JP4784757B2 - 人工網膜およびその製造方法 - Google Patents
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(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする。
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(d)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする。
前記工程(c)の前または前記工程(d)の前に、前記第1非晶質層をパターニングすること、を含むことが好ましい。
まず、本発明の実施形態に係る人工網膜の製造方法により製造される人工網膜について図1および図2を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態の製造方法により製造される人工網膜を示す分解斜視図である。図2は、本実施形態に係る人工網膜を示す断面図である。
以下、本発明に係る人工網膜の製造方法の実施形態について、図3を参照しつつ説明する。図3(a)〜図3(d)は、本実施形態に係る人工網膜の製造工程を示す図である。
12 第1半導体層
12a 第1非晶質層
13a 第1導電型注入領域
13b 第2導電型注入領域
14 絶縁層
16 層間絶縁層
40 フォトダイオード
42 第1導電型領域
44 第2導電型領域
46 真性領域
50 MISトランジスタ(薄膜トランジスタ)
52 第2半導体層
52a 第2非晶質層
54 ゲート絶縁層
56 ゲート電極
58 不純物領域
48、60 コンタクトホール
100 人工網膜
100A 第1層
100B 第2層
Claims (8)
- (a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする人工網膜の製造方法。 - 前記工程(c)の前に、前記第1非晶質層をパターニングすること、を含むことを特徴とする請求項1に記載の人工網膜の製造方法。
- (a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(d)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする人工網膜の製造方法。 - 前記工程(c)の前、または前記工程(d)の前に、前記第1非晶質層をパターニングすること、を含むことを特徴とする請求項3に記載の人工網膜の製造方法。
- 前記レーザーの波長は、500nm〜1600nmであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の人工網膜の製造方法。
- 前記レーザーは、YAGレーザーの二倍波であることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の人工網膜の製造方法。
- 前記工程(f)は、前記第1非晶質層に注入された不純物を活性化すること、を含むことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の人工網膜の製造方法。
- 請求項1〜7の少なくとも何れか1項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする人工網膜。
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