KR101226478B1

KR101226478B1 - Sputtering mask and sputtering apparatus using the same

Info

Publication number: KR101226478B1
Application number: KR1020110010002A
Authority: KR
Inventors: 유환규; 박영택
Original assignee: (주)이루자
Priority date: 2011-02-01
Filing date: 2011-02-01
Publication date: 2013-01-25
Also published as: KR20120088981A

Abstract

본 발명은 스퍼터링 마스크 및 이를 이용한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 공정챔버 내에서 성막이 수행되는 기판의 특정 부분에 성막이 이루어지도록 마스킹하는 스퍼터링 마스크에 있어서, 그 단면이 'ㄴ'자 형상을 가지는 마스크; 및 상기 마스크의 저면에 수직으로 돌출형성되는 지지바를 포함하되, 상기 마스크의 저면 끝단은 상기 기판방향으로 굽어형성되어 있는 스퍼터링 마스크를 제공한다.The present invention relates to a sputtering mask and a sputtering apparatus using the same.
According to an embodiment of the present invention, a sputtering mask for masking a film is formed on a specific portion of a substrate on which a film is formed in a process chamber, the mask having a cross-section of a 'b'shape; And a support bar protruding perpendicular to the bottom of the mask, wherein the bottom end of the mask provides a sputtering mask that is bent toward the substrate.

Description

Sputtering mask and the sputtering apparatus using the same TECHNICAL FIELD

본 발명은 스퍼터링 마스크 및 이를 이용한 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a sputtering mask and a sputtering apparatus using the same.

통상 스퍼터링(Sputtering) 장치는 플라즈마를 이용하여 아르곤(Ar) 이온을 가속시켜 이온을 타겟에 충돌하게 하여 기판에 타겟 물질을 성막하는 장치이다.In general, a sputtering device is a device for depositing a target material on a substrate by accelerating argon (Ar) ions using plasma to cause ions to collide with the target.

상기 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 공정은 고온에서 진행되는 화학증착장치에 비해 기판을 약 300도 이하의 저온으로 유지하면서 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다. 이러한 스퍼터링 장치는 비교적 간단한 구조로 짧은 시간에 증착막을 형성할 수 있기 때문에 액정표시장치, 유기 전계발광소자 등의 평판표시소자에 널리 이용되고 있다.The sputtering process using the sputtering device has an advantage of forming a thin film while maintaining the substrate at a low temperature of about 300 degrees or less, compared to a chemical vapor deposition apparatus that proceeds at a high temperature. Such sputtering apparatuses are widely used in flat panel display devices such as liquid crystal display devices and organic electroluminescent devices because they can form a deposition film in a short time with a relatively simple structure.

상기 스퍼터링 장치는 챔버 내에 구비된 타겟부와 기판부를 각각 전원의 음극단(cathode)과 양극단(anode)에 연결하고, 상기 음극단 및 양극단에 직류 혹은 교류 전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟에서 전자가 발생되고 이 전자들은 양극단으로 가속된다.The sputtering apparatus connects the target portion and the substrate portion provided in the chamber to the cathode and anode ends of the power supply, respectively, and when direct current or alternating current is applied to the cathode and anode ends, an electron is applied to the target. Is generated and these electrons are accelerated to the extreme ends.

이때, 가속 전자들이 챔버에 공급된 불활성가스와 충돌하여 가스가 이온화되며, 상기 불활성 가스의 양이온은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 타겟과 충돌하여 타겟 표면에서 타겟 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상이 발생된다.At this time, the accelerating electrons collide with the inert gas supplied to the chamber, and the gas is ionized. The cation of the inert gas collides with the target connected to the cathode by the action of an electric field, thereby causing a sputtering phenomenon in which target atoms are released from the target surface. .

한편, 상기 타겟에서 방출되어 양극단으로 가속되는 전자는 중성원자와 충돌하여 여기되고 이때 플라즈마가 발생한다. 플라즈마는 외부의 전위가 유지되고 전자가 계속 발생할 경우 유지된다. 또한, 이렇게 이탈된 타겟 원자들은 기판부에 형성됨으로써 소정의 물질이 기판 상에 증착되는 것이다. On the other hand, electrons emitted from the target and accelerated to the anode end are excited by collision with neutral atoms, and plasma is generated at this time. The plasma is maintained when an external potential is maintained and electrons continue to occur. In addition, the separated target atoms are formed in the substrate to deposit a predetermined material on the substrate.

도 1은 종래 기술에 따른 캐리어의 구조를 나타내는 도면이고, 도 2a 내지 2c는 도 1의 캐리어 상에 마스크가 마스킹되는 상태를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a structure of a carrier according to the prior art, Figures 2a to 2c is a view showing a state in which a mask is masked on the carrier of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 캐리어(Carrier)(10)에 기판(20)이 탑재되어 클램프(13)를 이용하여 안전하게 캐리어(10)에 안착이 되도록 구성되어 있다. 이때, 상기 캐리어(10)는 캐리어 베이스(11), 글래스 베이스(12) 및 클램프(13)로 이루어져 있다.As shown in FIG. 1, the substrate 20 is mounted on a carrier 10 according to the prior art, and is configured to be securely mounted to the carrier 10 using the clamp 13. At this time, the carrier 10 is composed of a carrier base 11, glass base 12 and the clamp (13).

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(20)이 탑재된 캐리어(10)는 스퍼터링 장치 내에 프로세스 챔버(Process Chamber)로 이송되고, 상기 캐리어(10) 앞으로 마스크(30)가 이동하여 기판을 제외한 나머지 부분을 가린 상태에서 캐소드(Cathode)에서 방전이 개시되고, 기판(20) 위에 성막이 진행된다. As shown in FIG. 2A, the carrier 10 on which the substrate 20 is mounted is transferred to a process chamber in a sputtering apparatus, and the mask 30 moves in front of the carrier 10 to exclude the substrate. In the state where the part is covered, the discharge is started at the cathode, and the film formation proceeds on the substrate 20.

이때, 도 2b에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 장치에서 성막이 진행되는 동안 타겟(Target)(미도시)으로부터 스퍼터링된 입자는 기판(20) 및 기판주변까지 이동될 수 있다. 또한, 기판 주변부에 성막된 층은 시간이 지나면서 박리가 진행되고, 박리된 물질들은 성막이 진행되는 동안 기판(20) 위에 떨어지게 된다. 이때, 기판(20)에 떨어진 파티클 소스(particle source)(40)들은 성막 불량으로 작용하게 되어 수율 저하, 성막 특성 저하를 가져오게 되는 문제점이 있었다.In this case, as shown in FIG. 2B, the particles sputtered from a target (not shown) may be moved to the substrate 20 and the periphery of the substrate during film formation in the sputtering apparatus. In addition, the layer formed on the periphery of the substrate is peeled off over time, and the peeled materials fall on the substrate 20 during the film formation. In this case, the particle sources 40 dropped on the substrate 20 may act as poor film formation, resulting in lower yield and lower film formation characteristics.

또한, 이러한 파티클 소스(40)가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 캐리어(10)의 상면 상에 캐리어 쉴드(41)를 형성하기도 한다. 그러나, 스퍼터링 장치를 운용하다가 정기적으로 장비를 멈추고, 상기 캐리어 쉴드(41)를 교환을 해주어야 하고, 그 교환주기가 타겟이나 마스크의 교환주기보다 더 짧아 공정에 많은 불편을 초래한다는 문제점이 있었다. 특히, 상기 캐리어 쉴드(41)로도 100%성막된 물질을 막을 수가 없기 때문에, 정기적으로 캐리어(10)도 세정을 위해 교환을 해야 하는 문제점이 있다.In addition, in order to prevent the particle source 40 from occurring, as shown in FIG. 2C, a carrier shield 41 may be formed on the upper surface of the carrier 10. However, while operating the sputtering apparatus, the equipment is regularly stopped and the carrier shield 41 needs to be replaced, and the replacement cycle is shorter than the replacement cycle of the target or mask, causing a lot of inconvenience in the process. In particular, since the carrier shield 41 cannot block 100% of the material formed, there is a problem in that the carrier 10 must be replaced periodically for cleaning.

또한, 이로 인하여 스퍼터링 장치를 운용하기 위해 상기 캐리어(10)의 개수를 필요 개수보다 많이 스페어로 준비해야 하는 부담이 있다.
In addition, due to this, there is a burden of preparing the spare number more than the required number of spare carriers in order to operate the sputtering apparatus.

본 발명의 일 실시예는, 기판을 이송하는 캐리어의 표면에 타겟 물질이 성막되지 않도록 캐리어와 마스크를 설계하는 것에 의하여, 성막 불량을 최소화할 수 있는 스퍼터링 마스크 및 스퍼터링 장치를 제공한다.One embodiment of the present invention provides a sputtering mask and a sputtering apparatus which can minimize deposition defects by designing a carrier and a mask so that a target material is not deposited on a surface of a carrier for transporting a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예는, 캐리어 표면에 쉴드를 설치해야하는 기존의 스퍼터링 장치에 비하여 간단한 구조를 가지고, 나아가 가동율이 향상될 수 있는 스퍼터링 장치를 제공한다.
In addition, an embodiment of the present invention provides a sputtering device having a simple structure, and further improves the operation rate, as compared with the existing sputtering device, which must install a shield on the carrier surface.

본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 마스크는, 공정챔버 내에서 성막이 수행되는 기판의 특정 부분에 성막이 이루어지도록 마스킹하는 스퍼터링 마스크에 있어서, 그 단면이 'ㄴ'자 형상을 가지는 마스크; 및 상기 마스크의 저면에 수직으로 돌출형성되는 지지바를 포함하되, 상기 마스크의 저면 끝단은 상기 기판방향으로 굽어형성되어 있다.According to an embodiment of the present invention, a sputtering mask may include: a sputtering mask for masking a film to be formed on a specific portion of a substrate on which a film is to be formed in a process chamber, the mask having a 'b' shape in cross section; And a support bar protruding perpendicular to the bottom of the mask, wherein the bottom end of the mask is bent toward the substrate.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 스퍼터링 장치는, 공정챔버 내에서 성막이 수행되는 기판과, 상기 기판을 상기 공정챔버 내로 이송하는 캐리어를 포함하는 기판부; 상기 기판 상에 성막되는 물질이 재료가 되는 타겟부; 및 상기 기판의 특정 부분에 성막이 이루어지도록 마스킹하는 마스크가 구비된 마스킹부를 포함하고, 상기 마스킹부는, 그 단면이 'ㄴ'자 형상을 가지는 마스크와, 상기 마스크의 저면에 상기 캐리어와 기판 사이에 삽입되도록 수직으로 돌출형성되는 지지바를 포함하되, 상기 마스크의 저면 끝단은 상기 기판방향으로 굽어형성되어 있다.In addition, the sputtering apparatus according to another embodiment of the present invention, a substrate portion including a substrate to be formed in the process chamber and the carrier for transporting the substrate into the process chamber; A target portion of which a material deposited on the substrate is a material; And a masking part including a mask for masking a film to be formed on a specific portion of the substrate, wherein the masking part includes a mask having a 'b' shape in cross section, and a bottom surface of the mask between the carrier and the substrate. And a support bar protruding vertically to be inserted, wherein the bottom end of the mask is bent toward the substrate.

상기 캐리어는 상기 기판이 끼워지는 안착홈이 형성되어 있는 클램핑부를 포함한다.The carrier includes a clamping portion in which a mounting groove into which the substrate is inserted is formed.

상기 클램핑부의 외측 모서리이고, 또한 상기 기판 방향으로의 끝단은 모따기 처리되어 있다.It is an outer edge of the clamping portion, and an end in the substrate direction is chamfered.

상기 클램핑부의 너비는 10mm 내지 100mm이다.The width of the clamping portion is 10mm to 100mm.

상기 마스크를 이동시키는 마스크 이동수단이 더 구비된다.Mask moving means for moving the mask is further provided.

상기 마스크 이동수단은 상기 마스크를 이동시키는 모터와, 상기 모터에 연결되어 상기 마스크의 이동을 제어하는 제어부를 더 포함한다.
The mask moving unit further includes a motor for moving the mask and a control unit connected to the motor to control the movement of the mask.

본 발명에 의하면, 기판을 이송하는 캐리어의 표면에 타겟 물질이 성막되지 않도록 캐리어와 마스크를 설계하고 있기 때문에, 성막 불량을 최소화할 수 있다. According to the present invention, since the carrier and the mask are designed so that the target material is not formed on the surface of the carrier for transporting the substrate, film formation defects can be minimized.

또한, 본 발명에 의하면, 캐리어 표면에 쉴드를 설치해야하는 기존의 스퍼터링 장치에 비하여 간단한 구조를 가지고, 나아가 가동율이 향상될 수 있다.
In addition, according to the present invention, it has a simple structure compared to the existing sputtering apparatus that must install the shield on the carrier surface, and furthermore, the operation rate can be improved.

도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터용 캐리어의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2a 내지 2c는 도 1의 스퍼터용 캐리어 상에 마스크가 마스킹되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 스퍼터링 마스크와 이를 이용한 스퍼터링 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 스퍼터링 장치의 정면도이다.
도 5a 및 5b는 도 3의 스퍼터링 장치에 스퍼터링 마스크가 마스킹되는 상태를 나타내는 도면이다.1 is a view showing the structure of a carrier for sputtering according to the prior art.
2A to 2C are views illustrating a state in which a mask is masked on the carrier for the sputter of FIG. 1.
3 is a view showing the configuration of a sputtering mask and a sputtering apparatus using the same according to the present invention.
4 is a front view of the sputtering apparatus of FIG. 3.
5A and 5B are views illustrating a state in which a sputtering mask is masked on the sputtering apparatus of FIG. 3.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 스퍼터링 마스크와 이를 이용한 스퍼터링 장치의 구성을 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3의 스퍼터링 장치의 정면도이다. 3 is a view showing the configuration of a sputtering mask and a sputtering apparatus using the same according to the present invention, Figure 4 is a front view of the sputtering apparatus of FIG.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 마스크와 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치는 설명의 편의를 위하여 이를 하나의 도면으로 도시하여 설명하기로 한다.On the other hand, the sputtering mask according to an embodiment of the present invention and the sputtering apparatus according to another embodiment will be described by showing this as one drawing for convenience of description.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치로 이송되는 캐리어의 상면을 마스킹하는 마스크는, 공정챔버 내에서 성막이 수행되는 기판의 특정 부분에 성막이 이루어지도록 마스킹하는 스퍼터링 마스크이다.3 and 4, the mask for masking the upper surface of the carrier to be transferred to the sputtering apparatus according to the present invention, a sputtering mask for masking the film is formed on a specific portion of the substrate to be formed in the process chamber to be.

이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 마스크(130)는, 그 단면이 'ㄴ'자 형상을 가지는 마스크(131)와, 상기 마스크(131)의 저면(135)에 수직으로 돌출형성되는 지지바(133)를 포함한다.The sputtering mask 130 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a mask 131 having a cross-sectional shape of 'b' and a support bar protruding perpendicular to the bottom surface 135 of the mask 131. 133.

여기서, 상기 마스크(131)의 저면 끝단(132)은 상기 기판(110)방향으로 굽어형성되어 있다. Here, the bottom end 132 of the mask 131 is bent in the direction of the substrate 110.

본 발명은, 상기 지지바(133)가 상기 기판(110)과 상기 캐리어(120) 사이에 삽입되도록 하여 상기 마스크(131)의 저면(135)과 상기 캐리어(120)의 표면의 간격을 줄여줄 수 있기 때문에, 상기 캐리어(120)의 표면으로 타겟 물질이 유입되는 것을 최대한 억제시킬 수 있다.The present invention allows the support bar 133 to be inserted between the substrate 110 and the carrier 120 to reduce the gap between the bottom surface 135 of the mask 131 and the surface of the carrier 120. In this case, the target material may be minimized from flowing into the surface of the carrier 120.

나아가, 상기 마스크(131)의 저면 끝단(132)을 상기 기판(110)방향으로 굽어형성, 즉 모따기를 하여 상기 기판(110)을 잡아주는 클램프(121)를 감쌀 수 있도록 설계함으로써, 상기 캐리어(120)의 표면으로 타겟 물질이 유입되는 것을 더욱 억제시킬 수 있다.Furthermore, the bottom end 132 of the mask 131 is bent in the direction of the substrate 110, that is, it is designed to wrap the clamp 121 holding the substrate 110 by chamfering the carrier ( The introduction of the target material to the surface of the 120 may be further suppressed.

상기와 같이 구성된 스퍼터링 마스크(130)를 이용하여 성막공정시 상기 캐리어(120)의 표면에 성막되지 않도록 할 수 있기 때문에, 성막불량을 최소화할 수 있다.Since the sputtering mask 130 configured as described above can be prevented from being formed on the surface of the carrier 120 during the film forming process, film deposition defects can be minimized.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 스퍼터링 마스크(130)를 이용한 스퍼터링 장치(100)는, 기판부(110, 120)와, 타겟부(140) 및 마스킹부(130)를 포함한다.In addition, the sputtering apparatus 100 using the sputtering mask 130 according to another embodiment of the present invention, the substrate portion 110, 120, the target portion 140 and the masking portion 130.

상기 기판부(110, 120)는, 공정챔버 내에서 스퍼터링 공정에 의하여 성막이 수행되는 기판(110)과, 상기 기판(110)을 지지함과 동시에 상기 공정챔버 내로 이송하는 캐리어(120)로 이루어진다. The substrates 110 and 120 may include a substrate 110 in which a film is formed by a sputtering process in a process chamber, and a carrier 120 supporting the substrate 110 and being transferred into the process chamber. .

여기서, 도시되어 있지는 않지만, 상기 기판(110)과 상기 캐리어(120) 사이에는 양극단(anode)이 구비된다.Although not shown, an anode is provided between the substrate 110 and the carrier 120.

상기 캐리어(120)는 상기 기판(110)이 끼워지는 안착홈(123)이 형성되어 있는 클램핑부(121)와, 캐리어 이동수단(134)에 연결되어 상기 클램핑부(121)를 지지하는 캐리어베이스부(124)를 포함한다. The carrier 120 includes a clamping part 121 having a seating groove 123 into which the substrate 110 is fitted, and a carrier base connected to the carrier moving means 134 to support the clamping part 121. Part 124 is included.

이때, 상기 클램핑부(121)의 너비(G2), 즉 상기 기판(110)이 안착되는 안착홈(123)과 상기 캐리어베이스부(124)사이의 너비는 10mm 내지 100mm로 설계되는 것이 바람직하다. In this case, the width G2 of the clamping part 121, that is, the width between the mounting groove 123 on which the substrate 110 is seated and the carrier base part 124 is preferably designed to be 10 mm to 100 mm.

상기 클램핑부(121)의 외측 모서리이고, 또한 상기 기판(110) 방향으로의 끝단(122)은 모따기 처리되어 있다. An outer edge of the clamping part 121 and an end 122 in the direction of the substrate 110 are chamfered.

상기 모따기 처리되어 있는 클램핑부(121)의 끝단은 상기 기판(110)방향으로 굽어형성되어 있는 마스크(130)의 저면 끝단(132)의 하부에 위치되어 가려지게 된다.The end of the clamping part 121 that is chamfered is positioned below the bottom end 132 of the mask 130 which is bent toward the substrate 110.

상기 타겟부(140)는, 도시되어 있지는 않지만, 후면판과 타겟으로 이루어진다.Although not shown, the target unit 140 includes a rear plate and a target.

또한, 상기 후면판 뒤에는 자석이 구비될 수 있는데, 이러한 자석은 플라즈마(plasma)에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위하여 자기장을 인가하는 역할을 한다. In addition, a magnet may be provided behind the rear plate, and the magnet serves to apply a magnetic field to prevent electrons generated from plasma from escaping to another part of the sputtering device.

또한, 상기 후면판은 스퍼터링에 의하여 기판에 증착되는 물질인 타겟을 고정하게 된다. 한편, 상기 타겟과 후면판 사이에는 음극단(Cathode)이 구비된다.In addition, the back plate is fixed to the target which is a material deposited on the substrate by sputtering. On the other hand, between the target and the back plate is provided with a cathode (Cathode).

상기 마스킹부(130)는, 그 단면이 'ㄴ'자 형상을 가지는 마스크(131)와, 상기 마스크(131)의 저면(135)에 상기 캐리어(120)와 기판(110) 사이에 삽입되도록 수직으로 돌출형성되는 지지바(133)를 포함하되, 상기 마스크(130)의 저면 끝단(132)은 상기 기판(110)방향으로 굽어형성되어 있다.The masking part 130 is perpendicular to a mask 131 having a cross-sectional shape of 'b' and inserted between the carrier 120 and the substrate 110 in the bottom surface 135 of the mask 131. Including a support bar 133 protruding to the lower end 132 of the mask 130 is bent in the direction of the substrate 110.

또한, 상기 마스크(130)를 이동시키는 마스크 이동수단(134)이 더 구비된다. 여기서, 상기 마스크 이동수단(134)은 상기 마스크(130)를 이동시키는 모터(미도시)와, 상기 모터에 연결되어 상기 마스크(130)의 이동을 제어하는 제어부(미도시)를 더 포함한다.In addition, a mask moving means 134 for moving the mask 130 is further provided. Here, the mask moving means 134 further includes a motor (not shown) for moving the mask 130, and a controller (not shown) connected to the motor to control the movement of the mask 130.

이때, 상기 마스크(130)가 상기 마스크 이동수단(134)에 의하여 이동되어 상기 캐리어(120)에 장착된 상태에서, 상기 마스크(130)의 저면(135)과 상기 캐리어(120)의 상면과의 간격(G1)은 약간 이격되더라도 상기 마스크(130)의 저면 끝단(132)에 의하여 가려지게 되는 것이다. 따라서, 상기 기판(110) 상에 성막공정이 수행되더라도 상기 마스크(130)의 저면(135)과 상기 캐리어(120)의 상면과의 사이에는 타겟 물질이 성막되지 않게 된다.At this time, the mask 130 is moved by the mask moving means 134 and mounted on the carrier 120, the bottom surface 135 of the mask 130 and the upper surface of the carrier 120. The gap G1 is covered by the bottom end 132 of the mask 130 even though it is slightly spaced apart. Therefore, even when the deposition process is performed on the substrate 110, the target material is not deposited between the bottom surface 135 of the mask 130 and the top surface of the carrier 120.

이에 따라, 기존의 스퍼터링 장치에서의 문제점인 상기 기판(110)과 마스크(130) 사이의 간격으로 인하여 발생되는 성막불량을 방지할 수 있게 되고, 결과적으로 성막불량으로 인한 상기 캐리어(120)의 교환 등이 필요없게 되므로, 제품 수율이 향상되고, 또한 스퍼터링 장치의 가동효율이 상승하게 된다.As a result, it is possible to prevent a deposition failure caused by the gap between the substrate 110 and the mask 130, which is a problem in the conventional sputtering apparatus, and as a result, exchange of the carrier 120 due to deposition failure. Since it is not necessary, the yield of the product is improved, and the operation efficiency of the sputtering device is increased.

한편, 상기와 같이 구성된 본 스퍼터링 장치는 클러스터 타입의 스퍼터링 장치와 인라인 타입의 스퍼터링 장치에 모두 적용될 수 있다.
Meanwhile, the sputtering apparatus configured as described above may be applied to both a cluster type sputtering apparatus and an inline type sputtering apparatus.

도 5a 및 5b는 도 3의 스퍼터링 장치에 스퍼터링 마스크가 마스킹되는 상태를 나타내는 도면이다.5A and 5B are views illustrating a state in which a sputtering mask is masked on the sputtering apparatus of FIG. 3.

도 5a 및 5b에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버 내로 이송된 캐리어(120)의 테두리 상에 스퍼터링 마스크(130)를 위치시킨 다음, 상기 스퍼터링 마스크(130)의 지지바(133)가 상기 기판(110)과 상기 캐리어(120) 사이로 끼워지게 된다.5A and 5B, the sputtering mask 130 is positioned on the edge of the carrier 120 transferred into the process chamber, and then the support bar 133 of the sputtering mask 130 is moved to the substrate ( It is fitted between the 110 and the carrier 120.

상기와 같이 상기 스퍼터링 마스크(130)가 이동된 상태에서 성막공정이 수행되어 상기 기판(110) 상에 타겟 물질이 성막된 다음에, 상기 스퍼터링 마스크(130)를 상기 기판(110)으로부터 멀어지게 하고, 상기 캐리어(120)를 스퍼터링 장치 밖으로 이송되면 성막공정이 완료되게 된다. As described above, a deposition process is performed while the sputtering mask 130 is moved to deposit a target material on the substrate 110, and then move the sputtering mask 130 away from the substrate 110. When the carrier 120 is transferred out of the sputtering apparatus, the film forming process is completed.

상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면, 기판(110)을 이송하는 캐리어(120)의 표면에 타겟 물질이 성막되지 않도록 캐리어(120)와 마스크(130)를 설계하고 있기 때문에, 성막 불량을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 캐리어(120)의 표면에 쉴드를 설치해야하는 기존의 스퍼터링 장치에 비하여 간단한 구조를 가지고, 나아가 가동율이 향상될 수 있다.
According to the present invention configured as described above, since the carrier 120 and the mask 130 are designed so that the target material is not deposited on the surface of the carrier 120 for transporting the substrate 110, film deposition defects can be minimized. have. In addition, according to the present invention, it has a simple structure compared to the existing sputtering device that must be provided with a shield on the surface of the carrier 120, and furthermore the operation rate can be improved.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 스퍼터링 마스크 및 이를 이용한 스퍼터링 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
What has been described above is only one embodiment for carrying out the sputtering mask and the sputtering apparatus using the same according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims Without departing from the gist of the invention, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

100: 스퍼터링 장치 110: 기판
120: 캐리어 121: 클램핑부
122: 클램핑부의 끝단 123: 안착홈
124: 캐리어베이스부 130: 마스킹부
131: 마스크 132: 마스크의 저면 끝단
133: 지지바 134: 마스크 이동수단
135: 마스크의 저면 140: 타겟부100: sputtering device 110: substrate
120: carrier 121: clamping part
122: end of the clamping portion 123: seating groove
124: carrier base portion 130: masking portion
131: mask 132: bottom end of the mask
133: support bar 134: mask moving means
135: bottom of mask 140: target portion

Claims

In the sputtering mask for masking the film to be formed on a specific portion of the substrate to be formed in the process chamber,
A mask whose cross section has a 'b'shape; And
It includes a support bar protruding perpendicular to the bottom of the mask,
A sputtering mask, characterized in that the bottom end of the mask is bent in the direction of the substrate.

A substrate portion including a substrate on which a film is formed in a process chamber and a carrier for transferring the substrate into the process chamber;
A target portion of which a material deposited on the substrate is a material; And
It includes a masking portion having a mask for masking the film formation on a specific portion of the substrate,
The masking part may include a mask having a cross-section 'b' shape and a support bar protruding vertically to be inserted between the carrier and the substrate on a bottom surface of the mask,
A sputtering device, characterized in that the bottom end of the mask is bent toward the substrate.

The method of claim 2,
The carrier is a sputtering apparatus, characterized in that it comprises a clamping portion is formed with a mounting groove to which the substrate is fitted.

The method of claim 3,
A sputtering apparatus, characterized in that it is an outer edge of the clamping portion and an end in the substrate direction is chamfered.

5. The method of claim 4,
Sputtering apparatus, characterized in that the clamping portion has a width of 10mm to 100mm.

The method of claim 2,
Sputtering apparatus, characterized in that further provided with a mask moving means for moving the mask.

The method according to claim 6,
The mask moving means further comprises a motor for moving the mask, and a control unit connected to the motor to control the movement of the mask.