KR101131725B1 - 신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법 - Google Patents

신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 출발물질로 하여 고체상 합성 반응을 통해 입체 활성적인 고립 전자쌍에 의한 비대칭 배위환경에 존재하는 Sb3+ 양이온을 포함하되, 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체로 구성된 2차원 층상 구조를 가지고 있고, 이러한 할로겐 친화성과 구리 친화성 모이에티가 서로 분리되어 있는 신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드를 제공한다.

Description

신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법{Novel antimony zinc oxychloride material, Sb2ZnO3Cl2 and synthesis thereof}
본 발명은 신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 출발물질로 하여 고체상 합성 반응을 통해 입체 활성적인 고립 전자쌍에 의한 비대칭 배위환경에 존재하는 Sb3+ 양이온을 포함하되, 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체로 구성된 2차원 층상 구조를 가지고 있고, 이러한 할로겐 친화성과 구리 친화성 모이에티가 서로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 신규한 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
고립 전자쌍, 예를 들어, Pb2+, Sb3+, Te4+, I5+ 를 포함하는 물질들은 2차 고조파발생(second-harmonic generation, SHG), 압전성(piezoelectricity), 초전성(pyroelectricity), 및 강유전성(ferroelectricity) 등의 특이한 기능적 특성으로 인해 큰 주목을 끌어왔다. 기술적으로 중요한 이러한 소재로서의 특성들은 입체 활성적(stereo-active)인 결합되지 않은 전자쌍의 고유의 비대칭 배위환경에서 쉽게 생성될 수 있는 결정학상의 비중심대칭(noncentrosymmetry, NCS)과 관련되어 있다. 상기 고립 전자쌍은 s-p 혼합 시 최고점유궤도함수(highest occupied(HOMO) s-orbital)와 최소비점유궤도함수(lowest unoccupied(LUMO) p-orbital) 간의 에너지를 감소시키는 second-order Jahn-Teller (SOJT) 뒤틀림의 결과인 것으로 간주되었다. 또한, 고립 전자쌍 양이온을 갖는 물질들은 다양한 배위환경을 취할 수 있는 풍부한 구조 화학을 나타냈다. 고립 전자쌍 양이온의 다양한 기하학이 전이금속 양이온과 할로겐 원소의 다면체와 추가로 조합될 경우 많은 흥미 있는 골격 구조물이 기대된다. 그러나, 이러한 조합은 종종 사슬 또는 층을 갖는 저차원 물질을 생성한다. 구리 친화성을 갖는 고립 전자쌍 양이온들은 산소와 결합하려는 경향이 있는 반면, 후전이금속들은 오히려 할로겐 원소와 배위결합한다. 이와 같이 할로겐 친화성과 구리 친화성 서브 구조들이 서로 완전히 분리되어 있어 물질의 전체 구조가 사슬 또는 층과 같은 저 차원을 형성하도록 한다. 그리하여, 고립 전자쌍 양이온과 할로겐 이온 둘 다 소위 "화학적 가위"라고 불린다.
금속-Sb3+-옥시클로라이드 시스템에서 보고된 금속 안티모니 옥시클로라이드로 CuSbTeO3Cl2, CuSb2O3Cl, Cu20Sb35O44Cl37, Hg12SbO6BrCl2, BaSbO2Cl, PbSbO2Cl, 및 Sb3TeO6Cl이 있다. 기대한대로 이들 물질들은 저차원 구조를 나타내나, 이들 모두 흥미 있는 구조적 특징들 및/또는 소재적 특성들을 나타냈다. 예를 들어, Cu20Sb35O44Cl37는 [Cu10Cl16]6- T3 초사면체(supertetrahedra)와 고립된 [Sb35Cl5O44]12+ 클러스터의 무한대 사슬로 구성되어 있고, 층상 형태의 CuSbTeO3Cl2에서는 자성 특성 및 전도성을 측정한 바 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 금속-Sb3+-옥시클로라이드 시스템에서 흥미 있는 구조적 및 소재적 특성을 갖는 새로운 조합의 안티모니 옥시클로라이드 화합물 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체를 포함하는 2차원 층상 구조를 갖는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물을 제공한다.
본 발명은 또한 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드로 혼합하거나, 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 혼합하여 고체상 합성 반응을 실시하는 단계를 포함하는 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 고체상 합성 반응을 통해 합성한 신규한 2차원 층상 구조의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드의 계산 및 관찰된 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드의 ORTEP (50% probability ellipsoids)도식도로, 상기 구조가 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 산소 원자에 의해 연결되는2개의 비대칭 SbO3 다면체로 이루어져 있음을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드에서 [010] 방향을 따라 형성된 SbO3 사슬(a)과 bc-plane에서 SbO3 다면체의 2차원 층(b)을 나타내는 공-막대 모형을 도시한 것으로, 상기 층 내에 6개로 이루어진 고리들이 있다(녹색, Sb; 적색, O).
도 4는 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드의 공-막대 모형과 다면체를 도시한 것으로, 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체는 [100] 방향을 따라 양쪽, 위 및 아래에서 Sb3+O3 층에 연결되어 Sb2ZnO3Cl2의 층상 구조를 완성한다(녹색, Sb; 청록색, Zn; 자주색, Cl; 적색, O).
도 5는 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드의 열중량 분석 데이터를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드의 IR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
이하, 본 발명의 구성을 구체적으로 설명한다.
본 발명은 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체를 포함하는 2차원 층상 구조를 갖는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물에 관한 것이다.
본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물은 안티모니 산화물 또는 염화산화물 및 징크 클로라이드 또는 징크 산화물의 고체상 합성 반응을 통해 금속-Sb3+-옥시클로라이드시스템에서 알려진 바 없는 새로운 Sb3+-Zn2+-O-Cl 조합의 안티모니 징크 옥시클로라이드로서 입체 활성적인 고립 전자쌍에 의한 비대칭 배위환경에 존재하는 Sb3+ 양이온을 포함하고 있다.
본 명세서에서 "고체상 합성 반응"이란 고체 화합물들을 용매 없이 혼합하여 고온으로 가열하여 합성하는 통상의 표준 고체상 합성 반응을 뜻하는 것이다.
본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물은 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체로 이루어진 2차원 층상 구조를 가지며, 보다 구체적으로, 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체가 산소 원자에 의해 2개의 비대칭 SbO3 다면체와 연결되어 있으며, ZnO2Cl2 사면체는 [100] 방향을 따라 양쪽, 위 및 아래에서 Sb3+O3 층에 연결되어 Sb2ZnO3Cl2의 층상 구조를 이루는 것을 특징으로 한다.
상기 할로겐 친화성 모이에티인 ZnO2Cl2 사면체와 구리 친화성 모이에티인 SbO3 다면체는 고립 전자쌍에 의해 서로 완전히 분리되어 있다.
상기 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물은 바람직하게는 Sb2ZnO3Cl2으로 표시될 수 있다.
또한, 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물은 상기 사방정계 공간군 Pnma (No. 62)에서 결정화되어 무색의 로드 결정 형태, 또는 밝은 회색의 분말 형태로 수득될 수 있다.
본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 결정 데이터는 다음과 같다:
사방정계, Pnma (No. 62) 공간군, a = 17.124(4) Å, b = 5.5598(12) Å, c = 6.4823(14) Å, V = 617.2(2), 및 Z = 4
본 발명의 일 구체예에 따르면, 상기 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물은 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체와 SbO3 다면체가 산소 원자를 통해 연결되어 있는 구조를 나타낸다. Zn2+ 양이온은 2개의 산소 및 2개의 염소 원자와 연결되어 있다. Zn-O 및 Zn-Cl의 결합거리는 각각 2.069(3) 및 2.244(2)-2.252(2) Å, O-Zn-O, O-Zn-Cl, 및 Cl-Zn-Cl 결합각은 각각 77.37(18)°, 106.73(11)°, 11.51(11)°, 및 130.35(10)°이다. 2개의 Sb3+ 양이온들은 3개의 산소 원자와 연결되어 있고, 고립 전자쌍에 의해 SbO3 다면체에서 국소 배위환경을 나타낸다. Sb-O 결합 길이는 1.936(6) 내지 2.017(3)Å이다. 3개의 배위된 비대칭 Sb(1)O3 및 Sb(2)O3 다면체는 [010] 방향을 따라 O(2)를 통해 그들의 모서리를 공유하고 있고, 1차원 사슬을 형성한다. SbO3 사슬은 또한 [100] 방향을 따라 O(1)에 의해 연결되어 있어 결과적으로 물결모양의 2차원 층상 구조를 형성한다. 또한, SbO3 다면체로만 구성된 6개로 이루어진 고리들이 층 내에서 관찰된다. 상기 6개로 이루어진 고리의 크기는 안티모니의 이온 반경을 고려하여 약 5.14 Å× 2.93 Å이다. ZnO2Cl2 사면체는 [100] 방향을 따라 양쪽, 위 및 아래에서 Sb3+O3 층에 연결되어 Sb2ZnO3Cl2의 층상 구조를 완성한다.
상기로부터 본 발명의 Sb2ZnO3Cl2는 {2[Sb3+O1/2O2/3]2/3+ [ZnO2/3Cl2/1]4/3-}0의 중성 층으로 이루어진 것으로 나타낼 수 있다.
또한, 고립 전자쌍 양이온인 Sb3+는 산소 리간드 만을 포함하고 있고, 염소 원자는 모두 Zn2+와 배위결합하고 있으며, 결합 밸런스는 Sb3+ 및 Zn2에 대해 각각 2.88-2.92 및 1.85 로 계산될 수 있다.
상기 Sb2ZnO3Cl2는 460℃에서 분해되고 공기 중에서 클로라이드 원자의 손실에 의해 분해산물은 ZnSb2O6 이다.
본 발명은 또한 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드로 혼합하거나, 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 혼합하여 고체상 합성 반응을 실시하는 단계를 포함하는 본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물은 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 화학양론적 함량으로 혼합하여 고체상 합성 반응을 통해 결정형태, 또는 분말로 수득할 수 있다.
상기 안티모니 산화물 또는 염화산화물로 Sb2O3, 또는 SbOCl 등을 사용할 수 있으나, 이에 특별히 제한하는 것은 아니다.
상기 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물은 불순물 생성을 줄이기 위해 화학양론적 함량으로 혼합하는데, 보다 구체적으로, 2 mmol의 Sb2O3 및 2 mmol의 ZnCl2 를 혼합하거나, 4 mmol의 SbOCl 및 2 mmol의 ZnO를 혼합할 수 있다.
상기 혼합은 아르곤 분위기 하에서 고체 분말을 마노유발 및 막자에서 혼합하는 것일 수 있으나, 이에 특별히 제한하는 것은 아니다.
상기 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물은 진공 밀봉하여 고체상 합성 반응을 실시함으로써 무색의 로드형 결정 형태, 또는 밝은 회색 분말의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물을 수득할 수 있다.
상기 고체상 합성 반응은
혼합물을 200 내지 250 ℃의 온도에서 3 내지 6 시간 동안 1차 가열하는 단계;
상기 혼합물을 330 내지 370 ℃의 온도에서 18 내지 24시간 동안 2차 가열하는 단계; 및
2차 가열한 혼합물을 0.1 내지 1℃/분의 속도로 실온까지 냉각하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<실시예 1> 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 합성
Sb2O3 (Alfa, 99.6%) 및 ZnCl2 (Aldrich, 98%)는 별도의 정제 과정 없이 구입한 대로 사용하고, 표준 고체상 반응 방법에 따라 Sb2ZnO3Cl2를 합성하였다. 아르곤 가스 분위기 하에서, 마노유발 및 막자에서 Sb2O3 (2 mmol) 및 ZnCl2 (2 mmol)를 화학량론적 함량으로 완전히 혼합하였다. 상기 반응 혼합물을 석영 튜브에 넣고, 진공 하에서 봉입하였다. 그 튜브는 점차적으로 가열하여 250℃에서 5시간 동안 가열하고 나서, 350℃에서 24시간 동안 가열하였다. 상기 튜브를 1 ℃/min의 속도로 실온으로 냉각하였다. 생성물은 무색 로드형 결정과 밝은 회색 분말의 Sb2ZnO3Cl2를 포함하였다.
최종 상들에 대한 분말 X-선 회절 패턴 분석 결과 각 물질이 단일 상이며, 이는 단결정 데이터에서 얻은 패턴과 일치하였다(도 1).
(특성규명)
분말 XRD 패턴은 실온, 35 kV 및 30 mA 조건에서 Cu Ka radiation을 이용하여 SCINTAG XDS2000 diffractometer에서 수집하였다. 다결정 시료는 글라스 시료 홀더 상에서 고정하고, 2θ 범위 5-70°, 스텝 사이즈 0.02°, 및 스텝 시간 1초의 조건에서 스캐닝하였다.
열중량 분석은 Setaram LABSYS TG-DTA/DSC Thermogravimetric Analyzer에서 실시하였다. 다결정 시료는 알루미나 도가니 내에 넣고, 아르곤이 계속 제공되는 분위기 하에서 실온에서 1000℃까지 10 ℃ min-1의 속도로 가열하였다.
SEM/EDAX 분석은 Hitachi S-3400N/Horiba Energy EX-250 instruments에서 실시하였다. Sb2ZnO3Cl2에 대한 EDAX는 Sb:Zn:Cl 비율이 대략 2:1:2로 나타났다.
적외선 스펙트럼은 2개의 KBr 펠렛 사이에 직접적으로 압축된 시료를 사용하여 400-4000 cm-1 범위에서 Varian 1000 FT-IR spectrometer에서 기록하였다.
Sb2ZnO3Cl2 의 IR(KBr, cm-1): 871 (w), 834 (w), 793 (s), 712 (m), 643 (s), 562 (s), 543 (w), 526 (w)
(단결정 X-선 회절)
표준 결정학적 방법에 따라 Sb2ZnO3Cl2의 구조를 측정하였다. 단결정 X-선 회절을 위해 0.04×0.08×0.25 mm3 크기의 무색 로드 결정을 사용하였다. 데이터는 한국기초과학연구원에서 실온에서 graphite monochromated Mo Kα radiation을 이용하여 Bruker SMART APEX CCD X-ray diffractometer를 이용하여 수집하였다. 데이터 범위는 오메가에서 스캔 너비 0.30°, 노출시간은 프레임당 5초로 하여 내로우-프레임 방법을 사용하여 수집하였다. 최초 50 프레임은 장치 및 결정 안정성을 모니터하기 위해 데이터 수집 끝에 재측정하였다. 강도들에 허용된 최대 수집은 1% 미만이었다. 로렌쯔, 극성, 공기 흡수 및 검출기 면판을 통과하는 통로에서 변수에 의한 흡수에 대해 수집된 강도들을 가지고 Bruker SAINT program를 이용하여 데이터를 통합하였다. SADABS 프로그램을 이용하여 데이터의 범위에서 반경험적 흡수를 수집하였다. 상기 데이터를 해석하고, 각각 SHELXS-97 및 SHELXL-97를 이용하여 정리하였다. 모든 원자들은 이방성 변위 변수로 정리하고, I > 2(I)로 수렴하였다. 모든 계산들은 WinGX-98 crystallographic software package를 이용하여 실시하였다. Sb2ZnO3Cl2의 결정학적 데이터 및 선택한 결합 거리는 표 1 및 2에 나타내었다.
Figure 112010004419913-pat00001
a R(F)=∑||F o|-|F c || / ∑ |F o|
b R w (F o 2) = [∑w(F o 2 - F c 2)2 / ∑w(F o 2)2]1/2
Figure 112010004419913-pat00002
표 1 및 2에 나타난 바와 같이, Sb2ZnO3Cl2는 사방정계 공간군 Pnma (No. 62)에서 결정화되었다. 구조는 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체가 산소 원자에 의해 연결되어 있는 구조이다(도 2). 하나의 독특한 Zn2+ 양이온은 2개의 산소 및 2개의 염소 원자와 연결되어 있다. Zn-O 및 Zn-Cl 결합거리는 각각 2.069(3) 및 2.244(2)-2.252(2)Å, O-Zn-O, O-Zn-Cl, 및 Cl-Zn-Cl 결합각은 각각 77.37(18)°, 106.73(11)°, 11.51(11)°, 및 130.35(10)°이었다. 2개의 독특한 Sb3+ 양이온들은 3개의 산소 원자와 연결되어 있고, 고립 전자쌍에 의해 SbO3 다면체에서 국소 배위환경을 나타냈다. Sb-O 결합 길이는 1.936(6) 내지 2.017(3)Å이었다. 3개의 배위된 비대칭 Sb(1)O3 및 Sb(2)O3 다면체는 [010] 방향을 따라 O(2)를 통해 그들의 모서리를 공유하고 있고, 1차원 사슬을 형성하고 있다(도 3a). SbO3 사슬은 또한 [100] 방향을 따라 O(1)에 의해 연결되어 있어 결과적으로 물결모양의 2차원 층상 구조를 형성한다(도 3). 흥미롭게도, SbO3 다면체로만 구성된 6개로 이루어진 고리들이 층 내에서 관찰되었다. 이와 유사한 층상 위상 기하학은 SbTeO3Cl에서 관찰된 바 있으나, SbTeO3Cl에서 [SbTeO3]+ 층은 TeO3 및 SbO3 다면체로 구성되어 있다. 6개로 이루어진 고리의 크기는 안티모니의 이온 반경을 고려하여 약 5.14Å×2.93Å이다. ZnO2Cl2 사면체는 [100] 방향을 따라 양쪽, 위 및 아래에서 Sb3+O3 층에 연결되어 Sb2ZnO3Cl2의 층상 구조를 완성한다(도 4).
결론적으로, Sb2ZnO3Cl2는 {2[Sb3+O1/2O2/3]2/3+ [ZnO2/3Cl2/1]4/3-}0의 중성 층들로 이루어진 것으로서 나타낼 수 있다.
흥미롭게도, 고립 전자쌍 양이온인, Sb3+는 산소 리간드 만을 포함하고 있고, 염소 원자는 모두 Zn2+와 배위결합하고 있다. 결합 밸런스를 계산한 결과, Sb3+ 및 Zn2에 대해 각각 2.88-2.92 및 1.85 이었다.
Sb2ZnO3Cl2의 열적 거동은 열중량 분석을 이용하여 조사한 결과, 460℃에서 분해되는 것으로 나타났다. 상기 온도에서 분해하기 시작하는데, 클로라이드 원자의 손실에 따른 것으로 보인다. TGA 및 IR 데이터는 도 5 및 6에 도시하였다.
분말 X-선 회절 측정 결과, Sb2ZnO3Cl2의 공기 중에서 열 분해 산물들은 미지의 혼합물을 포함하는 ZnSb2O6이다.
Sb2ZnO3Cl2는 비대칭 배위환경에서 양이온, 즉 Sb3+를 포함하고 있다. 비대칭 고립 전자쌍 양이온을 포함하는 상기 물질이 중심대칭적 공간군에서 결정화되나 배위환경을 더 잘 이해하기 위해 국소 쌍극자 모멘트를 측정하였다. 이를 위해, SbO3 다면체에서 뒤틀림의 방향 및 크기를 정량화할 필요가 있으며, 국소 쌍극자 모멘트의 방향 및 크기를 계산하기 위해 결합 밸런스 계산을 사용하였다.
고립 전자쌍을 포함하는 다면체의 경우, 상기 고립 전자쌍은 -2의 전하를 제공하며, 국소성 Sb3+-고립 전자쌍 거리는 Galy 등의 연구를 기반으로 하여 1.08Å인 것으로 평가되었다. 이 방법을 사용한 결과, SbOx 다면체에 대한 쌍극자 모멘트가 상기 고립 전자쌍의 반대 방향에 위치하고 있다. Sb2ZnO3Cl2에서 SbO3 다면체의 쌍극자 모멘트를 계산하였고, 비교를 위해, Sb3+-옥시할라이드 뿐만 아니라 다른 Sb3+-옥사이드에서 유사한 다면체에 대한 쌍극자 모멘트를 계산하였다(표 3).
표 3에 나타난 바와 같이, 48개의 SbO3 다면체의 샘플들은 4.35 내지 9.64 D 범위의 쌍극자 모멘트를 나타내며, 평균 7.55 D를 나타냈다.
Figure 112010004419913-pat00003

Claims (10)

  1. 뒤틀린 ZnO2Cl2 사면체 및 SbO3 다면체를 포함하는 2차원 층상 구조를 갖는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물.
  2. 제1항에 있어서,
    ZnO2Cl2 사면체는 산소 원자에 의해 2개의 비대칭 SbO3 다면체와 연결되며, [100] 방향을 따라 양쪽, 위 및 아래에서 SbO3 다면체로 이루어진 1차원 사슬 층에 연결되어 층상 구조를 이루는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    Sb3+ 양이온이 입체 활성적인 고립 전자쌍에 의한 비대칭 배위환경에 존재하는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    Sb2ZnO3Cl2으로 표시되는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    사방정계 공간군 Pnma (No. 62)에서 결정화되는 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물.
  6. 안티모니 산화물 및 징크 클로라이드로 혼합하거나, 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 혼합하여 고체상 합성 반응을 실시하는 단계를 포함하는 제1항의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    안티모니 산화물 및 징크 클로라이드, 또는 안티모니 염화산화물 및 징크 산화물은 화학양론적 함량으로 혼합하는 제1항의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    안티모니 산화물 또는 그 염화산화물은 Sb2O3 및 SbOCl로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 제1항의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    안티모니 산화물 및 징크 클로라이드로 혼합하는 경우 2 mmol의 Sb2O3 및 2 mmol의 ZnCl2 를 혼합하거나,
    안티모니 염화산화물 및 징크 산화물을 혼합하는 경우 4 mmol의 SbOCl 및 2 mmol의 ZnO를 혼합하는 제1항의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 고체상 합성 반응은
    혼합물을 200 내지 250 ℃의 온도에서 3 내지 6 시간 동안 공기 접촉이 없는 진공에서 1차 가열하는 단계;
    상기 혼합물을 330 내지 370 ℃의 온도에서 18 내지 24 시간 동안 공기 접촉이 없는 진공에서 2차 가열하는 단계; 및
    2차 가열한 혼합물을 0.1 내지 1 ℃/분의 속도로 실온까지 냉각하는 단계를 포함하는 제1항의 안티모니 징크 옥시클로라이드 화합물의 제조방법.
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