KR101102216B1 - 다수의 화소를 포함하는 능동 망막 임플란트 - Google Patents
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Abstract
능동 망막 임플란트(10)는, 자극 전극(22)이 접촉하는 망막(33) 셀에 대해 입사하는 광(34)을 전기 자극 신호(Us)로 변환하는 다수의 화소(18)를 포함한다. 각 화소(18)는, 입사하는 광(34)을 전기 신호(Vout)로 변환하는 적어도 하나의 이미지 셀(19)과, 상기 이미지 셀(19)에 연결된 입력단(52)과, 자극 신호(Us)를 공급하는 적어도 하나의 자극 전극(22)에 연결된 출력단을 갖는 적어도 하나의 증폭기(51)를 구비한다. 상기 능동 망막 임플란트(10)는 상기 이미지 셀(19)과 상기 증폭기(51)에 대한 공급 전압(Vcc1, Vcc2)으로서 외부에 연결된 외부 에너지(36)를 제공하는 에너지 공급 장치(14)를 구비한다. 일 실시예에서, 상기 이미지 셀(19)은 대수 특성(67)을 가지고 있고, 이 대수 특성에 따라 특정 세기를 갖는 입사 광(34)이 특정 진폭을 갖는 전기 신호(Vout)로 변환된다. 다른 실시예에서, 자극 신호는 특정 펄스 길이와 펄스 간격을 갖는 아날로그 전압 펄스 형태로 공급되며, 상기 펄스 진폭은 입사 광의 세기의 함수이다(도 1).
Description
본 발명은, 자극 전극이 접촉하는 망막 셀에 대해 입사하는 광을 전기 자극 다수의 화소로서, 각 화소는, 입사하는 광을 전기 신호로 변환하는 적어도 하나의 이미지 셀과, 상기 이미지 셀에 연결된 입력단과, 자극 신호를 공급하는 적어도 하나의 자극 전극에 연결된 출력단을 갖는 적어도 하나의 증폭기를 구비하는, 다수의 화소와; 상기 이미지 셀과 상기 증폭기에 대한 공급 전압으로서 외부에 연결된 외부 에너지를 제공하는 에너지 공급장치를 구비하는, 능동 망막 임플란트(active retina implant)에 관한 것이다.
상기와 같은 망막 임플란트는 예를 들어 DE 197 05 988 A1에 개시되어 있다.
이 알려져 있는 망막 임플란트는, 망막 퇴화에 따른 시력 손실을 보상하기 위해 사용된다. 여기에서 기본적인 아이디어는, 예를 들어, 퇴화된 광수용체의 기능을 대체하도록 의도된 마이크로전자 자극 칩(stimulation chip)을 환자의 퇴화된 망막 영역에 이식하는 것이다. 이 자극 칩은 망막 영역에 입사하는 가시 광의 함수로서 전기 펄스를 생성하고 이 전기 펄스를 통해 망막 내 셀을 자극하는 다수의 화소를 구비한다.
망막 임플란트는 에피레티날 임플란트(epiretinal implant)로서 망막 상에 장착되거나 그렇지 않으면 소위 서브레티날 임플란트(subretinal implant)로서 망막 내에 또는 망막 아래에 삽입될 수 있다.
서브레티날 임플란트는 예를 들어 EP 0 460 320 A2에 개시되어 있다. 이 임플란트의 경우, 입사하는 주변 광이 망막 내 셀에 요구되는 자극을 생성하기에 충분하다고 한다. 서브레티날 망막 임플란트를 정확히 배열하는 것에 대해서는 이 문헌을 참고하면 된다.
앞서 언급된 DE 197 05 988 A1에는, 서브레티날 임플란트가 개시되어 있으며, 이 서브레티날 임플란트는 비가시광 전자기 복사파에 대해 활성인 광전층을 구비하며, 이 광전층에 의해 생성된 전압을 이용함으로써 국부적으로 자극 신호가 스위칭된다. 이 알려진 임플란트는 비가시광 스펙트럼 영역, 구체적으로 적외선 복사파로부터 전자기 복사파를 사용하여 자극 칩에 외부 에너지를 제공하는 아이디어에 기초하고 있다. 이 광전층은 이 경우에 입사하는 가시 광에 의해 생성된 신호에 대해 일종의 증폭기와 같이 동작한다. 이 결과, 가시 스펙트럼 영역에서 광량 조건이 심지어 약한 경우에도 적절한 세기를 갖는 자극 신호를 생성할 수 있다.
그러나, 이 알려진 망막 임플란트는, 자연광 상태에서 10의 수 거듭제곱(a number of powers of ten)을 포함하는 큰 세기 범위 이상의 입사 가시광을 대응하는 전기 자극 신호로 변환하는 경우 문제가 발생한다.
이 배경 기술에 대해, DE 199 21 399 A1은, 기준 요소로 동작하는 적어도 하나의 화소와, 기준 요소의 출력 신호들 사이의 차이를 형성하는 증폭기와, 국소 휘 도를 검출하는 이미지 셀을 구비하는 망막 임플란트를 기술한다. 이 방식의 목적은 이렇게 주변 휘도로 생성된 자극 신호를 적응시키는 것이다.
스텔쯔레(Stelzle) 등이 저술한 "Electrical Properties of Micro- Photodiode Arrays for Use as Artificial Retina Implant" (Biomedical Micro Devices 3:2, 133-142, 2001)라는 논문은, 자극 전극을 통해 자극 신호를 접촉이 이루어지는 망막 셀에 전달하는 문제를 다루고 있다. 이 저자는 자극 전극과 조직(tissue) 사이를 결합하면 자극을 위해 과도 신호만이 사용될 수 있는 용량 특성(capacitive nature)을 제공한다고 기술하였다. 이 용량성 결합은, 전극 분극(polarization)의 결과 전극과 전해질 사이 경계면에서 눈 내에 커패시턴스(헬름홀쯔 이중층)가 형성된다는 사실에 기초하고 있다. 이 저자는, 수동 임플란트, 다시 말해 앞서 언급된 EP 0 460 320 A2에 기술된 바와 같은 임플란트에 대해 유용한 가시광을 펄스화시키면 균형잡힌 전하가 커패시턴스로 전달된 후 이 커패시턴스로부터 다시 방출되는 한계 사이클(limit cycle)을 유발한다는 것을 보여주었다. 이 수동 임플란트와 연관된 문제를 해결하기 위해, 이 저자는 특정 펄스 율을 갖는 광 펄스를 사용할 것을 제안한다. 나아가, 자극 전류를 생성하기 위해 외부 에너지 공급장치를 사용하는 것이 바람직한 것으로 언급한다. 이 저자는 또한 평균 전극 분극을 저감시키기 위해 능동 전류 싱크를 사용할 것을 권고한다. 그러나, 이 저자는 전극 커패시턴스를 완전히 방전시키는 것은 펄스방출된 여기(excitation)로 인해 매우 달성될 수 없을 것 같다고 말한다.
따라서, 본 발명의 목적은, 상기 문제점을 고려하여, 심지어 다른 주변 조명이 제공되는 경우에도 망막 내 셀이 효과적으로 자극받을 수 있도록 입사광을 자극 신호로 효과적으로 변환할 수 있는 방식으로 간단한 회로 수단을 사용하여 전술된 능동 망막 임플란트를 개선시키는 것이다.
앞서 언급된 망막 임플란트의 경우, 본 목적은 한편 특정 세기의 입사광이 특정 진폭의 전기 신호로 변환되도록 하는 대수 특성을 이미지 셀이 가지고 있는 본 발명에 따라 달성된다.
본 발명을 이루는 목적은 이 방식으로 완전히 달성된다.
예를 들어 DE 42 09 536 A1으로부터 많은 해 동안 그렇게 알려진 대수 이미지 셀은 눈의 광감성을 닮도록 본 발명자에 의해 발견된 대수 증폭기 응답을 가지고 있으며 이미지 셀로서 특히 효과적으로 사용될 수 있다. 이 방식으로 심지어 기준 요소와 기준 증폭기 없이도 큰 휘도 범위를 자극 신호로 변환할 수 있어, 낮은 주변 조명과 높은 주변 조명에서도 적절한 컨트라스트를 갖는 시력을 제공할 수 있다.
한편, 본 목적은, 자극 신호가 입사광의 세기의 함수인 진폭을 갖는 특정 펄스의 길이와 펄스 간격을 갖는 아날로그 전압 펄스의 형태로 공급되는 앞서 언급된 망막 임플란트의 경우에 달성된다.
본 발명을 이루는 목적은 이 방식으로 또한 완전히 달성된다.
구체적으로, 본 출원의 발명자는, 셀의 적절한 자극이 달성될 때 자극 전극을 통해 망막 내 셀에 아날로그 전압 펄스를 출력할 수 있다는 것을 발견하였다. 그리하여 본 출원의 발명자는, 전하를 보상한 전류 펄스를 사용하는 통상의 진로로 직접 진행하지 않고 전극 분극으로 인해 종래 기술에 편견에 기초하여 문제를 야기하는 전압 제어를 사용한다.
그러나, 본 발명자는 전압 전극이 회로 측면에서 매우 간단히 구현될 수 있고 전극 분극으로 인한 문제가 정확한 설계로 회피될 수 있다는 것을 발견하였다.
특히, 2개의 조치, 즉 대수 특성(logarithmic characteristic)과 전압 제어를 갖는 이미지 셀이 공동으로 사용되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 회로에 대한 비용이 낮기 때문에, 화소의 밀도와 자극 전극의 밀도를 상딩히 증가시켜, 종래 기술에 알려진 복잡한 회로로 달성가능한 공간 해상도보다 전체적으로 더 우수한 공간 해상도를 달성할 수 있다. 이 밀도가 더 높으면 높을수록 망막 내 셀의 유효 자극이 더 많아지게 되는데, 그 이유는 자극 전극의 수와 여기되는 셀의 수 사이의 국소 비율이 더 커지게 되기 때문이다.
이 경우에 증폭기의 출력이 제어가능한 방전 회로에 연결되는 것이 특히 바람직하다.
증가하는 전극 분극은 이 방전 회로를 통해 타깃 지정 방식으로 다시 감소될 수 있으며 그리하여 인터페이스 커패시턴스 내 전하 및 이로 인한 전압이 점점 더 증가하는 것을 방지하여, 자극 신호가 망막 내 셀에 훨씬 더 나쁜 방식으로 전달될 수 있다는 사실과는 상반된 상황을 야기할 수 있다.
이 경우 펄스 길이와 펄스 간격은 외부에 연결된 외부 에너지를 통해 결정되는 것이 바람직하다.
이러한 조치의 경우에 종래 기술에서와 같이 유용한 가시 광을 기계적으로 절단하는 것을 통해 또는 망막 임플란트 상에 제공되는 주파수 생성기를 통해 펄스 길이와 펄스 간격, 다시 말해, 펄스 율을 생성할 필요가 없는 것이 유리하다. 망막 임플란트의 회로에 대한 비용은 이 방식으로 또한 상당히 낮게 유지될 수 있다.
다른 잇점은, 망막 임플란트를 삽입한 후, 펄스 길이와 펄스 간격이 각 환자에 대한 생리 상태에 따라 개별적으로 적응될 수 있다는 점이다. 또 각 조명 상태의 함수로서 펄스 길이와 펄스 간격을 변화시킬 수도 있다. 다시 말해, 이 조치로 인해, 외부 에너지 공급장치는 임플란트의 동작 모드를 또한 제어할 수 있다.
여기서 외부 에너지 공급장치는 예를 들어 IR 광에 연결되거나 또는 그렇지 않으면, 예를 들어 RF 영역의 에너지에 유도성으로 연결될 수 있다.
나아가, 방전 회로는 이 방전 전위에 증폭기의 출력이 연결되도록 전압 펄스의 종단에서 제어되는 것이 바람직할 수 있다.
여기서 자극 전극과 주변 조직 사이의 커패시턴스가 방전되기 때문에, 각 자극 전압 펄스의 종단에서 전극 분극이 자동적으로 복원되는 것이 유리하다. 그리하여 각 새로운 전압 펄스는 전압 펄스의 시작에 높은 자극 전류가 커패시터를 통해 조직에 그리고 망막 셀에 전달될 수 있도록 완전히 방전된 커패시터에 공급된다. 이 전류는 경계 커패시터 내 전압이 증가함으로 인해 시간에 따라 감소한다. 이 전압 펄스가 스위치 오프된 후, 증폭기의 출력은 대개 망막 임플란트의 전기량인 방전 전위에 연결된다. 이것은 경계 커패시턴스를 다시 완전히 방전하는 큰 방전 전류를 생성한다.
망막 셀을 적절히 자극하기 위해서는 약 500㎲를 갖는 펄스 길이가 충분한 것으로 밝혀졌다. 제조시에 이 전류의 초기 세기는 이 경우에 전압 펄스의 진폭을 통해 결정된다.
펄스 간격은, 20Hz의 반복 주파수가 플리킹(flicking)이 없는 시력을 위해 충분한 것으로 밝혀졌으므로 여기서는 바람직하게는 50㎳이다. 이 펄스 간격은 또한 전극 분극을 완전히 복원하는데도 충분하다.
증폭기에 공급되는 제 2 전압과는 다른 제 1 전압을 이미지 셀에 공급하는 것이 일반적으로 바람직하며, 이 제 2 전압은 바람직하게는 펄스 길이와 펄스 간격에 따라 스위치 온 된다.
이미지 셀의 전기 신호가 연속적으로 이용가능하며 임의의 설정 공정 동안 기다려야 할 필요가 없도록 이미지 셀에는 예를 들어 제 1 전압이 연속적으로 공급되는 것이 유리하다. 한편, 이 증폭기에는 제 2 전압이 공급되며, 이 제 2 전압은 펄스 길이와 펄스 간격에 따라 스위치 온 된다. 이미지 셀의 전기 신호는 이 방식으로 클록 증폭기를 통해 전압 펄스로 변환된다. 이것은 특히 회로 측면에서 매우 간단한데, 그 이유는 추가적인 클록 단계를 증폭기의 출력으로 스위칭할 필요가 없기 때문이며, 오히려, 이 증폭기는 전압 펄스에 맞춰 다시 스위치 온 된 후 스위치 오프 된다. 제 2 전압의 적절한 타이밍의 스위치 온 및 오프는 외부에 연결된 외부 에너지로부터 유도되기 때문에, 앞서 언급된 잇점은 구체적으로 망막 임플란트가 외부 에너지를 통해 제어될 수 있다는 것을 나타낸다.
또한 방전 회로는 제 2 전압으로부터 유도된 제 3 전압에 연결되는 것이 바람직하다.
이 방전 회로를 동작시키는 제 3 전압은 제 2 전압이 스위치 오프될 때 생성되는 것이 유리하다.
따라서, 각 증폭기는 스위치 온 되며, 전압 펄스의 양의 에지(positive edge)는 제 2 전압이 스위치 온될 때 이 방식으로 생성된다. 방전 회로는 제 2 전압이 스위치 오프될 때 동작되며, 이것은 전압 펄스의 음의 에지를 공급한다.
전체적으로, 망막 임플란트의 제어 타입은 외부에 연결된 외부 에너지를 적절히 변조하여 임플란트 내 모든 스위칭 동작이 제어될 수 있어, 심지어 임플란트 내 주파수 생성기나 타이머를 위해서도 스위칭 동작이 필요없는 잇점을 제공한다.
그리하여 전술된 임플란트는, 회로 측면에서 매우 간단히 설계될 수 있어, 개별 요소 및 그로 인한 자극 전극의 밀도를 높이는 것이 가능하다. 이 고밀도는 망막 내 셀의 양호한 자극을 국소적으로 일으킬 수 있게 하여, 펄스 여기 및 전극 분극의 각각 완전한 복원으로 인해 셀을 유효하게 자극하는 것이 가능하다. 대수 특성으로 인해, 새로운 망막 임플란트는 또한 이미지 휘도의 10의 수 거듭제곱을 커버할 수 있다.
그러나, 각 화소가 국소 이미지 휘도를 위해 대수 이미지 셀을 가지고 있고 각 화소에 전체 휘도에 대한 적어도 하나의 대수 이미지 셀이 할당되어 있는 것이 바람직하며, 이때, 증폭기는 국소 이미지 휘도를 위해 이미지 셀에 연결된 하나의 입력단과, 전체 휘도에 대한 이미지 셀에 연결된 다른 입력단을 구비하는 차동 증폭기로 설계되는 것이 바람직하다.
이러한 조치는 선형 특성을 갖는 이미지 셀에 대해서는 처음 언급된 DE 199 21 399 A1으로부터 알려져 있는 것이다.
하나 이상의 기준 요소에 대해 취해진 국소 이미지 휘도와 전체 휘도 사이의 차이를 증폭하여 자극 신호로 전송하는 이 "차동 증폭기 원리"를 대수 이미지 셀에 사용할 때, 특정 잇점은 이미지 휘도의 대수 단위에 추가적인 변수만이 있기 때문에 순수한 컨트라스트 증폭만이 여기에 존재하고 평균 휘도는 이 차이를 형성함으로써 제거될 수 있다는 것이다.
전술된 점을 고려하여, 본 발명은 또한 자극 전극이 접촉하는 망막 셀에 대해 입사하는 광을 전기 자극 신호로 변환하는 다수의 화소를 구비하는 능동 망막 임플란트의 화소에 대해 대수 특성을 갖는 이미지 셀을 사용하는 방법에 관한 것이다.
다른 잇점은 이하 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 알 수 있을 것이다.
전술된 특징과 아래 설명된 다른 특징은 각 특정 조합으로 사용될 수 있을 뿐만 아니라 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 조합으로 또는 독립적으로 사용될 수 있을 것임은 두말할 것도 없다.
본 발명의 일 실시예는 첨부 도면에 도시되어 있고 이하 상세한 설명에 보다 상세히 설명될 것이다.
도 1은 축척이 맞지 않는 새로운 망막 임플란트의 개략도.
도 2는 축척이 맞지 않는 망막 임플란트를 삽입한 사람 눈의 개략도.
도 3은 도 1의 망막 임플란트에 대한 전원 공급장치의 블록도.
도 4는 외부에 연결된 IR 광으로부터 제 2 전압을 유도하는 것을 도시하는 도면.
도 5는 도 1의 망막 임플란트의 자극 칩에 대한 이미지 셀의 블록도.
도 6은 도 5의 화소에 대한 전압 및 전류 특성을 도시하는 도면.
도 7은 도 5의 이미지 셀의 설계를 상세히 도시하는 도면.
도 8은 도 7의 이미지 셀의 특성 곡선을 도시하는 도면.
도 1은 축척이 맞지 않는 능동 망막 임플란트(10)의 개략도이다.
망막 임플란트(10)는 자극 칩(12)과 에너지 공급장치(14)가 그 위에 배열되어 있는 유연한 필름(11) 위에 구성된다. 이 에너지 공급장치(14)는 입사하는 IR 광을 전기 전압으로 변환하는 하나 이상의 광전 요소(16)를 포함하는 IR 수신기(15)를 포함한다. 이렇게 주입된 외부 에너지는 전원 공급장치(17)에 전달된다.
자극 칩(12)은, 명료하게 하기 위해, 예를 들어, 도 1에는 4개만이 도시되어 있는 행과 열로 배열된 화소(18)를 포함한다. 각 화소(18)는, 국소 이미지 휘도에 대한 대수 이미지 셀(logarithmic image cell)(19)과, 자극 전극(22)에 출력이 연결된 증폭기(21)를 포함한다. 나아가, 자극 칩(12) 상에 있는 모든 화소(18)의 증폭기(21)에 연결된 전체 휘도에 대한 이미지 셀(23)이 자극 칩(12) 상에 제공된다. 자극 칩(12)이 다수의 전체 이미지 셀(23)이나 그렇지 않으면 단 하나의 이미지 셀만을 포함할 수 있음은 두말할 것도 없다.
전원 공급장치(17)는 IR 수신기(15)에 의해 픽업된 외부 에너지를 저장하는 저장 요소(24)를 구비한다. 이 저장 요소(24)는 보다 상세히 기술될 2개의 다른 공급 전압(Vcc1 및 Vcc2)을 생성하는 회로부(25)에 연결된다. 전원 공급 장치(17), IR 수신기(15), 및 자극 칩(12)은 라인(26, 27)을 통해 서로 연결된다.
도 1의 망막 임플란트(10)는 매우 개략적으로 도 2에 도시된 사람의 눈(31)에 주입되도록 의도되어 있다. 간략하게 하기 위해, 임플란트(10)가 주입되어 있는 망막(33)과 함께 렌즈(32)만이 도시되어 있다. 임플란트(10)는 이 경우에 바람직하게는 색소 조직과 광수용체 층 사이에 형성된 소위 서브레티날 공간(subretinal space)에 삽입된다. 만약 광수용체 층이 퇴화되거나 상실된 경우, 서브레티날 공간은 색소 조직과, 바이폴라 셀 및 수평 셀 층 사이에 형성된다. 이 경우에, 망막 임플란트(10)는, 도 1에 도시된 자극 전극(22)을 통해 망막(33) 내 셀에 자극 신호가 가해질 수 있도록 배치된다.
화살표(34)로 표시되고 그 빔 경로가 도면 번호 35로 도시된 가시 광은 렌즈(32)를 통해 자극 칩(12)으로 유도되며, 여기서 가시광(34)은 전기 신호로 변환되며, 이 전기 신호는 도 1에서 증폭기(21)를 거쳐 자극 신호로 변환된다.
도 2에는, IR 수신기(15)가 가시광(34)의 입사 영역 외부에 존재하는 것으로 도시되어 있다. IR 광(37)의 빔 형태인 외부 에너지(36)가 IR 수신기(15)로 향하며, 상기 IR 광은 IR 수신기에서 전기 전압으로 변환되며, 이 전기 전압은 먼저 라인(26)을 통해 전원 공급 장치(17)로 전달되며, 여기서 전기 전압은 적절한 공급 전압을 생성하는데 사용된다. 이들 공급 전압은 이후 라인(26, 27)을 통해 자극 칩(12)으로 전달되며, 여기서 이 공급 전압은 입사 가시 광(34)을 보다 상세히 기술될 자극 신호로 변환시키는데 사용된다.
자극 칩(12)과 IR 수신기(15)를 공간적으로 분리하면 IR 광(37)에 의해 자극 칩(12) 내의 이미지 셀이 원치않게 손상되는 것을 작게 유지하도록 공간적으로 분리할 수 있다.
이제 요구되는 공급 전압이 IR 광(37)으로부터 어떻게 생성되는지가 도 1의 전원 공급 장치(17)를 보다 상세히 개략적으로 도시하는 도 3을 참조하여 설명될 것이다.
전원 공급 장치(17)는 저장 요소(24)에 입력단(42)이 연결된 DC-DC 컨버터를 포함한다. 이 저장 요소(24)는 점선으로 도시된 라인(26)을 통해 광전 요소(16)에 연결되며, 이 광전 요소(16)는 IR 광(37)으로부터 전기 전압을 생성하며, 이 전기 전압은 저장 요소(24)에 전하로서 저장된다. DC 전압을 나타내는 이 전하로부터, DC-DC 컨버터(41)는 그 출력단(43)에서 DC-DC 컨버터에 대해 알려져 있는 바와 같이 다른 DC 전압(Vcc1)을 생성한다.
DC-DC 컨버터(41)의 출력단(43)은 인버터(45)를 통해 닫히고 열리는 전자 스위치(44)에 더 연결된다. 이 인버터(45)는 입력단에서 RC 요소(47)에 그리고 점선으로 도시된 라인(26)을 통해 광전 요소(16)에 연결된다. 출력단(48)에서, 전자 스위치(44)는 펄스 생성된 전압(Vcc2)을 출력하며 이는 이제 도 4를 참조하여 설명된 다.
도 4의 상부에는 IR 광(37)의 시간 윤곽이 도시되어 있으며, 이 IR 광(37)은 기간(t1) 동안 진폭(A1)에서 진폭(A0)으로 주기적으로 스위치된다. 이 기간(t1) 동안의 "음의 광 펄스"는 시간 간격(t2)로 반복된다. 두말할 것도 없이, 이 기간(t1) 동안 이 방식으로 변조된 IR 광(37)은 완전히 스위치 오프 되거나 또는 그렇지 않으면 더 작은 세기 값으로 단순히 저하될 수 있다.
IR 광(37)의 변조는, 공급전압(Vcc1)이 도 4의 하부에 도시된 바와 같이 항상 특정 값을 가지도록 저장 요소(24)에 의해 평활화된다.
RC 요소(47)를 통해, 변조된 IR 광(37)은 인버터(45)에 전달되며, 이 인버터(45)의 출력(49)은, IR 광(37)이 세기 (A1)에 있는 동안, L 신호이다. 이 시간 동안 전기 스위치(44)는 공급 전압(Vcc2)이 0V에 있도록 개방된다.
시간 간격(t1) 동안, 인버터(45)의 입력(46)은 L 신호이며, 이 L 신호는, 그 출력(49)이 H 신호이고 전자 스위치(44)가 닫히는 것을 의미한다. 시간 간격(t1) 동안, 공급 전압(Vcc2)은 예를 들어 공급 전압(Vcc1)과 동일한 값이 된다. 그리하여 전자 스위치(44)의 출력단(48)은 펄스 길이(t1)와 펄스 간격(t2)을 갖는 전압 펄스(50)를 공급한다.
이제, 도 5를 참조하여 IR 광(37)의 변조로부터 유도되는 전압 펄스(50)가 자극 칩(12)을 제어하기 위해 어떻게 사용되는지를 설명한다.
화소(18)는 보다 상세히 또 개략적으로 도 5에 도시된다.
이 화소(18)는 차동 증폭기(51)를 포함하며, 이 차동 증폭기(51)의 반전 입력단(52)은 국소 이미지 휘도를 위해 이미지 셀(19)에 연결된다. 차동 증폭기(51)의 비반전 입력단(53)은 전체 휘도를 위해 이미지 셀(23)에 연결된다.
차동 증폭기(51)는 출력단(54)에서 자극 전극(22)에 연결된다. 나아가, 출력단(54)은 전자 스위치(55)에 연결되며, 이 전자 스위치(55)는 인버터(56)를 통해 구동되며, 이 인버터(56)는 공급 전압(Vcc2)의 반전 신호를 제 3 전압(57)으로 출력단에 공급한다. 이미지 셀(19, 23)과 인버터(56)는 공급 전압(Vcc1)을 통해 에너지를 공급받는다. 이와는 대조적으로, 증폭기(51)는 공급 전압(Vcc2)을 통해 에너지를 공급받는다.
따라서, 이미지 셀(19, 23)의 출력 신호 사이의 차이를 나타내는 차동 전압(VD)이 차동 증폭기(51)의 입력단(52, 53)에 존재한다.
기간(t2) 동안, 차동 증폭기(51)는 도 4의 전압 펄스(50)의 온(on) 시간 동안에만 출력단(54)에 자극 신호(Us)를 출력하도록 기간(t1) 동안에만 각각 에너지를 공급받는다. 이 관계는 도 6에 도시된다.
그리하여, t=t0 내지 t=t0+t1 간격 동안, 증폭기(51)의 출력단(24)에는 이미지 셀(19, 23)에 입사하는 가시광의 세기에 대응하는 진폭(aVD)을 갖는 전압 펄스가 존재한다.
전압 펄스(50)의 종단(end)에서, 인버터(56)는 출력단에서 H 신호로 되고 전자 스위치(55)를 닫으며, 이 전자 스위치(55)는 이 방식으로 출력단(54)을 전기 접지에 연결한다.
서두에 이미 언급된 바와 같이, 자극 전극(22)에는 망막 내 주변 조직에 자극 전극(22)의 용량 결합(capacitive coupling)을 보장하는 헬름홀쯔 이중 층(Helmholtz double layer)이 형성된다. 이 용량성 결합은 도 5에서 결합 커패시터(58)로 표시되어 있으며, 이 결합 커패시터(58)는 자극 조직/자극 셀을 나타내는 저항(59)을 통해 전기 접지에 연결된다.
전압 펄스(50)의 시작에, 증폭기(51)는 출력단(54)에서 전압으로 스위치되어(Us=aVD), 그 결과 자극 전류(Is)가 결합 커패시터(58)를 통해 도 6의 하부에 도시된 바와 같이 저항(59)으로 흐르게 된다. 전극 분극으로 또한 표시되어 있는 것인 결합 커패시터(58)는 재충전되기 때문에, 자극 전류(Is)의 세기는 이제 지수적으로 감소한다. 시각 t=t0+t1에서, 전압 펄스(50)는 다시 스위치 오프되며, 이는 증폭기(51)의 공급 전압(Vcc2)이 스위치 오프되는 것을 의미한다. 이와 동시에 전자 스위치(55)는 전자 스위치(55)가 방전 회로(60)로 동작하도록 출력단(54)을 전기 접지로 스위칭 한다. 결합 커패시터(58)에 저장된 전하는 이제 전자 스위치(55), 즉 음의 자극 전류(Is)에 도시된 것을 통해 방출된다{도 6의 맨 하부에 있는 자극 전류의 시간 윤곽(61)에 있는 점프 참조}. 커패시터(58)는 결합 커패시터(58)의 전하가 완전히 고갈될 때까지 지수적으로 방전된다.
시각 t=t0에서 스위치할 때 자극 전류(Is)의 세기는 자극 전압의 진폭(aVD)에 비례한다는 것을 더 언급할 수 있다.
따라서, 공급 전압(Vcc2)을 온 및 오프로 스위칭하는 것은 주입되는 IR 광의 변조를 통해 달성되는 바와 같이 먼저 자극 전압(Us)의 양의 에지에서 스위칭 온되어, 자극 전류(Is)가 흐른다. 음의 자극 전류(Is)는 공급 전압(Vcc2)이 스위치 오프될 때 흐르며, 이것은 커패시터(58)의 방전을 야기한다.
펄스 길이(t1)는 이 경우에 500㎲이며, 펄스 간격(t2)은 20㎳이다.
이미지 셀(19)은 도 7에 보다 상세히 도시된다. 각 이미지 셀(19)은 역-바이어스 방향으로 동작하는 광다이오드(62)를 구비한다. 이미지 셀(19)은 nMOS 트랜지스터(63)를 더 구비하며, 이 트랜지스터의 드레인 전극(65)과 상호 연결된 nMOS 트랜지스터(63)의 게이트 전극(64)은 Vcc1에 있다. 소스 전극(66)에서, nMOS 트랜지스터(63)는 광다이오드(62)의 캐소드에 연결되며, 이 광 다이오드(62)의 애노드는 전자 접지에 있다.
도시된 상호 연결로 인해, nMOS 트랜지스터(63)는 임계값 아래에서 동작하므로 nMOS 트랜지스터(63) 양단의 전압 강하는 광전류(Iphoto)에 지수적으로 의존하며, 이 광전류(Iphoto)의 세기는 차례는 광다이오드(62)에 입사하는 가시광(34)의 세기로 결정된다.
이러한 상호 연결의 결과, 도 7의 이미지 셀(19)의 출력 전압(Vout)은 특성 곡선(67)에 의해 도 8에 도시된 바와 같이 광(34)의 세기의 대수 함수로 된다.
도 7의 이미지 셀(19)과 유사한 회로는 전체 휘도를 위한 이미지 셀(23)로 사용된다.
도 5의 차분 전압(VD)은 그리하여 국소 이미지 휘도와 전체 이미지 휘도의 대수 사이의 차이를 나타낸다. 전체 이미지 휘도가 국소 휘도의 배율 변수인 평균 휘도로 결정되기 때문에, 추가 변수로서 국소 휘도의 대수와 전체 휘도의 대수 사이의 차이에 의해 이 평균 휘도는 제거될 수 있다.
이 방식으로 각 화소(18)는 큰 동적 범위를 보장하는 컨트라스트를 증폭할 수 있어 망막 임플란트를 여러 가지 주변 조명 상태에 적응시킬 수 있다.
전술된 바와 같이 본 발명은 망막 퇴화에 따른 시력 손실을 보상하기 위한 능동 망막 임플란트용으로 이용가능하다.
Claims (12)
- 자극 전극(22)이 접촉하는 망막(33)의 셀에 대해 입사하는 광(34)을 전기 자극 신호(Us)로 변환하는 다수의 화소(18)로서, 각 화소(18)는, 입사하는 광(34)을 전기 신호(Vout)로 변환하는 적어도 하나의 이미지 셀(19)과, 상기 이미지 셀(19)에 연결된 입력단(52)과, 자극 신호(Us)를 공급하는 적어도 하나의 자극 전극(22)에 연결된 출력단(54)을 갖는 적어도 하나의 증폭기(51)를 구비하는, 다수의 화소(18)와;상기 이미지 셀(19)과 상기 증폭기(51)를 위한 공급 전압(Vcc1, Vcc2)으로서 외부에 연결된 외부 에너지(36)를 제공하는 에너지 공급 장치(14)를 구비하고,상기 이미지 셀(19)은 대수 특성(logarithmic characteristic)(67)을 가지고 있고, 상기 대수 특성에 따라 특정 세기를 갖는 입사 광(34)이 특정 진폭을 갖는 전기 신호(Vout)로 변환되는 능동 망막 임플란트(active retina implant)에 있어서,상기 증폭기(51)의 출력단(54)은 제어 가능한 방전 회로(60)에 연결되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 자극 신호(Us)는 특정 펄스 길이(t1)와 펄스 간격(t2)을 갖는 아날로그 전압 펄스의 형태로 공급되며, 상기 펄스의 진폭(aVD)은 상기 입사 광(34)의 세기의 함수인 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 자극 전극(22)이 접촉하는 망막(33) 셀에 대해 입사하는 광(34)을 전기 자극 신호(Us)로 변환하는 다수의 화소(18)로서, 각 화소(18)는, 특정 세기를 갖는 입사 광(34)을 전기 신호(Vout)로 변환하는 적어도 하나의 이미지 셀(19)과, 상기 이미지 셀(19)에 연결된 입력단(52)과, 자극 신호(Us)를 공급하는 적어도 하나의 자극 전극(22)에 연결된 출력단(54)을 갖는 적어도 하나의 증폭기(51)를 구비하는, 다수의 화소(18)와;상기 이미지 셀(19)과 상기 증폭기(51)를 위한 공급 전압(Vcc1, Vcc2)으로서 외부에 연결된 외부 에너지(36)를 제공하는 에너지 공급장치(14)를 구비하고, 상기 자극 신호(Us)는 특정 펄스 길이(t1)와 펄스 간격(t2)을 갖는 아날로그 전압 펄스의 형태로 공급되며, 상기 펄스의 진폭(aVD)은 상기 입사 광(34)의 세기의 함수인 능동 망막 임플란트에 있어서,상기 증폭기(51)의 출력단(54)은 제어 가능한 방전 회로(60)에 연결되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 삭제
- 제 3 항에 있어서, 상기 펄스 길이(t1)와 펄스 간격(t2)은 상기 외부에 연결된 외부 에너지(36)를 통해 결정되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 3 항에 있어서, 상기 방전 회로(60)는 상기 증폭기(51)의 출력단(54)이 방전 전위에 연결되도록 전압 펄스의 종단(end)에서 구동되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 3 항에 있어서, 상기 이미지 셀(19)에는 상기 증폭기(51)에 공급하는 제 2 전압(Vcc2)과는 다른 제 1 전압(Vcc1)이 공급되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전압(Vcc2)은 상기 펄스 길이(t1)와 펄스 간격(t2)에 따라 스위치온 되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 7 항에 있어서, 상기 방전 회로(60)는 상기 제 2 전압(Vcc2)으로부터 유도된 제 3 전압(57)에 연결되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 각 화소(18)는 국소 이미지 휘도(local image brightness)를 위해 대수 이미지 셀(19)을 가지며, 각 화소(18)에는 전체 휘도(global brightness)를 위해 적어도 하나의 대수 이미지 셀(23)이 할당되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
- 제 10 항에 있어서, 상기 증폭기(51)는 국소 이미지 휘도를 위해 상기 이미지 셀(19)에 연결된 하나의 입력단(52)과, 전체 휘도를 위해 상기 이미지 셀(23)에 연결된 다른 입력단(53)을 갖는 차동 증폭기로 설계되는 것을 특징으로 하는 능동 망막 임플란트.
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