KR101088823B1 - 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 저장 안정성이 우수하고 구리막에 대한 연마 선택비가 높으며 부식 현상을 최소화할 수 있는 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 슬러리는, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 연마제 및 양이온성 첨가제를 포함하며, 상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 산화물 입자를 포함하고, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게, 저장 안정성이 우수하고 구리막에 대한 연마 선택비가 높으며 부식 현상을 최소화할 수 있는 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자에는 소자와 소자 간, 또는, 배선과 배선 간을 전기적으로 연결하기 위해 금속배선이 형성되며, 상부 금속배선과 하부 금속배선 간의 연결을 위해 콘택 플러그가 형성된다.
상기 금속배선의 재료로는 전기 전도도가 우수한 알루미늄 및 텅스텐이 주로 이용되어 왔으며, 최근에는 구리를 차세대 금속배선 물질로 사용하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 상기 구리는 알루미늄 및 텅스텐보다 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮으므로, 상기 금속배선의 재료로서 구리를 적용하는 경우에는, 고집적 고속동작 소자에서 RC 신호 지연 문제를 해결할 수 있다는 장점이 있다.
그런데, 상기 구리는 배선 형태로 건식 식각하기가 용이하지 않기 때문에, 구리로 금속배선을 형성하기 위해서는 다마신(Damascene)이라는 새로운 공정 기술이 이용된다. 상기 다마신 공정은 절연막을 식각하여 절연막 내에 금속배선용 배선 형성 영역을 형성하고 상기 배선 형성 영역을 완전히 매립하도록 구리막 매립시킨 다음, 상기 구리막을 CMP(Chemical Mechanical Polishing)하여 금속배선을 형성하는 방법이다.
한편, 상기 CMP는 세 단계로 수행되는 것이 가능한데, 첫번째 단계에서는 배선 형성 영역 상부의 구리막 부분이 빠르게 제거되며, 두번째 단계에서는 배선 형성 영역 표면의 베리어막 부분이 노출될 때까지 구리막 부분이 제거되며, 세번째 단계에서는 노출된 베리어막과 구리막 및 절연막 부분이 동시에 제거된다.
그래서, 구리막을 이용해 금속배선을 형성하는 경우에는, 상기 CMP의 첫번째 단계와 두번째 단계시 구리막에 대한 연마 속도가 빠르고, 베리어막 대비 구리막에 대한 연마 선택비가 높은 슬러리의 사용이 요구되고 있는 실정이다. 또한, 구리막을 이용해 금속배선을 형성하는 경우에는, 상기 CMP 공정시 슬러리에 함유된 첨가제로 인해 유발되는 구리막의 부식 현상이 개선되도록 슬러리의 특성을 개선할 필요가 있다.
본 발명은 저장 안정성이 우수한 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 구리막에 대한 연마 선택비가 높은 슬러리 및 슬러리를 이 용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공한다.
게다가, 본 발명은 구리막의 부식 현상을 최소화할 수 있는 슬러리 및 슬러리를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 슬러리는, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 연마제 및 양이온성 첨가제를 포함하며, 상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 산화물 입자를 포함하고, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 산화제는 무기 또는 유기 과화합물(per-compounds), 브롬산 및 그 염, 질산 및 그 염, 염소산 및 그 염, 크롬산 및 그 염, 요오드산 및 그 염, 철 및 그 염, 구리 및 그 염, 희토류 금속 산화물, 전이 금속 산화물, 적혈염, 중크롬산 칼륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다.
상기 산화제는 슬러리 전체에 대하여 0.01∼30 중량%의 함량으로 포함된다.
상기 유기산은 카르보닐 화합물 및 그 염, 카르복시산 화합물 및 그 염, 알콜류로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다.
상기 유기산은 디카르복시산 및 그 염을 포함한다.
상기 유기산은 슬러리 전체에 대하여 0.01∼10 중량%의 함량으로 포함된다.
상기 부식 억제제는 아졸(azole)을 함유한 화합물을 포함한다.
상기 부식 억제제는 슬러리 전체에 대하여 0.001∼2 중량%의 함량으로 포함된다.
상기 양이온성 첨가제는 아민(amine), 이민(imine), 아마이드(amide), 이미드(imide) 및 이들을 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 양이온성(cation) 질소 함유 화합물을 포함한다.
상기 양이온성 첨가제는 아민, 이민, 아마이드, 이미드기를 1개 이상 포함하는 중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다.
상기 양이온성 첨가제는 단일 중합체, 공중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다.
상기 양이온성 첨가제는 슬러리 전체에 대하여 0.0005∼5 중량%의 함량으로 포함된다.
상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 실리카(SiO2) 입자를 포함한다.
상기 연마제는 슬러리 전체에 대하여 0.05∼30 중량%의 함량으로 포함된다.
상기 연마제는 콜로이달 실리카에 산이 첨가된 후에, AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)가 첨가되어 형성된다.
상기 산은 말산을 포함한다.
상기 산은 상기 콜로이달 실리카의 pH가 2.0∼2.1이 되도록 첨가된다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법은, 배선용 금속막을 형성하는 단계 및 상기 배선용 금속막에 대해서 인접한 배선들 간을 전기적으로 분리시키기 위해 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하는 단계를 포함하며, 상기 CMP 공정은, 청구항 1의 슬러리를 사용하여 수행한다.
상기 배선용 금속막은 구리막을 포함한다.
본 발명이 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법은, 반도체 기판 상에 배선 형성 영역을 구비한 절연막을 형성하는 단계와, 상기 배선 형성 영역의 표면을 포함한 절연막 상에 베리어막을 형성하는 단계와, 상기 베리어막 상에 상기 배선 형성 영역을 매립하도록 배선용 금속막을 형성하는 단계와, 상기 배선 형성 영역 상부의 배선용 금속막 부분이 제거되도록, 상기 배선용 금속막을 1차 CMP하는 단계와, 상기 베리어막 부분이 노출되도록, 상기 1차 CMP된 배선용 금속막을 2차 CMP하는 단계 및 상기 인접한 배선들 간이 전기적으로 분리되도록, 상기 노출된 베리어막 부분, 2차 CMP된 배선용 금속막 및 절연막을 3차 CMP하는 단계를 포함하며, 상기 1차 및 2차 CMP 공정은, 청구항 1의 슬러리를 사용하여 수행한다.
상기 배선용 금속막은 구리막을 포함한다.
본 발명은 구리를 적용한 반도체 소자의 금속배선 형성시, 양이온성 첨가제와 양이온으로 표면이 개질된 연마제를 포함하는 슬러리를 사용하여 CMP 공정을 수행함으로써, 저장 안정성이 우수할 뿐 아니라 구리막에 대한 연마 선택비가 높은 조건으로 CMP 공정을 수행할 수 있다.
특히, 본 발명은 상기 연마제의 표면을 양이온으로 개질시키기 위해, 실리카 입자에 산을 첨가하여 pH를 낮춘 후 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 첨가함으로써, 제조 후 약 90일 정도까지 평균 입경의 변화가 없는 연마제를 얻을 수 있으며, 이를 통해, 상기 슬러리의 저장 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다.
게다가, 본 발명은 상기 슬러리에 부식 억제제로서 아졸을 함유하는 화합물을 첨가함으로써, 상기 슬러리에 함유된 첨가제로 인해 유발되는 구리막의 부식 현상을 방지할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명의 실시예에 따른 슬러리는, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 연마제 및 양이온성 첨가제를 포함하는 구리 배선 연마용 슬러리로서, 상기 슬러리의 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 산화물 입자, 예컨대, 양이온으로 표면이 개질된 실리카(SiO2) 입자를 포함한다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 슬러리는, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상이다.
상기 산화제는 금속막, 즉, 구리막의 표면을 산화시켜 연마하는 역할을 하며, 슬러리 전체에 대하여 약 0.01∼30 중량% 정도의 함량으로 포함된다. 구체적으로, 상기 산화제는 적절한 연마 속도를 얻고 연마시의 부식(corrosion)이나 피칭(pitching) 현상을 감소시키기 위해 약 0.05∼20 중량% 정도의 함량, 바람직하게, 0.1∼100 중량% 정도의 함량으로 포함된다. 상기 산화제는 무기 또는 유기 과화합물(per-compounds), 브롬산 및 그 염, 질산 및 그 염, 염소산 및 그 염, 크롬산 및 그 염, 요오드산 및 그 염, 철 및 그 염, 구리 및 그 염, 희토류 금속 산화물, 전이 금속 산화물, 적혈염, 중크롬산 칼륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되 는 하나 이상의 물질을 포함하며, 바람직하게, 상기 산화제는 과산화수소를 포함한다.
상기 유기산은 상기 산화제에 의해 산화된 구리 산화물을 킬레이트화하는 물질로써, 연마 속도를 증가시키고 금속 산화물이 재흡착되는 것을 방지하여 디펙트(defect)를 감소시키는 역할을 하며, 슬러리 전체에 대하여 약 0.01∼10 중량% 정도의 함량으로 포함된다. 구체적으로, 상기 유기산은 적절한 연마 속도 및 분산 안정성을 얻고 연마시의 부식이나 피칭 현상을 감소시키기 위해 약 0.05∼5 중량% 정도의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 유기산은 카르보닐 화합물 및 그 염, 카르복시산 화합물 및 그 염(하나 이상의 수산화기를 함유하는 카르복시산 화합물 및 그 염, 디카르복시산 및 그 염, 트리카르복시산 및 그 염, 폴리카르복시산 및 그 염, 하나 이상의 술폰산기 및 (아)인산기를 함유하는 카르복시산 화합물 및 그 염 등), 알콜류(디알콜, 트리알콜, 폴리알콜 등)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하며, 이들 중 2개 이상이 함께 사용되는 것이 가능하다. 예컨대, 상기 유기산은 말산(malic acid), 말론산(malonic acid), 말레산(maleic acid) 등의 디카르복시산 및 그 염을 포함하는 것이 가능하며, 바람직하게, 상기 유기산은 말산 등의 하나 이상의 수산화기를 함유하는 디카르복시산 및 그 염을 포함한다.
상기 부식 억제제제는 상기 산화제의 화학적 반응을 지연시키는 물질로써, 연마제의 물리적 연마가 일어나지 않는 낮은 단차 영역에서는 구리막의 부식을 억제하고, 연마가 일어나는 높은 단차 영역에서는 연마제의 물리적 작용에 의해 제거 됨으로써, 연마가 가능하게 하는 연마 조절제의 역할을 한다. 상기 부식 억제제는 부식 억제 효과의 달성과 적절한 연마 속도를 얻고 슬러리 안정성이 저하되는 것을 방지하기 위해, 예컨대, 슬러리 전체에 대하여 약 0.001∼2 중량% 정도의 함량으로 포함된다. 상기 부식 억제제는 아졸(azole)을 함유한 화합물을 포함하며, 예컨대, Irgamet42(Ciba)를 포함한다.
상기 양이온성 첨가제는 베리어막의 연마 속도를 저하시키는 역할을 하며, 분산 안정성을 유지하고 베리어막의 연마 속도가 충분히 감소되도록, 바람직하게, 슬러리 전체에 대하여 약 0.0005∼5 중량% 정도의 함량으로 포함된다. 상기 양이온성 첨가제는 단일 중합체, 공중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다. 예컨대, 상기 양이온성 첨가제는 아민(amine), 이민(imine), 아마이드(amide), 이미드(imide) 및 이들을 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 양이온성(cation) 질소 함유 화합물을 포함하며, 바람직하게, 아민, 이민, 아마이드, 이미드기를 1개 이상 포함하는 중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다.
상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 실리카(SiO2) 입자를 포함하며, 상기 양이온으로 표면이 개질된 실리카 입자는 적절한 연마 속도 및 분산 안정성을 얻기 위해, 슬러리 전체에 대하여 약 0.05∼30 중량% 정도의 함량으로 포함되는 것이 바람직하다.상기 연마제는 슬러리 전체에 대하여 0.05∼30 중량%의 함량으로 포함된다. 또한, 상기 연마제는 콜로이달 실리카에 산, 예컨대, 말산이 첨가된 후에, AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)가 첨가되어 형성된다. 이때, 상기 산은 상기 콜로이달 실리카의 pH가 2.0∼2.1 정도 되도록 첨가된다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 콜로이달 실리카(110) 약 1000g 정도에 산, 예컨대, 말산(malic acid ; 120)을 첨가한다. 상기 말산(120)은 상기 콜로이달 실리카(110)의 pH가 2.0∼2.1 정도, 바람직하게, pH가 2.1 정도가 되도록 첨가되며, 상기 말산(120) 첨가시 및 말산(120) 첨가 후에 상기 혼합물을 고속으로 교반한다. 상기 교반은 500∼600rpm(IKA, RW-16) 정도, 바람직하게, 500rpm(IKA, RW-16) 정도의 교반 속도로 수행되며, 상기 말산(120)이 첨가된 후에는 약 10분 이상, 예컨대, 10∼20분 정도 동안 교반된다.
도 1b를 참조하면, 상기 말산(120)이 첨가된 콜로이달 실리카(110)를 계속 교반하면서, 이들 혼합물(110+120)에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich ; 130)을 약 2g 정도 첨가한다. 상기 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich ; 130)은 응집이 일어나지 않도록 천천히, 바람직하게, 약 60∼70분 동안 첨가된다.
도 1c를 참조하면, 상기 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich ; 130)의 첨가가 완료된 이후, 상기 콜로이달 실리카(110), 말산(120) 및 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich ; 130)의 혼합물을 약 60∼70분 동안 계속 교반한다. 그 결과, 슬러리의 연마제(140)로서 양이온으로 표면이 개질된 산화물 입자, 즉, 양이온으로 표면이 개질된 실리카 입자가 형성된다.
도 1d를 참조하면, 상기 연마제(140)에 초순수(150), 유기산(160), 부식 억제제(170), 및 양이온성 첨가제(180)를 첨가하고, 이들을 교반한다. 상기 연마제(140)는 슬러리 전체에 대하여 약 0.05∼30 중량% 정도의 함량으로 첨가되며, 예컨대, 약 25g 정도가 첨가된다.
상기 초순수(150)로서 탈이온수가 863.5g 정도 첨가된다.
상기 유기산(160)으로서 카르보닐 화합물 및 그 염, 카르복시산 화합물 및 그 염, 알콜류로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질, 바람직하게, 디카르복시산 및 그 염이 첨가되는 것이 가능하며, 상기 유기산(160)은 슬러리 전체에 대하여 약 0.01∼10 중량% 정도의 함량으로 첨가된다. 예컨대, 상기 유기산(160)으로서 말산 약 5g 정도가 첨가된다.
상기 부식 억제제(170)로서 아졸(azole)을 함유한 화합물이 첨가되는 것이 가능하며, 상기 부식 억제제(170)는 슬러리 전체에 대하여 약 0.001∼2 중량% 정도의 함량으로 첨가된다. 예컨대, 상기 부식 억제제(170)로서 Irgamet42(Ciba) 약 3g 정도가 첨가된다.
상기 양이온성 첨가제(180)는 단일 중합체, 공중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함한다. 즉, 상기 양이온성 첨가제(180)로서 아민(amine), 이민(imine), 아마이드(amide), 이미드(imide) 및 이들을 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 양이온성(cation) 질소 함유 화합물이 첨가되거나, 아민, 이민, 아마이드, 이미드기를 1개 이상 포함하는 중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질이 첨가되는 것이 가능하 며, 상기 양이온성 첨가제(180)는 슬러리 전체에 대하여 약 0.0005∼5 중량% 정도의 함량으로 첨가된다. 예컨대, 상기 양이온성 첨가제(180)로서 폴리 아크릴 아마이드(Polyacrylamide, Alrich, Mw10k) 약 2.5g 정도와 Lupasol SK(BASF, Mw 2000k) 약 1g이 첨가된다.
도 1e를 참조하면, 상기 연마제(140)에 초순수(150), 유기산(160), 부식 억제제(170) 및 양이온성 첨가제(180)가 첨가된 혼합물에 산화제(190)를 첨가하고 이들의 혼합물을 약 1분 정도 동안 교반하여 본 발명의 실시예에 따른 슬러리의 제조를 완성한다.
상기 산화제(190)로서 무기 또는 유기 과화합물(per-compounds), 브롬산 및 그 염, 질산 및 그 염, 염소산 및 그 염, 크롬산 및 그 염, 요오드산 및 그 염, 철 및 그 염, 구리 및 그 염, 희토류 금속 산화물, 전이 금속 산화물, 적혈염, 중크롬산 칼륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질이 첨가되는 것이 가능하며, 상기 산화제(190)는 슬러리 전체에 대하여 약 0.01∼30 중량% 정도의 함량으로 첨가된다. 예컨대, 상기 산화제(190)로서 과산화수소 약 1000g 정도가 첨가된다. 상기 산화제(190)는 연마 직전에 첨가되는 것이 바람직하다.
이렇게 제조된 슬러리는 배선용 금속막으로서 구리막을 형성하고, 인접한 배선들 간을 전기적으로 분리시키기 위해 상기 구리막에 대해 수행되는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정시 사용된다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리를 사용하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 소정의 하부 구조물이 형성된 반도체 기판(200) 상에 제1 식각 정지막(202), 제1 절연막(204), 제2 식각 정지막(206) 및 제2 절연막(208)을 차례로 형성한다. 그런 다음, 상기 막들(208, 206, 204, 202)을 식각해서 배선 형성 영역(D)을 형성한다. 상기 배선 형성 영역(D)은 트렌치로 이루어진 싱글(Single) 구조 또는 트렌치와 비아 홀을 포함하는 듀얼(Dual) 구조로 형성한다.
도 2b를 참조하면, 배선 형성 영역(D)의 표면을 포함한 제2 절연막(208) 상에 베리어막(210)을 형성한다. 그런 다음, 상기 베리어막(210) 상에 상기 배선 형성 영역(D)를 매립하도록 배선용 금속막으로서 구리막(212)을 형성한다. 상기 베리어막(208)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 방식을 이용하여, 예컨대, TaN막과 Ta막 또는 Ti막과 TiN막의 적층막으로 형성한다.
도 2c를 참조하면, 상기 배선 형성 영역(D) 상부의 구리막(212)의 일부 두께 부분이 제거되도록, 상기 구리막(212)에 대해 1차 CMP 공정(214)을 수행한다. 상기 1차 CMP 공정(214)은 상기 배선 형성 영역(D) 상부의 잉여 구리막(212) 부분이 빠르게 제거되도록 베리어막(210) 대비 구리막(212)의 연마 선택비가 높은 슬러리를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 1차 CMP 공정(214)은 전술한 본 발명의 실시예에 따른 청구항 1항의 슬러리, 즉, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 양이온으로 표면이 개질된 실리카 입자 및 양이온성 첨가제를 포함하며, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 구리 배선 연마용 슬러리를 사용하여 수행된다.
도 2d를 참조하면, 상기 1차 CMP 공정이 수행된 구리막(212)에 대해, 상기 베리어막(210) 부분이 노출되도록 2차 CMP 공정(216)을 수행한다. 상기 2차 CMP 공정(216)은 상기 1차 CMP 공정 후에 잔류된 구리막(212) 부분만 선택적으로 제거할 뿐 베리어막(210) 부분은 제거되지 않도록, 베리어막(210) 대비 구리막(212)의 연마 선택비가 높은 슬러리를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 2차 CMP 공정(216)은 전술한 본 발명의 실시예에 따른 청구항 1항의 슬러리, 즉, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 양이온으로 표면이 개질된 실리카 입자 및 양이온성 첨가제를 포함하는 구리 배선 연마용 슬러리를 사용하여 수행된다.
도 2e를 참조하면, 인접한 배선들 간이 전기적으로 분리되도록, 상기 노출된 베리어막(210) 부분, 2차 CMP된 구리막(212) 부분 및 제2 절연막(208) 부분에 대해 3차 CMP 공정(218)을 수행한다.
이후, 도시하지는 않았으나 공지된 일련의 후속 공정들을 차례로 수행하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성을 완성한다.
본 발명의 실시예에서는, 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 연마제 및 양이온성 첨가제를 포함하고, 상기 연마제로서 양이온으로 표면이 개질된 실리카 입자가 포함되며, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 구리 배선 연마용 슬러리를 사용하여 구리막에 대한 CMP 공정을 수행한다.
이렇게 하면, 본 발명의 실시예에서는 베리어막 대비 구리막의 연마 선택비가 증가되어 구리막을 빠른 속도로 선택적으로 연마할 수 있으며, 상기 구리막의 부식 현상을 최소화할 수 있다. 그러므로, 본 발명은 반도체 소자의 특성 및 신뢰 성을 개선하고 반도체 소자의 제조 수율을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는, 상기 구리 배선 연마용 슬러리의 연마제를 실리카 입자에 산을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 미리 조절한 후에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 첨가하는 방식으로 형성함으로써, 상기 슬러리의 저장 안정성을 효과적으로 확보할 수 있다. 예컨대, 산을 첨가하여 pH를 조절한 후에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)를 첨가하여 연마제 입자의 표면이 양이온으로 개질된 본 발명의 실시예의 경우에는, 상기 연마제 입자가 제조시 안정하고 제조 후에도 90일 까지 평균 입경의 변화가 거의 없이 안정한 특징을 갖는다. 따라서, 본 발명은 반도체 소자의 제조 수율을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.
이하, 여러 실시예와 비교예 및 표 1을 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 예시적 의미를 지니며 본 발명의 보호범위가 제한하고자 하는 것은 아니다.
[실시예1]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 양이온성 첨가제로서 폴리 아크릴 아마이드 2.5g(Polyacrylamide, Alrich, Mw10k)과 Lupasol SK(BASF, Mw 2,000K) 1g을 첨가하였으며, 용매로서 탈이온수 863.5g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[실시예2]
PL-3(35nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 양이온성 첨가제로서 폴리 아크릴 아마이드 2.5g(Polyacrylamide, Alrich, Mw10k)과 Lupasol SK(BASF, Mw 2,000K) 1g을 첨가하였으며, 용매로서 탈이온수 863.5g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[실시예3]
7530HP(75nm, Silco) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 16g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 양이온성 첨가제로서 폴리 아크릴 아마이드 2.5g(Polyacrylamide, Alrich, Mw10k)과 Lupasol SK(BASF, Mw 2,000K) 1g을 첨가하였으며, 용매로서 탈이온수 872.5g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[실시예4]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서 서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 양이온성 첨가제로서 폴리 아크릴 아마이드 2.5g(Polyacrylamide, Alrich, Mw10k)과 Lupasol P(BASF, Mw 750K) 1g을 첨가하였으며, 용매로서 탈이온수 863.5g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[실시예5]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 양이온성 첨가제로서 폴리 아크릴 아마이드 2.5g(Polyacrylamide, Alrich, Mw10k)과 트리에틸렌 테트라 아민(Triethylene tetraamine, Aldrich) 1g을 첨가하였으며, 용매로서 탈이온수 863.5g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[비교예1]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g를 첨가한 후, 용매로서 탈이온수 867g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[비교예2]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서 서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g를 첨가한 후, 용매로서 탈이온수 867g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[비교예3]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 음이온성 첨가제로서 폴리 아크릴산(polyacrylic acid, Aldrich, Mw100,000) 5g을 첨가한 후, 용매로서 탈이온수 862g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 12에 나타내었다.
[비교예4]
PL-2(20nm, Fuso) 약 1000g 정도에 말산(malic acid)을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮추어 준다. 그 다음, 이들의 혼합물을 500rpm(IKA, RW-16)정도의 교반 속도로 교반한다. 이때, 상기 교반은 10분 이상 수행하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 혼합물에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 약 2g 정도 60분 동안 서서히 투입하고, 이후, 1시간 동안 교반하여 양이온으로 표면이 개질된 연마제 입자를 제조한다.
이러한 방법으로 제조된 연마제 입자 25g, 유기산으로서 말산 5g, 부식 억제제로서 Irgamet42(Ciba) 3g, 양이온성 첨가제로서 폴리 아크릴 아마이드 (Polyacrylamide, Alrich, Mw10k) 2.5g과 Lupasol SK(BASF , Mw 2,000K) 1g을 첨가하였으며, 용매로서 탈이온수 863.5g이 포함되도록 하였다. 그리고, 연마 직전 상기 혼합물에 산화제로서 과산화수소 100g을 혼합한 후, 약 1분간 교반하여 슬리리를 제조한다. 이렇게 제조된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행하였고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[연마조건]
o 연마기 모델 : Mirra (AMAT社)
o 연마대상 : 8인치 구리(Cu), 탄탈(Ta), 산화막(Ox) 블랭킷(blanket) 웨이퍼, 8인치 구리 패턴 웨이퍼(MIT854)
o 공정조건:
- 패드 타입 : IC1010/SubaⅣ Stacked(Rodel社)
- 플레이튼/헤드 속도 : 93/87rpm
- Down Pressure : 2.1psi(블랭킷 연마시), 2.1psi/1.1psi(패턴 연마시)
- 슬러리 유량률 : 150ml/min
- 연마시간 : 60초(블랭킷 연마시), 종점검출(EPD, End Point Detect)/오버폴리시(OP, Over Polish) 20초(패턴 연마시)
- 연마온도 : 25℃
| No |
저장 안정성 (90일) |
막들 간 연마속도 [Å/min] | 연마 선택비 | 부식양 [Å] |
|
| Cu | Ta |
Cu:Ta |
|||
| 실시예 1 |
안정함 | 8508 | 1 |
8508:1 |
215 |
| 실시예 2 |
안정함 | 8370 | 3 |
2836:1 |
207 |
| 실시예 3 |
안정함 | 7244 | 4 |
2127:1 |
- |
| 실시예 4 |
안정함 | 8464 | 8 |
1064:1 |
- |
| 실시예 5 |
안정함 | 7760 | 15 |
517:1 |
- |
| 비교예 1 |
안정함 | 7089 | 250 |
34:1 |
570 |
| 비교예 2 |
안정함 | 7523 | 321 |
27:1 |
610 |
| 비교예 3 |
안정함 | 8011 | 285 |
30:1 |
- |
| 비교예 4 |
겔화 | - | - |
- |
- |
표 1에 나타난 바와 같이, 양이온성으로 표면이 개질된 연마제 입자와 양이온성 첨가제가 첨가된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행한 본 발명의 실시예1 내지 실시예5의 경우에는, 슬러리의 저장 안정성이 90일 까지도 우수하며, Cu막, T막, Ox막 간에 높은 연마 선택비를 갖는다. 반면에, 양이온성 첨가제가 첨가되지 않은 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행한 비교예1 내지 비교예3의 경우에는, Cu막, T막, Ox막 간에 연마 선택비가 상대적으로 낮다. 그리고, 양이온으로 표면 개질이 되지 않은 음이온성의 연마제 입자에 양이온성 첨가제가 첨가된 슬러리를 사용하여 연마 평가를 진행한 비교예4의 경우에는, 제조 후에 겔화(gelation)되어 연마 평가를 진행하지 못하였다. 또한, 상기 실시예들 및 비교예들에 대해 패턴 평가를 진행한 결과, 막들 간 연마 선택비가 낮은 비교예들에 비해 막들 간 연마 선택비가 상대적으로 높은 실시예들의 경우에 부식되는 양이 매우 적음을 알 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 구리 배선 연마시 표면이 양이온성으로 개질된 연마제와 양이온성 첨가제가 첨가된 슬러리를 적용함에 따라, 상기 슬러리의 우수한 저장 안정성을 확보할 수 있을 뿐 아니라 구리막에 대한 연마 선택비가 높은 조건으로, 예컨대, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 조건으로 CMP 공정을 수행할 수 있다.
특히, 본 발명은 상기 연마제 입자의 제조시, 실리카 입자에 산을 첨가하여 pH를 2.1 정도로 낮춘 후에 AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)을 첨가하여 표면을 개질함으로써, 제조 후 약 90일 정도까지 평균 입경의 변화가 없는 연마제 입자를 얻을 수 있으며, 이를 통해, 상기 슬러리의 저장 안정성을 효과적으로 개선할 수 있다.
게다가, 본 발명은 상기 슬러리에 부식 억제제로서 아졸을 함유하는 화합물을 첨가함으로써, 상기 슬러리에 함유된 첨가제로 인해 유발되는 구리막의 부식 현상을 방지할 수 있다.
이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 슬러리를 사용하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 콜로이달 실리카 120 : 말산
130 : AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)
140 : 연마제 150 : 초순수
160 : 유기산 170 : 부식 억제제
180 : 양이온성 첨가제 190 : 산화제
200 : 반도체 기판 202 : 제1 식각 정지막
204 : 제1 절연막 206 : 제2 식각 정지막
208 : 제2 절연막 D : 배선 형성 영역
210 : 베리어막 212 : 구리막
214 : 1차 CMP 공정 216 : 2차 CMP 공정
218 : 3차 CMP 공정
Claims (21)
- 초순수, 산화제, 유기산, 부식 억제제, 연마제 및 양이온성 첨가제를 포함하며, 상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 산화물 입자를 포함하고, 구리막의 연마 속도:베리어막의 연마 속도의 비가 500:1 이상인 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 산화제는 무기 또는 유기 과화합물(per-compounds), 브롬산 및 그 염, 질산 및 그 염, 염소산 및 그 염, 크롬산 및 그 염, 요오드산 및 그 염, 철 및 그 염, 구리 및 그 염, 희토류 금속 산화물, 전이 금속 산화물, 적혈염, 중크롬산 칼륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 산화제는 슬러리 전체에 대하여 0.01∼30 중량%의 함량으로 포함된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 유기산은 카르보닐 화합물 및 그 염, 카르복시산 화합물 및 그 염, 알콜류로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으 로 하는 슬러리.
- 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 유기산은 디카르복시산 및 그 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 유기산은 슬러리 전체에 대하여 0.01∼10 중량%의 함량으로 포함된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 부식 억제제는 아졸(azole)을 함유한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 부식 억제제는 슬러리 전체에 대하여 0.001∼2 중량%의 함량으로 포함된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 양이온성 첨가제는 아민(amine), 이민(imine), 아마이드(amide), 이미 드(imide) 및 이들을 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 양이온성(cation) 질소 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 양이온성 첨가제는 아민, 이민, 아마이드, 이미드기를 1개 이상 포함하는 중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 양이온성 첨가제는 단일 중합체, 공중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 양이온성 첨가제는 슬러리 전체에 대하여 0.0005∼5 중량%의 함량으로 포함된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 연마제는 양이온으로 표면이 개질된 실리카(SiO2) 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 연마제는 슬러리 전체에 대하여 0.05∼30 중량%의 함량으로 포함된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 연마제는 콜로이달 실리카에 산이 첨가된 후에, AminoPropylTriMethoxySilane(Aldrich)가 첨가되어 형성된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 15 항에 있어서,상기 산은 말산을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 15 항에 있어서,상기 산은 상기 콜로이달 실리카의 pH가 2.0∼2.1이 되도록 첨가된 것을 특징으로 하는 슬러리.
- 배선용 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 배선용 금속막에 대해서 인접한 배선들 간을 전기적으로 분리시키기 위해 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 수행하는 단계;를 포함하며,상기 CMP 공정은, 청구항 1의 슬러리를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 18 항에 있어서,상기 배선용 금속막은 구리막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 반도체 기판 상에 배선 형성 영역을 구비한 절연막을 형성하는 단계;상기 배선 형성 영역의 표면을 포함한 절연막 상에 베리어막을 형성하는 단계;상기 베리어막 상에 상기 배선 형성 영역을 매립하도록 배선용 금속막을 형성하는 단계;상기 배선 형성 영역 상부의 배선용 금속막 부분이 제거되도록, 상기 배선용 금속막을 1차 CMP하는 단계;상기 베리어막 부분이 노출되도록, 상기 1차 CMP된 배선용 금속막을 2차 CMP하는 단계; 및인접한 배선들 간이 전기적으로 분리되도록, 상기 노출된 베리어막 부분, 2차 CMP된 배선용 금속막 및 절연막을 3차 CMP하는 단계;를 포함하며,상기 1차 및 2차 CMP 공정은, 청구항 1의 슬러리를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 20 항에 있어서,상기 배선용 금속막은 구리막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
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