KR101097569B1

KR101097569B1 - 액정표시소자의 제조방법

Info

Publication number: KR101097569B1
Application number: KR1020050020276A
Authority: KR
Inventors: 오태영
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2005-03-10
Filing date: 2005-03-10
Publication date: 2011-12-22
Also published as: KR20060099201A

Abstract

본 발명은 수지BM(black matrix)의 두께를 줄일 수 있도록 한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 제1 및 제2기판을 준비하는 단계와, 상기 제2기판 상에 수지BM을 인쇄하는 단계와, 상기 수지BM의 표면에 금속BM을 도금하는 단계와, 상기 금속BM 상에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2기판 상에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법을 제공한다.

Description

액정표시소자의 제조방법{FABRICATION METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도1은 일반적인 액정표시소자의 단면도.

도2a∼도2e는 본 발명에 의한 BM 형성방법을 나타낸 공정단면도.

도3a∼도3e는 본 발명에 의한 BM 형성방법의 다른예를 나타낸 공정단면도.

도4는 수직전계방식에 따른 본 발명의 컬러필터기판을 나타낸 도면.

도5는 수평전계방식에 따른 본 발명의 컬러필터기판을 나타낸 도면.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***

131,231: 인쇄롤 132,232: 블랑켓

140,240,340: 수지BM 341: 컬러필터

343: 공통전극 346: 배향막

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 수지BM의 두께를 줄여 오버코트막을 생략할 수 있도록 한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기 기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장비(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장비로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.

도1은 일반적인 액정표시소자의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다. 도면에 도시된 바와 같이, 액정표시소자(1)는 하부기판(5)과 상부기판(3) 및 상기 하부기판(5)과 상부기판(3) 사이에 형성된 액정층(7)으로 구성되어 있다. 하부기판(5)은 구동소자 어레이(Array)기판으로써, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 하부기판(5)에는 복수의 화소가 형성되어 있으며, 각각의 화소에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)와 같은 구동소자가 형성되어 있다. 상부기판(3)은 컬러필터(Color Filter)기판으로써, 실제 컬러를 구현하기 위한 컬러필터층과 빛샘을 차단하기 위한 블랙매트릭스(black matrix;BM)이 형성되어 있다. 또한, 상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)에는 각각 화소전극 및 공통전극이 형성되어 있으며 액정층(7)의 액정분자를 배향하기 위한 배향막(미도시)이 도포되어 있다.

상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)은 실링재(Sealing material;9)에 의해 합착되어 있으며, 그 사이에 액정층(7)이 형성되어 상기 하부기판(5)에 형성된 구동소자에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.

상기 하부기판(5)은 하부기판(5)에 구동소자를 형성하는 구동소자 어레이기판공정에 의해서 형성되고, 상기 상부기판(3)은 컬러필터를 형성하는 컬러필터기판공정에 의해서 형성된다.

구동소자 어레이기판공정은 하부기판(5)상에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(Gate Line) 및 데이터라인(Date Line)을 형성하고 상기 화소영역 각각에 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되는 구동소자인 박막트랜지스터를 형성한 후, 박막트랜지스터에 접속되어 박막트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극을 형성함으로써 이루어진다.

또한, 컬러필터기판공정은 상부기판(3)에 BM을 형성한 후, 그 상부에 컬러필터를 형성한 다음, 공통전극을 형성함으로써 이루어진다.

이때, 상기 BM은 Cr 또는 CrOx와 같은 반사특성이 우수한 금속막을 사용할 수 있으며, 광을 더욱 효과적으로 차단시키기 위해 2중막을 사용할 수도 있다. 그러나, BM을 2중층으로 형성하는 경우, 1회의 포토리소그래피 공정이 추가되는 문제가 발생하게 된다. 일반적으로 금속패턴으로 이루어지는 BM은 포토리소그래피방식을 통해 제작되는데, 포토리소그래피방식은 금속막 증착, 노광, 현상 및 스트립공정과 같이 복잡한 공정으로 이루어지는 것으로, 포토리소그래피 공정의 추가는 생산성을 저하시키는 요인이된다.

한편, 금속BM 대신에 수지BM을 적용할 수도 있다. 수지BM은 포토리소그래피방식을 통해 형성되는데, 금속BM에 비해 두껍께 형성되며, 광을 효과적으로 차단하기 위해서는 약 1㎛ 이상의 두께로 형성되어야 한다. 아울러, 수지BM의 두께가 두 꺼워짐에 따라 단차발생이 심화되며, 이를 해결하기 하기 위해 오버코트막(overcoat layer)이 형성되어야 한다.

이와 같이, 종래 수지BM은 포토리소그래피 공정을 통해 형성되기 때문에 공정이 복잡하고, 두께가 두꺼워짐에 따라 오버코트막 형성 공정이 추가되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 인쇄방식을 통해 수지BM을 형성하고, 그 상부에 도금을 실시함으로써, 공정의 단순화 및 생산성 향상을 꾀할 수 있는 액정표시소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 이루어지는 본 발명은 제1 및 제2기판을 준비하는 단계와, 상기 제2기판 상에 수지BM을 인쇄하는 단계와, 상기 수지BM의 표면에 금속BM을 도금하는 단계와, 상기 금속BM 상에 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2기판 상에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

상기 수지BM을 인쇄하는 단계는, 복수의 홈이 형성된 클리체를 준비하는 단계와, 상기 홈 내부에 수지BM을 충진시키는 단계와, 상기 클리체 상에 인쇄롤를 접촉시킨 상태에서 이를 회전시킴에 따라 상기 홈 내부에 충진된 수지BM을 인쇄롤 표 면에 전사시키는 단계와, 상기 인쇄롤 표면에 전사된 수지BM을 상기 기판 상에 전사시키는 단계로 이루어진다.

또한, 상기 수지BM을 인쇄하는 단계는, 원통형의 롤을 준비하는 단계와, 상기 롤 표면에 수지BM을 도포하는 단계와, 복수의 볼록패턴이 형성된 클리체를 준비하는 단계와, 상기 클리체 상에 롤 표면에 도포된 수지BM을 접촉시킨 후, 롤을 회전시킴으로써, 상기 볼록패턴과 접촉하는 않는 롤 표면에 수지BM을 형성하는 단계와, 상기 롤 표면에 전사된 수지BM을 상기 기판 상에 전사시키는 단계로 이루어질 수도 있다.

이때, 상기 수지BM는 환원제를 포함하고 있으며, 상기 환원제는 글루코스 또는 알데히드기 중의 하나로 선택될 수 있다.

또한, 상기 금속BM은 은(Ag) 또는 크롬(Cr) 중에 하나로 형성될 수 있다.

한편, 상기 제1기판을 준비하는 단계는, 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 복수의 데이터라인을 형성하는 단계와, 상기 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 이때, 컬러필터 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.

또한, 상기 제1기판을 준비하는 단계는, 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 복수의 데이터라인을 형성하는 단계와, 상기 화소영역에 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극을 형성하는 단계를 포 함하여 이루어질 수도 있다.

그리고, 상기 수지BM은 0.2㎛ 이하의 두께로 형성할 수 있으며, 금속BM은 0.1㎛ 이하의 두께로 형성할 수 있다.

또한, 본 발명은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 환원제가 포함된 수지BM을 인쇄하는 단계와, 상기 수지BM 상에 금속BM을 도금하는 단계와, 상기 금속BM 상에 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

상기 수지BM 상에 금속BM을 도금하는 단계는, 질산은(AgNO₃)이 용해된 암모니아 수용액에 담금으로써, 상기 수지BM 표면에 Ag를 도금하는 단계로 이루어지며, 상기 수지BM에 포함된 환원제는 글루코스 또는 알데히드기 중에 하나로 선택될 수 있다.

그리고, 상기 컬러필터 상에 공통전극을 형성하는 단계와, 상기 공통전극 상에 컬럼스페이서를 형성하는 단계와, 상기 공통전극 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 컬러필터 상에 컬럼스페이서를 형성하는 단계와, 상기 컬러필터 상에 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수도 있다.

이때에도, 상기 수지BM은 0.2㎛ 이하의 두께로 형성되고, 상기 금속BM은 0.1㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다.

상기한 바와 같이 이루어지는 본 발명은 인쇄방식을 통해 환원제를 포함하는 수지BM을 인쇄한 후, 상기 수지BM 상에 Ag 또는 Cr과 같은 금속물질을 도금하여 금속BM을 형성함으로써, 수지BM의 두께를 줄이고, BM 상에 형성되는 컬러필터의 단차 를 줄여 오버코트막 형성 공정을 생략할 수 있다. 즉, 종래 수지BM을 사용하는 경우, 광을 효과적으로 차단하기 위해 수지BM을 1㎛ 이상의 두께로 형성하였다. 이와 같이, 수지BM의 두께가 두꺼워짐에 따라 상기 수지BM 상에 형성되는 컬러필터층에 단차가 형성되고, 상기 컬러필터의 단차를 평탄화시키기 위해 컬러필터 상부에 오버코트막을 형성하였다. 그러나, 본 발명에서는 상기 수지BM 상부에 금속BM을 도금함으로써, 상기 수지BM의 두께를 0.2㎛ 이하로 줄일 수가 있다. 그리고, 상기 금속BM은 광을 효과적으로 차단시키는 역할을 하며, BM의 두께 감소로 인해 그 상부에 형성되는 컬러필터의 단차발생을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 컬러필터 상에 평탄화를 목적으로 하는 오버코트막 공정을 생략할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 수지BM을 인쇄방식을 통해 형성하기 때문에, 종래에 비해 BM공정을 단순화시킬 수 있는 잇점이 있다. 즉, 종래에는 포토리소그래피 공정을 통해 BM을 형성하기 때문에, 노광, 현상 및 식각공정등 공정이 복잡하였으나, 본 발명은 원하는 BM패턴을 기판 상에 바로 인쇄하기 때문에, 종래에 비해 공정시간을 단축시킬 수가 있다.

이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명의 인쇄방식에 의한 액정표시소자의 BM 형성방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.

도 2a∼도 2e는 인쇄방식에 의한 수지BM의 형성방법을 나타낸 것이다.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 표면에 블랑켓(132)이 감긴 원통형 롤(131)을 준비한 다음, 수지BM 공급기(135)를 통해 블랑켓(132) 표면에 수지BM(133)을 도포한다. 이때, 수지BM(133)은 폴리머로서, 계면활성제, 접착강화제, 블랙안료 및 환원제등이 첨가되어 있다. 상기 계면활성제는 표면에너지를 낮추어 코팅성을 좋게하는 것으로, 실리콘(Si)계는 플루오르(F)계등이 사용되고, 상기 접착강화제는 기판과의 접착력을 향상시켜 주는 것으로, 트리클로로실란(tri-chloro-silane)계 물질을 포함한다.

그리고, 상기 환원제는 글루코스 또는 알데히드기 중의 하나를 포함하고 있으며, 환원제의 역할에 대해서는 이후에 더욱 상세하게 설명하기로 한다.

상기한 바와 같이, 원통형의 롤(131) 표면에 수지BM을 도포한 후에, 도 2b에 도시된 바와 같이, 표면에 복수의 볼록패턴(130')이 형성된 클리체(130)을 준비한 다음, 상기 클리체(130) 표면에 수지BM(133)이 도포된 롤(131)을 접촉시킨 상태에서 회전시킴에 따라, 상기 클리체(130)의 볼록패턴(130')과 접촉하지 않는 블랑켓(132) 표면에 수지BM패턴(133a)을 형성한다. 이때, 볼록패턴(130')을 갖는 클리체(130)는 기존의 포토리소그래피 공정을 통해 형성할 수 있다. 즉, 유리재질의 기판을 준비한 다음, 상기 기판 전면에 금속막을 증착한 후, 이를 패터닝함으로써, 금속패턴이 형성된다. 이어서, 상기 금속패턴을 마스크로 하여 기판을 에칭함으로써, 금속패턴이 형성된 영역에 볼록패턴(130')을 형성할 수가 있다. 이때, 금속패턴을 제거할 수도 있다.

이와 같이 제작된 클리체(130) 표면에 수지BM(133)이 도포된 롤(131)을 회전하며 진행시킴에 따라, 볼록패턴(130')과 접촉하는 영역의 수지BM(133')이 볼록패턴(130') 상에 남게된다. 이에 따라, 볼록패턴(130')과 접촉하지 않는 블랑켓(132) 표면에는 수지BM패턴(133a)이 남게된다.

이후에, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 블랑켓(132) 표면에 남아 있는 수지BM패턴(133a)을 투명한 기판(150) 상에 접촉시킨 후, 회전시킴에 따라, 상기 기판(150) 상에 수지BM패턴(133a)을 인쇄함으로써, 도 2d에 도시된 바와 같이, 기판(150) 상에 수지BM(140)을 형성한다. 이때, 상기 기판(150) 상에 형성된 수지BM(140)은 0.2㎛ 이하의 두께를 가진다.

이어서, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 수지BM(140) 표면에 도금방법을 통해 금속BM(145)을 형성한다. 상기 금속BM(145)은 Ag 또는 Cr등을 이용할 수 있으며, Ag를 도금하는 경우, 질산은(AgNO₃)이 용해된 암모니아 수용액에 수지BM이 형성된 기판을 담근 후 빼냄으로써, 수지BM(140) 표면에 Ag를 도금하게 된다. 이를 좀더 상세하게 설명하면, 질산은(AgNO₃)은 암모니아 수용액 안에 Ag⁺와 NO₃ ^-상태로 용해되어 있으며, 상기 수지BM은 글루코스(C₆H₁₂O₆) 또는 알데히드기(R-COH)와 같은 환원제를 포함하고 있다. 환원제란 전자를 제공하여 자신은 산화되고, 상대를 환원시키는 것으로, 수지BM이 질산은이 용해된 암모니아 수용액에 접촉하게 되면, Ag⁺는 수지BM에 포함된 글루코스(C₆H₁₂O₆)로부터 전자를 받아 수지BM(140) 표면에 달라붙게 된다. 그리고, 글루코스(C₆H₁₂O₆)는 Ag⁺에 전자를 제공하고 C₆H₁₁O₆ 또는 C₆H₁₀O₆로 산화된다.

Ag가 환원되는 단계와 글루코스(C₆H₁₂O₆)가 산화되는 단계는 아래의 수학식1 및 수학식2와 같이 표현할 수 있다.

Ag⁺(aq) + e^- ----> Ag(s)

C₆H₁₂O₆ ----> C₆H₁₁O₆ + e^- 또는 C₆H₁₀O₆+ e^-

상기한 바와 같은 반응을 통해 수지BM 표면에 Ag로 이루어진 금속BM이 형성되고, 이때, Ag가 도금되는 두께는 0.1㎛ 이하이며, 특히, 0.02㎛ ~ 0.1㎛ 범위에 해당하는 두께로 형성할 수 있다.

한편, 상기 환원제가 알데히드기(R-COH)인 경우, Ag⁺에 전자를 제공하고, 본인은 R-COOH로 산화되며, 수학식3과 같이 표현할 수 있다.

R-COH + H₂O ---> R-COOH + e^-

상기한 바와 같이, 본 발명은 수지BM에 환원제를 첨가하고, 상기 환원제를 통해 수지BM 표면에 도금을 함으로써, 금속BM을 형성할 수 있다. 상기 금속BM은 광을 효과적으로 차단하기 위해 형성되는 것으로, 상기 금속BM의 형성을 통해 수지BM의 두께를 줄일 수가 있다. 이때, 상기 금속BM은 Ag 이외 크롬(Cr)등을 사용할 수 있으며, Cr을 도금할 경우, Cr₂(SO₄)₃을 사용할 수 있다.

아울러, 상기 수지BM은 인쇄방식을 통해 형성되기 때문에 종래에 포토리소그래피방식에 비해 공정을 단순화시킬 수 있는 잇점이 있다. 특히, 상기 수지BM은 도 2a~ 도 2c에 설명된 인쇄방식 이외에도 클리체에 오목한 홈을 형성하고, 상기 홈 내부에 수지BM을 충전시킨 후, 이를 기판에 전사시키는 방법도 사용할 수 있다.

도 3a∼도 3e는 인쇄방식에 의한 수지BM의 형성방법의 다른 실시예를 나타낸 것으로, 먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 복수의 오목한 홈(235)이 형성된 클리체(230)를 준비한 다음, 홈(235) 내부에 환원제등을 포함하는 수지BM(233)을 충진한다. 상기 홈(235) 내부로의 수지BM(233) 충진은 클리체(230)의 상부에 패턴형성용 수지BM(233)을 도포한 후 닥터블레이드(238)를 클리체(230)의 표면에 접촉한 상태에서 밀어줌으로써 이루어진다. 따라서, 닥터블레이드(238)의 진행에 의해 홈(235) 내부에 수지BM(233)이 충진됨과 동시에 클리체(230) 표면에 남아 있는 수지BM은 제거된다.

이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 표면에 블랑켓(332)이 형성된 인쇄롤(231)을 클리체(230)에 접촉시킨 상태에서 상기 인쇄롤(231)을 회전시켜 진행시킴에 따라, 상기 홈(235) 내부에 충진된 수지BM(233)을 블랑켓(232) 표면에 전사시킴으로써, 블랑켓(232) 표면에 수지BM패턴(233a)을 형성한다.

이후에, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 블랑켓(232) 표면에 전사된 수지BM패턴(233a)을 투명한 기판(250) 상에 접촉시킨 후, 회전시킴에 따라, 상기 기판(250) 상에 수지BM패턴(233a)을 인쇄함으로써, 도 3d에 도시된 바와 같이, 기판(250) 상에 수지BM(240)을 형성한다. 이때에도, 상기 기판(250) 상에 형성된 수지 BM(240)은 0.2㎛ 이하의 두께를 가진다. 이어서, 이전 실시예와 동일한 방법을 통해, 상기 수지BM(240) 상에 0.1㎛ 이하의 두께를 갖는 금속BM(245)을 형성한다(도3e 참조).

상기한 바와 같이(도 2a∼도 2e, 도 3a∼도 3e), 인쇄방식 및 도금방식을 통해 BM을 형성한 후, 상기 BM 상에 컬러필터등을 형성하게 된다.

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 인쇄방식을 통해 기판(350) 상에 수지BM(340)을 형성한 후, 도금방식을 통해 상기 수지BM(340)의 표면에 금속BM(345)을 형성한 다음, 상기 BM 상에 R(적), G(녹), B(청) 색상의 컬러필터층(341)을 형성한다. 이때, 낮은 BM 두께(0.3㎛ 이하)로 인해, 상기 BM 상에 형성되는 컬러필터층(341)에는 단차가 발생하지 않으며, 종래와 같이 컬러필터층의 평탄화를 위한 오버코트막 형성이 필요없게 된다. 이와 같이, 컬러필터층(341)이 형성되면 상기 컬러필터층(341) 상에 공통전극(343)과 배향막(346)을 형성함으로써, 컬러필터기판을 제작하게 된다.

상기한 바와 같이 형성된 컬러필터기판은 액정층을 사이에 두고 박막트랜지스터 어레이기판과 합착되어 액정표시소자를 형성하게 된다. 이때, 상기 액정층은 스페이서에 의해 셀겝이 유지되는데, 스페이서는 볼스페이서 또는 컬럼스페이서가 사용될 수 있다.

박막트랜지스터 어레이기판에는 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 게이트라인 및 데이터라인이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에는 스위칭소자로써, 박막트랜지스터가 형성된다. 상기 박막트랜지스터는 게이트전극, 상기 게이트전극 상에 형성된 반도체층 및 소스/드레인전극으로 구성된다. 그리고, 상기 화소영역에는 투명전극으로 이루어진 화소전극이 형성되며, 상기 화소전극은 상기 공통전극과 함께 액정층에 수직전계를 발생시키고, 액정을 구동시키게 된다.

한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터층(341) 상에 공통전극을 형성하지 않고, 바로 배향막(343)을 형성할 수도 있다. 컬러필터기판에 공통전극을 형성하지 않고, 박막트랜지스터 어레이기판의 화소영역에 화소전극 및 공통전극을 함께 형성하는 경우, 상기 화소전극 및 공통전극의 의해 수평전계가 발생되고, 상기 수평전계에 액정이 구동하기 때문에, 수직전계방식에 비해 시야각을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 액정표시소자의 제조방법을 제공한다. 특히, 본 발명에서는 인쇄방식을 통해 수지BM을 형성하고, 도금방식을 통해 수지BM 표면에 금속BM을 형성함으로써, 수지BM의 두께를 줄이고, 오버코트막을 생략할 수 있도록 한다. 즉, 인쇄방식을 통해 수지BM을 형성하기 때문에, 종래 포토리소그래피방식에 비해 공정이 단순해지고, 그 표면에 도금된 금속BM으로 인해, 0.2㎛ 이하의 두께로 형성이 가능해진다. 따라서, 본 발명에서는 BM 두께의 감소로 인해 컬러필터층의 단차를 줄이고, 오버코트막을 생략할 수 있게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 인쇄방식을 통하여 환원제가 포함된 수지BM을 형성하고, 그 표면에 도금을 실시함으로써, 수지BM의 두께 감소시킬 수 있다.

본 발명은 BM의 두께를 감소시킴에 따라, 오버코트막을 생략할 수 있으며, 공정 단순화에 따른 생산력을 향상시킬 수가 있다.

Claims

제1 및 제2기판을 준비하는 단계;

상기 제2기판 상에 환원제를 포함하는 수지BM을 인쇄하는 단계;

상기 환원제와, 질산은(AgNO₃) 또는 황산크롬{Cr₂(SO₄)₃}이 용해된 암모니아 수용액의 화학반응을 통해 상기 수지BM의 표면에 금속BM을 도금하는 단계;

상기 금속BM 상에 컬러필터를 형성하는 단계; 및

상기 제1 및 제2기판 상에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 수지BM을 인쇄하는 단계는,

복수의 홈이 형성된 클리체를 준비하는 단계;

상기 홈 내부에 수지BM을 충진시키는 단계;

상기 클리체 상에 인쇄롤을 접촉시킨 상태에서, 이를 회전시킴에 따라, 상기 홈 내부에 충진된 수지BM을 인쇄롤 표면에 전사시키는 단계; 및

상기 인쇄롤 표면에 전사된 수지BM을 상기 제2 기판 상에 전사시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 수지BM을 인쇄하는 단계는,

원통형의 롤을 준비하는 단계;

상기 롤 표면에 수지BM을 도포하는 단계;

복수의 볼록패턴이 형성된 클리체를 준비하는 단계;

상기 클리체 상에 롤 표면에 도포된 수지BM을 접촉시킨 후, 롤을 회전시킴으로써, 상기 볼록패턴과 접촉하는 않는 롤 표면에 수지BM을 형성하는 단계; 및

상기 롤 표면에 전사된 수지BM을 상기 제2 기판 상에 전사시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
삭제
제1항에 있어서,

상기 환원제는 글루코스 또는 알데히드기 중의 하나로 선택된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 금속BM은 은(Ag) 또는 크롬(Cr)인 중의 하나로 선택된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 제1기판을 준비하는 단계는,

상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인을 형성하는 단계;

상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 복수의 데이터라인을 형성하는 단계; 및

상기 복수의 화소에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 컬러필터 상에 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 제1기판을 준비하는 단계는,

상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인을 형성하는 단계;

상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소를 정의하는 복수의 데이터라인을 형성하는 단계; 및

상기 복수의 화소에 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 수지BM은 0.2㎛ 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 금속BM은 0.1㎛ 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
기판을 준비하는 단계;

상기 기판 상에 환원제가 포함된 수지BM을 인쇄하는 단계;

상기 수지BM 상에 금속BM을 도금하는 단계; 및

상기 금속BM 상에 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하고,

상기 수지BM 상에 금속BM을 도금하는 단계는,

질산은(AgNO₃) 또는 황산크롬{Cr₂(SO₄)₃}이 용해된 암모니아 수용액에 담금으로써, 상기 수지BM 표면에 Ag 또는 Cr을 도금하는 단계

로 이루어지는 액정표시소자의 제조방법.
삭제
제12항에 있어서, 상기 환원제는 글루코스 또는 알데히드기 중에 선택된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제12항에 있어서,

상기 컬러필터 상에 공통전극을 형성하는 단계;

상기 공통전극 상에 컬럼스페이서를 형성하는 단계; 및

상기 공통전극 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제12항에 있어서,

상기 컬러필터 상에 컬럼스페이서를 형성하는 단계; 및

상기 컬러필터 상에 배향막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 수지BM은 0.2㎛ 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 금속BM은 0.1㎛ 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.