KR20110046074A - Magnetic field control cathode gun of sputtering deposition system - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A magnetic field control cathode gun of sputtering deposition system is provided to maintain uniform magnetic field distribution by uniformly controlling the distance between a magnet and a target. CONSTITUTION: A magnetic field control cathode gun of sputtering deposition system comprises a body(210), a yoke(280), a magnet(250), a target(220), a guide shield(290), an insulation part(260) and an interval adjuster. The yoke is installed in the front of the body. The magnet is installed in the surface of the yoke. The target is fixed to the body in order to locate in the front of the magnet. The interval adjuster controls distance between magnet and target.

Description

스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건{MAGNETIC FIELD CONTROL CATHODE GUN OF SPUTTERING DEPOSITION SYSTEM}MAGNETIC FIELD CONTROL CATHODE GUN OF SPUTTERING DEPOSITION SYSTEM}

본 발명은 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건에 관한 것으로, 특히, 타겟과 마그넷의 간격을 조절하여 자기장을 일정하게 유지할 수 있는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus, and more particularly, to a magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus that can maintain a constant magnetic field by adjusting the distance between the target and the magnet.

일반적으로 스퍼터링(Sputtering)은 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 기체로 플라즈마(Plasma)를 형성하고, 불활성 기체의 양이온을 타겟(Target) 물질과 충돌시켜 튕겨져 나온 타겟 입자를 기판에 증착(Deposition)시키는 박막 제조 방법으로서, 비교적 경제적이고, 양질의 박막을 제조할 수 있어 반도체, 도체, 절연체 등의 증착에 자주 사용되고 있다.In general, sputtering forms a plasma with an inert gas such as argon (Ar) gas, and deposits target particles, which are bounced by colliding cations of the inert gas with a target material, onto a substrate. As a thin film manufacturing method, relatively economical and high quality thin film can be manufactured, and it is frequently used for vapor deposition of a semiconductor, a conductor, an insulator, etc.

스퍼터링 증착에 있어서 플라즈마의 발생은 스퍼터링 증착 장치의 일측에 설치되는 캐소드(Cathode) 건에 의해 이루어진다. 캐소드 건에 의해 플라즈마가 발생하면, 플라즈마 내에 존재하는 플러스(+) 이온들은 마이너스(-) 인가 음극 쪽으로 진행하고, 마이너스(-) 이온들은 반대로 플러스(+) 인가 양극 쪽으로 이동하게 된다.In sputter deposition, the plasma is generated by a cathode gun installed on one side of the sputter deposition apparatus. When the plasma is generated by the cathode gun, the positive (+) ions present in the plasma move toward the negative (-) applied cathode, and the negative (-) ions move toward the positive (+) applied anode.

이 경우, 플러스(+) 이온들이 마이너스(-) 인가 음극인 타겟 면에 충돌하면 플러스(+) 이온들의 높은 전기적 에너지로 인해 타겟 물질이 튕겨져 나오게 된다. 이와 같이 튕겨져 나온 타겟 물질은 반대편의 플러스(+) 전극에 위치하는 플라스틱(Plastic) 및 글라스(Glass) 기판에 코팅된다.In this case, when the positive (+) ions collide with the target surface which is the negative (-) applied cathode, the target material is thrown out due to the high electrical energy of the positive (+) ions. This bounce off of the target material is coated on plastic and glass substrates located on opposite positive electrodes.

한편, 플라즈마에 강한 자기장을 인가하면 플라즈마 내의 전자들이 자기장에 수직한 방향으로 강한 힘을 받게 된다. 따라서 타켓의 후면에 마그넷(Magnet)을 부착하여 배열을 다양하게 변경함으로써 필요한 플라즈마의 밀도 분포와 형태를 얻을 수 있다. 이와 같은 기술을 채용한 것이 마그네트론 스퍼터링 증착 장치이다.On the other hand, when a strong magnetic field is applied to the plasma, the electrons in the plasma receive a strong force in a direction perpendicular to the magnetic field. Therefore, by attaching a magnet to the back of the target to change the arrangement in various ways to obtain the density distribution and shape of the plasma required. It is a magnetron sputtering vapor deposition apparatus which employ | adopted such a technique.

도 1은 종래의 캐소드 건을 도시한 도면이다.1 is a view showing a conventional cathode gun.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 캐소드 건(100)은 타겟(130)의 후방에 요크(180)를 설치하고, 상기 요크(180)의 전면에 다수개의 마그넷(110)을 장착하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the conventional cathode gun 100 is configured by installing a yoke 180 at the rear of the target 130 and mounting a plurality of magnets 110 on the front surface of the yoke 180. .

그러나 상기 캐소드 건(100)의 경우에는, 상기 요크(180)가 고정 설치됨으로써 상기 마그넷(110)과 상기 타겟(130) 사이의 거리를 조절할 수 없었다. 이에 따라 상기 타겟(130)의 표면이 소모되면 자기장의 분포가 변화되어 상기 타겟(130)의 소모량으로 표현되는 타겟 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.However, in the case of the cathode gun 100, the yoke 180 is fixed, it is not possible to adjust the distance between the magnet 110 and the target 130. Accordingly, when the surface of the target 130 is consumed, there is a problem that the distribution of the magnetic field is changed so that the target efficiency represented by the consumption amount of the target 130 is decreased.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 마그넷과 타겟 사이의 거리를 일정하게 유지 및 조절함으로써 타겟의 표면 소모로 인한 자기장 분포의 변화를 일정하게 유지할 수 있는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 제공하는 데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problem, the magnetic field control cathode of the sputtering deposition apparatus that can maintain a constant change in the magnetic field distribution due to the surface consumption of the target by maintaining and adjusting the distance between the magnet and the target constant The purpose is to provide a gun.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 박막태양전지, 터치패널, 유기전계발광소자(OLED)와 같은 각종 디스플레이 장치의 제조에 적용할 수 있는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건에 관한 것이다.In addition, another object of the present invention relates to a magnetic field control cathode gun of a sputtering deposition apparatus that can be applied to the manufacture of various display devices such as thin film solar cells, touch panels, organic light emitting diodes (OLED).

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서,As a means for solving the above technical problem,

본 발명은, 스퍼터링 증착을 위해 플라즈마를 발생시키는 캐소드 건에 있어서, 몸체와, 상기 몸체의 전방에 설치되는 요크와, 상기 요크의 표면에 장착되는 마그넷과, 상기 마그넷의 전방에 위치하도록 상기 몸체에 고정 설치되는 타겟과, 상기 타겟의 양측에 설치되는 가이드 실드와, 상기 가이드 실드와 상기 타겟 사이에 설치되는 절연부 및 상기 타겟과 상기 마그넷 사이의 거리를 조절하는 간격조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 제공한다.In the cathode gun for generating a plasma for sputter deposition, the body, a yoke installed in front of the body, a magnet mounted on the surface of the yoke, and the body to be located in front of the magnet A target fixedly installed, a guide shield provided on both sides of the target, an insulation portion provided between the guide shield and the target, and a gap adjusting means for adjusting a distance between the target and the magnet. It provides a magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus.

여기서, 상기 간격조절수단은, 상기 몸체에 형성되는 장착공에 나사 결합되어 삽입 및 인출되되, 선단부는 상기 요크의 후단부에 회전 가능하게 결합되는 손 잡이일 수 있다.Here, the gap adjusting means is screwed into the mounting hole formed in the body is inserted and withdrawn, the front end portion may be a handle rotatably coupled to the rear end of the yoke.

여기서, 상기 간격조절수단은, 상기 타겟의 소모량을 측정하는 센서와, 상기 몸체와 상기 요크에 양단부가 고정 설치되는 피스톤 및 상기 센서에 의해 측정된 데이터를 이용하여 상기 피스톤의 압축 및 팽창을 조절하는 제어부를 포함할 수 있다.Here, the gap adjusting means, to adjust the compression and expansion of the piston using a sensor for measuring the consumption of the target, a piston fixed to both ends of the body and the yoke and data measured by the sensor. It may include a control unit.

여기서, 상기 마그넷은 다각형의 단면 형상을 가지며, 적어도 하나 이상 장착될 수 있다.Here, the magnet has a polygonal cross-sectional shape and may be mounted at least one.

여기서, 상기 마그넷은 적어도 일측이 라운드진 단면 형상을 가지며, 적어도 하나 이상 장착될 수 있다.Here, the magnet has a rounded cross-sectional shape of at least one side, and may be mounted at least one.

여기서, 상기 타겟은 상기 몸체의 양측에 형성된 클램프 사이에 설치될 수 있다.Here, the target may be installed between the clamps formed on both sides of the body.

여기서, 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건은, 상기 타겟과 상기 마그넷 사이에 설치되는 백 플레이트를 더 포함할 수 있다.Here, the magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus may further include a back plate installed between the target and the magnet.

여기서, 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건은, 상기 절연부의 외측에 설치되는 하우징을 더 포함할 수 있다.Here, the magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus may further include a housing which is installed on the outside of the insulating portion.

본 발명에 따르면, 마그넷을 전방 또는 후방으로 이동시켜 자기장을 일정하게 조절 및 유지할 수 있어 타겟의 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the magnet can be moved forward or backward to adjust and maintain a constant magnetic field, thereby improving the efficiency of the target.

또한, 롤투롤 방식, 배치 방식, 인라인 방식, 클러스터 방식 등과 같은 각종 박막 제조법에 적용될 수 있다.In addition, the present invention may be applied to various thin film manufacturing methods such as a roll-to-roll method, a batch method, an inline method, a cluster method, and the like.

이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 도시한 도면이다.2 is a view showing a magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건(200)은 몸체(210)와, 요크(280)와, 마그넷(250)과, 타겟(220)과, 가이드 실드(290)와, 절연부(260) 및 간격조절수단을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the magnetic field control cathode gun 200 of the sputtering deposition apparatus according to the preferred embodiment of the present invention includes a body 210, a yoke 280, a magnet 250, and a target 220. And, it comprises a guide shield 290, the insulating portion 260 and the gap adjusting means.

상기 몸체(210)는 장방형의 형상을 가지며, 스퍼터링 증착 장치의 일측에 설치된다.The body 210 has a rectangular shape and is installed at one side of the sputtering deposition apparatus.

상기 요크(280)는 상기 몸체(210)의 전방에 설치되어 상기 마그넷(250)으로부터 형성되는 자기장을 차단함으로써 장비의 오작동 또는 손상을 방지하고, 상기 마그넷(250)의 자기장 손실도 최소화할 수 있다. 이를 위하여, 상기 요크(280)는 순철로 이루어지는 것이 바람직하다.The yoke 280 is installed at the front of the body 210 to block the magnetic field formed from the magnet 250 to prevent malfunction or damage of the equipment, it can also minimize the magnetic field loss of the magnet (250). . To this end, the yoke 280 is preferably made of pure iron.

상기 마그넷(250)은 상기 타겟(220)의 후방에 위치하여 플라즈마 내의 이온 들을 일정한 방향으로 유도할 수 있도록 상기 요크(280)의 전방 표면에 장착된다.The magnet 250 is mounted to the front surface of the yoke 280 to be positioned behind the target 220 to induce ions in the plasma in a predetermined direction.

이 경우, 상기 마그넷(250)은 박막 제조 방식이나 필요에 따라 직사각형, 정사각형, 사다리꼴, 원형, 반원형 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있으며, 장착 개수도 적절하게 조절될 수 있다.In this case, the magnet 250 may be formed in a variety of shapes, such as rectangular, square, trapezoidal, circular, semi-circular, such as a thin film manufacturing method or as needed, and the number of mounting may be appropriately adjusted.

계속하여, 상기 타겟(220)은 기지 상에 증착되는 입자의 원료물질로서 상기 마그넷(250)의 전방에 위치하도록 상기 몸체(210)에 고정 설치된다. 이 경우, 상기 타겟(220)의 고정을 확실히 하고, 변형을 방지할 수 있도록 상기 타겟(220)은 상기 몸체(210)의 양측에 형성된 클램프(212) 사이에 설치되는 것이 바람직하다.Subsequently, the target 220 is fixedly installed on the body 210 to be positioned in front of the magnet 250 as a raw material of particles deposited on the substrate. In this case, the target 220 is preferably installed between the clamps 212 formed on both sides of the body 210 so as to secure the fixing of the target 220 and to prevent deformation.

상기 가이드 실드(290)는 상기 타겟(220)의 양측에 각각 설치된다. 이에 따라 상기 가이드 실드(290)가 양극(Anode) 전극이 되고, 상기 타겟(220)이 음극(Cathode) 전극이 되어 플라즈마 상태를 형성할 수 있다.The guide shield 290 is provided on both sides of the target 220, respectively. Accordingly, the guide shield 290 may be an anode electrode, and the target 220 may be a cathode electrode to form a plasma state.

이 경우, 상기 가이드 실드(290)에 의한 양극 전극과 상기 타겟(220)에 의한 음극 전극을 분리할 수 있도록 상기 가이드 실드(290)와 상기 타겟(220) 사이에는 절연부(260)가 형성된다. 한편, 상기 절연부(260)의 외측에는 하우징(270)을 설치하여 상기 절연부(260)의 파손을 방지하는 것이 바람직하다.In this case, an insulating part 260 is formed between the guide shield 290 and the target 220 so as to separate the anode electrode by the guide shield 290 and the cathode electrode by the target 220. . On the other hand, it is preferable to prevent the breakage of the insulating portion 260 by installing a housing 270 on the outside of the insulating portion 260.

또한, 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건(200)은, 전도성을 향상시킬 수 있도록 상기 타겟(220)과 상기 마그넷(250) 사이에 설치되는 백 플레이트(240)를 더 포함하여 구성될 수 있으며, 이에 더불어, 상기 타겟(220)의 냉각을 위한 냉각라인(211)의 설치도 가능하다.Also, the magnetic field control cathode gun 200 of the sputtering deposition apparatus may further include a back plate 240 installed between the target 220 and the magnet 250 to improve conductivity. In addition, it is also possible to install a cooling line 211 for cooling the target 220.

이상으로 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건(200)의 기본적인 구성에 대해 설명하였다. 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건(200)은 상기 타겟(220) 표면의 자기장을 일정하게 유지할 수 있도록 상기 간격조절수단을 포함하는 것을 특징적인 구성으로 하는 바, 이하에서는 이에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.The basic configuration of the magnetic field control cathode gun 200 of the sputtering deposition apparatus has been described above. The magnetic field control cathode gun 200 of the sputtering deposition apparatus is characterized in that it comprises the gap adjusting means to maintain a constant magnetic field on the surface of the target 220, in the following with reference to the drawings It demonstrates in detail.

상기 간격조절수단은 상기 타겟(220)과 상기 마그넷(250) 사이의 거리를 조절 및 유지하기 위한 구성으로, 본 발명에서는 수동식 뿐 아니라 자동식으로 구성될 수도 있다.The gap adjusting means is configured to adjust and maintain the distance between the target 220 and the magnet 250, in the present invention may be configured as well as manual.

먼저, 수동식 간격조절수단에 대하여 설명한다.First, the manual spacing adjusting means will be described.

수동식의 경우, 상기 간격조절수단은 상기 요크(280)를 전후 방향으로 이동시킬 수 있는 손잡이(230)로 구성된다.In the case of manual, the gap adjusting means is composed of a handle 230 that can move the yoke 280 in the front-rear direction.

구체적으로, 상기 손잡이(230)는 상기 몸체(210)에 형성된 장착공(213)에 나사 결합되어 삽입 및 인출된다. 이를 위하여, 상기 손잡이(230)의 삽입 부위의 외주면과 상기 장착공(213)의 내주면에는 수나사산과 암나사산이 각각 형성된다.Specifically, the handle 230 is screwed into the mounting hole 213 formed in the body 210 is inserted and withdrawn. To this end, male threads and female threads are formed on the outer circumferential surface of the insertion portion of the handle 230 and the inner circumferential surface of the mounting hole 213, respectively.

한편, 상기 손잡이(230)의 회전에 따라 상기 요크(280)를 전후 방향으로 이동시킬 수 있도록 상기 손잡이(230)의 선단부는 상기 요크(280)의 후단부에 회전 가능하게 결합된다.On the other hand, the front end of the handle 230 is rotatably coupled to the rear end of the yoke 280 to move the yoke 280 in the front-rear direction as the handle 230 rotates.

따라서 사용자가 상기 손잡이(230)를 회전하면, 상기 요크(280)가 전방 또는 후방으로 이동함으로써 상기 마그넷(250)과 상기 타겟(220) 사이의 간격을 조절할 수 있게 된다. 여기서, 간격 조절을 미세하게 하고자 할 때에는 상기 나사산 사이의 간격을 좁게 형성하고, 간격 조절을 크게 하고자 할 때에는 상기 나사산 사이의 간격을 넓게 형성할 수 있다.Therefore, when the user rotates the handle 230, the yoke 280 is moved forward or rearward to adjust the distance between the magnet 250 and the target 220. Here, when the spacing is to be made fine, the spacing between the threads may be narrowed, and when the spacing is to be increased, the spacing between the threads may be wider.

다음, 자동식 간격조절수단에 대하여 설명한다.Next, the automatic gap adjusting means will be described.

자동식의 경우, 상기 간격조절수단은 센서, 피스톤, 제어부를 포함하여 구성될 수 있다.In the case of automatic, the gap adjusting means may be configured to include a sensor, a piston, a control unit.

상기 센서는 상기 타겟(220)의 소모량을 측정하기 위한 구성으로 소정의 위치에 설치된다. 본 발명에서 상기 센서의 종류나 개수는 특별히 제한되지 않으며 공지된 형태의 것을 필요에 따라 적어도 하나 이상 사용할 수 있다.The sensor is installed at a predetermined position in a configuration for measuring the consumption of the target 220. In the present invention, the type or number of the sensor is not particularly limited and may be used at least one known type if necessary.

상기 피스톤은 상기 요크(280)를 전후 방향으로 이동시키기 위한 수단으로, 상기 몸체(210)와 상기 요크(280) 사이에 양단부가 고정되어 설치된다.The piston is a means for moving the yoke 280 in the front-rear direction, and both ends are fixedly installed between the body 210 and the yoke 280.

상기 제어부는 상기 피스톤에 연결되며, 상기 센서에 의해 측정된 상기 타겟(220)의 소모량과 그에 따른 자기장을 계산하여 자기장의 변화를 최소화할 수 있는 방향으로 상기 피스톤을 압축 또는 팽창 제어한다.The control unit is connected to the piston, and the compression or expansion control of the piston in a direction that can minimize the change in the magnetic field by calculating the consumption amount and the magnetic field of the target 220 measured by the sensor.

이처럼 본 발명에서는 상기 손잡이(230)를 회전시키거나 자동화된 피스톤의 압축 및 팽창에 의해 상기 마그넷(250)과 상기 타겟(220) 사이의 거리를 조절하여 상기 타겟(220)의 표면 소모로 인한 자기장의 분포 변화를 최소화함으로써 타겟 소모량, 즉, 타겟 효율을 향상시킬 수 있다.As such, in the present invention, the magnetic field due to surface exhaustion of the target 220 is controlled by adjusting the distance between the magnet 250 and the target 220 by rotating the handle 230 or by the compression and expansion of the automated piston. By minimizing the change in the distribution of the target consumption, that is, the target efficiency can be improved.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 이용하여 자기장을 조절하는 모습을 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건의 타겟과 마그넷 사이의 거리에 따른 자기장의 개략적인 형태를 도시한 도면이다.3 is a view showing a state of controlling the magnetic field using the magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 4 is a magnetic field control of the sputtering deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention A schematic diagram of the magnetic field according to the distance between the target and the magnet of the cathode gun.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 타겟(220)의 소모에 따라 상기 손잡이(230, 자동식의 경우에는 피스톤을 의미함)를 이용하여 상기 요크(280)를 하방향으로 이동시키면 자기장의 분포가 일정하게 유지되어 상기 타겟(220)의 효율을 향상시킬 수 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, when the yoke 280 is moved downward by using the handle 230 (which means a piston in the case of automatic type) according to the consumption of the target 220, The distribution may be kept constant to improve the efficiency of the target 220.

도 5는 도 3에서 마그넷의 형태가 변형된 모습을 도시한 도면이다.FIG. 5 is a view illustrating a modified form of a magnet in FIG. 3.

도 5를 참고하면, 본 발명에서는 전술한 바와 같이 상기 마그넷(250)의 형태 및 개수를 제한하지 않으므로, 상기 타겟(220)의 효율을 높일 수 있다면 필요에 따라 다양하게 변형하여 사용할 수 있다.Referring to FIG. 5, the present invention does not limit the shape and number of the magnets 250 as described above. If the efficiency of the target 220 can be improved, various modifications may be made as necessary.

상술한 바와 같은 구성의 본 발명에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건은 소면적 내지 대면적 롤투롤(Roll To Roll), 배치(Batch), 인라인(Inline), 클러스터(Cluster) 형태의 고분자 또는 글라스 기지를 이용하여 박막을 제조하는 데 적용될 수 있다.The magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus according to the present invention having the above configuration has a small to large area roll to roll, batch, inline, cluster type polymer or It can be applied to make thin films using glass substrates.

또한, 본 발명에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 사용하면 박막 태양 전지, 터치 패널, 유기 발광 소자 등과 플라즈마 공정을 적용하는 모든 응용 소자의 제조가 가능하여 바람직하다.In addition, the use of the magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus according to the present invention is preferable because it is possible to manufacture all application devices applying the plasma process, such as thin film solar cells, touch panels, organic light emitting devices.

이상으로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참고하여 상세하게 설명하였다. 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Preferred embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the drawings. The description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention.

따라서 본 발명의 범위는 상술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위 에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미, 범위, 및 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the scope of the present invention is represented by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning, scope, and equivalent concept of the claims are included in the scope of the present invention. Should be interpreted as

도 1은 종래의 캐소드 건을 도시한 도면,1 shows a conventional cathode gun,

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 도시한 도면,2 is a view showing a magnetic field control cathode gun of a sputtering deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건을 이용하여 자기장을 조절하는 모습을 도시한 도면,3 is a view showing a state of controlling the magnetic field using the magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건의 타겟과 마그넷 사이의 거리에 따른 자기장의 개략적인 형태를 도시한 도면,4 is a view showing a schematic form of the magnetic field according to the distance between the target and the magnet of the magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,

도 5는 도 3에서 마그넷의 형태가 변형된 모습을 도시한 도면.FIG. 5 is a view illustrating a modified form of a magnet in FIG. 3.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

200 : 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건200: magnetic field control cathode gun of the sputter deposition apparatus

210 : 몸체 211 : 냉각라인210: body 211: cooling line

212 : 클램프 213 : 장착공212: clamp 213: mounting hole

220 : 타겟 230 : 손잡이220: target 230: handle

240 : 백 플레이트 250 : 마그넷240: back plate 250: magnet

260 : 절연부 270 : 하우징260: insulation 270: housing

280 : 요크 290 : 가이드 실드280: York 290: guide shield

Claims (8)

스퍼터링 증착을 위해 플라즈마를 발생시키는 캐소드 건에 있어서,In a cathode gun that generates a plasma for sputter deposition, 몸체와;A body; 상기 몸체의 전방에 설치되는 요크와;A yoke installed in front of the body; 상기 요크의 표면에 장착되는 마그넷과;A magnet mounted to a surface of the yoke; 상기 마그넷의 전방에 위치하도록 상기 몸체에 고정 설치되는 타겟과;A target fixed to the body to be positioned in front of the magnet; 상기 타겟의 양측에 설치되는 가이드 실드와;Guide shields provided at both sides of the target; 상기 가이드 실드와 상기 타겟 사이에 설치되는 절연부; 및An insulation part installed between the guide shield and the target; And 상기 타겟과 상기 마그넷 사이의 거리를 조절하는 간격조절수단;A gap adjusting means for adjusting a distance between the target and the magnet; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.Magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 간격조절수단은,The gap adjusting means, 상기 몸체에 형성되는 장착공에 나사 결합되어 삽입 및 인출되되, 선단부는 상기 요크의 후단부에 회전 가능하게 결합되는 손잡이인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.The magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus, characterized in that the screw is coupled to the mounting hole formed in the body is inserted and withdrawn, the front end is a handle rotatably coupled to the rear end of the yoke. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 간격조절수단은,The gap adjusting means, 상기 타겟의 소모량을 측정하는 센서와;A sensor for measuring a consumption amount of the target; 상기 몸체와 상기 요크에 양단부가 고정 설치되는 피스톤; 및A piston having both ends fixed to the body and the yoke; And 상기 센서에 의해 측정된 데이터를 이용하여 상기 피스톤의 압축 및 팽창을 조절하는 제어부;A control unit for adjusting the compression and expansion of the piston by using the data measured by the sensor; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.Magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마그넷은 다각형의 단면 형상을 가지며, 적어도 하나 이상 장착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.The magnet has a polygonal cross-sectional shape, and at least one magnetic field control cathode gun of the sputter deposition apparatus characterized in that mounted. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마그넷은 적어도 일측이 라운드진 단면 형상을 가지며, 적어도 하나 이상 장착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.The magnet has a rounded cross-sectional shape of at least one side, and at least one magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus, characterized in that mounted. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 타겟은 상기 몸체의 양측에 형성된 클램프 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.The target is a magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus, characterized in that installed between the clamp formed on both sides of the body. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건은,Magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus, 상기 타겟과 상기 마그넷 사이에 설치되는 백 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.The magnetic field control cathode gun of the sputter deposition apparatus further comprises a back plate installed between the target and the magnet. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건은,Magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus, 상기 절연부의 외측에 설치되는 하우징을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 증착장치의 자기장 조절 캐소드 건.Magnetic field control cathode gun of the sputtering deposition apparatus further comprises a housing installed outside the insulator.
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KR20230067714A (en) * 2019-11-04 2023-05-16 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. Physical vapor deposition chamber and physical vapor deposition apparatus
KR20230069527A (en) 2021-11-12 2023-05-19 주식회사 티에이치시스템 A Sputtering Device Applied Magnetic Fields Controlling Technique

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