KR101070024B1 - 박막형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 텍스처링 표면 처리된 n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼; 상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에 증착된 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에 증착된 비결정계 n형 실리콘 층에 의해 형성되는 pn 접합; 상기 pn 접합보다 외부에 형성되는 투명한 표면전극; 상기 pn 접합, 표면전극 또는 pn 접합 및 표면전극 상에 형성되어 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층; 및 상기 표면전극 상에 형성되는 패턴전극;을 포함할 수 있다.

Description

박막형 태양전지 및 그 제조방법{Thin film type solar cell and method for manufacturing thin film type solar cell}
본 발명은 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 광투과 처리된 박막을 결정 실리콘 웨이퍼 상에 형성하여 빛 투과도를 높이고 비저항을 감소시킨 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
지구 온난화 현상을 막고, 고갈되는 화학 에너지를 대체하기 위한 그린 에너지로서 연료전지와 함께 태양전지가 각광을 받고 있다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
이러한 태양전지는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 pn 접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 반도체의 에너지 밴드 갭보다 큰 에너지를 가진 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, pn 접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)은 p형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 n형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 광기전력이 발생하는데, 이 때 pn 접합의 양단의 전극에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산하게 되는 원리로 작동이 된다.
한편, 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분된다.
상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체 물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것인데 반해, 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막으로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하며, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다.
이에 비해, 상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비해 효율이 다소 떨어지지만 얇은 두께로 제조 가능하며 저가의 재료를 사용할 수 있으므로 제조비용이 감소되는 장점이 있다.
최근에는 상기 기판형 태양전지의 주재료인 실리콘의 공급부족으로 인한 실리콘 가격의 상승 문제가 더해져 상기 박막형 태양전지가 각광을 받고 있다. 특히, 결정 실리콘 기판의 양쪽에 각각 비결정 실리콘 박막을 형성하는 HIT(Heterojunction with intrinsic thin layer) 태양전지의 연구가 활발하다.
이와 같은 HIT 태양전지는 태양전지의 셀 당 태양 빛의 전기에너지로의 변환효율이 매우 높지만, 그 효율을 더 높이기 위해 다양한 시도들이 행하여지고 있다.
따라서, 태양전지 전체 발전 효율을 높이기 위한 태양전지 제조방법의 연구가 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은 광투과 처리된 박막을 결정 실리콘 웨이퍼 상에 형성하여 광 투과도를 높이고 비저항을 감소시킨 박막형 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지는 텍스처링 표면 처리된 n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼; 상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에 증착된 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에 증착된 비결정계 n형 실리콘 층에 의해 형성되는 pn 접합; 상기 pn 접합보다 외부에 형성되는 투명한 표면전극; 상기 pn 접합, 표면전극 또는 pn 접합 및 표면전극 상에 형성되어 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층; 및 상기 표면전극 상에 형성되는 패턴전극;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 상기 결정계 실리콘 웨이퍼는 유리 또는 투명한 플라스틱일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 상기 광투과 발수층은 플루오르(Fluoro) 계 물질일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 상기 패턴전극은 좁은 폭의 Ag, Cu, Ni, Au 및 이들의 합금 페이스트 또는 잉크 패턴일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 상기 표면전극은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F 또는 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
한편, 다른 측면에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼를 텍스처링 표면처리하는 단계; 상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에는 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에는 비결정계 n형 실리콘 층을 증착하여 전체적으로 pn 접합을 형성하는 단계; 상기 pn 접합에 외부에 투명한 표면전극을 형성하는 단계; 상기 표면전극 상에 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층을 형성하는 단계; 및 상기 표면전극 또는 광투과 발수층 상에 패턴전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 pn 접합 상에 광의 투과성을 더 높이기 위해 광투과 발수층을 더 형성시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 광투과 발수층은 스프레이 코팅, 브러슁, 디핑, 스핀 코팅, 산업용 잉크젯 프린팅 또는 롤투롤 프린팅 방법에 의해 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 광투과 발수층은 플루오르(Fluoro) 계 물질일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 패턴전극은 좁은 폭의 Ag, Cu, Ni, Au 및 이들의 합금 페이스트 또는 잉크 패턴일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 패턴전극은 Cu, Ag, Au, Ni을 이용하여 전해, 무전해, 또는 화학 도금을 진행하여 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 패턴전극은 제팅법 또는 프린트법으로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 표면전극은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F 또는 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에서, 상기 패턴전극을 열처리, UV 처리, 플라즈마 처리, 마이크로 웨이브 처리를 이용하여 건조 또는 조직 치밀화 하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
다른 한편, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼를 텍스처링 표면처리하는 단계; 상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에는 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에는 비결정계 n형 실리콘 층을 증착하여 전체적으로 pn 접합을 형성하는 단계; 상기 pn 접합 상에 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층을 형성하는 단계; 상기 광투과 발수층 상에 투명한 표면전극을 형성하는 단계; 및 상기 표면전극 상에 패턴전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 의하면, pn 접합의 양 표면에 광 투과를 증가시키는 광투과 발수층을 형성함으로써 광투과율을 증가시킬 수 있고, 이로 인해 태양전지 전체의 태양 광의 전기 에너지로의 변환효율이 높아지는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 의하면, 광투과 발수층 형성으로 인해 태양 광의 전 파장대의 투과율을 상승시킬 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
또한, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지(10)는 결정형 실리콘 웨이퍼(20), pn 접합(20, 50, 52), 표면전극(40, 42), 광투과 발수층(30, 32) 및 패턴 전극(12)을 포함한다.
상기 결정형 실리콘 웨이퍼(20)의 양 표면은 텍스처링(texturing) 표면(60, 62) 처리되어 미소 요철된 질감을 형성시킬 수 있으며, 이로 인해 태양 광의 다중 반사를 발생시키고 실질적으로 반사율을 감소시킬 수 있다. 또한, n형 반도체인 상기 결정계 실리콘 웨이퍼(20)는 유리 또는 투명한 플라스틱의 재질로 이루어질 수 있다.
상기 결정형 실리콘 웨이퍼(20)의 텍스처링 표면(60, 62)의 일 표면(60)인 상부 표면에는 비결정계 p형 실리콘 층(50)이 플라즈마 화학 기상 증착 장치(PECVD, Plasma-enhanced chemical vapor deposition)에 의해 박막 형성될 수 있다.
또한, 텍스처링 표면(60, 62)의 다른 표면(62)에는 비결정계 n형 실리콘 층(52)이 플라즈마 화학 기상 증착 장치(PECVD, Plasma-enhanced chemical vapor deposition)에 의해 박막 형성될 수 있다.
즉, 결정계의 n형 반도체층(20, 52) 상에 p형 반도체층(50)이 형성되어 전체 적으로 pn 접합이 형성될 수 있다.
pn 접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)은 p형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 n형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 광기전력이 발생한다.
상기 표면전극(40, 42) 상에는 도전성을 갖는 광투과 발수층(30, 32)이 형성될 수 있다. 광투과 발수층(30, 32)은 후술되는 패턴전극(12)을 잉크젯 프린팅 방법으로 형성하는 경우에, 용액 상태의 잉크가 표면전극(40, 42) 상에서 젖어들며 퍼져버리는 것을 방지하기 위해 구비된다. 잉크가 표면전극(40, 42) 상에서 퍼져버리는 경우, 잉크를 이용하여 세밀한 패턴전극(12)을 형성하기 어렵다. 따라서, 본원발명은 이를 방지하기 위해, 표면전극 상에 광투과 발수층(30, 32)을 형성한다.
상기 광투과 발수층(30, 32)을 형성함에 따라, 잉크젯 프린팅 방법에 의해 잉크가 광투과 발수층(30, 32) 상에 도포되면, 용액 상태의 잉크는 광투과 발수층(30, 32)에 의해 퍼져버리지 않고 액적(液滴) 상태를 유지하며 경화되므로, 세밀한 패턴전극(12)을 형성할 수 있다.
이러한 상기 광투과 발수층(30, 32)은 표면전극(40, 42)뿐만 아니라, 상기 pn 접합의 면에 형성될 수도 있다.
또한, 상기 광투과 발수층(30, 32)은 표면전극(40, 42)과 상기 pn 접합의 면에 동시에 형성될 수도 있다.
상기 광투과 발수층(30, 32)은 플루오르(Fluoro) 계 물질일 수 있으며, 특히, HFE(hexa fluor ethylene) 처리, 즉, 유기 용매인 불소 함유 계면 활성제를 코팅하여 발수층을 형성할 수 있다.
이와 같은 광투과 발수층(30, 32)을 이용하는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 입사광의 흡수율이 증가하는 효과가 유발되므로, 전체적으로 광투과성을 높일 수 있다.
상기 표면전극(40, 42)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F 또는 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
상기 표면전극(40, 42) 상에는 패턴전극(12)이 형성될 수 있으며, 좁은 폭의 은 페이스트 패턴일 수 있다.
따라서, 이와 같이 구성되는 박막형 태양전지(10)의 pn 접합의 양단의 패턴 전극(12)에 부하를 연결하면, 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 2a와 같은 n형 반도체인 결정형 실리콘 웨이퍼(20')를 초기세정하고 표면처리하여 도 2b와 같은 평탄한 결정형 실리콘 웨이퍼(20) 상태로 마련한다.
상기 결정형 실리콘 웨이퍼(20)를 도 2c와 같이 텍스처링 표면처리(60, 62)를 수행한다.
또한, 도 2d와 같이 상기 결정계 실리콘 웨이퍼(20)의 일 표면 상에는 비결정계 p형 실리콘 층(50)과 다른 표면 상에는 비결정계 n형 실리콘 층(52)을 증착하여 전체적으로 pn 접합을 형성한다.
도 2e는 상기 pn 접합의 양 표면에 투명한 표면전극(40, 42)를 형성하는 것을 도시한다. 그리고, 도 2f는 상기 표면전극(40, 42) 상에 도전성을 갖는 광투과 발수층(30, 32)을 형성시키고, 그 광투과 발수층 상에 패턴전극(12)을 형성할 수 있다.
본 실시예는 투명한 표면전극(40, 42) 상에 광투과 발수층(30, 32)을 형성시키고 있으나, 상기 광투과 발수층(30, 32)을 상기 pn 접합 상에 형성시킬 수도 있다.
또한, 상기 광투과 발수층(30, 32)을 상기 pn 접합과 상기 표면전극(40, 42)에 동시에 형성시킬 수도 있다.
태양광의 투과성을 증가시키기 위한 광투과 발수층(30, 32)를 형성하는 것을 도시한다. 이때, 상기 광투과 발수층(30, 32)은 스프레이 코팅(spray coating), 브러슁(brushing), 디핑(dipping), 스핀 코팅(spin coating), 산업용 잉크젯 프린팅 또는 롤투롤(roll to roll) 프린팅 방법에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 광투과 발수층은 플루오르(fluoro) 계 물질일 수 있으며, 특히, HFE(hexa fluor ethylene) 처리되어 형성될 수 있다.
상기 표면전극(40, 42)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F 또는 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.
상기 패턴전극(12)은 좁은 폭의 Ag, Cu, Ni, Au 및 이들의 합금 페이스트 또는 잉크 패턴일 수 있다.
또한, 상기 패턴전극(12)은 제팅법 또는 프린트법으로 형성할 수 있으며, 제팅법은 디스펜서(dispenser), 잉크젯 프린팅을 예로 들 수 있고, 프린팅법은 스크린 프린팅, 롤투롤 프린팅 등을 들 수 있다.
상기 패턴전극(12)은 Cu, Ag, Au, Ni을 이용하여 전해, 무전해, 또는 화학 도금을 진행하여 형성될 수 있다. 그리고, 상기 패턴전극(12)은 산업용 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 도 2f된 상태의 박막형 태양전지를 열처리, UV 처리, 플라즈마 처리, 마이크로 웨이브 처리를 이용하여 건조 또는 조직 치밀화할 수 있다.
도 3은 (a) 종래 발수처리 전의 박막형 태양전지의 광투과율과 본 발명의 일실시예에 따른 (b) 발수처리 후의 박막형 태양전지의 광투과율 및 (c) 열처리 후의 박막형 태양전지의 광투과율을 비교한 그래프이다.
도 3을 참조하면, 광투과성 발수층막을 형성하지 않은 종래 박막형 태양전지(a)와 광투과성 발수층 막을 형성한 본 발명의 일 실시예의 박막형 태양전지(b), 발수층 막을 형성했을 뿐만 아니라 최종적으로 전극을 열처리한 박막형 태양전지(c)의 파장대역별 광투과성을 알 수 있다.
즉, 종래의 박막형 태양전지(a)에 비해 광투과성 발수층 막을 형성한 박막형 태양전지(b) 및 발수층 막을 형성하고 최종적으로 열처리한 박막형 태양전지(c)의 전 파장대별 투과율이 상승하는 것을 알 수 있다.
특히, (a)의 경우에 비해, (b) 및 (c)의 경우가 400nm 이하의 단파장대의 광투과율이 현저하게 증가하는 것을 알 수 있었다.
본 발명에 따른 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 의하면, pn 접합의 양 표면에 광 투과를 증가시키는 광투과 발수층을 형성함으로써 광투과율을 증가시킬 수 있고, 이로 인해 태양전지 전체의 태양 광의 전기 에너지로의 변환효율이 높아지는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 의하면, 광투과 발수층 형성으로 인해 태양 광의 전 파장대의 투과율을 상승시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 개략 사시도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 개략 단면도.
도 3은 (a) 종래 발수처리 전의 박막형 태양전지의 광투과율과 본 발명의 일실시예에 따른 (b) 발수처리 후의 박막형 태양전지의 광투과율 및 (c) 열처리 후의 박막형 태양전지의 광투과율을 비교한 그래프.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 박막형 태양전지 20: n형 결정형 실리콘 웨이퍼
30: 표면전극 40: 광투과성 발수성 박막
50: p형 비결정형 실리콘 박막

Claims (15)

  1. 텍스처링 표면 처리된 n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼;
    상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에 증착된 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에 증착된 비결정계 n형 실리콘 층에 의해 형성되는 pn 접합;
    상기 pn 접합보다 외부에 형성되는 투명한 표면전극;
    상기 pn 접합, 표면전극 또는 pn 접합 및 표면전극 상에 형성되어 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층; 및
    상기 표면전극 또는 광투과 발수층 상에 형성되는 패턴전극;을 포함하는 박막형 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 결정계 실리콘 웨이퍼는 유리 또는 투명한 플라스틱인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광투과 발수층은 플루오르(Fluoro) 계 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 패턴전극은 좁은 폭의 Ag, Cu, Ni, Au 및 이들의 합금 페이스트 또는 잉크 패턴인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면전극은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F 또는 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
  6. n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼를 텍스처링 표면처리하는 단계;
    상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에는 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에는 비결정계 n형 실리콘 층을 증착하여 전체적으로 pn 접합을 형성하는 단계;
    상기 pn 접합에 외부에 투명한 표면전극을 형성하는 단계;
    상기 표면전극 상에 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층을 형성하는 단계; 및
    상기 표면전극 또는 광투과 발수층 상에 패턴전극을 형성하는 단계;를 포함하는 박막형 태양전지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 pn 접합 상에 광의 투과성을 더 높이기 위해 광투과 발수층을 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 광투과 발수층은 스프레이 코팅, 브러슁, 디핑, 스핀 코팅, 산업용 잉크젯 프린팅 또는 롤투롤 프린팅 방법에 의해 형성되는 박막형 태양전지 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 광투과 발수층은 플루오르(Fluoro) 계 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 패턴전극은 좁은 폭의 Ag, Cu, Ni, Au 및 이들의 합금 페이스트 또는 잉크 패턴인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 패턴전극은 Cu, Ag, Au, Ni을 이용하여 전해, 무전해, 또는 화학 도금을 진행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 패턴전극은 제팅법 또는 프린트법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 표면전극은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2:F 또는 ITO와 같은 투명한 도전물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  14. 제6항에 있어서,
    상기 패턴전극을 열처리, UV 처리, 플라즈마 처리, 마이크로 웨이브 처리를 이용하여 건조 또는 조직 치밀화 하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조방법.
  15. n형 반도체 층인 결정계 실리콘 웨이퍼를 텍스처링 표면처리하는 단계;
    상기 결정계 실리콘 웨이퍼의 일 표면 상에는 비결정계 p형 실리콘 층과 다른 표면 상에는 비결정계 n형 실리콘 층을 증착하여 전체적으로 pn 접합을 형성하는 단계;
    상기 pn 접합 상에 광의 투과성을 증가시키는 도전성의 광투과 발수층을 형성하는 단계;
    상기 광투과 발수층 상에 투명한 표면전극을 형성하는 단계; 및
    상기 표면전극 상에 패턴전극을 형성하는 단계;를 포함하는 박막형 태양전지 제조방법.
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