet 125 is seated in the groove 119a of the magnet fixing part 119, as shown in FIG. 6B. The auxiliary magnet 125 may be attached to the groove 119a through an adhesive or the like. Thereafter, as shown in FIG. 6C, the magnet 118 is attached to the magnet fixing part 119 to which the auxiliary magnet 125 is attached by an adhesive or the like. The coating film 129 is also formed in the contact area between the magnet 118 and the auxiliary magnet 118.

한편, 보조자석(125)은 자석(118)과 같은 방향의 극을 같게 됨으로써 자석(118)의 측면에 붙이게 되면 척력이 작용하게 되므로 자석(118)과 자석고정부(119) 사이에 위치하게 된다. On the other hand, the auxiliary magnet 125 is located between the magnet 118 and the magnet fixing part 119 because the repulsive force is applied to the side of the magnet 118 by the same pole in the same direction as the magnet 118. .

이러한, 보조자석(125)은 도 7에 도시된 바와 같이 박막 두께가 낮은 영역(B)과 대응되는 영역에 위치하게 된다. 이러한, 보조자석(125)은 자기장의 세기를 증가시킴으로써 플라즈마 발생을 향상시키게 된다. 이에 따라, 상대적으로 증착두께가 낮은 영역(B)에 증착률이 향상됨으로써 전체 박막 두께의 균일성이 향상된다. As shown in FIG. 7, the auxiliary magnet 125 is positioned in a region corresponding to the region B having a low thickness of the thin film. The auxiliary magnet 125 improves plasma generation by increasing the strength of the magnetic field. Accordingly, the deposition rate is improved in the region B having a relatively low deposition thickness, thereby improving the uniformity of the entire thin film thickness.

한편, 본 발명에 따른 스퍼터링장치는 자기장에 의해 플라즈마 밀도가 높아지게 됨으로써 특정 영역에의 박막 증착률이 증가하는 경우, 그 특정영역에 대응되는 자석(118)에 션트(미도시)가 부착된다. 이로써, 특정영역에의 박막 증착률 증가를 방지할 수 있게 된다. On the other hand, in the sputtering apparatus according to the present invention, when the plasma deposition rate is increased by the magnetic field, the shunt (not shown) is attached to the magnet 118 corresponding to the specific region when the deposition rate of the thin film in the specific region is increased. As a result, it is possible to prevent an increase in the deposition rate of the thin film in a specific region.

이와 같이 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 국소적으로 증착 두께가 두꺼운 영역에 대응하는 자석(118)에는 션트를 부착시키고, 국소적으로 증착률이 낮은 부분에 대응되는 자석(118)에는 자기장을 보강할 수 있는 보조자석(125)을 삽입한다. 이에 따라, 증착 두께가 두께운 영역의 증착률은 감소되고 상대적으로 증착 두께가 낮은 영역의 증착률은 증가됨으로써 박막 두께의 균일성이 향상 된다. As described above, the sputtering apparatus according to the present invention attaches a shunt to a magnet 118 corresponding to a region having a thick deposition thickness, and reinforces a magnetic field to a magnet 118 corresponding to a region having a low deposition rate. Insert an auxiliary magnet 125 that can be. Accordingly, the deposition rate of the region having the thinner deposition thickness is reduced and the deposition rate of the region having the lower deposition thickness is increased, thereby improving the uniformity of the thin film thickness.

도 8은 본 발명에 따른 스퍼터링장치를 이용하여 형성되는 유기 전계발광소자를 나타내는 도면이다. 8 is a view showing an organic electroluminescent device formed using a sputtering apparatus according to the present invention.

도 8에 도시된 유기 전계발광소자는 기판(102) 상에 애노드전극(104)과 캐소드전극(112)이 서로 교차하는 방향으로 형성된다. In the organic electroluminescent device illustrated in FIG. 8, the anode electrode 104 and the cathode electrode 112 are formed to cross each other on the substrate 102.

애노드전극(104)은 기판(202) 상에 소정간격으로 이격되어 다수개 형성된다. 이러한 애노드전극(204)이 형성된 기판(202) 상에는 EL셀(EL) 영역마다 개구부를 갖는 절연막(206)이 형성된다. 절연막(206) 상에는 그 위에 형성되어질 유기발광층(210) 및 캐소드전극(212)의 분리를 위한 격벽(208)이 위치한다. 격벽(208)은 애노드전극(204)을 가로지르는 방향으로 형성되며, 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 오버행(Overhag) 구조를 갖게 된다. 격벽(208)이 형성된 기판(202) 상에는 유기화합물로 구성되는 유기발광층(210)과 캐소드전극(212)이 순차적으로 전면 증착된다. A plurality of anode electrodes 104 are spaced apart at predetermined intervals on the substrate 202. On the substrate 202 on which the anode electrode 204 is formed, an insulating film 206 having an opening for each EL cell EL region is formed. On the insulating layer 206, a partition wall 208 for separating the organic light emitting layer 210 and the cathode electrode 212 to be formed thereon is positioned. The partition wall 208 is formed in a direction crossing the anode electrode 204 and has an overhag structure in which the upper end portion has a wider width than the lower end portion. On the substrate 202 on which the partition wall 208 is formed, the organic light emitting layer 210 and the cathode electrode 212 made of an organic compound are sequentially deposited on the entire surface.

한편, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 유기 전계발광표시소자 뿐만 아니라, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 일렉트로 루미네센 스(Electro-luminescence:이하 "EL "이라 함)표시장치 등 어떠한 평판 표시장치의 형성공정에 이용될 수 있다.
Meanwhile, the sputtering apparatus according to the present invention is not only an organic electroluminescent display device but also a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an electroluminescence. Electro-luminescence (hereinafter referred to as "EL") display device can be used in the process of forming any flat panel display device.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 국소적으로 증착률이 낮은 부분에 자기장을 보강할 수 있는 보조자석을 구비한다. 이에 따라, 상대적으로 증착 두께가 낮은 영역의 증착률이 증가됨으로써 박막 두께의 균일성이 향상 된다. As described above, the sputtering apparatus according to the present invention includes an auxiliary magnet capable of reinforcing a magnetic field in a portion having a low deposition rate locally. Accordingly, the deposition rate of the region having a relatively low deposition thickness is increased, thereby improving the uniformity of the thin film thickness.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다. Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

Claims

A sputtering apparatus comprising a substrate on which a target sputtered on a plasma gas is deposited and a magnetic field generator for applying a magnetic field toward the target,

The magnetic field generating unit

At least one magnet applying a magnetic field to the entire target area;

A magnet fixing part to which the at least one magnet is connected in common;

And an auxiliary magnet positioned between the magnet and the magnet fixing part to reinforce the magnetic field applied to the target.

The magnet fixing part has a groove, and the auxiliary magnet is mounted on the groove.

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The method of claim 1,

Sputtering apparatus, characterized in that the area in contact with the auxiliary magnet and the groove in the magnet is coated.

The method of claim 1,

Sputtering apparatus, characterized in that further comprising a magnet handle made of a non-metal material and attached to the auxiliary magnet.

The method of claim 1,

And a shunt attached to the magnet to relax the magnetic field applied to the target.