KR101099720B1 - Apparatus for processing substrates - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 공정 챔버에 복수의 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 기판 처리 장치의 일 양태는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버내의 최하단에 위치하며 소정의 단위 공정을 수행하는 하단 챔버모듈, 상기 하단 챔버모듈 상단에 적층되는 상단 챔버모듈, 상기 하단 챔버모듈의 제1 서셉터를 승강 또는 하강시킴에 따라 상기 상단 챔버모듈의 제2 서셉터를 승강 또는 하강시키는 구동부, 및 상기 제1 서셉터의 높이를 조정하여 상기 제1 서셉터를 수평으로 조절하는 높이 조절부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of processing a plurality of substrates in one process chamber. One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention is a process chamber that provides a space in which a process is performed, a lower chamber module positioned at a lower end of the process chamber and performing a predetermined unit process, and an upper chamber stacked on an upper end of the lower chamber module. A module, a driving unit for elevating or lowering the second susceptor of the upper chamber module by raising or lowering the first susceptor of the lower chamber module, and adjusting the height of the first susceptor to adjust the first susceptor. It includes a height adjuster for adjusting horizontally.

챔버 모듈, 적층 구조, 높이 조절 Chamber module, laminated structure, height adjustable

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrates}Apparatus for processing substrates

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 공정 챔버에 복수의 기판을 처리할 수 있는 적층식 구조에서 각 챔버모듈의 수평을 조절할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of adjusting the horizontality of each chamber module in a stacked structure capable of processing a plurality of substrates in one process chamber.

최근 들어 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 지금까지는 디스플레이 장치로 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the operated information. Until now, a cathode ray tube monitor has been mainly used as a display device, but recently, with the rapid development of semiconductor technology, the use of a flat display device that is light and occupies a small space is rapidly increasing.

이와 함께, 일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판에 박막을 형성할 수 있는 확산(deposition) 공정, 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)의 패턴을 이용하여 반도체 기판 상의 박막 표면에 패턴을 형성하는 사진(photo lithography) 공정, 박막 표면의 패턴을 따라 반응 가스 또는 화학 용액을 이용하여 박막을 선택적으로 제거하는 식각(etch) 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.In addition, in general, a semiconductor device uses a deposition process that can form a thin film on a semiconductor substrate, a pattern of forming a pattern on the surface of the thin film on the semiconductor substrate by using a pattern of a mask or a reticle. It is prepared by repeatedly performing a lithography process, an etching process for selectively removing the thin film using a reaction gas or a chemical solution along the pattern of the surface of the thin film.

또한, 최근 들어 화석 에너지의 고갈 및 지구의 기후 환경 등으로 인하여 화석 에너지를 대체할 새로운 에너지원에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 이 중에서도 반도체 제조 공정 또는 평판 디스플레이 제조 공정을 응용하여 제조되는 태양광 모듈 장치에 대한 연구가 최근 급속히 진행되고 있다. 따라서, 광범위한 영역에서 태양광 발전을 수행하는 태양광 모듈 장치 등을 대량으로 생산하여 배치시키기 위하여는 기판의 처리 속도를 획기적으로 향상시키는 장치가 필요하다.In addition, recently, research on new energy sources to replace fossil energy due to exhaustion of fossil energy and global climate environment has been conducted, and among them, a solar module device manufactured by applying a semiconductor manufacturing process or a flat panel display manufacturing process. The research on is progressing rapidly recently. Therefore, in order to mass produce and arrange a photovoltaic module device that performs photovoltaic power generation in a wide range of areas, an apparatus for dramatically improving the processing speed of a substrate is required.

따라서, 상기의 반도체 제조 공정, 평판 디스플레이 제조 공정 또는 태양광 모듈의 제조 공정에 있어서, 다양한 공정이 수행되는 소정의 공정 챔버 내에서 기판의 처리 속도 향상시키는 것이 필요하다. 하지만, 대규모의 기판의 처리를 시도하는 새로운 관점에서의 연구 또는 개발은 별다른 진전이 없었다.Therefore, in the above semiconductor manufacturing process, flat panel display manufacturing process, or solar module manufacturing process, it is necessary to improve the processing speed of the substrate in a predetermined process chamber in which various processes are performed. However, no new progress has been made in research or development from a new perspective of attempting to process large-scale substrates.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 공정챔버 내에 복수의 챔버모듈의 적층되는 구조에서 챔버모듈을 수평으로 조정할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of horizontally adjusting a chamber module in a structure in which a plurality of chamber modules are stacked in a process chamber.

본 발명의 해결 과제들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 해결 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 기판 처리 장치의 일 양태는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버내의 최하단에 위치하며 소정의 단위 공정을 수행하는 하단 챔버모듈; 상기 하단 챔버모듈 상단에 적층되는 상단 챔버모듈; 상기 하단 챔버모듈의 제1 서셉터를 승강 또는 하강시킴에 따라 상기 상단 챔버모듈의 제2 서셉터를 승강 또는 하강시키는 구동부; 및 상기 제1 서셉터의 높이를 조정하여 상기 제1 서셉터를 수평으로 조절하는 높이 조절부를 포함한다.In order to solve the above problems, an aspect of the substrate processing apparatus of the present invention comprises a process chamber for providing a space in which the process is performed; A lower chamber module positioned at a lower end of the process chamber and performing a predetermined unit process; An upper chamber module stacked on top of the lower chamber module; A driving unit for elevating or lowering the second susceptor of the upper chamber module by raising or lowering the first susceptor of the lower chamber module; And a height adjusting unit adjusting the height of the first susceptor to horizontally adjust the first susceptor.

본 발명의 일 실시예에 따를 경우, 공정챔버 내에 복수의 챔버모듈의 적층되는 구조에서 챔버모듈을 수평으로 조정하여 각 챔버모듈에서의 공정의 효율성을 높일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in a structure in which a plurality of chamber modules are stacked in the process chamber, the chamber modules may be horizontally adjusted to increase the efficiency of the process in each chamber module.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해 서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 소정의 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버(10), 기판이 안착되는 서셉터(20), 공정 가스를 분사하는 샤워 헤 드(30) 및 공정 가스를 분산시키는 분사판(40)을 포함할 수 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a general substrate processing apparatus. Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus includes a process chamber 10 providing a space where a predetermined process is performed, a susceptor 20 on which a substrate is seated, a shower head 30 spraying process gas, and a process. It may include a jet plate 40 for dispersing the gas.

기판(W)을 안착시키고 공정 가스를 분사하는 분사판(40)와 기판(W) 사이의 거리인 공정 갭(Gap)을 조절하기 위하여 서셉터(20)를 수직으로 승하강 시키는 구동 수단(50)이 필요하다. 하지만, 서셉터(20)의 중심축(25)으로 인하여 복수개의 기판을 동시에 처리하는 다단 적층 구조의 적용이 용이하지 않다. Driving means 50 for raising and lowering the susceptor 20 vertically to adjust the process gap Gap, which is a distance between the jet plate 40 for seating the substrate W and injecting the process gas and the substrate W. ) Is required. However, due to the central axis 25 of the susceptor 20 it is not easy to apply a multi-stage stacking structure for processing a plurality of substrates at the same time.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정챔버(100), 하단 챔버모듈(200), 상단 챔버모듈(300), 구동부(450), 높이 조절부(400) 및 수평 감지부(500)를 포함할 수 있다.2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100, a lower chamber module 200, an upper chamber module 300, a driving unit 450, a height adjusting unit 400, and It may include a horizontal sensor 500.

공정챔버(100)는 기판 처리 장치의 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정챔버(100)는 적층구조로 이루어지는 복수의 챔버모듈(200, 300)을 포함할 수 있다. 복수의 챔버모듈(200, 300)은 소정의 간격으로 공정챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 공정 챔버(100)는 공정 수행의 공간을 제공하면서, 기판을 이송하거나 지지하는 등의 다양한 기계 장치, 제어를 위한 전자 장치 또는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. The process chamber 100 provides a space in which a process of the substrate processing apparatus is performed. The process chamber 100 may include a plurality of chamber modules 200 and 300 having a stacked structure. The plurality of chamber modules 200 and 300 may be disposed in the process chamber 100 at predetermined intervals. The process chamber 100 may include various mechanical devices such as transferring or supporting a substrate, an electronic device for controlling, or a controller (not shown) while providing a space for performing a process.

공정챔버(100)는 후술할 하단 챔버모듈(200), 상단 챔버모듈(300)이 장착되는 걸림부(120)를 포함할 수 있다. 걸림부(120)는 공정챔버(100) 내벽에 수평으로 배치되어, 후술할 하단 챔버모듈(200), 상단 챔버모듈(300)이 내벽에 안착되도록 하는 역할을 한다. 걸림부(120)는 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)가 안착되어 고정되도록 챔버홈 또는 챔버돌기(125)를 포함할 수 있다.The process chamber 100 may include a lower chamber module 200 to be described later, and a catching part 120 to which the upper chamber module 300 is mounted. The catching part 120 is disposed horizontally on the inner wall of the process chamber 100, and serves to allow the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 to be described later to be seated on the inner wall. The catching part 120 may include a chamber groove or a chamber protrusion 125 to seat and fix the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300.

하단 챔버모듈(200)은 공정챔버(100)에 부착되는 제1 상단 지지판(210), 제1 상단 지지판(210)과 소정 간격을 두고 배치되는 제1 서셉터(230)를 지지하는 제1 서셉터 지지부(220) 및 복수의 하단 연결축대(241, 242)를 포함할 수 있다. The lower chamber module 200 supports a first upper support plate 210 attached to the process chamber 100 and a first stand supporting the first susceptor 230 disposed at a predetermined distance from the first upper support plate 210. It may include a acceptor support 220 and a plurality of lower connecting shafts (241, 242).

제1 상단 지지판(210)은 공정챔버(100) 내벽에 고정되거나 또는 공정챔버(100)의 걸림부(120)에 안착되어 고정된다. 제1 상단 지지판(210)은 하단 챔버모듈(200)에서 고정된 부분으로서, 제1 서셉터 지지부(220)의 승강 또는 하강에 의하여 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터(230) 사이의 간격이 넓어지거나 좁아질 수 있다. 한편, 제1 상단 지지판(210)은 소정의 공정 가스를 제공하는 가스로(미도시) 및 가스로에 연결되어 공정 가스를 분산시키는 분사판(215)을 포함할 수 있다.The first upper support plate 210 is fixed to the inner wall of the process chamber 100 or seated on the locking portion 120 of the process chamber 100. The first upper support plate 210 is a fixed portion of the lower chamber module 200, and is between the first upper support plate 210 and the first susceptor 230 by lifting or lowering the first susceptor support 220. The spacing can be widened or narrowed. Meanwhile, the first upper support plate 210 may include a gas path (not shown) for providing a predetermined process gas and a spray plate 215 connected to the gas path to disperse the process gas.

제1 서셉터 지지부(220)는 제1 서셉터(230)를 지지하며, 후술할 하단 연결축대(241, 242)에 결합될 수 있다. 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220)의 가장자리에는 복수의 홀을 포함할 수 있다. 예를 들어, 사각 모서리 부분에 하단 연결축대(241, 242)가 관통하여, 이동되는 통로인 소정의 홀을 포함할 수 있다. 한편 제1 서셉터 지지부(220)는 제1 서셉터(230)는 지지하는 판 형상 또는 제1 서셉터(230)를 하단에 수평으로 지지하는 바(bar) 형상이 될 수 있다. 또는 제1 서셉터 지지부(220)는 제1 서셉터(230)와 일체로 결합될 수도 있다. 예를 들어, 제1 서셉터 지지부(220)가 바(bar) 형상인 경우에는 제1 서셉터(230)의 하단 부분을 일정 간격으로 이격된 상태로 지지하며, 바의 양 끝단에는 하단 연결축대(241, 242)가 관통하여 이동되는 통로인 소정의 홀을 포함할 수 있다.The first susceptor support 220 supports the first susceptor 230 and may be coupled to the lower connection shafts 241 and 242 to be described later. The edges of the first upper support plate 210 and the first susceptor support 220 may include a plurality of holes. For example, the lower connection shafts 241 and 242 penetrate the rectangular corners, and may include a predetermined hole that is a passage. Meanwhile, the first susceptor support part 220 may have a plate shape for supporting the first susceptor 230 or a bar shape for horizontally supporting the first susceptor 230 at a lower end thereof. Alternatively, the first susceptor support 220 may be integrally coupled with the first susceptor 230. For example, when the first susceptor support part 220 has a bar shape, the lower part of the first susceptor 230 is supported at a predetermined interval, and the lower connecting shaft is provided at both ends of the bar. 241 and 242 may include a predetermined hole that is a passage through which the 241 and 242 move.

제1 서셉터(230)는 일반적으로 기판이 안착되는 공간을 제공한다. 제1 서셉 터(230)는 기판 이면에 소정의 열을 전달하기 위하여 열선, 가스 유로, 유도 코일 등이 배치되어, 소정의 온도로 가열하는 가열 수단(미도시)을 포함할 수 있다. 이와 함께, 기판을 흡착하는 소정의 흡착 수단(미도시) 또는 정전 척을 포함할 수 도 있다. 한편, 제1 서셉터(230)는 제1 서셉터 지지부(220)와 일체로 형성될 수도 있고, 이 경우에는 제1 서셉터 지지부(220) 및 제1 서셉터(230)를 통칭하여 "제1 서셉터" 또는 "제1 서셉터 지지부"라고 할 수 있다. The first susceptor 230 generally provides a space in which the substrate is seated. The first susceptor 230 may include a heating means (not shown) in which a heating wire, a gas flow path, an induction coil, and the like are disposed to transfer predetermined heat to the back surface of the substrate, and heat the same to a predetermined temperature. In addition, it may include a predetermined adsorption means (not shown) or an electrostatic chuck for adsorbing the substrate. Meanwhile, the first susceptor 230 may be integrally formed with the first susceptor support 220, and in this case, the first susceptor support 220 and the first susceptor 230 may be collectively referred to as “first”. 1 susceptor "or" first susceptor support ".

하단 연결축대(241, 242)는 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220)를 결합시키는 역할을 한다. 하단 연결축대(241, 242)는 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220)의 가장자리의 소정의 홀을 통하여 결합되며, 하단 연결축대(241, 242)는 제1 상단 지지판(210)과는 일체로 부착되지 않고, 상대적으로 상하 이동을 할 수 있다. 한편, 하단 연결축대(241, 242)는 제1 서셉터 지지부(220)와 일체로 부착될 수도 있고, 부착되지 않을 수도 있다. 하단 연결축대(241, 242)의 끝단에는 소정의 접촉 단면적을 가지는 볼트, 리벳, 너트 형태의 걸림단(245, 246)이 형성되어, 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220)가 하단 연결축대(241, 242)로부터 이탈되지 않도록 한다.The lower connection shafts 241 and 242 serve to couple the first upper support plate 210 and the first susceptor support 220. The lower connection shafts 241 and 242 are coupled through a predetermined hole at the edge of the first upper support plate 210 and the first susceptor support 220, and the lower connection shafts 241 and 242 are connected to the first upper support plate ( It is not integrally attached to 210 and can move up and down relatively. Meanwhile, the lower connection shafts 241 and 242 may be integrally attached to the first susceptor support 220 or may not be attached. At the ends of the lower connecting shafts 241 and 242, locking ends 245 and 246 in the form of bolts, rivets, and nuts having a predetermined contact cross-sectional area are formed to form a first upper support plate 210 and a first susceptor support 220. ) Is not separated from the lower connecting shaft (241, 242).

높이 조절부(400)는 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)의 높이를 조정하여 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정할 수 있다. 예를 들어, 높이 조절부(400)는 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)의 각 모서리 부분의 높이를 미세하게 조정함으로써, 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정할 수 있다.The height adjuster 400 may adjust the height of the first susceptor 230 or the first susceptor support 220 to horizontally adjust the first susceptor 230 or the first susceptor support 220. . For example, the height adjusting unit 400 finely adjusts the height of each corner portion of the first susceptor 230 or the first susceptor support 220 to thereby adjust the first susceptor 230 or the first standing. The acceptor support 220 may be horizontally adjusted.

높이 조절부(400)는 하단 연결축대(241, 242)의 바닥면과 접하는 높이 조절단(410) 및 높이 조절단(410)에 일체로 부착되어 상하 이동을 하는 미세 이동단(420)을 포함할 수 있다. The height adjusting part 400 includes a height adjusting end 410 contacting the bottom surfaces of the lower connecting shafts 241 and 242 and a fine moving end 420 which is integrally attached to the height adjusting end 410 to move up and down. can do.

높이 조절단(410)은 하단 연결축대(241, 242)의 바닥면과 접하는 소정의 수평 단면적을 제공하며, 상하 이동에 의하여 하단 연결축대(241, 242)에 전달되는 응력을 수평 단면적이 지지하는 역할을 한다.The height adjusting end 410 provides a predetermined horizontal cross-sectional area in contact with the bottom surfaces of the lower connecting shafts 241 and 242, and supports the horizontal cross-sectional area of the stress transmitted to the lower connecting shafts 241 and 242 by vertical movement. Play a role.

미세 이동단(420)은 상하로 미세 이동하여 높이 조절단(410)의 높이를 미세하게 조정하는 역할을 한다. 예를 들어, 미세 이동단(420)은 소정의 나사산을 따라 회전하면서 상하로 미세하게 이동할 수 있다. 이와 같이, 소정의 나사산 등에 의하여 회전 운동을 직선 운동을 변환하여, 소정의 지점에서 높이를 상하로 미세하게 이동시킬 수 있다.The fine moving stage 420 finely moves up and down to finely adjust the height of the height adjusting stage 410. For example, the fine moving end 420 may move finely up and down while rotating along a predetermined thread. In this manner, the linear motion is converted to the linear motion by a predetermined thread or the like, and the height can be finely moved up and down at a predetermined point.

높이 조절부(400)는 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)의 네 모서리 부분에 각각 위치할 수 있고, 각 모서리 부분에서 하단 연결축대(241, 242)의 바닥면과 접하면서 상하로 미세하게 이동하여 하단 연결축대(241, 242)를 미세하게 상하로 이동시킬 수 있다. 이와 같이, 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)의 각 모서리 부분에서 하단 연결축대(241, 242)를 미세 이동시킴으로써 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정할 수 있다.The height adjusting unit 400 may be located at four corner portions of the first susceptor 230 or the first susceptor support 220, respectively, and the bottom surfaces of the lower connecting shafts 241 and 242 at each corner portion. The lower connection shafts 241 and 242 can be moved up and down finely by vertically moving while being in contact with each other. As such, the first and second susceptor 230 or the first susceptor support (the first susceptor 230 or the first susceptor support 220 by moving the lower connecting shaft 241, 242 in each corner portion of the first susceptor 230 or 220 can be adjusted horizontally.

다시 도 2를 참조하면, 상단 챔버모듈(300)은 공정챔버(100)에 부착되는 제2 상단 지지판(310), 제2 상단 지지판(310)과 소정 간격을 두고 배치되는 제2 서셉터(330)를 지지하는 제2 서셉터 지지부(320) 및 복수의 상단 연결축대(341, 342)를 포함할 수 있다. 한편, 상단 챔버모듈(300)은 그 구성에 있어, 하단 챔버모듈(200)과 동일한 구성으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 2 again, the upper chamber module 300 may include a second upper support plate 310 attached to the process chamber 100 and a second susceptor 330 disposed at a predetermined distance from the second upper support plate 310. ) May include a second susceptor support 320 and a plurality of upper connecting shafts 341 and 342. On the other hand, the upper chamber module 300 in the configuration, it may be made of the same configuration as the lower chamber module 200.

다만, 상단 챔버모듈(300)은 하단 챔버모듈(200) 바로 위에 맞닿거나 또는 소정의 간격만을 사이에 두고 적층되는 구조로 배치될 수 있다. 따라서, 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)의 각 상단 지지판(210, 310)은 공정챔버(100)의 내벽에 안착되어 고정되어, 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)를 적층구조 배치될 수 있도록 한다. 이와 함께, 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)은 수납 가능한 상태로 공정챔버(100)의 내벽에 안착될 수 있어, 각 챔버모듈(200, 300)의 조립 또는 확장을 용이하게 할 수도 있다.However, the upper chamber module 300 may be disposed in a structure in which the upper chamber module 300 directly contacts the lower chamber module 200 or is stacked with only a predetermined interval therebetween. Accordingly, each of the upper support plates 210 and 310 of the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 is seated and fixed to the inner wall of the process chamber 100, and thus the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 are fixed. ) So that the laminated structure can be arranged. In addition, the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 may be seated on the inner wall of the process chamber 100 in a receivable state to facilitate assembly or expansion of each chamber module 200 and 300. It may be.

상기와 같은 적층 구조로 배치됨으로 인하여, 하단 연결축대(241, 242)의 승강 또는 하강에 따라 상단 연결축대(341, 342)도 함께 승강 또는 하강하여, 제2 서셉터 지지부(320)를 승강 또는 하강시킬 수 있다. 이러한 동작에 대하여는 뒤에서 보다 상세히 설명하기로 한다.Due to the stacking structure as described above, the upper connecting shafts 341 and 342 are also lifted or lowered together with the lowering or lowering of the lower connecting shafts 241 and 242 to raise or lower the second susceptor support 320. Can be lowered. This operation will be described in more detail later.

구동부(450)는 하단 챔버모듈(200)의 하단 연결축대(241, 242)를 승강 또는 하강시키거나 또는 하단 챔버모듈(200)의 제1 서셉터 지지부(220)를 승강 또는 하강시키는 역할을 한다. 구동부(450)는 하단 연결축대(241, 242) 또는 제1 서셉터 지지부(220)를 승강 또는 하강시켜, 제1 서셉터(230)를 일차적으로 승강 또는 하강시킨다. 이와 함께, 이차적으로는 하단 연결축대(241, 242)에 수직하는 축으로 연결되어 맞닿아 있는 상단 연결축대(341, 342)도 함께 승강 또는 하강시켜, 제2 서셉터 지지부(320)의 제2 서셉터(330)를 승강 또는 하강시킬 수 있다.The driving unit 450 serves to elevate or lower the lower connecting shafts 241 and 242 of the lower chamber module 200 or to elevate or lower the first susceptor support 220 of the lower chamber module 200. . The driving unit 450 lifts or lowers the lower connection shafts 241 and 242 or the first susceptor support 220 to primarily lift or lower the first susceptor 230. In addition, the second connecting rods 341 and 342 which are connected to and contact with the axes perpendicular to the lower connecting shafts 241 and 242 are also lifted or lowered together to form a second second susceptor support 320. The susceptor 330 may be raised or lowered.

구동부(450)는 소정의 구동력을 제공하는 구동 모터(401), 상기 구동력을 전달하는 제1 구동부재(402) 및 제1 구동부재(402)에 연결되며 하단 연결축대(241, 242) 또는 제1 서셉터 지지부(220)에 맞닿아 구동력을 전달하는 제2 구동부재(430)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 구동 모터(401)는 회전하여, 소정의 회전 운동을 직선 운동을 변환시키는 나사 결합에 의하여 제1 구동부재(402)의 승강 또는 하강 운동을 유도할 수 있다. 또는, 실린더 타입에 의하여 하단 연결축대(241, 242) 또는 제1 서셉터 지지부(220)에 직접 접촉하여 승강 또는 하강 시킬 수도 있다. The driving unit 450 is connected to the driving motor 401 providing a predetermined driving force, the first driving member 402 and the first driving member 402 transmitting the driving force, and the lower connecting shafts 241 and 242 or the first driving member 402. 1 may include a second driving member 430 in contact with the susceptor support 220 to transfer the driving force. For example, the driving motor 401 may rotate to induce a lifting or lowering motion of the first driving member 402 by screwing to convert a predetermined rotational motion into a linear motion. Alternatively, the cylinder type may be lifted or lowered by directly contacting the lower connecting shafts 241 and 242 or the first susceptor support 220.

제2 구동부재(430)는 소정의 바(bar)를 형성하는 전달축대(427) 및 상기 전달 축대의 내부에 형성되는 나사산 홈(425)을 포함할 수 있다. 나사산 홈(425)에는 높이 조절부(400)의 미세 이동단(420)이 결합될 수 있다. 미세 이동단(420)은 회전에 의하여 나사산 홈(425)에 대한 상대적인 상하 이동을 하여 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)의 모서리를 미세하게 이동시킬 수 있다. 따라서, 각 모서리 상의 해당 위치를 상하로 이동시킴으로써 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정할 수 있다.The second driving member 430 may include a transmission shaft 427 forming a predetermined bar and a threaded groove 425 formed in the transmission shaft. The thread groove 425 may be coupled to the fine moving end 420 of the height adjusting unit 400. The fine moving end 420 may move the edge of the first susceptor 230 or the first susceptor support 220 by finely moving up and down relative to the thread groove 425 by rotation. Therefore, the first susceptor 230 or the first susceptor support 220 may be horizontally adjusted by moving the corresponding position on each corner up and down.

수평 감지부(500)는 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)의 수평 상태를 감지하는 역할을 한다. 수평 감지부(500)는 각 챔버모듈(200, 300)의 하단에 설치되어, 서셉터(230, 330) 또는 서셉터 지지부(220, 320)의 수평 여부를 판단할 수 있다. 수평 감지부(500)는 레이저 조사에 의한 수평 감지를 하는 기법, 소정의 수평면의 기울기를 감지하는 수준기를 이용하거나, 또는 각 모서리 상에서 수직 상의 높이를 감지하여 모서리 네 지점의 높이를 판단하여 수평을 감지하는 기법을 적용할 수 있다. 수평 감지부(500)는 서셉터(230, 330) 또는 서셉터 지지부(220, 320)의 수평 여부 판단하여 소정의 디스플레이에 출력하거나 또는 제어부(미도시)로 수평에 관한 데이터를 전송할 수 있다.The horizontal detector 500 detects a horizontal state of the first susceptor 230 or the first susceptor support 220. The horizontal sensing unit 500 may be installed at the lower ends of the chamber modules 200 and 300 to determine whether the susceptor 230 or 330 or the susceptor support units 220 and 320 are horizontal. The horizontal detection unit 500 uses a technique for detecting horizontality by laser irradiation, a level for detecting an inclination of a predetermined horizontal plane, or detects the height of the vertical on each corner to determine the height of four corners, thereby leveling the horizontal. Sensing techniques can be applied. The horizontal sensing unit 500 may determine whether the susceptor 230 or 330 or the susceptor support units 220 and 320 are horizontal to output to a predetermined display or transmit data regarding horizontality to a controller (not shown).

상기와 같이 본 발명의 일 실시예서는 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)의 두 개의 챔버모듈(200, 300)을 적층하는 구조를 도시하여 설명하였지만, 이는 하나의 예에 해당될 뿐이며, 3단 이상의 적층구조로 적용하는 것도 가능하다. 이와 함께, 본 발명의 일 실시예서는 하단 챔버모듈(200)의 제1 서셉터(230) 또는 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정하는 구성을 개시하였지만, 이는 상단 챔버모듈(300)의 제2 서셉터(330) 또는 제2 서셉터 지지부(320)를 수평으로 조정하는 구성으로 확장될 수 있다. As described above, an embodiment of the present invention has been described by showing a structure in which two chamber modules 200 and 300 of the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 are stacked, but this will correspond to one example. It is also possible to apply a laminated structure of three or more stages. Along with this, one embodiment of the present invention discloses a configuration for horizontally adjusting the first susceptor 230 or the first susceptor support 220 of the lower chamber module 200, which is the upper chamber module 300 The second susceptor 330 or the second susceptor support 320 may be extended to the configuration to adjust horizontally.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 하단 챔버모듈의 사시도를 보여준다. 도 3을 참조하면, 하단 챔버모듈(200)은 공정챔버(100)에 부착되는 제1 상단 지지판(210), 제1 상단 지지판(210)과 소정 간격을 두고 배치되는 제1 서셉터(230)를 지지하는 제1 서셉터 지지부(220) 및 복수의 하단 연결축대(241, 242, 243, 244)를 포함할 수 있다.Figure 3 shows a perspective view of the lower chamber module in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the lower chamber module 200 includes a first upper support plate 210 attached to the process chamber 100 and a first susceptor 230 disposed at a predetermined distance from the first upper support plate 210. It may include a first susceptor support 220 and a plurality of lower connecting shafts (241, 242, 243, 244) for supporting.

제1 상단 지지판(210)은 공정챔버(100) 내벽에 장착되어 고정되며, 소정의 상판 역할을 한다. 제1 서셉터 지지부(220)는 서셉터(230)를 지지하며 소정의 하판 역할을 한다. The first upper support plate 210 is fixed to the inner wall of the process chamber 100 and serves as a predetermined upper plate. The first susceptor support 220 supports the susceptor 230 and serves as a predetermined lower plate.

제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220)는 복수의 하단 연결축대(241, 242, 243, 244)를 통하여 소정의 간격으로 이격 되어 배치된다. 원칙적으 로 복수의 하단 연결축대(241, 242, 243, 244)는 제1 상단 지지판(210)과는 상대 운동이 가능하도록 결합되고, 제1 서셉터 지지부(220)와는 일체로 결합되어 승강 또는 하강할 수 있다.The first upper support plate 210 and the first susceptor support 220 are spaced apart at predetermined intervals through the plurality of lower connection shafts 241, 242, 243, and 244. In principle, the plurality of lower connection shafts 241, 242, 243, and 244 are coupled to the first upper support plate 210 to allow relative movement, and are integrally coupled to the first susceptor support 220 to lift or lower. Can descend.

예를 들어, 구동부(400)에 의하여 복수의 하단 연결축대(241, 242, 243, 244) 또는 제1 서셉터 지지부(220)가 승강하는 경우에는 제1 상단 지지판(210)은 공정챔버(100)의 내벽에 고정된 상태에서, 복수의 하단 연결축대(241, 242, 243, 244) 및 제1 서셉터 지지부(220)가 승강하면서 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220) 사이의 간격(2h)이 줄어든다. For example, when the plurality of lower connecting shafts 241, 242, 243, 244 or the first susceptor support 220 are elevated by the driving unit 400, the first upper support plate 210 may be a process chamber 100. In the state fixed to the inner wall of the), the plurality of lower connecting shafts (241, 242, 243, 244) and the first susceptor support 220 is elevated, the first upper support plate 210 and the first susceptor support 220 The distance between 2 h is reduced.

이는 하단 챔버모듈(200)에서 수행되는 소정의 공정에 대하여 서셉터(230) 상의 기판과 분사판(215) 사이에서 미리 정해진 간격이 될 때까지 이루어질 수 있다. 다시 말해서, 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220) 사이의 간격이 미리 정해진 소정의 간격이 될 때가지 제1 서셉터 지지부(220)를 승강 또는 하강시켜 적절히 조절할 수 있다. This may be performed until a predetermined interval is reached between the substrate on the susceptor 230 and the jet plate 215 for a predetermined process performed in the lower chamber module 200. In other words, the first susceptor support 220 may be raised or lowered until the gap between the first upper support plate 210 and the first susceptor support 220 becomes a predetermined predetermined distance, thereby adjusting appropriately.

한편, 소정의 공정챔버(100) 내에는 상기에서의 각 챔버모듈(200, 300)이 다단으로 적층될 수 있다. 이러한 다단 적층에 의하여 각 챔버모듈(200, 300)의 수평 정도가 달라질 수 있다. 이에 본 발명의 일 실시예에서는 높이 조절부(400)를 도입함에 의하여 각 챔버모듈(200, 300)의 수평을 조절할 수 있다.Meanwhile, in the predetermined process chamber 100, the chamber modules 200 and 300 may be stacked in multiple stages. By such multi-stage stacking, the horizontal degree of each chamber module 200 or 300 may vary. Thus, in one embodiment of the present invention, by introducing the height adjustment unit 400 it is possible to adjust the horizontal of each chamber module (200, 300).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 구동부(450)에 의하여 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)의 서셉터(230, 330)을 각각 상승시킨 경우이다. 4 is a view schematically illustrating an operation of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the susceptors 230 and 330 of the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 are raised by the driving unit 450, respectively.

도 2에서와 같이 하단 챔버모듈(200) 및 상단 챔버모듈(300)의 서셉터(230, 330)가 최대로 낮아져 상단 지지판(210, 310) 및 서셉터 지지부(220, 320) 사이의 간격이 최대(2h)인 상태에서, 구동부(450)에 의하여 하단 챔버모듈(200)의 하단 연결축대(241, 242)를 승강시킨다. 하단 연결축대(241, 242)의 승강에 의하여 하단 연결축대(241, 242)와 일체로 연결된 제1 서셉터 지지부(220)가 승강되고, 기판을 지지하는 제1 서셉터(230)도 함께 승강된다.As shown in FIG. 2, the susceptors 230 and 330 of the lower chamber module 200 and the upper chamber module 300 are lowered to the maximum so that the gap between the upper support plates 210 and 310 and the susceptor supports 220 and 320 is increased. In a state of maximum (2h), the lower connecting shaft 241, 242 of the lower chamber module 200 by the drive unit 450 is lifted. The first susceptor support 220 which is integrally connected to the lower connection shafts 241 and 242 is elevated by the lifting of the lower connection shafts 241 and 242, and the first susceptor 230 supporting the substrate is also lifted together. do.

따라서, 도 4에서와 같이 제1 서셉터 지지부(220)의 승강에 따라 제1 상단 지지판(210) 및 제1 서셉터 지지부(220) 사이의 간격이 좁아진다. 이는 소정의 공정에서 기판의 공정 조건에 부합되는 간격(h)에 도달할 때가지 이루어질 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 4, the interval between the first upper support plate 210 and the first susceptor support 220 is narrowed as the first susceptor support 220 is elevated. This may be done until a distance h that matches the process conditions of the substrate is reached in a given process.

이와 함께, 하단 연결축대(241, 242)의 상승에 따라 하단 연결축대(241, 242)와 맞닿아 있는 상단 연결축대(341, 342)의 승강이 이루어질 수 있다. 따라서, 하단 연결축대(241, 242)의 승강에 따라 동시에 상단 연결축대(341, 342)의 승강이 이루어짐으로써, 제2 서셉터 지지부(320)가 승강되고, 기판을 지지하는 제2 서셉터(330)도 함께 승강된다. In addition, as the lower connection shafts 241 and 242 rise, the upper connection shafts 341 and 342 contacted with the lower connection shafts 241 and 242 may be raised and lowered. Accordingly, as the lower connecting shafts 241 and 242 are raised and lowered at the same time, the upper connecting shafts 341 and 342 are raised and lowered, so that the second susceptor support 320 is elevated and the second susceptor 330 supporting the substrate. ) Is also elevated.

상기에서와 같이, 각 챔버모듈(200, 300)들을 다단으로 적층하여, 각 연결축대(241, 242, 341, 342)를 서로 맞닿게 설치함으로써, 최하단의 연결축대(241, 242)를 상승 또는 하강시킴으로써 최하단으로부터 상단에 위치하는 각 챔버모듈(200, 300)의 서셉터 지지부(220, 320)를 승강 또는 하강시켜, 각 챔버모듈(200, 300)에서의 기판 및 분사판(215, 315) 사이의 간격을 적절히 조절할 수 있다.As described above, by stacking the chamber modules (200, 300) in multiple stages, each connecting shaft (241, 242, 341, 342) to be in contact with each other, the lower connecting shaft (241, 242) is raised or By lowering, the susceptor support parts 220 and 320 of the respective chamber modules 200 and 300 positioned at the uppermost end are lowered or lowered to lower and lower the substrates and the ejection plates 215 and 315 in the respective chamber modules 200 and 300. The gap between them can be adjusted accordingly.

한편, 연결축대(241, 242, 341, 342)가 서셉터 지지부(220, 320)과 일체로 결합되는 경우에는, 하단 챔버모듈(200)의 연결축대(241, 242)는 상단 챔버모듈(300)의 서셉터 지지부(320)와 맞닿게 설치될 수 있다. 이러한 경우에는, 하단 챔버모듈(200)의 연결축대(241, 242)를 승강시키는 경우에 상단 챔버모듈(300)의 서셉터 지지부(320)가 승강하고, 이에 따라 상단 챔버모듈(300)의 연결축대(341, 342)가 승강할 수 있다. 상기 연결축대(341, 342)의 승강에 의하여 또다른 상단 챔버모듈의 서셉터 지지부를 승강시킬 수 있다. 이와 같이, 다단으로 적층된 구조에서, 서셉터 지지부를 승강시켜, 각 챔버모듈(200, 300)에서의 기판 및 분사판(215, 315) 사이의 간격을 적절히 조절하여 기판 상의 막 균일도 향상 또는 수율을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, when the connecting shafts 241, 242, 341, and 342 are integrally coupled with the susceptor support units 220 and 320, the connecting shafts 241 and 242 of the lower chamber module 200 may be the upper chamber module 300. It may be installed in contact with the susceptor support 320 of the). In this case, when the connecting shafts 241 and 242 of the lower chamber module 200 are raised and lowered, the susceptor support part 320 of the upper chamber module 300 is elevated, thereby connecting the upper chamber module 300. The shafts 341 and 342 can move up and down. By raising and lowering the connecting shafts 341 and 342, the susceptor support of another upper chamber module may be elevated. As such, in a multi-stacked structure, the susceptor support is lifted to appropriately adjust the distance between the substrate and the jet plates 215 and 315 in each chamber module 200 and 300 to improve film uniformity or yield on the substrate. Can improve.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 높이 조절부를 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다.5A and 5B are schematic cross-sectional views of a height adjusting unit in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 5a를 살펴보면, 높이 조절부(400)는 제2 구동부재(430) 상에 수직으로 소정의 나사 결합에 의해 이동하는 메커니즘으로 구성될 수 있다. 높이 조절부(400)는 하단 연결축대(241)에 접하게 위치하여 하단 연결축대(241)를 지지하는 높이 조절단(410) 및 높이 조절단(410)에 일체로 부착되어 상하 이동을 하는 미세 이동단(420)으로 구성될 수 있다. 한편, 높이 조절부(400)를 지지하는 제2 구동부재(430)는 바(bar) 형상의 전달축대(427) 및 전달축대(427)의 내부에 형성되는 나사홈을 구비한 홈부(425)를 포함할 수 있다. 따라서, 미세 이동단(420)에는 이에 대응되는 나사산을 구비하여 홈부(425)의 나사홈을 따라 회전하면서 상하 이동을 할 수 있다. 다시 말하면, 수평 감지부(500)를 통하여 감지된 수평 여부에 대한 정 보를 이용하여, 사용자 또는 소정의 구동 수단에 의하여 높이 조절단(410)를 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시켜 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정할 수 있다. First, referring to FIG. 5A, the height adjusting part 400 may be configured as a mechanism for moving by a predetermined screw coupling vertically on the second driving member 430. The height adjuster 400 is positioned in contact with the lower connecting shaft 241 and is attached to the height adjusting end 410 and the height adjusting end 410 integrally supporting the lower connecting shaft 241 to move up and down. It may be composed of a stage 420. On the other hand, the second drive member 430 for supporting the height adjusting part 400 is a bar portion (425) having a bar-shaped transmission shaft 427 and a screw groove formed in the interior of the transmission shaft 427 It may include. Therefore, the micro-movement end 420 may be provided with a thread corresponding thereto to move up and down while rotating along the screw groove of the groove 425. In other words, the first susceptor may be rotated in a clockwise or counterclockwise direction by the user or a predetermined driving means by using the information on whether the level is detected by the horizontal sensing unit 500. The support 220 may be adjusted horizontally.

한편, 높이 조절단(410)의 회전에 의하여 수평 조절이 이루어진 경우에 더 이상의 높이 조절단(410)의 회전을 방지하여 수평 상태를 유지시키는 회전 방지부를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 높이 조절단(410)은 테두리 상으로 소정의 돌기부(412)를 구비하고, 소정의 회전 방지핀(415)이 돌기부(412) 사이의 홈부(413)에 끼워짐으로써 높이 조절단(410)의 회전을 방지할 수 있다. 상기의 회전 방지핀(415)은 하단 연결축대(241) 상에 또는 하단 연결축대(241)의 걸림단(246) 상에서 소정의 힌지 결합에 의해 이동될 수 있다. 여기서, 걸림단(246)은 하단 연결축대(241)의 끝단에 형성되어 제1 서셉터 지지부(220)가 이탈되지 않도록 한다.On the other hand, when the horizontal adjustment is made by the rotation of the height adjustment stage 410 may further include a rotation prevention unit for preventing the rotation of the height adjustment stage 410 to maintain a horizontal state. For example, the height adjusting end 410 is provided with a predetermined protrusion 412 on the edge, the predetermined anti-rotation pin 415 is fitted into the groove 413 between the protrusion 412, the height adjusting end. Rotation of 410 can be prevented. The anti-rotation pin 415 may be moved by a predetermined hinge coupling on the lower connection shaft 241 or on the locking end 246 of the lower connection shaft 241. Here, the locking end 246 is formed at the end of the lower connecting shaft 241 so that the first susceptor support 220 is not separated.

도 5b를 참조하면, 높이 조절부(400)는 하단 연결축대(241)의 나사홈을 구비한 홈부(575)에 삽입되어 결합될 수 있다. 이에 따라, 높이 조절부(400)의 높이 조절단(410)은 제2 구동 부재(430)에 접하여, 제2 구동 부재(430)가 하단 챔버모듈(200)을 지지하도록 한다. 수평 여부에 대하여 판단이나 정보를 획득하여, 사용자 또는 소정의 구동 수단에 의하여 높이 조절단(410)를 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시킴으로써 하단 연결축대(241)를 미세하게 승하강시킬 수 있다. 이러한 미세 이동에 의하여 제1 서셉터 지지부(220)를 수평으로 조정할 수 있다.Referring to FIG. 5B, the height adjusting part 400 may be inserted into and coupled to the groove 575 having the screw groove of the lower connecting shaft 241. Accordingly, the height adjusting end 410 of the height adjusting unit 400 is in contact with the second driving member 430, so that the second driving member 430 supports the lower chamber module 200. The lower connection shaft 241 may be finely lowered and lowered by obtaining a judgment or information about whether the level is horizontal and rotating the height adjusting end 410 clockwise or counterclockwise by a user or a predetermined driving means. By such fine movement, the first susceptor support 220 may be horizontally adjusted.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 높이 조절부를 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다.6A and 6B are schematic cross-sectional views of a height adjusting unit in a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 높이 조절부(510)는 제2 구동부재(430)의 외주면 상의 나사산(423)에 결합하여 소정의 상하 이동을 할 수 있다. 높이 조절부(510)는 내부에 대응되는 소정의 나사홈(515)을 구비한 높이 조절단을 형성하여, 상기 나사산(423)을 따라 회전하면서 상하 이동을 할 수 있도록 한다. Referring to FIG. 6A, the height adjusting unit 510 may be coupled to the thread 423 on the outer circumferential surface of the second driving member 430 to perform a predetermined vertical movement. The height adjusting part 510 forms a height adjusting end having a predetermined screw groove 515 corresponding to the inside thereof, so that the height adjusting part 510 can move up and down while rotating along the screw thread 423.

도 6b를 참조하면, 높이 조절부(520)는 하단 연결축대(410)의 외주면 상의 나사산(585)에 결합하여 소정의 상하 이동을 할 수 있다. 높이 조절부(520)는 내부에 소정의 나사홈(520)을 구비하여, 회전 운동에 의하여 미세한 상하 이동을 할 수 있다.Referring to FIG. 6B, the height adjusting unit 520 may be coupled to the thread 585 on the outer circumferential surface of the lower connecting shaft 410 to perform a predetermined vertical movement. The height adjusting part 520 is provided with a predetermined screw groove 520 therein, and can make a fine vertical movement by a rotational movement.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 적층 구조의 각 챔버모듈(200, 300)에서의 수평을 조정하기 위하여, 소정의 높이 조절부(400)의 구성을 도입하여 각 챔버모듈(200, 300)의 서셉터(230, 330) 또는 서셉터 지지부(220, 320)의 높이를 미세하게 조정하여 각 챔버모듈(200, 300)의 수평을 용이하게 조절할 수 있다.As described above, in one embodiment of the present invention, in order to adjust the horizontal in each chamber module (200, 300) of the laminated structure, by introducing a configuration of a predetermined height adjusting unit 400, each chamber module (200, 300) Fine adjustment of the height of the susceptor (230, 330) or susceptor support (220, 320) of the) can easily adjust the horizontal of each chamber module (200, 300).

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다 1 is a schematic cross-sectional view of a general substrate processing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다.2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 하단 챔버모듈의 사시도이다.3 is a perspective view of a lower chamber module in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 개략적으로 보여주는 도면이다.4 is a view schematically illustrating an operation of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 높이 조절부를 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다.5A and 5B are schematic cross-sectional views of a height adjusting unit in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 높이 조절부를 종단면을 개략적으로 보여주는 도면이다.6A and 6B are schematic cross-sectional views of a height adjusting unit in a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 공정 챔버 120: 걸림부100: process chamber 120: engaging portion

125: 챔버돌기 200: 하단 챔버모듈 125: chamber projection 200: lower chamber module

210: 제1 상단 지지판 220: 제1 서셉터 지지부 210: first upper support plate 220: first susceptor support

230: 제1 서셉터230: first susceptor

241, 242, 243, 245: 하단 연결축대 241, 242, 243, 245: lower connecting shaft

245, 246: 걸림단245, 246: jammed end

300: 상단 챔버모듈 310: 제2 상단 지지판300: upper chamber module 310: second upper support plate

320: 제2 서셉터 지지부 230: 제2 서셉터320: second susceptor support 230: second susceptor

341, 342: 상단 연결축대 341, 342: upper connecting shaft

450: 구동부 401: 구동모터450: drive unit 401: drive motor

402: 제1 구동부재 430: 제2 구동부재402: first drive member 430: second drive member

400: 높이 조절부 410: 높이 조절단400: height adjustment unit 410: height adjustment end

420: 미세 이동단 415: 회전 방지핀420: fine moving end 415: anti-rotation pin

425: 나사산 홈 427: 전달축대425: thread groove 427: transmission shaft

Claims (7)

공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버;A process chamber providing a space in which the process is performed; 상기 공정 챔버내의 최하단에 위치하며 소정의 단위 공정을 수행하는 하단 챔버모듈;A lower chamber module positioned at a lower end of the process chamber and performing a predetermined unit process; 상기 하단 챔버모듈 상단에 적층되는 상단 챔버모듈;An upper chamber module stacked on top of the lower chamber module; 상기 하단 챔버모듈의 제1 서셉터를 승강 또는 하강시킴에 따라 상기 상단 챔버모듈의 제2 서셉터를 승강 또는 하강시키는 구동부; 및A driving unit for elevating or lowering the second susceptor of the upper chamber module by raising or lowering the first susceptor of the lower chamber module; And 상기 제1 서셉터의 높이를 조정하여 상기 제1 서셉터를 수평으로 조절하는 높이 조절부를 포함하되,It includes a height adjusting unit for adjusting the height of the first susceptor to adjust the first susceptor horizontally, 상기 구동부는 상기 하단 챔버모듈의 하단 연결축대를 승강시켜, 상기 하단 연결축대와 맞닿아 있는 상기 상단 챔버모듈의 상단 연결축대를 승강시킴에 의하여 상기 제 2 서셉터를 승강시키고,The driving unit lifts and lowers the second susceptor by elevating the lower connecting shaft of the lower chamber module, thereby elevating the upper connecting shaft of the upper chamber module in contact with the lower connecting shaft, 상기 높이 조절부는 상기 하단 연결축대와 맞닿아 상기 하단 연결축대를 지지하는 전달축대의 상단 또는 상기 하단 연결축대의 하단에 형성되며, 소정의 나사산 결합을 통하여 상하로 이동되는 높이 조절단과,The height adjustment unit is formed on the upper end of the transmission shaft for supporting the lower connection shaft or the lower connection shaft in contact with the lower connecting shaft, the height adjusting end is moved up and down through a predetermined screw coupling; 상기 높이 조절단의 회전을 방지하여 상기 높이 조절단을 고정시키는 회전 방지부를 포함하는 기판 처리 장치.And a rotation preventing unit configured to fix the height adjusting end by preventing rotation of the height adjusting end. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하단 챔버모듈의 제1 상단 지지판 및 상기 상단 챔버모듈의 제2 상단 지지판을 상기 공정챔버의 내벽에 각각 안착시키는, 기판 처리 장치.And mounting the first upper support plate of the lower chamber module and the second upper support plate of the upper chamber module on inner walls of the process chamber, respectively. 삭제delete 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전달축대는 축대 상단 내부에 소정의 나사홈이 형성된 홈부를 포함하며,The transmission shaft includes a groove portion formed with a predetermined screw groove inside the upper end of the shaft, 상기 높이 조절부는 상기 높이 조절단과 일체로 형성되고, 상기 나사홈에 삽입되는 대응되는 나사산을 구비한 미세 이동단을 더 포함하는, 기판 처리 장치.And the height adjusting part is formed integrally with the height adjusting end and further includes a fine moving end having a corresponding thread inserted into the screw groove. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 전달축대는 축대 상단 외부에 소정의 나사산을 포함하며,The transmission shaft includes a predetermined thread outside the top of the shaft, 상기 높이 조절단은 상기 나사산에 대응되는 나사홈을 구비하여 회전에 의해 상하 이동을 하는, 기판 처리 장치. The height adjusting end is provided with a screw groove corresponding to the screw thread to move up and down by rotation. 삭제delete 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 서셉터 또는 상기 제2 서셉터의 수평을 감지하는 수평 감지부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.And a horizontal sensing unit configured to sense the horizontality of the first susceptor or the second susceptor.
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