KR101050404B1 - 파이프 래치 회로와 그의 구동 방법 - Google Patents
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Description
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- 다수의 데이터를 어드레스 정보에 따른 순서대로 입력받기 위한 파이프 입력수단;동기화 클럭신호에 상기 어드레스 정보 중 일부 어드레스 정보를 반영하여 제1 및 제2 제어클럭신호를 생성하기 위한 제어신호 생성수단; 및상기 파이프 입력수단의 출력신호를 상기 제1 및 제2 제어클럭신호에 동기화시켜 출력하기 위한 파이프 출력수단을 구비하되,상기 제어신호 생성수단은 카스 레이턴시 정보와 버스트 랭스 정보에 따라 활성화 구간이 정의되는 클럭활성화신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 제어클럭신호를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제2항에 있어서,상기 제어신호 생성수단은 상기 클럭활성화신호와 상기 어드레스 정보에 따라 상기 동기화 클럭신호를 제어하여 활성화 구간이 서로 다른 상기 제1 및 제2 제 어클럭신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제2항에 있어서,상기 파이프 출력수단은,상기 파이프 입력수단의 출력신호를 상기 제1 제어클럭신호에 동기화시켜 출력하기 위한 제1 동기화부; 및상기 파이프 입력수단의 출력신호를 상기 제2 제어클럭신호에 동기화시켜 출력하기 위한 제2 동기화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제4항에 있어서,상기 제1 및 제2 동기화부의 출력신호를 래칭하여 출력하기 위한 래칭부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제2항에 있어서,상기 제어신호 생성수단은,상기 어드레스 정보에 응답하여 제1 제어신호를 생성하기 위한 제1 제어신호 생성부; 및상기 동기화 클럭신호에 응답하여 제2 제어신호를 생성하기 위한 제2 제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제6항에 있어서,상기 제2 제어신호 생성부는,상기 제1 및 제2 클럭제어신호에 응답하여 상기 제2 제어신호의 천이 동작을 제어하기 위한 분주부; 및상기 제2 제어신호를 상기 분주부로 피드백하기 위한 피드백부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제6항에 있어서,상기 제어신호 생성수단은,시퀀셜 모드 또는 인터리빙 모드에 대응하는 모드제어신호에 응답하여 상기 제1 제어신호 생성부에 전달되는 상기 어드레스 정보를 제어하기 위한 모드제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제6항에 있어서,상기 파이프 입력수단은,상기 제1 제어신호에 응답하여 상기 다수의 데이터 중 해당 데이터의 출력 경로를 선택해주기 위한 경로선택부; 및상기 제2 제어신호에 응답하여 상기 경로선택부의 출력신호 중 해당 출력신호를 선택하여 출력하기 위한 선택출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 삭제
- 동기화 클럭신호의 제1 에지에 대응하며, 다수의 데이터를 어드레스 정보에 따른 순서대로 입력받기 위한 제1 파이프 입력수단;상기 동기화 클럭신호의 제2 에지에 대응하며, 상기 다수의 데이터를 상기 어드레스 정보에 따른 순서대로 입력받기 위한 제2 파이프 입력수단;상기 동기화 클럭신호에 상기 어드레스 정보 중 일부 어드레스 정보를 반영하여 다수의 제1 및 제2 제어클럭신호를 생성하기 위한 제어신호 생성수단;상기 제1 파이프 입력수단의 출력신호를 상기 다수의 제1 제어클럭신호에 동기화시켜 출력하기 위한 제1 파이프 출력수단; 및상기 제2 파이프 입력수단의 출력신호를 상기 다수의 제2 제어클럭신호에 동기화시켜 출력하기 위한 제2 파이프 출력수단을 구비하되,상기 제어신호 생성수단은 카스 레이턴시 정보와 버스트 랭스 정보에 따라 활성화 구간이 정의되는 제1 및 제2 클럭활성화신호에 응답하여 상기 다수의 제1 및 제2 제어클럭신호를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제11항에 있어서,상기 제1 클럭활성화신호는 상기 제1 에지에 대응하여 활성화되고, 상기 제2 클럭활성화신호는 상기 제2 에지에 대응하여 활성화되는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제11항에 있어서,상기 제어신호 생성수단은,상기 제1 클럭활성화신호와 상기 어드레스 정보에 따라 상기 동기화 클럭신호를 제어하여 상기 다수의 제1 제어클럭신호를 생성하기 위한 제1 클럭신호 제어부; 및상기 제2 클럭활성화신호와 상기 어드레스 정보에 따라 상기 동기화 클럭신호를 제어하여 상기 다수의 제2 제어클럭신호를 생성하기 위한 제2 클럭신호 제어 부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제11항에 있어서,상기 다수의 제1 및 제2 제어클럭신호는 상기 어드레스 정보에 따라 각각 서로 다른 구간에서 활성화되는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 파이프 출력수단 각각은,해당 파이프 입력수단의 출력신호를 상기 제1 및 제2 다수의 제어클럭신호 중 해당 제어클럭신호로 동기화시켜 출력하기 위한 다수의 동기화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제15항에 있어서,상기 다수의 동기화부의 출력신호를 래칭하여 출력하기 위한 래칭부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제11항에 있어서,상기 제어신호 생성수단은,상기 어드레스 정보에 응답하여 제1 제어신호를 생성하기 위한 제1 제어신호 생성부; 및상기 동기화 클럭신호에 응답하여 제2 제어신호를 생성하기 위한 제2 제어신호 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제17항에 있어서,상기 제2 제어신호 생성부는,상기 다수의 제1 클럭제어신호와 상기 다수의 제2 클럭제어신호 각각에 응답하여 천이 동작을 제어하기 위한 다수의 분주부; 및상기 다수의 분주부의 출력신호 각각을 해당 분주부로 피드백하기 위한 다수의 피드백부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제17항에 있어서,상기 제어신호 생성수단은,시퀀셜 모드 또는 인터리빙 모드에 대응하는 모드제어신호에 응답하여 상기 제1 제어신호 생성부에 전달되는 상기 어드레스 정보를 제어하기 위한 모드제어부 를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 제17항에 있어서,상기 제1 및 제2 파이프 입력수단 각각은,상기 제1 제어신호에 응답하여 상기 다수의 데이터 중 해당 데이터의 출력 경로를 선택해주기 위한 경로선택부; 및상기 제2 제어신호에 응답하여 상기 경로선택부의 출력신호 중 해당 출력신호를 선택하여 출력하기 위한 선택출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로.
- 삭제
- 다수의 데이터의 출력 순서에 대응하는 어드레스 정보 중 일부 어드레스 정보에 응답하여 다수의 데이터를 순서대로 입력받는 단계;동기화 클럭신호에 상기 어드레스 정보 중 나머지 어드레스 정보를 반영하여 다수의 제어클럭신호를 생성하는 단계; 및상기 다수의 제어클럭신호에 응답하여 상기 다수의 데이터를 순차적으로 출력하는 단계를 포함하되,상기 다수의 제어클럭신호는 카스 레이턴시 정보와 버스트 랭스 정보에 따라 활성화 구간이 정의되는 다수의 클럭활성화신호에 응답하여 활성화되는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
- 제22항에 있어서,상기 다수의 제어클럭신호를 생성하는 단계는 해당 클럭활성화신호와 상기 어드레스 정보에 따라 상기 동기화 클럭신호를 제어하여 활성화 구간이 서로 다른 상기 다수의 제어클럭신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
- 제22항에 있어서,상기 출력하는 단계에서 출력되는 데이터를 래칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
- 제22항에 있어서,상기 다수의 제어클럭신호를 생성하는 단계는,상기 어드레스 정보에 응답하여 제1 제어신호를 생성하기 단계; 및상기 동기화 클럭신호에 응답하여 제2 제어신호를 생성하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
- 제25항에 있어서,상기 제2 제어신호를 생성하는 단계는,상기 다수의 클럭제어신호에 응답하여 상기 제2 제어신호의 천이 동작을 제어하는 단계; 및상기 제2 제어신호를 상기 제어하는 단계로 피드백하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
- 제25항에 있어서,시퀀셜 모드 또는 인터리빙 모드에 대응하는 모드제어신호에 응답하여 상기 제1 제어신호를 생성하기 단계로 전달되는 상기 어드레스 정보를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
- 제25항에 있어서,상기 입력받는 단계;상기 제1 제어신호에 응답하여 상기 다수의 데이터 중 해당 데이터의 출력 경로를 선택하는 단계; 및상기 제2 제어신호에 응답하여 상기 선택된 경로를 통해 출력된 신호 중 해당 출력신호를 선택하여 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파이프 래치 회로의 구동 방법.
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US7656745B2 (en) | 2007-03-15 | 2010-02-02 | Micron Technology, Inc. | Circuit, system and method for controlling read latency |
KR101043722B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2011-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레이턴시 제어회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리장치 |
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US9813067B2 (en) | 2015-06-10 | 2017-11-07 | Micron Technology, Inc. | Clock signal and supply voltage variation tracking |
US9865317B2 (en) | 2016-04-26 | 2018-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses including command delay adjustment circuit |
US9997220B2 (en) * | 2016-08-22 | 2018-06-12 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for adjusting delay of command signal path |
US10224938B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-03-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for indirectly detecting phase variations |
KR102508309B1 (ko) * | 2018-04-23 | 2023-03-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 파이프 래치, 이를 이용하는 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000044572A (ko) * | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 디디알 에스디램에서의 읽기 구동 방법 및 장치 |
KR20040013532A (ko) * | 2002-08-07 | 2004-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고속데이터 출력을 위한 동기식 메모리 장치의 파이프래치회로 및 그를 이용한 동기식 메모리 장치 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5625303A (en) * | 1995-09-27 | 1997-04-29 | Intel Corporation | Multiplexer having a plurality of internal data paths that operate at different speeds |
US6956399B1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-10-18 | Xilinx, Inc. | High-speed lookup table circuits and methods for programmable logic devices |
US7259587B1 (en) * | 2004-11-08 | 2007-08-21 | Tabula, Inc. | Configurable IC's with configurable logic resources that have asymetric inputs and/or outputs |
KR100615610B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 컬럼 인에이블 신호발생방법 |
US7434082B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-10-07 | Agere Systems Inc. | Multi-stage clock selector |
US7358787B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-04-15 | International Business Machines Corporation | Dual operational mode CML latch |
-
2008
- 2008-12-04 KR KR1020080122534A patent/KR101050404B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-29 US US12/344,634 patent/US8742812B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000044572A (ko) * | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 디디알 에스디램에서의 읽기 구동 방법 및 장치 |
KR20040013532A (ko) * | 2002-08-07 | 2004-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고속데이터 출력을 위한 동기식 메모리 장치의 파이프래치회로 및 그를 이용한 동기식 메모리 장치 |
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