KR101056513B1 - 리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터 - Google Patents

리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터 Download PDF

Info

Publication number
KR101056513B1
KR101056513B1 KR1020097000798A KR20097000798A KR101056513B1 KR 101056513 B1 KR101056513 B1 KR 101056513B1 KR 1020097000798 A KR1020097000798 A KR 1020097000798A KR 20097000798 A KR20097000798 A KR 20097000798A KR 101056513 B1 KR101056513 B1 KR 101056513B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
containing gas
radiation
hydrogen
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020097000798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090033221A (ko
Inventor
마르텐 마리누스 요한네스 빌헬무스 반 헤르펜
바딤 예프겐예비치 바니네
요한네스 후베르투스 요제피나 무어스
보우터 안톤 소어
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20090033221A publication Critical patent/KR20090033221A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101056513B1 publication Critical patent/KR101056513B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

리소그래피 장치는 금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면(302)을 갖는 대상물(301) 및 방사선 소스를 포함한다. 이 표면은 게터의 기능을 갖는다. 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스에 의해 생성된 방사선 빔에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치된다. 상기 제 1 표면은 세정 방법에서 생성된 휘발성 오염물들을 보유하는데에도 사용될 수 있다.

Description

리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터{GETTER AND CLEANING ARRANGEMENT FOR A LITHOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 금속 오염물들을 보유하는 게터(getter)를 갖는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 금속 침착(metal deposition)으로부터 광학 요소들을 세정하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치에서, 기판 상에 이미징될 수 있는 피처들의 크기는 투영 방사선의 파장에 의해 제한된다. 디바이스들의 밀도가 더 높고, 이에 따라 작동 속도들이 더 높은 집적 회로들을 생성하기 위해서는, 더 작은 피처들을 이미징할 수 있는 것이 바람직하다. 현재의 대부분의 리소그래피 투영 장치가 수은 램프들 또는 엑시머 레이저(excimer laser)들에 의해 생성된 자외선을 채택하지만, 예를 들어 약 13 nm의 더 짧은 파장 방사선을 사용하는 것이 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외(EUV) 또는 소프트 x-레이(soft x-ray)라 칭해지며, 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스(laser-produced plasma source), 방전 플라즈마 소스(discharge plasma source), 또는 전자 저장 링(electron storage ring)으로부터의 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 포함한다.
EUV 방사선의 소스는, 통상적으로 플라즈마 소스, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 또는 방전 소스이다. 여하한의 플라즈마 소스의 공통적인 특징은 플라즈마로부터 모든 방향으로 방출되는 고속 이온들 및 원자들의 생성이다. 이 입자들은, 일반적으로 다층 거울 또는 그레이징 입사 거울(grazing incidence mirror)이며, 취약한(fragile) 표면들을 갖는 컬렉터(collector) 및 콘덴서 거울(condenser mirror)을 손상시킬 수 있다. 이 표면은 플라즈마로부터 방출된 입자들의 충돌 또 는 스퍼터링(sputtering)으로 인해 점차 저하되고, 이에 따라 거울들의 수명이 감소된다. 상기 스퍼터링 영향은 (EUV 소스에 대한 그 상대적인 근접성의 관점에서) 방사선 컬렉터에 대해 특히 문제가 된다. 이 거울의 목적은 플라즈마 소스에 의해 모든 방향으로 방출되는 방사선을 수집하고, 그것을 조명 시스템 내의 다른 거울들 쪽으로 지향시키는 것이다. 방사선 컬렉터는 플라즈마 소스와 매우 가깝게 또한 가시 거리(line-of-sight) 내에 위치되므로, 플라즈마로부터 다량의 고속 입자들을 수용한다. 상기 시스템 내의 다른 거울들은 어느 정도 차폐될 수 있기 때문에, 플라즈마로부터 방출된 입자들의 스퍼터링에 의해 일반적으로 더 적게 손상된다.
향후에, 극자외(EUV) 소스들은 아마도 주석(Sn) 또는 또 다른 금속 증기를 사용하여 EUV 방사선을 생성할 것이다. 이 주석은 리소그래피 장치 내로 스며들 수 있으며, 리소그래피 장치 내의 거울들, 예를 들어 방사선 컬렉터(컬렉터라고도 함)의 거울들 상에 침착될 것이다. 이러한 방사선 컬렉터의 거울들은 예를 들어 루테늄(Ru)의 EUV 반사 최상층을 가질 수 있다. 반사 Ru 층 상으로의 약 10 nm 이상의 주석 침착은 벌크(bulk) Sn과 동일한 방식으로 EUV 방사선을 반사시킬 것이다. 수 nm의 Sn 층이 Sn-기반 EUV 소스 근처에 매우 빠르게 침착될 것으로 예상된다. 주석의 반사 계수는 루테늄의 반사 계수보다 훨씬 더 낮기 때문에, 컬렉터의 전체 투과가 상당히 감소할 수 있다. 상기 소스로부터의 데브리(debris), 또는 이 데브리에 의해 생성된 2 차 입자들이 방사선 컬렉터 상에 침착되는 것을 방지하기 위하여, 오염물 배리어(contaminant barrier)가 사용될 수 있다. 이러한 오염물 배리어들이 데브리의 일부를 제거할 수 있지만, 그 중 일부의 데브리는 여전히 방 사선 컬렉터, 또는 - 그레이징 입사 거울들, 수직 입사 거울(normal incidence mirror)들 등과 같은 - 다른 광학 요소들 상에 쌓일 것이다. 더욱이, 거울들과 같은 광학 요소들 상에 탄소(C)가 쌓일 수 있으며, 이는 반사 등과 같은 광학 특성들의 감소를 초래할 수 있다.
오염물들의 존재가 감소된, 또는 이러한 오염물들이 제거되거나 무해하게 하는 리소그래피 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 리소그래피 장치는 금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 갖는 대상물(object)을 더 포함하며, 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 방사선 빔에 의해 가로질러진(traversed) 영역 외부에 실질적으로 배치된다. 또한, 금속-증기 기반 EUV 방사선 소스를 포함하는 이러한 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 장치 내의 금속 오염물들을 결합하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 상기 리소그래피 장치에서의 대상물의 사용을 포함하며, 상기 대상물은 금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 갖고, 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 방사선 빔에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치된다. 또한, 상기 리소그래피 장치가 금속-증기 기반 EUV 방사선 소스를 포함하는 이러한 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 장치 내의 광학 요소를 세정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 상기 리소그래피 장치에서의 대상물의 사용을 포함하며, 상기 대상물은 금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 갖고, 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 방사선 빔에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치되며, 상기 광학 요소는 제 2 표면을 갖고, 상기 제 2 표면은 금속 침착으로부터 세정되어야 하며, 상기 방법은 수소 함유 가스, 수소 라디칼 함유 가스, 및 할로겐 함유 가스의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 상기 광학 요소의 상기 제 2 표면에 제공하는 단계를 더 포함한다. 또한, 상기 리소그래피 장치가 금속-증기 기반 EUV 방사선 소스를 포함하는 이러한 방법이 제공된다.
또 다른 실시예에서, 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스에 의해 생성된 방사선 빔의 경로 내에 배치되지 않는다.
또 다른 실시예에서, 제 1 표면은 금속-증기 기반 EUV 방사선 소스로부터 금속 오염물들을 보유하도록 구성될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 제 1 표면은 금속 표면을 포함하고, 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택된다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하는 도면;
도 2는 도 1에 따른 리소그래피 장치의 EUV 조명 시스템 및 투영 광학기의 측면도;
도 3은 금속을 보유하는 표면을 갖는 대상물을 갖는 리소그래피 장치의 일 실시예를 도시하는 도면;
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예들을 도시하는 도면;
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 공정들의 실시예들을 도시하는 도면; 및
도 6은 실험에 사용된 셋업(setup)을 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(1)는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된다. 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된다. 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)은 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지체는 패터닝 디바이스를 지지, 예를 들어 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이 상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 예를 들어 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시 스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short- stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. 스캐너와는 대조적으로, 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그것들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동 적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
본 발명에 따른 일 실시예에서, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성되는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시 스템; 및 본 발명에 따른 제 1 표면을 갖는 대상물을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치는 EUV 리소그래피용 EUV 방사선 빔을 생성하도록 구성된 EUV 소스를 포함한다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 시스템에 배치된다(이하 참조). 조명 시스템은 EUV 소스의 EUV 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장(λ)을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장, 예를 들어 13.5 nm의 파장을 갖는) 극자외(EUV 또는 소프트 x-레이)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 일반적으로, 약 780 내지 3000 nm(또는 그보다 큰) 사이의 파장을 갖는 방사선은 IR 방사선으로 간주된다. UV는 약 100 내지 400 nm의 파장을 갖는 방사선을 칭한다. 리소그래피 내에서, 이는 통상적으로 수은 방전 램프에 의해 생성될 수 있는 파장들: G-라인 436 nm; H-라인 405 nm; 및/또는 I-라인 365 nm에도 적용된다. VUV는 진공(Vacuum) UV(즉, 공기에 의해 흡수되는 UV)이며, 약 100 내지 200 nm의 파장들을 칭한다. DUV는 딥(Deep) UV이며, 리소그래피에서 126 nm 내지 248 nm와 같은 엑시머 레이저에 의해 생성된 파장들에 대해 통상적으로 사용된다. 예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖 는 방사선은, 그 전체 또는 일부분이 5 내지 20 nm 범위 내에 있는 소정 파장 대역을 갖는 방사선을 칭하는 것임을 이해할 것이다.
"할로겐 함유 가스" 또는 "수소 함유 가스"는, 각각 1 이상의 할로겐 가스 또는 수소 가스를 포함하는 가스들 또는 가스 혼합물들을 칭한다. "할로겐 함유 가스"라는 용어 중 "할로겐"이라는 용어는 원자(라디칼)로서, 또는 화합물로서, 예를 들어 F2, Cl2, Br2, I2, HF, HCl, HBr, HI, 할로겐간 화합물(interhalogen compound), 예를 들어 ClF3, 또는 약 50 내지 500 °사이의 온도에서 기상(gas phase)이 될 수 있는 F, Cl, Br 및 I로부터 선택된 1 이상을 포함하는 다른 화합물들로서, F, Cl, Br 및 I의 선택된 1 이상을 칭한다. 일 실시예에서는, F2, Cl2, Br2, I2 중 1 이상, 특히 I2이 사용될 수 있다.
"수소" 및 "수소 라디칼"이라는 용어는 그 동위원소(isotope) 뿐만 아니라, 특히 중수소(deuterium)를 포함한다. 따라서, "수소 함유 가스"라는 용어는 H2 또는 그 중수소 또는 삼중수소(tritium) 유사체(analogue)들을 포함하는 가스를 칭한다. 일 실시예에서, 수소 함유 가스는 H2, HD, D2, HT, DT, T2의 그룹으로부터 선택된 1 이상을 포함한다. 따라서, "수소 함유 가스"라는 용어는 H2, D2, T2, HD, HT 및 DT 함유 가스의 그룹으로부터 선택된 가스를 칭한다. 할로겐 함유 가스 또는 수소 함유 가스는 Ar 등과 같은 버퍼 가스(buffer gas)들과 같은 추가 성분들을 더 포함할 수도 있다. "수소 라디칼들의 유동"은 가스 유동을 칭하며, 상기 가스 내에는 수소 라디칼들도 존재한다. 통상적으로, 모든 수소가 라디칼로 전환될 수 있는 것이 아니기 때문에, 그리고 라디칼 재결합(radical recombination)으로 인해, 이러한 가스는 (H2, HD, D2, HT, DT, T2 중 1 이상과 같은) 수소 분자들을 포함할 것이다. "수소 라디칼 함유 가스"라는 용어는 수소 라디칼, 또는 그 중수소 또는 삼중수소 유사체를 포함한 가스를 칭한다. 또한, 이러한 가스는 수소 라디칼로부터 해리되지 않았거나 재결합된, H2 등과 같은 다른 성분들을 더 포함할 수도 있다. "수소 함유 가스 소스"라는 용어는 가스가 적어도 분자 수소(및/또는 그 유사체, 상기 참조)를 함유하는 가스의 1 이상의 소스들을 칭한다. "수소 라디칼 소스"라는 용어는 수소 라디칼 함유 가스가 제공되도록, (수소 함유 가스의) 수소 가스의 전체 또는 일부분을 수소 라디칼들로 전환시키는 디바이스를 칭한다. 본 명세서에서, "수소 함유 가스의 전체 또는 일부분을 수소 라디칼 함유 가스로 전환시킨다"는 말은, (수소 함유 가스 소스로부터의) 수소 함유 가스의 수소 분자들의 총 양의 전체 또는 일부분이 수소 라디칼들로 전환됨에 따라, 수소 라디칼 함유 가스를 형성하는 공정을 칭한다.
"세정 장치" 및 "세정 방법"이라는 용어는 세정 공정에 사용될 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다. 아래에 언급되는 바와 같이, 수소 라디칼을 제공하는 단계는 Sn 산화물들과 같은 산화물들의 환원(reduction)에 사용될 수 있으며, 다음 공정에서 (예를 들어, I2와 같은) 할로겐들이 할로겐화물의 형성에 의해 Sn(또는 Mn, Zn)과 같은 금속을 제거할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 "세정"은 바람직 하지 않은 침착의 완전한 또는 부분적인 제거를 의미할 수 있지만, (실질적으로 침착을 제거하지 않는) 환원과 같은 세정 공정의 일부분을 의미할 수도 있다. 그러므로, "세정"이라는 용어는 세정 공정의 세정 과정 중에 가스로 처리하는 (처리) 단계도 포함한다. 또한, 일 실시예에서는 수소 라디칼들이 [Sn-수소화물(또는 Mn 또는 Zn 수소화물)의 형성에 의해] 침착을 제거하는데 사용될 수 있다. 또한, 세정 공정은 (CH4와 같은 휘발성 탄화수소들의 형성에 의해) 전체적으로 또는 부분적으로 C(탄소) 침착을 제거하는데 사용될 수 있다. 또한, "세정되어야 할"이라는 말은 "부분적으로 세정되어야 할"이라는 것을 뜻한다.
또한, "광학 요소", "세정되어야 할 표면"이라는 용어는 각각 복수의 "광학 요소들" 및 "세정되어야 할 표면들"을 칭한다.
도 2는 방사선 시스템(42), 조명 광학 유닛(44) 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 투영 장치(1)를 더 상세히 도시한다. 방사선 시스템(42)은 방전 플라즈마에 의해 형성될 수 있는 방사선 소스(SO)를 포함한다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출시키기 위해 매우 뜨거운 플라즈마(very hot plasma)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 매우 뜨거운 플라즈마는, 예를 들어 전기 방전에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 이온화된 플라즈마를 유도함으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 요구될 수 있다. 방사선 소 스(SO)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 47) 내의 개구부 내에 또는 그 뒤에 위치된 가스 배리어 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 49)을 통해 소스 챔버(47)로부터 컬렉터 챔버(48)로 통과된다. 오염물 트랩(49)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(49)은 가스 배리어, 또는 가스 배리어와 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, EUV 소스로서 Sn 소스가 적용된다.
컬렉터 챔버(48)는 일 실시예에서 그레이징 입사 컬렉터에 의해 형성될 수 있는 방사선 컬렉터(50: 컬렉터 거울 또는 컬렉터라고도 함)를 포함한다. 방사선 컬렉터(50)는 소스(SO)의 이미지 또는 소스(SO)의 부근 내에 배치될 수 있다. 컬렉터(50)에 의해 통과된 방사선은, 컬렉터 챔버(48) 내의 어퍼처(aperture)에서 가상 소스 지점(virtual source point: 52)에 포커스될 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 51)로 반사될 수 있다. 컬렉터 챔버(48)로부터, 방사선 빔(56)은 조명 광학 유닛(44) 내에서 수직 입사 반사기들(53 및 54)을 통해 레티클 또는 마스크 테이블(MT) 상에 위치된 레티클 또는 마스크 상으로 반사된다. 투영 시스템(PS)에서 반사 요소들(58 및 59)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT) 상에 이미징되는 패터닝된 빔(57)이 형성된다. 일반적으로, 조명 광학 유닛(44) 및 투영 시스템(PS) 내에는 도시된 것보다 더 많은 요소들이 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(51)는 리소그래피 장치의 형태에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 나아가, 도면들에 도시된 것보다 더 많은 거울들이 존재할 수 있으며, 예를 들어 58 및 59보다 1 내지 4 개 더 많은 반사 요소가 존재할 수 있다. 방사선 컬 렉터들(50)은 종래 기술에 잘 알려져 있다.
일 실시예에서, 방사선 컬렉터(50)는 그레이징 입사 컬렉터일 수 있다. 방사선 컬렉터(50)는 상류 방사선 컬렉터 측(upstream radiation collector side: 50a) 및 하류 방사선 컬렉터 측(downstream radiation collector side: 50b)을 갖는다. 상기 컬렉터(50)는 광학 축선(O)을 따라 정렬된다. 광학 축선(O) 상에 소스(SO) 또는 그 이미지가 위치된다. 방사선 컬렉터(50)는 (수 개의 볼터-형(Wolter-type) 반사기들을 포함하는 볼터-형 반사기로도 알려진) 반사기들(142, 143 및 146)을 포함할 수 있다. 이들은 때때로 쉘(shell)이라고도 칭해진다. 이들 반사기들(142, 143 및 146)은 네스트(nest)될 수 있으며, 광학 축선(O)을 중심으로 회전 대칭(rotationally symmetric)이다. 도 2에서, 내측 반사기는 도면번호(142)로 표시되고, 중간 반사기는 도면번호(143)로 표시되며, 외측 반사기는 도면번호(146)로 표시된다. 방사선 컬렉터(50)는 소정 부피, 즉 외측 반사기(들)(146) 내의 부피를 둘러싼다. 통상적으로, 외측 반사기(들)(146) 내의 이 부피는 원주방향으로(circumferentially) 패쇄되지만, 작은 개구부들이 존재할 수 있다. 모든 반사기(142, 143 및 146)는 전체 또는 일부분이 반사 층 또는 다수의 반사 층들을 포함하는 표면들을 포함한다. 따라서, 반사기들(142, 143 및 146)[더 많은 반사기들이 존재할 수 있으며, 3 개 이상의 반사기들 또는 쉘들을 갖는 방사선 컬렉터들(컬렉터 거울들이라고도 함)(50)의 실시예들이 본 명세서에 포함됨]은 전체적으로 또는 부분적으로 소스(SO)로부터 EUV 방사선을 반사하고 수집하도록 설계되며, 반사기의 전체 또는 일부분은 EUV 방사선을 반사하고 수집하도록 설계되지 않을 수 있다. 예를 들어, 반사기들의 후방면의 전체 또는 일부분이 EUV 방사선을 반사하고 수집하도록 설계되지 않을 수 있다. 또한, 그 뒷 부분(latter part)은 후방면이라고 언급될 수 있다. 추가적으로, 이들 반사 층들의 표면 상에는, 보호를 위해, 또는 반사 층들 표면의 전체 또는 일부분 상에 제공된 광학 필터로서, 캡 층(cap layer)이 존재할 수 있다. 도면번호(180)는 2 개의 반사기들, 예를 들어 반사기들(142 및 143) 사이의 공간을 나타낸다. 각각의 반사기(142, 143, 146)는 2 이상의 인접한 반사 표면들을 포함할 수 있으며, 소스(SO)로부터 더 먼 상기 반사 표면들은 소스(SO)에 더 가까운 반사 표면보다 광학 축선(O)에 대해 더 작은 각도로 배치된다. 이러한 방식으로, 그레이징 입사 컬렉터(50)는 광학 축선(O)을 따라 전파되는 (E)UV 방사선 빔을 생성하도록 구성된다. 2 이상의 반사기들이 실질적으로 동축으로(coaxially) 배치될 수 있으며, 광학 축선(O)을 중심으로 실질적으로 회전 대칭으로 연장된다. 방사선 컬렉터(50)는 외측 반사기(146)의 외부 표면 상에 추가 피처(feature)들 또는 외측 반사기(146) 주위에 추가 피처들, 예를 들어 보호 홀더(protective holder), 히터 등을 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
또한, 컬렉터 거울(50)로서 그레이징 입사 거울 대신에, 수직 입사 컬렉터가 적용될 수 있다. 본 명세서에서, 도 2 내지 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같은, 또한 일 실시예에서 반사기들(142, 143 및 146)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 더 자세히 설명된 바와 같은 컬렉터 거울(50)은 본 명세서에서 컬렉터의 일례로서 사용된다. 따라서, 적용가능하다면, 그레이징 입사 컬렉터로서 컬렉터 거울(50)은 개괄적으로 컬렉터로서 이해될 수 있으며, 또 다른 실시예에서 는 수직 입사 컬렉터로서 이해될 수 있다.
또한, 도 2에 개략적으로 도시된 바와 같이, 격자(51) 대신에, 투과 광학 필터가 적용될 수 있다. EUV에 대해 투과적인 그리고 덜 투과적인, 또는 UV 방사선을 실질적으로 흡수하는 광학 필터들이 종래 기술에 알려져 있다. 따라서, 본 명세서에서 "격자 스펙트럼 퓨리티 필터(grating spectral purity filter)"는 격자들 또는 투과 필터들을 포함하는 "스펙트럼 퓨리티 필터"로도 언급된다. 도 2에 도시되지 않았지만, 선택 광학 요소로서, 예를 들어 컬렉터 거울(50)의 상류에 배치된 EUV 투과 광학 필터들, 또는 조명 유닛(44) 및/또는 투영 시스템(PS) 내의 광학 EUV 투과 필터들이 포함될 수 있다.
이후, 본 발명은 금속 오염의 일 예시로서 특히 Sn에 대해 설명된다. 따라서, 금속 오염은 흔히 "Sn 침착" 또는 "Sn 오염"이라고도 칭해진다. 하지만, 예를 들어 EUV 리소그래피용 EUV 방사선을 생성하기 위해 다른 금속-증기 소스들이 적용될 수 있으며, 이는 다른 금속 오염물들을 생성할 수 있으므로, 침착을 유도한다. 금속 오염물들을 생성하는 소스(SO)로서 금속 소스들 이외에도, 금속 오염물들은 솔더(solder), 필라멘트, 지지체 등과 같은 다른 소스들(비-광학 소스들)에서도 발생할 수 있다. 따라서, "Sn 침착" 또는 "Sn 오염"이라는 용어는 특히 Sn 침착들 및 오염물들을 칭하지만, 다른 금속 침착들 및 오염물들을 포괄할 수도 있다. 또한, "Sn 오염"(또한, 침착)이라는 용어는 금속성 Sn 침착을 칭한다. 하지만, 산소의 존재(및 그 흔적들)로 인해, Sn 오염은 Sn 산화물들로 산화될 수 있다. 또한, Sn 산화물들 또는 수산화물들은 "Sn 오염" 및 "Sn 침착"이라는 용어 내에 포함된 다. 또한, Sn 할로겐산화물(oxyhalide)들이 포함된다. 마찬가지로, 이는 Mn 및 Zn과 같은 다른 금속들에도 적용된다. 따라서, 또 다른 실시예에서, 금속 오염물들은 금속들, 금속 산화물들, 금속 수산화물들, 금속 수소화물들, 금속 할로겐화물들, 및 Sn, Mn 및 Zn의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 원소들의 금속 할로겐산화물들의 그룹으로부터 선택된다. Sn은 (Sn 기반일 때) 소스(SO)로 인해, 또는 솔더와 같은 다른 소스들로부터, 리소그래피 장치(1)에 들어갈 수 있다. 본 명세서에서, 수소화물(이 예시에서는 SnH4)의 형성은 거울 쪽으로의 원치않는 금속 이동을 초래한다. 마찬가지로, Mn(망간) 및 Zn(아연)이 리소그래피 툴 내의 부분들의 국부적인 가열로 인해 리소그래피 장치(1)에 들어갈 수 있다. 제 3 메커니즘은 세정 작업 동안의 금속 산화물들의 환원이다. 세정 중에 생성된 원자 수소는 금속 산화물을 환원시키고, 결과적인 금속은 산화된 금속의 증기 압력에 비해 상승된 금속 증기 압력으로 인해 금속 소스처럼 행동한다.
나아가, 오염물들은, 예를 들어 Li 소스로부터의 Li 오염물들일 수 있다. Sn, Mn 및 Zn의 수소화물들 및 할로겐화물들은 게터 상에 침착될 것이다.
"침착"이라는 용어는 표면에 보유된(결합된) 오염물들을 칭한다. 금속 오염물들은 가스들로서 또는 입자들로서 리소그래피 장치 내에 존재할 수 있다. 표면과 접촉하고 (예를 들어, 이온, 금속 또는 반데르발스(vander Waals) 결합들을 통해) 이러한 표면에 결합될 때, 금속 오염은 침착을 형성할 수 있다. 이러한 침착은 오염물들의 1 이상의 층, 아일랜드(island) 또는 (다른) 국부적인 축적부들을 포함할 수 있다. 침착은 침착 이전에 가스 또는 입자 이외의 또 다른 성질을 가질 수 있다. 예를 들어, Sn 수소화물은 금속 Sn 침착(재침착 포함), 또는 Sn-산화물 침착(재침착 포함)을 형성할 수 있다.
도 2에 도시된 모든 광학 요소들(및 이 실시예의 개략적인 도면에 도시되지 않은 광학 요소들)은 오염물들이 침착되기 쉽다. 특히, 예를 들어 금속 증기 소스들, 금속들, 금속 입자들 또는 소스(SO)에 의해 생성된 금속 화합물들을 이용할 때, Sn 소스의 Sn은 광학 요소들 상에 침착될 수 있다. 이는 방사선 컬렉터(50)와, 존재한다면, 스펙트럼 퓨리티 필터(51)에 대한 경우이나, 수직 입사 반사기들(53, 54) 및 반사 요소들(58, 59), 또는 다른 광학 요소들, 예를 들어 추가 거울들, 격자들, (투명한) 광학 필터들 등에 대한 경우에도 해당된다. 상이한 광학 요소들은, 예를 들어 Sn(또는 다른 금속들) 및/또는 C 침착으로부터 전체적으로 또는 부분적으로 세정될 수 있어야 하며, 또는 게터를 이용하여 오염물들의 침착에 대해 보호될 수 있어야 한다. 일 실시예에서, 광학 요소는 컬렉터 거울(50), 방사선 시스템(42: 소스 컬렉터 모듈이라고도 알려짐), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS: 투영 광학 박스(POB)라고도 알려짐)의 그룹으로부터 선택된다. 일 실시예에서, 상기 요소는 스펙트럼 퓨리티 필터(51)일 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 요소는 마스크, 특히 반사 다층 마스크일 수도 있다. 따라서, 일 실시예에서, 상기 광학 요소는, 컬렉터 거울(50)(수직 입사 컬렉터 또는 그레이징 입사 거울임), 스펙트럼 퓨리티 필터(51)(격자 또는 투과 필터), 방사선 시스템 (광학) 센서들(도시되지 않음)과 같은 방사선 시스템(42)에 포함된 광학 요소들, 거울들(53 및 54)(또는, 존재한다면, 다른 거울들) 및 조명 시스템 (광학) 센서들(도시되지 않음)과 같은 조명 시스템(44) 내에 포함된 광학 요소들, 거울들(58 및 59)(또는, 존재한다면, 다른 거울들) 및 투영 시스템 (광학) 센서들(도시되지 않음)과 같은 투영 시스템(PS) 내에 포함된 광학 요소들의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 또 다른 실시예에서, "광학 요소"라는 용어는 오염물 배리어(49)를 또한 포함한다. 따라서, "광학 요소"라는 용어는 격자 스펙트럼 필터, 투과 광학 필터, 다층 거울들, 다층 거울들 상의 코팅 필터들, 그레이징 입사 거울들, (다층 컬렉터와 같은) 수직 입사 거울들, 그레이징 입사 거울들, 수직 입사 컬렉터들, (EUV 감응 센서들과 같은) (광학) 센서들, 오염물 배리어(49), 및 마스크의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 요소들을 칭한다.
또한, 광학 요소들뿐만 아니라, 벽들, 홀더들, 지지 시스템들, 가스 록(gas lock)들, 오염물 배리어(49) 등도 Sn 등에 의해 오염될 수 있다. 이 침착은 광학 요소들의 광학 특성들에 직접적인 영향을 수는 것은 아니지만, 재침착으로 인해 영향을 줄 수 있으며, 이 침착은 광학 요소들 상에 침착(즉, 재침착)될 수 있음에 따라, 광학 특성들에 영향을 준다. 따라서, 광학 요소들 상에 침착되지 않은 침착도, 재침착으로 인해, 다음 스테이지에서 광학 요소들의 표면들의 오염을 유발할 수 있다. 이는 반사, 투과, 균일성 등과 같은 광학 특성의 저하를 초래할 수 있다.
따라서, 또 다른 실시예에서, 게터들은 리소그래피 장치(1) 내에 배치된다. 비-제한적인 실시예 및 그 변형들은 도 3에 개략적으로 도시된다. 도 3은 방사선 시스템(42)의 일부분을 개략적으로 도시한다. 이 모듈 내에, 대상물(301)들이 배치된다. 이들은 어느 곳에도 배치될 수 있지만, 특히 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스(S)에 의해 생성된 방사선 빔(B)의 경로가 아닌 곳에 배치된다. 대상물(들)(301)은 이동가능할 수 있다(이하 참조).
대상물들(301)은, 예를 들어 금속 증기 기반 소스(SO) 및/또는 리소그래피 장치(1) 내의 다른 금속 소스들로부터 금속을 보유하도록 구성된 제 1 표면으로 나타낸 표면(302)을 포함한다(즉, 대상물들(301)은 게터들, 특히 화학 게터들이다). 이러한 표면은 실질적으로 평탄할 수 있고, 곡선으로 되어 있을 수 있으며, 유효 표면 등을 증가시키기 위해 마이크로-스케일로 거칠게 되어 있을 수 있다. 대상물(301)은, 예를 들어 플레이트일 수 있다. 일 실시예에서는, 약 1 내지 1000 ㎠, 특히 5 내지 500 ㎠의 외부 표면적(302)을 갖는 플레이트가 사용된다.
또 다른 실시예에서, 표면(301)은 표면(301)의 표면적을 증가시키는 메시(mesh), 스폰지 또는 다른 거칠기를 포함함에 따라, 금속 분자들을 보유할 수 있는 능력을 향상시킨다. 또 다른 실시예에서, 표면(301)은 (예를 들어, 에칭 공정에 의해 얻을 수 있는) 나노 다공(nano pore)들, (예를 들어, 침착 또는 스퍼터링 공정에 의해 얻을 수 있는) 나노 입자들과 같은 나노 구조체들을 포함한다.
또 다른 실시예에서, 제 1 표면(302)은 광학 요소의 표면 층이 아니다. 앞서 언급된 바와 같이, 제 1 표면(302)은 일 실시예에서 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치된다. 특히, 표면(302)과 빔(B) 간의 최단 거리는 약 0.1 mm 내지 100 cm 사이이다. 또 다른 실시예에서, 표면(302)과 빔(B) 간의 최단 거리는 약 0.5 내지 10 cm 사이이다.
또 다른 실시예에서, 제 1 표면(302)은 금속 표면을 포함하고, 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택된다. 이들 표면들, 즉 이들 금속들의 표면들은 Sn 모을 수(보유할 수) 있을 것이다. 따라서, 대상물들(301)을 제공함으로써, Sn은 표면(302)에 의해 보유될 수 있다. 표면(302)은 게터로서 기능한다. 또 다른 실시예에서, 상기 표면은 Pt를 포함한다. 또 다른 특정 실시예에서, 상기 표면은 Ru를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 표면(302)은 금속 표면을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 표면(302)은 금속 산화물을 포함한다. 따라서, 일 실시예에서 "금속 표면"이라는 용어는 금속 산화물 표면도 포함한다.
본 명세서에 설명된 실시예들에서, 제 1 표면(302), 및 또 다른 실시예에서는 전체 대상물(301)은 (리소그래피 공정 동안에) 이미지의 형성에 기여하는 방사선 경로의 실질적으로(또는 완전히) 외부에 배치된다. 게터 표면(302)이, 예를 들어 반사 표면의 에지에서 약간의 방사선을 수용하는 일이 발생하는 경우, 이미지의 형성이 실질적으로 영향을 받지 않는다면, 심각한 문제가 되지 않을 수 있다. 또 다른 예를 들자면, 방사선이 상기 시스템의 잔여부를 통해 진행하는 것을 막는 영역 상의 게터 표면에는 어퍼처가 구성될 수도 있다. 이러한 실시예에서, 표면(302)은 전체적으로 또는 부분적으로 방사선 빔 내에 존재하지만, 다음 광학 구성요소에 도달하는 방사선 빔의 일부분 내에는 존재하지 않는다. 따라서, 이미지 의 형성에 기여한 방사선 경로의 일부분은 표면(302)에 의해 방해받지 않는다. 그러므로, "리소그래피 공정 동안에 방사선 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치된"이라는 말은 표면(302)의 배치를 일컬으며, 표면(302)(및 특히 전체 대상물(301))은 웨이퍼(W) 상의 이미지의 형성을 방해하지 않으면서 리소그래피 장치 내에 배치된다. 하지만, 또 다른 실시예에서, 제 1 표면(302)은 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스에 의해 생성된 방사선 빔의 경로 내에 배치되지 않으며, 부연하면 이는 소스(S0)로부터, 또한 방사선 빔(B)의 측면들로부터도 방사선을 실질적으로 수용하지 않는다.
또한, 수소 또는 수소 라디칼들(이하 참조) 또는 둘 모두의 존재는 표면(302) 상에 Sn(또는 다른 금속들)의 침착을 촉진시키며, 이에 따라 그 게터 기능도 촉진시킬 것이다. 따라서, 또 다른 실시예에서, 수소 함유 가스 또는 수소 라디칼 함유 가스는 대상물(301)(즉, 표면(302))이 배치된 모듈에 적용된다. 리소그래피 장치(1) 내의, 또는 대상물(301)이 배치된 모듈 내의 가스는 실온에서 유지될 수 있으며, 대상물의 표면(302) 또한 실온에서 유지될 수 있다. 또한, 예를 들어 약 250 ℃로 표면(302)을 가열하는 상승된 온도들이 수행될 수 있다. 하지만, 실온에서도, 표면(302)은 게터 기능을 가지며, Sn 등을 수집할 것이다. 앞서 언급된 금속들과 다른 표면들이 사용될 때, 게터 기능은 일반적으로 더 약해지거나 심지어는 사라질 것이다. 예를 들어, Si 표면을 사용할 때, Sn의 침착은 자리수(order of magnitude) 이상으로 더 적어진다.
또 다른 실시예에서, 대상물(301)을 포함하는 모듈은 약 10-7 내지 500 mbar 사이, 특히 약 10-2 내지 1 mbar의 압력에서 유지된다.
또 다른 실시예에서, 모듈 내의 수소(부연하면, 상기에 언급된 유사체들을 포함)의 분압(partial pressure)은 약 0.01 내지 500 mbar 사이, 더 바람직하게는 약 10 내지 300 mbar 사이이다. 총 가스 압력은 일 실시예에서 약 500 mbar이거나 그보다 낮고, 더 바람직하게는 약 300이거나 그보다 낮으며, 더욱 더 바람직하게는 약 200 mbar이거나 그보다 낮다(부연하면, 수소 가스를 포함한다).
또 다른 실시예에서, 광학 요소는 컬렉터 거울(50)을 포함하고, 모듈(42) 내의 수소의 분압은 약 0.01 내지 500 mbar 사이, 더 바람직하게는 약 10 내지 300 mbar 사이이다. 총 가스 압력은 일 실시예에서 약 500 mbar이거나 그보다 낮고, 더 바람직하게는 약 300이거나 그보다 낮으며, 더욱 더 바람직하게는 약 200 mbar이거나 그보다 낮다(부연하면, 수소 가스를 포함한다). 컬렉터 거울(50)이 "볼터 컬렉터(Wolter collect)"로서 앞서 설명된 바와 같은, 그리고 도 2 및 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같은 컬렉터 거울을 포함하는 경우, 이러한 조건들은 특히 유용하다.
또 다른 실시예에서, 광학 요소(201)는 조명 유닛(IL) 또는 투영 시스템(PS) 내에 포함된 광학 요소를 포함한다. 상기 모듈(IL 또는 PS) 내의 수소의 분압은 약 0.01 내지 100 mbar 사이, 더 바람직하게는 약 0.01 내지 1 mbar 사이일 수 있다. 총 가스 압력은 일 실시예에서 약 100 mbar이거나 그보다 낮으며, 더 바람직 하게는 약 1이거나 그보다 낮다(부연하면, 수소 가스를 포함한다). 마찬가지로, 마스크를 포함하는 리소그래피 장치(1)의 일부분은 이러한 압력들에서 유지될 수 있다.
도 4a를 참조하면, 수소 라디칼들은 유동 또는 확산으로 인해 존재한다. 수소의 존재는, 예를 들어 수소를 이용할 수 있고 신중하게(deliberately) 추가될 수 있는 가스 록들의 존재 때문일 수 있다. 수소 라디칼들은 다수의 수단들의 도움으로 생성될 수 있다(이하 참조). 수소 라디칼 함유 가스는 도면번호(96)로 표시된다. 광학 요소(201)는 표면(202) 상에 바람직하지 않은 침착(203)을 가질 수 있다. 광학 요소(201)는 침착(또는 재침착)을 겪을 수 있는 여하한의 표면, 예를 들어 렌즈들, 거울들, 센서들 등과 같은 광학 요소들의 표면들일 수 있다. (또한, 상기를 참조한다.) 광학 요소(201)는 컬렉터 거울(50) 및 스펙트럼 퓨리티 필터(51)를 칭할 수도 있다. 대상물(301)은 표면(202)에 인접하여 배치될 수 있다. 수소 라디칼들(96)의 존재로 인해, 침착은 주석 수소화물들, 아연 수소화물들 등과 같은 휘발성 수소화물들을 형성한다. 이 휘발성 수소화물들은 멀리 확산되거나, 수소 라디칼 함유 가스(96)의 유동의 존재에 의해 멀리 이동된다. 상기 수소화물들은 표면(302) 상에 우선적으로(preferentially) 침착(즉, 재침착)될 것이다. 따라서, 이러한 방식으로, 표면(302)으로부터 세정하는 것이 개선될 수 있으며, 및/또는 대상물(301)의 표면(302)에 의한 게터링(즉, 바람직하지 않은 오염물들을 보유)이 게선된다. 따라서, 이러한 방식으로, 표면(202) 상의 (재)침착이 감소될 수 있다: 다른 곳으로부터의 오염물들도 표면(302) 상에 (재)침착된다. 예를 들어, 소 스(SO)로부터의 Sn(Sn 기반인 경우)은 Sn 입자들로서, 또는 (수소 라디칼(96) 및 Sn의 존재로 인해 형성된) Sn 수소화물들로서 표면(302) 상에 침착될 수 있다. 수소화물들이 표면(302)과 접촉하게 될 때, Sn 또는 Sn 화합물들이 침착(결합)되며, 상기 모듈 내의 (광학) 요소 상의 오염물들 또는 침착과의 반응에 사용될 수 있는 수소 라디칼들이 형성될 수 있다. 표면(302)은 화학 게터의 일 종류로서 기능한다. 일 실시예에서, 이는 세정 장치(의 일부분)로서 기능할 수도 있다.
도 4b에서는 (광학) 요소(201)를 갖지만, 이동가능한(선택적인 특징) 대상물(301)을 갖는 또 다른 실시예가 도시된다. 상기 대상물(301)은, 예를 들어 여하한의 종래의 기구에 의해 이동될 수 있다. 도 4b에는, 대상물(301)이 이동가능한 아암(360)에 의해 이동가능한 일 실시예가 도시된다. 이동가능한 대상물(301)을 이용함으로써, 대상물(301)은 리소그래피 공정 동안에 방사선 빔(B)의 경로 외부에 배치될 수 있지만, 세정 공정 동안에 (광학) 요소(201)에 인접하여 배치될 수도 있다(또한, 이하 참조). 본 명세서에서 "인접한"이라는 용어는 일 실시예에서 제 2 표면(302)과 제 1 표면(202) 간의 최단 거리가 약 0.1 mm 내지 20 cm 사이, 더 바람직하게는 약 0.5 내지 10 cm 사이임을 나타낼 수 있다.
도 4b의 구성은 수소 소스(700)를 더 포함한다. 수소 소스(700)는 "추가" 소스일 수 있으나, 가스 록, 예를 들어 방사선 모듈(42)과 조명 모듈(IL) 사이의 가스 록과 같은 "내재된(natural)" 소스일 수도 있다. 일 실시예에서, 소스(700)는 수소 라디칼 소스(103)로 인도되는 수소 함유 가스(100)의 소스이다. 수소 함유 가스 소스(700)로부터의 수소 함유 가스(100)를 수소 라디칼 소스(103)에 공급 하도록 배치된 튜브(104)를 통해 가스(100)가 공급될 수 있다. 수소 라디칼들은 H2를 수소 라디칼들로 전환시키는 촉매, 및 핫(hot) 필라멘트, (예를 들어, RF 생성된) 플라즈마, 방사선(특히, UV 방사선)의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 라디칼 형성 수단에 의해 H2 함유 가스(100)로부터의 H2로부터 수소 라디칼 소스(103)에 의해 생성될 수 있다. 따라서, 수소 라디칼 소스(103)는 (필라멘트의 온도를 제어하도록 구성된 디바이스를 포함하는) 가열될 수 있는 필라멘트, 플라즈마 생성기, 방사선 소스(즉, 소스(SO)가 아니며, 또한 촉매)의 그룹으로부터 선택된 1 이상을 포함한다. 수소 라디칼 소스(103)의 실시예들은 미국 특허 출원 공보 2006/0072084 A1에 개시되어 있으며, 본 명세서에서 인용 참조 되고 있다. 또 다른 실시예에서, 수소 라디칼 소스(103)는 수소의 해리에 대해 촉매적으로 활성화되는(catalytically active) 촉매 표면을 포함한다. 이 촉매적으로 활성화된 표면은 또 다른 실시예에서 튜브(104)의 전체 또는 일부분의 내부 표면일 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 수소 라디칼 소스(103)는 소스(SO)를 포함하며, 예를 들어 소스(SO)의 UV 방사선은 수소 라디칼들을 생성하는데 사용될 수 있다.
튜브(104)는 소스(700)와 기체 접촉하고, 사전설정된 위치에서, 예를 들어 표면(202)의 몇 센티미터 내에서 가스(100)를 제공하도록 배치될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 유출구(106)는 표면(202)의 전체 또는 일부분으로부터 약 10 cm 미만이다.
일 실시예에서, 튜브(104)는, 예를 들어 (도 2에서 도면번호(180)로 나타낸 바와 같은) 컬렉터 거울(50)의 2 개의 쉘들 사이의 사전설정된 위치들에 위치되도록 이동가능할 수 있다.
수소 함유 가스(100)는, 예를 들어 튜브(104) 내에 가스 유동을 유도하도록 배치된 펌프로 인해, 또는 광학 요소(201)가 배치된 부피의 압력에 대한 소스(700) 내의 과압력으로 인해, 또는 배기 펌프(400)로 인해, 표면(202)의 방향으로 전체적으로 또는 부분적으로 유동한다. 튜브(104)를 통해 유동(100)을 제공하도록 배치된 펌프, 및 광학 요소(201)가 배치된 부피로부터 가스를 배기시키도록 배치된 펌프(400)와 같은 2 이상의 조합이 사용될 수 있다. 도 4b에 개략적으로 도시된 구성에서, 표면(202)으로 유동이 제공될 수 있다. 이 유동은 초기에는 수소 함유 가스인 유동(100)을 포함한다. 나아가, 이에 추가하여, "유동"이라는 용어는 수소 가스(100)의 확산, 및 적용가능하다면, 수소 라디칼들(96)의 확산을 포함할 수 있다. 따라서, 수소 함유 가스(100)의 유동을 이용할 때, 이 유동은 표면(202)의 방향으로 지향될 수 있으나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 휘발성 반응 생성물들은 확산으로 인해 표면(202)으로부터 멀리 확산될 수 있다.
수소 라디칼 소스(103)는 수소 함유 가스(100)로부터 수소 라디칼 함유 가스(96)를 생성한다. 이 수소 라디칼 함유 가스(96)는, 예를 들어 요소(201)의 표면(202)으로 인도/유동될 수 있다. 수소 라디칼들의 존재로 인해, 표면(202) 상의 금속 오염물들 및 금속 침착(203)은 휘발성 수소화물들로 변형될 수 있다((재)침착 제거). 이는 도면번호(204)로 표시되어 있다. 상기 휘발성 수소화물들은, 예를 들어 펌프(400)를 이용함으로써 배기부(550)를 통해 배기될 수 있다. 또한, 휘발 성 오염물들은 대상물(302)의 제 1 표면(301)에 의해 게터링될 수 있으며, 이에 따라 표면(302) 상에 덜 이동적인 또는 비-이동적인 침착을 형성할 수 있다.
오염물들(203)의 전체 또는 일부분은, 예를 들어 (CH4, SnH4, 등과 같은, 또는 Sn 염화물들 또는 Sn 요오드화물들 등의 Sn-할로겐화물들과 같은 할로겐화물들과 같은) 휘발성 수소화물들로서 제거될 것이지만, (Sn 산화물들이 Sn으로 환원된 경우, 상기 참조) H2O가 형성될 수 있으며, 제거될 수 있다. 휘발성 오염물들은 배기구를 통해 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 휘발성 오염물들은 펌프(400)에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 배기된다. 펌프(400)는 개구부 또는 유입구(배기 개구부) 또는 복수의 개구부들(107) 및 배기부(550)를 포함한다. 선택적으로, 개구부(107)는 펌프(400)와 기체 접촉하는 튜브(471) 내에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 수소 라디칼들, 및 선택적으로는 할로겐들로의 처리로 인해 휘발된 오염물들(204)을 배기시키기 위해 튜브(471)가 위치될 수 있도록, 튜브(471)는 세정되어야 할 표면에 가까운 사전설정될 위치들로 이동가능할 수 있다.
수소 라디칼 함유 가스(96)의 유동은 일 실시예에서 적어도 1 m/s이다.
대안적으로, 또는 추가적으로, 또 다른 가스 소스가 존재할 수 있다. 이는 도 4b에서 도면번호(700')로 표시되어 있으며, 이는 할로겐 함유 가스(100')의 소스를 나타낸다. 할로겐들은 Sn, 휘발성 할로겐화물들과 같은 금속들로 형성될 수 있다. 이러한 방식으로, 금속은 이동될 수 있으며, 대상물(301)의 표면(302) 상에 침착될 수 있음에 따라, 표면(302) 상에 덜 이동적인 또는 비-이동적인 침착들을 형성할 수 있다.
가스는 각각 튜브들(104 및 104') 및 유출구들(106 및 106')을 통해 모듈 내에 도입될 수 있다. 하지만, 하나의 단일 튜브(104, 104'), 또는 복수의 튜브들(104, 104')이 존재할 수도 있으며, 하나의 단일 유출구(106, 106'), 또한 복수의 유출구들(106, 106')이 존재할 수도 있다.
앞서 언급된 바와 같이, 일 실시예에서 표면(302)은, 예를 들어 수소 라디칼들 및/또는 할로겐들의 존재와 조합하여 화학 게터의 일 종류로서 기능할 수 있다. 따라서, 표면(302)은 금속 오염물들을 보유하도록 배치될 수 있고, 금속 오염물들을 결합시키는 방법에서 사용될 수 있다. 하지만, 또 다른 실시예에서, 게터 기능은 세정 방법에서 사용된다. 앞서 설명된 바와 같이, 표면(302)을 갖는 대상물(301)은 광학 요소를 세정하는(처리하는) 세정 장치(의 일부분)로서 기능할 수 있다. 이후, 후자의 표면(302) 기능을 더 상세히 설명하기로 한다.
수소 라디칼들 및 할로겐들로 금속 오염물들 및 금속 침착들을 세정하고 처리하는 것은 조합되거나 교번(alternate)될 수 있다. 침착, 예를 들어 Sn을 포함하는 침착은 일 실시예에서 (가스들로서) 할로겐들, 예를 들어 F2, Cl2, Br2 및 I2에 의해 제거될 수 있고, 또 다른 실시예에서는 수소 라디칼들에 의해 제거될 수 있으며, 또 다른 실시예에서는 동시에 또는 차례로 인가된 1 이상의 할로겐들 및 수소 라디칼들의 조합들에 의해 제거될 수 있다. 소량의 산소의 존재로 인해, 예를 들어 Sn을 갖는 침착이 존재한다면, 통상적으로 약간의 Sn 산화물이 존재할 수 있을 것이다. Sn 산화물들을 제거하기 위해, 원소 Sn이 제거되기 이전에, 환원 단계가 사용될 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 세정되어야 할 표면의 세정 공정은 세정되어야 할 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하는 공정을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 세정 공정은 세정되어야 할 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하는 공정을 포함하고, 수소 라디칼 함유 가스는 (상기 언급된 바와 같이) 1 이상의 할로겐 가스들을 더 포함한다. 또 다른 실시예에서, 세정되어야 할 표면의 세정 공정은 세정되어야 할 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하는 공정, 및 후속하여 세정되어야 할 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하는 공정을 포함할 수 있으며, 수소 라디칼 함유 가스는 1 이상의 할로겐 가스들을 더 포함한다. 또 다른 실시예에서, 세정되어야 할 표면의 세정 공정은 세정되어야 할 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하는 공정, 및 후속하여 세정되어야 할 표면에 할로겐 함유 가스를 제공하는 공정을 포함할 수 있다. 이들 실시예들의 공정들은 선택적으로 세정되어야 할 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하는 공정을 포함하는 후속 공정을 더 포함할 수 있다. 이들 공정들로, Sn(또는 다른 금속들) 및/또는 C가 제거될 수 있으며, 특히 Sn의 제거에 적용될 수 있다.
따라서, 환원 또는 제거를 위한 수소 라디칼들은 컬렉터(50) 표면의 전체 또는 일부분에, 또는 일반적으로 광학 요소(201)의 세정되어야 할 표면(202)의 전체 또는 일부분에 제공되어야 한다. 이러한 표면들은, 예를 들어 Sn과 같은 침착으로 오염된 반사기들(142, 143 및 146)의 EUV 반사 표면들이다. 더욱이, 수소 라디칼들은 휘발성 탄화수소들의 형성에 의한 탄소 침착을 제거하는데 사용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 대상물(301)을 포함하는 모듈은 세정(처리) 동안에 약 10-7 내지 500 mbar 사이, 바람직하게는 10-2 내지 1 mbar 사이의 압력에서 유지된다. 또 다른 실시예에서, 상기 모듈 내의 수소(즉, 상기 언급된 유사체들을 포함)의 분압은 약 0.01 내지 500 mbar 사이, 더 바람직하게는 약 10 내지 300 mbar 사이이다(또한, 상기 참조). 총 가스 압력은 일 실시예에서 약 500 mbar이거나 그보다 낮고, 더 바람직하게는 약 300이거나 그보다 낮으며, 더욱 더 바람직하게는 약 200 mbar이거나 그보다 낮다(부연하면, 수소 가스를 포함한다). 또한, 상기 언급된 압력들은 세정/처리 동안에 인가된다. 마찬가지로, 수소 라디칼 함유 가스(96)의 유동은 일 실시예에서 적어도 1 m/s이다.
또한, 도 4b를 참조하면, 본 발명은 제 1 세정 장치(250)를 더 포함하는 리소그래피 장치(1)에 관한 것으로, 제 1 세정 장치(250)는 수소 함유 가스 소스(700) 및 수소 라디칼 소스(103), 및 선택적으로는 할로겐 함유 가스 소스(700')를 포함하고, 리소그래피 장치(1)는 제 2 표면(202)을 갖는 광학 요소(201)(또는 또 다른 요소)를 포함하며, 제 2 표면(202)은 소스(SO)로부터의 또는 다른 소스들 또는 근원들(상기 참조)로부터의 금속 침착(직접 침착 또는 재침착, 또는 침착 및 재침착으로서; 일 실시예에서 금속 산화물들을 포함)으로부터 세정되어야 하고, 세정 장치(250)는 수소 라디칼 함유 가스(96), 선택적으로는 할로겐 함유 가스(100'), 또는 수소 라디칼 함유 가스(96) 및 선택적인 할로겐 함유 가스(100)를 광학 요소(201)의 제 2 표면(202)에 제공하도록 배치되며, 제 1 표면(302)을 갖는 대상물(301)은 (상기 설명된 바와 같은) 금속 재침착을 보유하도록 더욱 구성된다.
또 다른 실시예에서, 세정 장치(250)는, 예를 들어 도 4a(및 도 4c)에 개략적으로 나타낸 바와 같이 제 1 표면(302)과 제 2 표면(202) 사이에 수소 라디칼 함유 가스(96)를 제공하도록 배치된다. 또한, 대상물(301)은 제 2 표면(202)의 방향으로 이동될 수 있고, 세정 장치(250)는 제 1 표면(302)과 제 2 표면(202) 사이에 수소 라디칼 함유 가스(96)를 제공하도록 배치될 수 있다. 표면(302)은 본 명세서에서 게터로서, Sn 수소화물들 및/또는 휘발성 Sn 할로겐화물(204) 및/또는 (작은) Sn 입자들과 같은 휘발성 수소화물들(204)을 모으는데 사용될 수 있다.
제 1 표면(302)은 게터로서 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 제 1 표면(302)은 촉매로서도 사용될 수 있다. 특히, 금속 표면(302)이 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택될 때, 수소 함유 가스(100) 내의 수소는 표면(302)에서 해리될 수 있고, 수소 라디칼들을 형성할 수 있다. 이는 대기 온도에서도 발생할 수 있다. 따라서, 도 4c에 나타낸 바와 같이, 제 2 표면(302)은 Sn과 같은 오염물들을 보유하도록 배치될 뿐만 아니라, 수소(및 선택적으로는 그 유사체들)를 해리시키도록 배치될 수도 있으며, 이에 따라 수소 라디칼 소스(103)이도록 배치될 수 있다. 여기서, 제 1 표면(302)은 촉매 표면을 포함하며, 부연하면 수소 라디칼 생성기(103)일 수도 있다.
그러므로, 또 다른 실시예에서, 세정 장치(250)는 제 1 표면(302)과 제 2 표면(202) 사이에 수소 함유 가스(100)를 제공하도록 배치된다. 또한, 대상물(201)은 제 2 표면(202)의 방향으로 이동가능할 수 있다(따라서, 리소그래피 공정 동안 에 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치된다). 또 다른 실시예에서는, Ru, Rh, Pd, Ir 및 Pt의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 금속들이 적용된다. 일 변형예에서는 Ru 및 Pt 중 1 이상이 선택된다.
또 다른 실시예에서, 도 4b 및 도 4c를 참조하여, 리소그래피 장치(1)는 제 1 세정 장치(250)를 더 포함하고, 제 1 세정 장치(250)는 할로겐 함유 가스 소스(700')를 포함하며, 리소그래피 장치(1)는 제 2 표면(202)을 갖는 광학 요소(201)를 더 포함하고, 제 2 표면(202)은 소스(SO)로부터의 또는 다른 소스들 및 근원들로부터의 금속 침착(203)으로부터 세정되어야 하며, 세정 장치(250)는 광학 요소(201)의 제 2 표면(202)에 할로겐 함유 가스(100')를 제공하도록 배치되고, 제 1 표면(302)을 갖는 대상물은 금속 재침착을 보유하도록 더욱 구성된다. 오염물들은 표면(302)에 부착되고, 금속 침착(203)은 할로겐들의 존재로 인해, (통상적으로, 금속 또는 금속 산화물인) 표면(302) 상의 재침착물로, (Sn, Zn 또는 Mn의 염화물들 또는 요오드화물들과 같은) 휘발성 할로겐화물들을 형성할 수 있다. 또한, 휘발성 할로겐화물들의 전체 또는 일부분은 배기될 수 있다(상기 참조). 세정 장치(250)는 제 1 표면(302)과 제 2 표면(202) 사이에 할로겐 함유 가스(100')를 제공하도록 배치될 수 있으며, 앞서 설명된 바와 같이, 표면(302)이 표면(202)의 방향으로 이동될 수 있도록, 대상물(301)이 이동가능할 수 있다. 이러한 방식으로, 표면(202)의 휘발된 침착(203)의 표면(302) 상의 (재)침착이 증가될 수 있으므로, 침착(203)의 감소 또는 제거를 유도할 수 있다. 휘발된 침착은 도면번호(204)로 표시된다.
또 다른 실시예가 도 4d에 도시된다. 도 4d는 코팅(205)을 갖는 광학 요소(201), 특히 거울 또는 격자를 개략적으로 도시한다. 상기 코팅은 일 실시예에서 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터 1 이상의 금속들을 포함할 수 있다. 이러한 코팅은 캡핑 층(capping layer)으로서, 스펙트럼 퓨리티 층 등으로서 사용될 수 있다. 광학 요소(201)는 리소그래피 장치(1) 내에서 빔(B)에 의해 부분적으로 조사되도록 배치된다. 예를 들어, 광학 요소(201)는 컬렉터 거울(50) 또는 스펙트럼 퓨리티 필터(51) 등일 수 있으며, 상기 광학 요소는 코팅(205)에 의해 코팅된다. 상기 표면의 일부분은 빔(B)에 의해 조사된다. 또한, 이는 일반적으로, 소스(SO)로부터 직접 방위 잡힌, 실질적인 양의 금속 침착(203)이 발견된 부분일 것이다(이는 특히 광학 요소(201)로서 컬렉터 거울(50)에 적용된다). 광학 요소(201)의 표면(202) 상의 침착은 도면번호(203)로 표시된다. 코팅(205)의 부분은 조사되지 않는다. 이는 빗줄친 영역들(205')로 표시된다. 이들 영역들은 침착(203)을 포함하지 않거나 소량의 침착(203)만을 포함하는 표면을 갖는다. 따라서, 빔(B)에 의해 조사되지 않은, 즉 도 4d에서 영역들(205')로 표시된 바와 같은 그 부분들은 표면(302)으로서 적용될 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 빔(B)에 의해 조사되지 않은 표면들(202)의 부분들(205')은 표면(302)으로서 사용됨에 따라, 예를 들어 수소(100), 수소 라디칼(96) 및 할로겐 가스(100') 중 1 이상과 조합하여, 게터(및, 선택적으로는 라디칼 생성기(103))의 기능을 제공한다. 또한, 표면(202)의 부분들(205')은 빔(B) 내에 배치된 리소그래피 장치(1)의 요소들의 음영 내에 있는 표면(202)의 부분들일 수도 있다. 예를 들어, 오염 트랩(49) 은, 예를 들어 컬렉터 거울(50) 상에 약간의 음영들을 도입할 수 있다. 영역들(205')인 이들 음영 영역들은 빔(B)에 의해 조사되지 않으며, 또한 게터 표면(302)으로서 및/또는 촉매 표면(103)으로서 사용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 도 4d를 참조하여, 표면(203)의 부분(205)은 방사선 빔(B)에 의해 조사될 수 있다. 이 부분은 (상기 도면에 도시되지 않은 상기 장치 내에서) 웨이퍼 상의 이미지의 형성을 위해 사용된다. 이 부분은 방사선 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 내에 있으며, 이미지의 형성을 위해 사용된다. 하지만, 여기서 표면(202)의 부분들(205')로서 나타낸 제 1 표면(302)은 실질적으로 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 존재하며, 빔(B)에 의해 가로질러지지 않는다. 하지만, 빔의 측면들/날개들에서의 방사선은 여전히 표면(202)의 부분들(205')을 조사할 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 부분들(205')은 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치될 수 있지만, 방사선 빔의 전체 경로 외부에 존재하지 않을 수도 있다. 하지만, 부분들(205')이 (개략적인 도 4d에 도시된 것보다) 더 떨어져 있다면, 상기 부분들은 방사선 빔(B)의 경로 외부에 배치될 수도 있다.
도 4b 및 도 4c, 또한 도 4d를 참조하여 앞서 설명된 실시예들은 침착(203)으로부터 광학 요소(201)를 세정하는데 사용될 뿐만 아니라, 대안적으로 또는 추가적으로 오염물들의 침착(특히, Sn 및 C 침착)으로부터 광학 요소(201)의 표면(202)을 보호하는데 사용될 수도 있으며: 부연하면, 대상물(301)은 (상술된 바와 같이) 게터이다. 할로겐들 및/또는 수소 라디칼들의 존재로 인해, 배기될 수 있는 휘발성 오염물들(Sn 할로겐화물들 또는 Sn 수소화물들, CH4)이 형성되거나, 대상물(301)의 표면(302) 상에 금속 또는 그 화합물로서 우선적으로 보유되는 휘발성 오염물들(Sn 할로겐화물들 또는 Sn 수소화물들)이 형성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 방사선 소스(SO), 일 실시예에서 (EUV 방사선을 생성하는 Sn 방전 소스와 같은) 금속 증기 기반 EUV 방사선 소스(SO)를 포함하는 리소그래피 장치(1)에서 금속 오염물들을 결합시키는 방법이 제공되고, 상기 방법은 제 1 표면(302)을 갖는 대상물(301)의 리소그래피 장치(1)에서의 사용을 포함하며, 제 1 표면(302)은 금속 표면을 포함하고, 일 실시예에서 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택되며, 제 1 표면(302)은 금속 증기 기반 EUV 방사선 소스로부터 및/또는 다른 소스들 및 근원들로부터 금속을 보유하도록 구성되고, 제 1 표면(302)은 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치된다. 상기 방법은 수소 함유 가스(100), 수소 라디칼 함유 가스(96) 및 할로겐 함유 가스(100')의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 기체들을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 가스들의 1 이상의 존재로 인해, 침착이 휘발될 수 있으며, 표면(302) 상에 침착될 수 있다(상기 참조).
표면(302)에 의해 게터링되어야 할 오염물들은 금속, 금속 산화물들, 금속 수소화물들, 금속 수산화물, 금속 할로겐화물들 및 금속 할로겐산화물들의 그룹으 로부터 선택된 1 이상의 오염물들이다. 이 오염물들은 휘발될 수 있고, 표면(302)에 침착될 수 있으며, 금속, 금속 산화물, 금속 수산화물, 금속 수산화물, 금속 할로겐화물 및 금속 할로겐산화물 침착을 형성한다.
또 다른 실시예에서, 광학 요소(201) 또는 다른 요소들의 표면(202)을 세정하기 위해(처리를 포함), 금속 오염물들을 결합시키는(보유하는) 방법이 사용된다. 그러므로, 일 방법이 제공되고, 리소그래피 장치(1)는 제 2 표면(202)을 갖는 광학 요소(201)를 더 포함하며, 표면(202)은 금속 침착(203)(여하한의 다른 곳으로부터의 재침착을 포함)으로부터 세정되어야 하고, 상기 방법은 광학 요소(201)의 표면(202)에 수소 함유 가스(100), 수소 라디칼 함유 가스(96) 및 할로겐 함유 가스(100')의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 제공하는 단계를 더 포함한다. 특히, 리소그래피 장치(1) 내의 광학 요소(201)를 세정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 제 1 표면(302)을 갖는 대상물(301)의 리소그래피 장치(1)에서의 사용을 포함하며, 제 1 표면(302)은 금속 표면을 포함하고, 일 실시예에서 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택되며, 제 1 표면(302)은 금속 증기 기반 EUV 방사선 소스(SO)로부터의 금속 오염물들, 또는 제 1 표면(302) 상에 (재)침착될 수 있는 다른 소스들로부터의 금속 오염물들을 보유하도록 구성되고, 제 1 표면(302)은 리소그래피 공정 동안에 방사선 소스(SO)에 의해 생성된 방사선 빔(B)에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치되며, 광학 요소(201)는 제 2 표면(202)을 갖고, 제 2 표면(202)은 금속 침착으로부터 세정되어야 하며, 상기 방법은 수소 함유 가스(100), 수소 라디칼 함유 가 스(96) 및 할로겐 함유 가스(100')의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 제공하는 단계를 더 포함한다.
제 1 표면(302)은 오염물들을 게터링하고, 수소 라디칼들(또는 수소) 및 할로겐들의 1 이상의 존재로 인해, 광학 요소들 또는 다른 요소들 상의 침착이 제거되며, 제 1 표면(302)에 침착되는 효과를 제공한다. 이에 따라, 제 1 표면(302)이 오염된다. 예를 들어, 표면(302)이 수소 라디칼들을 생성하도록 배치되는 경우, 표면(302)의 오염(즉, 수소 라디칼 소스(103)의 오염)은 바람직하지 않다. 따라서, 또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치(1)는 제 2 세정 장치를 더 포함하고, 상기 제 2 세정 장치는 금속 침착으로부터 제 1 표면(302)을 세정하도록 배치된다. 또한, 상술된 바와 같은 방법이 제공되며, 금속 침착으로부터 제 1 표면(302)을 세정하는 단계를 더 포함한다. 상기 제 2 세정 장치는 도시되어 있지 않다. 상기 제 2 세정 장치는 리소그래피 장치(1)에서 인 시튜(in situ) 또는 엑스 시튜(ex situ)로 배치될 수 있다.
수행될 수 있는 다수의 공정들이 도 5a 내지 도 5c에 개략적으로 도시된다. 스테이지(191)에서, 대상물(301)은 게터로서 기능하며, 오염물들을 모은다. 소정의 시간이 경과한 후, 대상물(301)의 표면(302)은 (a) 선택적으로 제 2 세정 장치로 이동되며, 스테이지(192)에서 대상물(301)의 표면(302)이 세정된다. 대상물(301)의 표면(302) 상의 침착의 실질적인 제거 후, 상기 대상물은 다시 사용될 수 있으며, (b) 제 2 세정 장치로부터 그 게터 기능을 수행하는(즉, 오염물들을 보유하는) 위치로 다시 이동될 수 있다. 예를 들어, 이러한 공정은 표면(302)을 갖 는 회전 디스크를 이용하거나, 표면(302)을 갖는 병진 테이프(translating tape), 이동가능한 아암(360) 등을 이용하여 수행될 수 있다.
도 5b는 앞서 설명된 것과 동일한 방식을 도시한다. 하지만, 대상물(301)은 소스로부터 금속을 게터링하는데 사용될 뿐만 아니라, 광학 요소(201)와 같은 리소그래피 장치의 요소를 세정(즉, 침착을 제거)하는데에도 사용된다. 이는 세정 스테이지를 나타내는 도면번호(193)로 표시되며, (세정 장치(250)로) 광학 요소(201)의 표면(202)이 세정된다. 이 세정은 수소 라디칼들 및/또는 할로겐들의 존재로 인해 발생할 것이다. 이들은 침착을 휘발시키며, 이후 금속 오염물들은 표면(301) 상에 침착될 수 있다. 소정의 시간이 경과한 후, 대상물(301)의 표면(302)은 (a) 선택적으로 제 2 세정 장치로 이동되고, 스테이지(192)에서 대상물(301)의 표면(302)이 세정된다. 대상물(301)의 표면(302) 상의 침착의 실질적인 제거 후, 상기 대상물은 다시 사용될 수 있으며, (b) 제 2 세정 장치로부터 그 게터 기능 및 세정 기능을 수행하는 위치로 다시 이동될 수 있다.
도 5c에서, 표면(302)은 게터뿐만 아니라, 또한 수소 라디칼 소스(103)의 기능을 갖는다. 이러한 기능들은 191/194로서 표시되고, 이 도면번호는 게터링 스테이지 및 세정 스테이지를 나타내며, 대상물(301)은 게터(191)이며, 또한 수소로부터 수소 라디칼들의 형성을 위한 촉매(194)이다. 소정의 시간이 경과한 후, 대상물(301)의 표면(302)은 (a) 선택적으로 제 2 세정 장치로 이동되고, 스테이지(192)에서 대상물(301)의 표면(302)이 세정된다. 대상물(301)의 표면(302) 상의 침착의 실질적인 제거 후, 상기 대상물은 다시 사용될 수 있으며, (b) 제 2 세정 장치로부 터 그 게터 기능(191), 세정 기능(193) 및 수소 라디칼 생성 기능(194)을 수행하는 위치로 다시 이동될 수 있다.
상기 설명된 공정들은 열을 인가함으로써 촉진될 수 있다. 따라서, 또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치는 및 수소 함유 가스, 수소 라디칼 함유 가스, 할로겐 함유 가스의 그룹으로부터 선택된 1 이상, 및 광학 요소(201)를 가열하도록 배치된 가열 장치(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다. 가열은, 예를 들어 실온과 약 250 ℃ 사이, 특히 약 100 내지 250 ℃ 사이의 범위에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 가열 요소들은 상술된 바와 같은 세정 공정 동안에 컬렉터 거울(50)을 약 100 내지 250 ℃로 가열하는데 사용될 수 있다.
본 발명은 Sn 등으로부터 광학 요소들 또는 다른 요소들의 세정 시에 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명은 탄소 침착으로부터의 세정 시에도 적용될 수 있다. 예를 들어 도 4a에 도시된 바와 같이 별도의 수소 라디칼 소스(103)에 의해 존재하거나, 귀금속 표면(또는 백금 그룹 금속의 금속 표면)에 존재하는 수소 라디칼들(96)의 형성에 의해, CH4와 같은 휘발성 탄화수소들의 형성에 의해 탄소 침착들이 제거된다. 이들 탄화수소들은 (펌프(400)를 통해) 배기부(550)에 의해 쉽게 배기될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 진공 환경을 위한 대상물(201)이 제공되고, 상기 진공 환경은 약 0.01 내지 500 mbar 사이의 압력에서 수소 가스(100)를 포함하며, 대상물(201)은 금속 원자들 및 그 화합물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면(202)을 포함한다.
도 6을 참조하면, 유동 튜브(90)의 입구에 있는 Sn의 두꺼운 층(91), 및 튜브(90) 내에서 더 하류에 있고, 각각 d1 및 d2의 거리에 있는 깨끗한 샘플들(92, 93)로, 몇몇 실험들이 행해졌다.
모든 이송 실험들에서는, 완전히 유리로 만들어진 유동 튜브가 사용되었다. 제 1 실험에서, 압력은 20 mbar이었으며, 베어(bare) 실리콘 샘플들(92, 93)은 입증 샘플(witness sample)로서 사용되었다. 튜브의 입구에 있는 샘플(91)은 실리콘 기판 상에 침착된 약 50 내지 60 nm Sn 층을 갖는다. 수소 라디칼들(96)이 튜브(90) 내에서 샘플(91) 상으로 유동되는 때에, 약간의 Sn이 이 두꺼운 샘플(91)로부터 제거될 것이다. 입증 샘플들(92, 93)은 Sn이 이들 샘플들(92, 93) 상에 재-침착될 것인지를 테스트하는 역할을 한다. 상기 제 1 실험에서는 수소 라디칼들에 약 4 분 정도 노출된 이후 입증 샘플들 상에서 Sn이 발견되지 않았다.
그 후, 동일한 실험이 반복되었으나, 이번에는 입증 샘플들(92, 93)로서 Ru 샘플들을 사용하였다. 이 경우, 입증 샘플들 상에 Sn 이송 및 침착에 관한 명백한 증거가 존재하였으며; 3 분 동안 수소에 노출시킨 후에는, 두 입증 샘플들(92, 93) 상에 약 0.1 nm의 Sn이 존재한 반면, 약 5 nm의 Sn이 두꺼운 Sn 샘플(91)로부터 제거되었다.
이 두 실험들을 비교하면, 기판 물질(92, 93)의 타입은 Sn 침착 여부에 영향을 준다는 것을 알 수 있다. (Au, Ag와 같은) 귀금속들 및 (Ru, Rh, Pd, Os, Ir 및 Pt와 같은) 백금 그룹으로부터의 금속들 상의 침착은 양호한 반면, 다른 물질들 상의 침착은 양호하지 않다. 표면(302)이 침착을 보유하도록 구성되기 때문에, 표면(302)의 물질은, 특히 본 명세서에서 설명된 귀금속들 및 백금 그룹 금속들로부터, 더 바람직하게는 Ru 및/또는 Pt로부터 선택된다.
본 명세서에서 튜브들은 가스 튜브 또는 가스 파이프들, 즉 수소와 같은 가스들을 이송하는 튜브들을 일컫는다.
가스 유동들은 설명된 것과 다른 방향들로 진행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명은 EUV 방사선으로만 제한되지 않으며, 상술된 바와 같은 다른 방사선을 이용하는 리소그래피 장치에도 사용될 수 있다. 또한, 솔더 등과 같은 또 다른 근원(origin)으로부터, 또는 Sn 소스들 이외의 다른 방사선 소스들(SO)의 결과로 인한 다른 오염물들도 본 발명의 세정 장치(250) 및 세정 방법에 의해 제거될 수 있다. 나아가, 상기 언급된 Sn, Zn 및 Mn 기반의 금속들 또는 금속 화합물 이외에도, 다른 금속들(또는 다른 화합물들)이 제 1 표면(302)에 의해 보유될 수 있다.
또한, 본 발명의 세정 방법은 벽들, 지지 구조체들, 가스 록들 등과 같은 광학 요소들의 표면들 이외의 다른 표면들을 세정하는데에도 사용될 수 있다. 이와 마찬가지로, 금속 오염물들을 보유하는 방법 또한, 벽들, 지지 구조체들, 가스 록들 등과 같은 광학 요소들의 표면들 이외의 다른 표면들 상에 침착될 수 있는 금속 오염물들을 게터링하는데 사용될 수 있다. 게터(즉, 제 1 표면)는 광학 요소들 상의 침착을 방지하거나 제거하는데 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 벽 등과 같은 요소 들 상의 침착을 방지하거나 제거하는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 요소(201)는 광학 요소를 나타낼 뿐만 아니라, 일 실시예에서는 리소그래피 장치(1) 내의 여하한의 요소를 나타낼 수 있다. 리소그래피 장치(1) 내의 각 표면은 표면(302)의 존재로 인해 유익할 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이 해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (33)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 제공하도록 구성된 방사선 소스;
    금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 갖는 대상물(object) - 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 상기 방사선 빔에 의해 가로질러진(traversed) 영역 외부에 실질적으로 배치됨 - 을 포함하고,
    상기 대상물은 이동가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 상기 방사선 빔의 경로 내에 배치되지 않는 리소그래피 장치.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 Sn, Mn 및 Zn의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 원소들의 금속, 금속 산화물들, 금속 수산화물들, 금속 수소화물들, 금속 할로겐화물들 및/또는 금속 할로겐산화물(oxyhalide)들의 그룹으로부터 선택된 금속 오염물들을 보유하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 소스는 금속 증기 기반 EUV 방사선 소스를 포함하고, 상기 제 1 표면은 상기 금속 증기 기반 EUV 방사선 소스로부터 금속을 보유하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 소스는 Sn 방사선 소스인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 금속 표면을 포함하고, 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택되는 리소그래피 장치.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 상기 방사선 빔을 실질적으로 수용하도록 구성된 광학 요소의 표면층이 아닌 리소그래피 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 세정 장치 - 상기 제 1 세정 장치는:
    수소 함유 가스 소스; 및
    수소 라디칼 소스를 포함함 - ; 및
    제 2 표면을 갖는 광학 요소를 더 포함하고, 상기 제 2 표면은 금속 침착으로부터 세정되어야 하며, 상기 제 1 세정 장치는 상기 광학 요소의 상기 제 2 표면에 수소 라디칼 함유 가스를 제공하도록 배치되고, 상기 제 1 표면을 갖는 상기 대상물은 금속 재침착을 보유하도록 더욱 구성되는 리소그래피 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 수소 함유 가스 및/또는 수소 라디칼 함유 가스를 제공하도록 배치되는 리소그래피 장치.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 대상물은 상기 제 2 표면의 방향으로 이동가능하고, 상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 수소 함유 가스 및/또는 수소 라디칼 함유 가스를 제공하도록 배치되는 리소그래피 장치.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 장치는 할로겐 함유 가스 소스를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상기 제 1 세정 장치는 상기 광학 요소의 상기 제 2 표면에 수소 라디칼 함유 가스 및/또는 할로겐 함유 가스를 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 수소 함유 가스, 수소 라디칼 함유 가스, 및/또는 할로겐 함유 가스를 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 장치는 할로겐 함유 가스 소스를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 수소 함유 가스, 수소 라디칼 함유 가스, 및/또는 할로겐 함유 가스를 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 수소의 해리에 대해 촉매적으로 활성화되는 촉매 표면을 포함하는 리소그래피 장치.
  18. 제 9 항에 있어서,
    제 2 세정 장치를 더 포함하고, 상기 제 2 세정 장치는 금속 침착으로부터 상기 제 1 표면을 세정하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    제 1 세정 장치 - 상기 제 1 세정 장치는 할로겐 함유 가스 소스를 포함함 - ; 및
    제 2 표면을 갖는 광학 요소를 더 포함하고, 상기 제 2 표면은 금속 침착으로부터 세정되어야 하며, 상기 제 1 세정 장치는 상기 광학 요소의 상기 제 2 표면에 할로겐 함유 가스를 제공하도록 배치되고, 상기 제 1 표면을 갖는 상기 대상물은 금속 재침착을 보유하도록 더욱 구성되는 리소그래피 장치.
  20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 상기 할로겐 함유 가스를 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  21. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 대상물은 상기 제 2 표면의 방향으로 이동가능하고, 상기 제 1 세정 장치는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 상기 할로겐 함유 가스를 제공하도 록 구성되는 리소그래피 장치.
  22. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 제공하도록 구성된 방사선 소스;
    금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 갖는 이동 가능한 대상물(object) - 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 상기 방사선 빔에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치되고, 상기 제 1 표면은 금속 표면을 포함하며, 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택되고, 상기 제 1 표면은 상기 방사선 빔을 실질적으로 수용하도록 구성된 광학 요소의 표면층이 아닌 리소그래피 장치.
  23. 방사선 빔을 생성하도록 구성된 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 장치에서 금속 오염물들을 결합시키는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치 내에서 이동 가능한 대상물의 오염을 환원시키는 단계를 포함하고, 상기 대상물은 금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 가지며, 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 상기 방사선 빔에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치되는 금속 오염물들을 결합시키는 방법.
  24. 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 23 항에 있어서,
  25. 제 23 항에 있어서,
    수소 함유 가스, 수소 라디칼 함유 가스, 및 할로겐 함유 가스의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 제공하는 단계를 더 포함하는 금속 오염물들을 결합시키는 방법.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 금속 오염물들은 Sn, Mn 및 Zn의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 원소들의 금속, 금속 산화물들, 금속 수산화물들, 금속 수소화물들, 금속 할로겐화물들 및/또는 금속 할로겐산화물들의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 금속 오염물들인 금속 오염물들을 결합시키는 방법.
  27. 제 23 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    금속 침착으로부터 상기 제 1 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 금속 오염물들을 결합시키는 방법.
  28. 방사선 빔을 생성하도록 구성된 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 장치에서 광학 요소를 세정하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치 내에서 이동 가능한 대상물의 오염을 환원시키는 단계 - 상기 대상물은 금속 오염물들을 보유하도록 구성된 제 1 표면을 가지며, 상기 제 1 표면은 리소그래피 공정 동안에 상기 방사선 소스에 의해 생성된 상기 방사선 빔에 의해 가로질러진 영역 외부에 실질적으로 배치되고, 상기 광학 요소는 제 2 표면을 가지며, 상기 제 2 표면은 금속 침착으로부터 세정되어야 함 - ; 및
    상기 광학 요소의 상기 제 2 표면에 수소 함유 가스, 수소 라디칼 함유 가스 및/또는 할로겐 함유 가스의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 가스들을 제공하는 단계를 포함하는 광학 요소를 세정하는 방법.
  29. 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 28 항에 있어서,
    상기 제 1 표면은 금속 표면을 포함하며, 상기 금속은 Ru, Rh, Pd, Ag, Re, Os, Ir, Pt 및 Au의 그룹으로부터의 1 이상의 금속들로부터 선택되는 광학 요소를 세정하는 방법.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 금속 오염물들은 Sn, Mn 및 Zn의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 원소들의 금속, 금속 산화물들, 금속 수산화물들, 금속 수소화물들, 금속 할로겐화물들 및/또는 금속 할로겐산화물들의 그룹으로부터 선택된 1 이상의 금속 오염물들인 광학 요소를 세정하는 방법.
  31. 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 28 항에 있어서,
    상기 방사선 소스는 Sn 방사선 소스인 광학 요소를 세정하는 방법.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 1 이상의 가스들을 제공하는 단계는 상기 제 1 표면과 상기 제 2 표면 사이에 1 이상의 가스들을 제공하는 단계를 포함하는 광학 요소를 세정하는 방법.
  33. 제 28 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
    금속 침착으로부터 상기 제 1 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 광학 요소를 세정하는 방법.
KR1020097000798A 2006-07-14 2007-06-28 리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터 KR101056513B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/486,386 US7473908B2 (en) 2006-07-14 2006-07-14 Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus and method for cleaning a surface
US11/486,386 2006-07-14
PCT/NL2007/050318 WO2008007952A2 (en) 2006-07-14 2007-06-28 Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090033221A KR20090033221A (ko) 2009-04-01
KR101056513B1 true KR101056513B1 (ko) 2011-08-11

Family

ID=38512135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097000798A KR101056513B1 (ko) 2006-07-14 2007-06-28 리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7473908B2 (ko)
EP (1) EP2041623A2 (ko)
JP (1) JP5380285B2 (ko)
KR (1) KR101056513B1 (ko)
CN (1) CN101506737B (ko)
TW (1) TWI368111B (ko)
WO (1) WO2008007952A2 (ko)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7462841B2 (en) * 2005-10-19 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and use of a radiation collector
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7495239B2 (en) * 2005-12-22 2009-02-24 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7894037B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4973425B2 (ja) * 2007-10-03 2012-07-11 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置における集光光学手段のクリーニング方法及び極端紫外光光源装置
ITMI20080282A1 (it) * 2008-02-22 2009-08-23 Getters Spa Apparato per litografia con radiazione nell'uv estremo con un elemento assorbitore di idrocarburi comprendente un materiale getter
NL1036832A1 (nl) * 2008-04-15 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus comprising an internal sensor and a mini-reactor, and method for treating a sensing surface of an internal sensor of a lithographic apparatus.
DE102008028868A1 (de) 2008-06-19 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe
CN102077142B (zh) * 2008-06-30 2014-04-30 Asml荷兰有限公司 用于去除光刻设备的无盖层的多层反射镜上的沉积物的方法、光刻设备以及器件制造方法
NL2003152A1 (nl) * 2008-08-14 2010-02-16 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2010093245A (ja) * 2008-10-07 2010-04-22 Nikon Corp 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5559562B2 (ja) * 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
JP5534910B2 (ja) * 2009-04-23 2014-07-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102009045170A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung
US8872142B2 (en) 2010-03-18 2014-10-28 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
JP5818528B2 (ja) * 2011-06-17 2015-11-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5705592B2 (ja) * 2010-03-18 2015-04-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP2012068579A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクのクリーニング方法及びフォトマスクのクリーニング装置
JP5709546B2 (ja) * 2011-01-19 2015-04-30 キヤノン株式会社 エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法
US9335279B2 (en) * 2011-04-26 2016-05-10 Kla-Tencor Corporation Pre and post cleaning of mask, wafer, optical surfaces for prevention of contamination prior to and after inspection
DE102013219585A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, insbesondere Plasma-Lichtquelle oder EUV-Lithographieanlage
US20170003419A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Supriya Jaiswal Coatings for extreme ultraviolet and soft x-ray optics
US20170017146A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Applied Materials, Inc. Process for removing contamination on ruthenium surface
US9776218B2 (en) * 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
US9740094B2 (en) 2015-08-21 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Damage prevention on EUV mask
US11272606B2 (en) 2017-06-27 2022-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV light source and apparatus for lithography
WO2019058430A1 (ja) * 2017-09-19 2019-03-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成装置の制御方法
US10354887B2 (en) * 2017-09-27 2019-07-16 Lam Research Corporation Atomic layer etching of metal oxide
US10656539B2 (en) * 2017-11-21 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source for lithography process
DE102018204364A1 (de) * 2018-03-22 2019-09-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie
US11048180B2 (en) * 2018-09-25 2021-06-29 Asml Netherlands B.V. Component for use in a patterning device environment
CN110161808B (zh) * 2019-05-09 2022-02-22 上海华力微电子有限公司 光栅尺清洁装置和方法、光刻机
US11347143B2 (en) * 2019-09-30 2022-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof
CN112578643A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 台湾积体电路制造股份有限公司 清洁方法、形成半导体结构的方法及其系统
TWI738304B (zh) * 2020-04-23 2021-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體晶圓加工方法及清潔刷頭
DE102021205985A1 (de) 2021-06-11 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie und Verfahren zum Regenerieren eines gasbindenden Bauteils
US11561482B2 (en) * 2021-06-18 2023-01-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for reducing hydrogen permeation from lithographic tool
DE102021210101A1 (de) 2021-09-14 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem mit einem gasbindendem Bauteil in Form einer Folie
DE102021211964A1 (de) 2021-10-25 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Lithographiesystem und Verfahren zum Einbringen eines gasbindenden Bauteils
DE102021213613A1 (de) 2021-12-01 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Aufbringen eines Getter-Materials auf eine Oberfläche eines Bauteils für ein Lithographiesystem
DE102022102478A1 (de) 2022-02-02 2023-08-03 Asml Netherlands B.V. EUV-Lithographiesystem mit einem gasbindenden Bauteil
DE102022208986A1 (de) 2022-08-30 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Hoch – entropie – legierungen als getter in projektionsbelichtungsanlagen für die mikrolithographie

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050244572A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Robert Bristol Technique to prevent tin contamination of mirrors and electrodes in an EUV lithography system
KR20060051990A (ko) * 2004-10-04 2006-05-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 광학 요소상의 증착물 제거 방법, 광학 요소의 보호 방법,디바이스 제조방법, 광학 요소를 포함하는 장치, 및리소그래피 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714624B2 (en) 2001-09-18 2004-03-30 Euv Llc Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles
EP1429189B1 (en) * 2002-12-13 2008-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004104707A2 (de) * 2003-05-22 2004-12-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente
EP1774406B1 (en) 2004-07-22 2012-04-25 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Optical system having a cleaning arrangement
WO2006067730A2 (en) 2004-12-22 2006-06-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device and method for holding a substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050244572A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Robert Bristol Technique to prevent tin contamination of mirrors and electrodes in an EUV lithography system
KR20060051990A (ko) * 2004-10-04 2006-05-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 광학 요소상의 증착물 제거 방법, 광학 요소의 보호 방법,디바이스 제조방법, 광학 요소를 포함하는 장치, 및리소그래피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7473908B2 (en) 2009-01-06
WO2008007952A3 (en) 2008-03-06
TW200811607A (en) 2008-03-01
WO2008007952A2 (en) 2008-01-17
CN101506737B (zh) 2012-07-04
JP2009544148A (ja) 2009-12-10
EP2041623A2 (en) 2009-04-01
JP5380285B2 (ja) 2014-01-08
TWI368111B (en) 2012-07-11
US20080011967A1 (en) 2008-01-17
KR20090033221A (ko) 2009-04-01
CN101506737A (zh) 2009-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101056513B1 (ko) 리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터
US7767989B2 (en) Ex-situ removal of deposition on an optical element
US7518128B2 (en) Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned
JP5513354B2 (ja) リソグラフィ装置の素子を洗浄する方法
US7355672B2 (en) Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus
US7504643B2 (en) Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7495239B2 (en) Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
JP5377627B2 (ja) リソグラフィ装置、内部センサの検知面を処理する方法、およびデバイス製造方法
KR20080075899A (ko) 세정 디바이스를 포함한 리소그래피 장치 및 광학 요소를세정하는 방법
KR20110055601A (ko) 리소그래피 장치용 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치 및 광학 요소 생성 방법
JP4814922B2 (ja) リソグラフィ装置の光エレメントの保護方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
US8446560B2 (en) Lithographic apparatus comprising a magnet, method for the protection of a magnet in a lithographic apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140725

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee