KR101054468B1 - 마이크로 적외선 발생원 및 그 제조 방법 - Google Patents
마이크로 적외선 발생원 및 그 제조 방법Info
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Abstract
본 발명에 따른 적외선 발생원은 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 형성된 저응력막; 상기 반도체 기판의 상표면의 저응력막 중앙부에 형성된 발열부; 상기 반도체 기판의 상표면에 형성되고, 상기 발열부의 상표면의 양단 부분을을 커버하면서 상기 상표면의 중앙부는 노출하며 형성된 제1 및 제2 전극부를 포함하는 적외선 발생원으로서, 상기 반도체 기판의 중앙부에는 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티 내에는 상기 저응력막과 접촉하여 형성된 전열 금속부가 형성된 것을 특징적 구성으로 포함한다.
적외선, 열원, 마이크로 히터, 전열 금속부, 열 스트레스
Description
본 발명은 적외선 발생원 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 열 방사 특성이 향상된 적외선 발생원 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 적외선은 가시광선보다 파장이 길며 적색스펙트럼의 바깥쪽에 존재하며, 가시광선이나 자외선에 비해 강한 열작용을 갖는 성질을 띠며, 이 때문에 열선이라고도 불린다.
적외선 발생원는 적외선을 방사하는 적외선 발광 소자로서, 가스 분석 센서, 적외선 감지 센서를 포함하는 여러 IR 센서 분야에서 채용되어, 이러한 IR 센서는 각종 산업 여러 분야에서 응용되고 있으며, 의식주 분야는 물론 전방 시계 확보, 화재 현장 인명 구조, 조난자 수색, 건물 및 구조물 안전관리, 이산화 탄소의 적외선 흡수기기, 열설계 및 온도분포 해석과 같이 새로운 의료 기술, 정보 통신, 리모 트 센싱으로서 알려진 지구 환경의 측정 등 넓은 분야에 걸쳐 폭 넓게 사용되고 있다.
종래, 적외선 발생원에 사용되는 열원으로서 마이크로 히터가 알려져 있다.
도 1a은 종래 적외선 발생원에 사용되는 마이크로 히터의 개략적인 단면도를 도시한 도면이다. 도1에 도시한 바와 같은 종래의 마이크로 히터는 실리콘 웨이퍼(1)를 준비하고, 준비된 실리콘 웨이퍼(1)를 응력막(2)을 도포한 후, 그 상부에 발열부(3) 및 전극(4)을 형성한다.
또한 도 1a에 도시한 바와 같이 웨이퍼 기판(1)의 이면부의 중앙 일부분을 식각 등을 이용하여 캐비티(5)를 형성함으로써 발열부(3)의 발열 효율을 증대하고 있다.
그러나, 이와 같이 형성된 종래의 적외선 발생원의 열원의 경우, 도 1b에 도시된 바와 같이, 발열부의 중앙부에서 발열이 집중됨에 따라 열로 인한 스트레스(thermal stress) 역시 발열부(3)의 중앙부에 집중되게 되고, 이러한 과도한 열 스트레스는 적외선 발생원의 열원의 수명을 단축시킬 뿐만 아니라 적외선 발생원의 열원의 특성을 악화시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 전술한 바와 같은 종래의 적외선 발생원의 열원에서 발열부 중앙부에 집중된 발열을 발열부 전체로 확산시킴으로써, 발열부 중앙부에서의 열 스트레스를 완하시켜 적외선 발생원의 열원의 열특성을 향상시키고, 또한, 발생원 후면으로 방사되는 열을 반사시켜 IR 열 방사 효율을 증가시키면서, 펄스를 사용한 IR 발생원의 구동시에는 복사열이 전달되는 것을 방지할 수 있는 구조의 적외선 발생원 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 형성된 저응력막; 상기 반도체 기판의 상표면의 저응력막 중앙부에 형성된 발열부; 상기 반도체 기판의 상표면에 형성되고, 상기 발열부의 상표면의 양단 부분을 커버하면서 상기 상표면의 중앙부가 노출되도록 형성된 제1 및 제2 전극부를 포함하는 적외선 발생원으로서, 상기 반도체 기판의 중앙부에는 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티 내에는 상기 저응력막과 접촉하여 형성된 전열금속부가 형성된 것을 특징으로 하는 적외선 발생원이 제공된다.
여기서, 상기 캐비티 내에 형성된 전열 금속부의 양 끝단은 각각 상기 제1 및 제2 전극부의 내측 끝단으로부터 이격되어 형성되는 것이 바람직하며, 상기 발 열부는 폴리실리콘으로 형성되고, 상기 전열 금속부는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따르면, 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 형성된 저응력막; 상기 반도체 기판의 상표면의 저응력막의 양 주변에 각각에 형성된 제1 및 제2 전극부 및 상기 제1 및 제2 전극부와 이격되어 형성된 전열 금속부; 상기 전열 금속부의 주변부 및 상부를 모두 감싸도록 형성된 절연막; 상기 제1 및 제2 전극부의 일측과 상기 절연막을 감싸도록 형성된 발열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원이 제공된다.
여기서, 상기 반도체 기판의 하부에는 캐비티가 형성되는 것이 바람직하며, 상기 발열부는 폴리실리콘으로 제1 실시예와 동일하게 형성되며, 상기 전열 금속부는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택되는 것이 좋다.
또한, 전술한 바와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적외선 발생원을 제공하기 위해, 본 발명은, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 저응력막을 형성하는 단계; 상기 저응력막 상에 발열막을 형성하는 단계; 상기 발열막의 중앙부를 제외한 주변부를 제거하여 상기 저응력막의 주변부를 노출시켜, 상기 저응력막의 중앙부에 발열부를 형성하는 단계; 상기 노출된 저응력 막 전체와 상기 발열부의 일부를 덮도록 제1 및 제2 전극부를 각각 형성하는 단계; 반도체 기판의 하표면에 형성된 저응력막 및 상기 반도체 기판에, 상기 발열부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 캐비티를 형성하는 단계; 상기 캐비티 내의 상기 저응력막의 하표면에 전열 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 적외선 발생원의 제조 방법을 제공한다.
또한, 전술한 바와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적외선 발생원을 제공하기 위해, 본 발명은, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 저응력막을 형성하는 단계; 상기 저응력막 상의 중앙부에 전열금속부를 형성하고, 상기 전열금속부 주변으로 상기 전열금속부와 이격하여 제1 및 제2 전극부를 형성하는 단계; 상기 전열금속부를 감싸도록 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 전극의 내측 끝단부와 항기 절연막을 덮도록 발열부를 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판과 상기 하표면에 형성된 저응력막을 제거하여, 상기 발열부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 캐비티를 형성하는 단계를 포함하는 적외선 발생원의 제조 방법을 제공한다.
전술한 바와 같은 본 발명의 특징적 구성에 따르면, 발열부 중앙부 주변에 전열 금속부를 제공함으로써 발열부 중앙부에 집중된 발열이 전열 금속부를 따라 발열부 전체로 열 확산됨에 따라 발열부 중앙부에서의 열 스트레스가 완화되어 적 외선 발생원의 열원의 열특성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 이하의 설명 및 도면은 본 발명을 보다 용이하게 이해하기 위한 것으로 본 발명이 이하의 실시예나 도면, 설명으로 제한되는 것은 아님에 유념해야 한다.
(제1 실시예)
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적외선 발생원 또는 마이크로 히터의 내부단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 적외선 발생원(100)은, 반도체 기판(실리콘 웨이퍼: 110) 상부에 저응력막(실리콘 질화막, SiN: 120)이 형성되고, 상기 저응력막(120) 상의 중앙부에 위치된 발열부(130) 및 제1 및 제2 전극부(140,140')가 형성된 적외선 발생원으로서, 상기 반도체 기판(110)의 하부에 캐비티(150)가 형성되고, 상기 캐비티(150) 내에 있어서 상기 발열부(130)의 직하방으로 전열 금속부(160)가 상기 저응력막(120) 하부에 형성된다.
반도체 기판의 상표면 및 하표면에 기상 증착 또는 화학적 기상 증착법을 사용하여 형성되는 저응력막으로 SiN이 사용되는데, 이는 발열부(130)가 고온으로 발 열할 때 발생되는 막의 뒤틀림 등을 감쇄시키도록 작용한다. 도시된 도면에서는 반도체 기판(110)의 측벽면을 따라 저응력막이 형성되어 있지만, 이는 예시적인 것으로 반도체 기판 상의 측벽을 따라 형성된 저응력막 상부 및 하부를 제외하고 제거될 수도 있다.
저응력막(120) 상의 중앙부에 형성되는 발열부(130)로서 세라믹 벌크재를 포함하는 폴리 실리콘이 사용될 수 있으며, 발열부에 전압을 인가하기 위해 발열부(130)의 양단에 전극부(140, 140')가 형성된다.
반도체 기판(110)의 하부에는 발열부(130)의 열효율을 높이기 위한 캐비티(150)가, 반도체 기판(110)의 두께방향으로 사다리꼴 단면을 갖도록 저응력막(120)을 노출하도록 형성된다.
또한, 반도체 기판(100)의 캐비티(150) 내에는 전열 금속부(160)이 형성되는데, 이 때 전열 금속부(160)는 그 중심이 발열부(130)의 중심과 일치하도록 형성되는 것이 좋다.
도 2에 도시된 바와 같이 전열 금속부(160)는 저응력막(120)의 하방에서 발열부(130)와 중심이 일치하도록 형성됨에 따라, 발열부(130)에서 발생되는 고온의 열 스트레스를 발열부(130) 길이 방향으로 확산시킬 뿐만 아니라, 후면으로 방사되는 열을 반사시키는 반사판으로서 작용함에 따라 IR 열 방사 효율을 최대한으로 증가시킬 수 있다. 또한, 펄스를 사용한 IR 발생원의 구동시에는 복사열이 전달되는 것을 방지할 수 있기 때문에 펄스를 사용한 제어시 정확한 온도가 가능하고, 그에 따라서 정밀한 IR 방사를 할 수 있다는 효과도 기대될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 전극부(140,140')와 발열부(130) 사이에서만 전류가 흐드도록 제어하기 위해, 제1 및 제2 전극부(140,140')의 내측 끝단과 전열 금속부(130)의 외측 끝단은 소정된 거리 d만큼 이격되어, 제1 및 제2 전극부와 전열 금속부(130) 사이에 전기적 소통이 일어나지 않도록 하는 것이 좋다.
다음은 제1 실시예에 따른 적외선 발생원의 제조 방법에 대해 도 3a 내지 도 3h를 참조하여 이하에 설명하도록 한다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(110)을 준비한다. 이때 사용되는 반도체 기판으로서는 실리콘 웨이퍼(Si bare wafer)인 것이 바람직하다.
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 저응력막(120)을 증착하여 성막하는데, 이때 사용되는 막으로서는 SiN막을 사용할 수 있다.
그 다음, 도 3c에 도시한 바와 같이 반도체 기판의 상표면에 형성된 저응력막(120) 위로 발열부로서 사용하기 위한 폴리실리콘을 발열막으로서 도포한다.
이어서, 도 3d에 도시한 바와 같이, 마스크 등을 이용한 사진식각 등을 사용하여 저응력막 위에 형성된 발열막 중 발열부로 동작되는 중앙부만을 남기고 주변부의 발열막을 제거한다.
다음으로, 도 3e 및 도 3f에 도시된 바와 같이, 후속하여 전극으로서 작용하는 전극물질을 반도체 기판 전장(노출된 SiN막 및 발열부)에 걸쳐 형성하고, 마스크 등을 통한 사진 식각을 사용하여 제1 전극 및 제2 전극을 형성한다. 제1 전극 및 제2 전극은 발열부(130) 상에서 거리 W만큼 이격되도록 형성된다.
이어서, 도 3g 및 도 3h에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(110)과 그 이면에 형성된 SiN 막을 반도체 기판(110)의 두께방향으로 사다리꼴 단면을 갖도록, 반도체 기판(110)의 상면에 형성된 SiN막이 노출될 때 까지 식각하여 캐비티(150)를 형성하고, 캐비티(150)의 중앙부에서 전열금속부(160)의 중심을 발열부(130)의 중심에 일치시켜 형성한다. 이때 사용되는 전열 금속부의 재료는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택될 수 있다.
도 6은 본 실시예에 따른 적외선 발생원과 종래의 적외선 발생원의 열 스트 레스 분포를 도시한 도면으로서, 도면에 도시된 바와 같이, 발열부 주변의 열 스트레스가 증가되는 한편 발열부 중앙에서의 열 스트레스가 완화된 것을 확인할 수 있다.
이상 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따른 적외선 발생원에 의하면, 발열부 중앙부 직하방으로 응력막을 통해 전열금속부를 제공함으로써 발열부 중앙부에 집중된 발열이 전열 금속부를 따라 확산됨에 따라 발열부 전체로 열이 전달되어 발열부 중앙부에서의 열 스트레스가 완화되어 적외선 발생원의 열원의 열특성을 향상될 수 있다.
(제2 실시예)
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 적외선 발생원 또는 마이크로 히터의 내부단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 적외선 발생원(200)은, 반도체 기판(실리콘 웨이퍼: 210) 상부 및 하부에 저응력막(실리콘 질화막, SiN: 220)이 형성되고, 상기 상부 저응력막(220) 상에 제1 및 제2 전극부(230,230'), 전열 금속부(231) 및 발열부(270)가 형성된 차례대로 적층되어 형성되고, 상기 반도체 기판의 하부에는 캐비티(250)가 형성되고 있고, 전열 금속부(231)와 상기 발열부(270) 사이는 절연막(240)으로 절연되어 있으며, 제1 및 제2 전극부(230,230')와 상기 전열 금속부(231) 사이 역시 절연막(240)으로 절연되어 있다.
여기서, 전열 금속부(231)은 반도체 기판의 상표면의 저응력막(220)의 양단에 각각에 형성된 제1 및 제2 전극부와 이격되어 형성되며, 절연막(240)은 전열 금속부의 측벽부 및 상부를 모두 감싸도록 형성되고, 발열부는 제1 및 제2 전극부의 일부분과 절열막을 감싸도록 형성된다.
반도체 기판의 상표면 및 하표면에 기상 증착 또는 화학적 기상 증착법을 사용하여 형성되는 저응력막으로 SiN이 사용되는데, 이는 발열부(270)가 고온으로 발열할 때 발생되는 막의 뒤틀림 등을 감쇄시키도록 작용한다.
저응력막(220) 상에 형성되는 제1 및 제2 전극부(230, 230')와 전열 금속부(231)는 동일한 재질을 사용하는 경우 동일한 공정에 의해 형성될 수 있으며, 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택될 수 있다.
상기 절연막(240)은 제1 및 제2 전극(230,230')과 전열 금속부(231) 사이에 전류가 도통되는 것을 방지하기 위해 제공되며, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막이 사용될 수 있다.
반도체 기판(210)의 하부에는 발열부(130)의 열효율을 높이기 위한 캐비티(250)가, 반도체 기판(210)의 두께방향으로 사다리꼴 단면을 갖으면서 저응력막(220)을 노출시키며 형성된다.
다음은 제2 실시예에 따른 적외선 발생원의 제조 방법에 대해 도 5a 내지 도 5i를 참조하여 이하에 설명하도록 한다.
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(210)을 준비한다. 이때 사용되는 반도체 기판으로서는 실리콘 웨이퍼(Si bare wafer)인 것이 바람직하다.
다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 저응력막(220)을 증착하여 성막하는데, 이때 사용되는 막으로서는 SiN막을 사용할 수 있다.
그 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이 반도체 기판의 상표면에 형성된 저응력막(220) 위로 제1 및 제2 전극(230,230'), 그리고 전열 금속부(231)로 사용하기 위한 금속막을 도포한다.
이어서, 도 5d에 도시한 바와 같이, 마스크 등을 이용한 사진식각 등을 사용 하여 저응력막 위에 제1 및 제2 전극(230,230'), 그리고 전열 금속부(231)만을 남기고 그 이외의 금속막은 제거한다.
다음으로, 도 5e 및 도 5f에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 전극부(230,230')와 전열 금속부(231) 사이에 전기적 절연을 제공하기 위한 절연막(240)을 마스크 및 사진 식각을 통해 형성한다.
이어서, 도 5g 및 도 5h에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판 전장에 걸쳐 발열부(270)로서 작용하는 폴리실리콘막(270)을 도포한 후, 제1 및 제2 전극(230,230')의 일부와, 상기 절연막 전체를 감싸도록 사진 식각을 통해 폴리실리콘을 식각해 내어 발열부(270)를 형성한다. 이때 사용되는 전열 금속부의 재료는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택될 수 있다.
이어서, 도 5i에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(210)과 그 이면에 형성된 SiN 막을 반도체 기판(210)의 두께방향으로 사다리꼴 단면을 갖도록, 반도체 기판(210)의 상면에 형성된 저응력막인 SiN막이 노출될 때 까지 식각하여 캐비티(250)를 형성한다.
이전 설명한 바와 같은 도 6에서 알 수 있듯이, 발열부 주변의 열 스트레스가 증가되는 한편 발열부 중앙에서의 열 스트레스가 완화된다.
이상 설명한 본 발명의 제2 실시예에 따른 적외선 발생원에 의하면, 발열부 중앙부 직하방으로 응력막을 통해 전열금속부를 제공함으로써 발열부 중앙부에 집중된 발열이 전열 금속부를 따라 확산됨에 따라 발열부 전체로 열이 전달되어 발열부 중앙부에서의 열 스트레스가 완화되어 적외선 발생원의 열원의 열특성을 향상될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 게시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아닌 설명을 위한 것이고, 이런 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
따라서 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1a은 종래의 적외선 발생원을 도시한 도면.
도 1b는 종래 적외선 발생원의 발열부에서의 위치에 따른 열스트레스 분포를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적외선 발생원을 도시한 도면.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적외선 발생원의 제조 공정을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 적외선 발생원을 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5i는 본 발명의 제2 실시예에 따른 적외선 발생원의 제조 공정을 도시한 도면.
도 6은 본 발명에 따른 적외선 발생원과 종래의 적외선 발생원의 열스트레스 분포를 도시한 도면.
Claims (19)
- 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 형성된 저응력막;상기 반도체 기판의 상표면의 저응력막 중앙부에 형성된 발열부;상기 반도체 기판의 상표면에 형성되고, 상기 발열부의 상표면의 양단 부분을 커버하면서 상기 상표면의 중앙부가 노출되도록 형성된 제1 및 제2 전극부를 포함하는 적외선 발생원으로서,상기 반도체 기판의 중앙부에는 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티 내에는 상기 저응력막과 접촉하여 형성된 전열금속부가 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 적외선 발생원 .
- 제1항에 있어서,상기 캐비티 내에 형성된 전열 금속부의 양 끝단은 각각 상기 제1 및 제2 전극부의 내측 끝단으로부터 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 적외선 발생원 .
- 제1항에 있어서,상기 발열부는 폴리실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 제1항에 있어서,상기 전열 금속부는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 형성된 저응력막;상기 반도체 기판의 상표면의 저응력막의 양 주변에 각각에 형성된 제1 및 제2 전극부 및 상기 제1 및 제2 전극부와 이격되어 형성된 전열 금속부;상기 전열 금속부의 측벽부 및 상부를 모두 감싸도록 형성된 절연막;상기 제1 및 제2 전극부의 일측과 상기 절연막을 감싸도록 형성된 발열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 제5항에 있어서,상기 반도체 기판의 하부에는 캐비티가 형성된 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 제6항에 있어서,상기 발열부는 폴리실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 제5항에 있어서,상기 전열 금속부는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 제8항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 전열 금속부는 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 저응력막을 형성하는 단계;상기 저응력막 상에 발열막을 형성하는 단계;상기 발열막의 중앙부를 제외한 주변부를 제거하여 상기 저응력막의 주변부 를 노출시켜, 상기 저응력막의 중앙부에 발열부를 형성하는 단계;상기 노출된 저응력막 전체와 상기 발열부의 일부를 덮도록 제1 및 제2 전극부를 각각 형성하는 단계;반도체 기판의 하표면에 형성된 저응력막 및 상기 반도체 기판에, 상기 발열부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 캐비티를 형성하는 단계;상기 캐비티 내의 상기 저응력막의 하표면에 전열 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 캐비티 내에 형성된 전열 금속부의 양 끝단은 각각 상기 제1 및 제2 전극부의 내측 끝단으로부터 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 발열부는 폴리실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 전열 금속부는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 반도체 기판의 상표면 및 하표면에 저응력막을 형성하는 단계;상기 저응력막 상의 중앙부에 전열금속부를 형성하고, 상기 전열금속부 주변으로 상기 전열금속부와 이격하여 제1 및 제2 전극부를 형성하는 단계;상기 전열금속부를 감싸도록 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 전극의 내측 끝단부와 상기 절연막을 덮도록 발열부를 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판과 상기 하표면에 형성된 저응력막을 제거하여, 상기 발열부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 캐비티를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 발열부는 폴리실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 전열 금속부는 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄으로 이루어진 금속 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 전열 금속부는 동일한 금속인 것을 특징으로 하는 적외선 발생원의 제조 방법.
- 반도체 기판 상부에 저응력막이 형성되고, 상기 저응력막 상에 발열부 및 제1 및 제2 전극부가 형성된 적외선 발생원에 있어서,상기 반도체 기판의 하부에 캐비티가 형성되고, 상기 캐비티 내에 있어서 상기 발열부의 직하방으로 전열 금속부가 상기 저응력막 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
- 반도체 기판 상부에 저응력막이 형성되고, 상기 저응력막 상에 발열부 및 제1 및 제2 전극부, 및 전열 금속부가 형성된 적외선 발생원에 있어서,상기 반도체 기판의 하부에 캐비티가 형성되고 있고,상기 전열 금속부와 상기 발열부 사이는 절연막으로 절연되어 있으며,상기 제1 및 제2 전극부와 상기 전열 금속부 사이는 절연막으로 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 적외선 발생원.
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