KR101130198B1 - 내연성 폴리머 블렌드 - Google Patents

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라젠드라 카쉬나쓰 싱
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사빅 이노베이티브 플라스틱스 아이피 비.브이.
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Abstract

실록산 코폴리머, 특히 실록산 폴리이미드와 레조르시놀로부터 유도된 폴리아릴 에스테르 또는 폴리아릴 에스테르 카보네이트 함유 결합의 블렌드는, 2분 열방출 및 최대 열방출에 의해 측정될 경우, 종래의 폴리카보네이트에 비해 개선된 난연성을 나타낸다. 몇몇 경우에 투명 난연성 블렌드가 또한 제조될 수 있다. 상기 조성물은 양호한 용융 가공성, 높은 충격 강도 및 높은 신율을 나타내며, 시트 및 필름을 포함하는 다양한 난연성 물품을 제조하기 위해 사용될 수 있다.

Description

내연성 폴리머 블렌드{Flame resistant polymer blends}
본 발명은 개선된 내연성을 갖는 레조르시놀계 폴리에스테르, 또는 레조르시놀계 폴리에스테르 카보네이트 폴리머, 및 실록산 코폴리머의 블렌드에 관한 것이다. 몇몇 경우에 난연성 블렌드는 투명성이어서 낮은 헤이즈와 함께 높은 퍼센트 투과를 나타낸다.
오래전부터 내연성인 열가소성 수지를 개발하는 것이 관심사였다. 특정한 관심 분야는 기동차(rail car) 및 항공기와 같은 수송 용도용 플라스틱을 개발하는 것이다. 예를 들어, 미국연방항공규정(FAR) 25.853과 같은 다양한 평가 기법이 이러한 열가소성 재료의 효율성을 시험하기 위하여 개발되어 왔다. 때때로 오하이오 주립대(OSU) 등급(rating)으로 지칭되는 이 시험에서, 2분 후 방출된 에너지의 양 및 최대 열방출 에너지가 측정되었다. 열방출값이 낮을수록 바람직하다. 이러한 용도에 사용되어 온 폴리머 블렌드는 예를 들어 US 특허 5,051,483에 개시되어 있다. 이러한 조성물은 폴리에테르이미드(PEI)를 실록산 폴리에테르이미드 및 폴리카보네이트(PC)와 조합시킨다. 기존의 PEI-PC 블렌드는 불투명성이며 PEI의 높은 Tg 때문에 본 명세서에 개시되어 있는 보다 낮은 Tg의 레조르시놀계 폴리아크릴레이트 및 폴리에스테르 카보네이트 블렌드 보다 물품으로 성형(mold, shape and form)하기가 더욱 어렵다. 다른 대부분의 낮은 Tg의 폴리에스테르 또는 폴리카보네이트 블렌드는 보다 고열의 PEI 블렌드 보다 더 좋은 가공성을 갖지만, FAR 요건을 충족하는데 필요한 내연성을 갖지는 못한다. 게다가, 투명 내연성 조성물의 개발은 이러한 타입의 재료의 효용을 더욱 확대시킬 것이다. 따라서, 기존의 FAR 규격의 난연성 조성물의 효율성에도 불구하고, 이 분야에는 더 좋은 성능에 대한 필요가 여전히 존재한다.
레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지(아릴 폴리에스테르 카보네이트 수지를 포함함)와 실록산 코폴리머의 블렌드가, 다른 유사한 폴리카보네이트와 실록산 코폴리머의 블렌드와 비교될 때, 난연(FR) 성능, 및 FAR 25.823 등급에서 놀랄만한 개선을 갖는다는 것이 밝혀졌다. 아릴 폴리에스테르 수지에서 레조르시놀 부분 에스테르 결합(resorcinol moiety ester linkage)의 존재는, 심지어 아릴 폴리에스테르가 단지 소량 성분으로 존재하는 레조르시놀 부분만을 갖는 블렌드에서도, 열방출에서 주목할만한 개선을 제공한다. 상기 블렌드는 또한 높은 파단인장신율(tensile elongation at break), 양호한 노치 아이조드 충격(notched Izod impact) 및 손쉬운 용융 가공성(facile melt processibility)을 나타낼 수 있다. 몇몇 경우에 추가적으로 높은 퍼센트 투과(%T) 및 낮은 퍼센트 헤이즈(%H)를 갖는 블렌드가 형성될 수 있다.
일 태양에서, 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물이 제공되며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우 65kW/m2 미만의 최대 열방출(peak heat release)을 갖는다.
또 다른 태양에서, 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물이 제공되며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우 80kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, ASTM D1003에 의해 측정될 경우 50% 이상의 3.1mm에서의 퍼센트 투과를 갖는다.
또 다른 태양에서, 적어도 하나의 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 적어도 하나의 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물이 제공되며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우 80kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, 상기 실록산 코폴리머는 폴리이미드 실록산, 폴리에테르이미드 실록산, 폴리에테르이미드 술폰 실록산, 폴리술폰 실록산, 폴리에테르 술폰 실록산, 폴리페닐렌 에테르 술폰 실록산, 및 폴리페닐렌 에테르 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 조성물은 폴리카보네이트 실록산을 포함하지 않는다.
또 다른 태양에서, 적어도 하나의 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 적어도 하나의 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물이 제공되며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우 80kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, 상기 실록산 코폴리머는 폴리이미드 실록산, 폴리에테르이미드 실록산, 폴리에테르이미드 술폰 실록산, 폴리술폰 실록산, 폴리에테르 술폰 실록산, 폴리페닐렌 에테르 술폰 실록산, 및 폴리페닐렌 에테르 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 조성물은 폴리카보네이트 실록산을 포함하지 않는다.
또 다른 태양에서, 적어도 하나의 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 적어도 하나의 실록산 코폴리머로 본질적으로 구성되는 조성물이 제공되며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우 80kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, 상기 실록산 코폴리머는 폴리이미드 실록산, 폴리에테르이미드 실록산, 폴리에테르이미드 술폰 실록산, 폴리술폰 실록산, 폴리에테르 술폰 실록산, 폴리페닐렌 에테르 술폰 실록산, 및 폴리페닐렌 에테르 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
또 다른 태양에서, 적어도 하나의 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 조성물의 총중량을 기준으로 0.1~5.0wt%의 적어도 하나의 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물이 제공되며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우 65kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, ASTM D1003에 의해 측정될 경우 상기 조성물은 50% 이상의 3.1mm에서의 퍼센트 투과를 가지며, 상기 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지는 0.75:1 이하의 수소 원자 대 탄소 원자 비를 갖는다.
또 다른 태양에서 전술한 조성물을 포함하는 부품을 포함하는 수송 장치 및 전술한 조성물로부터 제조된 물품이 제공된다.
본 명세서의 목적을 위해 용어 "부분(moiety)" 또는 "잔기(residue)"는 폴리머를 제조하기 위해 사용되는 특별한 모노머로부터 유도된 폴리머에서의 구조를 지칭하기 위해 사용될 것이다. 용어 "쇄원(chain member)" 또는 "블록(block)"은 폴리머에서 특정 잔기의 세그먼트를 지칭하기 위해 사용될 것이며 폴리머는 또한 디양한 잔기를 포함하는 다양한 세그먼트를 가질 수 있다. 예를 들어, 1군의 모노머 화합물이 반응하여 특정 부분(moiety)을 포함하는 제1 프리폴리머를 형성하고, 이어서 다른 1군의 화합물이 반응하여 다른 부분(moiety)을 포함하는 제2 프리폴리머를 형성하며, 이러한 두개의 프리폴리머가 이후 함께 반응하여 블록 코폴리머를 형성하는 경우에, 각각의 프리폴리머는 "쇄원" 또는 "블록"으로 지칭될 것이다.
본 명세서의 목적을 위해 용어 "레조르시놀계 아릴 폴리에스테르" 및 "레조르시놀계 폴리아릴 에스테르" 및 "레조르시놀계 폴리아릴레이트"는 모두 레조르시놀 부분 및 레조르시놀계 에스테르 결합 및 가능하게는 또한 레조르시놀계 폴리카보네이트 결합과 같은 다른 결합을 포함하는 코폴리머를 의미할 것이다. 이러한 용어는 에스테르 결합만을 포함하는 폴리에스테르 및 레조르시놀계 폴리카보네이트 결합이 존재하는 경우에는 폴리에스테르 카보네이트 모두를 포함하는 것을 의미한다.
본 발명의 범주에서 용어 "폴리머 결합(polymer linkage)"은 두 부분 사이의 폴리머에 존재하는 화학 결합의 타입으로 정의된다. 예를 들어, 레조르시놀계 폴리아릴 에스테르는 카보네이트 결합(예를 들어, 레조르시놀 부분 및 비스페놀 A 부분 사이) 및 에스테르 결합(예를 들어, 레조르시놀 부분 및 이소프탈산 부분 사이)을 모두 포함할 수 있다.
레조르시놀 유도된 폴리아릴 에스테르와, 실록산 코폴리머, 예를 들어 실록산 폴리이미드 또는 실록산 폴리카보네이트의 블렌드는 놀라우리만치 낮은 열방출값을 갖는다. 실록산 코폴리머는 심지어 이러한 블렌드에 매우 낮은 농도로 포함되는 경우조차 난연(FR) 성능을 개선시키는데 있어서 매우 유효할 수 있다. 이 거동은 또한 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르가 비레조르시놀계 부분을 포함하는 코폴리머, 예를 들어 레조르시놀 - 비스페놀-A 코폴리에스테르 카보네이트 인 경우에도 관찰된다. 최선의 효과를 위해, 레조르시놀 부분의 함량(resorcinol moiety content: RMC)은 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르에 존재하는 전체 모노머 유도된 부분의 약 40mol%를 초과하여야 한다. 몇몇 경우에 50mol% 초과의 RMC, 또는 심지어는 80 또는 100mol%의 레조르시놀 부분이 바람직할 수 있다.
몇몇 경우에, 레조르시놀계 폴리아릴레이트 수지는 레조르시놀로부터 유도된 부분을 적어도 약 40mol% 포함할 수 있다. 레조르시놀 부분은 전형적으로 레조르시놀과의 아릴 에스테르 결합의 형성에 적당한 아릴 디카르복실산 또는 아릴 디카르복실산 유도체와, 레조르시놀, 또는 관능화된 레조르시놀의 반응 생성물로서 도입된다. 적당한 디카르복실산 유도체는, 예를 들어, 카르복실산 할라이드, 카르복실산 에스테르 및 카르복실산 염을 포함한다.
레조르시놀계 폴리아릴레이트는 비스페놀, 및 포스젠과 같은 카보네이트 형성 종의 반응으로부터 유도된 카보네이트 결합을 추가로 포함할 수 있으며, 이로써 레조르시놀계 폴리아릴레이트는 폴리에스테르 카보네이트 코폴리머가 된다. 본 발명의 또 다른 구현예에서, 레조르시놀 폴리아릴레이트 카보네이트 코폴리머는 이소 및 테레프탈산, 레조르시놀 및 선택적으로 비스페놀 A와 포스젠과의 반응 생성물을 포함할 것이다. 일 태양에서, 레조르시놀 폴리에스테르 카보네이트 코폴리머는, 예를 들어 레조르시놀을 디카르복실산과 미리 반응시켜 아릴 폴리에스테르 블록을 형성하고 이어서 아릴 폴리에스테르 블록을 비스페놀 및 카보네이트 부분과 반응시켜 상기 코폴리머의 폴리카보네이트 부분을 형성함으로써 비스페놀 디카르복실 에스테르 결합의 수가 최소화되는 그러한 방법으로 제조될 것이다. 레조르시놀 에스테르를 포함하는 폴리머의 예는 US 특허; 6,861,482, 6,559,270, 6,265,522, 6,294,647, 6,291,589 및 5,916,997에서 발견될 수 있다.
또 다른 태양에서, 본 발명은 아릴레이트 폴리에스테르 사슬 섹션을 포함하는 폴리머를 포함한다. 아릴레이트 폴리에스테르 사슬 섹션은 적어도 하나의 방향족 디카르복실산 잔기와 결합된 적어도 하나의 디페놀 잔기를 포함한다. 일 구현예에서 디페놀 잔기는 전형적으로 레조르시놀로 지칭되는 1,3-디히드록시벤젠으로부터 유도된다. 레조르시놀이 반응하여 폴리머로 될 경우, 그것은 본 명세서에서 레조르시놀 부분으로 지칭되는 하기 화학식 I에 보여진 구조를 형성한다.
[화학식 I]
Figure 112008037879556-pct00001
화학식 I에서, 각각의 R은 독립적으로 C1 -12 알킬, C6-C24 아릴, 알킬 아릴, 알콕시 또는 할로겐 중의 적어도 하나이며, n은 0 내지 4의 정수이다. 본 명세서에 사용된 경우 "레조르시놀 부분"은 달리 명확하게 언급되지 않는 한 비치환된 1,3-디히드록시벤젠 또는 치환된 1,3-디히드록시벤젠으로부터 유도된 부분을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
레조르시놀계 폴리아릴레이트를 제조하는데 적당한 디카르복실산의 예는, 이에 한정되는 것은 아니지만, 방향족 단일고리 화합물(aromatic monocyclic compound)로부터 유도된 방향족 디카르복실산을 포함한다. 다양한 구현예에서, 적당한 디카르복실산은 이소프탈산, 테레프탈산, 또는 이소프탈산과 테레프탈산의 혼합물을 포함한다. 적당한 디카르복실산은 또한 방향족 다중고리 화합물(aromatic polycyclic compound)로부터 유도된 것들을 포함하며, 그것들의 예시적인 예는 디페닐 디카르복실산, 디페닐에테르 디카르복실산, 및 나프탈렌-2,6-디카르복실산과 같은 나프탈렌디카르복실산을 포함한다. 다르게는, 디카르복실산의 디에스테르 또는 디카르복실산의 애시드 할라이드(예를 들어, 디애시드 클로라이드)와 같은 디카르복실산 유도체가 레조르시놀을 포함하는 폴리아릴 에스테르를 제조하기 위해 사용될 수 있다. 하기 화학식 II는 디올을 이소프탈산 및/또는 테레프탈산, 및/또는 애시드 할라이드와 같은 산, 카르복실산 에스테르 및 이소프탈산 및/또는 테레프탈산의 카르복실산 염의 적당한 유도체와 반응시킴으로써 제조된 레조르시놀계 폴리아릴레이트에 존재하는 디카르복실산 잔기를 포함한다.
[화학식 II]
Figure 112008037879556-pct00002
일 구현예에서, 본 발명은 전형적으로 화학식 III에 나타낸 것과 같이 에스테르 결합에 의해 연결된 레조르시놀 아릴레이트 폴리에스테르 쇄원을 포함하는 열안정성의 폴리머를 제공하며, 상기 식에서 R 및 n은 이전에 한정된 것과 같다:
[화학식 III]
Figure 112008037879556-pct00003
또 다른 태양에서, 본 발명은 실질적으로 무수물 결합(anhydride linkage)이 없는 레조르시놀 아릴레이트 폴리에스테르 쇄원을 포함하는 폴리머를 제조하는 계면중합법을 사용하여 제조된 수지를 포함하는 조성물을 제공한다. 이 방법은 물 및 실질적으로 물과 혼화하지 않는 적어도 하나의 유기용매의 혼합물 중에 적어도 하나의 레조르시놀 부분, 방향족 디카르복실산 클로라이드 및 적어도 하나의 촉매를 조합시키는 제1 단계를 포함한다. 적당한 레조르시놀 부분은 화학식 IV의 단위를 포함한다:
[화학식 IV]
Figure 112008037879556-pct00004
여기서, 각각의 R은 독립적으로 C1 -12 알킬, C6-C24 아릴, 알킬 아릴, 알콕시 또는 할로겐 중의 적어도 하나이며, n은 0 내지 4의 정수이다. 적당한 C1 -12 알킬기는, 이에 한정되는 것은 아니지만, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 부틸, 이소-부틸, t-부틸, 헥실, 시클로헥실, 노닐, 데실, 및 벤질을 포함하는 아릴 치환된 알킬을 포함한다. 특별한 구현예에서, 알킬기는 메틸이다. 적당한 할로겐기는 브로모, 클로로, 및 플루오로이다. 다양한 구현예에서 n 값은 0 내지 3이며, 몇몇 구현예에서는 0 내지 2이며, 또 다른 구현예에서는 0 내지 1이다. 일 구현예에서 레조르시놀 부분은 2-메틸레조르시놀이다. 또 다른 구현예에서 레조르시놀 부분은 n이 0인 비치환된 레조르시놀 부분이다. 촉매는 전형적으로 애시드 클로라이드기의 총 몰량을 기준으로 0.01 내지 10mol%의 총농도, 그리고 몇몇 구현예에서는 0.2 내지 6mol%의 총농도로 존재한다. 적당한 촉매의 예는 3급 아민, 4급 암모늄염, 4급 인산염, 헥사알킬구아니디늄염, 및 그것의 혼합물이다.
적당한 아릴 디카르복실산 유도체의 예는 아릴 디카르복실산 디할라이드를 포함한다. 적당한 아릴 디카르복실산 디할라이드는 단일고리 부분으로부터 유도된 방향족 디카르복실산 디클로라이드를 포함할 수 있으며, 그것의 예시적인 예는 이소프탈로일 디클로라이드, 테레프탈로일 디클로라이드, 또는 이소프탈로일 및 테레프탈로일 디클로라이드의 혼합물을 포함한다. 적당한 아릴 디카르복실산 디할라이드는 또한 다중고리 부분으로부터 유도된 방향족 디카르복실산 디클로라이드(이의 예시적인 예는 디페닐 디카르복실산 디클로라이드, 디페닐에테르 디카르복실산 디클로라이드, 및 나프탈렌-2,6-디카르복실산 디클로라이드와 같은 나프탈렌디카르복실산 디클로라이드를 포함함); 또는 단일고리 및 다중고리 방향족 디카르복실산 디클로라이드의 혼합물로부터 유도된 방향족 디카르복실산 디클로라이드를 포함할 수 있다. 일 구현예에서, 아릴 디카르복실산 디클로라이드는 전형적으로 화학식 V에 나타낸 것과 같은 이소프탈로일 및/또는 테레프탈로일 디클로라이드의 혼합물을 포함한다.
[화학식 V]
Figure 112008037879556-pct00005
이소프탈로일 및 테레프탈로일 디클로라이드 중 어느 하나 또는 모두가 존재할 수 있다. 몇몇 구현예에서 상기 디카르복실산 디클로라이드는 약 0.25:1 내지 약 4.0:1의 이소프탈로일 대 테레프탈로일의 몰비로 이소프탈로일 및 테레프탈로일 디클로라이드의 혼합물을 포함하며; 다른 구현예에서 상기 몰비는 약 0.4:1 내지 약 2.5:1이며; 또 다른 구현예에서 상기 몰비는 약 0.67:1 내지 약 1.5:1이다.
디카르복실산 할라이드는 본 명세서에서 언급된 폴리머를 제조하는 단 한가지의 방법만을 제공한다. 레조르시놀 아릴레이트 결합을 만드는 다른 방법이 또한, 예를 들어, 상기 디카르복실산, 활성화된 에스테르와 같은 디카르복실산 에스테르, 또는 디카르복실산 염 또는 부분 염을 사용하여 고려될 수 있다.
적어도 하나의 사슬 정지제(또한 이하에서 때때로 캡핑제(capping agent)로 지칭됨)가 또한 본 발명의 방법 및 조성물에 존재할 수 있다. 적어도 하나의 사슬 정지제를 첨가하는 목적은 레조르시놀 아릴레이트 폴리에스테르 부분을 포함하는 폴리머의 분자량을 제한하기 위한 것이며, 이에 따라 조절된 분자량 및 양호한 가공성을 갖는 폴리머를 제공할 수 있다. 전형적으로, 레조르시놀 아릴레이트 함유 폴리머가 추가 반응을 위한 반응성 말단기를 갖도록 요구되지 않는 경우에 적어도 하나의 사슬 정지제가 첨가된다. 사슬 정지제의 부재하에서, 레조르시놀 아릴레이트 함유 폴리머는 용액으로 사용되거나, 또는 레조르시놀 아릴레이트 폴리에스테르 세그먼트 상에 반응성 말단기의 존재, 즉 전형적으로 히드록시의 존재를 필요로할 수 있는 코폴리머 배합물을 제조하는 단계에서의 사용과 같은 나중의 사용을 위해 용액으로부터 회수될 수 있다. 사슬 정지제는 모노페놀성 화합물, 모노카르복실산, 모노카르복실산 클로라이드, 및/또는 모노클로로포르메이트 중 적어도 하나일 수 있다. 전형적으로, 적어도 하나의 사슬 정지제가, 모노페놀성 화합물의 경우에는 반응 혼합물에 첨가된 레조르시놀 및 레조르시놀 유도체의 양을 기준으로, 그리고 모노카르복실산 클로라이드 및/또는 모노클로로포르메이트의 경우에는 반응 혼합물에 첨가된 애시드 디클로라이드의 양을 기준으로 0.05 내지 10mol%의 양으로 반응 혼합물에 첨가된다.
적당한 모노페놀성 화합물은, 이에 한정되는 것은 아니지만, 페놀, C1-C22 알킬 치환된 페놀, p-쿠밀-페놀, p-tertiary-부틸 페놀, 히드록시 디페닐과 같은 단일고리 페놀; p-메톡시페놀 또는 크로만(chroman)과 같은 디페놀 및 예를 들어 U.S. 특허 4,334,053에 개시된 것과 같은 8 내지 9개의 탄소 원자를 갖는 분지쇄형 알킬 치환기를 갖는 페놀과 같은 알킬 치환된 페놀의 모노에테르를 포함한다. 몇몇 구현예에서 모노페놀성 사슬 정지제는 페놀, p-쿠밀페놀, 및 레조르시놀 모노벤조에이트이다.
적당한 모노카르복실산 클로라이드는 벤조일 클로라이드, C1-C22 알킬 치환된 벤조일 클로라이드, 톨루오일 클로라이드, 할로겐 치환된 벤조일 클로라이드, 브로모벤조일 클로라이드, 신나모일 클로라이드(cinnamoyl chloride), 4-나디미도벤조일 클로라이드(4-nadimidobenzoyl chloride), 및 그것의 혼합물과 같은 단일고리 모노카르복실산 클로라이드; 트리멜리트산 무수물 클로라이드 및 나프토일 클로라이드와 같은 다중고리 모노카르복실산 클로라이드; 및 단일고리 및 다중고리 모노카르복실산 클로라이드의 혼합물을 포함한다. 22개 이하의 탄소 원자를 갖는 지방족 모노카르복실산의 클로라이드 및 아크릴로일 클로라이드(acryloyl chloride)와 메타크릴로일 클로라이드와 같은 지방족 모노카르복실산의 관능화된 클로라이드가 또한 적당하다. 모노클로로포르메이트의 예는 페닐 클로로포르메이트, 알킬 치환된 페닐 클로로포르메이트, p-쿠밀 페닐 클로로포르메이트, 톨루엔 클로로포르메이트, 및 그것의 혼합물과 같은 단일고리 모노클로로포르메이트를 포함한다.
사슬 정지제는 레조르시놀 부분과 결합될 수 있으며, 디카르복실산 디클로라이드의 용액에 포함될 수 있으며, 또는 반응물의 적어도 일부분이 중합되는 프리폴리머의 제조 후 반응 혼합물에 첨가될 수 있다. 모노카르복실산 클로라이드 및/또는 모노클로로포르메이트가 사슬 정지제로 사용되는 경우, 이들은 종종 임의의 디카르복실산 디클로라이드와 함께 도입된다. 이러한 사슬 정지제는 또한 상기 디카르복실산의 클로라이드가 이미 실질적으로 반응하였거나 반응이 완결된 순간에 반응 혼합물에 첨가될 수 있다. 페놀성 화합물이 사슬 정지제로 사용되는 경우에, 이들은 일 구현예에서는 레조르시놀 부분과 애시드 클로라이드 부분 사이의 반응 중 반응 혼합물에, 또는 다른 구현예에서는 상기 반응 개시 전에 첨가될 수 있다. 히드록시 말단 레조르시놀 아릴레이트 함유 초기축합물(precondensate) 또는 올리고머가 제조되는 경우, 사슬 정지제는 존재하지 않거나 또는 올리고머 분자량의 조절을 돕기 위해 단지 소량으로 존재할 수 있다.
또 다른 구현예에서 본 발명은 3 이상의 관능성 카르복실산 클로라이드 및/또는 3 이상의 관능성 페놀과 같은 적어도 하나의 가지화제(branching agent)의 함유를 포함할 수 있다. 가지화제는 폴리머 사슬이 단지 일군의 독립된 선형 띠(strands)으로 성장하기 보다는 상기 폴리머 사슬 사이에 결합(links)을 포함하도록 하는 화합물이다. 전형적인 가지화제는 전형적인 모노머에 존재하는 두 개의 반응성기, 및 전술한 사슬 정지제의 경우에 존재하는 1개의 반응성기가 아닌 3개 이상의 반응성기를 갖는다. 이러한 가지화제는, 만약 포함된다면, 사용되는 디카르복실산 디클로라이드 또는 레조르시놀 부분을 기준으로 전형적으로 0.005 내지 1mol%의 양으로 사용될 수 있다. 적당한 가지화제는, 예를 들어, 트리메스산(trimesic acid) 트리 애시드 클로라이드, 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르복실산 테트라클로라이드, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카르복실산 테트라클로라이드 또는 피로멜리트산 테트라클로라이드와 같은 3 이상의 관능성 카르복실산 클로라이드, 및 4,6-디메틸-2,4,6-트리-(4-히드록시페닐)-2-헵텐, 4,6-디메틸-2,4,6-트리-(4-히드록시페닐)-헵탄, 1,3,5-트리-(4-히드록시페닐)-벤젠, 1,1,1-트리-(4-히드록시페닐)-에탄, 트리-(4-히드록시페닐)-페닐 메탄, 2,2-비스-[4,4-비스-(4-히드록시페닐)-시클로헥실]-프로판, 2,4-비스-(4-히드록시페닐이소프로필)-페놀, 테트라-(4-히드록시페닐)-메탄, 2,6-비스-(2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸 페놀, 2-(4-히드록시페닐)-2-(2,4-디히드록시페닐)-프로판, 테트라-(4-[4-히드록시페닐이소프로필]-페녹시)-메탄, 1,4-비스-[(4,4-디히드록시트리페닐)메틸]-벤젠과 같은 3 이상의 관능성 페놀을 포함한다. 페놀성 가지화제는 레조르시놀 부분과 함께 먼저 도입될 수 있으며, 반면에 애시드 클로라이드 가지화제는 애시드 디클로라이드와 함께 도입될 수 있다.
구현예들 중 하나에서 본 발명은 본 방법에 의해 제조되며 적어도 두 개의 폴리에스테르 사슬 단위를 결합시키는 무수물 결합이 실질적으로 없는 열안정성의 레조르시놀 아릴레이트 폴리에스테르를 포함한다. 특별한 구현예에서 상기 아릴 폴리에스테르는 화학식 VI에 나타낸 것과 같은 이소- 및 테레프탈산의 혼합물로부터 유도된 디카르복실산 잔기를 포함한다:
[화학식 VI]
Figure 112008037879556-pct00006
여기서, R은 C1 -12 알킬, C6-C24 아릴, 알킬 아릴, 알콕시 또는 할로겐 중의 적어도 하나이며, n은 0-4이며, m은 적어도 약 5 내지 약 10,000이다. 다양한 구현예에서 n은 0이고 m은 약 10 내지 약 300이다. 이소프탈레이트 대 테레프탈레이트의 몰비는 일 구현예에서는 약 0.25:1 내지 약 4.0:1이며, 또 다른 구현예에서는 약 0.4:1 내지 약 2.5:1이며, 또 다른 구현예에서는 약 0.67:1 내지 약 1.5:1이다. 본 명세서에서 사용되는 경우, "무수물 결합이 실질적으로 없는"이란 약 280-290℃의 온도로 5분 동안 상기 폴리에스테르를 가열할 때 상기 폴리에스테르가 일 구현예에서 30% 미만의 중량평균분자량(Mw)의 감소를 나타내는 것을 의미한다. 또 다른 경우에, 폴리에스테르는 약 280-290℃의 온도에서 5분 후 10% 미만의 중량평균분자량(Mw) 손실을 보이는, 훨씬 양호한 열적 안정성을 가질 것이다. 분자량은 당해 기술 분야에서 공지된 표준 방법, 예를 들어 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정될 수 있다.
US 특허 5,916,997에 개시된 것과 같은 소프트-블록 세그먼트를 포함하는 레조르시놀 아릴레이트 코폴리에스테르가 레조르시놀계 폴리아릴레이트의 또 다른 예이다. 본 명세서에서 사용되는 경우, 용어 "소프트-블록"은 폴리머의 몇몇 세그먼트가 비방향족 모노머 단위로부터 제조되는 것을 나타낸다. 이러한 비방향족 모노머 단위는 전형적으로 지방족이며 소프트-블록 함유 폴리머에 분자 수준의 유연성(따라서 용어 "소프트")을 부여하는 것으로 알려져 있다. 이 코폴리에스테르는 화학식 I, VII, 및 VIII의 구조 단위를 포함하는 것을 포함한다:
[화학식 I]
Figure 112008037879556-pct00007
[화학식 VII]
Figure 112008037879556-pct00008
[화학식 VIII]
Figure 112008037879556-pct00009
여기서, R 및 n은 이전에 한정된 것과 같으며, Z는 이가의 방향족 라디칼이며, R2는 C3 -20 직쇄형 알킬렌, C3 -10 분지쇄형 알킬렌, 또는 C4 -10 시클로- 또는 바이시클로알킬렌기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 하기 화학식을 나타내며,
Figure 112008037879556-pct00010
화학식 VIII은 상기 폴리에스테르의 에스테르 결합에 대하여 약 1 내지 약 45mol%, 선택적으로 약 5 내지 약 40mol%, 및 추가로 선택적으로 약 5 내지 약 20mol% 기여한다. 일 구현예에서 R2는 C3 -14 직쇄형 알킬렌, 또는 C5 -6 시클로알킬렌이며, 또 다른 구현예에서, R2는 C3 -10 직쇄형 알킬렌 또는 C6 시클로알킬렌이다. 화학식 VII은 방향족 디카르복실산 잔기를 나타낼 수 있다. 화학식 VII에서 이가의 방향족 라디칼(Z)은 다향일 구현예에서 위에서 한정된 것과 같은 적당한 디카르복실산 잔기 중 적어도 하나로부터 유도될 수 있으며, 몇몇 구현예에서는 1,3-페닐렌, 1,4-페닐렌, 또는 2,6-나프틸렌 중 적어도 하나일 수 있다. 다양한 구현예에서 Z는 적어도 약 40mol%의 1,3-페닐렌을 포함한다. 소프트-블록 쇄원을 포함하는 다양한 구현예에서 화학식 I의 n은 0이다.
또 다른 구현예에서 본 발명은 유기 카보네이트 블록과 결합된 레조르시놀 아릴레이트 함유 블록을 포함하는 블록 코폴리에스테르카보네이트를 포함한다. 레조르시놀 부분을 포함하는 블록에는 무수물 결합이 실질적으로 없다. 이 블록 코폴리에스테르카보네이트는 전형적으로 화학식 IX에 나타낸 것과 같은, 교대 아릴레이트(alternating acrylate) 및 유기 카보네이트 블록을 포함하는 블록을 포함하며,
[화학식 IX]
Figure 112008037879556-pct00011
여기서, R 및 n은 이전에 한정된 것과 같으며, R5는 적어도 하나의 이가의 유기 라디칼이다. 아릴레이트 블록은, 일 구현예에서는 적어도 약 4, 또 다른 구현예에서는 적어도 약 10, 또 다른 구현예에서는 적어도 약 20, 및 또 다른 구현예에서는 약 30 내지 약 150의, m으로 나타내어지는, 중합도(DP)를 갖는다. p로 나타내어지는 유기 카보네이트 블록의 DP는, 일 구현예에서는 전형적으로 적어도 약 2, 또 다른 구현예에서는 적어도 약 2 내지 약 200, 및 또 다른 구현예에서는 약 10 내지 약 20이다. 블록의 분포는 카보네이트 블록에 대하여 임의의 바람직한 중량 분율의 아릴레이트 블록을 갖는 코폴리머를 제공하도록 그렇게 될 수 있다. 전형적으로, 아릴레이트 블록의 함량은 일 구현예에서는 약 10 내지 약 95wt%이며 또 다른 구현예에서는 약 40 내지 약 95wt%이다.
이소- 및 테레프탈레이트의 혼합물이 화학식 IX에 나타나 있지만, 아릴레이트 블록에서 디카르복실산 잔기는, 지방족 디애시드 디클로라이드로부터 유도된 것을 포함하여, 위에서 한정된 것과 같은 적당한 디카르복실산 화합물, 또는 적당한 디카르복실산 화합물의 혼합물로부터 유도될 수 있다. 다양한 구현예에서 n은 0이며, 아릴레이트 블록은 이소- 및 테레프탈산 잔기의 혼합물로부터 유도된 디카르복실산 잔기를 포함하며, 여기서 이소프탈레이트 대 테레프탈레이트의 몰비는 일 구현예에서는 약 0.25:1 내지 약 4.0:1이며, 또 다른 구현예에서는 약 0.4:1 내지 약 2.5:1이며, 또 다른 구현예에서는 약 0.67:1 내지 약 1.5:1이다. 유기 카보네이트 블록에서, 각각의 R5는 독립적으로 이가의 유기 라디칼이다. 다양한 구현예에서, 상기 라디칼은 적어도 하나의 디히드록시 치환된 방향족 탄화수소를 포함하며, 폴리머에서 R5기의 총개수 중 적어도 약 60mol%는 방향족 유기 라디칼이며, 그 나머지는 지방족, 지환족, 또는 방향족 라디칼이다. 적당한 R5 라디칼은 m-페닐렌, p-페닐렌, 4,4'-바이페닐렌, 4,4'-비(3,5-디메틸)-페닐렌, 2,2-비스(4-페닐렌)프로판, 6,6'-(3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비[1H-인단]) 및 U.S. 특허 4,217,438에 개시된 디히드록시 치환된 방향족 탄화수소에 상당하는 것들과 같은 그러한 유사한 라디칼을 포함한다. 라디칼 R5는 종종 비스페놀의 반응 잔기일 수 있다. 용어 "비스페놀"은 본 명세서에서 디히드록시 치환된 방향족 탄화수소를 나타내기 위해 사용된다. 그러나, 이 타입의 비-비스페놀 화합물(non-bisphenol compounds)이 또한 적당할 때 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
몇몇 구현예에서 각각의 R5는 방향족 유기 라디칼이며 다른 구현예에서는 화학식 X의 라디칼이다:
[화학식 X]
Figure 112008037879556-pct00012
여기서, 각각의 A1 및 A2는 단일고리의 이가 아릴 라디칼이며 Y는 그 안의 적어도 하나 또는 두 개의 탄소 원자가 A1과 A2를 분리시키는 브리징 라디칼이다. 화학식 X에서의 결합은 전형적으로 Y에 관해 A1 및 A2의 메타 또는 파라 위치에 있다. 화학식 X에서, A1 및 A2는 전형적으로 비치환된 페닐렌 또는 그것의 치환된 유도체를 나타내며, 예시적인 치환기(1개 이상)는 알킬, 알케닐, 및 할로겐(특히, 브롬)이다. 일 구현예에서 A1 및 A2는 비치환된 페닐렌 라디칼이다. A1 및 A2 모두는 종종 p-페닐렌이지만, 이들 모두가 o- 또는 m-페닐렌이거나, 또는 하나는 o- 또는 m-페닐렌이고 다른 하나는 p-페닐렌일 수 있다. 이러한 이성질체의 혼합물이 또한 사용될 수 있다. 브리징 라디칼, Y는 그 안의 적어도 하나 또는 두 개의 원자는 A2와 A1을 분리시킨다. 특별한 구현예에서 하나의 원자가 A2로부터 A1을 분리시킨다. 이 타입의 예시적인 라디칼은 -O-, -S-, -SO- 또는 -SO2-, 메틸렌, 시클로헥실 메틸렌, 2-[2.2.1]-바이시클로헵틸 메틸렌, 에틸렌, 이소프로필리덴, 네오펜틸리덴, 시클로헥실리덴, 시클로펜타데실리덴, 시클로도데실리덴, 아다만틸리덴(adamantylidene), 및 유사한 라디칼이다. 몇몇 경우에는 젬-알킬렌(gem alkylene)(전형적으로 "알킬리덴"으로 알려짐) 라디칼이 바람직하다. 그러나, 불포화 라디칼이 또한 포함된다. 몇몇 구현예에서 비스페놀은 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판(비스페놀-A 또는 BPA)이며, 여기서 Y는 이소프로필리덴이며 A1 및 A2는 각각 p-페닐렌이다. 반응 혼합물에 존재하는 과잉 몰의 레조르시놀 부분에 따라, 카보네이트 블록의 R5는 레조르시놀 부분을 적어도 부분적으로 포함할 수 있다. 달리 말하면, 몇몇 구현예에서 화학식 X의 카보네이트 블록은 적어도 하나의 다른 디히드록시 치환된 방향족 탄화수소와 결합된 레조르시놀 부분을 포함할 수 있다.
디블록, 트리블록, 및 다중블록 코폴리에스테르카보네이트가 본 발명에 포함된다. 레조르시놀 아릴레이트 쇄원을 포함하는 블록과 유기 카보네이트 쇄원을 포함하는 블록 사이의 화학 결합은 (a) 예를 들어, 전형적으로 화학식 XI(여기서 R5는 이전에 한정된 것과 같음)에 나타낸 것과 같은, 아릴레이트 부분의 적당한 디카르복실산 잔기와 유기 카보네이트 부분의 O-R5-O 부분 사이의 에스테르 결합:
[화학식 XI]
Figure 112008037879556-pct00013
및 (b) 화학식 XII(여기서 R과 n은 이전에 정의된 것과 같음)에 나타낸 것과 같은 레조르시놀 아릴레이트 부분의 디페놀 잔기와 유기 카보네이트 부분의 -(C=O)-O- 부분 사이의 카보네이트 결합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 XII]
Figure 112008037879556-pct00014
상당 비율의 타입 (a)의 에스테르 결합의 존재는 코폴리에스테르카보네이트에서 바람직하지 않은 색상 형성을 초래할 수 있다. 본 발명이 이론에 의해 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 화학식 XI에서 R5가 비스페놀 A이고 화학식 XI 부분이 후속 처리 및/또는 노광 동안에 프리스 재배치(Fries rearrangement)를 겪는 경우, 색상이 발현될 수 있다고 믿어진다. 일 구현예에서 코폴리에스테르카보네이트는 실질적으로 타입 (a)의 결합이 최소화되는, 레조르시놀 아릴레이트 블록과 유기 카보네이트 블록 사이의 카보네이트 결합을 갖는 디블록 코폴리머를 포함한다.
열안정성의 레조르시놀 아릴레이트 블록과 유기 카보네이트 블록 사이에 적어도 하나의 카보네이트 결합을 갖는 코폴리에스테르카보네이트는 본 발명의 다양한 구현예에 의해 제조되며 일 구현예에서는 적어도 하나, 그리고 다른 구현예에서는 적어도 두 개의 히드록시 말단 사이트를 포함하는 레조르시놀 아릴레이트 함유 프리폴리머 올리고머로부터 전형적으로 제조된다. 상기 올리고머는 전형적으로 일 구현예에서는 약 10,000 내지 약 60,000, 그리고 또 다른 구현예에서는 약 15,000 내지 약 30,000의 중량평균분자량을 갖는다. 열안정성의 코폴리에스테르카보네이트는 레조르시놀 아릴레이트 함유 올리고머를 3급 아민과 같은 촉매의 존재하에서 포스젠, 적어도 하나의 사슬 정지제, 및 적어도 하나의 디히드록시 치환된 방향족 탄화수소와 반응시킴으로써 제조될 수 있다.
몇몇 경우에 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지는 약 0.75:1 이하의 수소 원자 대 탄소 원자 비(H:C)를 가질 것이다. 수소 함량에 비해 보다 높은 탄소 함량을 갖는 폴리머, 즉 낮은 수소 대 탄소 원자의 비는 종종 개선된 FR 성능을 보여준다. 이러한 폴리머는 보다 낮은 연료 값(fuel value)을 가지며 연소시 낮은 에너지를 방출할 수 있다. 이것들은 또한 폴리머 연료와 점화 소스 사이에 단열 차르(char)층을 형성하는 경향으로 인해 내연성을 가질 수 있다고 생각되어 진다. 특정한 메커니즘 또는 작용 형태와 무관하게, 낮은 H:C 비를 갖는 그러한 폴리머는 우수한 불꽃 시험 성능을 갖는다는 것이 관찰되었다. 몇몇 경우에, H:C 비는 0.75:1 미만일 수 있다. 다른 경우에 약 0.4:1 초과의 H:C 비가 유연성이 충분한 결합을 갖는 폴리머 구조를 제공하며 용융 가공성을 달성하기 위하여 바람직하다. 다른 구현예에서 레조르시놀계 폴리머는 약 0.4:1 내지 약 0.75:1의 H:C 비를 가질 것이다. 주어진 폴리머 또는 코폴리머의 H:C 비는 화학적 반복 단위에 존재하는 다른 원자와 무관하게 탄소 및 수소 원자의 수를 셈으로써 그의 화학 구조로부터 측정될 수 있다.
일 구현예에서 난연성 폴리머 블렌드, 및 이들로부터 제조된 물품은 약 80kW-min/m2 미만의 2분 열방출을 가질 것이다. 다른 경우에, 최대 열방출(peak heat release)은 약 80kW/m2 미만일 것이다. 또 다른 경우에 2분 열방출 및 최대 열방출 모두는 각각 약 65kW-min/m2 미만과 65kW/m2 미만, 선택적으로 각각 약 50kW-min/m2 미만과 50kW/m2 미만일 것이다. 전형적으로 2분 열방출이 가능한 한 낮은 것이 바람직하다.
몇몇 구현예에서 실록산 코폴리머 및 레조르시놀 유도된 결합을 포함하는 아릴 폴리에스테르 수지의 블렌드는 투명성일 것이다. 본 명세서에서 사용될 경우, "투명성"은 3.1mm 성형된 샘플에 대하여, ASTM 방법 D1003에 의해 측정될 경우 약 50% 초과의 퍼센트 투과를 갖는 것을 의미한다. 다른 경우에 ASTM 방법 D1003에 의해 측정될 경우 이러한 투명성 조성물의 페센트 헤이즈는 약 25% 미만일 것이다. 다른 구현예에서 퍼센트 투과(%T)는 약 60% 초과이며 퍼센트 헤이즈는 약 20% 미만일 것이다. 다른 경우에, 조성물, 및 그로부터 제조된 물품은 80kW/m2 이하의 최대 열방출과 함께 약 50% 초과의 투과 및 약 25% 미만의 헤이즈 값(%H)을 가질 것이다.
본 명세서에서 제시된 난연성 블렌드에서 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지, 및 그 혼합물은 조성물의 총중량을 기준으로 약 80 내지 약 99.9wt%의 양으로 존재할 수 있다. 이 범위내에서, 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 그 혼합물의 양은 전체 조성물의 약 90wt% 이상, 보다 구체적으로는 약 95wt% 이상, 보다 구체적으로는 약 97wt% 이상일 수 있다.
일 구현예에서 난연성 폴리머 블렌드는 하기를 포함한다:
a) 레조르시놀 유도된 결합을 포함하는 아릴 폴리에스테르 수지 80.0 내지 99.9wt%,
c) 실록산 코폴리머 0.1 내지 20.0wt%
d) 하나 이상의 인 함유 안정화제 0 내지 2wt%, 및
e) 하나 이상의 금속 산화물 0 내지 20wt%.
또 다른 구현예에서 난연성 폴리머 블렌드는 하기를 포함한다:
a) 적어도 40mol%의 레조르시놀 유도된 결합을 포함하는 아릴 폴리에스테르 수지 90.0 내지 99.9wt%,
b) 실록산 폴리에테르이미드 코폴리머 0.1 내지 10.0wt%
c) 하나 이상의 인 함유 안정화제 0 내지 2wt%, 및
d) 하나 이상의 금속 산화물 0 내지 20wt%.
실록산 코폴리머는 조성물의 열방출 성능을 개선하기 위하여 유효 함량으로 사용될 수 있다. 몇몇 경우에, 폴리에테르이미드, 폴리에테르이미드 술폰, 폴리술폰, 폴리페닐렌 에테르 술폰, 폴리에테르 술폰 또는 폴리페닐렌 에테르의 실록산 코폴리머가 사용될 수 있다. 다른 경우에, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르 카보네이트 또는 폴리카보네이트 실록산 함유 코폴리머가 열방출을 줄이고 FR 성능을 개선시키는데 효과적일 수 있다. 다른 타입의 실록산 코폴리머의 혼합물이 또한 고려된다. 몇몇 구현예에서 실록산 코폴리머는 폴리머 블렌드의 총중량의 0.1 내지 약 9.0wt%, 또는 0.1 내지 7.0wt%, 또는 0.1 내지 5.0wt%로 혼합물에 존재할 수 있다. 이와 같은 경우에, 실록산 코폴리머는 이의 전체 조성 대비 대략 20wt%의 실록산 블록을 포함할 수 있으며, 따라서 상기 조성물에서 실록산 블록의 총중량은 각각 0.02 내지 1.8wt%, 또는 0.02 내지 1.4wt%, 또는 0.02 내지 1.0wt%일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 경우, 용어 "실록산"은 실리콘 원자가 적어도 하나의 산소 원자에 직접 결합되어 있는 적어도 하나의 결합을 갖는 폴리머를 가리킨다.
상기 코폴리머 중 실록산 세그먼트의 블록 길이는 임의의 유효 길이(effective length)일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 블록 길이(z)는 2 내지 약 100개의 실록산 반복 단위일 수 있으며, 여기서 실록산 단위는 (-A2Si-O-)z이며, A는 알킬기이다. 다른 경우에, 실록산 블록 길이는 5 내지 50개의 반복 단위일 수 있다. 5 내지 약 70wt%의 실록산 함량을 갖는 실록산 코폴리머가 몇몇 경우에 바람직하다. 다른 구현예에서 주로 디메틸 실록산 반복 단위를 갖는 실록산 코폴리머가 바람직하다(예를 들어, 폴리디메틸실록산).
실록산 폴리이미드 코폴리머는 본 발명의 블렌드에서 사용될 수 있는 실록산 코폴리머의 특정일 구현예이다. 이러한 실록산 폴리이미드의 예는 US 특허 5,028,681, 4,808,686, 4,690,997, 4,404,350, 4,051,163, 4,011,279, 3,847,867, 3,833,546 및 3,325,450에 개시되어 있다. 실록산 폴리이미드는 적어도 일부분, 즉 전형적으로 상기 이미드의 5 내지 70wt%, 그리고 선택적으로 상기 이미드의 10 내지 50wt%가 실록산 함유 디아민, 실록산 함유 이무수물 또는 그것의 화학 균등물로부터 유도되는, 폴리이미드를 제조하는 표준 방법에 의해 제조될 수 있다.
실록산 폴리이미드는 화학식 XIII의 방향족 비스(에테르 무수물)과 화학식 XIV의 유기 디아민과의 반응을 포함하여, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 방법에 의해 제조될 수 있다,
[화학식 XIII]
Figure 112008037879556-pct00015
[화학식 XIV]
Figure 112008037879556-pct00016
여기서, T는 -O-, -S-, -C(O)-, SO2-, -SO-, 직접 결합(direct linkage), 융합된 고리 결합(fused ring linkages), 또는 식 -O-Z-O-의 기로 이루어진 군으로부터 선택된 이가의 부분(divalent moiety)이며, 여기서 -T- 또는 -O-Z-O- 기의 이가 결합은 3,3',3,4',4,3', 또는 4,4' 위치에 있으며, Z는 이에 한정되지는 않지만, (a) 약 6 내지 약 36개의 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 라디칼 및 퍼플루오로알킬렌기를 포함하는 그의 할로겐화된 유도체; (b) 약 2 내지 약 24개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 또는 분지쇄형 알킬렌 라디칼; (c) 약 3 내지 약 20개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬렌 라디칼; 또는 (d) 일반식 XV의 이가 라디칼을 포함한다:
[화학식 XV]
Figure 112008037879556-pct00017
여기서, Q는 이에 한정되지는 않지만 -O-, -S-, -C(O),-SO2-, -SO-, CyH2y-(y는 1 내지 8의 정수임) 및 퍼플루오로알킬렌기를 포함하는 그의 불소화된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 이가의 부분을 포함하며, 반응물, 즉 이무수물, 디아민, 또는 그 혼합물의 적어도 일부분은 실록산 관능기를 포함한다. 화학식 XIV에서 부분 R은 이에 한정되지는 않지만, (a) 약 6 내지 약 36개의 탄소 원자를 갖는 방향족 탄화수소 라디칼 및 그의 할로겐화된 유도체; (b) 약 2 내지 약 20개의 탄소 원자를 갖는 직쇄형 또는 분지쇄형 알킬렌 라디칼; (c) 약 3 내지 약 24개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬렌 라디칼; 또는 (d) 일반식 XV의 이가 라디칼과 같은 치환되거나 또는 비치환된 이가의 유기 라디칼을 포함한다.
적당한 디아민 화합물의 예는 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 트리메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 1,12-도데칸디아민, 2,5-디메틸헵타메틸렌디아민, 2,2-디메틸프로필렌디아민, N-메틸-비스(3-아미노프로필)아민, 3-메톡시헥사메틸렌디아민, 1,2-비스(3-아미노프로폭시)에탄, 비스(3-아미노프로필)설파이드, 1,4-시클로헥산디아민, 비스-(4-아미노시클로헥실)메탄, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,4-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, m-자일릴렌디아민, p-자일릴렌디아민, 2-메틸-4,6-디에틸-1,3-페닐렌-디아민, 5-메틸-4,6-디에틸-1,3-페닐렌-디아민, 벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 3,3'-디메톡시벤지딘, 1,5-디아미노나프탈렌, 비스(4-아미노페닐)메탄, 비스(2-클로로-4-아미노-3,5-디에틸페닐)메탄, 비스(4-아미노페닐)프로판, 2,4-비스(p-아미노-t-부틸)톨루엔, 비스(p-아미노-t-부틸페닐)에테르, 비스(p-메틸-o-아미노페닐)벤젠, 비스(p-메틸-o-아미노펜틸)벤젠, 1,3-디아미노-4-이소프로필벤젠, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(4-아미노페닐)술폰, 비스(4-아미노페닐)에테르 및 1,3-비스(3-아미노프로필)벤젠이다. 상기 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물이 또한 사용될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 디아미노 화합물은 방향족 디아민, 특히 m- 및 p-페닐렌디아민, 술포닐 디아닐린, 비스 아미노페녹시 벤젠, 비스 아미노 페녹시 술폰 및 상기 디아민 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물이다.
특정한 방향족 비스 무수물(aromatic bis anhydride) 및 유기 디아민의 예는 US 특허 3,972,902 및 4,455,410에 개시되어 있다. 방향족 비스 무수물의 예시적인 예는 하기를 포함한다: 3,3-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 에테르 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 설파이드 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤조페논 이무수물; 4,4'-비스(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물; 2,2-비스[4-(2,3-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카르복시페녹시)디페닐 에테르 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카르복시페녹시)디페닐 설파이드 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카르복시페녹시)벤조페논 이무수물; 4,4'-비스(2,3-디카르복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물; 4-(2,3-디카르복시페녹시)-4'-(3,4-디카르복시페녹시)디페닐-2,2-프로판 이무수물; 4-(2,3-디카르복시페녹시)-4'-(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 에테르 이무수물; 4-(2,3-디카르복시페녹시)-4'-(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 설파이드 이무수물; 4-(2,3-디카르복시페녹시)-4'-(3,4-디카르복시페녹시)벤조페논 이무수물 및 4-(2,3-디카르복시페녹시)-4'-(3,4-디카르복시페녹시)디페닐 술폰 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 바이페닐 이무수물, 옥시 디프탈산 무수물, 술폰 디프탈산 무수물, 하이드로퀴논 디프탈산 무수물, 레조르시놀 디프탈산 무수물 및 상기 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물.
폴리이미드 실록산은 또한, 유기 디아민 반응물의 일부 또는 전부가, 예를 들어, 화학식 XVI(여기서, g는 1 내지 약 100, 선택적으로 약 5 내지 약 50의 정수이며, R'는 2 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴, 알킬 또는 아릴 알킬기임)의 아민 말단화된 유기 실록산에 의해 대체되는 것을 제외하고는 폴리이미드에 대해 사용된 것과 비슷한 방법으로 제조될 수 있다.
[화학식 XVI]
Figure 112008037879556-pct00018
몇몇 폴리이미드 실록산은 유기 디아민 또는 디아민의 혼합물과, 화학식 XIV의 아민 말단화된 유기 실록산, 및 하나 이상의 이무수물과의 반응에 의해 형성될 수 있다. 디아미노 성분은 비스-무수물과의 반응 전에 물리적으로 혼합될 수 있으며, 따라서 실질적으로 랜덤 코폴리머를 형성할 수 있다. 다르게는 블록 또는 교대 코폴리머는 이무수물과 XIV과의 선택적인 반응에 의해 형성되어, 나중에 함께 반응되는 폴리이미드 블록을 제조할 수 있다. 또 다른 경우에 폴리이미드 코폴리머를 제조하기 위해 사용되는 실록산은 예를 들어 US 특허 4,404,350에 개시된 것과 같은 아민 관능성 말단기가 아닌 무수물 말단기를 가질 수 있다.
또 다른 구현예에서 실록산 폴리이미드 코폴리머는 화학식 XVII일 수 있으며, 여기서 T, R' 및 g는 위에서 설명된 것과 같으며, n은 5 내지 약 100이며 Ar은 6 내지 36 개의 탄소를 갖는 아릴 또는 알킬 아릴기이다.
[화학식 XVII]
Figure 112008037879556-pct00019
몇몇 실록산 폴리에테르이미드에서 실록산 폴리에테르이미드 코폴리머의 디아민 성분은 화학식 XVI의 아민 말단화된 유기 실록산 약 5 내지 70wt% 및 화학식 XIV의 유기 디아민 약 30 내지 95wt%를 포함할 수 있다. 몇몇 실록산 코폴리머에서, 실록산 성분은 아민 또는 무수물 말단화된 유기 실록산 약 25 내지 약 40wt%를 포함할 수 있다.
몇몇 구현예에서 실록산 폴리이미드는 이무수물 및/또는 디아민의 중합에 의해 유도될 수 있는 아릴 에테르 결합을 포함하는 실록산 폴리에테르이미드일 수 있으며, 여기서 이무수물 또는 디아민의 적어도 일부는 아릴 에테르 결합을 포함한다. 몇몇 경우에 디아민 및 이무수물 모두는 아릴 에테르 결합을 포함할 것이며 상기 디아민 또는 이무수물의 적어도 일부는 예를 들어 전술한 바와 같은 실록산 관능기를 포함할 것이다. 다른 구현예에서 아릴 에테르 결합은 비스페놀 A 디프탈산 무수물, 바이페놀 디프탈산 무수물, 옥시 디프탈산 무수물 또는 이들의 혼합물과 같은 이무수물로부터 유도될 수 있다. 다른 실록산 폴리에테르이미드에서 아릴 에테르 결합은 아릴 에테르 결합을 포함하는 적어도 하나의 디아민, 예를 들어, 디아미노 디페닐 에테르, 비스 아미노 페녹시 벤젠, 비스 아미노 페녹시 페닐 술폰 또는 이들의 혼합물로부터 유도될 수 있다. 디아민 또는 이무수물은 아릴 에테르 결합을 가질 수 있거나, 또는 몇몇 경우에 상기 두 개의 모노머 모두는 아릴 에테르 결합을 포함할 수 있다.
몇몇 다른 구현예에서 실록산 폴리이미드는 실록산 폴리에테르이미드 술폰일 수 있으며 아릴 술폰 결합 및 아릴 에테르 결합을 포함할 수 있다. 술폰 결합은 이무수물 및/또는 디아민의 중합에 의해 폴리머에 도입될 수 있으며, 여기서 이무수물 또는 디아민의 적어도 일부는 아릴 술폰 결합을 포함한다. 몇몇 경우에 디아민과 이무수물 모두는 아릴 에테르 결합 또는 아릴 술폰 결합을 포함할 것이며 디아민 또는 이무수물의 적어도 일부는 예를 들어 전술한 바와 같은 실록산 관능기를 포함할 것이다. 다른 구현예에서 아릴 에테르 결합은 술폰 디프탈산 무수물, 디페닐 술폰 디프탈산 무수물 또는 이들의 혼합물과 같은 이무수물로부터 유도될 수 있다. 다른 실록산 폴리에테르이미드 술폰에서 아릴 에테르 결합은 아릴 술폰 결합을 포함하는 적어도 하나의 디아민, 예를 들어, 디아미노 디페닐 술폰(DDS), 비스 아미노 페녹시 페닐 술폰(BAPS) 또는 이들의 혼합물로부터 유도될 수 있다. 상기 디아민 또는 이무수물은 아릴 술폰 결합을 가질 수 있거나, 또는 몇몇 경우에 상기 두 개의 모노머 모두는 또한 아릴 술폰 결합을 포함할 수 있다.
또 다른 경우에 실록산 코폴리머는 실록산 폴리카보네이트, 실록산 폴리아릴레이트 또는 실록산 폴리에스테르 카보네이트 코폴리머일 수 있다. 폴리카보네이트 실록산 코폴리머의 예는 US 특허 6,833,422, 6,657,018, 6,072,011, 3,419,635 및 3,189,662에 개시되어 있다.
실록산 폴리카보네이트 코폴리머는 포스젠, 트리포스젠, 디아릴 또는 디알킬 카보네이트와 같은 카보닐 전구체와, 비스페놀 또는 비스페놀 혼합물과의 반응에 의해 제조될 수 있으며, 여기서 비스페놀의 일부는 카보닐 전구체와 반응할 수 있는 관능성 실록산, 예를 들어 실록산 비스페놀, 예를 들어 화학식 XVIII의 실록산 비스페놀에 의해 대체되었으며, 상기 식에서 g는 1 내지 약 100, 선택적으로 약 5 내지 약 50의 정수이며, n은 1 내지 4의 정수이며, R은 아릴, 알킬, 아릴 알킬, 알콕시 또는 할로겐기 중의 적어도 하나이며, R'는 2 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴, 알킬 또는 아릴 알킬기이다.
[화학식 XVIII]
Figure 112008037879556-pct00020
다른 경우에 실록산 폴리카보네이트 코폴리머는 포스젠, 디아릴 또는 디알킬 카보네이트와 같은 카보닐 전구체와, 비스페놀 또는 비스페놀 혼합물과의 반응에 의해 제조될 수 있으며, 여기서 비스페놀의 일부는 카보닐 전구체와 반응할 수 있는 관능성 실록산, 예를 들어 화학식 XIX의 실록산 비스페놀에 의해 대체되었으며, 상기 식에서 g는 위에서 한정된 것과 같으며 Ar은 디히드록시 치환된 방향족 탄화수소로부터 유도된 아릴기이다.
[화학식 XIX]
Figure 112008037879556-pct00021
다른 구현예에서 실록산 폴리에스테르 카보네이트는 디카르복실산 디클로라이드와, 포스젠, 디아릴 또는 디알킬 카보네이트와 같은 카보닐 전구체의 혼합물과, 비스페놀 또는 비스페놀의 혼합물과의 반응에 의해 제조될 수 있으며, 여기서 비스페놀의 일부는 카보닐 전구체와 반응할 수 있는 관능성 실록산, 예를 들어 화학식 XVIII 또는 XIX의 실록산 비스페놀에 의해 대체되었다.
다른 구현예에서 실록산 코폴리머는 폴리머 사슬의 일부로서 실록산기를 포함하는 폴리술폰, 폴리에테르 술폰 또는 폴리페닐렌 에테르 술폰의 코폴리머일 수 있다. 이러한 실록산 폴리술폰 코폴리머는 관능화된 폴리실록산과 아릴 술폰을 함유하는 올리고머와의 반응에 의해 제조되어 랜덤 또는 블록 코폴리머를 형성할 수 있다. 실록산 폴리술폰 및 실록산 폴리에테르술폰의 예는 US 특허 4,443,581, 3,539,657, 3,539,655 및 3,539,655에 개시되어 있다.
실록산 코폴리머는 실록산 및 아릴 폴리에테르 세그먼트를 포함하는 랜덤 또는 블록 코폴리머, 예를 들어 2,6-자일레놀 결합된 실록산 폴리머 세그먼트의 코폴리머일 수 있다. 실록산 폴리아릴에테르 코폴리머의 예는 US 특허 6,339,131, 5,357,022, 4,814,392 및 3,668,273에 개시되어 있다.
본 발명의 레조르시놀 유도된 폴리아릴레이트 및 폴리에스테르 카보네이트 수지 실록산 코폴리머 혼합물은 다른 열가소성 수지와 추가적으로 블렌딩될 수 있다. 다른 열가소성 수지의 예는 레조르시놀 결합이 본질적으로 없는 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트 및 폴리에스테르 카보네이트 뿐만 아니라 폴리술폰, 폴리페닐렌 에테르, 폴리에테르이미드, 폴리술폰 에테르이미드이다. 이 경우에 사용된 레조르시놀이 본질적으로 없는 것은 1mol% 미만의 레조르시놀 유도된 결합을 갖는 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트 또는 폴리에스테르 카보네이트 수지이다. 본질적으로 레조르시놀 결합이 결여된 폴리카보네이트의 예는 비스페놀, 또는 하나 이상의 비스페놀의 혼합물과 카보닐 전구체와의 반응으로부터 유도된 폴리카보네이트, 예를 들어 비스페놀 A, 테트라 메틸 비스페놀 A, 이소포론 비스페놀 A(isophorone bisphenol A), 디히드록시 디페닐 술폰, 히드록시 디페닐 에테르, 테트라 브로모 비스페놀 A, 바이페놀, 하이드로퀴논, 메틸렌 비스 페놀, 페닐 디알킬리덴 비스페놀, 플루오레논 비스페놀(fluorenone bisphenol), 페닐 메틸 비스페놀, 스피로 바이인단 비스페놀(spiro biindane bisphenol) 등으로부터 유도된 폴리카보네이트이다. 카보네이트 전구체의 예는 포스젠, 트리포스젠, 디아릴 또는 디알킬 카보네이트와 같은 카보닐 전구체이다. 폴리아릴레이트의 예는 비스페놀, 예를 들어 위에서 열거된 비스페놀과, 이소 및 테레프탈로일 클로라이드와 같은 디카르복실산 클로라이드와의 반응으로부터 제조된 수지이다. 폴리에스테르 카보네이트 코폴리머의 예는 비스페놀, 또는 비스페놀의 혼합물과, 포스젠, 트리포스젠, 디아릴 또는 디알킬 카보네이트와 같은 카보닐 전구체와 디카르복실산 디클로라이드의 혼합물과의 반응에 의해 제조될 수 있는 수지이다. 몇몇 블렌드에서 레조르시놀 유도된 폴리아릴레이트 또는 폴리에스테르 카보네이트는 전체 혼합물의 10 내지 95wt%로 존재할 수 있으며, 실록산 코폴리머 0.1 내지 10wt% 및 비레조르시놀 함유 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르 카보네이트 또는 이들의 혼합물 5 내지 90wt%가 존재할 수 있다.
실록산 코폴리머 및 레조르시놀 유도된 폴리아릴레이트 수지의 혼합물은 에틸렌 에틸 아크릴레이트와 같은 코폴리머를 포함하는 폴리올레핀, 예를 들어 US 특허 6,545,089에 개시된 것과 같은, 아크릴 고무 및 메틸메타크릴레이트 부타디엔 스티렌(MBS)과 같은 코어 쉘 고무 개질제, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS)과 같은 그래프트 고무, 스티렌 부타디엔 스티렌(SBS)과 같은 블록 코폴리머, 및 스티렌 에틸렌 부틸렌 스티렌(SEBS) 코폴리머, 폴리에테르 에스테르 블록 코폴리머 및 이들의 혼합물과 같은 고무 충격 개질제와 추가로 블렌딩될 수 있다. 몇몇 구현예에서 이러한 개질제의 낮은 농도, 즉 전체 조성물의 0.5 내지 7wt%가 충격에서의 추가적인 개선을 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 이러한 가연성 고무 개질제의 낮은 농도, 예를 들어 0.5 내지 7wt%가 감소된 가연성과 개선된 충격을 조화시키기 위하여 바람직할 수 있다. 약 10% 초과의, 높은 농도의 고무는 몇몇 경우에 과량의 연료를 제공하여 내연 유효성을 감소시킬 수 있다.
레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 및 실록산 코폴리머 조성물의 높은 아이조드 충격 강도 및 높은 인장신율은 상기 조성물을 시트와 같은 용도에 유용한 것으로 만들며, 이 경우 상기 조성물은 내충격파손성을 나타낸다. 낮은 열방출값에서 보여지는 것처럼, 내연성과, 인성(toughness) 및 충격의 조합은 이러한 조성물로부터 형성된 시트 또는 다른 물품을 매우 유용한 것으로 만든다. 예를 들어, 이러한 시트는 수송용 비이클(vehicle), 예를 들어 항공기, 유람선 또는 기차 내부의 건축을 위해 사용될 수 있다. 시트는 예를 들어, 압출, 압축 성형 또는 캘린더링에 의해 제조된 상태로 사용될 수 있으며, 또한 다른 방법에 의해 열성형되거나 성형(shape)될 수 있다. 필름 및 시트는 또한 보다 복잡한 다층 또는 폼(foam) 제작의 성분일 수 있다. 몇몇 경우에, 예를 들어, ASTM 방법 D638에 의해 측정될 경우, 약 50% 이상의 파단인장신율을 가짐으로써 양호한 충격이 보여지거나, 또는 다른 경우에는 ASTM 방법 D256에 의해 측정될 경우, 5.0ft-lbs/in 이상의 노치 아이조드 충격 값을 가짐으로써 양호한 충격이 보여진다. 다른 구현예에서 상기 조성물, 및 그로부터 제조된 물품은 약 50% 초과의 파단인장신율 및 약 5.0ft-lbs/in 초과의 노치 아이조드 충격 모두를 가질 것이다.
금속 산화물은 또한 실록산 코폴리머 및 레조르시놀 에스테르 함유 폴리머의 모든 블렌드에 첨가될 수 있다. 금속 산화물은, 예를 들어, 이산화티탄, 산화아연, 산화브롬, 산화안티몬, 산화철 및 전이금속 산화물을 포함한다. 백색 금속 산화물이 몇몇 경우에 바람직할 수 있다. 금속 산화물은 단독으로 또는 다른 금속 산화물과 조합되어 사용될 수 있다. 금속 산화물은 유효량, 즉 몇몇 경우에 폴리머 블렌드의 0.01 내지 20wt%로 사용될 수 있다. 금속 산화물은 또한 실록산 원자를 포함할 수 있다.
다른 유용한 첨가제는 금속 붕산염, 예를 들어, 아연 붕산염, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 붕산염 또는 다른 붕산염과 같은 매연 억제제를 포함한다. 추가적으로 붕산, 붕산염 에스테르, 산화브롬 또는 브롬의 다른 산소 화합물과 같은 다른 브롬 함유 화합물이 유용할 수 있다. 종래의 난연 첨가제, 예를 들어, 포스페이트 에스테르, 술포네이트염 및 할로겐화된 방향족 화합물이 또한 사용될 수 있다. 이러한 난연제의 일부 또는 전부의 혼합물이 또한 사용될 수 있다. 할로겐화된 방향족 화합물의 예는 브롬화된 페녹시 수지, 할로겐화된 폴리스티렌, 할로겐화된 이미드, 브롬화된 폴리카보네이트, 브롬화된 에폭시 수지 및 이들의 혼합물이다. 술포네이트염의 예는 포타슘 퍼플루오로 부틸 술포네이트, 소듐 토실레이트, 소듐 벤젠 술포네이트, 소듐 디클로로 벤젠 술포네이트, 포타슘 디페닐 술폰 술포네이트 및 소듐 메탄 술포네이트이다. 몇몇 경우에는 알칼리 및 알칼리 토금속의 술포네이트염이 바람직하다. 포스페이트 난연제의 예는 트리 아릴 포스페이트, 트리 크레실 포스페이트, 트리페닐 포스페이트, 비스페놀 A 페닐 디포스페이트, 레조르시놀 페닐 디포스페이트, 페닐-비스-(3,5,5'-트리메틸헥실 포스페이트), 에틸 디페닐 포스페이트, 비스(2-에틸헥실)-p-톨일 포스페이트, 비스(2-에틸헥실)-페닐 포스페이트, 트리(노닐페닐)포스페이트, 페닐 메틸 수소 포스페이트, 디(도데실)-p-톨일 포스페이트, 할로겐화된 트리페닐 포스페이트, 디부틸 페닐 포스페이트, 2-클로로에틸디페닐 포스페이트, p-톨일 비스(2,5,5'-트리메틸헥실)포스페이트, 2-에틸헥실디페닐 포스페이트, 디페닐 수소 포스페이트, 레조르시놀 디포스페이트 등이다.
몇몇 경우에 할로겐 원자, 특히 브롬 및 염소가 본질적으로 없는 난연성 조성물을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 할로겐 원자가 본질적으로 없다는 것은 조성물이 상기 조성물의 3wt% 미만의 할로겐을 갖는다는 것을 의미한다. 다른 구현예에서 조성물은 1wt% 미만의 할로겐을 갖는다. 할로겐 원자의 양은 통상적인 화학적 분석에 의해 측정될 수 있다.
조성물은 수지 조성물에 방적(anti-drip) 또는 다른 개선된 특성을 제공하기 위하여 선택적으로 유효한 양의 플루오로폴리머를 포함할 수 있다. 몇몇 경우에 플루오로폴리머는 조성물의 0.01 내지 약 5.0wt%의 양으로 사용될 수 있다. 적당한 플루오로폴리머의 몇가지 가능한 예 및 이러한 플루오로폴리머를 제조하는 방법은, 예를 들어, US 특허 3,671,487, 3,723,373 및 3,383,092에 개시되어 있다. 적당한 플루오로폴리머는 하나 이상의 불소화된 알파-올레핀 모노머로부터 유도된 구조 단위를 포함하는 호모폴리머 및 코폴리머를 포함한다. 용어 "불소화된 알파-올레핀 모노머"는 적어도 하나의 불소 원자 치환기를 포함하는 알파-올레핀 모노머를 의미한다. 몇몇 적당한 불소화된 알파-올레핀 모노머는, 예를 들어, CF2=CF2, CHF=CF2, CH2=CF2 및 CH2=CHF와 같은 플루오로에틸렌, 및 예를 들어, CF3CF=CF2, CF3CF=CHF, CF3CH=CF2, CF3CH=CH2, CF3CF=CHF, CHF2CH=CHF 및 CF3CF=CH2를 포함한다.
몇가지 적당한 불소화된 알파-올레핀 코폴리머는, 예를 들어, 폴리(테트라플루오로 에틸렌-헥사플루오로 에틸렌)과 같은, 2개 이상의 불소화된 알파-올레핀 모노머로부터 유도된 구조 단위를 포함하는 코폴리머, 및, 예를 들어, 폴리(테트라플루오로에틸렌-에틸렌-프로필렌) 코폴리머와 같은, 하나 이상의 불소화된 모노머 및 상기 불소화된 모노머와 공중합할 수 있는 하나 이상의 비불소화된 모노에틸렌성 불포화 모노머로부터 유도된 구조 단위를 포함하는 코폴리머를 포함한다. 적당한 비불소화된 모노에틸렌성 불포화 모노머는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부텐과 같은 알파-올레핀 모노머, 예를 들어, 메틸 메타크릴레이트, 부틸 아크릴레이트 등과 같은 아크릴레이트 모노머를 포함하며, 폴리(테트라플루오로에틸렌) 호모폴리머(PTFE)가 바람직하다.
블렌드는 섬유 유리, 분말 유리, 글래스 비드, 박편(flake) 등과 같은 충전제 및 강화제를 추가로 포함할 수 있다. 활석, 규회석, 운모, 카올린 또는 몬트모릴로니트 점토와 같은 광물, 실리카, 석영 및 중정석이 첨가될 수 있다. 조성물은 또한 유효한 양의 무기충전제, 예를 들어, 탄소 섬유 및 나노튜브, 금속 섬유, 세라믹 섬유, 금속 분말, 도전성 탄소, 및 나노스케일 강화제를 포함하는 다른 첨가제에 의해 개질될 수 있다. 장유리섬유(long glass fibers) 또는 연속 유리섬유(continuous glass fibers)가 또한 본 명세서에 개시된 블렌드와 조합하여 사용될 수 있다. 몇몇 구현예에서 난연제 블렌드는 폼 시트(foamed sheet)를 포함하는 시트를 제조하기 위하여 유리 섬유와 함께 사용될 것이다.
다른 첨가제는 포스파이트, 포스포나이트 및 입체 장해 페놀(hindered phenol)과 같은 산화방지제를 포함한다. 인 함유 안정화제는 이관능성 인 함유 화합물 뿐만 아니라 트리아릴 포스파이트, 아릴 포스포네이트를 포함한다. 인 함유 안정화제는 전형적으로 전체 조성물의 0.05 내지 약 0.5wt%로 조성물에 존재한다. 착색제, 광 안정화제, 광학 증백제, UV 흡수제, 흐름 보조제(flow aid) 및 몰드 이형 화합물이 또한 고려된다. 몰드 이형 화합물의 예는 알킬 카르복실산 에스테르, 예를 들어, 펜타에리트리톨 테트라스테아레이트, 글리세린 트리스테아레이트 및 에틸렌 글리콜 디스테아레이트이다. 몰드 이형제는 전형적으로 조성물의 0.05 내지 약 0.5wt%로 조성물에 존재한다.
본 발명의 조성물은 상기 조성물에 바람직한 임의의 추가의 첨가제와 함께 재료의 밀접한 혼합(intimate admixing)을 포함하는 다양한 방법에 의해 전술한 구성성분과 블렌딩될 수 있다. 바람직한 방법은, 용액 블렌딩이 또한 가능하기는 하지만, 용융 블렌딩을 포함한다. 상업용 폴리머 공정 설비에서 용융 블렌딩 장치의 입수가능성 때문에, 용융 처리 방법이 전형적으로 바람직하다. 이러한 용융 처리 방법에 사용되는 장치의 예시적인 예는 동회전(co-rotating) 및 역회전 압출기, 일축 압출기, 코-니더(co-kneader), 디스크-팩 프로세서 및 다른 다양한 타입의 압출 장치를 포함한다. 본 처리에서 용융 온도는 바람직하게는 수지의 과잉 열화(excessive degradartion)를 회피하기 위하여 최소화된다. 처리 장치에서 수지의 체류시간이 짧게 유지되는 경우에는 보다 높은 온도가 사용될 수 있기는 하지만, 용융된 수지 조성물에서 약 250 내지 약 310℃로 용융 온도를 유지하는 것이 종종 바람직하다. 몇몇 구현예에서 용융 처리된 조성물은 다이(die)의 작은 배출구를 통해 압출기와 같은 처리 장치로부터 배출되며, 결과로서 생기는 용융된 수지의 띠(strands)는 수조로 상기 띠를 통과시킴으로써 냉각된다. 냉각된 띠는 포장 및 추가적인 취급을 위해 작은 펠릿으로 쪼개질 수 있다.
본 발명의 조성물은 많은 방법에 의해 물품으로 성형될 수 있다. 적당한 방법의 예는 용융 처리, 예를 들어, 사출 성형, 블로우 성형, 압축 성형, 프로파일 압출, 시트 또는 필름 압출, 가스 성형(gas assist molding), 구조 폼 성형(structure foam molding) 및 열성형을 포함한다. 이러한 물품의 예는, 이에 한정되지는 않지만, 스냅핏 커넥터(snap fit connector)에서 성형한 장치를 포함하여, 조리기구, 급식도구, 의료장비, 트레이, 플레이트, 핸들, 헬멧, 사육조(animal cage), 전기 커넥터, 전기장치용 인클로저, 엔진 부품, 자동차 엔진 부품, 조명 소켓 및 반사경, 전기 모터 부품, 배전장치, 통신장치, 컴퓨터 등을 포함한다. 다른 물품은, 예를 들어, 시트, 필름, 다층 시트, 다층 필름, 성형품, 압출 프로파일, 코팅품, 섬유 및 폼: 창, 그물 선반(luggage rack), 벽체 판넬, 의자 부품, 조명 판넬, 디퓨저(diffuser), 쉐이드(shade), 파티션, 렌즈, 채광창, 조명 장치, 반사경, 덕트워크, 케이블 트레이, 도관, 파이프, 케이블 타이, 와이어 코팅, 전기 커넥터, 공기 취급 장치, 통풍기, 지붕창(louver), 절연체, 큰 상자(bin), 저장용기, 문, 힌지, 핸들, 싱크, 미러 하우징, 미러, 변좌(toilt seat), 옷걸이, 코트 후크, 선반, 사다리, 난간, 계단, 카트, 트레이, 조리기구, 급식도구, 통신 장치 및 계기 판넬을 포함한다. 다른 타입의 물품은 수송 장치, 특히 항공기, 기차, 버스, 선박 등과 같은 사람을 운반하기 위해 사용되는 수송 장치에 사용될 수 있다. 몇몇 경우에, 50% 초과의 퍼센트 투과를 갖는 투명성 물품을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 다른 경우에 25% 미만의 퍼센트 헤이즈를 갖는 물품이 중요할 수 있다.
본 명세서에서 논의된 조성물은 필름 및 시트 압출과 같은 통상적인 열가소성 공정을 사용하여 물품으로 전환될 수 있다. 필름 및 시트 압출 공정은 이에 한정되지는 않지만 용융 캐스팅, 블로우 필름 압출 및 캘린더링을 포함할 수 있다. 공압출(co-extrusion) 및 라미네이션 공정이 복합 다층 필름 또는 시트를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 단층 또는 다층 코팅이 내스크래치성, 자외선 저항성, 심미적인 외관 등과 같은 추가적인 특성을 부여하기 위하여 단층 또는 다층 기재에 도포될 수 있다. 코팅은 롤링, 스프레잉, 디핑, 브러싱, 또는 플로우 코팅과 같은 표준 도포 기법을 통해 도포될 수 있다. 필름 및 시트는 다르게는 기재, 벨트 또는 롤에, 적당한 용매의 조성물 용액 또는 현탁액을 캐스팅하고 이어서 용매를 제거함으로써 제조될 수 있다. 필름은 또한 스퍼터링, 진공 증착 및 호일과의 라미네이션과 같은 표준 방법을 사용하여 금속화될 수 있다.
연신 필름(oriented films)은 블로우 필름 압출을 통하거나, 또는 종래의 연신 기법을 사용하여 열변형 온도 근처에서 캐스트 또는 캘린더링된 필름을 연신시킴으로써 제조될 수 있다. 예를 들어, 방사상 연신 팬터그래프(pantograph)가 다축 동시 연신에 사용될 수 있으며; x-y 방향 연신 팬터그래프가 평면 x-y 방향으로의 동시 또는 연속 연신에 사용될 수 있다. 기계 방향으로의 연신을 위한 차속 롤(differential speed roll) 섹션 및 폭방향으로의 연신을 위한 텐터 프레임(tenter frame) 섹션이 장착된 기계와 같은, 순차적인 단축 연신 섹션을 갖는 장치가 또한 단축 및 다축 연신을 달성하기 위해 사용될 수 있다.
전술한 필름 및 시트는, 이에 한정되지는 않지만, 열성형, 진공 성형, 압력 성형, 사출 성형 및 압축 성형을 포함하는 성형(forming and molding)을 통해 성형 물품(shaped article)으로 추가로 열가소적으로 가공될 수 있다. 다층 성형 물품은 또한 하기에 개시된 바와 같이 단층 또는 다층 필름 또는 시트 기재 상에 열가소성 수지를 사출 성형함으로써 형성될 수 있다:
1) 예를 들어, 전사 염료(transfer dye)의 스크린 인쇄를 사용하여, 표면상에 선택적으로 하나 이상의 색상을 갖는 단층 또는 다층 열가소성 기재를 제공하는 단계;
2) 기재를 성형하고 다듬어서 3차원 형상으로 하는 것에 의하는 것과 같이 상기 기재를 금형 형상에 적합하게 하고(conforming) 상기 기재의 3차원 형상에 부합(match)하는 표면을 갖는 금형에 끼워넣는 단계; 또는
3) 상기 기재 뒤의 상기 금형 캐비티 내로 열가소성 수지를 사출함으로써 (i) 원피스(one-piece)의 영구 결합된 3차원 제품을 제조하거나 또는 (ii) 인쇄된 기재로부터 상기 사출된 수지로 패턴 또는 심미적인 효과를 전사하고 인쇄된 기재를 제거함으로써 상기 성형 수지에 심미적인 효과를 부여하는 단계.
당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 또한, 이에 한정되지는 않지만, 열경화, 텍스처링(texturing), 엠보싱, 코로나 처리, 불꽃 처리, 플라즈마 처리 및 진공 증착을 포함하는 통상적인 경화 및 표면 개질 방법이 표면 외관을 변경하고 상기 물품에 추가적인 기능을 부여하기 위하여 상기 물품에 추가적으로 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 또 다른 구현예는 상기 조성물로부터 제조된 물품, 시트 및 필름에 관한 것이다.
추가적인 노력 없이, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 명세서의 상세한 설명을 사용하여 본 발명을 이용할 수 있다고 믿어진다. 하기 실시예는 청구된 발명을 실시하는 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 추가 지침을 제공하기 위하여 포함된다. 제공된 실시예는 단지 본 연구를 대표하며 본 발명의 가르침에 기여한다. 따라서, 이러한 실시예는 어떤 방식으로든 본 발명을 제한하는 것을 의미하지 않는다.
본 명세서에 인용된 모든 특허는 인용에 의하여 본 명세서에 통합된다.
실시예
2.5인치 단축 스크류의 진공 탈기식 압출기에서, 레조르시놀계 폴리에스테르 카보네이트 수지와 표 1 내지 4에 언급한 것과 같은 실록산 폴리에테르이미드(실록산 PEI) 또는 실록산 폴리카보네이트(실록산 PC) 코폴리머 수지 또는 다른 구성성분의 혼합물을 압출하여 블렌드를 제조하였다. 달리 언급한 경우를 제외하고는 전체 조성물의 wt%로 조성을 열거하였다. 약 250 내지 310℃로 상기 압출기를 설정하였다. 진공하에서 약 90rpm으로 상기 블렌드를 회전시켰다. 압출물을 냉각시키고 펠릿화하여 120℃에서 건조시켰다. 30초 사이클 시간을 사용하여 280-310℃의 설정 온도 및 120℃의 금형 온도에서 시험 시료를 사출 성형하였다. ASTM 시험 방법을 사용하여 물성을 측정하였다. 지시된 바와 같이, 6.6Kg 중량을 사용하여 295℃에서, 또는 1.2Kg 중량을 사용하여 300℃에서 ASTM D1238에 의하여, 건조된 펠릿에 대하여 용융 흐름 지수(MFI)를 측정하였다. 시험 전에 50%의 상대 습도에서 적어도 48시간 동안 모든 성형 시료를 상태 조절하였다. ASTM D256에 의해 3.1mm 두께의 바(bar)에 대하여 실온에서 노치 아이조드 충격 값을 측정하였다. ASTM D648에 의해 3.1mm 두께의 바(bar)에 대하여 1.82MPa(264psi)에서 열변형 온도(HDT)를 측정하였다. ASTM 방법 D3763을 사용하여 23℃에서 102 x 3.1mm 디스크 상에서, 때때로 계장화 충격(instrumented impact)으로 지칭되는 이축 충격(biaxial impact)을 측정하여, 총 충격 에너지를 기록하였다. ASTM 방법 D638에 의해 3.1mm 타입 I 바(bar)에 대하여 인장 특성을 측정하였다. 항복점(Y)에서 인장 강도를 기록하고, 파단점(B)에서 퍼센트 연신(% Elong)을 기록하였다. ASTM 방법 D1003을 사용하여 3.1mm에서 퍼센트 투과(%T) 및 퍼센트 헤이즈(%H)를 측정하였다. FAR 25.853에 열거된 방법에 의해 측정된 것처럼, 오하이오 주립 대학(OSU)의 열방출율 장치를 사용하여 2.0mm 두께의 15.2 x 15.2cm 플레이크(plaque)에 대하여 열방출 시험을 수행하였다. kW-min/m2(제곱 미터당 킬로와트 분)로 2분 열방출을 측정하였다. kW/m2(제곱 미터당 킬로와트)로 최대 열방출을 측정하였다. 열방출 시험 방법은 또한 "Aircraft Materials Fire Test Handbook" DOT/FAA/AR-00/12, Chapter 5 "Heat Release Test for Cabin Materials"에 개시되어 있다.
문자는 비교 실시예를 가리키고 숫자는 본 발명의 실시예를 가리킨다는 것을 유의하라.
재료
ITR 수지는 이소 및 테레프탈로일 클로라이드와 레조르시놀의 1:1 혼합물의 축합 및 뒤이은 비스페놀 A(BPA) 및 포스젠과의 반응으로부터 제조된 폴리머이다. 이 폴리머는 에스테르 결합 대 카보네이트 결합의 대략적인 몰비에 의해 명명된다.
ITR9010: 약 81mol% 레조르시놀 에스테르 결합, 8mol% 레조르시놀 카보네이트 결합 및 약 11mol% BPA 카보네이트 결합. Tg=131℃
ITR6040: 약 51mol% 레조르시놀 에스테르 결합, 15mol% 레조르시놀 카보네이트 결합 및 약 34mol% BPA 카보네이트 결합. Tg=125℃
ITR4060: 약 34mol% 레조르시놀 에스테르 결합, 6mol% 레조르시놀 카보네이트 결합 및 약 60mol% BPA 카보네이트 결합. Tg=130℃
ITR2080: 약 19mol% 레조르시놀 에스테르 결합, 6mol% 레조르시놀 카보네이트 결합 및 약 75mol% BPA 카보네이트 결합. Tg=136℃
실록산 PEI는 m-페닐렌 디아민, BPA-이무수물 및 평균적으로 약 10개의 실록산 원자를 포함하는 비스 아미노프로필 관능성 메틸 실록산의 이미드화 반응으로 제조된 폴리에테르이미드 디메틸 실록산 코폴리머이다. 상기 실록산 PEI는 약 34wt%의 실록산 함량 및 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정된 경우 약 24,000의 Mw를 갖는다.
실록산 PC는 BPA 폴리카보네이트와 약 45개의 실록산 원자의 실록산 블록 길이를 갖는 유게놀 프로필 캡드(capped) 디메틸 실록산 20wt%의 코폴리머이며, 코폴리머의 Mw는 약 30,000이다.
PC는 BPA 폴리카보네이트, 즉 General Electric Plastics으로부터의 LEXAN 130이며, Mw는 약 36,500이다.
PCE는 이소 및 테레 프탈레이트 에스테르기의 1:1 혼합물 약 60wt%와, 잔량의 BPA 카보네이트기를 포함하는 BPA 코폴리에스테르 카보네이트이며, Mw는 약 28,300이다.
실시예 A, 1-6
표 1은 실록산 폴리에테르이미드와 결합된 레조르시놀 에스테르 함유 결합 약 90mol%를 갖는 ITR 코폴리머 수지의 블렌드를 나타낸다. 실시예 1 내지 6에서 보여질 수 있는 바와 같이, 심지어 매우 낮은 농도로의 실록산 PEI의 첨가도 대조 실시예 A에 비해 2분 열방출 및 최대 열방출에서의 놀랄만한 감소를 제공한다. 단지 1.0wt%의 실록산 PEI로 실시예 5에서 최대 열방출은 85에서 47kW/m2로 약 45% 감소한다. 상기 블렌드는 또한 모듈러스, 강도 및 신율을 유지하는 것을 유의하라. 낮은 농도의 실록산 PEI로, 상기 블렌드는 또한 투명성이다(%T≥50).
[표 1]
실시예 A 1 2 3 4 5 6
ITR9010 99.94 99.84 99.74 99.54 99.45 98.95 98.45
PEI-실록산 0.0 0.1 0.2 0.4 0.5 1.0 1.5
아릴 포스페이트 0.06 0.06 0.06 0.06 0.05 0.05 0.05
열방출
2분(kW-min/m2) 36 34 31 27 20 24 26
최대(kW/m2) 85 70 60 58 47 47 34
MFR @300℃ 12.4 11.9 11.5 11.4 13.4 13.7 13.6
Flex Mod Kpsi 344 340 348 360 369 372 373
Flex Str. Kpsi 16.2 16.1 16.5 16.8 16.8 16.7 16.8
T Str.(Y) Kpsi 11.0 11.0 11.0 11.0 10.8 10.8 10.8
% Elong(B) 110 95 120 100 110 100 100
HDT @264 psi ℃ 117 119 119 119 118 118 118
이축 충격 :
총 에너지 ft-lbs 60.9 63.5 63.0 60.3 62.2 58.1 56.6
N 아이조드 ft-lbs/in 4.3 9.7 5.2 5.1 4.6 4.5 4.2
%T @3.1 mm 86.8 86.7 85.5 82.0 78.0 66.2 55.6
% 헤이즈 0.8 0.6 0.8 2.2 3.8 12.9 28.1
실시예 B-D, 7-9
표 2는 2wt% 실록산 PEI와 블렌딩된 일련의 ITR 코폴리머를 나타내며, 여기서 레조르시놀 에스테르 함량(RMC)은 약 60 내지 20mol%의 범위이다. 실록산 PEI 수지를 갖지 않는 코폴리머는 대조 실시예 (B, C, D)로서 보여진다. 실록산 PEI는 실록산 코폴리머가 첨가되지 않은 ITR 코폴리머에 비해 모든 경우(실시예 7, 8 및 9)에서 2분 열방출 및 최대 열방출을 감소시키는데 효과적이라는 것을 유의하라. 또한 실록산 PEI 블렌드의 높은 노치 아이조드 충격 강도를 유의하라. 이러한 실시예들은 또한 높은 레조르시놀 에스테르 함량(RMC)이 낮은 RMC에 비해 열방출값을 줄이는데 효과적이라는 것을 보여준다. 약 40mol% 초과의 RMC를 갖는 블렌드는 낮은 2분 열방출(75kW-min/m2 미만) 및 낮은 최대 열방출값(80kW/m2 미만)을 갖는다.
[표 2]
실시예 B 7 C 8 D 9
ITR6040 100 98 0 0 0 0
ITR4060 0 0 100 98 0 0
ITR2080 0 0 0 0 100 98
PEI-실록산 0 2 0 2 0 2
열방출
2분(kW-min/m2) 75 59 93 70 115 105
최대(kW/m2) 101 78 117 77 171 122
MFR @300℃ 5.8 5.4 8.6 8.4 7.6 7.3
Flex Mod Kpsi 367 358 364 354 354 348
Flex Str. Kpsi 15.8 15.8 15.5 15.5 14.7 14.5
T Str.(Y) Kpsi 10.2 10.1 9.9 9.9 9.3 9.2
% Elong(B) 83 94 110 120 130 130
HDT @264 psi ℃ 118 118 119 118 124 123
이축 충격 :
총 에너지 ft-lbs 59.2 61.8 57.7 56.9 58.1 58.1
N 아이조드 ft-lbs/in 6.7 15.5 4.0 14.6 16.2 16.2
실시예, 7 내지 9 및 B 내지 D는, 모두 3.0phr(parts per hundred)의 이산화티탄 및 0.1phr의 트리-아릴 포스파이트를 가지며 첨가된 TiO2 안료 때문에 불투명하다.
실시예 10-14
표 3은 높은 농도(2 내지 4wt%)의 실록산 PEI와 ITR9010의 블렌드를 보여준다. 실시예 10 내지 12는 다시 TiO2가 첨가된 경우와 첨가되지 않은 경우 모두의 낮은 2분 열방출 및 낮은 최대 열방출값을 보여준다. 실시예 13 및 14는 표 1의 실시예 A(여기에는 첨가된 실록산 PC 코폴리머가 없음)에 비해 감소된 최대 열방출값을 갖는 실록산 폴리카보네이트 코폴리머 5wt%와의 ITR9010 블렌드를 보여준다.
[표 3]
실시예 10 11 12 13 14
ITR9010 95 96 93 95 92
PEI-실록산 2 4 4 0 0
PC-실록산 0 0 0 5 5
TiO2 3 0 3 0 3
열방출
2분(kW-min/m2) 25 35 29 39 46
최대(kW/m2) 37 49 44 56 62
실시예 E-F, 15-16
표 4는 폴리카보네이트(PC)(실시예 15), 또는 비레조르시놀 함유 폴리에스테르 카보네이트(PCE)(실시예 16)를 추가로 포함하는 실록산 PEI와 ITR 코폴리머를 포함하는 난연성 블렌드의 실시예들을 보여준다. 심지어 단지 30wt%의 ITR9010만이 첨가된 ITR 함유 블렌드도, 레조르시놀 에스테르 함유 코폴리머가 없는 대조 E 및 F에 비해 감소된 열방출값을 보여준다. 표 4에서 모든 블렌드는 3.0phr의 이산화티탄 및 0.5phr의 트리아릴 포스파이트를 가졌다.
[표 4]
실시예 E 15 F 16
PC 130 98 68 0 0
PCE 0 0 98 68
Siltem 2 2 2 2
ITR9010 0 30 0 30
TiO2(phr) 3 3 3 3
열방출
2분(kW-min/m2) 59 50 49 44
최대(kW/m2) 97 66 72 62
MFR @295℃ 12.6 14.4 6.9 10.7
Flex Mod Kpsi 338 354 329 350
Flex Str. Kpsi 14.3 15.4 15.0 16.0
T Str.(Y) Kpsi 8.8 9.5 9.1 9.9
% Elong(B) 83 95 83 88
HDT 264 psi ℃ 135 132 149 137
이축 충격
E Max 하중 ft-lbs 52.7 59.2 44.6 50.8
N 아이조드 ft-lbs/in 16.0 16.0 7.6 10.4

Claims (27)

  1. 레조르시놀로부터 유도된 부분(moiety)을 40mol% 이상 갖는 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물로서, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우, 65kW/m2 미만의 최대 열방출(peak heat release)을 가지며, 상기 조성물 중의 모든 실록산 코폴리머의 총함량은 상기 조성물의 총중량을 기준으로 0.1 내지 9.0wt%이며, 상기 조성물은, ASTM 방법 D638에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 파단인장신율 및 ASTM 방법 D256에 의해 측정될 경우, 5.0ft-lbs/in 이상의 노치 아이조드 충격 강도를 갖는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조성물은, ASTM D1003에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 3.1mm에서의 퍼센트 투과를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 조성물의 총중량을 기준으로 상기 조성물 중의 총 실록산 블록 중량은 0.02 내지 1.8wt%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 조성물 중의 모든 실록산 코폴리머의 총함량은 상기 조성물의 총중량을 기준으로 0.1 내지 5.0wt%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지는 0.75:1 이하 의 수소 원자 대 탄소 원자 비를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 실록산 코폴리머는 폴리이미드 실록산, 폴리에테르이미드 실록산, 폴리에테르이미드 술폰 실록산, 폴리술폰 실록산, 폴리에테르 술폰 실록산, 폴리페닐렌 에테르 술폰 실록산, 및 폴리페닐렌 에테르 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 실록산 코폴리머는 폴리이미드 실록산, 폴리에테르이미드 실록산, 및 폴리에테르이미드 술폰 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 실록산 코폴리머의 총중량을 기준으로 상기 조성물 중의 총 실록산 블록 중량은 5 내지 70wt%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 상기 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르는 하기의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112008037879556-pct00022
    여기서 R은 C1 -12 알킬, C6-C24 아릴, 알킬 아릴, 알콕시 또는 할로겐 중의 적어도 하나이며, n은 0 내지 4이며 m은 평균적으로 적어도 8이다.
  12. 제1항에 있어서, 상기 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르는 하기의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 112008037879556-pct00023
    여기서 R은 C1 -12 알킬, C6-C24 아릴, 알킬 아릴, 알콕시 또는 할로겐 중의 적어도 하나이며, n은 0 내지 4이며, R5는 적어도 하나의 이가의 유기 라디칼이며, m은 평균적으로 4 내지 150이며, p는 평균적으로 2 내지 200이다.
  13. 제12항에 있어서, R5는 비스페놀 화합물로부터 유도된 부분(moiety)인 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 상기 조성물은, ASTM D1003에 의해 측정될 경우, 25% 이하의 3.1mm에서의 헤이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 플루오로폴리머를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 제2 레조르시놀계 폴리에스테르 수지를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 삭제
  18. 제1항에 있어서, 상기 조성물은, 1.2Kg 중량으로 300℃에서 ASTM 방법 D1238에 의하여 측정될 경우, 1 내지 30g/10min의 용융 흐름을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  19. 레조르시놀로부터 유도된 부분(moiety)을 40mol% 이상 갖는 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물로서, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우, 80kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, ASTM D1003에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 3.1mm에서의 퍼센트 투과를 가지며, 상기 조성물 중의 모든 실록산 코폴리머의 총함량은 상기 조성물의 총중량을 기준으로 0.1 내지 9.0wt%이며, 상기 조성물은, ASTM 방법 D638에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 파단인장신율 및 ASTM 방법 D256에 의해 측정될 경우, 5.0ft-lbs/in 이상의 노치 아이조드 충격 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
  20. 레조르시놀로부터 유도된 부분(moiety)을 40mol% 이상 갖는 적어도 하나의 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 적어도 하나의 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물로서, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우, 80kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, 상기 실록산 코폴리머는 폴리이미드 실록산, 폴리에테르이미드 실록산, 폴리에테르이미드 술폰 실록산, 폴리술폰 실록산, 폴리에테르 술폰 실록산, 폴리페닐렌 에테르 술폰 실록산, 및 폴리페닐렌 에테르 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 조성물은 폴리카보네이트 실록산을 포함하지 않으며, 상기 조성물 중의 모든 실록산 코폴리머의 총함량은 상기 조성물의 총중량을 기준으로 0.1 내지 9.0wt%이며, 상기 조성물은, ASTM 방법 D638에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 파단인장신율 및 ASTM 방법 D256에 의해 측정될 경우, 5.0ft-lbs/in 이상의 노치 아이조드 충격 강도를 갖는 조성물.
  21. 삭제
  22. 레조르시놀로부터 유도된 부분(moiety)을 40mol% 이상 갖는 적어도 하나의 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지 및 적어도 하나의 실록산 코폴리머를 포함하는 조성물로서, 상기 실록산 코폴리머는 상기 조성물의 총중량을 기준으로 0.1 내지 5.0wt%이며, 상기 조성물은 FAR 25.853에 의해 측정될 경우, 65kW/m2 미만의 최대 열방출을 가지며, 상기 조성물은 ASTM D1003에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 3.1mm에서의 퍼센트 투과를 가지며, 상기 레조르시놀계 아릴 폴리에스테르 수지는 0.75:1 이하의 수소 원자 대 탄소 원자 비를 가지며, 상기 조성물 중의 모든 실록산 코폴리머의 총함량은 상기 조성물의 총중량을 기준으로 0.1 내지 9.0wt%이며, 상기 조성물은, ASTM 방법 D638에 의해 측정될 경우, 50% 이상의 파단인장신율 및 ASTM 방법 D256에 의해 측정될 경우, 5.0ft-lbs/in 이상의 노치 아이조드 충격 강도를 갖는 조성물.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 제1항, 제19항, 제20항 또는 제22항의 조성물을 포함하는 물품.
  26. 삭제
  27. 삭제
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