KR102617710B1 - Substrate treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 백플레이트를 얇게 형성하여도 휘지 않고 자석의 세기를 강하게 형성할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 기판 처리장치는 기판을 로딩하거나 언로딩하는 로드락챔버; 상기 로드락챔버의 일측에 이웃하며, 진공분위기에서 기판을 플라즈마 처리하는 공정챔버; 및 상기 공정챔버의 타측에 밀착되며, 자석과 플라즈마 발생부가 구비되는 진공챔버;를 포함한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus capable of forming a strong magnet without bending even when the back plate is formed thin.
A substrate processing apparatus according to the present invention includes a load lock chamber for loading or unloading a substrate; A process chamber adjacent to one side of the load lock chamber and plasma processing a substrate in a vacuum atmosphere; and a vacuum chamber that is in close contact with the other side of the process chamber and is provided with a magnet and a plasma generator.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 백플레이트를 얇게 형성하여도 휘지 않고 자석의 세기를 강하게 형성할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus capable of forming a strong magnet without bending even when the back plate is formed thin.
일반적으로 스퍼터링 박막 증착방식은 플라즈마를 발생시켜 얻은 이온들이 높은 에너지를 가지고 타겟물질에 충돌함으로써 타겟물질을 뜯어낼 수 있도록 하는 방식으로 실제 반도체 등의 소자공정에 많이 적용되고 있는 기술이다.In general, sputtering thin film deposition is a technology that is widely applied in device processes such as actual semiconductors in which ions obtained by generating plasma collide with the target material with high energy to tear off the target material.
스퍼터링 증착장치의 구조적인 방식은 사용하는 목적에 따라 여러 가지의 형태로 발전되어 왔으나, 그의 수율을 증가시키려는 노력은 아직도 많이 진행되고 있다.The structural method of sputtering deposition equipment has been developed into various forms depending on the purpose of use, but many efforts are still being made to increase its yield.
스퍼터링 증착장치는 진공용기 속에 이온화가 잘 일어날 수 있는 최적의 가스압력을 유지하면서 '+', '-'의 양극을 설치하고, 양단의 전극에 직류 또는 교류의 전압을 걸어 플라즈마를 발생시키는 용량성 저온 플라즈마를 이용한 박막제조장치이다.The sputtering deposition device is a capacitive device that installs '+' and '-' anodes in a vacuum container while maintaining the optimal gas pressure for ionization to occur easily, and generates plasma by applying direct current or alternating current voltage to the electrodes at both ends. This is a thin film manufacturing device using low-temperature plasma.
상식적으로 생각하면 플라즈마 속에 존재하는 '+' 이온들은 '-' 인가 전극쪽으로 진행을 하게 되고, '-' 이온들은 반대로 '+' 인가 전극쪽으로 돌진하게 된다.In common sense, the '+' ions present in the plasma move toward the '-' applied electrode, and the '-' ions, on the other hand, rush toward the '+' applied electrode.
이때, '+' 이온들은 질량이 크고 높은 전기적 에너지를 가지고 있기 때문에 '-'의 타겟면에 충돌하는 순간 타겟물질들을 튕겨 나오게 할 수 있으며, 뜯겨져 나온 타겟물질을 마주보고 있는 '+' 전극의 피처리물에 증착시킬 수 있게 된다.At this time, because the '+' ions have a large mass and high electrical energy, they can cause the target materials to bounce out at the moment they collide with the '-' target surface, and the '+' electrode facing the torn off target material It can be deposited on the object to be treated.
반면에 플라즈마 속에 존재하는 '-' 이온들은 타겟이 아닌 '+' 전극의 피처리물 방향으로 돌진하여 어렵게 쌓아놓은 박막물질들을 다시 뜯어내는 리스퍼터링(re-sputtering) 현상을 일으키게 된다.On the other hand, the '-' ions present in the plasma rush towards the object to be processed on the '+' electrode rather than the target, causing a re-sputtering phenomenon in which the thin film materials that were built up with difficulty are torn off again.
발생된 플라즈마에 자기장을 인가하면 플라즈마 내의 전자들에 로렌쯔 힘을 가할 수 있고, 스퍼터 타겟 뒷면에 부착한 자석의 배열형태에 따라 원하는 플라즈마 밀도 분포를 얻을 수 있다. 이를 마그네트론 스퍼터링이라 한다.By applying a magnetic field to the generated plasma, Lorentz force can be applied to the electrons in the plasma, and the desired plasma density distribution can be obtained depending on the arrangement of the magnets attached to the back of the sputter target. This is called magnetron sputtering.
따라서, 마그네트론 스퍼터링은 리스퍼터링을 방지할 수 있고, 플라즈마 밀도를 높일 수 있는 장점을 가지고 있다.Therefore, magnetron sputtering has the advantage of preventing re-sputtering and increasing plasma density.
실제적으로 가장 많이 응용되고 있는 형태는 직경이 2∼3인치 정도되는 둥근 원판형의 스퍼터 건으로, 타겟의 뒷면 중앙에 1개의 자기극을 두고 둘레에 반대극을 배치하여 2개의 자기극 사이에 균일한 자기장을 형성시켜 줌으로써, 도너츠 모양의 플라즈마 환을 만들어 사용하는 것이다.In practice, the most widely used type is a round disk-shaped sputter gun with a diameter of about 2 to 3 inches. It places one magnetic pole in the center of the back of the target and places opposing poles around the circumference, creating a uniform pattern between the two magnetic poles. By creating a magnetic field, a donut-shaped plasma ring is created and used.
이때, 타겟의 면에서 식각되는 식각 부분은 타겟면과 평행하게 형성되는 자기장의 영역에서 집중적으로 일어나기 때문에 도너츠 모양의 환형으로 식각이 일어난다.At this time, the etched portion on the surface of the target occurs intensively in the area of the magnetic field formed parallel to the surface of the target, so the etching occurs in a donut-shaped ring.
그러나, 타겟면이 6인치 이상되는 대면적일 때에는 도너츠 모양의 자석배열 을 사용하면 박막의 균일도 및 타겟의 소모율이 효율적이지 못하다. However, when the target surface is large (over 6 inches), the uniformity of the thin film and the consumption rate of the target are not efficient if a donut-shaped magnet arrangement is used.
뿐만 아니라 통상적인 스퍼터 건은 타겟 중 피처리물에 대향된 부분만을 사용하고, 피처리물에 대향되지 않는 부분은 사용하지 못하게 되어 고가의 타겟 사용율이 현저히 낮다. In addition, a typical sputter gun uses only the part of the target that faces the object to be treated, and the part that does not face the object cannot be used, so the utilization rate of expensive targets is significantly low.
이러한 문제를 해결하기 위하여 종래에도 타겟을 회전(이동)시켜 타겟이 사용되지 못한 부분이 피처리물에 대향되게 위치시켜 타겟 사용율을 높이기 위한 노력이 있었으나, 타겟을 회전하는 기구 구성이 복잡하고, 공정을 연속적으로 하지 못하기 때문에 공정 시간이 길어지는 문제가 있다. In order to solve this problem, efforts have been made in the past to increase target usage by rotating (moving) the target so that the unused part of the target is positioned opposite to the object to be processed. However, the structure of the mechanism for rotating the target is complicated, and the process is complicated. There is a problem that the process time becomes longer because it cannot be done continuously.
도 1은 일반적인 인라인타입 플라즈마 처리장치를 나타낸 것이다. Figure 1 shows a general in-line type plasma processing device.
도시된 바와 같이, 기립상태의 홀더의 양측에 기판을 각각 장착한다. 이 상태에서 게이트를 오픈하여 로딩챔버로 반입한다. As shown, the substrates are mounted on both sides of the holder in an upright position. In this state, open the gate and bring it into the loading chamber.
다음으로, 로딩챔버를 저진공분위기로 형성한 다음 기판을 버퍼챔버로 전달한다. Next, the loading chamber is formed in a low vacuum atmosphere and then the substrate is transferred to the buffer chamber.
버퍼챔버는 고진공상태이며, 이 상태에서 공정챔버로 기판을 반입한다. The buffer chamber is in a high vacuum state, and the substrate is brought into the process chamber in this state.
상기 공정챔버는 챔버의 양측벽에 각각 플라즈마 발생부가 구비된다. 따라서 홀더의 양측에 장착된 기판에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 하게 되는 것이다. 상기 플라즈마 발생부는 스퍼터 건 또는 PECVD용 소스이다. The process chamber is provided with plasma generators on both walls of the chamber. Therefore, a predetermined plasma treatment is performed on the substrate mounted on both sides of the holder. The plasma generator is a sputter gun or a PECVD source.
이와 같이 공정챔버에서 공정이 완료되면, 버퍼챔버로 반출하고, 버퍼챔버에서 다시 언로딩챔버로 전달한 후, 기판을 언로딩한다. When the process in the process chamber is completed in this way, the substrate is transported to the buffer chamber, transferred from the buffer chamber to the unloading chamber, and then unloaded.
한편, 플라즈마 발생부가 자석을 구비한 경우가 있다. 예를 들어 마그네트론 스퍼터링이다. 이와 같이 자석이 구비되어 표면 가우스가 증가하면, 플라즈마 밀도(plasma density)가 높아질 뿐만 아니라 특히 고진공 분위기에서 플라즈마를 생성하는 것이 가능하게 된다. 이와 같이 고진공 분위기에서 플라즈마를 생성할 수 있다는 것은 여러 가지 장점이 있다. 즉, 스퍼터링공정에서 챔버 분위기가 고진공일수록 스퍼터링 속도가 빨라지고, 자유행정거리가 커지므로 피처리물에 형성되는 막이 균일하게 성막되며, 막질의 물성이 개선된다는 것은 주지의 사실이다. Meanwhile, there are cases where the plasma generator is provided with a magnet. An example is magnetron sputtering. When a magnet is provided in this way and the surface Gaussian increases, not only does the plasma density increase, but it also becomes possible to generate plasma, especially in a high vacuum atmosphere. Being able to generate plasma in this high vacuum atmosphere has several advantages. That is, it is a well-known fact that in the sputtering process, the higher the chamber atmosphere, the faster the sputtering speed and the larger the free stroke distance, so that the film formed on the object to be treated is uniformly deposited and the physical properties of the film are improved.
그런데, 표면 가우스를 증가시키기 위해서는 자속이 세야 하는데, 자속은 거리의 제곱에 반비례한다. However, in order to increase the surface Gaussian, the magnetic flux must be strong, and the magnetic flux is inversely proportional to the square of the distance.
즉, 거리가 가까울수록 표면 가우스가 증가되는 것이다. In other words, the closer the distance is, the more the surface Gaussian increases.
그러나 자석과 공정챔버의 사이에는 백플레이트가 구비되는데, 표면 가우스를 증가시키기 위해서는 백플레이트를 얇게 형성할수록 유리하다. However, a back plate is provided between the magnet and the process chamber, and in order to increase the surface Gaussian, it is advantageous to make the back plate thinner.
하지만, 표면 가우스를 증가시키기 위해 백플레이트를 얇게 하면, 백플레이트가 압력차에 의해 휨이 발생한다. 구체적으로 설명하면, 자석과 플라즈마 발생부가 대기중에 있고, 공정챔버는 진공분위기이기 때문에, 백플레이트를 얇게 하면 압력차에 의해 휨이 발생되는 문제가 있다. However, if the backplate is thinned to increase the surface Gaussian, the backplate bends due to the pressure difference. To be more specific, since the magnet and plasma generator are in the air and the process chamber is in a vacuum atmosphere, there is a problem of bending due to pressure difference when the back plate is thinned.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 백플레이트를 얇게 형성하여도 휘지 않고 자석의 세기를 강하게 형성할 수 있는 기판 처리장치를 제공함에 있다. The present invention was developed to solve the above-mentioned problems, and the purpose of the present invention is to provide a substrate processing device that can increase the strength of the magnet without bending even if the back plate is formed thin.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리장치는 기판을 로딩하거나 언로딩하는 로드락챔버; 상기 로드락챔버의 일측에 이웃하며, 진공분위기에서 기판을 플라즈마 처리하는 공정챔버; 및 상기 공정챔버의 타측에 밀착되며, 자석과 플라즈마 발생부가 구비되는 고진공챔버;를 포함한다. In order to solve the above technical problems, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a load lock chamber for loading or unloading a substrate; A process chamber adjacent to one side of the load lock chamber and plasma processing a substrate in a vacuum atmosphere; and a high vacuum chamber that is in close contact with the other side of the process chamber and is provided with a magnet and a plasma generator.
또한 공정챔버의 진공도는 플라즈마가 발생되는 진공도가 유지되어야 하고, 반대로 고진공챔버는 플라즈마가 발생되지 않도록 고진공상태가 유지되어야 한다. In addition, the vacuum level of the process chamber must be maintained at a vacuum level at which plasma is generated, and conversely, the high vacuum chamber must maintain a high vacuum state to prevent plasma generation.
또한 상기 고진공챔버는 상기 공정챔버의 진공도보다 더 고진공 분위기로 유지되는 것이 바람직하다. Additionally, the high vacuum chamber is preferably maintained in a vacuum atmosphere higher than the vacuum level of the process chamber.
또한 상기 고진공챔버의 내부는 10-5 ~ 10-6 Torr이고, 상기 공정챔버의 내부는 10-1 ~ 10-4 Torr인 것이 바람직하다. In addition, the inside of the high vacuum chamber is preferably 10 -5 to 10 -6 Torr, and the inside of the process chamber is preferably 10 -1 to 10 -4 Torr.
또한 상기 고진공챔버에는 상기 자석 주위로 냉각수가 흐르는 냉각부가 구비되는 것이 바람직하다. Additionally, the high vacuum chamber is preferably provided with a cooling portion through which coolant flows around the magnet.
또한 상기 공정챔버를 배기하는 제1펌프와, 상기 고진공챔버를 배기하는 제2펌프가 구비되는 것이 바람직하다. Additionally, it is preferable that a first pump exhausting the process chamber and a second pump exhausting the high vacuum chamber are provided.
또한 상기 공정챔버와 고진공챔버 사이에는 백플레이트가 구비되며, 상기 백플레이트는 자속의 세기를 향상시키기 위해 상기 챔버 벽두께보다 얇게 형성하는 것이 바람직하다. Additionally, a back plate is provided between the process chamber and the high vacuum chamber, and the back plate is preferably formed to be thinner than the chamber wall thickness to improve the intensity of magnetic flux.
보다 구체적으로 상기 백플레이트는 3mm이하로 형성하는 것이 바람직하다. More specifically, it is preferable that the back plate is formed to be 3 mm or less.
또한 상기 기판 처리장치는 PE CVD장치 또는 스퍼터링 장치인 것이 바람직하다. Additionally, the substrate processing device is preferably a PE CVD device or a sputtering device.
본 발명에 따르면, 공정챔버에 이웃하여 공정챔버보다 더 고진공 분위기인 고진공챔버를 구비함으로써, 백플레이트의 휨을 방지할 수 있다. According to the present invention, bending of the back plate can be prevented by providing a high vacuum chamber adjacent to the process chamber and having a higher vacuum atmosphere than the process chamber.
따라서 백플레이트를 얇게 형성할 수 있기 때문에 자석을 공정챔버에 최대한 가깝게 설치하여 고자력을 발생시킬 수 있으면서, 백플레이트의 휨을 방지할 수 있는 것이다. Therefore, because the back plate can be formed thin, magnets can be installed as close to the process chamber as possible to generate high magnetic force, while preventing bending of the back plate.
도 1은 일반적인 인라인타입 플라즈마 처리장치를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 의한 기판 처리장치를 나타낸 것이다. Figure 1 shows a general in-line type plasma processing device.
Figure 2 shows a substrate processing device according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 기판 처리장치의 실시예(1)는 로드락챔버(L/L)와, 공정챔버(PM)와, 진공챔버(V)를 포함한다. Referring to FIG. 2, embodiment (1) of the substrate processing apparatus according to the present invention includes a load lock chamber (L/L), a process chamber (PM), and a vacuum chamber (V).
상기 로드락챔버(L/L)는 공정챔버(PM)에 기판을 반입 또는 반출하기 위하여 내부를 진공분위기와 대기분위기로 교번하여 작동한다. The load lock chamber (L/L) operates by alternating between a vacuum atmosphere and an atmospheric atmosphere in order to load or unload a substrate into or out of the process chamber (PM).
상기 공정챔버(PM)는 반입된 기판에 대하여 플라즈마로 소정의 처리를 하는 구성요소이다. The process chamber (PM) is a component that performs a predetermined process with plasma on the imported substrate.
상기 고진공챔버(V)는 상기 공정챔버(PM)에 밀착되어 일측에 구비되며, 내부에 자석(M)과 플라즈마 발생부를 구비한다. The high vacuum chamber (V) is provided on one side in close contact with the process chamber (PM) and has a magnet (M) and a plasma generator therein.
특히, 상기 고진공챔버(V)는 상기 공정챔버(PM)의 진공도보다 더 고진공 분위기로 유지된다. In particular, the high vacuum chamber (V) is maintained in a vacuum atmosphere higher than the vacuum level of the process chamber (PM).
구체적으로 설명하면 상기 고진공챔버(V)의 내부는 10-5 ~ 10-6 Torr인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 플라즈마는 10-5 ~ 10-6 Torr에서는 발생이 되지 않기 때문이다. Specifically, the inside of the high vacuum chamber (V) is preferably 10 -5 to 10 -6 Torr. This is because plasma does not occur at 10 -5 to 10 -6 Torr.
한편, 상기 공정챔버(PM)의 내부는 10-1 ~ 10-4 Torr인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이러한 진공도에서 플라즈마가 안정적으로 발생이 되기 때문이다. Meanwhile, the inside of the process chamber (PM) is preferably 10 -1 to 10 -4 Torr. This is because plasma is stably generated at this level of vacuum.
또한 상기 고진공챔버(V)에는 상기 자석(M0 주위로 냉각수가 흐르는 냉각부(C)가 구비되어 자석(M)을 냉각시킬 수 있다. In addition, the high vacuum chamber (V) is provided with a cooling part (C) through which coolant flows around the magnet (M0) to cool the magnet (M).
또한 상기 공정챔버(PM0와 고진공챔버(V)의 내부를 배기하는 진공펌프(P)는 각각 별도로 구비된다. In addition, the vacuum pump (P) that exhausts the inside of the process chamber (PM0) and the high vacuum chamber (V) is provided separately.
즉, 상기 공정챔버(V)를 배기하는 제1펌프(P)는 로드락챔버(L/L)의 동작과 연계되어 공정챔버(PM) 내부를 배기하기도 하고, 배기를 멈추기도 한다. That is, the first pump (P) exhausting the process chamber (V) exhausts the inside of the process chamber (PM) or stops exhausting the process chamber (PM) in connection with the operation of the load lock chamber (L/L).
그러나 상기 고진공챔버(V)를 배기하는 제2펌프(P)는 공정을 하는 동안 계속적으로 작동하여 고진공챔버(V)의 내부를 배기하여 고진공상태로 유지시킨다. However, the second pump (P) that exhausts the high vacuum chamber (V) continuously operates during the process to exhaust the interior of the high vacuum chamber (V) and maintain it in a high vacuum state.
또한 상기 공정챔버((PM)와 고진공챔버(V) 사이에는 백플레이트(B)가 구비되는데, 상기 백플레이트(B)는 상기 챔버 벽두께보다 얇게 형성할 수 있다. 왜냐하면, 상기 백플레이트가 얇을수록 자속의 세기가 세지기 때문이다. 바람직하게는 상기 백플레이트가 3mm이하로 형성하는 것이 바람직하다. In addition, a backplate (B) is provided between the process chamber (PM) and the high vacuum chamber (V), and the backplate (B) can be formed thinner than the chamber wall thickness. Because the backplate is thin, This is because the stronger the magnetic flux, the greater the intensity of the magnetic flux. Preferably, the back plate is formed to be 3 mm or less.
즉, 상기 공정챔버(PM)가 진공분위기이지만, 자석(M)과 플라즈마 발생부가 구비된 고진공챔버(V)도 고진공상태로 유지되므로, 이들 사이에 압력차가 작기 때문에 공정챔버(PM)와 자석(M) 사이에 위치되는 백플레이트(B)가 휘어지는 현상이 발생하지 않는다. That is, although the process chamber (PM) is in a vacuum atmosphere, the high vacuum chamber (V) equipped with the magnet (M) and the plasma generator is also maintained in a high vacuum state, so the pressure difference between them is small, so the process chamber (PM) and the magnet ( The back plate (B) located between M) does not bend.
따라서 본 발명에 의한 실시예는 압력차에 의한 백플레이트(B)의 휨 현상이 없으므로 백플레이트(B)를 얇게 형성할 수 있는 것이다. Therefore, in the embodiment according to the present invention, the back plate (B) can be formed thin because there is no bending phenomenon of the back plate (B) due to pressure difference.
따라서 자석(M)과 공정챔버(PM)의 내부에 반입된 기판 사이의 거리가 작게 형성할 수 있다. Therefore, the distance between the magnet M and the substrate brought into the process chamber PM can be made small.
한편, 자속의 세기는 거리의 제곱에 반비례 하므로, 본 발명에 의한 실시예는 백플레이트(B)를 얇게 형성하는 만큼 자속이 세다. Meanwhile, since the intensity of magnetic flux is inversely proportional to the square of the distance, the magnetic flux in the embodiment according to the present invention is as strong as the backplate (B) is formed thin.
따라서 본 발명에 의한 실시예는 동일한 자석을 사용하더라도 표면 가우스가 증가되는 것이다. Therefore, in the embodiment according to the present invention, the surface Gaussian is increased even if the same magnet is used.
그로 인해 본 발명에 의한 실시예는 공정챔버(PM)에 발생되는 플라즈마 밀도(plasma density)가 높아질 뿐만 아니라 특히 고진공 분위기에서 플라즈마를 생성하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 스퍼터링공정에서 챔버 분위기가 고진공일수록 스퍼터링 속도가 빨라지고, 자유행정거리가 커지므로 피처리물에 형성되는 막이 균일하게 성막되며, 막질의 물성이 개선된다는 것은 주지의 사실이다. As a result, the embodiment of the present invention not only increases the plasma density generated in the process chamber (PM), but also makes it possible to generate plasma in a high vacuum atmosphere. Therefore, it is a well-known fact that in the sputtering process, the higher the chamber atmosphere, the faster the sputtering speed and the larger the free stroke distance, so that the film formed on the object to be treated is uniformly formed and the physical properties of the film are improved.
한편, 상기 기판 처리장치는 PE CVD장치 또는 스퍼터링 장치인 것이 바람직하다. Meanwhile, the substrate processing device is preferably a PE CVD device or a sputtering device.
P: 펌프
PM: 공정챔버
L/L: 로드락챔버
M: 자석
C: 냉각부
V: 고진공챔버P: pump
PM: Process chamber
L/L: Load lock chamber
M: magnet
C: Cooling section
V: High vacuum chamber
Claims (4)
상기 로드락챔버의 일측에 이웃하며, 진공분위기에서 기판을 플라즈마 처리하는 공정챔버;
상기 공정챔버의 측면 중 상기 로드락챔버가 이웃하지 않는 다른 측면에 밀착되며, 상기 공정챔버에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생부와 자석이 내장되는 고진공챔버;
상기 공정챔버와 고진공챔버 사이에 구비되는 백플레이트;
상기 공정챔버를 배기하는 제1펌프; 및
상기 고진공챔버를 배기하는 제2펌프;를 포함하며,
상기 고진공챔버는 플라즈마가 발생되지 않도록 상기 공정챔버의 진공도보다 더 고진공 분위기로 유지되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
A load lock chamber for loading or unloading a substrate;
A process chamber adjacent to one side of the load lock chamber and plasma processing a substrate in a vacuum atmosphere;
a high vacuum chamber that is in close contact with another side of the process chamber that is not adjacent to the load lock chamber and has a built-in plasma generator and a magnet for generating plasma in the process chamber;
A back plate provided between the process chamber and the high vacuum chamber;
a first pump exhausting the process chamber; and
It includes a second pump that exhausts the high vacuum chamber,
The high vacuum chamber is controlled to maintain a vacuum atmosphere higher than the vacuum level of the process chamber to prevent plasma generation.
상기 고진공챔버에는 상기 자석 주위로 냉각수가 흐르는 냉각부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus, characterized in that the high vacuum chamber is provided with a cooling part through which coolant flows around the magnet.
상기 고진공챔버의 내부는 10-5 ~ 10-6 Torr이고, 상기 공정챔버의 내부는 10-1 ~ 10-4 Torr인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
According to paragraph 1,
The interior of the high vacuum chamber is 10 -5 to 10 -6 Torr, and the interior of the process chamber is 10 -1 to 10 -4 Torr.
상기 자석의 세기를 향상시키기 위해 상기 백플레이트는 상기 공정챔버의 벽두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
According to paragraph 1,
A substrate processing device wherein the back plate is formed thinner than the wall thickness of the process chamber to improve the strength of the magnet.
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